Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
at e
CL
Ci r cu ite
In t
eg r
VDD R I M
Figura 1
Vin
Rezolvare:
a). Scriem legea lui Ohm pe rezistent a pasiv aR si avem: I= VDD Vout R (1)
An
Vout
VT h 850mV 980mV
alo g
ice
Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire. Prin urmare, expresia acestuia este: fp = rDS + R 1 + IR 1 = = 2CL (rDS || R) 2CL rDS R 2CL R
Relat iile (1) si (2) formeaz a un sistem de dou a ecuat ii cu necunoscutele, R si I . In urma rezolv arii sistemului se obt ine: I = 132A , R = 10, 6k , rDS = 152k
An
gm = 1mS W 19 = L 1
alo g
Este indicat s a se foloseasc a metoda simplicat a, deoarece d a rezultate similare cu cele obt inute din calculul riguros si proiectarea nu este afectat a. In continuare folosim vaorile: I=140A si R=10k.
|A0 | = Gm Rout = gm R
In t
Din expresia c a stigului de semnal mic si joas a frecvent a putem obt ine valoarea transconductant ei: (4) 2I . Vod
Dar, totodat a transconductant a de semnal mic a tranzistorului MOS este gm = Astfel vom g asi valoarea tensiunii de overdrive Vod =280mV.
Av and calculate tensiunea de overdrive si curentul, se face o scalare si obt inem geometria tranzistorului:
Ci r cu ite
eg r
at e
Observat ie: determinarea curentului si a rezistent ei pasive se poate face mai simplu, dac a presupunem c a R este mai mic cu un ordin de m arime ca rDS . Atunci avem a R = 10k . Apoi, conform R || rDS = R. Drept urmare, din exprsia lui fp va rezulta c legii lui Ohm, curentul I va 140A. In nal, se g ase ste rDS = 143k si compar and aceast a valoarea cu cea a rezistent ei pasive, se veric a presupunerea de la care am pornit.
ice
1 . I
(2)
(3)
(5)
b). Transconductant a de semnal mic a fost deja calculat a si are valoarea gm =1mS. c). Valoarea tensiunii continue la intrare este: Vin = VGS = VT h + Vod = 850mV + 280mV = 1, 13V
d). Pentru a g asi valoarea optim a a tensiunii continue la ie sire se calculeaz a limitele admise de variat ie a acesteia si se face media aritmetic a:
V M AX = V DD = 3V out
Vout = 1, 64V
d). In Figura 2 sunt ridicate caracteristicile Bode, consider and frecven tele singularit a tilor ca n sistemul 8.
30 20 10 0 -10 -20 -30 -40 -50
eg r
at e
Ci r cu ite
180d 160d 140d 120d 100d 80d 60d 40d 20d 0d 10KHz 100KHz
In t
1.0MHz
10MHz
100MHz 1.0GHz
An
fp1=8MHz fzp=10GHz GBW=80MHz A0=20dB 10GHz
alo g
Figura 2
ice
(6)
(7)
VDD M2 I M1
Vin
VG1
Rezolvare:
Ci r cu ite
a). Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire. Prin urmare, expresia acestuia este: fp = 1 = 1 I = CL rDS 1 CL I = 125A (9)
Tranzistorul M1 implementeaz a sarcina surs a de curent. Tensiunea de overdrive a acestuia se alege Vod1 = 250mV . Tranzistorul de intrare M2 este responsabil de castigul circuitului, prin urmare tensiunea lui de overdrive va rezulta conform valorii lui A0 . |A0 | = Gm Rout = gm2 (rDS 1 || rDS 2 ) = gm2 1 2I gm2 = 1mS (10)
In t
eg r
Figura 3
at e
CL
An
Vout
2). a). S a se proiecteze un amplicator inversor cu sarcin a surs a de curent, av and c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 32dB (40abs ), frecvent a polului dominant la fp = 2M Hz , capacitatea de sarcin a CL = 2pF si = 0, 1V 1 . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,25m. Tensiunea de intrare se aplic a n grila tranzistorului PMOS. In Tabelul 1 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. b). Desenat i schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a corespunz atoare amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.
