3

TIRISTORUL OBI}NUIT
Tiristorul obi]nuit este un dispozitiv semiconductor de putere cu o mare capacitate n curent ]i tensiune, care face ca utilizarea lui n convertoare s` aib` nc` o r`spndire foarte mare. Uneori acest tiristor este denumit ]i SCR redresor semiconductor cu control (semiconductor controlled rectifier). Caracteristica principal` a acestui dispozitiv const` n faptul c` poate fi comandat pe poart` pentru intrarea n conduc\ie, f`r` a avea posibilitatea de a bloca conduc\ia printr-o comand` asem`n`toare.

3.1

STRUCTUR~

Tiristorul obi]nuit este construit ntr-o structur` cu patru straturi ]i trei electrozi (fig.3.1). Stratul anodului este de tipul p+ cu o impurificare de 1019 /cm3 . Stratul catodului este de tipul n+ cu o impurificare asem`n`toare. Stratul por\ii, p2 , are o impurificare medie de 1017 /cm3 . Al patrulea strat permanent este n- , cu o impurificare de 1013 . . . 5 1014 / cm3 , avnd acela]i rol cu stratul similar de la diode. Suplimentar este prev`zut stratul p, care mpreun` cu p+ formeaz` de fapt stratul anodului ]i care confer` propriet`\ile tiristorului. Grosimile orientative ale straturilor sunt de asemenea indicate in fig.3.1. {n ceea ce prive]te sec\iunea transversal` a unui tiristor, acesta este de obicei circular`, cu diametre pn` la 10 cm ]i ridic` probleme

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

45

deosebite privind realizarea ansamblului poart`-catod astfel nct amorsarea conduc\iei s` se fac` simultan n toat` sec\iunea. La curen\i mici structura este de tip concentric, fig.3.2, iar la curen\i mari de tip gril`, fig.3.3. Simbolul tiristorului este prezentat n fig.3.4

Fig.3.1 Structura unui tiristor.

Fig.3.2 Structur` concentric`.

Fig.3.3 Structur` tip gril` distribuit`.

Fig.3.4 Simbolul tiristoarelor.

3.2

POLARIZARE

Considernd poarta izolat`, polarizarea tiristorului se poate face direct, + pe A ]i pe K, sau invers, polarit`\ile fiind evident inversate. {n primul caz jonc\iunea J2 , de tip n-p, fig.3.1, este polarizat` invers ]i valoarea tensiunii posibil de aplicat depinde de grosimea stratului n-, la fel ca la diode. {n cazul al doilea, jonctiunile J3 ]i J1 sunt polarizate invers. Jonc\iunea J3 , de tip n+ p, va asigura o barier` redus`, n timp ce J1 , de

46

TIRISTORUL OBI}NUIT

tip n-p, va asigura o tensiune de aceea]i m`rime ca in cazul polariz`rii directe. Rezult` c` tiristorul poate suporta tensiuni inverse ]i directe de aceea]i m`rime, fiind realizate unit`\i pentru tensiuni de ordinul miilor de vol\i.

