BAZELE TEHNOLOGICE ALE MICROELECTRONICII

Bibliografie: Ion Prvu Produse anorganice semiconductoare (1997) Tehnologia materialelor semiconductoare Radu M. Brsan Fizica i tehnologia circuitelor MOS integrate pe scar mare (1989) Paul Gray, Robert Mayer Circuite integrate analogice Analiz i proiectare

Cap.1 Tehnologia materialelor semiconductoare

Etapele principale de dezvoltate a tehnologiei materialelor, dispozitivelor i circuitelor semiconductoare n 1806 n ndrumtorul de cuvinte se spunea c tehnologia include n sine aproape tot ce tiu i ce fac oamenii. n Dicionarul Enciclopedic Rus n 1877 se spunea c tehnologia este tiina despre producerea uneltelor de munc i poate fi mprit n dou direcii: mecanica i chimia. Mecanica se ocup de prelucrarea materiae crude cu ajutorul meseriilor. Chimia transform materia pe baza reaciilor chimice. Dup Dicionarul Politehnic din 1980, tehnologia provine de la dou cuvinte din greac: tehne miestrie i logos cuvnt, tiin i aceasta reprezint metode de prelucrare, producere i schimbarea proprietii formei materiei prime pt. obinerea produciei finale. Pentru a realiza un oarecare dispozitiv sau circuit integrat (C.I.) trebuie ndeplinit o succesiune de operaii tehnice. Se numete operaie tehnic un proces care este ndeplinit la un anumit loc de lucru. Exist operaii tehnice: - principale(sunt acele operaii datorit crora operaia devine un produs final); - secundare(creterea epitaxial; purificarea H2). Proces de producere include toate lucrrile care se ndeplinesc la firm pt. a produce un produs finit. Primele utilizri ale materialelor semiconductoare n tehnic au fost redresoarele pe baza seleniului (1886 - Frits). n 1927 (Grondal i Ghigher) au fost folosite redresoarele pe baza CuO (oxid de cupru).
-1-

Ge i Si au proprieti semiconductoare foarte bune. Proprietile principale ale Ge au fost descrise n 1870 de ctre Mendeleev. n 1886 Vinclev a sintetizar pentru prima oar Ge (n Germania, de unde vine i numele). n scoara pmntului Ge exist doar n valoare de 0.001% , pe cnd Si este foarte rspndit n sol sub form de bioxid de siliciu (SiO2) i el constituie 25% din greutatea pmntului. n 1951 N. Ganiunov a descoperit un ir de materiale semiconductoare:

Dac facem un aliaj din elementele din grupa a-V-a cu elemente din grupa a-III-a obinem un material de forma AIIIBV- care are proprieti semiconductoare binare. Banda interzis (Eg) pt. aceste semiconductoare este: GaAs=1.45eV, GaP=2.2eV, InP=1.35eV, InAs=0.24eV, InSb=0.16eV, AlAs=3eV. Banda interzis pt. Ge i Si: Eg Ge = 0.707eV; Eg Si = 1.1eV. 1.24 - lumina infraroie. Lungimea de und a ledurilor: = Eg Led-urile roii se fac pe baz de GaP. InSb are cea mai mare mobilitate a purttorilor de sarcin. AlxGa1-xAs amestec format din GaAs i AlAs este folosit la lasere. n 1963 pt. prima dat la Chiinu a avut loc o conferin de fizica semiconductoare Laser pe baza semiconductorilor cu jonciune pn. N Ganiunov a mai artat c elementele din grupa a-II-a i a-VI-a formeaz elemente cu proprieti semiconductare: AIIBVI (Eg ZnTe = 2.4eV, ZnSe, Eg CdSe = 1.45eV, CdSe, Eg Hg 0, HgAs). CdxHg1-xTe pe baza acestui material se fac unele fotoreceptoare care au proprietatea de a vedea noaptea. Compui cuaternari InxGa1-xAsyP1-y se folosesc pt. lasere cu lungime de und ntre 1.3 i 1.55m. n 1939 pt. prima dat a fost stabilit din punct de vedere teoretic posibilitatea de formare a tranzistorului. n 1940 pt. prima dat a fost creat dioda punctiform.

- frecvena de funcionare normal.

-2-

n 1948 savanii americani Bardin, Bratain i Shacly au realizat tranzistorul cu contacte punctiforme.

n 1955 a aprut tehnologia jonciunii pn format prin difuzia impuritilor (primele tranzistoare formate prin difuzie). n 1957 s-a demonstrat c pelicula de SiO2 cu grosime de 1m nu permite trecerea impuritilor, iar n 1959 aceast pelicul a fost folosit n microelectronic.

n 1959 au aprut primele circuite integrate (CI) care conineau tranzistoare bipolare (TB). n 1964 au fost confecionate primele CI cu tranzistoare MOS. n 1968-1969 s-au fcut primele led-uri (diode luminescente). n 1970 deja un cristal coninea cte 1000 tranzistoare MOS.

-3-

Clasificarea CI din punct de vedere al procesului tehnologic

CI monolite ( din greac mono- singular, unic, litos- piatr) n aceste circuite integrate toate elementele active ( D, T) i pasive (R,C) sunt formate n placa de Si, iar conexiunile ntre aceste elemente sunt pe suprafaa plachetei. n monolite fiecare element trebuie izolat unul de altul. CI hibride pe suprafaa unei plci de ceramic se fac toate elementele pasive i toate conexiunile, iar elemntele active se conecteaz la urm. Hibridele pot funciona la frecvene mult mai nalte dect cele monolite. - cu pelicule subiri se formeaz prin depunerea vaporilor de Al n vid; - cu pelicule groase la acestea se folosesc paste rezistoare, conductoare i dielectrice. CI optoelectronice exist trei elemente de baz: - sursa de lumin (laser); - fotoreceptor (detecteaz aceast surs de lumin); - calea de transmisie pe baza jonciunii pn.

Noiuni de tehnologie a CI
n 1957 a aprut tehnologia tranzistorilor planari.

- aceast plachet introdus ntr-un cuptor electric se realizeaz oxidarea: Si + O2 SIO2 - apoi se realizeaz un proces de fotolitografie; n plachet se formeaz nite ferestre:
-4-

- apoi se face difuzia de tip p:

- se mai face o oxidare, apoi din nou un proces de fotolitografie:

- la npn purttorii sunt electronii care se injecteaz n baz i formeaz curentul prin baz, o alt parte de electroni se injecteaz n colector i se formeaz curentul prin colector; - pt. a face contactele placheta se oxideaz din nou i din nou procesul fotolitografic c se deschid nite ferestre de contact, dup care se depune Al pe toat suprafaa plachetei:

- apoi se nltur Al cu ajutorul fotolitografiei, dup care prin separare rezult dou tranzistoare care se pun fiecare n cte o capsul.

Aceast tehnic planar a tranzistorului a fost n principiu trecerea rapid la tehnologia circuitelor integrate. n 1961 se realizeaz primele CI.
-5-

Pt. a face acest circuit n cadrul unui CI trebuie ca: - structura lui Q trebuie s fie alta dect cea de la tranzistorul fabricat anterior; - capacitatea de barier a jonciunii pn o folosim ca o capacitate n CI monolite. l ; b = limea; h = grosimea. R= bh Vrem s folosim cam aceeai metod de realizare a tranzistorului planar i pt. CI.

Urmtoarea operaie este fotolitografia plus difuzia a impuritilor de tip n (adic difuzia fosforului).

Urmtoarea operaie este oxidarea pe toat suprafaa plus fitolitografie plus difuzie a impuritilor de tip p:

- pt. construcia C vom folosi jonciunea BC structura C este astfel realizat. - pt. construcia R vom folosi regiunea bazei tranzistorului structura R este realizat. - pt. a realiza tranzistorul se face din nou oxidare plus fotolitografie, dar nu mai deschidem ferestre unde este C i R, dup care difuzia fosforului (n+) pt. E.
-6-

- realizm contactele

- tranzistorul Q are o jonciune n plus fa de cel realizat anterior (are conducie de tip n nconjurat de p). Cum arat dou tranzistoare la finalul procesului:

Realizarea aceluiai circuit n tehnologia hibrid

-7-

- n hibride obinem o precizie de 1/1000 (pt. R i C); - pt. realizarea aceluiai CI ne trebuie o masc pt. C, o masc pt. pelicula rezistiv, pt. contacte n total patru mti. ntr-un cm3 de Si monocristalin se gsesc aproximativ 5 10 22 atomi. Exist plachete de Si-n care au n (concentraia) = 5 1016 cm-3 atomi de impuritate 5 1016 Cimpuriti = = 106 = 104% la 1 milion de atomi de baz ai Si i 22 5 10 corespunde 1 atom de impuritate

Caracteristica substanei curate

O substan poate fi numit curat dac concentraia tuturor impuritilor care se gsesc n aceasta nu afecteaz parametri dispozitivului format (n natur nu exist substane absolut curate). Substanele curate (n chimie, metalurgie) pot fi: - marca curat : C = 2 10 5 1% impuritate; - curat pt. analiz : CPA = 1 10 5 0.4% ; - curat chimic : CC = 1 10 6 % 0.2% ; - deosebit de curat : DC = conine mai puin de 0.05% impuritate (se utilizeaz n special n electronic). Aceast clasificare nu este unic n lume i nici prea bun. n SUA, Japonia se folosesc alte clasificri. Aceasta nseamn c pot fi caracterizate prin nr. de atomi care sunt la 1000 atomi a substanei de baz, n part per milion (n = nr. de atomi de impuritate)(P.P.M.) sau part per billion (P.P.B.). n acest mod se pot caracteriza substane gazoase, lichide. Substanele Indiu, Galiu au o asfel de marc de curenie: - 5N8 reprezentnd nr. 99.9998% 0.0002% impuritate; - 3N7 reprezentnd nr. 99.97%.

Principiul de purificare a substanelor prin cristalizare

Cristalizarea se numete trecerea substanei din faza lichid n faza solid (cristalin). Aceast metod o folosim n ultimele faze de purificare cnd substana are aproximativ 1-2% atomi de impuritate. Se folosete pt. a obine cristale de structur cristalin i pt. purificarea acestor substane. Diagrame de faz - faze: solid, lichid, gazoas i plasm.

-8-

Exemple de cele mai rspndite diagrame de faz:

Diagrama de faz a unui semiconductor GaAs:

Diagrama de faz a unei substane pt. fixarea Au (folosit n electronic):

Ce rol au diagramele de faz n procesul de purificare?

-9-

Cnd exist un procent mic de impuritate de Ge n Si nu trebuie fcut toat diagrama de faz, ci doar o parte din aceasta; doar tangentele la diagrama de faz lng punctul de topire al Ge sau al Si.

- n punctul 3 substana este n starea solid; aceeai concentraie de impuriti se afl n starea lichid (la o temperatur mai mare) ct i n starea solid (la o temperatur mai mic).

