CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

CIRCUITOS DE DISPARO PARA SEMICONDUCTORES

8 . 1 ) ELEMENTOS BSICOS DE UN CIRCUITO DE DISPARO.T1

+
220 V ref

iG

vs

Ld R

vd

Vcc
iG
vs vsinc Circuito de disparo Tr

vc
Fig. 8.1. : Esquema bsico de un circuito de disparo.

ELECTRNICA DE POTENCIA

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

Generador de diente de sierra Tensin de sincronismo

vds

Comparador

Multivibrador monoestable

Al Gate

vc

Fig. 8.2. : Diagrama en bloques de un circuito de disparo elemental.

+Vcc

I
v1

vsinc

C1

Tr1

+Vcc -V B R0

+Vcc

Multivibrador monoestable

II v2

+Vcc

v6
Pulso de disparo

a)

III

v3

vC

vsinc:kvs
0

0t

=0 v1
0

v2

0t
Vm
vC

0t

b)

v3

0t

v6

0t

Fig. 8.3. : Circuito de disparo con amplificadores operacionales: a) circuito; b) formas de onda.

ELECTRNICA DE POTENCIA

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

8 . 2 ) CIRCUITOS DE DISPARO CON TRANSISTORES MONOJUNTURA.

+Vcc
vC
vP
1 2

B2 B1

vC

R1

VBB

vG

vG
1 2

Fig. 8.4. : Oscilador de relajacin con transistor monojuntura.

R3

D1

R
Tr 1

Carga

R2

a)
vS
+

VZ C vG

vS

vS

vZ

vp=0VBB

b)

vG

Fig. 8.5. : Circuito de control con transistor monojuntura.

ELECTRNICA DE POTENCIA

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

8 . 3 ) CIRCUITOS DE DISPARO AISLADOS PARA SCR.

A

D1 15 V
G

D2

RG

Seal de pulso

TG

Fig. 8.6. : Uso de transformador de pulso para aislar SCR.

1 Lnea 3 4 2

Fuente de poder para el circuito de disparo del Gate

Deteccin de cruce por cero Trafos de pulsos

vcontrol

Retardo del ngulo

Amplificador de pulsos

Tierra del control

Fig. 8.7. : Diagrama general del circuito de disparo para un rectificador monofsico.

ELECTRNICA DE POTENCIA

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

8 . 4 ) CIRCUITOS DE DISPARO INTEGRADOS PARA TIRISTORES.

Sincronizacin
5

Detector de cruce por cero

Fuente

sincronismo

14

C 10 monitor de

Q1 Q2

Us +

16

15

3.1 Vac

Tierra

Iconst

Control del comparador

R4

Lgica

Q2
R2 QU R3 QZ R7

+ +

a)

Transistor de descarga

8 Ur e f

10 U
10

11

13

12

C8

R9 [R R]

C10 [ CR]

U 11

S6

S13

C12 [ Ci]

Resistencia de la rampa Condensador de la rampa

Seleccin del largo del pulso para Q1 y Q 2 Seleccin del largo del pulso para Q1 y Q2

Inhibidor del pulso Voltaje de control

b)

Fig. 8.8. : Circuito de disparo integrado TCA 785: a) diagrama de bloques; b) formas de onda.
ELECTRNICA DE POTENCIA

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

Fig. 8.9. : Control de un tiristor en el circuito TCA 785.

Fig. 8.10. : Circuito de control de fase de un convertidor AC-AC monofsico.

ELECTRNICA DE POTENCIA

 CAPiTUL08

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

+ - -------,

- 15--------------------------------------------------------M p---v
3 X 220kQ

1
R S

380V3ac

.1/)..- Trans-

former

,--------------------------0.47 iJF II

------

2.2,uF 13 C;u1 nF :;= Ill 2.2kQ 12 9

16

C
7

12Q

cRII4-f5 RR . ;;." 22 kQ kQ

1N 4oo1l BAW 76

11rv
IT._l

. . 1-eN+-40--10>-1-:-'I1c.:...5G g2. kQ -+-+11=5-:-:-K-----------,

t----+--{ =k:::rQ---- -16

-+-++-+--r-I

--r-15
4

15

l.:_,lll )
BSS 97

/ii=

I I

I
14

Th 1

;Y61L\17 =? +---+---.....