3.3

CARACTERISTICA STATIC~

Se consider` tiristorul alimentat de la sursa U ]i avnd o rezisten\` de sarcin` R (fig.3.5). Caracteristica static`, fig.3.6, este dependen\` dintre curentul prin tiristor, iT , ]i tensiunea anod-catod, uT. Pentru polarizare direct` ]i n absen\a curentului de poart`, iG = 0, caracteristica static` este furnizat` de curba 1. Se constat` trei lucruri: o cre]tere a curentului direct, nesemnificativ ca valoare, odat` cu cre]terea tensiunii anod-catod; intrarea n conduc\ie necontrolat`, f`r` comand`, iG=0, dac` tensiunea anod-catod dep`]e]te valoarea tensiunii UBD , numit` de pr`bu]ire n sens direct, ca fiind tensiunea maxim` admis` de tiristor n sens direct; cu ct tensiunea anod-catod este mai mic`, curentul de poart` necesar pentru intrarea n conduc\ie este mai mare, iG3 > iG2 > iG1 =0. Intrarea n conduc\ie controlat` prin iG 0 se realizeaz` printrun proces de autoamorsare, punctul de func\ionare deplasndu-se rapid de pe ramura 2 pe ramura 3, de func\ionare n conduc\ie, ntr-un punct stabil F. Pe aceast` caracteristic` sunt dou` valori de curent care prezint` interes: IL , curent de amorsare, ca fiind valoarea de curent iT peste care are loc procesul de autoamorsare, tiristorul intrnd n conduc\ie; IH , curent de men\inere, ca valoare minim` a curentului iT pentru care, tiristorul amorsat fiind, r`mne n conduc\ie chiar n absen\a curentului de poart`. Caracteristica static` pentru polarizare invers` este situat` n cadranul 4 fiind caracterizat` prin dou` m`rimi: IRM curentul invers de satura\ie, generat de purt`torii minoritari, cu aceea]i semnifica\ie ]i m`rime ca la diode;

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

47

1 Fig.3.5 Schem` de alimentare Fig.3.6 Caracteristic` static`.

VBR, tensiunea de pr`bu]ire n sens invers, ca fiind valoarea de tensiune la care are loc amorsarea unei conduc\ii de avarie n sens invers, f`r` limitarea curentului, semnifica\ia fiind aceea]i ca la diode.

Caracteristica static` pentru starea de conduc\ie, curba 3, este liniar`, din acelea]i considerente ca la diode, cu diferen\a c` tensiunea anod-catod VON este mai mare ca la diode putnd lua valori ntre 1,1 . . . 2,1 V.

3.4

AMORSAREA CONDUC|IEI

Tristorul poate fi echivalat prin dou` tranzistoare T1 ]i T2 conectate ca n fig.3.7. T1 , tranzistor pnp, este format din straturile p+ np, iar T2 , npn, de straturile n- p n+ . Se consider` circuitul anod-catod alimentat de la sursa EA , iar cel de poart` de la sursa EG cu polarit`\ile din fig.3.7. Circuitul baz`-emitor al lui T2 este polarizat direct,
iB2 = iG

(3.1)
EG

Tranzistorul T2 este polarizat pentru conduc\ie ]i electronii din emitorul s`u se vor reg`si n colector sub forma curentului de colector iC 2 , sus\inut de sursa EA.

Fig.3.7 Schema echivalent` a tiristorului.

48

TIRISTORUL OBI}NUIT

Dar
i B1 = i C2

(3.2)

]i deci ]i tranzistorul T1 este polarizat pentru intrarea n conduc\ie, ap`rnd curentul de colector iC1 , pe seama golurilor injectate din emitor n colectorul acestuia. Consecin\` este cre]terea curentului de baz` al tranzistorului T2 la valoarea
' iB = iG + iC1 , 2

(3.3)

care produce o nou` cre]tere a lui iC 2 , respectiv i B1 ]i i B2 . Astfel apare, ca urmare a reac\iei pozitive declan]ate, o cre]tere rapid` a curentului prin dispozitiv, procesul numindu-se amorsare a conduc\iei, punctul de func\ionare trecnd pe caracteristica 3, fig.3.6, ntr-un timp de ordiunul microsecundelor. Tranzistoarele T1 ]i T2 fiind n zona activ` se pot scrie rela\iile:

iC1 = 1 i E1 + I CO1 iC 2 = 2 i E 2 + I CO2 ,

(3.4)

unde ICO1 ]i ICO2 sunt curen\ii de colector ai celor dou` tranzistoare, pentru baze nepolarizate ]i avnd valori nesemnificative, iar 1 , 2 da\i de rela\ia de forma
= , 1+

(3.5)

unde este factorul de amplificare n curent al tranzistorului,

= iC . iB

(3.6)

Din fig.3.6 se poate scrie c`

iT = iE1
]i iK = i E 2 = iT + iG . Introducnd (3.7) ]i (3.8) n (3.4) rezult`
iT = 2 iG + I CO1 + I CO 2 . 1 ( 1 + 2 )

