Universidad Nacional de Colombia. ustes Wiston cdigo: 261566, Osorio Camilo cdigo: 261569. Informe prctica 0.

Electrnica de potencia

Resumen exposicin JUNTURAS P-N

ustes Cuellar, Wiston Andrs. Osorio Romero, Camilo Andrs. Moncada, Steven. {wanustesc, caosorior}@unal.edu.co Universidad Nacional de Colombia ResumenEn este informe se presenta un resumen de las principales caractersticas de las junturas p-n desde los materiales usados hasta los parmetros estticos y con polarizacin directa e inversa. ndice de Trminos Juntura p-n, material tipo p, material tipo n, semiconductores, regin de vaciamiento. I. INTRODUCCIN

sabemos que la corriente neta no puede fluir a travs de la juntura en equilibrio, la corriente debido al arrastre de portadores en el campo elctrico se cancela con la corriente de difusin. Jp(drift)+ Jp (diff)=0 Jn(drift)+ Jn (diff)=0 En el diagrama de potencial electrosttico aparece un gradiente de potencial en direccin opuesta al campo elctrico, de acuerdo con la relacin fundamental E(x)= - dV/dx se puede asumir que el campo elctrico es cero en la regin neutral fuera de W, de esta manera entonces hay un potencial constante Vn en el material neutral n y un potencial constante Vp en el material neutral tipo p y una diferencia de potencial V0=Vn-Vp, entre los dos, la regin W es llamada la regin de transicin y el potencial diferencial Vo es llamado potencial de contacto, el potencial de contacto que aparece a travs W es una barrera de potencial incorporado, por lo que es necesario mantener el equilibrio en la juntura , esto no implica ningn potencial externo, por definicin Vo es una cantidad de equilibrio de donde no puede dar como resultado una corriente neta.

siguiente informe corresponde al resumen de las principales caractersticas en la formacin de las junturas p-n a partir de dos materiales permitiendo as familiarizarse con este fenmeno observando su comportamiento esttico o cuando a este se le excita, al polarizarlo en directo o en inverso mediante una fuente externa.
L

II. CONTENIDO A. Junturas P-N en equilibrio En esta seccin vamos a explorar las propiedades de las junturas p-n en equilibrio, es decir sin excitacin externa de corrientes fluyendo en el dispositivo. La idea es encontrar las diferencias del dopaje de cada lado de la juntura causado por una diferencia de potencial entre los dos tipos del material. La juntura tipo n contiene una gran concentracin de electrones y poca concentracin de huecos y viceversa con la juntura tipo p. Los huecos se mueven de la regin p a la regin n y los electrones se mueven del material tipo n hacia el material tipo p, la corriente de difusin resultante no se puede acumular indefinidamente, as que se crea un campo elctrico en la juntura. Si tenemos en cuenta que los electrones se mueven desde el material tipo n al tipo p dejando atrs los iones donores descompensados en el material n, y los huecos que salen de la regin p abandonan aceptores descompensados en ese lado de la juntura, podremos observar fcilmente el desarrollo de la regin de espacio de carga positiva cerca a al lado n de la juntura y carga negativa al lado p de la juntura, el campo elctrico resultante es direccionado desde la carga positiva a travs de la carga negativa, en consecuencia el campo elctrico va en direccin contraria a la corriente de difusin para cada tipo de portador, por lo tanto el campo elctrico crea una componente de arrastre de la corriente desde n hasta p, oponindose a la corriente de difusin. Como

Figura 1. Diagrama de potencial electrosttico

Para obtener la relacin cuantitativa entre el potencial Vo y la concentracin dopante en cada lado de la juntura nosotros podemos usar la siguiente formula, dependiendo si la concentracin dopante es de aceptores o de donores.

