Sunteți pe pagina 1din 2

NUME SI PRENUME: SECTIE SI AN:

data: 15.02.2011

EXAMEN DISPOZITIVE ELECTRONICE Numarul 2


1. . Pentru circuitele din figura de mai jos,folosind diode ideale,gsii valorile U i I din scheme.

Fig. 1 2. Gsii curentul I n circuitul din fig.2. de mai jos, considernd modelul liniar pe portiuni pentru dioda D, cu parametrii VD0=0,65V si rD=20 .

Fig.2 3. Deduceti aproximarea de semnal mare a modelului Ebbers- Moll pentru TB in regim activ normal. 4. Analiza in regim de semnal mic a tranzistorului bipolar: deducerea expresiilor pentru curentul de colector si pentru transconducatanta. 5. Se considera circuitul cu TB din fig.3. (a)Determinati punctul static de functionare(Ic, UCE) , stiind ca UBE =0.6V si = 100. (b) Desenati circuitul echivalent de semnal mic ( hybrid ) si determinati amplificarea in tensiune.

Fig.3 6. Calculai iD i uSD pentru un circuit NMOS cu canal indus de tipul celui din fig. 4, avnd, UTN = 1V i Kn = 0,1mA/V2. Expresia curentului in regiunea non-saturata (tip 2 trioda) este i D = K n 2( u GS U TN ) u DS u DS

Fig.4