Principiul de purificare prin cristalizare:

K = coeficient de distribuire a impuritilor (coeficient de segregare), i este egal cu raportul dintre concentraia n faza solid cristalizat i concentraia n faza lichid C iniial: K = 2S > 1, unde n cazul de sus impuritile duc la scderea temperaturii de C 1L topire. Dac lum alt caz n care impiritile duc la creterea temperaturii de topire:
- 10 -

Procese de purificare a substanelor din faza gazoas

Procesul poate avea loc la materiale care se evapor direct din faza solid, netrecnd prin faza lichid. Substana nu poate fi purificat de impuritate dac, proprietile impuritii nu se deosebesc de proprietile substanei (au aceeai presiune, temperatur, etc). Zn, S, Se, Te, Sb toate aceste subsane se evapor din starea solid. Avem o fiol din quartz (pt. c Cd n atmosfer se oxideaz) n care se introduce Cd. Aceast fiol se introduce ntr-un cuptor (care nu are temperatur absolut) care se nclzete.

Alt metod de purificare este cu folosirea reaciilor chimice de transport ( tot din starea solid n vapori) 1 C ( g ) A( S , L) + B( g ) T T2 Acest tip de reacie a fost propus de neamul efer. Avem substana A solid sau lichid pe care vrem s o purificm, substana B care este un gaz, care se numete transportor, i care la temperatura T1 gazul intr n reacie cu substana A, iar ca rezultat al reaciei chimice este substana C care este tot un gaz. Aceast substan C va trece n alt parte la temperatura T2 (unde aceast reacie se numete reversibil) unde se descompune n substana A (care nu mai conine impuriti) i n substana B (care iniial trebuie s fie pur).
- 11 -

C 2SiCl ( g ) + alte substane Si( s) + SiCl ( g ) 1300 4 2 1100 C 2SiCl Si + SiCl 4 2 1400 C TiCl + 4 Na Alt exemplu: Ti + 4 NaCl 4 800C 800 C SiCl + 2 H 2 Si + 4 HCl 500 4 1100C Aceste relaii se pot utiliza att n reacie nchis ct i deschis.

Formarea germenului (nucleaia)

- este un nceput de cretere a cristalului; - de ex. dac ntr-un vas avem sare (ca cristal) ,se mrete volumul cristalului dac nu se formeaz centre de cristalizare. Creterea cristalelor poate fi: - omogen (apare datorit saturaiei); - neomogen (apare datorit rcirii). Pentru a formula procesul de cretere a cristalui se analizeaz diagrama de faz n coordonate P i T, substana putndu-se afla n trei stri:

O punct triplu (substana se afl n toate fazele);

- 12 -

Rcind sistemul de la T1 la T2 la presiune constant din starea gazoas se trece n starea solid. T = T T ( P = ct.) - reprezint suprarcirea; 1 2 1 Majornd presiunea de la P2 la P1 la temperatur constant, sistemul trece din starea G n starea S. P = P P (T = ct .) - reprezint suprasaturaia.
1 2 2

Putem analiza trecerea substanei din starea G n starea S i rezult un cristal. Putem analiza trecerea i din starea G n starea L (la presiuni mult mai mari) i rezult o pictur de lichid. Ca urmare orice trecere de faz care poate avea loc duce la micorarea energiei libere. G = energielibera = G + G (1) V S GV - schimbarea energiei libere la formarea volumului picturii de lichid; GS - schimbarea energiei libere la formarea picturii de lichid. Din teoria termodinamicii c la trecerea unui mol de gaz din starea G n starea L, schimbul de energie GV (pt. 1 mol de gaz) este: p (2) unde R ct. universal a gazelor, T temperatura, P G = RT ln V p 0 presiunea la care a avut loc trecerea, p0 presiunea n gaz (cnd vaporii sunt saturai , doar atunci se poate face trecerea din G n L). 4 r3 4 r3 p (3) , unde - volumul picturii de ap. RT ln G = V 3 v p 3 v 0 2 (4) G = 4 r S 4 r3 p (5) schimbul total de energie la trecerea G = 4 r 2 RT ln 3 v p 0 din G n L i formarea unei picturi (germenele).

- 13 -

Dac pictura de lichid s-a ajuns s aib raza - rcr , i se mai adaug molecule raza crete precum i volumul iar energia tinde spre micorare. Dac I se iau cteva molecule raza se micoreaz, iar energia liber tot tinde spre micorare, iar aceast pictur se poate distruge (n ambele cazuri).

r2 4 r p G p RT ln ) = 0 = 8 r 4 RT ln = 0 r (8 v p r v p 0 0 4 r p 2 v 8 = RT ln rcr = p v p RT ln 0 p 0 2 3 16 v - reprezint valoarea energiei libere max. cnd raza este Gmax = 2 p 3 RT ln p 0 critic. n principiu nu putem regla n procesul tehnologic schimbarea energiei, dar putem regla suprarcirea.

Mecanismul i cinetica reterii cristalelor

Mecanismul const n creterea cristalelor prin deplasarea unei fee a cristalului:

Toate feele cristalului se mpart n trei grupe: - fee singulare - fee vicinale - fee netsingulare (zgrunuroase) Mecanismul de cretere pe aceste fee este: - avem atomii unui cristal ideal egal deprtai unul de cellalt:

- 14 -

Creterea pe o suprafa absolut neted:

Pe feele singulare, mecanismul de cretere este tangenial suprafeei iar creterea cristalelor are loc relativ la saturaii mari. Creterea pe fee vicinale este tot tangenial la suprafa, ns ea poate avea loc la saturaii mici. Creterea pe fee netsingulare este vetical i poate avea loc la orice saturaie.

- 15 -

n cristalele absolut ideale ar apare asfel de difuzii:

E este scurtcircuit cu C difuzia a ptruns n ambele straturi.

Creterea cristalelor
Cristalele pot crete att din faza G ct i din faza L. Creterea din faza L se mparte n dou direcii: - creterea din topituri; - creterea din soluii.

Creterea cristalelor din topituri

Acest proces este cel mai rspndit n industrie pt. c se deosebete printr-o mare vitez de cretere a cristalelor. Pt. a crete cristalele din topituri trebuie ca metalele s fie la temperatura de topire (ex. Ttop Si = 1420C). Neajunsuri: - datorit temperaturilor nalte pot avea loc reacii chimice dintre materialul containerului i topitur. Aceast metod poate fi utilizat la creterea cristalelor care n starea topit au o presiune mic a vaporilor saturai. Pe baza odei creterii din topituri pot fi realizate diferite tipuri de creteri: - cristalizare orientat; - cristalizare prin metoda topirii zonale. Cristalizarea din topituri poate avea loc prin intermediul germenului (agent de cristalizare) sau fr el. Cum se cree un cristal din topitur:

Putem deplasa cuptorul fa de fiol sau s extragem fiola din cuptor pt. a forma cristalul, ns vom avea un monocristal sau mai multe cristale mici.
- 16 -

Alt metod pt. a obine monocristalul:

Volumul de S se rcete primul, se cristalizeaz primul pt. c are dimensiune mic. Alt metode:

Metoda lui Stocbargher:

Metoda Bridgmen:

Aceste ultime metode sunt mai bune.

- 17 -

Pt. a obine cristale absolut curate se folosete metoda topirii zonale fr container:

Aceast metod se realizeaz n vid, astfel nct cristalul s nu aibe contact direct cu fiola. Aceast metod ofer posibilitatea creterii cristalelor fr impuriti. Metoda tragerii cristalului din topitur Aceast metod este denumit metoda lui Czochalski i este cea mai utilizat, deoarece se fac sute de tone de Si.

Germenele l-am pus n contact cu topitura astfel nct s se topeasc puin, dup care l tragem n sus rotind-ul. Topitura se nclzete peste temperatura de topite pt. a se evapora impuritile volatile, nainte de a se pune n contact germenele cu topitura. Rotim cristalul n jurul axei sale asfel nct concentraia impuritilor s fie uniform distribuit. Diametrul cristalului se regleaz cu viteza de tragere a cristalului.

- 18 -

Metoda creterii cristalelor cu ajutorul topirii zonale la o temperatur foarte mare

Lum diamantul care necesit temperatur mare de topire. nclzirea se face cu H2. G este o bucic de diamant pe care curge topitura cte un pic, transformndu-se topitura n S.

Folosind aceast metod se pot crete cristale i din praf.

Creterea cristalelor din soluie

Principala prioritate a acestei metode este temperatura joas de cretere a cristalelor. Se pot crete cristale care au o temperatur mare de topire. Se pot crete cristale care au o presiune mare a vaporilor saturai n starea de topire (de ex. cristalele din quartz). Temperatura joas a procesului d posibilitatea de a crete cristale cu o reea cristalin desvrit. n acest sistem de cretere se gsesc dou componente: - solventul (n care se dizolv substana); - substana. Cerine pt. solvent: 1. solventul trebuie s micoreze cu mult temperatura de cretere a cristalului, adica singur s aib o temperatur de topire (ex. : I, St, Pl). 2. s nu intre n componena cristalului crescut. 3. atomii solventului care au intrat n interiorul cristalului trebuie s fie inactivi. Dac cretem cristale din soluie din GaAs As (solvent) intr n componena cristalului. Procesul de cristalizare din soluii are urmtoarele etape: I dizolvarea componenilor iniiali; II difuzia componenilor prin faza lichid la frontul de cristalizare; III depunerea cristalului la frontul de cristalizare; IV disiparea cldurii de cristalizare. Aceast metod are neajunsul c viteza de cretere este de dou ori mai mic dect viteza de cretere din topitur. mA Solubilitatea substanei A n solventul B este: = 100% mA + mB Solubilitatea este ns dependent de temperatur. Cu ct este mai mare temperatura cu att solubilitatea este mai mare n %.
- 19 -

Micorarea masei solventului (mB) se poate realiza i prin trecerea curentului electric la limita dintre solid i soluie (efectul PELTIE: la contactul a dou materiale diferite trece curent continuu dintr-o direcie n alta, atunci contactul se poate nclzi ntro direcie i se poate rci n alt direcie). Metoda topirii zonale ntr-un gradient de temperatur Se pot obine cristale la care concentraia impuritilor va fi uniform pe toat lungimea cristalului. Creterea cristalelor pate avea loc spontan fr germene sau cu germene. n 1955- Pfan a propus aceast metod de cretere a cristalelor:

Germenele iniial se afla n zona punctului zero. Tot n aceast zon se afla i subtana A+B. Solventul B n contact cu G face ca n punctul zero s avem temperatura T1. n continuare cristalul crete fr s-l micm, se mic zona L datorit gradientului de temperatur n urma ei rmnnd monocristalul format. A substana ; B solventul. - Tmin >TtopB iar Tmax < TtopA - Tmax a cuptorului nu topete substana A. Diagrama de faz:

Solventul B a condus la micorarea temperaturii. Substana A trece n lichid la temperatur mult mai mic dect temperatura de topire a substanei. La temperatura T2 este dizolvat o concentraie iar la T1 temperatura este mai mare i ca urmare concentraia dizolvat este mai mare C > C . 1L 2L
- 20 -

Neajunsuri : dac coeficientul de segregaie depinde de temperatur, atunci temperatura unui metal (ex.:Al) se modific de la 1000C la 600C pe parcursul creterii cristalului. Pt. a avea un cristal dopat uniform pe toat lungimea sa, se realizeaz urmtoarea schem:

Regiunea topit este la una i aceeai temperatur i ca urmare coeficientul de segregaie este constant dopare uniform.

