MINISTERUL EDUCAIEI AL REPUBLICII MOLDOVA UNIVERSITATEA TEHNIC A MOLDOVEI FACULTATEA DE CALCULATOARE, INFORMATIC I MICROELECTRONIC

Catedra MDS

LA DISCIPLINA: DMNE II LUCRAREA DE LABORATOR Nr.3 TEMA: Cercetarea caracteristicilor statice ale TB

A efectuat:

st. gr.ME-091 Rusu Valeriu

A verificat:

lector universitar Creu Vasilii

CHIINU 2011

Scopul lucrrii : Prezentarea modelului de definire a tranzistorului unijonciune cu efect de cmp n cadrului fiierului SPICE de intrare. Modelul SPICE static al tranzistoare-lor tec-j i simularea caracteristicilor statice i dinamice ale acestuia. Schemea simulat :

Modelul pspice static al TEC-j are baza ecuatiei Shichman-hodges:

I D (VGS VTO ) 2 (1 VDS )

n regim de saturaie

(1) (2)

I D [2 (VGS VTO ) VDS ] (1 VDS ) n regim de nesaturaie

Mersul lucrarii :

1.

Caracteristicile statice de transfer a tranzistorului TEC-J

* Caracteristicile statice de transfer VGS 1 0 DC -2.5 VDS 2 0 DC 10V JFET 2 1 0 J2N40 .model J2N40 NJF(Beta=.72m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=0 Vto=-5 Vtotc=-2.5m + Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u Vk=243.6 + Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18 Af=1 +RS={R} RD={R}) .PARAM R=20 *.TEMP -25 25 75 .STEP PARAM R LIST 0.01 20 .DC VGS -3 0 0.05V .PROBE .END

Rezultatul programului:

20mA

15mA

10mA

5mA

0A -3.0V

-2.8V ID(JFET)

-2.6V

-2.4V

-2.2V

-2.0V

-1.8V

-1.6V VGS

-1.4V

-1.2V

-1.0V

-0.8V

-0.6V

-0.4V

-0.2V

0.0V

Caracteristica de transfer a tranzistorului

20mA

15mA

10mA

5mA

0A -3.0V

-2.8V ID(JFET)

-2.6V

-2.4V

-2.2V

-2.0V

-1.8V

-1.6V VGS

-1.4V

-1.2V

-1.0V

-0.8V

-0.6V

-0.4V

-0.2V

0.0V

Familia caracteristicilor statice de transfer

Program2. *Caracteristicile statice de iesire VGS 1 0 DC {VGS} .PARAM VGS=-1 VDS 2 0 DC 10V JFET 2 1 0 J2N40 .model J2N40 NJF(Beta=.72m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=0 Vto=-5 Vtotc=-2.5m + Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u Vk=243.6 + Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18 Af=1) .PARAM R=20 .TEMP -25 25 75 *.STEP PARAM VGS LIST -2.5 -2 -1.5 -1 -0.5 0 .DC VDS -0.3V 10V 0.1V PARAM R LIST 0.01 20 .PROBE .END

15mA

10mA

5mA

0A

-5mA -1V

0V ID(JFET)

1V

2V

3V

4V VDS

5V

6V

7V

8V

9V

10V

20mA

16mA

12mA

8mA

4mA

0A

-4mA -1V

0V ID(JFET)

1V

2V

3V

4V VDS

5V

6V

7V

8V

9V

10V

Partea II Caracteristicile dinamice ale tranzistorului TEC-J Schema de simulare:

Program1: *Comutarea trenzistorului unijonctiune cu efect de cimp VDD 3 0 DC 10V RD 3 2 1K RG 1 0 1MEG .PARAM RIN=1K VIN 5 0 PULSE(-5V 0 0.5N 1P 1P 10N) RIN 5 1 {RIN} J1 2 1 0 J2N40 .model J2N40 NJF(Beta=.72m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=0 Vto=-5 Vtotc=-2.5m + Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u Vk=243.6 + Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18 Af=1) .PARAM CJ=1PF .TRAN 0.1N 15N 0 0.1N .STEP PARAM RIN LIST 0.1 100 600 *.STEP PARAM CJ LIST 0 0.5P 1P .PROBE .END
Variatia curentului de drena si tensiuniii de pe tranzistor in timp la diferite rezistente interne a generatorului de comanda .
15mA

10mA

5mA

0A

-5mA 0s 1ns ID(J1) 2ns 3ns 4ns 5ns 6ns 7ns Time 8ns 9ns 10ns 11ns 12ns 13ns 14ns 15ns

15V

10V

5V

0V

-5V 0s 1ns V(2) 2ns 3ns 4ns 5ns 6ns 7ns Time 8ns 9ns 10ns 11ns 12ns 13ns 14ns 15ns

Vriatia curentului de drena si tensiunii de pe tranzistor in timp la diferite capacitati de bariera a tranzistorului.
12V

10V

8V

6V

4V

2V

0V 0s 1ns V(2) 2ns 3ns 4ns 5ns 6ns 7ns Time 8ns 9ns 10ns 11ns 12ns 13ns 14ns 15ns

10mA

8mA

6mA

4mA

2mA

0A

-2mA 0s 1ns ID(J1) 2ns 3ns 4ns 5ns 6ns 7ns Time 8ns 9ns 10ns 11ns 12ns 13ns 14ns 15ns

Amplificator selectiv in baza unui TEC-J

*Amplificatorul selectiv in baza unui tranzistor TEC-J VCC 6 0 DC 10V C0 6 5 1N IC=0V L0 6 5 100U R0 6 5 50K CL 5 7 10N IC=0V RL 7 0 {RL} .PARAM RL 50K JFET 5 3 4 J2N40 .model J2N40 NJF(Beta=.72m Betatce=-.5 Rd=1 Rs=1 Lambda=0 Vto=-5 Vtotc=-2.5m + Is=33.57f Isr=322.4f N=1 Nr=2 Xti=3 Alpha=311.7u Vk=243.6 + Cgd=1.6p M=.3622 Pb=1 Fc=.5 Cgs=2.414p Kf=9.882E-18 Af=1) VIN 1 0 SIN(0 {AM} {FREQU} 0 0 0) AC {AM} .PARAM FREQU=100K .PARAM AM=2 RVIN 1 2 10K CG 2 3 10N IC=0 RG 3 0 100K

RS 4 0 1K CS 4 0 10N IC=0 .TRAN 0.1P 20U .STEP PARAM RL LIST 20K 80K *.STEP PARAM AM LIST 0.1 2 8 *.STEP PARAM FREQU LIST 100K 300K 400K 450K 500K 550K 700K 800K .AC DEC 20 1 10MEG .PROBE .END
10.8V

10.4V

10.0V

9.6V

9.2V

8.8V

8.4V 0s V(7) Time 2us 4us 6us 8us 10us 12us 14us 16us 18us 20us

Concluzie: n lucratea dat am studiat caracteristicile tranzistoarelor TEC-J. Am observat c caracteristicile statice a acestor tranzistoare se aseamn cu cele a tranzistoarelor bipolare i influena rezistenei serie a tranzistorului i a temperaturii asupra acestor caracteristici se nrutesc. Caracteristicile dinamice a TEC-urilor ns s mai slabe dect la TB, cu toate acestea ele se folosesc pe larg n circuitele de comutare. Se observ o influen mai puternic a capacitilor i rezistenelor parazite .