47

4. Tranzistorul bipolar cu jonciuni 4.1. Descriere, funcionare Un tranzistor este un cristal de Si sau Ge n care, printr-o tehnologie special, s-au creat regiuni de tipul p i n ntr-o succesiune oarecare. Dup modul de succesiune a acestor regiuni exist tranzistore de tipul pnp i de tipul npn a cror reprezentare simbolic este dat n fig.4.1.b. Indiferent de tipul tranzistorului, la realizarea sa trebuie respectate urmtoarele cerine constructive: - regiunile laterale s fie mai puternic dopate cu impuriti dect regiunea central (pentru a se obine un numr mai mare de purttori de sarcin); - grosimea regiunii centrale s fie mult mai mic dect lungimea de difuzie a purttorilor de sarcin i mai puin dopat cu impuriti. Cele trei regiuni ale unui tranzistor poart denumirea de emitor (E), baz (B) i colector(C). n cadrul structurii de tranzistor se formeaz dou jonciuni, fig.4.1.a, pentru cazul unui tranzistor pnp.
p IE E EE UEB IB B a

JE

JC

IC

C C EC E pnp B B

UCB Fig. 4.1

E npn

- jonciunea dintre emitor i baz denumit jonciunea emitorului, J E , polarizat direct de ctre sursa E E ; - jonciunea dintre baz i colector denumit jonciunea colectorului, J C , i polarizat n sens invers de ctre sursa E C . Emitorul fiind mai puternic dopat cu impuriti dect baza

48

i jonciunea emitor baz fiind polarizat direct, prin ea va circula un curent de difuzie, golurile din emitor difuzeaz n baz, formnd curentul i pE , fig.4.2, iar electronii din baz difuzeaz n emitor, formnd curentul i nBE . n p p

E IE

ipE ipEB inBE IB EE B

ipEC ICB0 EC

C IC

IE E UEB EE

UCE

C IC UCB

B IB

EC

Fig. 4.2 b a Deoarece concentraia impuritilor, deci i a purttorilor majoritari este mult mai mare n emitor dect n baz curentul de difuzie prin jonciunea emitorului va fi, n cea mai mare parte, un curent de goluri. Golurile injectate din emitor n baz vor deveni n baz purttori minoritari. Lungimea bazei fiind foarte mic i baza fiind dopat cu impuriti mult mai puin dect colectorul rezult c jonciunea colectorului se va extinde n zona n a bazei. Ca urmare, golurile difuzate n baz vor fi preluate i transportate n colector de ctre cmpul intern, din regiunea de trecere a jonciunii colectorului, formnd curentul i pEC . n regiunea colectorului golurile vor reprezenta o sarcin pozitiv care atrage electronii din sursa de alimentare E C , n colector, dnd natere unui curent de electroni, IC . Deci, golurile circul prin tranzistor ntr-un sens iar electronii n sens opus. La trecerea prin regiunea bazei o parte (2%) din golurile difuzate din emitor nu trec n colector, ci se recombin cu electronii din baz formnd curentul i pEB . n cazul n care este alimentat numai jonciunea colectorului (deci E E = 0 ), fiind polarizat invers, prin aceast jonciune va circula numai curentul invers de purttori minoritari notat cu ICB0 i numit curent rezidual colector baz cu emitorul n

49

gol. El este generat de purttorii minoritari att din baz ct din colector i are valori de ordinul A la tranzistoarele din Ge i de ordinul nA la tranzistoarelor din Si. innd cont de cele artate mai sus rezult c prin tranzistor circul, n conformitate cu diagrama de cureni dat n fig.4.2, urmtorii cureni: - un curent de emitor IE , dat de relaia: (4.1) I E = i pE + i nBE - un curent de colector IC , avnd expresia: IC = i pEC + iCB0 - un curent de baz I B , dat de relaia: (4.2) (4.3) (4.4)

IB = i pEB + i nBE ICB0

Adunnd IC cu I B i innd cont de relaia i pE = i pEC + i pEB

rezult relaia fundamental ntre curenii unui tranzistor: I E = I B + IC (4.5) Sensurile curenilor prin tranzistor n cazul unui tranzistor pnp sunt date n fig.4.2.b. Din aceast figur rezult c tensiunile ntre terminalele tranzistorului sunt legate prin relaia: U CB = U CE + U EB (4.6) n concluzie, referitor la funcionarea unui tranzistor (pnp sau npn), avnd jonciunea emitorului polarizat direct i pe cea colectorului polarizat invers se pot reine urmtoarele aspecte importante: - tensiunea emitor baz ( U EB )este mic (zecimi de volt) deoarece jonciunea emitorului este polarizat n sens direct; - tensiunea colector baz ( U CB ) are o valoare mare (voli sau zeci de voli) deoarece jonciunea colectorului este polarizat invers; - curentul de colector este aproximativ egal cu cel de emitor ( IC IE ) deoarece IB are valori de ordinul A;

50

- deoarece curentul obinut n circuitul de ieire al tranzistorului (circuitul colector emitor) este practic egal cu cel din circuitul de intrare (circuitul emitor baz) iar U CB U BE rezult c puterea ce se poate obine n circuitul de ieire este mai mare dect puterea n circuitul de intrare, ceea ce permite realizarea funciei de amplificare n putere a unui semnal. Tranzistorul transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul de ieire de rezisten mare. De aici i denumirea de tranzistor (transistor = transfer resistor).

4.2. Relaii ntre curenii tranzistorului bipolar

Dac se are n vedere semnificaia mrimilor I pEC i I pE atunci se definete factorul static de amplificare n curent al emitorului, N , astfel: N = I pEC I pE (4.7) El caracterizeaz efectul de tranzistor i exprim fraciunea din curentul de goluri din emitor care devine curent de colector i are valori curente n domeniul 0,98... 0,998. Deoarece concentraia purttorilor majoritari este mai mare n emitor dect n baz componenta i nBE se poate neglija n raport cu i pE i relaia (4.1) se poate scrie: IE i pE (4.8) innd cont de relaiile (4.2) i (4.3) se obin pentru curenii IC i IB expresiile:

IC = N I E + ICB0

(4.9) (4.10)

I B = (1 N ) I E ICB0

Dac n relaia (4.10) se nlocuiete IE cu expresia sa rezultat din relaia (4.9) se obine: I I I B = (1 N ) C CB0 ICB0 N

51

N 1 IB + ICB0 (4.11) 1 N 1 N Pe baza relaiei (4.11) se definete un alt parametru esenial al tranzistorului bipolar i anume factorul static de amplificare n curent (factor de amplificare al curentului baz colector) : N = (4.12) 1 N Acest parametru exprim raportul dintre componenta curentului de colector datorat curentului de emitor i componenta curentului de baz datorit recombinrii. Deoarece N este foarte apropiat de 1, valoarea lui este cuprins ntre 30 i 1000. Pe baza relaiei (4.12), expresia curentului de colector, (4.11), devine: IC = I B + (1 + )ICB0 (4.13) Dac n relaia (4.11) curentul de baz se consider nul (IB=0), se obine: I ICE0 = CB0 (4.14) 1 N ICE0 se numete curent rezidual colector emitor i reprezint curentul care circul ntre colector i emitor, baza tranzistorului fiind n gol. Dac n relaia (4.14) se ine cont de expresia lui N , dedus din relaia (4.12), se obine: sau: IC = ICE0 = (1 + )ICB0 (4.15) Din relaiile (4.14) i (4.15) se constat c ICE0 ICB0 . Definirea celor doi cureni reziduali este indicat n fig.4.3.a pentru curentul ICE0 i n fig.4.3.b pentru curentul ICB0. UCB ICE0 C UCE ICB0 C B E a Fig. 4.3 B b E

52

Valorile curenilor ICE0 i ICB0 fiind uor msurabile, sunt indicate n cataloage, ele fiind utile n proiectarea circuitelor cu tranzistoare bipolare. n practic, deseori, n calculele de regim static cu tranzistoare bipolare se utilizeaz relaia (4.11) sub form aproximativ: N IC IB = IB (4.16) 1 N

4.3. Regimurile de funcionare ale tranzistorului bipolar

Regimurile de funcionare ale unui tranzistor bipolar sunt determinate de modul de polarizare al celor dou jonciuni, jonciunea emitorului ( J E ) i jonciunea colectorului ( J C ). Deoarece fiecare jonciune poate fi polarizat direct sau invers tranzistorul se poate afla n unul din urmtoarele regimuri de funcionare (cazul tranzistorului pnp). - regimul normal, atunci cnd: J E este polarizat direct ( U EB > 0 ) J C este polarizat invers ( U CB < 0 ) - regimul invers, atunci cnd: J E este polarizat invers ( U EB < 0 ) J C este polarizat direct ( U CB > 0 ) - regimul de blocare (tiere), atunci cnd: J E este polarizat invers ( U EB < 0 ) J C este polarizat invers ( U CB < 0 ) - regimul de saturaie, atunci cnd: J E este polarizat direct ( U EB > 0 )

J C este polarizat direct ( U CB > 0 ) n regim normal de funcionare sensurile curenilor sunt artate n fig.4.4.a pentru un tranzistor pnp. n acest regim

53

tranzistorul realizeaz cea mai mare amplificare i din acest motiv regimul normal este cel mai folosit n aplicaiile n care este necesar obinerea unei amplificri mari.

