Tranzistoare si Tehnologii pentru RFIC

Dr.ing. Traian Visan

Concepte de Tranzistor
Exista doua concepte fundamentale de tranzistor :
Tranzistoarele cu Efect de Camp (FET)
Curentul de iesite (in principal un curent de drift) este controlat de un camp electric perpendicular; Conductivitatea canalului este variata prin modificarea potentialului unui electrod de control (poarta):
MESFET (Metal-Semiconductor FET); HEMT (High Electron Mobility Transistor); MOSFET (Metal-Oxid-Semiconductor FET);

Tranzistoare Bipolare
Curentul de iesire (in principal un curent de difuzie) este controlat de o tensiune la bornele unei jonctiuni pn; Injectia purtatorilor este variata prin modificarea tensiunii asupra jonctiunii pn:
BJT (Bipolar Jonction Transistor); HBT (Heterojunction Bipolar Transistor).

Page 2

Arborele Tranzistoarelor de RF

Page 3

Istoria si Evolutia Tranzistoarelor de RF

Istoria si Evolutia Tranzistoarelor de RF

Istoria si Evolutia Tranzistoarelor de RF

Istoria si Evolutia Tranzistoarelor de RF

Tranzistoare Unipolare vs. Bipolare

Tranzistoarele Unipolare (FET) funtioneaza folosind un singur tip de purtatori (pentru aplicatii RF de obicei electroni) in regiunea de transport.
Tranzistoarele Bipolare (BJT) functioneaza folosind ambele tipuri de purtatori in regiunea de transport. Diferenta fundamentala intre FET si BJT consta in plasarea relativa a electrodului de control si regiunea de transport:
In dispozitivele unipolare acestea sunt separate fizic (poarta fata de canal); In dispozitivele bipolare ele impart aceeasi regiune fizica (regiunea bazei);

Page 8

Tranzistoare cu Efect de Camp (FET)

Page 9

FET caracteristici generice

Page 10

Tranzistoare Bipolare (BJT)

Page 11

BJT caracteristici generice

Page 12

Cum faci un tranzistor rapid?

Un tranzistor de RF trebuie sa reactioneze cat mai rapid posibil la variatia semnalului de intrare:
Pentru FET tensiunea de poarta VG Pentru Bipolar tensiunea baza-emitor VBE sau curentul de baza IB

Distributia sarcinii in regiunea activa a tranzistorului trebuie modificata; Pentru a indeplini acestea trebuie luate in considerare:
Geometria Tranzistorului: Regiune activa de dimensiuni reduse:
FET: Lungimea portii (canalului) L BIP: grosimea bazei (latimea) WB

Materialul si structura semiconductorului:

Viteza/mobilitatea purtatorilor;

Page 13

Mobilitatea la camp slab si viteza de drift

14

Proprietati ale materialelor semiconductoare

Page 15

Mobilitatea electronica la camp slab

16

Viteza de drift

17

Tensiunea de strapungere

18

Proprietati ale materialelor semiconductoare

Proprietatile sunt specificate pentru T=300K si in conditii de Week Doping

Page 19

Cum faci un FET rapid?

Alegi Tehnologia purtatori rapizi (mobilitate mare, viteza mare)
Material (semiconductori compusi, bandgap engineering); Structura (strained lattice, pseudomorfic/metamorfic) ;

Proiectare:
Folosesti dispozitive cu conductie de electroni purtatori rapizi; Geometrie cu canal scurt;

Polarizarea corespunzatoarea incurajarii functionarii la inalta frecventa compromis intre zona de crestere liniara a vitezei purtatorilor si zona de saturare a vitezei purtatorilor;

Page 20

Structuri FET - MOSFET

MOSFET canalul este format de un strat de inversie la interfata oxid-semiconductor pe baza aplicarii unui potential de poarta care atrage purtatorii la aceasta interfata;
Marea limitare a MOSFET consta in faptul ca interfata oxidsemiconductor imprastie purtatorii din canal si degradeaza astfel performantele tranzistorului; Recent s-a constatat ca introducerea unor tensiuni in structura de siliciului poate conduce la cresterea vitezei electronilor in MOSFET:
Un mod de a creste mobilitatea este tensionarea stratului de siliciu din canal prin cresterea siliciului pe un strat relaxat de SiliciuGermaniu; Alt mod este sa se creasca siliciul tensionat direct pe un izolator;

Page 21

Structuri MESFET
Structurile bazate pe semiconductori compusi (III-V) au condus la dispozitive mult mai rapide decat cele pe siliciu; MESFET foloseste un canal foarte subtire (intotdeauna de tip n) controlat de o dioda Schottky polarizata invers; Lungimea canalului (portii) si viteza electronilor in canal sunt dominante in performantele de mare-viteza ale MESFET;

Page 22

Structuri MESFET
Pentru un material semiconductor dat produsul dintre tensiunea de strapungere BVGD si frecventa de taiere a castigului in curent fT este aproximativ constant; O fT mare este necesara in circuitele digitale deoarece dispozitivele cu fT mare vor avea gm/C mare ceea ce duce la abilitatea de a lucra pe sarcini capacitive mari; O BVGD mare este necesara in special la aplicatiile RF de putere, astfel acestea au nevoie si de curent mare si de tensine de strapungere mare; Pentru a obtine capabilitate mare de curent trebuie marita densitatea de sarcina pe unitate de arie de poarta; In MESFET nivelul de dopaj al canalului va limita densitatea de sarcina pe unitatea de arie de poarta; Dopajul canalului este obtinut prin implantare ionica, procedeu care produce o anumita distrugere a retelei semiconductorului si astfel la o reducere a mobilitatii electronice;