I I
:

o.l 2

I I I
I

...,04

.IJ_F1

L I
I I

- -- - - - - ---------------- - - - - - ,
0.47 .uF II 2.2}.JF 13 C;n1 nF =;- 12 II 2 2 kQ CRn47nF RR .;;. 2,1.W ;._:;;oo kQ T

- - ---

----- - - - - J
I
Q

C A
7 8 BAW 76

,, 12 1N4001L

I
1N 4001 I ...;.:,--_,_,11""-5

11/l'w
IT 2

+--"illlllll!lll--c:::J-- --1

..

Q2. kQ

,o---:... ----------i-1
115 K

I
1

1,Q!f,l

8 7

15 t

6
4 ==o.1 3
.uF 2

BSS97

rG

5
14

I
1

:y
0.47 iJF

I
I
j

Th 3

61L\

L_ -- --------

I
1

- ------------- --------------,
2.2,uF.__ 13 C;nlnF == 12 II 2,1.lQ cR ..47'n'F R J::." 22kQ OOkQ 1 T (

-=-===--1 A
7 C

...,06

R6 C6 Oi-thy block assembly BSt 3L61 3K28 KK32

I
12

p 1j4 7kQ

47oQ 2.7kQ

I I I
:

11

10

I 22 kQ 1N 4001L +------- -----..-;-'=c-:-----+o

.III'VI g
IT3

1N 4001

r-J

J 15 G
!15K
1

7 6

I
I
I

15 H-ICJ-'
4.7kQ

.._ BSS 97

I
2X BAy 61 L

I I

\17 :'-

'0.1 3 iJF 2

14

Th 5

---- ---'="==---------------J

...,02

26 kW

Fig. 8.11.: Circuito de disparo para un rectificador trifasico semicontrolado.

ELECTRONICA INDUSTRIAL

Pag. 96

 CAPiTUL08

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

- ---------- -----------------------------------------------4---15 v + ---------.,

Mp

ill
R S T

380V3ac

M)..- Transformer

3 X 220k0

---- -----------------------------,

l
:1 I I I

0.47 JJF, II

I I
I

-----T 2.2JJF 13 C;,1 nF == 12 C "2.2k0 A CRn4-;; 11 RR II 10 7 0 9 8

7

,r1
6.20L 1N4001L

IT,,.1,ri *4_0 01 1 14 G ---- --------r+,_--, I'" 22 ko 6.20I._I y I 14 K ------+-.--------r+---t-. " 114G' '111N4001 I II 14 K'

1,Q!E

6
4

1 4001 IT 2 G 15 1 ,: , 1 l I!'"" ;;;,,;;.-& - l15 ,_--!..!.> ---+H--++-----, 4.7 k0sss 97 ' 'Ill"' rl2.kO 1N 400_ Ill y 115 K '( 115G'
x;::
14

I I
I
1

:Y61L;:.
}JF

I:

4.7kO

s'ss97

lliN4001 I II 115K'

Th 1

Th 4

L_ -- -------------------., -+13 12 11

I
!

,--- ---------------------------:--,
2.2JJF C; 111 nF !J1 II II 2.2k0 CRn47nF RR I 22k0 0.47

T
C

,..
6.20

I I

10

.. .7ioo kO
=k::rO---- ---I- 10

7 8 5
15

1N4001L

>f-_.,__:1 IT,,r.1 .-f: ) II'V 2 . kO l,J6.201I._I Y I 14 K.__ " 114G' '111'1N40011 Ill 114 K'

r\

4 001

14 G++--H-+++-++-------++---.

4.7 kO BSS 97 BA w 7 6

I:

4001 l15 G IT 2 - t-.l.-ioi''li .l.rv l :::>l--.,_...,n2.Z:-'-'k'-'0'----+t-t+-1++-+-t---.

'------+--t-+---+--t------.----.---+--1 5
2 B;Y61LP,. .,_ ..