(3.7)

(3.8)

(3.9)

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

49

Rela\ia (3.9) indic` modul de realizare a structurii tiristorului astfel nct s` se realizeze fenomenul amors`rii conduc\iei. Astfel n stare blocat`, trebuie ca

1 + 2 << 1

(3.10)

astfel c` iT , n func\ie curentul nominal al tiristorului, s` aib` valori reduse de la ordinul microampermetrilor pn` la sute de miliamperi pentru tiristoarele de curent mare. Condi\ia (3.10) se poate realiza cu u]urin\` pe tranzistoarele T1 ]i T2 , acestea fiind n stare blocat`. Pentru starea de conduc\ie trebuie ca

1 + 2 1 ,

(3.11)

astfel nct iT s` creasc` foarte mult, atingnd valoarea de regim sta\ionar. Cre]terea coeficientului 1 este generat` de transformarea stratului de s`r`cire n- ntr-un strat de tip n pe m`sur` ce tensiunea anodcatod cre]te. Acest lucru determin` ca grosimea bazei tranzistorului T1 , format` din stratul n- transformat n n, s` se reduc` substan\ial, producnd cre]terea lui 1 . Pe de alt` parte, tot ca urmare a cre]terii tensiunii anod-catod, are loc o extensie a stratului n- n stratul por\ii p, reducnd de asemenea grosimea acestuia, adic` a bazei tranzistorului T2 , deci o cre]tere a lui 2 . Conectarea celor dou` tranzistoare astfel nct s` aib` loc reac\ia pozitiv` descris` mai sus, face ca ntre anod ]i catod s` se nchid` un curent suficient de mare care s` men\in` cele dou` tranzistoare n satura\ie, chiar dup` anularea curentului de poart`. Realizarea unei sume

1 + 2 > 1

(3.12)

ar transforma dispozitivul n unul cu rezisten\` negativ`, zon` de func\ionare devenind instabil` ]i deci neutilizabil` practic. Evident realizarea condi\iei (3.11) este decisiv` n ceea ce prove]te structura ]i doparea straturilor. Desf`]urarea procesului de amorsare a conduc\iei conduce la concluziile: amorsarea conduc\iei are ca punct de plecare injectarea unui curent IG>0 n jonc\iunea poart`-catod; dup` amorsarea conduc\iei, curentul de poart` se poate anula, permi\nd o comand` de tip impuls;

50

TIRISTORUL OBI}NUIT

n stare de conduc\ie cele dou` tranzistoare sunt n satura\ie astfel c` rezisten\a anod-catod a tiristorului scade la valori de ordinul m curentul n acest circuit fiind limitat practic de rezisten\a de sarcin` R; ntreruperea conduc\iei prin tiristor se poate realiza numai prin mic]orarea curentului IT sub valoarea curentului de men\inere IH.

3.5

CARACTERISTICI DINAMICE

Caracteristicile dinamice se refer` la procesele de intrare ]i ie]ire din conduc\ie ]i au ca obiect: timpii de comutare, supratensiuni sau supracuren\i ]i pierderile de putere. Se consider` tiristorul nglobat n schema din fig.3.8, unde u(t) este o tensiune sinusoidal`, iar sarcina R+L este caracterizat` printr-o bobin` de valoarea foarte mare nct practic se constituie ntr-un generator de curent constant I0 . Varia\ia principalilor parametri din circuit este prezentat` n fig.3.9, considernd c` aplicarea curentului de poart` IG la t = 0, coincide cu valoarea maxim` a tensiunii u(t).

Fig.3.8 Cicuit pentru analiza regimului dinamic.

Fig.3.9 Procesul de intrare n conduc\ie.