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B. Espacio de carga de la juntura Dentro de la regin de transicin, electrones y huecos estn transitando de un lado al otro en la juntura, algunos cargas se mueven del material tipo n al tipo p y otros son barridos por el campo elctrico del material tipo p al tipo n electrones y huecos respectivamente, hay, sin embargo, muy pocos portadores dentro de la regin de transicin en un momento dado, puesto que el campo elctrico es el encargado de barrer estas portadoras que se desplazan dentro de W, Para una buena aproximacin vamos a considerar que el espacio de carga dentro de la regin de transicin esta dado por un solo ion donor y un solo aceptor donor descompensado en la figura a continuacin podemos ver la densidad de carga dentro de w, olvidndonos de las portadores dentro del espacio de carga, la densidad de carga en lado n es justamente q veces la concentracin del ion donor Nd y la densidad de carga negativa en el lado p es q veces la concentracin de tomos aceptores Na. aunque el dipolo sobre la juntura debe tener igual numero de cargas en ambos lados (Q+=|Q-|), la regin de transicin puede extenderse entre las regiones p y n de manera desigual dependiendo de los dopantes relativos de cada lado de la juntura, por ejemplo si en el lado p esta dopado con menos cargas que el lado n, el espacio de carga tiene que ser ampliado aun mas dentro del material p que dentro del n, para muestrear el corte transversal del rea A, es el total de cargas descompensadas en cada lado de la juntura.

As que el potencial de contacto negativo es simplemente el rea bajo la curva de E(x) versus el triangulo. La relacin del potencial de contacto con el rea de reduccin es:

Ecuacin de donde se resuelve la expresin para W para un ancho de la regin de transicin en trminos del potencial de contacto, la concentracin de dopantes y las contantes q y

De igual forma podemos deducir las ecuaciones de la penetracin of la regin de transicin dentro de los materiales p y n. C. Semiconductores intrnsecos, extrnsecos Un semiconductor intrnsecos es aquel que se encuentra en su estado natural y que posee iguales concentraciones de huecos y de electrones libres que se generados por ionizacin trmica y se denotan con ni. Por su parte los semiconductores extrnsecos son semiconductores en los que predominan portadores de una clase. La adicin de impurezas se logra por medio de tomos de impureza de algn otro material como el fosforo para tipo n pues este elemento (pentavalente) forma enlaces covalentes con el silicio y queda un electrn libre, de esta manera un tomo de fosforo dona un electrn libre por lo que se le llama donante. Este proceso se observa en la Figura 1.

Donde Xpo es la penetracin del espacio de carga dentro del material tipo p y Xno es la penetracin de espacio de carga dentro del material tipo n, el ancho total de la regin de transicin W es la suma entre las dos. Para calcular la distribucin de campo elctrico dentro de la regin de transicin se relaciona el gradiente de campo elctrico con el espacio de carga local en cualquier punto x. Figura 1. Semiconductor tipo n. En equilibrio trmico la concentracin de electrones en el material es igual a la concentracin de tomos donantes Nd y se denota por, Luego de despejar e integrar ambas ecuaciones y finalmente igualndolas, se tiene que: Nno=Nd Para el caso de un material p se contamina con un elemento trivalente como el boro. Cada uno de los tomos del boro acepta un electrn del cristal de silicio, as cada tomo da lugar a un hueco (ver Figura 2). La concentracin de huecos mayoritarios, bajo equilibrio trmico es igual a la concentracin de aceptores. Ppo=Na.

La ecuacin que relaciona el campo elctrico con el potencial de contacto en cualquier punto x es:

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Cabe mencionar que un material p o n es elctricamente neutro.

Figura 2. Semiconductor tipo p. D. La unin p-n Consiste de un material tipo p y uno tipo n, en la prctica tanto la regin p como n son parte del mismo cristal de silicio, en el cual se hacen conexiones externas de alambre a las regiones p y n por medio de contactos de aluminio. El movimiento de electrones o huecos a nivel esttico se produce por difusin y por desplazamiento. Al unirse los materiales en la juntura se crea un regin de vaciamiento en la cual se presenta una corriente de difusin al recombinarse los huecos del lado p con los electrones de lado n, la distribucin de carga en la regin de agotamiento hace que aparezca un campo elctrico y por tanto una tensin. En consecuencia el campo elctrico se opone a la difusin de huecos en n y de electrones en p, de hecho la tensin mencionada acta como una barrera de potencial que debe ser vencida para propiciar la difusin de una zona a otra. Por su parte la corriente Is o de desplazamiento se debe al desplazamiento debido al campo elctrico de la regin de agotamiento de portadores minoritarios, es decir, desplazamiento de huecos de la regin n y electrones de la regin p. 1) Juntura en condiciones estticas