Creterea cristalelor din faza gazoas

Zn i Te prin nclzire se evapor direct, nu trec prin starea lichid. La 1100C Zn Te erau n stare de vapori, se creaz un gradient de temperatur iar atomii de Zn i Te formeaz centre de cristalizare n vrful fiolei. Cristale din CdXHgx-1Te se utilizeaz n domeniul militar. Metoda de cretere a acestei substane:

- 21 -

- cuptorul se nclzete pn cnd avem o presiune a vaporilor saturai; T3 >T1 i T2 .

Creterea monocristalelor cu profil

S-a propus creterea cristalelor sub form de plci pt. a nu se mai pierde din cristal.

Soluia iese prin gaura plutei. Aceast metod permite creterea cristalelor n orice profil.

Doparea cristalelor n faza solid

Iniial cristalele nu sunt dopate, sunt pure, dup care sunt supuse unui proces de dopare.
- 22 -

Etapele care stau la baz sunt: - posibilitatea transformrii nucleare a unui element chimic n altul. Doparea poate avea loc cu folosirea neutronilor, protonilor i a gamei cuantice. Rezultatul decurgerii acestei reacii nucleare poate avea loc i cu o distrugere a reelei cristaline. Se face un tratament termic n aceast privin, pt. lecuirea cristalelor, pt. aceast dopare la 800C timp de o or. Concentraia impuritilor care dopeaz cristalul poate fi: Cimp = F T C , unde: F densitatea fluxului de neutroni termici, seciunea efectiv a transformrii nucleare (ct.), T timp de iradiere cu neutroni, C concentraia iniial a izotopului care se transform n alt elemnt (ct.), concentraia atomilor n substana de baz (ct.). Aceast dopare se bazeaz pe faptul c Si conine: 28Si: (92.28%), 29Si: (4.67%), 30 Si: (3.05%), adunate toate = 100% substan de Si. Si conine trei tipuri de izotopi de mas diferit. Cnd aceast substan e bombardat cu neutroni ar putea fi urmtoarea reacie nuclear: 28 Si se poate transforma n 29Si; 29 Si se poate transforma n 30Si; 30 Si se poate transforma n 31Si. 31 Si este ns masa atomic a P (fosfor), o parte din atomii de Si s-au transferat n atomi de P dopai de tip n (P este din gr. V). Pt. dopai de tip p nu se poate deoarece nu se poate trece n grupa III. Timpul de iradiere cu neutroni termici:

Acest tip de dopare dopeaz cristalul n toat suprafaa sa foarte bine, cu o eroare de 3%. Perioada de descompunere a acestui izotop este de 26 ore. Dup aceasta poate fi tiat pt. c nu mai este radioactiv.

Distribuirea impuritilor la cristalizarea normal

La nceput tot cristalul este topit, dup care scoatem fiola la rece, i partea scoas de fiol (n interior) se transform n cristal.

- 23 -

Cum se distribuie concentraia n faza cristalizat: - s-a presupus: 1) DS = 0; 2) DL = ; 3) ; L S C 4) K = Ss ct. - coeficientul de segregaie. C L Pt. aceste patru condiii de aproximaie s-a dovedit cum este distribuit concentraia n faza S. Se ia mai nti c K < 1 toat substana iniial (lichid) avea o distribuie a impuritilor ct. n faza S intr mai puin concentraie de impuriti dect era n L. Deci toat substana iniial era L n afar de G, i aceasta se caracterizeaz printr-o concentraie uniform a impuritilor n L. n faza S exist mai puin impuritate ca n L, n urma cristalizrii.

- 24 -

Schimbarea concentraiei n faza L este egel cu schimbarea concentraiei care are loc n faza S schimbarea concentraiei impuritilor este: C dV C dV dC V = (C C )dV deoarece CL > CS, L L L L L L S S S C C C S dV , ns K = S ; dC = L L L V C L L C C K L V = (K 1)CL dV dC = l L L L V V L L

C 1 V dV CL= S C K1 V 1 CS V K 1 dCL L L L = L = S ln ln = V K 1 K C V K C V VL C K 1 CL 0 0 0 0 0 0 K1 V C S L = V K C 0 0

Distribuia lui CS pe lungimea cristalului este: K 1 V L ns VL = V0 VS, VL volumul dup ce a avut loc C = K C 0 V S 0 procesul de cristalizare, V0 volumul iniial; K 1 K 1 V x S - concentraia C K C 1 C = K C 1 = S 0 l S 0 V 0 impuritilor depinde de K, dac K=1 CS=C0

Cristalizarea cu ajutorul topirii zonale distribuirea impuritilor la topirea zonal

- 25 -

bdC = C dx C dx - ct s-a topit din C0 este egal cu ct s-a cristalizat n CS. 0 S C K = S bdC = C K C dx 0 C y dy x K dy = dx C K C = y dy = K dC b = y dx 0 K y y 0 b 0 K x C K C C K C C C y K K S 0 ln = x ln = xe b = 0 = 0 y b C K C b C (1 K ) C (1 K ) 0 0 0 0 0 0 0 0 K x K x b C C = C 1 K e C = C 1 1 K e b S S 0 0 0 0 0

CS distribuia concentraiei impuritilor n faza solid la cristalizare cu topire zonal.

Tehnologia monocristalelor de Si
Cristalele de Si au o tehnologie de cretere foarte lung i schema bloc a acestui proces de cretere conine urmtoarele etape:

0C + 3C 200 + SiO + 3CO 2SiO Si 2( S ) (S ) ( L) (g) (g)

- 26 -

Si n stare L are 98% Si 2% impuriti: B, Cu, Al, Au, Ni. 0 300 C SiHCl Si + 3HCl +H (S ) 3( g ) 2( g )
SiCl Si + 4 HCl +H (S ) 4( g ) 2( g ) La temperatura de 300C se poate forma i SiCl4, ca urmare aceste dou gaze trebuiesc separate (SiCl4 poate fi folosit la crterea epitazial). Pt. a mri viteza primei reacii se adaug catalizatori ca: Cu, Fe, Al. Introducnd n Si pn la 5% Cu , acesta duce la majorarea produsului reaciei pn la 95% la 265C. Ambele gaze trec n regiunea de rcire, unde la temperatura de 40C-130C are loc purificarea acestor gaze de diferite impuriti (PCl3, AlCl3, CuCl2 care sunt solide i prin intermediul unui filtru se cur gazele de impuriti). Dup curarea de praf amestecul gazos se condenseaz la -70C (dei devine lichid la temperatura camerei). Temperatura de fierbere a lui SiHCl3 este 31.8C dar a lui SiCl4 este 57.2C se mai face o purificare a SiHCl3 i 95%SiHCl3 + 5%SiCl4. Dup purificare SiHCl3 conine impuriti de 10 8 % (B, Ar). Si trbuie extras i C Si + 3HCl unde Si poate fi i praf. + SiHCl 1100 purificat : H 2( g ) 3( g ) (S ) Dac Si este sub form de praf se trece printr-o camer unde sunt bare de Si policristalin pe care se depune. Dup acest proces polisiliciul n forme de bare nu este nc bun, l topim prin metoda topirii zonale dup care l tragem n cristale.

0 500 C

Prelucrarea mecanic a materialelor semiconductoare

Operaiile de prelucrare mecanic sunt: 1) tierea cristalului n plachete; 2) lefuirea mecanic a suprafeei plachetelor; 3) poleirea de tip oglind. 1) Tierea monocristalelor La prelucrarea mecanic se cere: - diametrul plachetei s fie: = 100 0.1mm; - grosimea: h =600 10m; - la poleirea de tip oglind se cere ca h=0.025m.

- 27 -

Se fixeaz lingoul ntr-un strung, pt. fixare mecanic se utilizeaz cleiuri care trebuie s se topeasc uor, s se nlture uor de pe suprafaa cristalului. La lefuire se folos ete o cutie cu diamant . n interior se folosesc materiale n, p cu (1 1 1) (1 0 0) (1 1 0). Toate plachetele utilizate n industrie au o tietur (semn) pt. a oriente placheta fa de axa de coordonate. Prima metod de tiere a cristalelor n plci a fost:

Se pun 200 de pnze una lng alta la distane egale, pt. tierea uniform a cristalelor. Deasupra acestui lingou se toarn o soluie din ap cu praf din carbid de Si. De pnza de Cu nu se lipeta aceast suspensie care lefuiete i taie cristalul. Cu ns nu taie mecanic cristalul, el fiind foarte maleabil. Aceast metod se folosete dup ce n plcua de Si s-au fcut deja tranzistoarele. A doua metod este tierea cu laser, care are o grosime de 0.3-0.5mm, i se utilizeaz pt. tieri nu prea adnci (aproximativ 1mm).

- 28 -

Cristalele au nceput s se taie apoi cu nite discuri de oel cu grosime foarte mic, la care muchia de tiare era exterioar. La marginea acestui disc se afl Cu cu gruncioare de diamant.

Discul are 5000 rotaii/min din cauza aceasta el este rcit cu ap. Aceast metod tot nu este bun, deoarece, dac se vrea s se taie o plachet de 100mm discul trebuie s fie de 200mm minim. El fiind att de mare creeaz vibraii care mresc grosimea tieturii i asfel se duce mult produs la deeuri. Ultima metod de tiere este cu discuri cu muchie de tiere interioar (strung rusesc).

Discul se ntinde i se fixeaz undeva n opt locuri pt. ca tierea s fie aproximativ egal cu grosimea acestui disc. Aceste discuri taie 500 plachete/1h cu diametrul de 100mm.

