Sunteți pe pagina 1din 5

TRANZISTORUL UNIPOLAR

I.GENERALITI A aprut n anii 1960 dup tranzistorul bipolar cu jonciuni deoarece are o tehnologie mai grea de realizat. Se noteaz cu: T.E.C. sau F.E.T. T = Tranzistor E = Efect C = Cmp a) Definiie Tranzistoarele cu efect de cmp (numite uzual TEC sau FET Field Effect Transistor ) sunt dispozitive electronice a cror funcie se bazeaz pe modificarea conduciei unui canal semiconductor sub influena unui cmp electric. La T.E.C. conducia este asigurat de un singur tip de purttor de sarcin - electroni sau goluri - acetia fiind purttori majori. Acesta este motivul pentru care aceti tranzistori se numesc UNIPOLARI. b) Clasificare 1. Din punct de vedere al tipului de canal: cu canal n: cnd curentul este asigurat de electroni. cu canal p: cnd curentul este asigurat de goluri. F = FIELD E = Effect T = Transistor

FET

JFET

MOSFET

canal n

canal p

canal initial

canal indus

canal n canal n canal p

2. Dup modul de realizare a canalului, rezult dou familii de tranzistoare unipolare: cu gril jonctiune (JFET sau TECJ), la care canalul este realizat in volumul substratului semiconductor, cu gril izolat (IGFET sau MISFET), la care canalul este realizat la suprafata substratului semiconductor, adic apare o structur metal (M) izolator(I) semiconductor (S); dac izolatorul este bioxidul de siliciu, acronimul folosit este MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) sau TECMOS.

II. STRUCTUR INTERN

III. SIMBOL TRANSISTOR UNIPOLAR Tranzistoare TEC-J - Reprezentri convenionale

TEC-J cu canal n

TEC-J cu canal p

Seciune transversal prin structur: a. JFET cu canal N; b. JFET cu canal P IV MARCARE Marcarea se face printr-o succesiune de litere i cifre imprimate pe capsula diodei . Exist foarte multe coduri pentru marcarea tranzistoarelor , dar cele mai utilizate sunt: Sistemul european B F 245 A l l l l-----------------indicaii diverse materialul de baz------------------l l l-------------------------numrul de serie funcia de baz--------------------------l C tranzistor de JF de mic putere D - tranzistor de JF de putere S - tranzistor de comutaie de mic putere F - tranzistor de . F. de mic putere Sistemul american Exemplu : 3 N 4091 Structura----------------------------l l l--------------numrul de identificare 1 - diod 2 - tranzistor ,tiristor 3 dispozitiv cu patru electrozi (MOSTEC ) 4 dispozitiv optoelectronic Aspect fizic ( Tipuri de capsule) Exemplu:

V. PRINCIPIUL DE FUNCTIONARE Are ca principiu ce funcionare efectul de cmp adic controlul valorii curentului prin tranzistor se obine cu un cmp electric care modific conducia cii de trecere a curentului prin dispozotiv. Calea de trecere se numete CANAL i reprezint partea activ a tranzistorului.

Pe o anumit poriune a caracteristicii de ieire ( la UDS mici) dispozitivul se comport ca o rezisten comandat n tensiune.Ca aplicaii tipice pentru TEC -J n rol de rezisten variabil se menioneaz atenuatoarele controlate prin tensiune i circuitele pentru reglarea automat a amplificrii. La UDS mari tranzistorul TEC-J se comport fa de dren ca un generator de curent comandat de tensiunea UGS. Dac punctul de funcionare al TEC -J este stabilit pentru un curent de dren maxim IDmaxim, pentru o variaie destul de mare a tensiunii UDS vom obine o variaie neglijabil a lui ID. TEC-J sunt folosite i n etaje de amplificare de semnal mic la joas i nalt frecven.Tranzistoarele cu efect de cmp nu ofer ctiguri mari n tensiune ,dar ctigurile sunt foarte mari n curent i n putere.Ofer de asemenea impedan mare la intrarea amplificatorului i distorsiuni de neliniaritate reduse. Se mai pot utiliza ca i comutatoare de semnal analogic folosite n ci rcuite de eantionare i memorare sau multiplexarea i demultiplexarea semnalel or analogice.

Aceste dispozitive nu acoper ns domeniul de aplicaii la puteri mari. Acest domeniu este rezervat tranzistoarelor bipolare i TEC- MOS de putere. Cele mai importante proprieti ale FET-urilor, care justific larga rspandire a acestor tranzistoare, sunt urmtoarele: dimensiuni fizice mici in tehnologie integrat, comparativ cu tranzistoarele bipolare, motiv pentru care FET-urile sunt preferate pentru obinerea unor densiti mari de integrare; n anumite condiii de polarizare, se comport, intre surs si dren, ca o rezisten controlat in tensiune; astfel, un FET poate substitui o rezisten variabil convenional, care presupune elemente in miscare;

prezint o rezisten de intrare foarte mare si o capacitate de intrare foarte mic, ceea ce recomand aceste tranzistoare ca elemente de memorare, in circuitele numerice.

n raport cu tranzistoarele bipolare, tranzitoarele cu efect de cmp au avantajul unei impedane de intrare mari, ntruct curentul de gril este mult mai mic. n plus, tehnologia de fabricaie este mai simpl i n circuitele integrate ocup o arie mai mic.