Si se aplica suficiente polarizacin directa para reducir la barrera de potencial a cero, fluir una corriente excesivamente elevada y la unin se destruira por sobrecalentamiento. Despus de atravesar la unin, los portadores se difunden alejndose de ella, hasta que se combinan con los portadores mayoritarios. Los electrones del lado n superan la barrera y cruzan al lado p, donde se convierten en portadores minoritarios. Estos electrones se difunden en el lado p, y al final se combinan con huecos. Parte de la corriente que atraviesa la unin se debe a los huecos, y parte a los electrones. Por tanto, podemos dividir la corriente en corriente de huecos y corriente de electrones. La corriente total ser la suma de estas dos componentes. Al alejarse de la unin en el lado n, la concentracin de huecos desciende, y la corriente predominante es la corriente de electrones. De igual forma, cuanto mayor es la distancia a la unin en el lado p, la corriente que predomina es la corriente de huecos.

Figura 2.2: distribucin de portadores minoritarios en la unin pn en polarizacin directa. Esta distribucin est dada por las siguientes ecuaciones,

La relacin entre la corriente y la tensin aplicada se muestra a continuacin, 2) Juntura polarizada en directo (Forward Bias) Si se aplica una tensin positiva al lado p respecto del lado n, la unin pn se polariza en directo. Esta polarizacin acta oponindose al campo existente en la zona de carga espacial, que se hace ms estrecha mientras el campo elctrico disminuye. As, la barrera de potencial para los portadores mayoritarios disminuye, y fluye una corriente elevada por la unin.

Figura 2.3: relacin corriente-tensin en la unin pn La ecuacin que representa esta curva es la siguiente, Figura 2.1: polarizacin en directo unin pn

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De lo cual se puede deducir que la Io es,

3) Juntura polarizada en inverso (Reverse Bias) Cuando la juntura se conecta por medio de sus terminales en inverso como se muestra en la siguiente figura, ocasiona que salgan electrones del material n y huecos del p.

Figura 3.3 Aumento del potencial de barrera. Como se vio anteriormente la carga latente en la regin de agotamiento crea una capacitancia de juntura que varia del caso esttico y que se calcula mediante la siguiente frmula.

Figura 3.4 variacin de la capacitancia de juntura. Figura 3.1. Polarizacin en inverso de la unin p-n. Los electrones libres que salgan del material n hacen que aumente la carga latente positiva descubierta en n y del mismo modo los huecos hacen que aumente la carga latente negativa descubierta en p as la corriente de la fuente inversa hace que se aumente la regin de agotamiento Wagot y la carga almacenada en esta. Esto en definitiva resulta en el aumento del campo elctrico y en un mayor voltaje de barrera.

Finalmente cuando se polariza la juntura en inverso existe una zona llamada zona de avalancha, en la cual se alcanza un voltaje suficiente (de ruptura) para que exista flujo de portadores, esta regin es susceptible de daar el dispositivo como puede ser un diodo.

A continuacin se muestran las grficas de la carga y del campo elctrico debida a la polarizacin inversa de la juntura.

Figura 3.2 Diferentes propiedades de la juntura. En la primera figura (izquierda) se puede ver como una tensin negativa aumenta la cantidad de carga con respecto a la carga en estado estacionario. Por su parte la figura del campo muestra mediante la lnea punteada de la parte inferior como aumenta la magnitud del campo en la regin de agotamiento, como se dijo anteriormente esto conlleva al aumento del potencial de barrera en la proporcin que nos indica la figura 3.3. Figura 3.5 generacin de la zona de avalancha. III. BIBLIOGRAFA [1] Razeghi, M. Fundamental of solid state engineering. [2] Sedra. Circuitos microelectronicos. 4 edicin. [3] Solid State Electronic Devices. Ben Streetman. 4 edicin.