IE

E B IB a

C IC EC EE

IE E IB b

C IC EC B

EE

Fig. 4.4

n regim invers de funcionare, fig.4.4.b jonciunea colector-baz fiind polarizat direct, colectorul va injecta purttori minoritari n baz, care dup ce difuzeaz prin ea vor fi n cea mai mare parte colectai de emitor, jonciunea emitor baz fiind polarizat invers. Curenii ce strbat colectorul, respectiv emitorul vor avea sensuri opuse sensurilor stabilite pentru regimul normal de funcionare. Pentru regimul inversat se definete factorul static de amplificare invers, R , ca fiind raportul ntre curentul de emitor I ER i curentul de colector ICR (litera R evideniaz faptul c este vorba de regimul invers Reverse): I R = ER (4.17) ICR El are valori tipice n domeniul 0,5... 0,8. De asemenea, se definete i un ctig invers n curent, R :

R (4.18) 1 R care are valori tipice n domeniul 1...5. Valoarea lui R este mult mai mic dect valoarea ctigului n regim normal de funcionare, . Funcionarea tranzistorului n regiunea activ invers este rar ntlnit n circuitele analogice. R =

54

Regimurile de funcionare normal i invers se numesc regimuri active deoarece permit obinerea unei amplificri. Evident, proprietile de amplificare ale tranzistorului sunt mult mai bune n regimul normal dect n cel invers. Spre deosebire de aceste regimuri active, n regimurile de tiere (blocare) i saturaie unde ambele jonciuni sunt polarizate la fel, tranzistorul nu poate amplifica. n regimul de tiere ambele jonciuni fiind polarizate invers, nu se injecteaz purttori minoritari n baz prin nici una din ele i curentul prin tranzistor este practic nul. n regimul de saturaie, cele dou jonciuni fiind polarizate direct prin ele se injecteaz purttori minoritari n baz. Prin tranzistor va trece un curent ntr-un sens sau altul dup cum predomin injecia de purttori la una din cele dou jonciuni. Tensiunile pe cele dou jonciuni sunt ns mici i nu pot s varieze dect foarte puin.
4.4. Modelul Ebers-Moll al tranzistorului bipolar

Se consider o structur de tranzistor de tip pnp, fig.4.5, pe care s-au pus n eviden curenii ce caracterizeaz funcionarea n regim normal, fig.4.5.a, i n regim invers, fig.4.5.b. E p B n NIE C p E p (IE)
eU ICB0 exp CB 1 KT a

IE

IC

B n R(-IC)

C p (IC)

eU I EB0 exp EB 1 KT b Fig. 4.5

Din fig.4.5.a se poate determina expresia curentului de colector:

55

eU IC = N I E ICB0 exp CB 1 (4.19) KT n relaia (4.19) primul termen din dreapta reprezint curentul injectat de emitor prin jonciunea colectorului (ca urmare a efectului de tranzistor) iar cel de-al doilea, curentul propriu al jonciunii colectorului. O expresie similar poate fi scris fcnd bilanul curenilor la jonciunea emitorului, fig.4.5.b. eU I E = R ( IC ) I EB0 exp EB 1 KT sau eU (4.20) I E = R IC + I EB0 exp EB 1 KT unde I EB0 este curentul de saturaie al jonciunii emitor baz, determinat cu colectorul n gol. Rezolvnd sistemul format din ecuaiile (4.19) i (4.20) n raport cu I E i IC se obin ecuaiile Ebers Moll pentru tranzistorul bipolar: eU eU (4.21) I E = I ES exp EB 1 R ICS exp CB 1 KT KT

eU eU IC = ICS exp CB 1 + N I ES exp EB 1 KT KT unde s-au fcut notaiile: I EB0 ICB0 I ES = ; ICS = 1 N R 1 N R cele dou mrimi avnd urmtoarele semnificaii: - I ES este curentul de saturaie al diodei emitor msurat cu colectorul scurtcircuitat la baz; - ICS este curentul de saturaie al diodei colector determinat cu emitorul scurtcircuitat la baz.

(4.22)

(4.23) baz baz

56

Circuitele echivalente ale tranzistorului corespunztoare ecuaiilor (4.19) i (4.20), respectiv (4.21) i (4.22) sunt date n fig.4.6.a. i fig.4.6.b, pentru un tranzistor pnp. E IE UEB IEB0 B a IBICB0 R IC N IE C IC UCB E IE UEB IES B b IB ICS R ICS N IES C IC UCB

Fig. 4.6 Prezena diodelor, elemente neliniare avnd o caracteristic exponenial, n cele dou circuite echivalente evideniaz caracterul neliniar al tranzistorului la funcionarea de semnal mare. n fig.4.6.a, diodele care modeleaz termenii exponeniali au fost notate numai prin curenii reziduali corespunztori acestor termeni, iar n fig.4.6.b numai prin curenii de saturaie corespunztori acestor termeni. Pentru ca termenii care intr n diferitele forme ale ecuaiilor Ebers-Moll s aib aceeai semnificaie i n cazul tranzistorului npn trebuie s se fac nlocuirile urmtoare: U EB = U EB i U CB = U CB Relaiile Ebers Moll sunt expresii analitice ce caracterizeaz tranzistorul intern. Ele prezint interes n msura n care tranzistorul real se apropie de tranzistorul intern. Curenii din tranzistorul real difer de cei din tranzistorul intern, n primul rnd datorit faptului c tensiunile care ajung pe jonciuni difer de tensiunile aplicate ntre electrozi. De asemenea, curenii reali in seam de o serie de componente care au fost neglijate la deducerea relaiilor Ebers Moll. Aceste relaii sunt importante pentru a nelege forma real a dependenei curenilor din tranzistor de tensiunile aplicate ntre terminale. Ele pun n eviden parametrii fizici i constructivi ai tranzistorului i posibilitatea modificrii acestora n scopul realizrii unor anumite

57

caracteristici pentru tranzistor. Pentru calculele practice ale circuitelor cu tranzistoare se utilizeaz caracteristicile statice ridicate experimental.

4.5. Conexiunile i caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Deoarece tranzistorul are trei terminale, pentru a putea fi utilizat ntr-un circuit de amplificare este necesar ca un terminal s fie comun att circuitului de intrare ct i circuitului de ieire. n funcie de terminalul utilizat ca born comun se disting trei conexiuni principale, fig.4.7. IE E E IE C IC C IC IB B IB B UEC UCE UCB EE UEB EE EE UBC UBE E EC EC EC B IB IC C IE a b c Fig. 4.7 - conexiunea baz comun (BC), la care baza este luat ca born comun i la intrare i la ieire, fig.4.7.a; - conexiunea colector comun (CC), la care colectorul este luat ca born comun, att pentru circuitul de intrare ct i pentru cel de ieire, fig.4.7.b; - conexiunea emitor comun (EC) la care emitorul este luat ca born comun celor dou circuite, fig.4.7.c. ntr-un circuit de amplificare tranzistorul poate fi considerat ca un cuadripol activ, fig.4.8, cruia i se aplic la intrare o tensiune U1, implicit i un curent de intrare I1, iar la ieire se obin un curent I2 i o tensiune U2. I2 I1 U1 Fig. 4.8 U2

58

Legturile care se stabilesc ntre aceste mrimi n regim staionar constituie caracteristicile statice ale tranzistorului. Ele se exprim analitic, dar cel mai frecvent sunt date sub form grafic. Pentru fiecare conexiune (BC, CC, EC) exist o diversitate de familii de caracteristici statice, fiecare familie reprezentnd o relaie ntre trei dintre mrimi, una n abscis, una n ordonat i cea de-a treia fiind considerat parametru. Principalele tipuri de caracteristici ale tranzistoarelor bipolare, sunt: - caracteristicile de intrare, care coreleaz dou mrimi de intrare, parametru fiind o mrime de ieire; - caracteristicile de ieire, care coreleaz dou mrimi de ieire, parametru fiind o mrime de intrare; - caracteristicile de transfer - care coreleaz o mrime de ieire cu una de intrare, parametru putnd fi n principiu, oricare alt variabil electric. n cazul conexiunii BC, fig.4.7.a, mrimile de intrare sunt curentul de emitor I E i tensiunea de polarizare a jonciunii emitorului U EB , aplicat ntre emitor i baz. Aadar, caracteristica de intrare va reprezenta dependena: IE = f ( U EB )
UCB = ct.

i este prezentat n fig.4.9.a, pentru un tranzistor pnp. Pentru U CB = 0 caracteristica tranzistorului corespunde cu cea a unei diode n polarizare direct. IE[mA] regiunea de IC[mA] U CB=0 8 UCB<0 saturaie IE3 UCB1>0 6 regiunea IE2= IE1+ IE 4 U >U activ normal CB2 CB1 2 IE1=ct. ICB0 IC IE=0 [V] 0,2 0,4 UEB[mV] UCB(pnp) regiunea de blocare UCB(npn) a b Fig. 4.9

59

Pentru tensiuni U CB < 0 rezult caracteristici distincte, totui foarte apropiate. Inversarea polaritii tensiunii U CB , adic

U CB > 0 , determin deplasarea n jos a caracteristicilor. n circuitul de ieire tranzistorul este caracterizat de curentul de colector IC i de tensiunea U CB , aplicat ntre colector i baz. Caracteristica de ieire va reprezenta dependena: IC = f ( U CB )
IE =ct.

i este indicat n fig.4.9.b. Regiunea activ normal corespunde aproape integral cu cadranul nti. Sub caracteristica corespunztoare lui IE = 0 se gsete regiunea de blocare (tiere). Limita dintre cele dou regiuni este la IC = ICB0 (practic neglijabil fa de IC ). Regiunea de saturaie se gsete la stnga axei corespunztoare curentului IC . Caracteristicile din fig.4.9.b. pun n eviden creterea curentului de colector cu tensiunea U CB < 0 . Aceasta se explic prin efectul Early (efect de modulare a limii bazei). Micorarea grosimii bazei determin reducerea timpului de trecere a purttorilor de sarcin minoritari prin ea i reduce posibilitile de recombinare a acestor purttori. n consecin, rezult o cretere a coeficientului N care justific creterea suplimentar a lui IC cu tensiunea U CB , pus n eviden prin variaia IC . Din fig.4.7.a. se pot deduce i relaiile ntre curenii i tensiunile ce caracterizeaz tranzistorul n conexiunea BC: I E = I B + IC U CB = U CE + U EB n conexiunea EC, fig.4.7.c, mrimile de intrare sunt curentul de baz I B i tensiunea U BE , aplicat ntre baza i emitorul tranzistorului. n consecin, caracteristica de intrare exprim dependena:

I B = f ( U BE ) U i este dat n fig.4.10.a. 80 60 40 20 0,2 0,4 0,6 0,8 a IB(A)

60
CE = ct.

UCE=0 UCE>0(npn) UCE<0(pnp) [V] UBE(npn) UBE(pnp)

IB(A)

0,6

Fig. 4.10 Din fig.4.10.a se observ c alura caracteristicilor de intrare este aceiai ca i la conexiunea BC, cu observaia c reprezentarea se face la o alt scar. La valori mici ale tensiunii de polarizare direct a jonciunii emitorului, caracteristica de intrare trece i prin cadranul IV (linia mai subire din fig.4.10.a) deoarece n circuitul bazei predomin curentul ICB0 . La tranzistoarele din siliciu, curentul ICB0 este foarte mic i caracteristica de intrare se poate considera c trece prin origine. Pentru semnale mari caracteristica de intrare poate fi liniarizat ca n fig.4.10.b. Tensiunea U BED , denumit i tensiune de deschidere a jonciunii baz emitor, depinde de tipul semiconductorului. La tranzistoarele realizate din siliciu U BED = (0,6... 0,7 V) iar la cele din germaniu U BED = (0, 2... 0,3 V) . Caracteristicile de transfer ale conexiunii EC sunt descrise de relaia: IC = f ( I B )
U CE = ct.

0,8 UBED b

UBE [V]

care n funcionare normal a tranzistorului se reduce la o singur curb, fig.4.11.a.

61

IC[mA] 3

IC[mA]

UCEsat IB3 regiunea regiunea 2 IB2 de activ IB1 1 saturaie normal ICE0 IB=0 [V] ICE0 10 20 IB[A] U (pnp) regiunea de blocare CE UCE(npn) a b Fig. 4.11 La valori medii ale curenilor (curba trasat cu linie plin) dependena IC = f ( I B ) este aproape liniar. Aceasta nseamn c raportul : IC IB denumit factor static de amplificare n curent (notat uneori cu h 21E ) poate fi considerat constant. La cureni mari (regiunea superioar a caracteristicii trasat cu linie subire) curentul IC scade, n timp ce la cureni mici I B crete, n ambele cazuri factorul scznd fa de valoarea sa de la cureni medii. Dac se extrapoleaz regiunea liniar a caracteristicii, se obine modelul liniarizat de c.c. reprezentat prin dreapta din fig.4.11.a. Ordonata la origine a acestei drepte se noteaz cu ICE0 i se numete curent rezidual colector emitor cu baza n gol (deoarece se determin la I B = 0 , deci cnd circuitul de baz este ntrerupt). Modelul liniarizat al caracteristicii de transfer este descris analitic prin expresia : IC = I B + ICE0 unde ICE0 are valori n limitele (1 100) nA la tranzistoarele din Si i (0,1 10) A la tranzistoarele din Ge. Caracteristicile de ieire sunt descrise de relaia : =

62

IC = f (U CE ) I

B = ct.

i sunt reprezentate n fig.4.11.b. Pe aceste caracteristici se pot pune n eviden regiunile de funcionare ale tranzistorului corespunztoare celor trei regimuri de funcionare, normal, saturat i blocat. a) regiunea de blocare, delimitat de caracteristica I B = 0 . n acest caz prin tranzistor circul un curent IC = ICE0 , de ordinul nA. Acest curent indic faptul c pentru blocarea unui tranzistor nu este suficient ntreruperea circuitului bazei. La un tranzistor din Ge blocarea complet se realizeaz dac se aplic ntre baz i emitor o tensiune U BE (0,1... 0,2 V) iar pentru tranzistoarele din Si dac U BE = 0V , adic jonciunea emitor baz se scurtcircuiteaz. b) regiunea activ normal, unde trebuie s se plaseze punctul static de funcionare al tranzistorului n circuitele de amplificare. Prin punct static de funcionare se nelege punctul din planul unei familii de caracteristici ale crui coordonate sunt valorile staionare ale mrimilor electrice asociate terminalelor. n cazul conexiunii EC punctul static de funcionare are coordonatele U CE i IC . n regiunea activ normal la I B = ct. se observ o uoar cretere a lui IC cu U CE datorit efectului Early, care const n ngustarea bazei odat cu creterea tensiunii aplicate n circuitul colectorului. La aceast conexiune caracteristicile de ieire au o nclinare relativ mare, fa de cazul conexiunii BC. c) regiunea de saturaie, care se obine polariznd direct ambele jonciuni. n aceast regiune tensiunea U CEsat este mic, valorile tipice ale ei fiind cuprinse n intervalul (0,05 - 0,3V). La saturaie valoarea curentului de colector este : E U CEsat ICsat = C RC unde R C este rezistena din circuitul de colector al tranzistorului.

63

Dac se consider U CEsat 0 , rezult ICsat = E C / R C . Acestui curent i corespunde un curent de baz de saturaie dat de relaia: I I Bsat = Csat n regiunea de saturaie orict de mult se mrete curentul de baz peste I Bsat , curentul de colector rmne constant.

4.6. Influena temperaturii asupra caracteristicilor statice i parametrilor de regim static ai tranzistorului bipolar
Creterea temperaturii mrete concentraia purttorilor de sarcin n semiconductoare, deci i n regiunile tranzistorului, determinnd modificri ale caracteristicilor i parametrilor acestuia. La temperaturi uzuale i mari, creterea numrului de purttori de sarcin se datoreaz generrii intrinseci de perechi electron gol. Creterea absolut a concentraiei este aceiai pentru purttorii majoritari ct i pentru cei minoritari. Cu toate acestea, creterea relativ a purttorilor majoritari este neglijabil fa de creterea purttorilor minoritari. Deoarece la formarea curenilor particip ambele tipuri de purttori, caracteristicile i parametrii vor depinde de temperatur datorit variaiei concentraiei purttorilor minoritari (care are loc dup o lege exponenial). Influena temperaturii asupra caracteristicilor de intrare I B = f ( U BE )
UCE = ct.

i de ieire

IC = f ( U CE )

IB = ct.

ale unui tranzistor bipolar este ilustrat n fig.4.12.

64

IB[A]

T2>T1

IC[mA] IB3

IB=ct. UBE[V] b

Fig. 4.12 Se observ c odat cu creterea temperaturii ( T2 > T1 )

UBE a

T1 IB2 T2 IB1 IB=0 UCE[V]

caracteristicile de intrare se deplaseaz spre stnga, fig.4.12.a, determinnd o scdere liniar a tensiunii U BE la curent de baz constant, iar cele de ieire se vor deplasa n sus, fig.4.12.b, determinnd o cretere a curentului IC . Parametrii de regim static ai tranzistorului bipolar, puternic influenai de temperatur, sunt: curentul rezidual ICB0 , tensiunea baz emitor U BE i factorul de amplificare . Curentul rezidual ICB0 , are cea mai puternic dependen de temperatur. Variaia sa cu temperatura este de tip exponenial, fiind descris de relaia: ICB0 = ICB00 exp [ a(T T0 ) ] (4.24)
unde: ICB00 - este valoarea lui ICB0 la T = 25oC; a - factor ce exprim rapiditatea de variaie a lui ICB0 cu temperatura. ICB0 - este de ordinul nA (1 ... 10nA) la tranzistoarele cu Si de mic putere i de ordinul A (1... 10) la tranzistoarele de mare putere. La tranzistoarele cu Ge creterea temperaturii determin o cretere important a lui ICB0 , pe cnd la cele cu Si aceast cretere este de multe ori neglijabil. Din caracteristicile de intrare, fig.4.12.a, se observ c la

65

curent constant ( I B = ct. ) odat cu creterea temperaturii se constat o scdere liniar a tensiunii U BE . Aceast variaie a tensiunii U BE este exprimat prin coeficientul de variaie cu temperatura al tensiunii: U BE o 2,5 mV / C (4.25) T I =ct.
B

Variaia lui cu temperatura poate fi evaluat cu relaia: T T0 = N0 1 (4.26) C unde: N0 = (T0 )

C = 100o C pentru Ge i 50o C pentru Si. Temperatura maxim admisibil este cuprins ntre 80... 100o C pentru tranzistoarele cu Ge i ntre 150... 200o C pentru tranzistoarele cu Si. Variaia cu temperatura a celor trei parametrii este dat n fig.4.13.