{n primul interval de timp, td timp de ntrziere, tiristorul r`mne n stare blocat` ca urmare a faptului c` injec\ia de purt`tori de sarcin` n exces datorat` lui IG, r`mne la nivelul stratului p2 , n vecin`tatea metaliz`rii por\ii, ]i ncepe s` creasc` suma 1 + 2 . Cnd 1 + 2 1 ncepe injec\ia de electroni din n+ n p2 ]i de goluri din p+ n

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

51

n- , n zona central` a tiristorului ap`rnd un exces de purt`tori care va permite amorsarea curentului iT. Curentul iT cre]te, cu un gradient determinat de sarcina din anodul tiristorului, n timpul tri . In acela]i timp, ca urmare a densit`\ii mari de purt`tori de sarcin` din zona central` conductivitatea acestei zone cre]te mult ]i tensiunea anod-catod scade repede. La sfr]itul intervalului tri, purt`torii de sarcin` din zona central` continu` s` se r`spndeasc` spre zonele laterale ale sec\iunii tiristorului, tensiunea anod-catod descrescnd pe intervalul tfv mult mai lent, la sfr]itul c`ruia densitatea de purt`tori de sarcin` se uniformizeaz` n ntreaga sec\iune, tensiunea anod-catod atingnd valoarea de regim sta\ionar VON. Problema principal` care apare const` n corelarea gradientului de curent diT/dt cu viteza de r`spndire a purt`torilor de sarcin` n ntreaga sec\iune a tiristorului, corelare foarte important` pentru tiristoarele de curent mare, care au o sec\iune cu diametre de ordinul centimetrilor. Dac` gradientul de curent real este mai mare dect cel maxim admis de tiristor atunci n zona central` a acestuia apar densit`\i mari de curent, care produc supranc`lziri ]i pot conduce la deteriorarea ireversibil` a jonc\iunilor. A]adar gradientul de curent real trebuie evaluat ]i dac` este cazul, redus prin circuite speciale de protec\ie, sub nivelul admisibil. Timpul de intrare n conduc\ie are valoarea
t ON = t d + t ri + t fv

(3.13)

]i are valori de pn` la 10 sec pentru tiristoarele lente, de re\ea, ]i de 12 sec pentru tiristoarele rapide. Mic]orarea timpului tON se poate realiza prin cre]terea valorii curentului IG, care reduce timpul td, reducerea fiind ns` nesemnificativ`. Pierderile de putere la intrarea n conduc\ie sunt relativ mari pe intervalul tri + tfv , cnd att curentul ct ]i tensiunea au valori relativ mari. Dac` frecven\a de comuta\ie este redus`, cazul tiristoarelor lente, de re\ea, energia dezvoltat` n tiristor este nesemnificativ` n raport cu cea pentru stare de conduc\ie ]i se neglijeaz` n calculul termic. Pentru tiristoarele rapide, energia cumulat` nu mai poate fi neglijat` ]i se ia n considera\ie n acela]i mod ca la diode. Amorsarea anormal`, pentru UT > UBD ]i IG = 0, este provocat` de cmpurile intense produse n jonc\iune de tensiunea aplicat` n sens direct ]i conduce la deteriorarea tiristorului. Procesul de ie]ire din conduc\ie decurge n mod asem`n`tor ca la diode, fiind provocat de inversarea polarit`\ii tensiunii de alimentare.

52

TIRISTORUL OBI}NUIT

Un proces standard de ie]ire din conduc\ie este prezentat n fig.3.10. Intervalele t, ts ]i tf au aceea]i semnifica\ie ca la diode. Apare suplimentar intervalul de timp tq necesar tiristorului pentru a c`p`ta capacitatea de blocare la aplicarea unor tensiuni anod-catod pozitive. Aceast` capacitate de blocare nu se poate realiza la anularea curentului iT ca urmare a procesului de recombinare a purt`torilor ]i a constituirii barierelor de poten\ial din jonc\iuni. Dac` naintea epuiz`rii intervalului tq se aplic` tensiune pozitiv` cu un gradient relativ mare tiristorul reintr` n conduc\ie n sens direct, f`r` a fi comandat pe poart`. Intrarea n conduc\ie este determinat` n special de existen\a purt`torilor de sarcin` nerecombina\i nc` din stratul n+, ct ]i curentului ce apare n capacitatea parazit` a jonc\iunii poart`catod, care preia rolul de curent de poart`. Se stie c` un astfel de curent este dat de rela\ia

iC =

1 dv F , CGK dt

(3.14)