1 N 4001

\tl
.

1'- =o.1 2

14

Ill
II

4.7kO

ss

ffi

lr,'N 4001

"

115 K 115G' 1115 K'

Th 3
3

Th 6

1 I ---- ---------===--------------_j r- -- ----------- ----------------;+-----------.,----1 0.47 T 2.2 JJF 13 JJF,. C; 111 nF C 12 A p1 II II 2.2 kO 11 4.7k0 4700 CRII47 nF rllii-::-ifii--C::H--'--t--+-:---=-"-JP-':-::!-'--:::-1----110 7 RR .1:.. 22k0 l !
11

.JJ_F-1 1

3 x THYODUL MTI 40A 12 N

62 0 1 N 4 001L.:.

Ia

4 001 IT,_.1.-t "i-_ ---'1 14-"G++-H---t++-++--------+---. II'" 2 .2 kO 2011 Y 1 14 K ---,...--+---1-"'14-'-'G+'-+-1----++-+++----------t--,

'111''1'N 4001 I114 K'

I ioiiT,ii2rl1*N_40 0 1 15 G ----+++----,

2.7 kO

f---.Ji'oo kO

5l

lffi
I

'----+--!::1 =k0}----t-----16 5

4.7k0ssS97 n .l. 02.'2ko 1N 4001 _.1-----+---:;'-" ;'-" '-.

14

'Ill'"

I
I

I I

2x ' \7 BAY61 L.:,. "" = .1 2 JJF

1:

4.7kO

ss

..2....

II','N 4001 115 K' II I

j

t-+ I"T""'hf-5-- T.;.;;h'i2-t

+Ud

R5 C5

J,

R2 C2

-ud

ITl. IT2 trigger transformer: ZKB 418/080-02-PF from Messrs. VAC

Fig. 8.12.: Circuito de disparo con doble pulso para un rectificador trifasico puente totalmente controlado.

ELECTRONICA INDUSTRIAL

Pag. 97

 CAPTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

8 . 5 ) CIRCUITOS DE DISPARO PARA TRANSISTORES DE POTENCIA.

V GG

+ Del circuito de control -

Comparador

VGG

IC

Del circuito de control

RG

DS0026 o UC1706/07

Fig. 8.13. : Amplificacin de la corriente por el gate.

+15 V

3k

RG
OF

Del circuito de control

100pF

Optoacoplador (HPL-4503)
IXLD4425

Fig. 8.14. : Circuito de disparo con aislacin galvnica mediante acoplador ptico.

ELECTRNICA INDUSTRIAL

Pg. 98

 CAPTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

Aislacin auxiliar de poder para circuitos de control base Diodos antisaturacin y/o conexiones de proteccin de sobrecorriente

Vcc

vS

+ -

+ -

Vd

Lgica y electrnica de control

Circuito Aislacin de control de seal base

T+

Df+

Circuito Aislacin de control de seal base

T-

Df-

Entradas de control

Tierra de seguridad

Fig. 8.15. : Sobre la necesidad de la aislacin de los pulsos de disparo.

Mdulo

iL

300 V

Circuito de disparo

vL
R

Fig.8.16. : Chopper de un cuadrante.

ELECTRNICA INDUSTRIAL

Pg. 99

 CAPTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

Fig.8.17 : Encendido del transistor; a) VGE : 5V/div; b) VCE : 50V/div, tiempo: 500ns/div.

Fig.8.18 : Corte del transistor, VCE : 50V/div, tiempo: 100ns/div.

ELECTRNICA INDUSTRIAL

Pg. 100

 CAPTULO 8

CIRCUITOS DE DISPAROS PARA SEMICONDUCTORES

Fig.8.19 : Operacin a 100 kHz, VCE : 50 V/div, IC : 10 A/div, Tiempo: 2 s/div.

Fig.8.20 : Operacin a 100 kHz, I C : 10 A/div, Tiempo: 2 s/div.

Fig.8.21 : Cortocircuito en la carga, IC : 20 A/div, Tiempo: 2 s/div.

ELECTRNICA INDUSTRIAL

Pg. 101