ICB0, U BE

ICB0 U BE

250 Fig. 4.13

T0[C]

4.7. Limite de funcionare a tranzistorului bipolar

Domeniul de funcionare al unui tranzistor bipolar funcionnd n regim de amplificare este delimitat n planul caracteristicilor de ieire de trei parametrii, fig.4.14: - puterea disipat maxim ( Pd.max ); - tensiunea colector - emitor maxim ( U CE max );

66

- curentul de colector maxim ( IC max ). Puterea disipat este dat de relaia : Pd = PdE + PdC = U BE I E + U CE IC dar cum U BE U CE iar I E IC rezult c PdE se poate neglija i se obine: Pd = U CE IC iar Pd.max = U CE max IC.max Creterea Pd peste Pd.max determin mbtrnirea tranzistorului, adic o deteriorare lent n timp sau, cnd Pd este foarte mare tranzistorul se distruge ca efect al supranclzirii. n consecin, se impune pentru Pd.max o condiie restrictiv de forma Pd.max Pd.max.ad (4.27) Aceast condiie determin n planul caracteristicilor de ieire o grani sub form de hiperbol, numit hiperbol de disipaie. IC[mA] hiperbol de disipaie ICmax regiunea de saturaie ICE0 UCEmax UCE[V] regiunea de blocare Fig 4.14

Depirea tensiunii U CE max determin apariia urmtoarelor efecte: - efectul de multiplicare prin avalane, adic purttorii de sarcin sunt accelerai foarte mult i smulg ali purttori din legtura covalent a reelei; - efectul de penetraie, adic zona de trecere cuprinde toat

67

U CE

lungimea bazei. n ambele cazuri are loc o cretere foarte mare a curentului prin tranzistor ceea ce determin deteriorarea lui. Pentru evitarea apariiei acestor efecte se impune pentru o condiie restrictiv de forma :

U CE U CE max (4.28) O astfel de condiie determin o grani sub forma unei linii verticale n planul caracteristicilor de ieire. Depirea curentului IC.max determin creterea temperaturii jonciunii i n final deteriorarea tranzistorului. Din acest motiv pentru IC se impune o condiie de forma: IC IC.max (4.29) Aceasta determin n planul caracteristicilor de ieire o grani sub forma unei linii orizontale. Limitrile impuse puterii disipate de colector, tensiunii colector emitor, precum i curentului de colector, determin un domeniu admisibil de funcionare a tranzistorului, n planul caracteristicilor statice de ieire. n fig.4.14 domeniul admisibil de funcionare l constituie regiunea nehaurat din planul caracteristicilor de ieire.
4.8. Polarizarea tranzistoarelor bipolare. 4.8.1. Generaliti
Pentru ca un tranzistor s funcioneze n regim normal trebuie ca jonciunea emitor baz s fie polarizat direct, iar jonciunea colector baz s fie polarizat invers. Polarizarea corespunztoare a celor dou jonciuni se realizeaz folosind o surs de tensiune continu, E C . Pentru a putea obine de la aceeai surs att tensiunea de polarizare pentru jonciunea emitor baz, ct i tensiunea de polarizare pentru jonciunea colector baz, tensiuni diferite ca valoare se folosesc diverse reele de rezistene care asigur valorile corespunztoare tensiunilor de polarizare. n fig.4.15. este prezentat un circuit de polarizare

68

simplu, pentru un tranzistor npn n conexiunea EC. Polarizarea bazei se realizeaz cu o tensiune pozitiv, culeas prin intermediul rezistenei R B de la borna pozitiv a sursei E C . +EC RC I C RB IB UCE UBE Fig. 4.15 Pentru determinarea valorilor rezistenelor R B i R C se pleac de la impunerea coordonatelor punctului static de funcionare ( IC , U CE ) pe caracteristicile de ieire, IC = f (U CE ) I
B = ct.

, ale conexiunii EC. Aplicnd teorema lui

Kirchhoff referitoare la tensiuni n circuitul de ieire se obine: E C = R C IC + U CE de unde rezult: R C = ( E C U CE ) IC (4.30) Pentru circuitul de intrare, n baza aceleiai teoreme se scrie relaia: E C = R B I B + U BE din care se obine expresia de calcul pentru R B : R B = ( E C U BE ) I B (4.31) Dac n relaia: IC = I B + (1 + )ICB0 se neglijeaz curentul ICB0 , care n cazul tranzistoarelor din Si are valori foarte mici, atunci curentul de baz se determin cu relaia: I IB C Dac n relaia (4.31) se ine cont de faptul c la tranzistoarele din Si, U BE 0, 65V i n consecin U BE E C ,

69

atunci rezistena R B se calculeaz cu relaia: E C E C = (4.32) IB IC Dup alegerea valorii rezistenei R B din relaia (4.32) rezult: E I B = C = ct. (4.33) RB Din relaia (4.33) rezult c aceast schem lucreaz cu o valoare constant a curentului de baz. Ea nu compenseaz variaiile curentului de colector cu temperatura i este util la temperaturi constante, apropiate de temperatura mediului ambiant. RB

4.8.2. Determinare grafic a punctului static de funcionare

Punctul static de funcionare (PSF) este denumirea generic pentru ansamblul valorilor de curent i tensiune asociate electrodului din planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului. n conexiunea emitor comun, PSF are coordonatele IC i U CE i se noteaz P( IC , U CE ) iar n conexiunea colector comun, PSF are coordonatele P( IE , U CE ). n cazul unui etaj de amplificare este necesar ca PSF s fie situat n regiunea activ pe poriunea liniar a caracteristicilor de ieire. Pentru determinarea PSF se consider un etaj de amplificare cu un tranzistor n conexiunea emitor comun, polarizat ca n fig.4.15. Presupunnd cunoscute valorile mrimilor E C , R C i R B se pune problema determinrii coordonatelor PSF, adic a mrimilor IC i U CE . Pentru aceasta se aplic teorema a doua a lui Kirchhoff n circuitul de ieire i rezult relaia: E C = R C IC + U CE (4.34) care conine ambele necunoscute, IC i U CE . Deoarece se dispune de o singur ecuaie pentru

70

determinarea necunoscutelor IC i U CE se folosesc caracteristicile de ieire ale conexiunii emitor comun, fig.4.16. IC = EC RC IC IC () P IB = EC = ct. RB

UCE

IB=0 UCE EC=UCE Fig. 4.16

Pe aceste caracteristici se reprezint ecuaia (4.34), la tieturi. Pentru IC = 0 , rezult U CE = E C iar pentru U CE = 0 rezult IC = E C / R C . Dreapta care unete cele dou puncte, de pe abscis i ordonat, se numete dreapt de sarcin static (). Pentru a stabili unde se afl plasat PSF pe dreapta de sarcin se aplic teorema a doua a lui Kirchhoff pe circuitul de intrare, rezultnd relaia: E C = R B I B + U BE (4.35) Dac se ine cont de faptul c U BE E C , iar mrimile E C i R B se consider cunoscute, rezult: I B E C R B = ct. (4.36) Intersecia dreptei de sarcin () cu caracteristica de ieire corespunztoare curentului de baz dat de relaia (4.36) determin punctul static de funcionare P, ale crui coordonate sunt IC i U CE . Din fig.4.16 se determin i nclinarea dreptei () care este dat de relaia: tg = R C (4.37) Alegerea punctului static de funcionare se face innd cont de urmtoarele considerente:

71

- s fie plasat n regiunea activ, pe poriunea liniar a caracteristicilor, fig.4.14, ntr-un domeniu delimitat de I Cmax ,

U CE max i Pd max ; - s fie situat n zona median a dreptei de sarcin (), astfel nct la funcionarea n regim variabil de semnal mic semnalul la ieire s nu fie distorsionat; - efectul temperaturii, a crei cretere determin deplasarea sa pe dreapta de sarcin spre cureni de colector mai mari, n timp ce scderea acesteia determin deplasarea spre regiunea de blocare.
4.8.3. Stabilizarea termic a punctului static
n paragraful 4.6 s-a artat c principalii parametrii ai tranzistorului afectai de temperatur sunt ICB0 , U BE i . La variaia temperaturii, efectele celor trei parametrii se cumuleaz, determinnd variaii ale curentului n acelai sens. Considernd curentul de colector ca o funcie de temperatur, aceast dependen poate fi exprimat astfel: IC (T) = IC (4.38) ICB0 (T), U BE (T), (T) Difereniind relaia (4.38) i trecnd la variaii mici ale parametrilor se obine: IC IC I IC = ICB0 + U BE + C (4.39) ICB0 U BE Notnd: I IC IC SI = ; SU = ; S = C (4.40) U BE ICB0 mrimile SI , SU , i S se numesc factori de sensibilitate. Ei caracterizeaz dependena de temperatura determinat de parametrul respectiv. innd cont de relaiile (4.40), relaia (4.39) se scrie: IC = SI ICB0 + SU U BE + S (4.41)

72

Valorile factorilor de sensibilitate sunt determinate de structura circuitului de polarizare i pot fi controlate prin proiectare. Factorul SI este adimensional i se consider satisfctor dac are valori: SI (4... 8) SU are dimensiunile unei conductane, deci se exprim n nS i are valori acceptabile dac acestea sunt de ordinul ( 0,1... 0,2 ) nS. Factorul S are dimensiunile unui curent, deci se exprim n A i se consider c are valori satisfctoare dac rezult de ordinul A. Importana celor trei termeni din relaia (4.41) este diferit, n funcie de temperatur. Astfel, la temperaturi sczute cea mai mare contribuie o are termenul SU U BE n timp ce termenul SI ICB0 este important la temperaturi uzuale mai ridicate. Prin urmare, circuitul de polarizare al unui tranzistor trebuie s asigure nu numai funcionarea tranzistorului ntr-un PSF precizat ci i stabilizarea termic a PSF. Aceasta se realizeaz: - prin circuite de polarizare utiliznd elemente liniare, bazate pe utilizarea reaciei negative; - prin circuite de polarizare utiliznd elemente neliniare, la care variaiile ntr-un sens ale parametrilor tranzistorului sunt anulate de variaiile parametrilor unor elemente neliniare de circuit.