- 29 -

Plachetele nu cad deoarece ele rmn lipite n grafitul netiat. Schema strungului japonez:

2) lefuirea plachetelor semiconductoare Dup ce a fost tiat placheta, pe ea poate rmne nite valuri (au avut loc vibraii ale discului, undeva mai adnc, undeva mai la suprafa). lefuirea are scopul de a nltura de pe suprafaa plachetei aceste trepte i de a da plachtelor una i aceeai grosime. Operaia de lefuire se face cu strunguri speciale. Plachetele sunt puse pe un reou pt. a se nclzi, dup care cu ajutorul cleiurilor se ung i apoi se dau la rcit, apoi se iau la lefuit. Rolul lefuirii este de a nltura stratul superficial cu defecte aprut la tiere. Prima operaie de lefuire:

- 30 -

Dup aceast lefuire are loc lefuire cu diferite suspensii de lefuit, de ex.: cu praf de diamant avnd diametre: =20m, =15m, =10m. nti se lefuiete cu praful de 20m, se spal, dup care se lefuiete cu praful de 15m, .a.m.d.. 3) Poleirea de tip oglind Dup operaia de lefuire are loc poleirea de tip oglind care se face cu o past cu diamante (gruncioare de diamant cu =5m, =3m, =1m trei tipuri de paste). Strungul de poleire este realizat n mod asemntor celui de sus:

Se unge nti cu past de 5m, se spal, apoi se unge cu past de 3m, .a.m.d.. Aa se face poleirea pe o singur fa cealalt fa rmnnd doar lefuit.

Prelucrarea chimic a materialelor semiconductoare

Prelucrarea chimic n microelectronic este des ntlnit. Pt. a forma ferestre n SiO2 se utilizeaz corodarea chimic. Corodarea chimic se folosete pt. determinarea defectelor pe suprafaa plachetelor semiconductoare, pt. determinarea adncimilor pn n jonciuni, pt. nlturarea straturilor defecte de pe suprafaa plachetei, cu scopul poleirii suprafeei.
- 31 -

Noi utilizm corodarea chimic pt. nlturarea defectelor de pe suprafaa plachetelor.

Grosimea celui de-al doilea strat este egal cu jumtate din stratul unu. Dac s-ar face difuzii n aceste straturi ar rezulta cureni mari. Defecte mecanice: pori, crpturi, fisuri. Defecte fizice: atomul nu este la locul lui n reeaua cristalin. Scopul prelucrrii chimice este de a nltura cele dou straturi i de a face o reea cristalin perfect (aproximativ). La baza corodrii stau unele reacii chimice. n corespundere cu teoria corodrii chimice a materialelor semiconductoare, corodarea se face n dou etape: I oxidarea suprafeei semiconductorului; II corodarea oxidului format. Fiecare material corodant ar trebui s conin: un oxidant (HNO3, H2O2, H2SO4) i un corodant al oxidului format (HF). Orice soluie chimic mai conine catalizator (BrI) i un inhibator (CH3COOH acid acetic) care micoreaz viteza de corodare. Analizm corodarea materialului semiconductor Ge. Ge are o abatere de la teoria corodrii chimice. n general Ge se corodeaz n H2O. Ge + H O GeO + H O 2 2 2 GeO + H 2O2 GeO2 + H 2O GeO + H O H Ge O 2 2 2 3 3 Ge se corodeaz ntr-un oxidant puternic. Oxidul de Ge se distruge n ap deoarece Ge n ap se corodeaz i din cauza aceasta nu este utilizat n tehnologia C.I.

Folosind corodarea chimic noi putem gsi grosimea total a straturilor defecte, msurnd viteza de corodare n funcie de grosimea stratului nlturat:

- 32 -

La nceput viteza de corodare este mare, dar la un moment dat n strat avem o vitez de corodare ct. grosimea stratului defectat este 15m. Corodarea Si (material de baz pt. CI) Poate avea loc numai n dou componente (amestecul HNO3 (1 parte (oxidant puternic)) + HF (3 pri (corodant al oxidului format))). Si + 4 HNO Sio + 4 NO + 2H O 3 2 2 2( g ) +2 H O SiO + 4 HF SiF 2 4 (g) 2 Soluia n care a avut loc corodarea o nlturm cu ap deionizat cu o rezistivitate =20M cm. n graficul urmtor avem reprezentat viteza de corodare n funcie de concentraia substanelor:

Cap. Pelicule n tehnologia microelectronicii

Fr pelicule nu exist circuite integrate (CI). n electronic se utilizeaz trei tipuri: - pelecule dielectrice; - pelicule conductoare (metalice); - pelicule epitaxiale (semiconductoare). Toate ledurile, receptorii, laserele au la baz pelicule epitaxiale.
- 33 -

Peliculele dielectrice se utilizeaz pt. formarea local a jonciunilor pn.

Un condensator pelicular are n construcia sa: pelicul metalic, dielectric, pelicul metalic. n circuitele VLSI sunt un ir de trasee de contacte ntretiate care se izoleaz cu pelicule dielectrice. Tranzistorul MOS utilizeaz pelicula dielectric. CI dup ce este realizat se utilizeaz o pelicul dielectric pt. pasivizarea circuitului integrat. Peliculele metalice se utilizeaz la dispozitive i circuite integrate. - plcile condensatorului sunt pelicule metalice; - dispozitivele cu barier Shotchi. Peliculele epitaxiale pot avea grosimea ntre zeci de nm i pn la 10m Epitaxie: epi pe , taxis a aeza, se aeaz o pelicul monocristalin pe un semiconductor monocristalin. Au cea mai mare utilizare.

Pelicule dielectrice
Oxidarea termic a Si Placht de Si o introducem ntr-un cuptor electric la o temperatur de 10002000C. Dac se introduce O2 n cuptor pe plachet se depune rugin (se oxideaz n atmosfer de O2). oC SiO Si + O 1200 2 2 oC Si + 2 H O 1200 SiO + 2 H 2 2 2 n calitate de oxidant poate fi utilizat: O2 uscat, vapori de H2O, i un amestec: O2 umed. Instalaia industrial, care n principiu poate ndeplini oxidarea n oxigen uscat, oxigen umed sau n vapori de ap este:

ntr-un singur proces se pot introduce 100 de plachete de Si. Oxidarea se face ntrun tub deschis. 1 deschis se realizeaz oxidarea cu oxigen uscat;
- 34 -

2 deschis se realizeaz oxidarea cu vapori de ap; 2 i 3 deschise se realizeaz oxidarea n oxigen umed.

Procesul oxidrii n oxigen uscat

Cnd oxidm n O2 uscat pelicula obinut are o calitate nalt (pelicula nu are pori i are o vitez mic de corodare n HF), ns viteza de cretere a peliculei n O2 uscat este destul de mic.

O2 la temperatura de 1200C este sub form de ioni negativi.

La cmp de 1KV/cm viteza de cretere se majoreaz i ca urmare placheta atrage ioni negativi.

Procesul de oxidare n vapori de ap

n vapori de H2O calitatea oxidului este mult mai rea, ns viteza de cretere este mult mai mare. S-a dovedit c n cazul oxidrii cu vapori de H2O, pe suprafaa plachetei

se formeaz prima pelicul de SiO2 prin care vaporii de ap ar trebui s difuzeze pt. a oxida n continuare. Se demonstreaz c vor difuza prin pelicula de oxid doar grupri de hidroxil (OH). Acestea vor forma pori n oxid. Din aceste considerente viteza de cretere la oxidarea n vapori de ap este mai mare dect viteza de cretere n oxigen uscat.

Problema oxidrii n oxigen umed

- 35 -

Oxidnd n O2 umed noi putem rega calitatea. Adugnd vapori de ap se stric ns calitatea dar mrim viteza de cretere. Procesul oxidrii ideale este: se face nti oxidare n O2 uscat, dup care se d drumul la vapori i oxidm n vapori de ap, dup care din nou oxidm n O2 uscat. Obs.! Pt. obinerea peliculei de SiO2 de 1m se oxideaz n O2 uscat timp de o or. Practic se fac pelicule de 0.1m prin oxidare n O2 uscat, vapori de H2O, O2 uscat n timp de 1-2h.

Cinetica oxidrii termice a Si

C3 concentraia oxidantului dizolvat n oxid; C4 concentria oxidantului la suprafaa plachetei de Si numai acest oxidant poate intra n reacie chimic i poate forma oxid.

Fluxul se realizeaz ntotdeauna cnd sunt diferene de concentraii, i reprezint cantitatea de atomi ai oxidantului care ptrund ntr-o unitate de timp printr-o unitate de suprafa, F[at/cm2*s]. F = hC C 1 1 2 F = C C 2 2 3 C ,unde: h constanta vitezei transportului de mas n faza gazoas; F = D X C C 4 F =D 3 3 X F = K C 4 4 - constanta vitezei dizolvrii oxidantului n oxid;

F - flux de difuzie; F3 flux de difuzie al oxidantului

- 36 -

K constanta vitezei reaciei chimice ntre oxidant i Si. Pt. un regim stabilit, toate fluxurile sunt egale: F1=F2=F3=F4 K C C3 F = F C C = K C = 2 2 4 2 3 4 C 4 C C C C 4 = K C K X = 3 4 F =F D 3 3 4 4 x D C 4 C C C C K KX 3+ 3 4 +1 + +1 = 2 D C C 4 4 C K KX + +1 = 2 D C 4

C K KX Notm: C = 1 + +1 = C = 4 K KX 2 >1 C D + +1 4 D C C 1D 1D F = K C = F= 4 4 1 1 X 1 1 + D + X + + D K K D

C 1

C 1

dX F = = F V ; X- grosimea peliculei; N0- nr. dt N 0 de atomi care se formeaz ntr-o unitate de volum; V- volumul oxidului format. C 1 D V C dX A B 1 1 ; unde notm constantele : + D = i 1 D V = . = 2 2 dt 1 1 K + D + X K B dX B ( A + 2 X )dX = B dt X2 + A X B t = 0 = 2 = A dt + X A + 2X 2 reprezint ecuaia matematic a oxidrii termice a Si. Viteza de cretere a peliculei: v =

- 37 -

2 2 A A2 + 4 B t A A A A 2 X = + + B t X = + X = 1 + B t 1,2 2 2 2 2 2 A
A t X = 1+ 1+ ; 2 A2 4B

A2 A B t I - t >> X= = B t ; A 4B 2 2
A B t B A2 II - t << X = 1 + 1 + = t. 4B 2 2 A2 A 4 Reprezentare grafic:

Creterea peliculelor subiri de SiO2 prin oxidarea termic a Si

n CI pe scar mare grosimea peliculei de SiO2 este mai mic dect 500 (100 de straturi moleculare de SiO2). Aceste pelicule se caracterizeaz printr-o tensiune de strpungere Estr SiO2 (pelicul groas)=106V/cm i Estr SiO2 (pelicul subire500)=5*107V/cm. S-a observat din analiza cinetic c grosimea peliculei de SiO2 depinde liniar de B A2 B = t , cnd t << , unde - constant care n cazul creterii peliculei la timp: X SiO A 4B 2 A nivel de 500, aceasta trebuie nmulit cu 10, rezult deci c viteza de cretere a peliculei subiri este mult mai mare ca la cele groase.
- 38 -

Cu ct timpul este mai mare, cu att grosimea peliculei este mai precis, calitatea este mai bun dac aceasta este oxidat n oxigen uscat i la temperaturi minime posibile. Se dorete ca timpul de oxidare s fie ct mai lung pt. a putea controla bine grosimea (se vor folosi 400 450C).

