Nume:Breahnea Simona Ana

F.C.C.I.A An-II- Grupa:6

Lucrare fizica-semestrul I-

Efectul Hall.Aplicatii

Scopul lucrarii:Studiem in aceasta lucrare unul dintre cele mai importante efecte galvano-magnetice,
efect care permite determinarea foarte precisa a concentratiei precum si a tipului de purtatorilor de sarcina care participa la conductie. Determinarea concentraiei purttorilor de sarcin ( n sau ntr-o prob din semiconductori extrinseci Determinarea mobilitii Hall a purttorilor de sarcin n semiconductorul respectiv.

Definitie: Efectul Hall este un efect galvanomagnetic observat pentru prima dat de Edwin Herbert
Hall n 1880. Acest efect const n apariia unui cmp electric transversal (denumit cmp electric Hall EH) i a unei diferene de potenial ntr-un metal sau semiconductor parcurse de un curent electric, atunci cnd ele sunt introduse ntr-un cmp magnetic, perpendicular pe direcia curentului.

Nume:Breahnea Simona Ana

F.C.C.I.A An-II- Grupa:6

Lucrare fizica-semestrul I-

Notiuni teoretice
Efectul Hall este un efect galvanomagnetic observat pentru prima dat de E. H. Hall n 1880. Acest effect const n aparitia unui camp electric transversal (denumit cmp electric Hall EH ) si a unei diferente de potential intr-un metal sau semiconductor parcurse de un curent electric, atunci cand ele sunt introduse intr-un camp magnetic, perpendicular pe directia curentului. Sa consideram cazul unei proba semiconductoare paralelipipedice de dimensiuni (fig.1). Cmpul electric Hall apare atunci cnd proba semiconductoare este plasat ntrun cmp de inducie magnetic B i ntrun cmp electric exterior de intensitate E B . Vectorii E , B , i EH formeaz un triedru drept (fig. 1), adic:E=E(E,0,0);B=B(0,B,0);EH=EH(0,0,EH) (1) Sub aciunea cmpului electric extern E=E(E,0,0)prin proba semiconductoare trece un curent electric de intensitate I. Prin aplicarea pe proba respectiv a cmpului magnetic de inducie B=B(0,B,0) ntre feele laterale ale probei, pe direcie normal pe E i B (fig. 1), apare o diferen de potenial UH=VA-VB (2) numit tensiune Hall.

Tensiunea Hall este determinat de devierea purttorilor de sarcin electric ce formeaz curentul prin prob, sub aciunea forei Lorenz: FL=e(VxB) (3) unde v este viteza medie de micare prin prob a purttorilor de sarcin electric (sau vitez de drift) sub aciunea cmpului E , iar e este sarcina electric elementar: e=1,610-19. Intensitatea cmpului electric Hall ( EH) este:EH=UHA. Cmpul Hall determin apariia forei electrice Fel:Fel=eEH. Fora total ce acioneaz asupra purttorilor de sarcin este:Fl=Fel+Fl Densitatea curentului electric ( j) prin prob sub aciunea cmpului electric E=E(E,0,0) este: j=nev(unde n este concentraia purttorilor de sarcin electric din prob.) Relaia dintre densitatea curentului electric ( j) i intensitatea I a curentului electric este:

J=(I/S)n . unde n este versorul direciei normale la suprafaa transversal a probei pe direcia
2

Nume:Breahnea Simona Ana

F.C.C.I.A An-II- Grupa:6

Lucrare fizica-semestrul I-

curentului electric (fig. 1), S este aria acestei seciuni transversale S= ab. Din relatiile de mai sus vom obtine urmatoarele: V=I/(neS) (Aceasta relatie reprezinta modulul vitezei de drift) RH=-1/(ne) (RH-reprezinta constanta lui Hall,care dimensional se prezinta astfel: [RH]SI=[n]si-1[e]si-1=cm3C-1)
Pentru ca electrozii de curent ai probei s nu scurtcircuiteze tensiunea Hall, distana dintre electrozii Hall A i B trebuie s fie fa de lungimea a probei n raportu:a/c=1/4. Mobilitatea Hall ( H ) este viteza medie ( ) vH a purttorilor de sarcin electric orientai n cmpul Hall pe unitatea de cmp Hall. H=vH/EH.