4.8.3.1. Circuite de polarizare utiliznd elemente liniare

Cele mai utilizate circuite de polarizare bazate pe utilizarea elementelor liniare sunt date n fig.4.17. n schema din fig.4.17.a pentru a realiza stabilizarea

73

termic a PSF se introduce n emitor rezistena R E , un element liniar. Dac se consider c are loc o cretere a temperaturii, aceasta determin creterea curentului de colector i deci modificarea PSF. Considernd c ntre curenii tranzistorului exist relaia I E IC , rezult c odat cu creterea lui IC crete i I E . Pe de alt parte, curentul I E determin pe rezistena R E o cdere de tensiune R E I E . +EC RB IB RC IC UCE IE a R1 Idiv R2 RC IB UBE RE UR1 IC UCE IE +EC RB IB UBE RC IC +EC

UBE UB RE

UCE

b c Fig. 4.17 Din circuitul de intrare al tranzistorului rezult: U BE = U B R E I E

(4.42)

Deoarece U B = ct. , atunci cnd curentul de colector crete, crete i tensiunea R E IE i n consecin tensiunea U BE scade. Aceasta duce la scderea curentului de baz, limitndu-se astfel tendina de cretere a curentului de colector datorit creterii temperaturii. Relaia (4.42) indic faptul c rezistena R E introduce o reacie negativ dup curentul din circuitul de ieire. Rezistena R E nu poate avea valori prea mari deoarece pe ea are loc o pierdere de tensiune continu, care se scade din sursa E C . Din aceste considerente rezistena R E se alege din condiia: R E I E = (0,1... 0,2)E C (4.43) Schema prezint dezavantajul c pentru rezistena R B

74

rezult valori mari iar cderea de tensiune pe ea, R B ICB0 acioneaz n circuitul de intrare favoriznd creterea curentului de colector cu temperatura i deci modificarea poziiei PSF. De aceea este indicat s se lucreze cu valori ct mai mici pentru R B . Aceast condiie este asigurat de ctre circuitul din fig.4.17.b, numit circuit de polarizare cu divizor rezistiv n baz. Funcionarea circuitului este asemntoare cu a circuitului anterior, ea bazndu-se tot pe reacia negativ de curent introdus de rezistena R E . Deosebirea const n faptul c tensiunea U B , de polarizare a bazei din schema precedent este nlocuit cu tensiunea U R 2 , care se obine la bornele rezistenei R 2 parcurs de curentul divizorului, Idiv . Pentru calculul practic al circuitului de polarizare din fig.4.17.b se utilizeaz pentru dimensionarea divizorului condiia: Idiv 10 I B (4.44) Acest circuit de polarizare se mai numete i circuit cu autopolarizare. Dezavantajul circuitului cu autopolarizare const n cderea de tensiune continu pe rezistena R E , care, dup cum s-a artat, nu poate fi prea mare. n cazul n care curentul de ieire are variaii mari nu este recomandabil s se utilizeze rezistena R E , fiind folosit circuitul din fig.4.17.c la care polarizarea bazei se realizeaz printr-o rezisten R B , conectat ntre baz i colector. n acest caz curentul de baz se calculeaz cu relaia: U U BE I B = CE (4.45) RB La creterea temperaturii, crete curentul de colector iar tensiunea U CE scade. n baza relaiei (4.45) scade i curentul de baz, acest fapt conducnd la limitarea creterii curentului de colector. Acest mecanism de funcionare a schemei are la baz reacia negativ de tensiune pe care o introduce rezistena R B . Dezavantajul comun al circuitelor de polarizare liniar este c micoreaz amplificarea tranzistorului n regim dinamic.

75

4.8.3.2. Circuite de polarizare utiliznd elemente neliniare

Aceste circuite utilizeaz alturi de elementele liniare i elemente neliniare de circuit, care mbuntesc performanele circuitelor de polarizare. Cele mai utilizate circuite de polarizare cu elemente neliniare sunt date n fig.4.18. Schema din fig.4.18.a are n circuitul bazei o diod D, polarizat invers de sursa E C . Schema realizeaz compensarea variaiei cu temperatura a curentului rezidual colector baz, ICB0 . RB I IB I0 D a ICB0 +EC RC RB RT UBE URT b RC +EC

RE

RE IE

Fig. 4.18

Aplicnd teorema nti a lui Kirchhoff n nodul din circuitul bazei, rezult: I = I0 + I B (4.46) unde I0 reprezint curentul invers prin dioda D. Din relaia (4.46) se obine: IB = I I0 (4.47) Dac n relaia: IC = I B + (1 + )ICB0 se nlocuiete I B cu expresia sa dat de relaia (4.47) i se ine cont de faptul c 1 , rezult: (4.48) IC = ( I I0 + ICB0 ) Dac se alege dioda astfel nct s se asigure I0 = ICB0 , curentul rezidual se nchide prin diod i nu va mai influena

76

polarizarea bazei tranzistorului iar din relaia (4.48) rezult: IC = I Aceasta nseamn c IC , i deci punctul static de funcionare, nu vor mai fi afectai de temperatur. Schema prezint dezavantajul c nu asigur i stabilizarea termic a tensiunii U BE . O astfel de stabilizare se realizeaz utiliznd schema din fig.4.18.b. Schema conine un termistor n divizorul bazei. Termistorul este un element de circuit realizat prin presare din materiale semiconductoare omogene, a crui rezisten R T scade la creterea temperaturii dup o relaie exponenial. Aceasta determin scderea tensiunii de polarizare U R T , aplicat n circuitul de intrare i n consecin i a tensiunii U BE , compensndu-se astfel creterea curentului de colector datorit variaiei tensiunii U BE , n principal. Schema asigur i compensarea variaiei lui ICB0 cu temperatura dac termistorul este n contact termic ct mai bun cu tranzistorul. Prin alegerea judicioas a termistorului i prin conectarea, dac este nevoie, de rezistene n serie i paralel, se poate obine compensarea variaiei cu temperatura a curentului rezidual ICB0 i a tensiunii U BE ntro gam larg de temperaturi.

4.9. Tranzistorul bipolar n regim variabil de semnal mic 4.9.1. Analiza grafic a regimului dinamic
Regimul dinamic (variabil) al unui tranzistor bipolar presupune funcionarea tranzistorului n cazul aplicrii unor semnale variabile n timp. Condiia de semnal mic impune ca amplitudinea semnalului alternativ aplicat la intrare s aib valori suficient de reduse astfel nct punctul de funcionare s se deplaseze pe poriuni liniare ale caracteristicilor statice. Practic, semnalul se consider mic dac amplitudinea sa maxim nu depete 10 mV.

77

Aplicaia fundamental a tranzistorului bipolar, aceea de amplificator de semnale ofer exemplul tipic de funcionare n regim dinamic. n acest sens, se consider un etaj de amplificare cu un tranzistor n conexiune emitor comun, fig.4.19, la intrarea cruia se aplic de la un generator u g , de rezisten rg , un semnal u i , care ndeplinete condiia de semnal mic. +EC R C iC C e RB1 iB Ci uCE rg u0 ui RB2 C E RE ug

RS

Fig. 4.19 Circuitul de polarizare asigur funcionarea etajului ntr-un punct static de funcionare P. n fig.4.20 sunt prezentate caracteristicile de ieire ale etajului, pe care s-a trasat dreapta static de sarcin () i s-a precizat punctul static de funcionare, P. Se observ c PSF se gsete n centrul regiunii active, ceea ce permite etajului s realizeze o amplificare aproximativ liniar, i se afl la intersecia dreptei de sarcin cu caracteristica de ieire corespunztoare curentului de baz I BP . EC IC[mA] (1) RC + RE iB ib () iC M1 ic I BP t t P M N I BP I CP N1 IB=0 UCE UCE[V] uCE U CE P t uce Fig. 4.20

78

Dac la intrarea etajului se aplic de la un generator u g , un semnal alternativ sinusoidal, u i , atunci curenii prin tranzistor i tensiunile ntre bornele sale vor avea pe lng componenta continu dat de sursa E C i o component alternativ produs de tensiunea u i . Tensiunea de intrare se aplic etajului prin intermediul condensatorului de cuplaj, Ci, care separ n c.c. etajul de sursa extern de semnal. n curent alternativ condensatorul de cuplaj are, la frecvena semnalului amplificat, o reactan neglijabil comportndu-se practic ca un scurtcircuit. Prin urmare, curentul n circuitul bazei va avea expresia: i B = I BP + i b = I BP + I b sin t (4.49) Componenta alternativ i b , a curentului de baz va determina deplasarea PSF pe dreapta de sarcin ntre punctele M i N. Ca urmare, curentul de colector i tensiunea colector emitor vor avea componente alternative ic i u ce care se suprapun peste componentele continue ICP i U CE P din PSF, i au expresiile:
i C = ICP + i b = ICP + Ic sin t

u CE = U CE P + u ce = U CE P + U ce sin t Din fig.4.20 se observ c, n realitate PSF nu se deplaseaz pe dreapta de sarcin static ci pe o alt dreapt, notat cu 1 , care trece prin punctul P, dar care are panta , dat de relaia: tg = R C R S (4.50) i care se numete caracteristic dinamic. Ea reprezint locul geometric al punctului static de funcionare al tranzistorului n planul caracteristicilor de ieire, atunci cnd se aplic un semnal alternativ la intrarea etajului. Componentele alternative ale tensiunii i curentului de colector conduc la obinerea puterii utile n rezistena de sarcin, R S . Dac se msoar tensiunea u CE ntre cele dou extreme

79

(fie aceasta u 0 ) atunci amplificarea n tensiune n curent alternativ, A U , se calculeaz cu relaia:

u0 (4.51) ui Semnul minus apare deoarece la o cretere pozitiv a tensiunii de intrare, u i , are loc o cretere negativ a tensiunii u 0 , amplificarea trebuind s rezulte pozitiv. n mod similar se poate determina i amplificarea n curent, A I , folosind expresia: i i (4.52) A I = C max C min i Bmax i Bmin Acest mod de calcul al amplificrilor unui etaj de amplificare are un caracter ilustrativ, el nefiind folosit n practic. Calculul practic al amplificrilor unui etaj de amplificare se face prin metode analitice, folosind circuitele echivalente ale tranzistorului. AU =

4.9.2. Circuitele echivalente ale tranzistorului bipolar

Analiza regimului variabil de semnal mic al tranzistorului bipolar se face prin calcule analitice, bazate pe folosirea circuitelor echivalente de semnal mic. Exist dou modaliti de obinere a circuitului echivalent de semnal mic pentru tranzistorul bipolar: a) reprezentnd tranzistorul printr-un cuadripol; b) utiliznd legile ce caracterizeaz comportarea fizic a tranzistorului i modelnd aceste legi prin elemente active i pasive.

