Carburo de silicio

Carburo de silicio

Muestra de carburo de silicio en forma de bola.

Nombre (IUPAC) sistemtico

Carburo de silicio

General

Otros nombres

Methanidylidynesilylium Carborundo Moissanita

Frmula molecular

SiC

Identificadores

Nmero CAS

409-21-21

Nmero RTECS

VW0450000

ChEBI

29390

ChemSpider

9479

PubChem

9863

Propiedades fsicas

Apariencia

Cristales incoloros

Densidad

3 210 kg/m3; 3.21 g/cm3

Punto de descomposicin

3 003 K (2 730 C)

ndice de refraccin

2,55 (infrarrojos; todos los politipos)2

Peligrosidad

NFPA 704

0 1 0
Valores en el SI y en condiciones estndar (25 C y 1 atm), salvo que se indique lo contrario.

Descubierto por Edward Goodrich Acheson, el carburo de silicio, tambin llamadocarborundo, (SiC) es un carburo covalente de estequiomera 1:1 y que tiene una estructura de diamante, a pesar del diferente tamao del C y Si, que podra impedir la misma. Es casi tan duro como el diamante. Tambin es conocido como carborindn, palabra formada por carbo- y corindn, mineral famoso por su dureza. Es un compuesto que se puede denominar aleacin slida, y que se basa en que sobre la estructura anfitrin (C en forma de diamante) se cambian tomos de ste por tomos de Silicio, siempre y cuando el hueco que se deje sea similar al tamao del tomo que lo va a ocupar. El Carburo de Silicio es un material semiconductor (~ 2,4V) y refractario que presenta muchas ventajas para ser utilizado en dispositivos que impliquen trabajar en condiciones extremas de temperatura, voltaje y frecuencia, el Carburo de Silicio puede soportar un gradiente de voltaje o de campo elctrico hasta ocho veces mayor que el silicio o el arseniuro de galio sin que sobrevenga la ruptura, este elevado valor de campo elctrico de ruptura le hace ser de utilidad en la fabricacin de componentes que operan a elevado voltaje y alta energa como por ejemplo: diodos, transistores, supresores..., e incluso dispositivos para microondas de alta energa. A esto se suma la ventaja de poder colocar una elevada densidad de empaquetamiento en los circuitos integrados. Gracias a la elevada velocidad de saturacin de portadores de carga (2,0x107 cm 1) es posible emplear SiC para dispositivos que trabajen a altas frecuencias, ya sean Radiofrecuencias o Microondas. Por ltimo una dureza de ~9 en la escala de Mohs le proporciona resistencia mecnica que junto a sus propiedades elctricas hacen que dispositivos basados en SiC ofrezcan numerosos beneficios frente a otros semiconductores.
ndice
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1 Obtencin 2 Vase tambin

3 Referencias 4 Enlaces externos

Obtencin[editar]
El carburo de silicio se obtiene de arenas o cuarzo de alta pureza y coke de petrleo fusionados en horno elctrico a ms de 2000 C con la siguiente composicin: SiO2 + 3 C SiC + 2 CO Luego pasa por un proceso de: Seleccin, molienda, lavado, secado, separacin magntica, absorcin del polvo, cribado, mezclado y envasado. Luego con este producto en distintos granos (o grosores de grano) y distintos aditivos, soportes y aglomerantes, se elaboran las lijas, discos de corte de metal, pastas para pulir, Etc.