alo g
ice
(8)
Dar transconductant a de semnal mic se mai poate scrie: gm2 = 2I Vod2 Vod2 = 250mV (11)
Acum se pot face dou a scal ari si obt inem dimensiunile tranzistoarelor. Pentru NMOS avem: kn 10 2 50 = 2 1 (230m) 125 = kn W1 (250m)2 2L1 Iar pentru tranzistorul PMOS, scriem: kp 20 2 50 = 2 1 (340m) 125 = kp W2 (250m)2 2L2
alo g
Vout
at e
An
CL
W1 5, 3 = L1 0, 25
W2 23, 1 = L2 0, 25
Tensiunea de polarizare aplicat a n grila tranzistorului M1 se calculeaz a: VG1 = VT hn + Vod1 = 850m + 250m = 1, 1V (14)
b). Schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a este prezentat a n Figura 4.
Vin
CGD2
Ci r cu ite
In t
eg r
GmVin
Rout
Figura 4
ice
(12)
(13)
(15)
VDD M2 I
alo g
-CGD2
a)
Figura 5
polul Miller introdus de rezistent a sursei de semnal, RSS , care se combin a cu CGD2 reectat a la intrare multiplicat a cu c a stigul circuitului. Frecvent ele polilor, a zeroului pozitiv si produsul amplicare-band a sunt: 1 gm2 fp = = 80M Hz = 2CL (rDS 1 || gm2 ) 2CL 1 fpM = = 2M Hz 2Rss (A0 CGD2 ) gm2 fzp = = 1, 3GHz 2CGD2
Ci r cu ite
In t
zeroul pozitiv introdus de calea direct a de semnal dintre intrarea si ie sirea circuitului prin capacitatea parazit a CGD a tranzistorului de intrare;
eg r
at e
An
b)
(16)
VG1
M1
Se observ a a sezarea n frecvent a a singularit a tilor: polul Miller a devenit polul dominant, apoi urmeaz a polul dat de nodul de ie sire (care are frecvent a egal a cu GBW) si apoi zeroul pozitiv.
ice
Vout CL
3). Fie amplicatorul inversor de la problema 2) conectat ntr-un lant de amplicare. Rezistent a sursei de semnal este Rss =400k. Capacitatea parazit a gril a-dren a CGD =50fF. Calculat i singularit a tile circuitului si ridicat i caracteristicile de frecvent a.
40 20 0 -20 -40 -60 -80 -100 180d 140d 100d 60d 20d -20d -60d
4). S a se proiecteze un amplicator inversor cascod a simetric a ca n Figura 7 a). Specicat iile sunt: c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 46dB (200abs ), frecvent a polului 1 dominant fp = 250kHz , capacitatea de sarcin a CL = 1pF si = 0, 5V . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m, nafar a de cele cascod a care au L=0,5m. Capacitatea parazit a n nodul din drena lui M1 este CX = 200f F , iar capacitatea CGD1 = 50f F . In Tabelul 1 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). G asit i dimensiunile tranzistoarelor. b). Calculat i tensiunile de polarizare Vcasn , Vcasp si Vbiasp . c). Desenat i diagramele Bode. d). Desenat i schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a corespunz atoare amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.
Ci r cu ite
In t
eg r
7
at e
An
alo g
fpMiller=2MHz fp2=8MHz fzp=1.3GHz A0=32dB
ice
Observat ie: analiz and frecvent ele singularit a tilor se observ a c a ambii poli sunt situat i n frecvent a mai jos dec at produsul amplicare-band a. Pentru aceste cazuri GBW si pierde semnicat ia.