4.9.2.1. Circuitul echivalent de cuadripol

Indiferent de conexiunea n care este utilizat, un tranzistor bipolar funcionnd n regim dinamic poate fi echivalat cu un cuadripol, fig.4.21, caracterizat de mrimile de intrare U1 i I1 i

80

mrimile de ieire convenional. I1 U1

U2

I 2 , avnd sensurile adoptate I2 U2

Fig. 4.21 Dac semnalul variabil aplicat la intrare ndeplinete condiia de semnal mic, tranzistorul poate fi echivalat cu un cuadripol liniar. n consecin, relaiile care se stabilesc ntre aceste patru mrimi sunt liniare i se stabilesc prin intermediul aa-numiilor parametrii dinamici sau parametrii de cuadripol. Dac din cele patru mrimi ce caracterizeaz funcionarea cuadripolului, dou se consider variabile independente iar celelalte dou variabile dependente, atunci ecuaiile ce descriu funcionarea tranzistorului n regim dinamic sunt: U1 = h11 I1 + h12 U 2 I 2 = h 21 I1 + h 22 U 2 (4.53) Parametrii h11 , h12 , h 21 , h 22 se numesc parametrii hibrizi i se utilizeaz n domeniul frecvenelor joase. Din relaiile (4.53) se pot obine relaiile de definiie ale parametrilor h. U - impedan de intrare h11 = 1 I1 U =0 cu ieirea n scurtcircuit ( h );
2

h12 = h 21 = h 22 =

U1 U2 I2 I1

- factor de reacie de tensiune ( h r );

I1 = 0

(4.54) - factor de amplificare a curentului ( );

U2 =0

I2 U2

I1

- admitan de ieire cu intrarea n gol ( h 0 ). =0

81

Din relaiile de definiie a parametrilor h se observ c ei au semnificaii fizice diferite, i anume: h12 i h 21 sunt adimensionali, h11 - impedan i h 22 - admitan, ceea ce justific denumirea de parametrii hibrizi. n baza relaiilor (4.53) se poate reprezenta circuitul echivalent cu parametrii hibrizi, pentru tranzistorul n conexiune emitor comun, fig. 4.22. I2 I1 h11 U1 h12 U2 h21 I1 Fig. 4.22 Parametrii h prezint avantajul c se msoar comod. Ei se utilizeaz n special la joas frecven deoarece doi din ei, h12 i h 22 se msoar n gol la intrare. Acest lucru este corect la joas frecven dar la frecvene nalte intervine reactana capacitii parazite ntre borne. Parametrii h nu sunt mrimi constante, ei depinznd de punctul static de funcionare, de temperatur i de conexiunea n care este tranzistorul. Astfel, la conexiunea EC, parametrii se noteaz prin indicele e (de exemplu: h11e , h12e , h 21e , h 22e ), la conexiunile BC i CC se noteaz prin indicii b, respectiv c. n afara parametrilor h, funcionarea cuadripolului poate fi descris i cu ajutorul parametrilor admitan y, prin relaiile: I1 = y11 U1 + y12 U 2
I 2 = y 21 U1 + y 22 U 2

h22

U2

(4.55)

Relaiile de definiie pentru parametrii y sunt: I y11 = 1 - admitan de intrare U1 U =0 cu ieirea n scurtcircuit;
2

82

y12 =

I1 U2 I2 U1 I2 U2

U1 = 0

- admitan de transfer invers cu intrarea n scurtcircuit; (4.56)

y 21 = y 22 =

U 2 =0

- admitan de transfer direct cu ieirea n scurtcircuit;

- admitan de ieire U1 = 0 cu intrarea n scurtcircuit; Circuitul echivalent cu parametrii admitan y este dat n fig.4.23. I1 U1 y11 y12 U 2 Fig. 4.23 Parametrii y pot fi determinai att la joas frecven ct i la nalt frecven. Ei sunt folosii n special la analiza circuitelor n nalt frecven unde au forma: yi = g i + jCi Circuitele echivalente din fig.4.22 i fig.4.23 se mai numesc i circuite echivalente n . y 21 U1 I2 y 22 U2

4.9.2.2. Circuitul echivalent de semnal mic

Se consider un tranzistor n conexiunea emitor comun funcionnd ntr-un PSF, caracterizat de mrimile IC , U CE i IB . Dac se modific tensiunea baz emitor la valoarea: u BE = U BE + u BE se produc urmtoarele efecte: 1. Curentul de colector variaz, datorit modificrii curentului de difuzie al jonciunii emitorului.

83

Folosind ecuaia (4.22) a modelului Ebers Moll pentru curentul de colector e u CB e u BE iC = N I ES exp 1 I exp CS KT 1 KT i considernd c tranzistorul funcioneaz n regiunea activ normal, rezult: e u BE iC N I ES exp (4.57) KT Variaia curentului de colector ic , datorit unei variaii mici, u BE , a tensiunii baz emitor n jurul valorii de regim staionar U BE , se obine difereniind relaia (4.57) i trecnd la diferene finite i e iC C u BE = N IES u BE u KT BE PSF

Notnd

N IES = IC e IC = g m KT

iC = g m u BE (4.58) unde g m se numete conductan mutual, transconductan sau pant a tranzistorului bipolar. Ea este liniar dependent de curentul continuu de colector din PSF i are valoarea, la IC = 1mA i T = 300K, n jur de 1mA/25mV. Dac se ine cont c KT potenialul termic U T = = 25mV , rezult: e g m 40 IC 2. Din analiza fenomenelor care au loc n regiunea bazei, la variaii mici, u BE , ale tensiunii baz emitor, variaia curentului de baz i B este suma a doi termeni, conform relaiei:

rezult:

84

unde: g

dt - conductan de intrare de semnal mic, care pentru

i B = g u BE + Cb

d ( u BE )

(4.59)

IC = 1 mA are valori de ordinul

( 4 10

... 104S . n general

g = gm / . Cb - capacitate de ncrcare a bazei. Ea este o msur a sarcinii care trebuie introdus n baz pentru a compensa variaia tensiunii baz emitor. Pentru IC = 1mA , Cb = (5... 200pF) . Dependena lui iC i i B de componenta variabil a tensiunii emitor baz, u BE , este dat de ecuaiile (4.58) i (4.59). Aceste componente variabile de curent se datoreaz variaiei distribuiei fluxului de purttori minoritari n baz n ipoteza c jonciunea colectorului este polarizat invers. Relaiile liniare date de ecuaiile (4.58) i (4.59) pot fi interpretate ca reprezentnd un circuit echivalent format din elemente liniare, fig.4.24.
B uBE iB g Cb iC C

gm uBE

E Fig. 4.24 Din fig.4.24 se observ c relaia (4.58) reprezint legea lui Kirchhoff pentru nodul colectorului n timp ce relaia (4.59) reprezint aceeai lege scris pentru nodul bazei. Pentru a descrie ct mai exact fenomenele care au loc n tranzistor trebuie inut cont de capacitatea de semnal mic a jonciunii colectorului, Cjc, i de capacitatea de semnal mic a jonciunii emitorului, Cje. Cu aceste precizri circuitul echivalent de semnal mic, completat cu elementele Cjc i Cje este prezentat n fig.4.25.

B uBE

i B g Cb

85

Cjc

i C

Cje

gm uBE

E Fig. 4.25 Aceste capaciti determin modificarea ecuaiilor (4.58) i (4.59), dup cum urmeaz: d ( u CB ) iC = g m u BE C jc (4.60) dt d ( u CB ) d ( u BE ) d ( u BE ) i B = g u BE + Cb + C jc + C je (4.61) dt dt dt Relaiile (4.60) i (4.61) constituie modelul de baz de semnal mic pentru tranzistorul bipolar. O variant echivalent a circuitului din fig.4.25 este prezentat n fig.4.26. ic C B ib C ube

r =

1 g

gm ube

E Fig. 4.26 Capacitatea jonciunii colector baz, Cjc care este de ordinul pF, a fost notat cu C iar capacitatea C este compus din capacitatea corespunztoare sarcinii din baz, Cb, i din capacitatea de barier a jonciunii emitor baz, Cje; C = Cb + C je Notaia , care punea n eviden variaiile n timp ale curenilor i tensiunilor s-a omis i n loc de funcia dependent de timp s-a utilizat simbolul corespunztor curenilor i tensiunilor ce descriu funcionarea tranzistorului n regiunea activ normal. Circuitul echivalent pentru tranzistorul real trebuie s in seama i de rezistenele de volum ale regiunilor

86

semiconductorului. n regim de semnal mic prezint importan rezistena de volum a regiunii neutre a bazei, care apare ntre contactul metalic al bazei B i baza intrinsec B ' . Aceast rezisten se noteaz cu rb i se numete rezisten de baz. Ea are valori cuprinse ntre civa ohmi i aproximativ 100 i este foarte important pentru aplicaiile la nalt frecven deoarece capacitile C i C trebuie s se ncarce prin ea. De acelai ordin de mrime este i rezistena rc, care apare n serie cu colectorul. Cele dou rezistene completeaz modelul echivalent al tranzistorului din fig.4.26. n analiza proceselor fizice care au loc n tranzistor trebuie avut n vedere efectul dat de tensiunea de colector baz, UCB, care polarizeaz invers jonciunea colector baz, asupra curentului de colector. Presupunnd c tensiunea U BE = ct. , variaia tensiunii UCB este egal cu a tensiunii UCE. Odat cu creterea tensiunii UCE are loc o cretere a limii regiunii golite a jonciunii colector baz i n consecin o ngustare a bazei. Aceasta are drept consecin o scdere a curentului de baz IB. Acest efect se poate modela prin introducerea n modelul din fig.4.26 a unui rezistor r, ntre colector i baz. El are valori de ordinul sutelor de M. mpreun cu capacitatea C rezistorul r realizeaz un cuplaj ntre circuitul de ieire i cel de intrare. Acest cuplaj este slab, datorit valorilor elementelor sale. Un alt fenomen de care trebuie inut cont la stabilirea circuitului echivalent al tranzistorului bipolar este legat de aa numitul efect Early, care const n variaia curentului de colector IC, datorit variaiei tensiunii UCE. Variaii mici UCE ale tensiunii UCE produc variaii corespunztoare IC ale curentului de colector iar raportul acestor variaii definete rezistena de ieire de semnal mic, r0, a tranzistorului. U CE U A = r0 = (4.62) IC IC innd cont c valorile tipice ale tensiunii Early, UA, sunt de 50...100 V, atunci valorile lui r0, pentru IC = 1 mA sunt cuprinse n domeniul 50... 100 k.

