Sunteți pe pagina 1din 5

4.

DIODE
4.1. INTRODUCERE N SEMICONDUCTOARE
4.1.1 NOIUNI GENERALE n funcie de rezistivitatea electric, materialele electrotehnice pot fi ncadrate n trei categorii: Materiale izolatoare - rezistivitatea electric = 1012 1023 Materiale semiconductoare - rezistivitatea electric = 10 1012 Materiale conductoare - rezistivitatea electric = 10-2 10

Materialele semiconductoare din punct de vedere al conducerii curentului electric au proprieti intermediare ntre conductoare i izolatoare. Cele mai rspndite materiale semiconductoare sunt germaniul, siliciul, carbonul. Materialele semiconductoare sunt alctuite din atomi care prezint patru electroni de valen caracteristici (figura 4.1.1)

+14

+32

a. Atom de siliciu

b. Atom de germaniu

Figura 4.1.1 Diagramele atomilor de siliciu i germaniu Electronii de valen ai atomului de siliciu (fig. 4.1.1 a) se afl pe stratul trei iar cei ai germaniului (fig.4.1.1 b) se afl pe stratul patru. Deoarece electronii de valen ai siliciului se afl mai departe de nucleu, posed energii mai mari dect cei ai siliciului care se afl mai aproape de nucleu, deci le este necesar un surplus energetic mai mic pentru a se desprinde din atom. Aceast caracteristic face ca germaniul s devin instabil la temperaturi mari, de aceea siliciul este materialul semiconductor cel mai des utilizat la construcia dispozitivelor electronice active.

4.1.2 CONDUCIA N SEMICONDUCTOARE Pentru a forma o structur solid, atomii unui semiconductor se combin prin legturi covalente dintre electronii de valen, formnd o structur cristalin. cu cte un electron de valen a unui atom de siliciu nvecinat (figura 4.1.2). Cristalul astfel format se numete intrinsec deoarece nu conine impuriti.
Si

Prin legturile

covalente fiecare din cei patru electroni de valen a unui atom de siliciu se pun n comun

Si

Si

Si

Si

Si

Si

-- - Si Si

Si

a. Poriune dintr-un cristal pur de SI

b. Diagram de legturi

Figura 4.1.2 Legturile covalente la siliciu

n jurul nucleului unui atom de material semiconductor se afl trei benzi de energie: banda de valen n care se afl electronii de valen din semiconductor banda interzis reprezint diferena energetic dintre banda de valen i banda de conducie banda de conducie n care se afl electronii liberi din semiconductor Un cristal de siliciu pur (intrinsec) la o anumit temperatur, permite unor electroni de valen din banda de valen s acumuleze suficient energie pentru a strpunge banda interzis i a trece n banda de conducie. Aceti electroni se numesc electroni liberi. Cnd un electron trece din banda de valen n banda de conducie, locul su din banda de valen rmne liber. Acest loc liber se numete gol. n acest mod se creeaz perechile electron-gol. Dac la capetele unui cristal de siliciu intrinsec se aplic o tensiune n interiorul cristalului circul dou categorii de cureni: curentul de electroni care reprezint deplasarea ordonat a electronilor liberi din banda de conducie spre polul pozitiv al sursei de alimentare; curentul de goluri care reprezint deplasarea ordonat a golurilor din banda de valen prin structura cristalin n sens opus curentului de electroni.

4.1.3 SEMICONDUCTOARE DE TIP P I DE TIP N Datorit numrului limitat de electroni liberi din banda de conducie i de goluri din banda de valen, materialele semiconductoare n stare intrinsec nu conduc curentul electric. Pentru a putea fi utilizate n diverse aplicaii acestea trebuie prelucrate n scopul mririi conductivitii electrice, prin introducerea controlat a unor impuriti n materialul intrinsec care duce la creterea numrului de purttori de curent. Acest procedeu se numete dopare. ntr-un cristal semiconductor electronii liberi reprezint sarcinile negative (N) iar golurile reprezint sarcinile pozitive (P). a. SEMICONDUCTOARE DE TIP P Aceste semiconductoare au un numr mare de goluri. Deoarece majoritatea purttorilor de curent este constituit din goluri (sarcini pozitive) acestea poart denumirea de semiconductoare de tip P. Pentru a obine un semiconductor de tip P (fig.4.1.3), un cristal de siliciu pur se dopeaz cu atomi de impurificare trivaleni (cu trei electroni de valen) aluminiu (Al), bor (B), galiu (Ga), indiu (In).

