CAP.

3 TRANZISTOARE BIPOLARE
3.1 NOIUNI FUNDAMENTALE
Tranzistorul bipolar (TB), este realizat dintr-un cristal semiconductor compus din trei regiuni dopate cu impuriti de tip diferit, care se succed n ordinea: p-n-p sau n-p-n i care satisfac condiiile: 1) regiunea de mijloc, numit baz, are o lime mic (fraciuni de microni ... microni) fa de lungimea de difuzie a purttorilor minoritari care o parcurg i 2) una din regiunile extreme, numit emitor, are un grad de impurificare mult mai mare dect baza. Cea de-a treia regiune a tranzistorului se numete colector. n cadrul structurii de tranzistor se formeaz dou jonciuni pn. Regimurile de funcionare ale tranzistorului rezult dup cum sunt polarizate aceste jonciuni. Cele patru cazuri posibile sunt prezentate n tabelul 3.1. Polarizarea jonciunii: E-B C-B Directa Invers Direct Direct Invers Invers Invers Direct Regimul de funcionare Activ normal Saturaie Blocare Activ inversat
Tabelul 3.1 Regimurile de funcionare ale tranzistorului n funcie de polarizarea jonciunilor.

Funcionarea n regim activ normal (prescurtat RAN) este ntlnit n cazul aplicaiilor liniare. n saturaie tranzistorul se poate aproxima cu un comutator nchis (uCE 0), iar n blocare cu un comutator deschis (iC 0). Tranzistorul se utilizeaz n aceste dou regimuri la aplicaiile din electronica digital i la circuitele de comutaie. Regimul activ inversat este ntlnit foarte rar. Tranzistorul va fi analizat n regim activ normal. n RAN, jonciunea emitorului, dintre emitor i baz, este polarizat n sensul conduciei. Jonciunea fiind asimetric (condiia 2), curentul prin aceast jonciune se va datora ndeosebi purttorilor minoritari injectai n baz din emitor. Aceti purttori vor difuza prin baz i cea mai mare parte a lor vor traversa baza fr a se recombina (datorit condiiei 1) ajungnd la ce-a dea doua jonciune pn (jonciunea colectorului), pe care o vor traversa, deoarece este polarizat invers (fiind favorizat conducia purttorilor minoritari). Astfel, prin jonciunea colectorului, dei polarizat invers, va trece un curent mare, aproape ntreg curentul care trece prin jonciunea emitorului polarizat direct. Trecerea unui curent mare printr-o jonciune polarizat invers, datorit prezenei unei jonciuni polarizat direct n vecintatea ei, constituie efectul de tranzistor. Aceste tranzistoare se numesc tranzistoare bipolare deoarece funcionarea lor se bazeaz pe ambele categorii de purttori (majoritari n regiunile extreme i minoritari n regiunea de mijloc). Simbolurile tranzistoarelor de tip pnp, respectiv npn sunt prezentate n figura 3.1.

uEB iB B
a) pnp

E iE B iB iC C uBE
b) npn

C iC

Fig. 3.1. Simbolurile tranzistoarelor bipolare. Sgeata din simbol indic emitorul tranzistorului. Sensul sgeii indic sensul jonc. emitorului (de la p la n) i sensul curenilor prin tranzistor. Tranzistorul pnp este reprezentat cu emitorul n sus, rezult astfel o circulaie a curenilor de sus n jos.

iE E

3.1.1

Tranzistorul bipolar n regim activ normal (RAN)

n regim activ normal jonciunea emitorului este polarizat direct i jonciunea colectorului este polarizat invers. Pentru fixarea ideilor se va considera tranzistorul npn, caz n care: u BE > 0 ; u BE > U D 0 ; u BC < 0 ., u CE > U CEsat , (3.1)

n cazul aplicaiilor uzuale condiiile anterioare devin: (3.2) unde UD 0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD 0 0,5V la siliciu) i UCEsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului (cu o valoare uzual de cteva zecimi de volt). n aceste condiii, datorit efectului de tranzistor, curentul de colector este aproape egal cu cel de emitor: iC = i E cu