87

Deoarece r0 este invers proporional cu IC ea se poate exprima n funcie de gm, astfel: r0 = 1 g m Cu aceste considerente circuitul echivalent natural, complet, de semnal mic este prezentat n fig.4.27. r B ube rb B` C rc gm ube r0

C r =

1 g

C uce

E Fig. 4.27 Circuitul din fig.4.27 a fost numit i natural deoarece elementele sale au fost deduse n strns legtur cu fenomenele care au loc n tranzistor. El se mai numete i circuit echivalent de tip Giacoletto i corespunde ca precizie de descriere pentru tranzistorul bipolar n multe aplicaii. n aplicaiile practice se folosete un circuit simplificat n care se neglijeaz rezistenele rb i rc deoarece valorile lor sunt mult mai mici dect valoarea rezistenei r. De asemenea, la frecvene joase se poate neglija capacitatea C , iar datorit cuplajului slab ntre baz i colector se neglijeaz i elementele C i r, rezultnd circuitul echivalent fundamental de semnal mic i joas frecven al tranzistorului bipolar, pentru conexiunea emitor comun, fig.4.28. ib ic B C gm ube ube uce r r0 ib E Fig. 4.28 Pe baza circuitului echivalent din fig.4.28 se pot scrie relaiile: u i b = be (4.63) r

88

ic = g m u be (4.64) innd cont c ntre curentul ic i ib exist relaia: ic = i b (4.65) i avnd n vedere relaia (4.63) se obine o nou expresie pentru curentul de colector ic = u be (4.66) r Din expresiile (4.64) i (4.65) rezult relaia ntre cei trei parametrii , r i gm ai circuitului echivalent al tranzistorului bipolar, numii i parametrii fundamentali = g m r (4.67) Relaiile (4.64) i (4.65) arat c tranzistorul bipolar se comport, n circuitul de ieire, ca un generator de curent comandat prin intermediul tensiunii de intrare ube sau al curentului de intrare ib.
4.9.2.3. Tranzistorul bipolar la nalt frecven

Comportarea tranzistorului bipolar la frecvene ridicate, ncepnd cu valori de ordinul KHz-lor nu mai permite ca parametrii si s mai poat fi considerai mrimi reale, fiind necesar exprimarea lor n complex. La anumite frecvene, numite frecvene limit, performanele amplificatoare ale tranzistoarelor bipolare dispar. Aceste frecvene depind de tipul conexiunii n care se afl tranzistorul i de o serie de condiii concrete din circuit. Pentru determinarea frecvenelor limit ale conexiunii EC se pornete de la circuitul echivalent natural al tranzistorului i de la factorii de amplificare i ai conexiunii. Simplificarea analizei presupune neglijarea efectului parametrilor rb, r, rc i r0, aceste neglijri fiind acceptate pentru un calcul practic suficient de exact. Ca urmare, circuitul echivalent al tranzistorului, pentru conexiunea EC capt forma din fig.4.29, n care scurtcircuitul la ieire s-a realizat pentru calculul amplificrii n curent .

Ib g

89

C C

Ic gm ube

ube

E Fig. 4.29 Din fig.4.29, n ipoteza neglijrii curentului care trece de la intrare spre ieire prin C, rezult expresiile curenilor Ib i Ic Ib = (4.68) g + j C + C u be

Ic g m u be cu ajutorul curenilor Ib i Ic se determin I gm = c I b g + j C + C

(4.69) (4.70)

La frecvene joase, deci pentru = 0 , din relaia (4.62) rezult: g 0 = m (4.71) g Valoarea lui 0 este foarte apropiat de cea a coeficientului de amplificare static , obinut pe baza relaiei sale de definiie. Relaia (4.70) se mai scrie: gm g (4.72) = C + C 1 + j g Notnd g = (4.73) C + C
expresia (4.72) se poate pune sub forma: 0 = 1+ j

(4.74)

90

Comportarea tranzistorului n conexiunea EC, la frecvene nalte, este caracterizat de frecvena limit f, definit ca fiind frecvena pentru care modulul amplificrii n curent scade la valoarea: = = 0 = 0, 707 0 (4.75) 2 Dac se exprim n dB atunci f se definete ca fiind frecvena la care scade cu 3 dB fa de valoarea sa de la joas frecven. innd cont de relaia (4.73) rezult: 1 g 1 g f = = (4.76) 2 2 C + C 2 C O alt frecven ce caracterizeaz comportarea tranzistorului n conexiunea EC este frecvena de tiere, fT. Ea se definete ca fiind frecvena la care modulul factorului de amplificare n curent devine egal cu unitatea, adic: 0 (4.77) =1 2 T 1+ Deoarece T 1 din relaia (4.77) rezult T = 0 sau f T = 0 f (4.78) (4.79)

Dac n relaia (4.78) se ine cont de relaiile (4.71) i (4.73) rezult pentru T expresia: gm T = (4.80) C + C Frecvena fT este indicat n cataloage i prospecte de ctre firmele productoare.

91

Conform relaiei (4.79), frecvena de tiere n conexiunea EC mai este denumit i produs amplificare band (amplificarea n curent, la frecvene joase i banda f = f 0 = f , limitat de frecvena la care || scade cu 3 dB). Variaia = F(f ) cu punerea n eviden a frecvenelor limit pentru un tranzistor bipolar n conexiunea EC este dat n fig.4.30. 0 = F(f ) 0,7070 f f fT f Fig. 4.30 Pentru conexiunea BC, factorul de amplificare n curent are expresia: = (4.81) 1+ innd cont de expresia lui , dat de relaia (4.74) se obine: 0 0 + 1 0 (4.82) = = = 0 1+ 1+ j 1+ j + 1 ( 0 ) 1+ j 1+ j Frecvena de tiere a etajului n conexiunea BC va fi dat de relaia: = (1 + 0 ) sau f 0 f (4.83) 0 0 1 0,7070

92

Din relaia (4.83) rezult c etajul n conexiune BC are frecvena de tiere de 0 ori mai mare dect etajul n conexiune EC, ceea ce justific utilizarea conexiunii BC la frecvene nalte. De asemenea, valoarea produsului amplificare band nu se schimb, adic: f T = 0 f = 0 f (4.84) Deoarece 0 este foarte apropiat, ca valoare, de unitate rezult frecvena fT mai mic, dar foarte apropiat de f, fig.4.30. Valorile parametrilor naturali se consider independente de frecven pentru valori ale frecvenei semnalului de aproximativ f fT 4 (4.85)

4.10. Clase de funcionare a tranzistorului bipolar n regim de amplificare

Clasificarea regimurilor de funcionare a unui tranzistor n regim de amplificare se face pe baza criteriului intervalului de conducie. Considernd c la intrarea unui etaj de amplificare realizat cu un tranzistor, fig. 4.19, se aplic un semnal alternativ sinusoidal, de perioad T = 2 , atunci, n funcie de durata de conducie a tranzistorului (curent diferit de zero prin tranzistor), notat cu , acesta poate funciona n regim de amplificare n clasele A, B, AB i C. Considernd c tranzistorul bipolar are o caracteristic de transfer iC i B liniar, care pleac aproximativ din origine, clasa de funcionare depinde n general de modul de alegere a punctului static de funcionare pe caracteristica dinamic a tranzistorului. Pentru funcionare n clasa A punctul static se alege pe caracteristica dinamic la jumtatea acesteia, fig.4.31. Funcionarea este liniar pn la limitele impuse de regiunea de blocare i, respectiv de saturaie, regiuni delimitate de I B = 0 i de U CE sat .

93

IC ICmax I CP

UCEsat

caracteristica dinamic iC P IB=0 EC 0 UCE uCE t 0 =2 2 I CP

U CEP 2 Fig. 4.31 n consecin, semnalul la ieire este nedistorsionat iar curentul circul prin colectorul tranzistorului amplificator pe toat perioada semnalului alternativ aplicat la intrare, deci = 2 . Randamentul maxim n clas A se apropie de 50%. La funcionare n clas B punctul static de funcionare se alege pe caracteristica dinamic la intersecia acesteia cu caracteristica corespunztoare lui I B = 0 , fig.4.32. IC caracteristica ic UCEsat dinamic ICmax P EC 0 U CEP 2 t Fig. 4.32 IB=0 UCE 0 = uCE 2 t t

94

Semnalul la ieire este distorsionat, curentul de colector avnd forma unor impulsuri corespunztoare unei semialternane a semnalului alternativ aplicat la intrare. Unghiul de conducie al tranzistorului este = . Pentru refacerea formei de und a semnalului de la ieire, se mai folosete nc un tranzistor care s funcioneze tot n clas B, dar n contratimp cu primul. n aceste condiii randamentul are valoarea maxim 78%. Pentru funcionarea n clas AB, punctul static de funcionare se alege pe caracteristica dinamic n vecintatea regiunii de blocare, fig.4.33. IC caracteristica iC UCEsat dinamic ICmax

I CP

P EC 0

IB=0 UCE uCE

>

2 t Fig. 4.33 n aceast clas de funcionare unghiul de conducie al tranzistorului, > , semnalul la ieirea amplificatorului rezultnd tot distorsionat (un impuls sub forma unei semialternane). Refacerea formei semnalului necesit un al doilea tranzistor care s funcioneze tot n clas AB, dar n contratimp cu primul tranzistor. Din modul de alegere al PSF, pe o caracteristic de baz I B 0 , rezult c n absena semnalului de intrare, prin tranzistor circul o component de c.c. dat de sursele de polarizare. Datorit acestei prepolarizri sunt eliminate distorsiunile de trecere datorate neliniaritii caracteristicii de intrare a tranzistorului.