Si

Gol creat de atomul de galiu

Si

Ga

Si

Si

Figura 4.1.3 Semiconductor de siliciu de tip P impurificat cu galiu Atomul de galiu are trei electroni de valen. Toi cei trei electroni de valen particip la legturile covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu. Deoarece un atom de siliciu are patru electroni de valen la fiecare atom de galiu din cristalul de siliciu apare cte un gol. La semiconductorul de tip P, golurile sunt purttori majoritari iar electronii sunt purttori minoritari.

b. SEMICONDUCTOARE DE TIP N Aceste semiconductoare au un numr mare de electroni. Deoarece majoritatea purttorilor de curent este constituit din electroni (sarcini negative) acestea poart denumirea de semiconductoare de tip N. Pentru a obine un semiconductor de tip N (fig.4.1.4), un cristal de siliciu pur se dopeaz cu atomi de impurificare pentavaleni (cu cinci electroni de valen) arseniu (As), fosfor (P), bismut (Bi), stibiu (Sb).
Si Electron liber de la atomul de fosfor

Si

Si

Si

Figura 4.1.4 Semiconductor de siliciu de tip N impurificat cu fosfor Atomul de fosfor are cinci electroni de valen. Patru dintre cei cinci electroni de valen particip la legturile covalente cu electronii de valen ai atomilor de siliciu, iar al cincilea rmne liber (deoarece un atom de siliciu are patru electroni de valen). La fiecare atom de fosfor din cristalul de siliciu apare cte un electron liber. La semiconductorul de tip P, electronii sunt purttori majoritari iar golurile sunt purttori minoritari.

4.1.4 JONCIUNEA PN Jonciunea PN st la baza funcionrii dispozitivelor electronice active. Jonciunea PN reprezint zona de contact dintre dou regiuni vecine, una de tip P i una de tip N, create ntr-un monocristal pur (fig.4.1.5 a). Ca urmare a deplasrii purttorilor majoritari dintr-o regiune n alta, n imediata apropiere a jonciunii se creeaz o regiune golit, negativ n regiunea P i pozitiv n regiunea N, care se opune deplasrii n continuare a purttorilor de sarcin (fig.4.1.5 b). n aceast regiune se formeaz un cmp electric care constituie o barier pentru electronii liberi din regiunea de tip N, care trebuie s consume energie pentru a-l traversa.

jonciunea PN regiunea P regiunea N

regiune golit

a. Structur PN iniial

- electroni - goluri

+ + -+ -+

b. Formarea regiunii golite

Figura 4.1.5 Structura semiconductorului n care s-a creat o jonciune PN Diferena de potenial al cmpului electric format n regiunea golit reprezint cantitatea de energie necesar electronilor pentru a putea traversa cmpul electric i se numete potenial de barier (VP). Potenialul de barier este de 0,7 V pentru siliciu (Si) i de 0,3 V pentru germaniu (Ge). Pentru ca electronii s poat strbate regiunea golit, trebuie s li se furnizeze energie din exterior, care se face prin polarizarea jonciunii PN. Prin polarizare se nelege aplicarea unei tensiunii continue la capetele celor dou regiuni. n funcie de modul de conectare a bornelor sursei de alimentare la regiunile jonciunii PN sunt dou moduri de polarizare: polarizare direct (fig. 4.1.6 a) polarizare invers (fig.4.1.6 b)

+ VP
a. Polarizarea direct

- +
VP
b. Polarizarea invers Figura 4.1.6 Polarizarea jonciunii PN

La polarizarea direct borna plus a sursei de alimentare se conecteaz la regiunea P a jonciunii PN iar borna minus a sursei se conecteaz la regiunea N a jonciunii PN. Dac tensiunea de polarizare este mai mare dect potenialul de barier (tensiunea de prag) prin jonciune circul curent, iar regiunea golit se ngusteaz. La polarizarea invers borna plus a sursei de alimentare se conecteaz la regiunea N a jonciunii PN iar borna minus a sursei se conecteaz la regiunea P a jonciunii PN. n aceast situaie prin jonciunea PN NU circul curent, iar limea regiunii golite crete. O jonciune PN permite trecerea curentului prin ea dac este polarizat direct cu o tensiune mai mare dect potenialul de barier (tensiunea de prag).