VDD M4 0,7V
M3
0,8V
M2
M1
a)
Figura 7
Rezolvare:
a). Deoarece polul dominant este dat de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire, frecvent a fp1 este de forma:
In t
fp1 =
eg r
Rout =
at e
1 = 636, 6k 2CL fp1
An
b)
1 2 Vod1 =
alo g
Vout=1,5V 0,8V 0,7V
2CL Rout
Ci r cu ite
2I 1 1 Vod I I
Pentru tranzistoarele M2 , M3 si M4 alegem tensiunea de overdrive Vod = 200mV . Din ecuat iile (17) si (18) rezult a valoarea curentului I = 31, 4A. C a stigul de semnal mic si joas a a circuitului este de forma: |A0 | = Gm Rout = gm1 Rout = 2I Rout Vod1 2IRout = 200mV |A0 | (19)
ice
(17) (18)
Vbiasp
Vbiasp
50 10L1 = 31, 4 W1
230m 200m
8, 2 W1 = L1 1
(20)
Deoarece prin M2 trece acela si curent si are aceea si tensiune de overdrive ca M1 , rezult a c a dimensiunea lui e egal a cu cea a lui M1 . T inem cont doar de faptul c a pentru tranzistoarele cascod a se ia lungimea canalului de 0,5m. W2 4, 1 = L2 0, 5 In mod similar facem scal ari pentru tranzistoarele PMOS. 50 20L4 = 31, 4 W4 340m 200m
2
alo g
An
W4 35, 8 = L4 1
W2 17, 9 = L2 0, 5
at e
Vcasn = VGS 2 + VDS 1 = (VT hn + Vod2 ) + VDS 1 = 0, 85 + 0, 2 + 0, 7 = 1, 75V VDD Vbiasp = VSG4 Vbiasp = VDD (|VT hp | + Vod4 ) Vbiasp = 3 0, 98 0, 2 = 1, 82V VDD Vcasp = VSD4 + VSG3 Vcasp = VDD VSD4 (|VT hp | + Vod3 ) Vcasp = 3 0, 7 (0, 98 + 0, 2) = 1, 12V
Ci r cu ite
In t
b). Deoarece schema este simetric a, alegem tensiunea continu a la ie sire de valoare jum atate din tensiunea de alimentare Vout = 1, 5V . Acum putem alege VDS 1 = VSD4 = 700mV si VDS 2 = VSD3 = 800mV (am alocat mai mult spat iu n tensiune tranzis toarelor cascod a, c aci ele p ar asesc primele regimul de saturat ie). In Figura 7 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.
eg r
c). Circuitul are doi poli si un zero pozitiv. Polul dominant este introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire, polul de nalt a frecvent a se datoreaz a nodului intermediar din drena lui M1 (nodul X), iar zeroul pozitiv este dat de calea direct a de semnal de la intrare la iesire prin CGD1 . Frecvent ele singularit a tilor sunt:
ice
(21)
(22)
(23)
(24)
p1
Ci r cu ite
180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
d). Schema echivalent a de semnal mic si nalt a frecvent a corespunz atoare amplicatorului este prezentat a n Figura 9. Parametrii schemei echivalente de semnal mic au expresiile:
In t
eg r
Figura 8
at e
10
An
alo g
fp1=250kHz fp2=250MHz fzp=1GHz GBW=50MHz A0=46dB
1 fp1 = = 250kHz 2CL Rout gm2 fp2 = 250M Hz = 2CX gm1 fzp = = 1GHz 2CGD1 GBW = |A | f = 50M Hz
ice
(25)
X Vin
CGD1 Gm1Vin RX CX
VX
Vout
eg r
Ci r cu ite
5). S a se proiecteze un amplicator inversor cu sarcin a surs a de curent si av and tranzistorul de intrare cascodat ca n Figura 10 a). C a stigul de joas a frecvent a este |A0 | = 40dB (100abs ), produsul amplicare-band a GBW = 31, 8M Hz , capacitatea de sarcin a CL = 5pF si = 0, 1V 1 . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m. Capacitatea parazit a n nodul din drena lui M1 este CX = 50f F , iar capacitatea CGD1 = 30f F . In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vcasn si Vbiasp . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a amplitudinea semnalului de ie sire este Vsemn = 0, 5V . c). G asit i singularit a tile circuitului, calculat i frecvent ele lor si desenat i diagramele Bode. d). Dac a rezistent a sursei de intrare este Rss = 100, redesena ti diagramele Bode.