Fig.3.10 Procesul de ie]ire din conduc\ie.

unde CGK este capacitatea parazit` G K, iar dvF /dt gradientul tensiunii aplicate n sens direct. Rezult` a]adar ]i necesitatea mic]or`rii gradientului de tensiune prin circuite de protec\ie adecvate. Pentru tiristoarele lente, de re\ea, tq = 300 sec, (3.15)

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

53

n timp ce pentru cele rapide are valori mult mai mici, n jur de 10sec. A]adar timpul de blocare al conduc\iei
t OFF = t + t s + t f + t q

(3.16)

este practic determinat de tq, limitnd frecven\a de lucru a dispozitivului. Se mai remarc` de asemenea supratensiunea invers` de comuta\ie VRM , avnd acela]i mecanism de generare ca la diode, dar ]i gradientul de aplicare al acestuia la nceputul intervalului tf . Pierderile de putere din tiristor n procesul de blocare sunt determinate de intervalul tf , cnd att tensiunea ct ]i curentul invers sunt relativ nsemnate ca valoare. Pentru tiristoarele utilizate la frecven\e joase aceste pierderi sunt nesemnificative n bilan\ul total. Luarea lor n considerare se face n acelea]i situa\ii ca la diode.

3.6
3.6.1

CIRCUITE DE COMAND~ PE POART~

CONDI|II NECESARE

Circuitele de comand`, fig.3.11, pe poart` trebuie s` asigure urm`toarele condi\ii: un curent de poart` IG > 0, avnd o valoare suficient de mare pentru a asigura intrarea ferm` n conduc\ie a tiristorului, indiferent de temperatura acestuia; valoarea curentului de poart` s` nu conduc` la nc`lziri excesive ale jonc\iunii G-K; s` fixeze precis momentul intr`rii n conduc\ie, n special pentru tiristoarele conectate n serie sau paralel; s` asigure separarea galvanic` ntre circuitul de generare a comenzii ]i circuitul de tensiune mare A-K; suplimentar, pentru convertoarele de re\ea, sincronizarea comenzii cu tensiunea anod-catod pozitiv` (semialternan\a pozitiv`). 3.6.2 CARACTERISTICA POART~-CATOD

Jonc\iunea poart`-catod este un semiconductor p-n obi]nuit ]i deci caracteristica de comnd`, VG = f(IG), va fi asem`n`toare cu caracteristica tensiune-curent a unei diode de semnal, prezentat` n fig.3.12.

54

TIRISTORUL OBI}NUIT

Fig.3.11 Comanda pe poart`.

Fig.3.12 Caracteristica de poart`.

Datorit` dispersiei de fabrica\ie, pentru aceia]i serie de tiristoare, fabrican\ii garanteaz` pozi\ionarea caracteristicii VG = f(IG) ntre dou` limite 1 ]i 2. Pentru calcule se ia de obicei n considera\ie o valoare medie, delimitat` de caracteristica 3. Exist` dou` categorii de limit`ri, inferioare ]i superioare. Limitarea inferioar` se refer` la amorsarea cert`, fiind determinat` de temperatura la care se afl` dispozitivul n momentul gener`rii comenzii. Astfel, la stnga regimurilor determinate de limit`rile a, b ]i c, amorsarea este incert`. Cele trei caracteristici a, b, c, sunt determinate de temperatura dispozitivului, de exemplu n ordine, 125 C, 25 C ]i 40 C. Limit`rile superioare au n vedere nedep`]irea regimului termic admisibil al jonc\iunii, n sensul c` n stnga caracteristicii A comanda se poate face n c.c., iar n dreapta n regim de impuls cu durate determinate, de exemplu A 10msec, B 1msec, C - 100sec, D 10sec, ].a.m.d. Punctul de func\ionare, F, se stabile]te n func\ie de condi\iile de mai sus la intersec\ia dintre caracteristica medie 2 ]i dreapta de sarcin`, DS, care se traseaz` prin cele dou` puncte cunoscute: IG = 0 ]i VG = EG; IGK = EG/RG ]i VG = 0. 3.6.3 COMANDA N IMPULS

{n func\ie de timpul de aplica\ie se utilizeaz` frecvent trei tipuri de comenzi : impuls tare, impuls moale ]i tren de impulsuri (fig.3.13).