U CE P

95

ICmax

Funcionarea n clas C este ilustrat n fig.4.34. caracteristica IC UCEsat dinamic ic

P EC 0 U CE P 2 t

IB=0 UCE uCE < 2 t

Fig. 4.34 Punctul static de funcionare se alege n profunzimea regiunii de blocare. n consecin unghiul de conducie < , semnalul rezultnd puternic distorsionat. Funcionarea tranzistoarelor, n regim de amplificare, la unghiuri de conducie foarte mici nu este acceptabil, deoarece puterea semnalului scade. Ca urmare, se va alege un unghi optim avnd n vedere att puterea, ct i randamentul.

4.11. Regimul de comutaie al tranzistorului bipolar

n afara utilizrii n regim de amplificare tranzistorul bipolar poate fi utilizat i ca element de comutaie static, fig.4.35 +EC +EC +EC EC I = RC RC RC C IC IC=0 RC IB UCE=0 UCE U CE E C UBE a b c Fig. 4.35

96

n circuitul din fig.4.35.a, tranzistorul comut curentul prin sarcina RC dup cum urmeaz: - dac tranzistorul este blocat prin el circul curentul rezidual ICE0, foarte mic (de ordinul nA), care poate fi neglijat i curentul prin tranzistor, IC, poate fi considerat nul iar tranzistorul poate fi echivalat cu un contact normal deschis, fig.4.35.b. n acest caz cderea de tensiune ntre colectorul i emitorul tranzistorului este aproximativ egal cu EC. - dac tranzistorul se afl n conducie, prin rezistena de E sarcin circul curentul IC = C i tranzistorul poate fi considerat RC ca un contact normal nchis, fig.4.35.c. Aceast trecere succesiv a tranzistorului din starea de blocare n starea de conducie (saturaie) i invers se numete regim de comutaie. Regimul de comutaie este un regim de semnal mare, deci tranzistorul lucreaz i n poriunile neliniare ale caracteristicilor statice. Pentru analiza regimului de comutaie al unui tranzistor se consider un tranzistor n conexiunea EC, polarizat de la o surs EC, la intrarea cruia se aplic o tensiune variabil de la un generator ug, de rezisten intern rg fig.4.36.a. IC UCEsat +EC IB3 B R C iC IB2 RB regiunea UCE IB1 de rg iB A ICE0 saturaie IB=0 ug UCE
a regiunea de blocare b

Fig. 4.36 n planul caracteristicilor de ieire ale tranzistorului n conexiunea EC, fig.4.36.b, s-au delimitat cele trei regiuni, corespunztoare celor trei regimuri de funcionare ale tranzistorului i anume:

97

- regiunea de blocare, delimitat de I B = 0 ; - regiunea de saturaie, delimitat de U CE sat ; - regiunea normal delimitat de IB = 0 i U CE sat . Funcionarea tranzistorului n regim de comutaie nseamn efectuarea unor treceri succesive ntre starea de blocare i starea de saturaie. n starea de blocare punctul static de funcionare ocup poziia A pe caracteristica dinamic, poziie aflat la intersecia caracteristicii dinamice cu caracteristica I B = 0 . n aceast situaie ambele jonciuni ale tranzistorului sunt polarizate invers, curentul de colector avnd o valoare foarte mic. ICbl = ICE0 = 'ICB0 unde: ICB0 - curentul rezidual colector baz. La tranzistoarele cu Si este de ordinul nA; ` - factor de amplificare al curentului colector baz la valori mici ale lui IC ( ' = 5...10 ) . Rezult c blocarea tranzistorului cu Si se poate face numai prin ntreruperea curentului de baz. n starea de saturaie punctul static de funcionare ocup poziia B pe caracteristica dinamic. n aceast situaie ambele jonciuni sunt polarizate direct, deci emitorul i colectorul injecteaz purttori minoritari n baz. n starea de saturaie tensiunea U CE = U CE sat = ( 0 0,5 ) V , deci se poate aproxima

U CE sat 0 . Valoarea curentului de colector la saturaie este:

IC sat = ( E U CE sat ) R C E C R C (4.86) Acestui curent i corespunde un curent de baz de saturaie: I B sat = IC sat (4.87) Orict de mult se mrete curentul de baz peste IB sat, curentul de colector rmne constant. n regiunea de saturaie este satisfcut relaia: IC I B (4.88)

98

n starea de saturaie tranzistorul este caracterizat prin rezistena de trecere, rt, definit prin relaia: rt = U CE sat IC sat (4.89) Rezult c n cazul funcionrii unui tranzistor n regim de comutaie se parcurge toat dreapta dinamic din planul caracteristicilor de ieire. Dac la intrarea tranzistorului se aplic un impuls dreptunghiular tranzistorul va funciona n regim de comutaie. Variaia mrimilor ce caracterizeaz procesul de comutaie este ilustrat n fig.4.37. Se consider c pn la momentul t0 tranzistorul este blocat ( I B 0, IC 0 ) . La momentul t0 tensiunea de intrare ug se modific n salt de la valoarea U1 < 0 la valoarea U2 > 0. Curentul de baz variaz i el aproape n salt de la valoarea zero la valoarea I B2 = U 2 R B . ug U2 U1 IB IB2 IB IC t

ICsat 0,9 ICsat

0,1 ICsat

t0 t1 t2 tin tr tcd

t3 t

t4 t5 tc tci

Fig. 4.37 Curentul de colector IC nu ncepe s creasc imediat ci dup un timp necesar ca purttorii injectai de emitor n baz s ajung la colector. Acest timp scurs de la aplicarea comenzii de comutaie i pn n momentul cnd curentul de colector ncepe s

99

creasc se numete timp de ntrziere (tin). La momentul t1, curentul de colector ncepe s creasc (tranzistorul funcioneaz n regiunea activ). Atingerea valorii de saturaie IC sat nu are loc brusc, ci ntr-un interval de timp numit timp de cretere (ridicare) tr. Intervalul de timp scurs ntre momentul aplicrii comenzii de comutaie i pn la momentul cnd curentul de colector ajunge la 0, 9 IC sat se numete timp de comutaie direct, t cd (t on ) , i este dat de relaia: t cd = t in + t r (4.90) Att timp ct tensiunea la intrare se menine constant tranzistorul rmne n starea de conducie. La momentul t3 tensiunea de intrare se modific brusc de la valoarea U 2 > 0 la valoarea U1 < 0 , polariznd invers jonciunea emitor baz (tranzistorul intr n regiunea de blocare) i determinnd scderea curentului de colector. Curentul de colector nu tinde imediat spre zero datorit faptului c la saturaie se acumuleaz n regiunea bazei un surplus de sarcin electric. De aceea la comutaie invers curentul de colector rmne constant pn se evacueaz acest surplus de sarcin stocat n regiunea bazei. Intervalul de timp scurs de la aplicarea comenzii de comutaie invers (momentul t3) pn n momentul (t4) cnd curentul de colector ncepe s scad se numete timp de stocare i se noteaz cu ts. Dup ieirea tranzistorului din starea de saturaie punctul static de funcionare se deplaseaz pe dreapta de sarcin spre regiunea de blocare (punctul A). Se definete timpul de cdere, tc, ca intervalul de timp n care curentul de colector scade de la valoarea IC sat la valoarea 0,1 IC sat . Intervalul de timp scurs ntre aplicarea comenzii de comutaie invers pn la momentul n care curentul de colector scade la valoarea 0,1 IC sat se numete timp de comutaie invers, t ci (t off ) , i este dat de relaia: t ci = t s + t c (4.91)

100

Timpii de comutaie direct i invers sunt cu att mai mici cu ct frecvena limit a tranzistorului este mai mare. Reducerea timpilor de comutaie se poate realiza pe cale tehnologic ct i prin adoptarea anumitor scheme n circuitul de baz al tranzistorului. Soluia tehnologic vizeaz reducerea capacitii de barier a colectorului i a grosimii bazei precum i creterea vitezei de recombinare a purttorilor n baz. Accelerarea comutrii se poate realiza conectnd un circuit RC n baza tranzistorului, fig.4.38.a. +EC +EC R CB C iB D RC IBM IB UCE RB rg RB1 RB2 ug t a b c Fig. 4.38 La aplicarea unui semnal de comand dreptunghiular pentru deschiderea tranzistorului, curentul de baz iB are forma din fig.4.38.b. La comutarea direct curentul de baz are iniial valoarea maxim IBM (condensatorul de accelerare comportnduse ca un scurtcircuit la momentul t = 0 ), scznd dup aceea ctre valoarea de regim staionar IB. n acest fel se reduce timpul de comutaie direct, tcd. O alt soluie pentru accelerarea comutrii const n utilizarea unui circuit, fig. 4.38.c, care s evite saturaia profund a tranzistorului. n acest fel se reduce timpul de stocare, ts, care are o pondere important la comutaia invers. Circuitul evit intrarea punctului static de funcionare n regiunea de saturaie. Cnd U CE < R B2 I B + U BE , dioda D se deschide i limiteaz IB, fixnd punctul static de funcionare n zona activ, aproape de limita de saturaie (n cazul cnd RB2 este mic).