In t
at e
Gm1 = gm1 1 RX = gm2 CX = CBD1 + CBD2 + CGD2 Gm2 = gm2 Rout = (gm2 rDS 2 rDS 1 ) || (g3 rDS 3 rDS 4 ) Cout = CBD2 + CBD3 + CGD2 + CGD3 + CL = CL
An
alo g
(26)
Figura 9
11
ice
Gm2VX
Rout
CL
M NMOS PMOS
ID 50A 50A
VT h 450mV 450mV
Vbiasp
M3 I Vout M2 X CL
Vbiasp
M3
Vcasn
Vcasn
Vin
M1
Vin
a)
Figura 10
GBW =
C a stigul de semnal mic si joas a frecvent a are urm atoarea expresie: 1 |A0 | = Gm Rout = gm1 rDS 3 = gm1 I I = 100A (29)
Transconductant a de semnal mic a lui M1 se poate scrie: gm1 = 2I Vod1 vod1 = 200mV (30)
Pentru tranzistorul cascod a M2 si pentru cel de sarcin a M3 se alege tensiunea de overdrive Vod2 = Vod3 =200mV. Av and valorile curentului si a tensiunii de overdrive prin toate tranzistoarele schemei, se pot face scal ari pentru dimensionarea lor.
Ci r cu ite
In t
eg r
at e
Gm = gm1 = 1mS
An
M1 1V
M2
b)
alo g
1V Vout=2V 1V
VDD
VDD
12
ice
(28)
50 10L1 = 100 W1
175m 200m
7, 5 W1 = L1 0, 5
(31)
Deoarece M2 are aceea si tensiune de overdrive si este str ab atut de acela si curent ca si M1 , va avea aceea si dimensiune. 50 20L1 = 100 W1 225m 200m
2
W3 25, 3 = L3 0, 5
alo g
at e
Vcasn = VGS 2 + VDS 1 = (VT hn + Vod2 ) + VDS 1 = 0, 45 + 0, 2 + 1 = 1, 65V VDD Vbiasp = VSG3 Vbiasp = VDD (|VT hp | + Vod3 ) Vbiasp = 3 0, 45 0, 2 = 2, 35V
An
Se calculeaz a bugetul de tensiune, astfel aloc am ec arui tranzistor o tensiune dren asurs a de 1V. Drept urmare, tensiunea de ie sire va Vout =2V. In Figura 10 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a. In aceste condit ii, tensiunile continue din grilele lui M2 si M3 vor :
In t
eg r
b). Pentru un semnal de ie sire cu amplitudinea de 0, 5V , domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire este urm atorul:
Ci r cu ite
c). Circuitul are trei singularit a ti: polul dominant introdus de rezistent a si capacitatea echivalent a a nodului de ie sire, un pol de nalt a frecvent a introdus de nodul intermediar din drena lui M1 si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin CGD1 . Frecvent ele singularit a tilor sunt:
GBW = 300kHz f = p 1 |A0 | gm2 2I fp2 = 3GHz , gm2 = = 1mS = 2CX Vod2 gm1 fzp = = 5, 3GHz 2CGD1
13
ice
(32)
(33)
(34)
(35)
In t
d). Pentru cazul n care rezistent a sursei de semnal este Rss =100, aceast a rezistent a se combin a cu capacitatea CGD1 reectat a la intrare prin efect Miller, si duce la aparit ia unui pol suplimentar. Frecvent a acestuia se calculeaz a conform relat iei: fp3 = 1 = CGD1 1 = 53GHZ gm1 2Rss CGD1 gm2 (36)
Ci r cu ite
Capacitatea CGD1 este reectat a la intrare cu valoarea multiplicat a cu c a stigul tranzistorului afectat de efectul Miller. In aceste condit ii, diagramele Bode se redeseneaz a ca n Figura 12.
eg r
Figura 11
1 gm2
at e
14
180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
An
alo g
ice
40 20 -20 -40 -60 -80 fp1=300kHz fp2=3GHz fzp=5.3GHz fpMiller=53GHz GBW=30MHz A0=40dB
Rezolvare:
a). Din expresia frecvent ei polului dominat se poate determina rezistent a de ie sire, astfel:
Ci r cu ite
6). S a se proiecteze un amplicator inversor cascod a pliat a cu intrarea pe tranzistor PMOS. C a stigul de joas a frecvent a este |A0 | = 46dB (200abs ), frecvent a polului dominant este fp1 = 250kHz , capacitatea de sarcin a CL = 1pF si = 0, 3V 1 . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. Capacitatea parazit a n nodul din drena lui M2 este CX = 200f F , iar capacitatea CGD1 = 50f F . Curentul n ramura de ie sire este de 1,5 ori mai mare ca cel din ramura de intrare I5 = 1, 5I1 . Se recomnad a ca tensiunile de overdrive a tranzistoarelor care nu sunt r aspunz atoare de c a stigul circuitului s a e 200mV. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vcasn , Vcasp si Vbiasp . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a amplitudinea semnalului de ie sire este Vsemn = 0, 7V . c). G asit i singularit a tile circuitului, calculat i frecvent ele lor si trasat i diagramele Bode.