= 0,98...0,998 ,

(3.3)

unde este factorul de amplificare n curent dintre colector i emitor. Efectul de tranzistor poate fi modelat printr-un generator de curent comandat n curent. Curentul de emitor circul prin jonciunea de emitor polarizat direct i depinde exponenial de tensiunea de polarizare a jonciunii conform unei ecuaii de tipul ecuaiei exponeniale a diodei. Tranzistorul poate fi privit ca o diod ntre baz i emitor i ca un generator de curent (comandat n curent) n colector. Circuitul din figura 3.2.a este echivalent unui tranzistor npn.
E iE IS /

iE

iC C

E iE

iE
UBE
+

iB UBE

iC

iC C

iB

B B E a) b) c) Fig. 3.2. Modele de semnal mare n RAN pentru tranz. npn; a) circuit cu diod, b), c) circuite echiv. simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.

Ecuaia exponenial a tranzistorului pentru tranzistorul npn este: u iC = I S exp BE , UT

(3.4)

unde IS este o constant numit curent de saturaie al tranzistorului i UT ( 25mV la 290K) este tensiunea termic. IS are valori tipice n domeniul 10 1510 12A (funcie de dimensiunea tranzistorului) i depinde de temperatur (se dubleaz la circa 5C cretere a temperaturii).

O simplificare a schemei echivalente din figura 3.2.a, se obine nlocuind dioda dintre baz i emitor cu o surs de tensiune constant. Aceast nlocuire este posibil deoarece tensiunea baz-emitor se schimb relativ puin la modificarea curentului de colector; pentru un curent prin tranzistor IC = zecimi de mA sute de mA, rezult UBE =0,60,8V(la tranzistorul cu siliciu). Se consider o tensiune constant: UBE 0,7V i se obine astfel modelul simplificat al TB din figura 3.2.b, care asigur o precizie suficient pentru circuitele uzuale. n majoritatea aplicaiilor tranzistorul este utilizat ca un dispozitiv comandat. Modelul din figura 3.2.b (sau a), este convenabil dac tranzistorul este comandat din emitor, adic circuitul de comand fixeaz valoarea curentului de emitor. Exist adesea situaii n care tranzistorul este controlat din baz. Pentru aceste cazuri este preferabil circuitul din figura 3.2.c, (echivalent cu circuitul din figura 3.2.b), Trecerea de la curentul de emitor la curentul de baz se face cu aanumita ecuaie de continuitate a tranzistorului:
i E = iC + i B ,

(3.5)

care se nlocuiete n relaia (3.3). Rezult succesiv:

iC = i E = iC + i B ; iC (1 ) = i B ; iC = i B ; iC =

i B sau

(3.6) (3.7)

, 1

reprezint factorul de amplificare n curent dintre colector i baz. innd seama de valorile pt. din relaia (3.3), rezult = 50500 cu valori uzuale =100300. Se observ dispersia mare a amplificrii colector-baz i se reine faptul c aceast amplificare este mult supraunitar. La tranzistoarele pnp se inverseaz sensul tensiunilor i al curenilor, conform cu sensurile din figura 3.1.a. Astfel, se inverseaz indicii tensiunilor din relaiile (3.1) (3.2) i (3.4); de exemplu, pentru ca tranzistorul pnp s fie practic n RAN relaia (3.2) devine:
u EB > U D 0 ; u EC > U ECsat .

(3.8)

Relaiile referitoare la cureni (3.3), (3.5) i (3.6) nu se modific (deoarece sensul de circulaie al curenilor prin tranzistorul pnp se consider inversat fa de tranzistorul npn curentul intr n emitor i iese prin colector). n cazul tranzistoarelor pnp, schemele echivalente din figura 3.2 devin:
+

E iE IS / a) B

iE

iC C

E iE UEB
+

iE

iC C UEB
B

iB
c)

b)

iB

iC

Fig. 3.3. Modele de semnal mare n RAN pentru tranz. pnp; a) circuit cu diod, b), c) circuite echiv. simplificate dioda este nlocuit cu o surs de tensiune.

Indiferent de tip, tranzistorul bipolar n RAN este un dispozitiv care controleaz curentul de colector. Controlul liniar al curentului de colector se poate realiza n dou moduri: - prin curentul de emitor i - prin curentul de baz. La analiza unui circuit cu tranzistoare, se identific modalitatea de control (din emitor sau din baz), se utilizeaz unul dintre modelele din figura 3.2 sau 3.3 i se verific, cu relaiile (3.2) sau (3.8), n ce msur tranzistorul i pstreaz regimul activ normal de funcionare la eventuala modificare a semnalelor.