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

55

Fig.3.13 Tipuri de impulsuri.

Impulsul tare, fig.3.13a, este utilizat n special pentru cazul tiristoarelor conectate n serie sau paralel avnd ca scop cre]terea preciziei de intrare n conduc\ie. Principalele caracteristici ale acestui impuls sunt: IGM = (35)IG; t1 = 0,1 1sec; t2 20 sec; t = 0,5 1 msec di G > 1 A / sec , pentru intervalul t1 . dt Impulsul de tip moale, fig.3.13b, utilizabil n cazurile obi]nuite, adic` tiristoare independente ]i solicit`ri dinamice reduse, are caracteristicile: t1 = 1sec; di G > 0,5 A / sec pentru intervalul t1 dt t = 0,5 1 msec. Al treilea tip de comand`, tren de impulsuri, fig.3.13c, se utilizeaz` n special n convertoarele c.c. c.a. unde condi\iile de intrare n conduc\ie, n ceea ce prive]te circuitul anod-catod, pot fi variabile n func\ie de propriet`\ile sarcinii. {n acest caz durata impulsului t coincide cu perioada dorit` de conduc\ie, care poate fi efectiv` numai pe por\iuni. Pentru a se asigura intrarea n conduc\ie n orice moment, dar f`r` a se dep`]i regimul termic al jonc\iunii se adopt` un anumit factor de umplere, convenabil.

56

TIRISTORUL OBI}NUIT

3.6.4

SCHEME TIPICE DE COMAND~ PE POART~

Pentru convertoarele de re\ea circuitul de comand` pe poart` trebuie s` asigure generarea impulsului ntr-o anumit` concordan\` cu faza tensiunii anod-catod, ]i semialternan\a pozitiv`, cnd tiristorul poate efectiv intra n conduc\ie. O schem` tipic` pentru o astfel de utilizare este prezentat` in fig.3.14, utiliznd circuitul integrat specializat AA145 destinat comenzii n faz`. La intrarea I1 se aplic` o tensiune sinusoidal` Usin, numit` de obicei de sincronizare, separat` galvanic ]i redus` ca valoare fa\` de tensiunea A-K pe tiristor (fig.3.15).

Fig.3.14 Schema de comand` pe poart` pentru convertoare de re\ea.

Pe baza acestei tensiuni se genereaz` o tensiune n dinte de fier`str`u v(t). Aceast` tensiune este comparat` cu tensiunea de comand` UC, continu` ]i variabil` n limitele . 0 UC v tensiuni, UC = v (t ) , (3.17) (3.16)

La egalitatea celor dou`

Fig.3.15 Diagram` de semnale pentru comanda n faz`.

se genereaz`, la cele dou` ie]iri E1 ]i E2 , dou` impulsuri pozitive cu durata reglabil` ]i pozi\ionate la .