In t
eg r
Figura 12
at e
15
180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d -120d -150d -180d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
An
alo g
ice
VDD
Vbiasp 1,5 I
CL
fp1 =
1 2CL Rout
at e
Figura 13
Rout = 637k
An
(37) (38) I = 35A (39) (40) (41)
Ci r cu ite
Dac a nlocuim rezistent a dren a-surs a si transconductant a de semnal mic cu rDS = 1/I , respectiv gm = 2I/Vod , rezult a o ecuat ie din care se obt ine valoarea curentului I . Trebuie tinut cont de valorile curentilor: I1 = I , I3 = I4 = I5 = 1, 5I si I2 = I1 + I3 = 2, 5I . Tensiunile de overdrive sunt Vod2 = Vod3 = Vod4 = Vod5 = 200mV . Rout = 2I3 1 Vod3 I3 1 1 || I2 I1 || 2I4 1 1 Vod4 I4 I5
Castigul de semnal mic si joas a frecvent a este de forma: |A0 | = Gm Rout = gm1 Rout Gm = gm1 = 314S
Transconductant a de semnal mic a lui M1 se mai poate scrie: gm1 = 2I1 Vod1 Vod1 = 223mV
In t
eg r
16
alo g
Vout
Vin
M1
M4
Vcasp
ice
M5
In tabelul 3 sunt date valorile curent ilor si a tensiunilor de overdrive pentru toate tranzistoarele din schema. M I Vod M1 35A 223mV M2 87, 5A 200mV M3 52, 5A 200mV M4 52, 5A 200mV M5 52, 5A 200mV
An
Vout=1,5V
Folosind setul de referint a se fac c ateva scal ari pentru a dimensiona tranzistoarele din schem a. In urma calculelor va rezulta:
alo g
In t
eg r
Tensiunile dren a-surs a aplicate tranzistoarelor din ramura de ie sire se aleg astfel nc at tensiunea continu a la ie sire s a e 1, 5V (jumatate din tensiunea de alimentare). Vom aloca mai mult spat iu n tensiune tranzistoarelor cascod a, deoarece ele p ar asesc primele regimul de saturat ie, atunci c and tensiunile dren a-surs a scad. O posibil a mp art ire este: VDS 2 = VSD5 = 0, 5V si VDS 3 = VSD4 = 1V . In Figura 14 sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.
VDD
0,5V
Ci r cu ite
Vin
M1 1V
1V
0,5V
Figura 14
at e
M5
Vbiasp
M4
Vcasp
M3
Vcasn
M2
Vbiasn
17
ice
(42)
Tensiunile continue care trebuie aplicate n grilele tranzistoarelor se calculeaz a conform relat iilor (43):
alo g
fp1=250kHz fp2=400MHz fzp=1GHz GBW=50MHz A0=46dB
Vcasn = VGS 3 + VDS 2 = (VT hn + Vod3 ) + VDS 2 = 0, 45 + 0, 2 + 0, 5 = 1, 15V VDD Vbiasp = VSG5 Vbiasp = VDD (|VT hp | + Vod5 ) Vbiasp = 3 0, 45 0, 2 = 2, 35V VDD Vcasp = VSD5 + VSG4 Vcasp = VDD VSD5 (|VT hp | + Vod4 ) Vcasp = 3 0, 5 (0, 45 + 0, 2) = 1, 85V
b). Pentru un semnal de ie sire cu amplitudinea de 0, 7V , domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire este urm atorul: M IN Vout = Vod2 + Vod3 + Vsemn = 1, 1V
at e
An
Ci r cu ite
180d 150d 120d 90d 60d 30d 0d -30d -60d -90d -120d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
Figura 15
In t
eg r
18
ice
(43) (44)
c). Circuitul are doi poli si un zero pozitiv. Frecvent ele acestora se calculeaz a dup a cum urmeaz a:
alo g
R Op Im 0,5V
= 250kHz gm3 2I3 = 525S = = 400M Hz , gm3 = 2CX Vod3 gm1 = = 1GHz 2CGD1
eg r
VDD
at e
7). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a rezistiv a si ie sire simetric a ca n Figura 16 a). C a stigul de joas a frecvent a este |A0 | = 20dB , frecvent a polului dominant este fp1 =2MHz, tensiunea continu a la ie sire este Vout =2V, capacitatea de sarcin a CL =2pF si capacitatea CGD1 =50fF. Lungimea canalului tranzistoarelor este L=1m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor.