S-a constatat c oxidarea uscat nu este bun n cazul obinerii de pelicule de 500. Aceste pelicule conin ioni de Na+ (ioni satelii). 1V 1V V Dac la G punem 1V la 500 cmpul E = , 1 = 104 cm 500 A 500 A 106 cm = 10-4m=10-6cm. Ionii de Na n cmpul electric polarizeaz dielectricul. Noi trbuie s punem la G un potenial pozitiv ca s ias negativ sub G. Dar dac ionii polarizeaz, rezult c cmpul neutralizeaz cmpul electric format de electroni i atunci ar fi ca i cum nu s-ar fi aplicat nici un potenial (ionii se vor orienta dup cmp i vor anula cmpul elctric format de elctroni). Noi trebuie s scpm ns de aceti ioni de Na din pelicula subire (apreau i n pelicula groas dar nu deranjau), i putem proceda n felul urmtor. Soluie: n procesul de oxidare termic a Si, n oxigenul uscat se adaug vapori de acid clorhidric (HCl): HCl + Na + NaCl + H + - se obine molecula de sare de buctrie care este 2 neutr n cmpul electric. Pt. a obine pelicule subiri sub 500, este necesar de oxidat Si la temperaturi joase, n atmosfer de oxigen uscat cu adausul vaporilor de HCl. Stratul ngropat n tranzistor:

- 39 -

Neajunsul principal a oxidrii termice a Si (pt. a obine o pelicul de 1m grosime trebuie s avem la oxidare temperaturi mari) este temperatura mare care face ca abrupteea jonciunilor s se piard n urma redifuziilor impuritilor dintr-o regiune n alta. S-a pus problema obinerii de pelicule de SiO2.

Depunerea peliculelor de SiO2

Aceast metod d posibilitatea de micorare a temperaturii de depunere a peliculei, i asfel pelicula poate fi depus pe orice suport. Dar calitatea peliculei nu este ns la fel de bun ca la oxidarea termic. Pt. a depune pelicule de SiO2 se folosete aa numita metoda pirolizei, care se mai numete i descompunerea termic a unei substane care conine molecula de SiO2. n tehnologia microelectronicii se folosete ca substan iniial (din grupa alcooxisilane) tetraetaxisilanul, o substan organic care are formula: Si(OC2H5)4. Aceast substan are temperatura de fierbere t=167C i temperatura de descompunere (piroliz) t=728 840C. Construcia instalaiei pt. depunerea acestei pelicule de SiO2 este: Si OC H SiO + C H + ali compui 2 54 2 2 4 Aceast substan reprezint un lichid strveziu (n condiii atmosferice) care n principiu se poate polimeriza sub aciunea razelor solare. Este o substan otrvitoare. Formarea peliculei:

Pai: - robinetul 1 deschis este scos aerul din reactor i intr argonul. Obs.! Se folosete glicerina pt. c are o presiune a vaporilor saturai mic i nu intr n reactor. - se nchide robinetul 1, se dechide robinetul 2, vine Ar i pe suport are loc reacia de piroliz.
- 40 -

Putem s avem un cuptor cu dou regiuni de temperatur:

Putem depune pelicula pe orice suport la 300C deoarece are o adeziune bun pe suport. Legea tehnologiei: orice operaie se ndeplinete la temperaturi mai joase dect temperatura de la operaia precedent (n tehnologie n general). Alt metod de depunere a peliculei de SiO2 care are la baz reacia: SiH + O SiO + 2 H - aceast reacie poate avea loc i la temperatura 4 2 2 2 camerei; SiH4 silan, este un gaz explozibil n reacie cu aerul. Pt. a nu exploda trebuie s punem cantiti foarte mici din aceast substan. Instalaia:

N2 este folosit pt. a evita pericolul exploziei i de a scoate aerul din instalaie. O2 vine exact deasupra suportului pt. ca pelicula s se depun numai pe acesta i nu pe toi pereii instalaiei.

- 41 -

Grosimea peliculei crete liniar cu concentraia lui SiH4, i viteza reaciei la un moment dat este constant (la O2).

Depunerea peliculei de Al2O3 i Si3N4

Aceste pelicule se caracterizeaz prin diferii parametri: - pelicula de SiO2 se dizolv numai n HCl pe cnd pelicula de Al2O3 i Si3N4 pot fi dizolvate (corodate) n acid ortofosforic la temperatura de 70 80C. - pelicula de Al2O3 are cea mai mare valoare a lui fa de SiO2; Si3N4 se caracterizeaz printr-o tensiune de strpungere mare. Pe aceast plachet trebuie crescut o matrice de leduri i apoi o matrice de fotoreceptori:

Pt. masc nu se poate folosi SiO2 pt. c se dizolv n GaAs topit. Ca urmare dac aceast pelicul este nlocuit cu o pelicul de Al2O3 , atunci este posibil umplerea canalelor cu GaAs.
- 42 -

i astfel a fost format prima matrice de leduri.

Obinerea peliculei de Al2O3

Cea mai simpl metod este cea de descompunere termic a moleculei de Al(C3H7O)3 (aceast substan reprezint un praf alb i intr foarte uor n reacie chimic cu vaporii de ap din aer). Aceast molecul la temperatur nu mai mare de 120C se descompune n: C Al O + 6C H + 3H O 2 Al C H O 120 2 3 3 6 2 3 7 3 Instalaia folosit:

Se nclzete pn la 450C. Cnd temperatura ajunge la 120C toat substana se vaporizeaz momentan. Grosimea peliculei depuse depinde de cantitatea de substan din vaporizator. Aceast substan hidrolizeaz foarte uor, nu poate fi pus n contact cu atmosfera. Ea trebuie cntrit cu mare precizie. ntr-un bol se pune cntarul i n atmosfer de Ar se cntrete. Pelicula are culoarea proporional cu grosimea (grosimea peliculei se determin prin culoare).

Obinerea peliculei de Si3N4

Se obine prin metoda care are la baz reacia chimic: C Si N + 12 H 3SiH + 4 NH 600 3 4 2 4 3 3SiCl + 4 NH Si N + 12 HCl 4 3 3 4 Instalaia: - grosimea peliculei depinde de fluxul reactanilor: SiH4, NH3, N2.

- 43 -

Obs.! nti se dezlocuiete aerul.

Msurarea grosimii peliculei dielectrice

Msurarea are o mare importan pt. aplicarea acestor pelicule n anumite cazuri. Cea mai simpl metod de msurare este metoda msurrii precise.

Putem cntri masa suportului cu pelicul Psup + pel ; Corodm pelicula Psup ; Psup + pel Psup ; S Masa: m = v = S X ; v- volumul, S suprafaa. n industrie se folosete metoda culorilor pt. determinarea grosimii peliculei. Obs.! Culorile unsorii cu apa n interferena luminii (Inelele lui Newton). Grosimea peliculei: X =

Culorile curcubeului pot fi repetate, n funcie de grosimea peliculei.

- 44 -

Determinm ordinul de interferen. De exemplu la suprafa vedem rou i mai vedem nc de dou ori ordinul de interferen = 3. Se folosete un tabel n care n funcie de culoare i ordin de interferen grosimea peliculei.

Dac culoarea nu este omogen grosimea nu este omogen. Alt metod de msurare cu ajutorul unui microscop interfereniometric care ne d posibilitatea s msurm grosimea peliculei. Shema acestui microscop:

n ocular se observ:

- 45 -

Dac aceste raze nimeresc pe o suprafa omogen, nu trebuie s existe acea frontier. X = ; Dac lumina (raza) este verde avem: h SiO 2 X 2 X = 0.550m h = 0.275 - aa se calculeaz grosimea peliculei. SiO verde X 2

Creterea peliculelor epitaxiale

Noiuni generale despre epitaxie. Clasificarea proceselor epitaxiale Epitaxie din grac epi = pe; taxis = a aeza. Epitaxia este procesul de cretere a peliculei monocristaline pe suprafaa plachetei monocristaline n aa mod ca reeaua cristalin a peliculei s fie o prelungire a reelei cristaline a plachetei.

Aceste pelicule epitaxiale se folosesc n toat tehnologia microelectronicii (CI, tiristor, laser, fotoreceptor).

Tipuri de epitaxii
Autoepitaxie componena chimic a plachetei i a peliculei crescute nu se deosebete.

Deosebirile pot fi numai n tipul de impuritate. Heteroepitaxie - componena chimic a plachetei i a peliculei crescute este diferit.

- 46 -

Condiii: - nu putem ns crete orice material pe orice plachet pt. c ntre plachet i pelicul se pot forma o serie de defecte, dac acestea dou nu corespund; - temperatura plachetei i peliculei trebuie s fie aproximativ egale. Hemioepitaxie pelicula epitaxial se formeaz datorit reaciei chimice dintre materialul plachetei i substana din faza gazoas. Exemplu:

Procesele de cretere epitaxial

Toate procesele pot fi mprite n dou grupe mari:

Creterea stratului epitaxial de Si din faza gazoas

a) Construcia instalaiei de cretere epitaxial:

- 47 -

Instalaia conine trei pri: - reactorul; - sistemul de alimentare cu gaze; - sistemul de alimentare cu energie elctric i control (nu este desenat). Pe linia magistral merg toate celelalte componente (HCl, N2, etc) n reactor. Reactorul poate fi realizat din sticl de quartz cu o puritate nalt. Reactorul se nclzete cu ajutorul generatorului de frecvene nalte. 8 reprezint inductorul care este realizat dintr-un tub de aram, care conduce bine cldura i care se rcete cu ap curgtoare. Pt. ca temperatura s fie stabil, reactorul trebuie nclzit apoi rcit rapid. 11 reprezint plachetele de Si pe care se cresc peliculele epitaxiale. 10 reprezint piedestralul format din grafit de o puritate nalt. Acest pidestral poate fi:

Piedestralul se rotete i grosimea peliculei crescute va fi omogen pe toate plachetele. Grafitul este o substan care conduce curentul electric, rezistena este mic, i rezist bine la temperaturi destul de nalte.
- 48 -