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

57

Prin varierea tensiunii Uc n limitele men\ionate mai sus, faza de apari\ie a impulsului E1 se deplaseaz` n domeniul [0, ], adic` in intervalul n care tiristorul, avnd tensiunea A-K pozitiv`, poate intra n conduc\ie. Impulsurile astfel generate sunt amplificate prin montajul Darlington format din tranzistoarele T1 ]i T2 ]i aplicat primarului transformatorului de impuls m. Acest transformator are un dublu r ol: separare galvanic` ]i adaptarea curentului la cerin\ele circuitului G-K. {n circuit mai sunt prev`zute o serie de elemente care au urm`toarele func\iuni: poart` sau, format` din diodele n1 ]i n2 , care permite amplificarea ]i trimiterea pe poart` ]i a unui al doilea impus generat cu o alt` faz`; rezisten\a de sarcin` Rs folosit` att pentru realizarea circuitului de desc`rcare a energiei transformatorului, mpreun` cu n4 ]i n5 , precum ]i pentru adaptarea curentului de poart` pentru cazul cnd acela]i transformator de impuls este utilizat pentru mai multe tipodimensiuni de tiristoare; dioda n6 pentru selectarea impulsului pozitiv generat de transformator; rezisten\a R, de ordinul ohmilor, cu scop de a evita efectele nedorite ale ntreruperii circuitului de poart` asupra transformatorului de impuls; capacitate C cu efect de filtrare a perturba\iilor exterioare culese de conexiunile ntre transformatorul de impuls ]i circuitul G-K. Dac` dimensionarea majorit`\ii elementelor acestui circuit poate fi realizat` cu u]urin\`, proiectarea transformatorului de impuls este mai preten\ioas`. Se presupune un transformator de impuls numai cu rol de izolare galvanic`, adic` cu raport de transformare unitar. Impulsul de tensiune aplicat n primar are valoarea UT ]i durata t (fig.3.16) {ntre impulsul dreptunghiular de tensiune aplicat ]i fluxul din transformator exist` rela\ia
UT = W d (t ) , dt

(3.18)
Fig.3.16 Fluxul din transformatorul de impuls.

unde W este num`rul de spire, acela]i, al primarului ]i secundarului. Varia\ia fluxului ,

58

TIRISTORUL OBI}NUIT

(t) =

UT U dt = T t , W W 0

(3.19)

este liniar` atingnd valoarea maxim`

M =

UT t , W

(3.20)

la anularea impulsului UT. Anularea fluxului din transformator, ca urmare a configura\iei circuitului de desc`rcare, se face tot liniar ]i ntr-un timp egal cu t . A]adar perioada impulsului este T = 2 tI , iar frecven\a impulsului
f = 1 . T

(3.21)

(3.22)

Cu aceste nota\ii valoarea fluxului maxim devine

M =

UT 2fW

(3.23)

Miezul transformatorului este de tipul dublu E ]i se confec\ioneaz` din materiale magnetice de calitate foarte bun`. Punctul de func\ionare se alege n zona liniar` a caracteristicii de magnetizare, deci pentru induc\ii reduse. Astfel, dac` miezul se face din o\el electrotehnic cu cristale orientate la rece, induc\ia se ia ntre 0,4 0,6 T, iar pentru miez de ferit` ntre 0,2 0,3T. Se adopt` un tip de miez standardizat, avnd sec\iunea miezului SFe, ]i se calculeaz` fluxul maxim cu M = S Fe Badm , (3.24) unde Badm este induc\ia din miez, care se alege dup` cele prezentate mai sus. Din rela\ia (3.23) se determin` num`rul de spire cu
W = UT 2 f M

(3.25)

]i sec\iunea conductoarelor de bobinaj cu rela\ia

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

59

Scu =

IG , J adm

(3.26)

unde IG este curentul de poart`, iar densitatea admisibil` Jadm = 2 3 A/mm2 . Verificarea corectei dimension`ri const` n plasarea celor dou` bobine n fereastra transformatorului. Dac` r`mne prea mult loc n fereastra sau bobinele nu ncap, se reface calculul plecnd de la un alt miez. Realizarea bobinelor va avea n vedere diminuarea maxim posibil` a inductivit`\ii de dispersie ]i a capacit`\ii parazite dintre straturile acestora, care au efecte nedorite asupra fronturilor impulsului. Diminuarea inductivit`\ii se realizeaz` prin bobinarea simultan`, cu conductoarele n paralel a celor dou` nf`]ur`ri, iar a capacit`\ii prin dispunerea n triunghi a straturilor bobinelor, cu baza triunghiului spre miez. Este necesar` ]i o verificare a induc\iei n miez la ntreruperea accidental` a circuitului de poart`, cnd tensiunea UT cre]te substan\ial. Verificarea const` n calculul induc\iei n miez ]i ncadrarea valorii n por\iunea liniar` a caracteristicii de magnetizare, far` ca miezul s` se satureze. Un alt mod de a realiza separarea galvanic` este prezentat n fig.3.17 prin utilizarea optocuploarelor, formatorul de impulsuri FI putnd fi de tipul prezentat mai sus sau de alt` construc\ie. Prin intermediul optocuplorului T1 semnalul este transmis tranzistorului T2 , care mpreun` cu fototranzistorul din T1 formeaz` un montaj Darlington.