Aspecte teoretice
Efectul Hall apare ntotdeauna cnd un conductor sau un semiconductor, traversat de un curent electric, este supus aciunii unui cmp magnetic perpendicular pe direcia curentului i se manifest prin apariia unei tensiuni, denumit tensiune Hall. Fie o lamel strbtut de curentul I, care are o concentraie n n purttorii de sarcin. Sub aciunea cmpului magnetic, asupra fiecrui purttor de sarcin q va aciona fora F=q*v*B datorit creia acetia vor fi deviai dup o direcie perpendicular pe planul format de v i B. ntre aceste fee va aprea o tensiune Hall UH, care va crea un cmp EH=UH/b. Acest cmp d natere unei fore FH=q*EH, care se opune deplasrii purttorilor, iar la echilibru cele dou fore fiind egale ca mrime, rezult: qvB=qEH=qUh/b. Exprimnd pe I n funcie de concentraia n purttori de sarcin i de vitez acestora, adic: I=nqvab, se poate exprima valoarea lui v, care da: UH=BI/nqa. Notnd 1/nq=RH i denumind-o constanta Hall, se obine n final UH=RHBI/a. Rezult c din cunoaterea lui B,I i a se poate calcula valoarea constantei Hall, care permite s se determine concentraia n purttori de sarcin n cazul diverilor conductori i semiconductori. Dup semnul constantei Hall se poate determina natura purttorilor de sarcin din conductori i semiconductori. Astfel, n cazul conductorilor i semiconductorilor de tip n, R<subH<o, n timp ce pentru semiconductori p, RH>0. n cazul metalelor, purttorii de sarcin fiind electronii liberi, constanta Hall ar trebui s fie negativ. Determinrile experimentale dau ns n cazul unor metale valori negative pentru RH, n timp ce la alte metale d valori pozitive pentru RH. Aceste rezultate nu trebuie nelese n sensul c exist metale la care purttorii de sarcin sunt pozitivi, ci n cazul metalelor ce prezint o constant Hall pozitiv trebuie s se ia n considerare att influena reelei cristaline asupra micrii electronilor liberi, ct i a deficitului de electroni din unele benzi energetice permise (cadmiu, cobalt, fier, zinc). Un calcul mai riguros al constantei Hall, innd cont de influena retelei cristaline, d o valoare puin diferit n comparaie cu cea dedus mai sus:RH=A/nq, unde A este o constant a crei mrime depinde de structura cristalului i valoarea ei este cuprins ntre 1 i 2. n cazul unui semiconductor cu dou tipuri de purttori de sarcin, se poate arta c valoarea constantei Hall este dat de formula:

Nume:Breahnea Simona Ana

F.C.C.I.A An-II- Grupa:6

Lucrare fizica-semestrul I-

RH=p2p - n2n/e(pp+nn)2,unde p i n sunt concentraiile purttorilor de sarcin pozitiv, respectiv negativ, iar p i n sunt mobilitile purttorilor.

Aplicatii ale Efectului Hall

Fie c este vorba de conductori metalici sau de semiconductori, tensiunea Hall poate s intrein ntr -un circuit exterior un curent electric, ceea ce permite realizarea de generatoare Hall. De asemenea, efectul Hall poate fi folosit pentru msurarea cmpurilor magnetice, obinndu -se traductorii Hall. Senzorii pe baza efectului Hall sunt folosii pentru a msura: Cmpurile magnetice; Intensitatea curenilor electrici: senzori de curent. Senzorii de poziie fr contact, utilizat mai ales n automobile, pentru detectarea poziiei fa de un ax de rotaie (cutie de viteze, ...). Senzori Hall n sistemele de msurare a vitezei n transportul feroviar. Senzori Hall sub tastatura instrumentelor muzicale moderne (organe, organe digitale, sintetizatoare), evitndu-se astfel uzura, care este des ntlnit la comutatoarele electrice convenionale.

Efectul Hall este utilizat n domeniul sateliilor artificiali, n special la proiectarea elicelor acestor satelii.