3.1.2

Tranzistorul bipolar n regim de blocare

n regim de blocare ambele jonciuni ale TB sunt polarizate invers (conform tabelului 3.1). n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn:
u BE < 0 i u BC < 0 .

(3.10)

n practic se admite c tranzistorul este blocat chiar dac jonciunile tranzistorului sunt polarizate direct dar cu o tensiune mai mic dect tensiunea de deschidere a diodelor respective; la tranzistor npn:
u BE < U D 0 ; u CE > 0 ,

(3.11)

unde UD 0 este tensiunea de deschidere a diodei baz-emitor (UD 0 0,5V la siliciu). n acest caz curenii prin tranzistor sunt de ordinul microamperilor, neglijabili pentru aplicaiile practice. Se pot utiliza relaiile aproximative:
iB 0 , iC 0 , iE 0 ,

(3.12)

ceea ce este echivalent cu a considera tranzistorul ca o ntrerupere de circuit. La tranzistorul pnp sensul tensiunilor se inverseaz i relaiile (3.11) devin:
u EB < U D 0 ; u EC > 0 ,

(3.13)

n concluzie, un tranzistor blocat nu are nici un efect n circuitul n care apare i poate fi ters din acel circuit.

3.1.3

Modele simplificate ale TB valabile n RAN i n blocare

Trecerea din regimul de blocare n regim activ normal are loc gradat prin modificarea tensiunii pe jonciunea emitorului de la UD 0 0,5V la UD 0,7V i poate fi analizat cu ajutorul ecuaiei exponeniale a tranzistorului, relaia (3.4). Caracterul neliniar al acestei ecuaii face nepractic utilizarea ei n la analiza circuitelor obinuite.

E iE

iE i C C
UD
a)
+

iB
+

iC C

iC uBE
c) 0 UD

iB
E

UD
B

uCE > UCEsa

t

b)

Fig. 3.4. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare npn valabile n RAN i n blocare, comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.

Modelele simplificate din figura 3.4 i 3.5 pot fi utilizate att n regim de blocare ct i n regim activ normal. Trecerea de la un regim la altul are loc prin modificarea strii diodei ideale din circuitul echivalent (ca i la modelul diodei cu tensiune de prag). Aceast simplificare conduce la micorarea preciziei mai ales n domeniul curenilor mici, la limita dintre blocare i RAN. iC uEC > UECsa E t UD iE i C E iE UD C uEB iB iB iC 0 U
D c) B a) B b) C Fig. 3.5. Circuite echivalente simplificate pentru tranzistoare pnp valabile n RAN i n blocare, comandate: a) n emitor, b) n baz ; c) caracteristica de transfer idealizat.

Circuitele echivalente prezentate nu sunt valabile n saturaie i n regim activ inversat, ceea ce impune o condiie suplimentar:
u CE > U CEsat pentru npn,
respectiv

unde UCEsat sau UECsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului npn, respectiv pnp (cu o valoare uzual de cteva zecimi de volt).

3.1.4

Tranzistorul bipolar n saturaie

n regim de saturaie ambele jonciuni ale TB sunt polarizate direct (conform tabelului 3.1). n cazul tranzistorului npn aceasta nseamn:
u BE > 0 ; u BC > 0 .

Tranzistorul bipolar intr n regim de saturaie dac n baza tranzistorului se foreaz din exterior un curent mai mare dect curentul de baz necesar pentru meninerea curentului de colector al tranzistorului:
iB > iC

Surplusul de curent din baz iB = iB ( iC / ) deschide jonciunea baz-colector. Deoarece ambele jonciuni ale tranz. sunt deschise, tensiunea dintre colector i emitor este mic: uCE = uBE uBC ( 0,7 0.40,6=0,10,3V). Dac se consider aceast tensiune aproximativ constant, n locul unui tranzistor npn saturat se poate utiliza circuitul echivalent din figura 3.6.a.
B
+ +

UBEsat

UCEsat

UBE

UEBsat

B C E E a) b) c) Fig. 3.6. Scheme echivalente pentru tranzistorul bipolar saturat: a) tranzistor npn, b) schem simplificat pentru npn, c) tranzistor pnp.