Fig.3.17 Separare galvanic` prin optocuplor.

Schema are avantajul utiliz`rii unui num`r redus de componente, ns` necesit` dou` surse separate, una pentru formatorul de impulsuri FI ]i a dou`, +Ec , pentru circuitul de amplificare, n contact galvanic cu circuitul G-K, ]i care trebuie dimensionat` pentru tensiunile nalte din acest circuit.

60

TIRISTORUL OBI}NUIT

3.7

ALEGEREA TIRISTOARELOR

Alegerea tiristoarelor utilizate ntr-un convertor urmeaz` aceea]i metodologie de la diode (cap.2.6.4). La alegerea n curent se procedeaz` identic, n timp ce la alegerea n tensiune, ca urmare a sensibilit`\ii deosebite a tiristorului la supratensiuni VRRM = (2 . . . 2,5)V RW . (3.27) De asemenea trebuiesc avute n vedere gradientele de curent ]i tensiune maxim admise, pentru ca n cazul nencadr`rii n acestea s` se prevad` circuite de protec\ie adecvate. Verificarea corectei alegeri se face prin calculul regimului termic al jonc\iunii dup` metodologia de la diode (cap.2.6), fiind valabile toate considera\iile prezentate. Singura diferen\` notabil` const` n introducerea n puterea total` disipat`, rela\ia 2.45, ]i a puterii disipate n circuitul de comand`, calculabil` cu rela\ia
PG = U G I G ti , T

(3.28)

unde t este durata impulsului, iar T perioada de generare a acestuia.

3.8

PARAMETRI DE TIRISTOARELOR

CATALOG

AI

Parametrii de catalog ai diodelor, prezenta\i n 2.5, se reg`sesc aproape n totalitate la tiristoare cu o diferen\` de nota\ie constnd n nlocuirea literei F cu T, adic`, de exemplu , curentul mediu prin tiristor, se noteaz` cu ITAV. Apar n plus o serie de parametri specifici, prezenta\i mai sus, cum ar fi: pentru circuitul de poart` VG, IG ; tensiunea de pr`bu]ire n sens direct VBD; curen\ii de amorsare ]i de men\inere, IL ]i IH; di dv gradien\ii de curent ]i tensiune admisibili T , V ; dt dt sarcina stocat` QS . Se fabric` n mod curent tiristoare pentru tensiuni ]i curen\i de ordinul miilor de vol\i ]i amperi .

DISPOZITIVE SEMICONDUCTOARE DE PUTERE

61

3 TIRISTORUL OBI}NUIT ....................................................................................................44

3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6

STRUCTUR~............................................................................................................... 44 POLARIZARE.............................................................................................................. 45 CARACTERISTICA STATIC`.................................................................................... 46 AMORSAREA CONDUC|IEI .................................................................................... 47 CARACTERISTICI DINAMICE................................................................................. 50 CIRCUITE DE COMAND~ PE POART~.................................................................. 53 3.6.1 CONDI|II NECESARE..................................................................................... 53 3.6.2 CARACTERISTICA POART~-CATOD.......................................................... 53 3.6.3 COMANDA N IMPULS................................................................................... 54 3.6.4 SCHEME TIPICE DE COMAND~ PE POART~............................................ 56 3.7 ALEGEREA TIRISTOARELOR.................................................................................. 60 3.8 PARAMETRI DE CATALOG AI TIRISTOARELOR................................................ 60