Sticla de quartz nu absoarbe curentul electric, ci l absoarbe grafitul i condus mai departe. La frecvene nalte (frecvena industrial = 13.56MHz) grafitul se nclzete puternic cednd cldura plachetelor. Sistemul de gaze: gazele pe care le folosim sunt n principiu nite substane lichide, foarte agresive. Robinetele de la 1 la 7 se regleaz pt. trecerea gazelor. Aceste robinete sunt realizate din teflon stabil din punct de vedere chimic, nu reacioneaz cu gazele. Se mai pot realiza i din oel-inox, dar nu este chiar att de dur ca teflonul. Mai exist i sistemul de traductoare pt. msurarea temperaturii n interiorul reactorului. b) Fia tehnologic a procesului de cretere epitaxial 1. aezarea plachetelor de Si pe piedestral i erimetizarea reactorului; toate robinetele sunt nchise, ca urmare n reactor este aer. 2. se deschide robinetul 4 i nuntrul reactorului se d drumul la N2 pt. a dezlocui aerul care este n reactor (timpul ct se ine deschis robinetul este n jur de 15-20min n funcie de viteza N2). N2 va iei apoi din reactor prin ultimul vas. 3. se nchide robinetul 4 i se deschide robinetul 1 i pe linia magistral se d drumul la H2 (bine purificat). Nu se d drumul din prima pt. c face cu aerul un amestec exploziv. H2 purificat trece prin reactor pt. a dezlocui N2 i apoi H2 formeaz un gaz care restabilete suprafaa plachetei de oxizi. Din culoarea flcrii se determin dac H2 a dezlocuit tot N2 (culoarea trebuie s fie albstruie i nu roiatic, ca n cazul unui amestec). 4. dac n interiorul reactorului curge numai H2, atunci putem conecta inductorul la generator i nclzim reactorul pn la T = 1200C. SiO2 care este pe suprafaa plachetei i cu H2 din reactor la 1200C C Si + 2 H O - se restabilete Si. SiO + 2 H 1200 2 2 2 5. dup prelucrarea mecanic a plachetelor, pe suprafaa acestora mai exist defecte. Acest strat de defecte trebuie nlturat. Placheta se nclzete pn la 1200C i se deschide robinetul 7 C SiCl +H Si + 2 HCl 1200 2 2( gaz ) Dac de exemplu grosimea stratului defectat este de 3m, calculm viteza i determinm timpul ct trebuie s inem deschis robinetul 7. 6. nchidem robinetul 7 i deschidem robinetele 2, 3, 5, 6. H2 de la robinetul 2 tansport molecula de SiCl4 pe linia magistral. Dac nclzim SiCl4 la un flux constant, atunci cantitatea de substan introdus pe linia magistral este mai mare. Cantitatea de substan introdus n reactor depinde de temperatur.
- 49 -

 C Si SiCl + 2 H 1200 + 4 HCl - reacia e accelerat acolo unde 4 2 ( gaz ) temperatura e mai mare (pe piedestral) = deasupra plachtelor. n interiorul reactorului cele dou substane reacioneaz (SiCl4, H2) i formeaz atomi de Si n stare gazoas. Repartiia straturilor din plachet:

AsCl4 este utilizat pt. doparea peliculei epitaxiale. n loc de AsCl4 se mai poate utiliza PCl3, BBr3. Deci AsCl3 se utilizeaz pt. a introduce atomi de As n interiorul peliculei epitaxiale n timpul creterii. 1 2 AsCl + 3H = As + 6 HCl 3 2 2 4 Doparea aceasta cu AsCl3 are cele mai nalte prioriti, deoarece atomii de As n faza gazoas i ocup locul cel mai bun n reeaua cristalin fr s deranjeze ali atomi. n acelai timp asigur i o dopare cu cele mai puine defecte. Pt. adopa cu P utilizm PCl3, iar pt. a dopa cu B utilizm BBr3. tiind viteza de cretere a peliculei de Si (la T=1200C viteza de cretere este: v=1m/min), calculm timpul ct trebuie inute deschise robinetele, apoi nchidem robinetele 2, 3, 5, 6. 7. apoi rcim reactorul, nchidem robinetele cu H2 i deschidem robinetul 4 pt. a dezlocui H2 cu N2. Se nchide robinetul 4, se deschide reactorul i se scot plachetele cu pelicul epitaxial crescut. Alt metod de cretere epitaxial: n loc de SiCl4 se utilizeaz SiH4 (este foarte exploziv i din aceast cauz nu se prea utilizeaz). C Si + 2 H SiH 1000 2 4( gaz ) La 1000C toat aceast substan se descompune. Coeficientul de difuzie dintr-o pelicul este mai mic fa de cealalt metod (pt. c este mai mic).

- 50 -

c) Influena diferitor factori la procesul de cretere a peliculei de Si cu utilizarea substanei SiCl4 1) influena cantitii de SiCl4; 2) influena temperaturii; 3) orientarea plachetei; 4) influena cmpurilor electrice; 5) influena razelor ultraviolete. 1) Influena cantitii de SiCl4 n interiorul reactorului Pt. reacia SiCl4+H2 avem graficul:

Viteza de cretere ajunge la maxim, apoi ajunge la zero, apoi poate ajunge negativ (nseamn c ncepe s se corodeze, s se distrug). HCl poate s distrug suprafaa plachetei, i astfel se explic viteza de cretere negativ. 3)Orientaia plachetei Dependena vitezei de cretere fa de diferite planuri de orientaie a plachetei:

- 51 -

Pe planul 110 viteza va fi mai mare dect pe alte planuri. 4) Influena cmpurilor electrice Platina, de exemplu, nu reacioneaz cu substane din reactor. La plachet este potenial negativ pt. c la platin am pus potenial pozitiv:

n aceleai condiii de cretere dac la Pt avem potenial negativ iar la plachet pozitiv, viteza de cretere este mult mai mic, pe cnd n cazul desenat avem o vitez de cretere mult mai mare pt. potenial negativ aplicat la plachet. 5) Influena iradierii cu raze ultraviolete Razele ultraviolete cresc viteza reaciei.

Unde este iradiat placheta, viteza de cretere este de trei ori mai mare dect unde nu este iradiat.

- 52 -

Cinetica creterii epitaxiale a peliculelor din Si

Fie o plachet de Si i paralel cu aceasta curge un flux de SiCl4+H2. La o oarecare distan de suprafaa plachetei fluxul are concentraia C1 i mai departe nu se schimb (C1 se numete concentraia lui SiCl4 n H2 la o deprtare destul de mare de suprafaa plachetei unde aceast concentraie este mai departe constant (n partea stng)). Dac n apropierea plachetei fluxul crete concentraia de SiCl4 scade C2 concentraia de SiCl4 n H2 pe suprafaa plachetei. Dac avem o diferen de transport c avem un transport de mas. F = hC C 1 1 2 h constanta vitezei transportului de mas; K ct. vitezei reaciei F = K C 2 2 chimice. Molecula de SiCl4 de la suprafaa plachetei ntr n reacie chimic i formeaz fluxul F2. La un moment dat aceste fluxuri sunt egale ntre ele. h F = F = F h C C = K C h C = C (K + h ) C = C 1 2 1 2 2 1 2 2 K +h 1 C1 se exprim ca concentraia total a lui SiCl4: C = Ctot y - Ctot - concentraia maxim a lui SiCl4 care este n reactor; 1 - y partea molar care intr n reactor. F K h ( , unde F fluxul, N0 F= Ctot y ) ; viteza de cretere - v = K +h N 0 3 concentraia atomilor ntr-un cm de Si. K h Ctot v= y - unde variabil este doar y , restul sunt constante. K+h N 0 Deci, viteza de cretere este direct proporional cu concentraia molar. Teoretic viteza este liniar cu concentraia de SiCl4. Aceast teorie corespunde practicii, dar nimai pt. concentraii mici, deoarece n teorie nu sunt introduse toate condiiile. Aici nu s-a calculat, nu s-a luat n vedere fluxul de HCl care este ndreptat de la suprafaa plachetei n interiorul reactorului.

- 53 -

Practic viteza poate s scad, la concentraii mari, chiar s devin negativ.

Creterea straturilor epitaxiale a compuilor AIIIBV din faza gazoas

Compuii AIIIBV sunt nite semiconductori (din tabelul lui Mendeleev). Cel mai utilizat compus este GaAs (InP, GaP, AlP). Aceast metod st la baza tehnologiei laserelor, CI optoelectronice. Folosind aceste materiale semiconductoare putem mri frecvena de lucru a dispozitivelor. Creterea epitaxial a compuilor AIIIBV are loc din faza gazoas, cu utilizarea reaciilor de transport, i din faza lichid.

Metoda creterii epitaxiale ale compuilor A B din faza gazoas cu utilizarea reaciilor de transport
III V

Esena reaciei chimice de transport a fost formulat de efer: T 1 A +B C , ( S , L) (g) (g) T 2 A substan care trebuie transportat (solid sau lichid) pt. a crete pelicula epitaxial; B este un gaz care se numete transportor; C este un gaz care reprezint produsul reaciei chimice dintre substana A i B. Aceast reacie este reversibil. Aceast cretere epitaxial are loc n dou metode: a) metoda nchis b) metoda deschis. a) Metoda nchis (nu prea se utilizeaz)

- 54 -

 C 2GaI + 1 As Va avea loc: 2GaAs + I 800 ( S ) 2( g ) 2 4 Dac acest gaz (C = 2GaI+1/2As4) se formeaz n partea stng a fiolei, trece mai departe i umple tot volumul fiolei. Dar trecerea se face la o temperatur mai joas (700C) i 1 C 2GaAs + GaI 3GaI + As 700 3 2 4 - la 800C valena I este 1 iar la 700C este 3; GaAs se depune pe plachete; GaI3 rmne n faza gazoas. Aceast reacie de transport se termin cnd substana este transportat n alt parte. Putem stopa reacia micornd temperatura. Pt. a scoate plachetele ns trebuie s tiem fiola i din aceast cauz aceast metod poate fi utilizat doar n laborator. Metoda nu ofer productivitate. b) Metoda deschis Studiem cum se cresc pelicule epitaxiale de GaAs pe plachete de GaAs:

- 55 -

Pe linia magistral se d drumul la H2 i n continuare noi vom nclzi reactorul pn la temperaturile: 450C, 800C, 700C. Robinetele 1, 2, 3 deschise, AsCl3 ajunge n regiunea I mpreun cu H2, acesta din urm restabilind suprafaa plachetei de oxizi. La 450C n regiunea I are loc reacia: C 1 As + 6 HCl 2 AsCl + 3H 450 3 2 2 4 La 800C are loc: C 2GaCl + H Ga din regiunea a II a intr n reacie 2Ga + 2 HCl 800 2 chimic cu vaporii din gazul de la prima reacie (1/2As4+6HCl). La 700C toate gazele din primele dou regiuni merg n a III a : 1 C 2GaAs + GaCl 3GaCl + As 700 4 3 2 Aceast metod este folosit n sistemul: universalitatea pistonului, care se prezint astfel: Ga AsCl H GaAs , pt. obinerea peliculei de GaAs s-au folosit 3 2 substanele: Ga, AsCl3 i H2. Pt. a obine pelicul de GaP (cu aceeai instalaie): Ga PCl H GaP 3 2 In PCl H InP 3 2 AsCl H InP As In PCl X 1 X 3X 3 1 X 2 PCl AsCl In yGa P As In y Ga 1 y 3X 3 1 X 1 y X 1 X

( (

Cum facem doparea?