Tensiunea de saturaie a tranzistorului UCEsat are o valoare uzual de cteva zecimi de volt; n cazul tranzistoarelor de mic putere se poate considera UCEsat 0,2V. La o analiz simplificat a circuitelor care conin tranzistoare 5

u EC > U ECsat pentru pnp ,

(3.14)

(3.15)

(3.16)

UECsat

saturate se poate considera tensiunea de saturaie a tranzistorului ca fiind nul, mai ales dac tensiunile din circuitul colectorului au valori mai mari dect civa voli. n acest caz circuitul echivalent al tranzistorului se simplific i devine cel din figura 3.6.b. Tensiunea baz-emitor a tranzistoarelor n saturaie are de obicei valori mai mari dect n RAN UBEsat = 0,7...0,9V. Pentru simplitate se consider tensiunea baz-emitor cu aceeai valoare din RAN: UBEsat UBE 0,7V. Pentru a realiza o saturaie ferm a tranzistorului, raportul dintre curentul de colector i cel de baz, numit factor de amplificare forat (de circuitul exterior):

fortat =
se alege de obicei

iC <, iB

(3.17) (3.18)

fortat = 10 K 20 << .

n cazul tranzistoarelor pnp sensul tensiunilor se inverseaz i se poate utiliza circuitul echivalent din figura 3.6.c, unde UECsat este tensiunea de saturaie a tranzistorului (cu valori uzuale de cteva zecimi de volt, ca i la tranzistorul npn). n concluzie, tranzistorul este saturat datorit unui curent excesiv n baz i se comport ntr-o prim aproximare ca un comutator nchis (ntre colector i emitor). Mai exact, tensiunea colector-emitor este de cteva zecimi de volt.

3.2 APLICAII SIMPLE ALE TRANZISTOARELOR

3.2.1 Inversorul cu tranzistor bipolar

Inversorul de tensiune n forma lui cea mai simpl este prezentat n figura 3.7. Sursa de tensiune de la intrare se conecteaz ntre baz i emitor (prin intermediul rezistenei RB ) iar ieirea se preia ntre colector i emitor. Emitorul este conectat la mas i este comun intrrii i ieirii; se spune despre tranzistor c este n conexiunea emitor comun.
i C RC
+ +

RB UCC

iB
+

iC

RC uO UCC
+

RB iB uI uBE uO
+

uI

UBE

iB

a) b) Fig. 3.7. Inversorul cu tranzistor bipolar: a) schema de principiu, b) schema echivalent cu tranzistorul n RAN.

Tranzistorul este utilizat ca amplificator de curent, iar rezistenele realizeaz conversia curent-tensiune. Rezistena RB transform tensiunea de intrare n curent de baz conform T2K pe bucla de intrare:
u I = R B i B + u BE iB = u I u BE . RB

(3.19)

Rezistena RC transform curentul de colector n tensiune de ieire conform T2K pe bucla de ieire:
u O = U CC RC iC ,

(3.20)

unde cu UCC s-a notat tensiunea sursei de alimentare a circuitului. Se consider cazul uzual n care este ndeplinit condiia, U CC >> UD 0 , (3.21) unde UD 0 0,5V este tensiunea de deschidere a unei diode cu siliciu (jonciunea baz-emitor). Pentru tensiuni de intrare mici ( u I < UD 0 ) tranzistorul este blocat, curenii prin tranzistor sunt neglijabili i tensiunea de ieire are o valoare ridicat:
u O = U CC RC iC U CC ,

(iC

0) .

(3.22)

Pentru tensiuni de intrare suficient de mari, tranzistorul intr n saturaie. n acest caz tensiunea de ieire este mic: u O = U CEsat ( 0,2V) , (3.23) i curentul de colector atinge o valoare apropiat de valoarea maxim posibil:

iC =

U CC U CEsat U CC (= I C max ) . RC RC

(3.24)

Intrarea n saturaie a tranzistorului are loc dac se injecteaz n baza acestuia un curent mai mare dect cel necesar pentru a susine curentul din colector. Condiia (3.16), de intrare n saturaie, devine:
iB = u I U BE iC U CC > RB RC u I > U BE + RB U CC . RC

(3.25)

