Senzori de radiaie UV Senzorii de radiaie ultraviolet (UV) se utilizeaz n diferite domenii ale tiinei, tehnicii, medicinii, agriculturii pentru

determinarea intensitii i dozei radiaiei UV din spectrul solar sau al altor surse de radiaie. Aceasta este foarte important, deoarece radiaia UV are i efecte curative (omoar bacteriile, sub aciunea ei se formeaz vitamina D), i nocive (distruge esuturile vii). Domeniul spectral al radiaiei UV este 0,2 < < 0,4m . Pentru confecionarea senzorilor de radiaie UV se utilizeaz cei mai diveri semiconductori, ns, cei mai eficieni sunt semiconductorii cu band energetic interzis E g > 2,5eV ( < 0,49 m ). n special compuii: A 3 B 5 (GaAs, GaP, AlGaAs); A 2 B 6 (SiC carbura de siliciu, GaN nitrura de galiu, C diamantul). Pentru a realiza un senzor de radiaie UV eficient este necesar de a ndeplini urmtoarele condiii: Eficien nalt de separare a purttorilor de sarcin generai de radiaia UV; Deoarece radiaia UV n compuii A 3 B 5 este absorbit la suprafa ( 10 5 cm 1 ) este necesar de a forma o barier de potenial superficial, deci de a confeciona senzorul pe baza structurilor Schottky sau MOS; Sensibilitate minim sau nul pentru domeniul vizibil i infrarou. Cu toate, c Si posed E g =1,1eV el este utilizat pentru costul su ieftin i are o tehnologie bine pus la punct. n calitate de barier de potenial se utilizeaz jonciunea pn superficial (cu grosimea stratului frontal 0,1m ).

Structura senzorului de radiaie UV pe baz de Si

-1-

Distribuia sensibilitii spectrale absolute Deoarece coeficientul de difuzie al electronilor este mai mare ca cel al golurilor (la fel ca i lungimea de difuzie), n regiunea spectral vizibil i IR (aproape de pragul rou) sensibilitatea structurii p + n n + este mai mic. Aceasta se explic prin faptul c rad .vizibil < UV , i, deci, absorbia radiaiei vizibile are loc n volumul structurii. Pentru a mri eficiena de conversie a radiaiei UV a senzorilor din Si se formeaz structuri cu jonciune pn profilat.

unde W - stratul de sarcin dintre regiunile p + , L+ lungimea de difuzie a golurilor. Concluzie: Si nu este cel mai optimal material pentru confecionarea senzorilor de UV.

l = L+ 2 ; spaial, l - distana

-2-

SENZOR CU STRUCTUR GaP SnO2

Diagramele energetice:

-3-

SENZORI DE UV CU BARIER SUPERFICIAL DUBL Structura: GaAs AlGaAs SnO2

unde W - grosimea stratului de sarcin spaial, iar d - grosimea stratului din AlGaAs.

1234-

d AlGaAs > W = 1m d AlGaAs > W 1m d AlGaAs > W 0,5m d AlGaAs > W 0,1m

SENZORI DIFERENIALI DE RADIAIE UV

-4-

Structura:

Autor> Dorogan Andrei

-5-

Un nou portal informaional! Dac deii informaie interesant si doreti s te impari cu noi atunci scrie la adresa de e-mail : support@sursa.md

-6-