- 56 -

Acest sistem este universal. Zn i Te sunt substane care se vaporizeaz direct din starea solid (prin sublimare). Vrem s dopm pelicula de GaAs cu Zn (grupa a II a ) se va crete pelicul dopat de tip p (robinetele 1 i 2 deschise). Pt. a dopa pelicula cu Te (grupa - VI a ) deschidem robinetele 3 i 4 i se va forma o pelicul dopat de tip n .

Metoda creterii epitaxiale ale compuilor AIIIBV din faza lichid

Aceast metod a fost propus pentru prima dat de savantul american Nelson n 1963. Aceast metod este cea mai ieftin, nu folosete substane otrvitoare i d posibilitatea de a crete stratul sau pelicula cu o reea cristalin desvrit , iar peliculele pot fi dopate n timpul creterii destul de uor. Ce a propus Nelson:

1 nclzitor; 2 reactor din quartz; 3 caset din grafit; 4 GaAs; 5 Ga; 6 placht GaAs.

- 57 -

n partea stng este pus Ga care ndeplinete funcia de solvent i nite bucele din GaAs care reprezint subtana care se dizolv. n partea dreapt este aezat placheta pe care vor crete peliculele epitaxiale. TtopGa = 29C TtopGaAs = 1242C

Pentru ca Ga topit s nu stea pe plachet, st nclinat ntr-un singur loc. Nelson: H2 se introduce n sistem i se nclzete reactorul dup urmtorul grafic:

1 punct de umezire a plachetei cu soluie (topitur); 2 punerea reactorului n poziia iniial. Pn la 800 C GaAs nu este topit, ns Ga era topit deja. GaAs n contact cu Ga se ncepe a se dizolva n Ga. Deci cnd nclzim la 800 C rezult prima regiune numit: I regiune de ieire a sistemului la temperatura necesar de lucru; II regiune de omogenizare ; datorit difuziei, As topit n Ga se va rspndi uniform; n punctul de umezire reactorul s-a nclinat n partea dreapt( orizontal) ca urmare substana topit din partea stng a ajuns pe plachet.

- stratul hepi se nltur la temperatura de 810 C i ca urmare se netezete suprafaa plachetei.

- 58 -

Dac n acest moment (soluia fiind n stare de saturaie la t = 800 C) ridicm temperature la 810 C ,se mrete solubilitatea (solubilitatea depinde de temperatur).

mAs ; solubilitatea. mGa + mAs

Cu ct este mai mare temperature cu att este mai mare solubulitatea As n Ga. Dac n punctul de umezire soluia era n stare de saturaie, la creterea temperaturii sistemul iese din starea de saturaie i ea ne dizolv o oarecare grosime din plachet. hdiz = K
mGa Splach

{ ( 810 C) - (800 C)} ;

K constant, Splach suprafaa plachetei

III regiune cu ridicarea temperaturii n scopul nlturrii stratului defectat de pe suprafaa plachetei prin dizolvarea acestui strat. Dup 810 C sistemul ncepe s se rceasc, sistemul trece n starea de suprasaturaie la rcire i trece n faza de cristalizare. Rcind sistemul o parte din atomii de As nu sunt utili, trebuie s avem o mas mai mica de As. Atomii care sunt n apropierea plachetei se vor aeza pe plachet (lng un atom de As se aeaz un atom de Ga asfel se formeaz pelicula ). IV regiunea de cretere a peliculei epitaxiale prin rcirea sistemului ; n punctul 2 s-a pus reactorul din nou n poziia iniial i soluia topit s-a scurs de pe suprafaa peliculei crescute i procesul de cretere s-a ncheiat. V rcirea reactorului deconectat de la energia electric. Grosimea peliculei epitaxiale este aproximativ egal cu cu aceleai valori ca la hdiz :

- 59 -

hepi = K

mGa { ( 810 C) (780 C )} Splach

Putem dinainte calcula grosimea stratului crescut n m. Cu ct este mai mare intervalul de rcire cu att va fi mai mare grosimea stratului crescut ( de exemplu 50nm la lasere). Noi putem rci sistemul ntr-un interval mai mic sau mai mare de temperatur.

Este de preferat rcirea mai lent. Dac se rcete rapid GaAs se cristalizeaz nu pe plachet ci mai departe de aceasta i nu se mai lipete de plachet. Cerine fa de solvenii care se folosesc la creterea epitaxial - solvenii trebuie s aib o temperatur mic de topire pentru a fi uor nlturai de pe suprafaa peliculei crescute. - solventul trebuie s aib o presiune mic a vaporilor saturai pentru ca s nu se piard n timpul creterii epitaxiale. - n sistemul solvent substan dizolvat, trebuie s fie stabil numai componenta III V A B la temperatura de cretere.

Doparea peliculelor epitaxiale n timpul creterii

Se utilizeaz elemente chimice i nu substane otrvitoare cum este n faza gazoas. Pentru GaAs noi vrem s avem pelicule de tip n i de tip p.

- 60 -

Dac dopm cu substanele: Cd, Zn, Be, Ge se obin conducii de tip p. Astfel, Cd avnd 2e- ocup locul Ga care are 3e- i cnd dopm cu Cd rezult un gol i ca urmare avem conducie de tip p. Dac dopm cu substanele: S, Se, Te, Sn se obin conducii de tip n. De exemplu, S avnd 6e- ocup locul As care are 5e- i n urma doprii cu S rmne un e- n aer i ca urmare avem conducie de tip n. Si ne poate da conducie att de tip p ct i de tip n. Aceast proprietate a Si se numete proprietate amfoteric ( aceast proprietate s-a observat numai n peliculele de GaAs ). Dac facem o cretere epitaxial ca n figura de mai jos, vom avea:

lungimea de und a ledurilor: =

1.24 1.24 = 0.87 m = lumina infraroie Eg (GaAs) 1.45

a ledurilor construite cu GaAs LED - urile cu GaAs dopate cu Si se utilizeaz la schimbarea canalelor TV. Aceste LED - uri (roii) au randament foarte mare: 40%.

Creterea stratului epitaxial din faza lichid limitat

Pentru cretere se utilizeaz un cilindru de grafit tiat pe lateral, n interiorul cruia se vor aeza plachetele de GaAs.
- 61 -

ntre plachete este pus o membran din grafit. Temperatura n cuptor este n acelai mod schimbat ca la Nelson. n momentul n care s-a ajuns n punctul de umezire cilindrul s-a introdus n soluia topit. Prin deschiztura cilindrului datorit forelor artificiale soluia topit va intra ntre plachete i va umple intervalele. Apoi se scoate cilindrul i se ridic tempera-tura. Stratul cu defecte se dizolv i apoi n timpul rcirii va avea loc creterea epitaxial pe toate plachetele. Pentru a avea un strat de cretere ct vrem noi se utilizeaz fie o centrifug pentru a scoate soluia, fie introducem un gaz pentru a stopa creterea.

n figura urmtoare avem dependena grosimii peliculei crescute n funcie de grosimea fazei lichide i dac vom rci unul i acelai interval de temperatur se schimb doar grosimea fazei lichide. Poriunea fazei lichide este foarte subire i n ea sunt puini atomi, ca urmare grosimea peliculei este mic. Rcind n acelai interval de temperatur T i mrind grosimea fazei lichide n continuare, la un moment dat grosimea peliculei nu mai crete rmne constant.

- 62 -

Pe placheta de sus grosimea peliculei crescute este mai mic pentru c la placheta de jos asupra atomilor de As acioneaz fora gravitaional i ca urmare aceasta va fi mai mare.

Metoda solventului mictor

Est tot o cretere epitaxial din faza lichid n gradient de temperatur.

Placheta este monocristalin; sursa este tot o plachet poate fi i policristalin. Se introduce totul ntr-un sistem vidat i nclzim sursa. Deprtarea dintre plachete este de 1mm 2mm.

- 63 -

T2 este mai jos deoarece cu ct placheta este mai departe de nclzitor cu att temperature este mai mica ( T1>T2). Diagrama de faz a GaAs:

1 - procentul de As care se dizolv la T1 2 - procentul de As care se dizolv la T2 2 < 1 Temperatura dintre Ga i GaAs este T1, mai jos este T2 i n timpul nclzirii cantitatea de soluie dizolvat la T1 este mai mare dect la T2. Cnd nclzim se dizolv o parte din surs i o parte din plachet, ideal pentru a elimina imperfeciunile. Deoarece concentraia As de sus va fi mai mare dect concentraia As de jos se va ivi un flux de As de sus n jos ( atomii de As trec de sus n jos) i unde era stare de saturaie ( jos ) se realizeaz suprasaturaie i se ncepe cristalizarea. Atomii de As plecnd de sus nu mai este ndeplinit condiia de saturaie i atunci se continu dizolvarea sursei .a.m.d. De aceea se numete metoda solventului mictor. n urmtorul grafic avem reprezentat viteza de cretere a peliculei ( viteza de micare a regiunii topite ) n funcie de grosimea soluiei de Ga dintre plci.
- 64 -

Cu ct este mai mic aceast distan cu att atomii de As ajung mai rapid pe frontiera de jos i cu att viteza de cretere este mai mare.

Particularitile creterii din faza lichid a compuilor ternari AlxGa1-xAs

Acest compus a stat la baza formrii heterojonciunilor laserelor. a = constanta reelei GaAs = 5.656 constanta reelei AlAs = 5.655 AlAs este un material semiconductor care nu a fost folosit pentru c intr foarte repede n reacie chimic cu vaporii de ap din atmosfer i se transform n praf. Pe cnd structura AlxGa1-xAs este stabile n atmosfer i poate fi utilizat. Banda interzis a acestui material este: Eg = 1.45 2.24eV. Au fost elaborate dou tipuri de casete care permit creterea peliculelor epitaxiale a plachetelor. I Caset de tip penal

- n soluia 3 avem Sn care este impuritate de tip n

- 65 -

- n soluiile 2 i 1 avem Ge care este impiritate de tip p Tot sistemul este introdus ntr-un reactor de quartz i nclzim ca la Nelson:

1 punct de umezire a plachetei cu soluie (topitur); 2 punerea reactorului n poziia iniial. mpingem placheta astfel nct s nimereasc sub prima soluie pentru a se realiza depunerea peliculei cu Al2O3. Grafitul este strveziu pentru H2 , adic toat suprafaa este acoperit cu un strat de oxid. Placheta mpins nspre dreapta, muchia ei rupe pelicula de Al3O3 i placheta se umezete pe toat suprafaa. Dup ce s-a umezit placheta ( n punctul 1 ) s-a ridicat temperatura pentru a nltura stratul de solvent de pe plachet.