Tensiunea baz-emitor s-a considerat constant, UB E (= UD 0,7V). Cele dou situaii extreme: tranzistorul blocat i respectiv tranzistorul saturat sunt utilizate la circuitele care lucreaz n comutaie sau n cazul circuitelor logice. n acest ultim caz, dac se aloc valoarea logic 0 pentru tensiuni mici (apropiate de zero voli) i valoarea logic 1 pentru tensiuni ridicate (apropiate de UCC ) se observ c valoarea logic de ieire este inversul valorii logice de intrare; circuitul cu tranzistor realizeaz funcia de inversare sau negare logic. Dac tensiunea de intrare are valori medii, atunci tranzistorul va funciona n regiunea activ normal (RAN). Tranzistorul se comport ca o surs de curent controlat din circuitul bazei i de aceea se prefer utilizarea schemei echivalente din figura 3.3.c. Schema echivalent a inversorului este prezentat n figura 3.7.b. Funcionarea circuitului poate fi descris cu relaiile (3.6), (3.19) i (3.20), relaii din care se obine caracteristica de transfer a circuitului:
u O = U CC RC i B = U CC RC u I U BE . RB

(3.26)

Exemplu
S se exprime analitic i s se reprezinte grafic caracteristica de transfer a inversorului din figura 3.7.a pentru: RC =1k , RB =10k , uI =05V i UCC =5V. Se consider modelul din fig. 3.4.b cu UBE (= UD ) =0,7V, =100 i UCEsat =0,2V.

Rezolvare: n blocare: i B 0, u BE = u I RB i B u I . Tranzistorul este blocat dac dioda baz-emitor este blocat: uB E < UD adic uI < UD . Dac tranzistorul este blocat, iC 0 i conform (3.22) rezult:
u O = U CC RC iC U CC = 5V , pentru u I < 0,7 V . Pentru uI >0,7V dioda baz-emitor este n conducie i tranzistorul poate fi n RAN sau n saturaie. Dac uO >0,2V, tranzistorul este n RAN i caracteristica de transfer este dat de (3.26):
u O = 5 1k 100 u I 0,7 = 12 10 u I [V] , pt. 12 10 u I > 0,2 u I < 1,18V . 10k

n saturaie, conform (3.23): uO =0,2V pentru uI >1,18V relaia (3.25). Caracteristica de transfer a circuitului pentru ntreg domeniul de variaie a tensiunii de intrare este reprezentat grafic n figura 3.8. Pentru comparaie, s-a reprezentat cu linie ntrerupt caracteristica obinut prin simulare. Caracteristica de transfer este descris analitic de funcia liniarizat pe poriuni:

uO [V]
5

Saturaie

pentru u I < 0,7 V uO = 5 V u O = 12 10 u I V pt. 0,7 u I < 1,18 V u = 0,2 V pentru u I 1,18 V O

Blocare

RAN

Fig. 3.8. Caracteristica de transfer a inversorului cu tranzistor ; cu linie ntrerupt este schiat caracteristica de transfer obinut prin simulare.

0,2 0

uI [V]
0,7 1 1,18 2 5

Problem de proiectare
a) S se dimensioneze circuitul inversor din figura 3.9,

RC
1k

+UCC
+5V

astfel nct s realizeze: uO UCC pentru uI =01V, uO = UC Esat 0 pentru uI = 25V.

+

iC R1 uI iB uO R2 uBE

Parametrii tranzistorului se consider UD 0 =0,5V, UB E =0,7V i =100.

Fig. 3.9. Inversor logic cu tranzistor

b) S se determine tensiunea de intrare de la care tranzistorul intr n saturaie dac =300.

Rezolvare:
a) Dimensionarea circuitului se reduce la aflarea valorilor rezistenelor R 1 i R 2 . Pentru tranzistorul blocat, divizorul de tensiune lucreaz n gol (iB 0) i deci:

u BE = u I

R2 sau R1 + R2

uI R = 1+ 1 . u BE R2

La limita ieirii din blocare, conform relaiei (3.11): uBE = UD 0 =0,5V i trebuie ca uI =1V (conform enunului). Din relaia precedent rezult:

R1 u 1 = I 1 = 1 = 1 R2 u BE 0,5

R1 = R2 .