Page 23

Structuri HEMT
Pentru a obtine densitati de curent pe unitatea de arie de poarta mai mari si cifre de merit (fT si fmax) si mai mari s-au dezvoltat structurile HEMT; HEMT este similar cu MESFET cu diferenta ca in locului canalului dopat apare o regiune cuantica bidimensionala de electroni (adesea numita gaz electronic 2-D sau 2DEG); Regiunea cuantica bidimensionala este formata de discontinuitatea in banda conductie care apare la interfata dintre doua semiconductoare diferite (AlGaAs si GaAs);

Page 24

Formarea heterojonctiunii GaAs-AlGaAs

Benzile energetice se aliniaza si formeaza la interfata regiunea cuantica cu potential minim pentru electronii din banda de conductie;

Page 25

Heterostructuri

26

Heterostructuri

27

Structuri HEMT
Regiuni cuantice 2D (quantum wells) pot fi formate utilizand materiale cu viteze si mobilitati electronice mai mari decat ale materialului de substrat (GaAs sau InP). De exemplu In0.53Ga0.47As are mobilitatea electronica de 11000cm2/V comparativ cu 4600cm2/V al InP.
Exista doar cateva structuri cu retea compatibila (lattice-matched). Totusi, straturi de semiconductori ale caror constanta de retea difera sunt posibile daca straturile sunt suficient de subtiri.

Straturile subtiri formate din materiale ale caror retele nu se potrivesc conduc la o deformare de retea aceste straturi se numesc straturi pseudomorfice sau straturi tensionate strained layers.
Utilizarea strained layers ofera o mare flexibilitate in ingineria sistemelor quantum wells pentru a obtine viteze si mobilitati electronice mari si sarcina mari pe unitatea de arie de poarta;

Page 28

Structuri Pseudomorfice
Realizarea unui strat pseudomorfic prin suprapunerea unor materiale cu constanta a structurii cristaline diferita;

Page 29

Structuri Metamorfice
Operatiile cu benzile interzise bangap engineering pot reduce stresul datorat nepotrivirii constantelor retelei;
Prin gradarea compozitiei stratului tensiunile vor fi relaxate si straturi mai groase vor putea fi crescute pentru a acomoda inca si mai mari diferente ale constantelor retelelor; Aceste straturi sunt denumite metamorfice si sunt utilizate pentru a creste sisteme de regiuni cuantice pe substraturi mai ieftine cum sunt cele de GaAs (vs. InP).

Page 30

Comparatie intre Structuri Heterojonctiune

Page 31

FOM pentru FET

Page 32

FOM pentru FET

Page 33

Cum faci un Tranzistor Bipolar rapid?

Alegi Tehnologia purtatori rapizi (mobilitate mare, viteza mare)
Material (semiconductori compusi, bandgap engineering); Structura (Homojonctiune, Heterojonctiune) ;

Proiectare:
Folosesti dispozitive cu transport majoritar de electroni npn; Geometrie cu baza ingusta; Polarizarea corespunzatoarea incurajarii functionarii la inalta frecventa compromis intre zona de crestere liniara a vitezei purtatorilor si zona de saturare a vitezei purtatorilor;

Page 34

Homojonctiune vs. Heterojonctiune

In BJT homojonctiune, regiunile de emitor si baza au aceeasi banda interzisa;
Nivelul injectiei de purtatori este stabilit de raportul nivelului de dopaj in zonele de emitor si baza altfel spus pentru o eficienta mare a emitorului trebuie ca un numar mult mai mare de purtatori sa difuzeze dinspre emitor spre baza decat dinspre baza spre emitor deci emitorul trebuie dopat mult mai puternic decat baza; Aceasta duce la o limita a dopajului maxim permis bazei ceea ce conduce la o rezistenta de baza mai mare decat proiectantul si-ar dori-o; HBT foloseste materiale semiconductoare diferite in regiunea de baza si de emitor pentru a obtine o eficienta de emitor inalta;

Un material de emitor cu banda interzisa mai mare permite eficienta marita a emitorului si permite in acelasi timp o dopare mai puternica a bazei pentru a reduce rezistenta parazita.
Page 35

HBT bandgap energy diagram

Linie plina diagrama benzii interzise HBT; Linie-punct diagrama benzii interzise BJT homojonctiune; Linie-doua puncte nivelul Fermi pentru fiecare regiune;

Page 36

SiGe HBT bandgap diagram

De observat ca ingustarea benzii interzise are loc intre regiunea bazei si regiunea de saracire colector baza datorita adaugarii Germanium-ului.

Page 37

FOM pentru tranzistoare bipolare BJT/HBT

Page 38

Comparatie a parametrilor electrici intre BJT/HBT si FET

Page 39

FOM (Figures of Merit) pentru Tranzistoare de RF

Cele mai importante caracteristici ale unui tranzistor sunt: Abilitatea de amplifica (importanta pentru analog si RF) Abilitatea de a comuta (importanta pentru digital)

RF power
Castig (power gain, current gain) Limitarea in frecventa fT si fmax Puterea de iesire

RF low-noise
Castig fT si fmax Factorul de zgomot minim

Page 40