Cnd am ajuns n punctul 2 am tras placheta de sub topitura 1 i am dus-o sub topitura 2 dup ce am terminat creterea peliculei cu topitura 1. Scdem n continuare temperatura i creem din nou o alt pelicul .a.m.d. n final avem trei pelicule pe care le-am crescut pe o singur plachet.

Cnd cretem pelicula de AlGaAs punem n faza lichid 1% Al iar n faza solid ( cristalizat ) vom primi 40% Al ; ns 40% nu este constant pe suprafaa peliculei. n graficul urmtor avem reprezentat schimbarea concentraiei Al n %.
- 66 -

n aceast metod soluiile sunt nu sunt amestecate ( avantaj ) . La nceput atomii de Al sunt mult mai active dect atomii de Ga i formeaz primii stratul epitaxial. La un moment dat concentraia Al este 0, dup ce a avut 40%, i se cristalizeaz GaAs curat fr Al. Dac se schimb concentraia Al se schimb i limea benzii interzise n acest material. CAl (S ) , se poate schimba n intervalul de Coeficientul de segregaie a Al , KAl = CAl ( L) temperatur 200C 400C i este mai mare la temperaturi mai joase. Neajunsuri : s-a crescut pelicul cu soluia 1 i dup aceea dorim s cretem o alt pelicul cu soluia 2, dar n timpul tragerii din dreptul soluiei 1 n dreptul soluiei 2 stratul care conine Al se poate oxida , apar defecte ntre straturi. II Caset de tip sering

Pistonul este mpins i soluia topit intr deasupra plachetei, strecurat de pelicula de Al2O3 i apoi umezit. Cnd rcim crete pelicula de soluia I . Soluia numrul II
- 67 -

curge prin orificiu, o mpingem cu pistonul; prima soluie se va dizolva i va fi nlocuit de a doua soluie. Soluiile s-au amestecat toate i nu mai pot fi folosite ( dezavantaj ).

Cum se pot confeciona lasere, leduri, fotoreceptoare

Diagrame energetice a heterojonciunilor i mecanismul de trecere a curentului Heterojonciunile dintre AlxGa1-xAs GaAs sunt aproape ideale. n figura urmtoare avem reprezentat schimbarea benzii interzise n acest material:

Construcia benzilor energetice sunt reprezentate n figurile urmtoare:

Pn n punctul 1 se pstreaz benzii interzise directe. Dup punctul 1 structura este ca la AlAs, adic cu band interzis indirect
- 68 -

Punctul 1 a fost determinat experimental. La jonciunea pn, n interiorul ei se formeaz un cmp interior, iar liniile cmpului sunt de la + la - .

Pentru ca jonciunea s fie polarizat direct aplicm + la p i - la n. Potenialul fiind aplicat n sens contrar cmpului interior rezult c se modific bariera ( benzile ).

Aceste heterojonciuni au fost analizate pentru prima dat de Anderson. Lum de exemplu o heterojonciune de tip nn:

afinitatea electronic Aceste dou benzi de material le apropiem pn ajung n contact. La dou materiale n contact nivelul Fermi trebuie s fie acelai. Dac AII > AI electronii ies mai uor din materialul cu band interzis mai mare i se duc n cellalt material.

- 69 -

Pentru c aceste materiale au banzile interzise diferite, sus va apare o frntur Ec n banda de conducie. Ec = 2 1 = Ev = Eg1 Eg2 Polarizm direct heterojonciunea. Nivelul Fermi fiind aproape de banda de conducie concentraia electronilor n ambele materiale este aceeai. Electronii din partea stng (sus) vor trece n partea dreapt srind peste barier sau tunelnd aceast barier, ns golurile din dreapta (jos) nu pot trece peste barier deoarece este prea nalt. Curentul trece din materialul cu band interzis mai mare n materialulul cu band interzis mai mic mecanismul de trecere a curentului. Electronul din partea dreapt (sus) se recombin cu golul din banda de valen i de aici rezult cuantul de lumin cu energia egal cu h.

IEL = intensitatea electroluminiscenei (intensitatea fotonilor care se eman din acest material) Cea mai mare intensitate a electronilor este n jurul punctului 1.45, dac este n jurul punctului 1.8 rezult c s-au injectat nite goluri cu energie mai mare care vor putea s treac bariera. Recombinarea are loc n materialul cu band interzis mic. Alt exemplu care se utilizeaz la lasere:

- 70 -

Se observ c avem o heterojonciune np. Cele dou materiale le apropiem pn ajung n contact.

Polarizm direct, electronii din materialul n ( purttori de sarcin majoritar n materialul n) au tendina s se ndrepte nspre potenialul + , unii srind bariera, alii trecnd prin ea. Golurile ( purttori de sarcin majoritar n materialul p) nu pot ns sri bariera deoarece este prea nalt i se duc napoi. Efectul de suprainjecie Pentru ca jonciunea s poat injecta trebuie s aib contacte. Concentraia purttorilor de sarcin injectai este mai mare dect concentraia purttorilor de sarcin n materialul dat i prin urmare pot trece 1020 electroni = efect de suprainjecie. Concentraia golurilor n partea dreapt poate fi destul de mare, dar nu pot trece nspre stnga. Aceast heterojonciune poate fi folosit ca jonciune BE n TB. Alt heterojonciune utilizat la lasere:

Nivelul Fermi se afl mai jos dect banda de valen deoarece semicon-ductorul este de tip p+ (are concentraie foarte mare a purttorilor majoritari).
- 71 -

Polarizm direct; concentraia golurilor n partea dreapt este mai mare ca n partea stng i golurile pot trece liber, ns electronii nu pot trece bariera pentru c est prea nalt. i n heterojonciunea de tip pp+ injecia are loc din semiconductorul cu band interzis mare ctre semiconductorul cu band interzis mic. Aceast heterojonci-une se folosete la laserul cu semiconductor.

Tehnologia fotoreceptorilor i a laserelor cu heterojonciuni

Aceste dispozitive stau la baza circuitelor optoelectronice. 1. Elemente solare cu heterojonciuni - au cel mai mare randament. Bazele fizice de funcionare a elementelor solare Avem un material de tip n GaAs i pe suprafaa lui se crete o pelicul epitaxial de tip p cu band interzis mare.

Iluminm aceast heterojonciune cu un spectru solar care are intensitatea fotonilor n funcie de energia lor. Dac energia h czut pe suprafaa heterojonci-unii este mai mic dect 1.45eV, rezult c nu se absorb electroni pentru c energia lor nu este destul de mare ( energia fotonului este mai mic dect banda interzis a materialului). Dac energia fotonulor 1.45 h 2eV, fotonii vor trece liber din partea dreapt spre stnga, energia unui foton fiind suficient pentru a excita un electron i de a-l ridica din partea stnga jos n sus (stg) rmnnd acolo un gol unde se formeaz o pereche electron gol. Dac h > 2eV s-ar ivi n partea dreapt o pereche elctron gol. Toi fotonii formeaz perechi electron gol n partea stng.
- 72 -

Golul din partea stng jos va trece n partea dreapt jos i va compensa ncrctura unui electron, iar prin circuitul exterior va trece un curent format dintr-un electron; electronul din partea stng sus nu poate trece n partea dreapt sus deoarece el nu poate trece bariera, prin urmare potenialul cmpului electric interior s-a micorat. Acest element solar convertete n energie electric doar poriunea dintre 1.45 i 2eV. Elementul solar s-ar putea realiza astfel:

Acest element solar are urmtoarea caracteristic spectral:

Randamentul: =

soarelui. Determinarea Pentru a determina se face urmtoarea analiz:

Ps , unde Ps = puterea sarcin , P0 = puterea incident a P 0

- 73 -

Cnd schimbm valoarea rezistenei Rs avem urmtoarea caracteristic:

unde Isc = 25 mA/cm2 Mrind Rs putem micora curentul pn la zero. Dac Rs are valoare maxim atunci punctul 1 se numete tensiunea mersului n gol. Cnd Rs = 0 , nu exist tensiune pe Rs, curentul este maxim, iar punctul 2 se numete curent de scurtcircuit. Pentru a determina acest randament vom construi un dreptunghi care are suprafaa maxim posibil. Il = curent de lucru I U Ul = tensiune de lucru = l l P 0 Astzi = 30%, iniial era de 11%. De exemplu de pe o singur plachet se pot scoate mai multe elemente solare:

buffer strat epitaxial monocristalin

- 74 -

Primul strat se corodeaz foarte uor n HCl i se corodeaz pn cnd elementul solar se dezlipete (se nltur cei de 20m de pe plachet).

Placheta nu are defecte, din ea nu s-a corodat nimic, i din nou se introduce la epitaxie, se crete iar un element solar i acesta se scoate de pe suprafaa plachetei. Astfel se pot scoate 50 60 elemente. Elementul solar trebuie s aib dou contacte, care trebuiesc tratate termic, pentru ca el s aib o adeziune bun n semiconductor.

Dac depunem un contact sub pelicula de n GaAs, aceasta trebuie tratat termic. Tratarea se face cu ajutorul laserului infrarou, care nu nclzete rina. 2. Tehnologia laserelor Pentru a realiza un laser, trebuie s tim principiu de lucru a acestuia i s construim diagrama energetic a acestuia( care a fost propus de savantul rus Alferov).

Pentru a crete din faza lichid, pe o plachet se crete nti primul strat, al doilea strat i apoi al treilea strat. Avem trei soluii i tragem suportul ca la metoda cu caseta penal.

- 75 -

Polarizm direct (+la p+ i -la n ). Din primul emitor are loc injecia electronilor n regiunea activ, ei sar prima barier dar nu sar i de a doua barier pentru c este prea nalt. Din al doilea emitor se injecteaz goluri care vor trece numai peste prima barier, nu i de a doua. Condiii ca laserul s poat funciona: - suprapopulaia nivelelor:

Se injecteaz electroni n banda de conducie i goluri n banda de valen. Rezult c se adun muli electroni i multe goluri, prin urmare avem suprapopulaie datorat injecei. - rezonatorul Fabri Pero ( dou oglinzi la margine, una semitransparent i una care s reflecte): laserul trebuie s emit o lumin cu aceeai energie a fotonilor, i pentru aceasta se utilizeaz dou oglinzi la margine care se numesc rezonatorul Fabri Pero. Energia pe care o are electronul n banda de conducie a fost emanat sub form de foton ( lumina laserului). La margine ( electronii care se gsesc pe nivelul cel mai nalt al benzii de conducie) electronul se recombin cu un gol i pentru ca s nu fie alt energie se pun dou oglinzi, i fotonul format se lovete de o oglind de alta i simuleaz alte perechi electron-gol care dau aceeai energie. Construcia laserului pentru a putea lucra

- 76 -

Laserul tiat arat astfel:

- 77 -

- 78 -