La limita intrrii n saturaie (uI = 2V), cf. relaiei (3.25), curentul de baz este:
iB U CC 5 = = 0,05 mA . RC 100 1k i R1 = i R 2 + i B = iR1 = U BE + i B , obinut din T1K, R2

Curentul necesar prin R 1:

se poate determina i din legea lui Ohm:

U BE u U BE + iB = I , R2 R2 R2 =

u I U BE . Pentru R 1 =R 2 , rezult: R1

u I 2U BE 2 2 0,7 = = 12k iB 0,05m

b) Pentru =300, la limita intrrii n saturaie (uI = 2V), curentul iB necesar este:

iB

U CC 5 = = 0,0167 mA , RC 300 1k

iar tensiunea de intrare la care apare acest curent (pentru R 1 =R2 =12k) se poate calcula din:
u I U BE U BE = + iB R1 R2 u I = R1i B + 2U BE = 12k 0,0167 m + 2 0,7 = 1,6V .

n concluzie circuitul analizat poate fi utilizat ca inversor logic. Intervalele de tensiuni corespunztoare nivelelor logice la intrare sunt:
pentru 0 logic : uI =01V depinde de tensiunea de deschidere a tranzistorului UD 0 i de raportul rezistenelor de la intrare (nu depinde de ); pentru 1 logic : uI = 25V pentru =100 i uI = 1,65V pentru =300 depinde de factorul de amplificare n curent al tranzistorului. Pentru ca circuitul s funcioneze cu orice tranzistor care are 100, se va considera intervalul de tensiuni care asigur saturarea tranzistorului pentru minim, deci uI = 25V, saturarea tranzistoarelor care au mai mare fiind asigurat implicit.

3.2.2

Circuit de comand al unui releu cu tranzistor bipolar

Dimensionarea circuitului de comand cu tranzistor bipolar se va face pe baza unui exemplu. Circuitul din figura 3.11 declaneaz un releu electromagnetic la scderea iluminrii ambiante sub un anumit prag. Contactele de for ale releului pot fi utilizate de exemplu pentru cuplarea automat a sistemului de iluminare de siguran. Ca senzor de lumin este utilizat fotorezistena FR component semiconductoare a crei rezisten scade la creterea iluminrii (datorit purttorilor de sarcin generai optic). Prin modificarea rezistenei R 1 se poate ajusta pragul de declanare. Dioda D are rolul de a crea o cale de curent pentru tensiunea de autoinducie care apare la decuplarea releului (n momentul blocrii tranzistorului). n lipsa diodei aceast tensiunea ar putea duce la strpungerea tranzistorului. Exemplu de proiectare S se calculeze R 1 pentru ca releul s cupleze la acea iluminare pentru care fotorezistena are RFR = 5k, dac UCC =12V, UBE =0,7V, =100. Rezistena releului este RRel = 1k iar tensiunea de prag (la care cupleaz releul) este UP =6V. La ce valoare a FR va cupla releul dac =200? Rezolvare: Declanarea releului se produce la apariia tensiunii de prag pe releu. Curentul prin releu este curentul de colector al tranzistorului. Curenii prin i U 6 6m tranzistor sunt: iC = P = = 6mA , i B = C = = 0,06mA . 100 RRel 1k Acest curent de baz trebuie s apar pentru RFR = 5k. Curentul prin fotorezisten i rezistena R 1 necesar se pot determina prin aplicarea succesiv a legii lui Ohm:
U BE U U BE 11,3 = 0,14mA , iR1 = iB + iFR = 0,2mA , R1 = CC = 56k RFR iR1 0,2m Dac factorul de amplificare crete, curentul necesar n baz scade, curentul prin R 1 nu se modific i deci cuplarea releului se va produce pentru o alt valoare a fotorezistenei: iFR = i FR1 = i R1 iC
+UCC Rel. D

R1 iB
FR uBE

iC

Fig. 3.11. Releu optic

= 0,2m

6m = 0,17 mA , 200

R FR1 =

U BE 0,7 = = 4,12k . i FR1 0,17 m

Observaie: Pentru aplicaia propus modificarea fotorezistenei de la 5k la circa 4k este acceptabil; declanarea releului optic se va produce la un nivel de iluminare ceva mai ridicat dac factorul de amplificare al tranzistorului este mai mare.

10