VDD 1V
R CL Om M1
In t
Op
Om M1 1,5V M 2
Ip
M2
Im
Ip
Ci r cu ite
Vbiasn
M3
Vbiasn
a)
Figura 16
a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunea de polarizare Vbiasn . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a semnalului de ie sire are 1V v arf la v arf. c). Determinati domeniul de variat ie al tensiunii de intrare.
19
An
R M3
b)
ice
(45)
Curentul prin rezistent a de sarcin a R, se scrie conform legii lui Ohm astfel:
eg r
I VDD Vout = 2 R
at e
An
R = 20k (46) I = 100A (47) gm1 = 500A (48) Vod1 = 200mV (49)
2
Rezolvare:
Ci r cu ite
Dac a scriem transconductant a de semnal mic a tranzistorului M1 , va rezulta valoarea curentului de polarizare: 2(I/2) Vod1
gm1 =
Pentru tranzistorul M5 care implementeaz a sursa de curent ce furnizeaz a curentul de polarizare al etajului diferent ial se alege tensiunea de overdrive Vod5 = 200mV . Tranzistoarele de intrare se dimensioneaz a astfel: 50 10L1 = 50 W1 175m 200m W1 W2 7, 6 = = L1 L2 1
In t
alo g
d). Desenat i caracteristicile de frecvent a (amplitudine si faz a). e). Cum variaz a tensiunea n nodul de circuit care este comun surselor tranzistoarelor de intrare? f ). Modicat i circuitul astfel nc at c a stigul s a r am an a neschimbat, dar banda s a se dubleze. g). Ce se nt ampl a dac a Vbiasn = 600mV ? h). C at este amplitudinea semnalului de ie sire, pentru un semnal la intrare de amplitudine 500mV si frecvent a 1kHz ? i). Dac a Vin = 0, 01sin(125, 66 106 t), c at este amplitudinea semnalului de ie sire? j). Desenat i schema echivalent a de semnal mic corespunz atoare amplicatorului si dat i expresiile parametrilor acesteia.
20
ice
(50)
Tranzistorul M3 are aceea si tensiune de overdrive ca si cele de intrare, dar curentul s au de dren a este dublu. Drept urmare, dimensiunea lui va de dou a ori mai mare dec at a celor de intrare, adic a: 15, 2 W3 = L3 1 Tensiunea Vbiasn se poate calcula:
Vbiasn = VGS 3 = VT hn + Vod3 = 650mV b). Domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire este:
alo g
An
eg r
at e
In Figura 16 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a. d). Circuitul are un pol introdus de nodul de ie sire si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea gril a-dren a a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor sunt:
Ci r cu ite
In t
21
ice
(51)
(52)
(53)
(54)
(55)
f ). Dac a njum at a tim rezistent a de sarcin a si dubl am curentul de polarizare a etajului diferent ial, c a stigul va ram ane constant, iar banda se va dubla.
h). Semnalul de la ie sirea circuitului are urm atoarea form a: vout = |A0 | vin = |A0 | 0, 5sin(2 1kHz t) = 5sin(2 1kHz t) (56)
In condit iiele n care amplitudinea semnalului de ie sire dep a seste tensiunea de alimentare, cum este cazul de fat a, semnalul de ie sire va limitat la 3V. Am tinut cont si de faptul c a ne situ am n banda de frecvent e cu f = 1kHz .
Ci r cu ite
g). Deoarece tensiunea minim a care poate aplicata n grila M3 este VbiasnM IN =VGS 3 +Vod3 =0,65V, rezult a c a 0, 6V nu este de ajuns ca tranzistorul s a r am an a n regimul de saturat ie. Drept urmare, M3 nu va funct iona corect ca surs a de curent, deoarece este n regim liniar.
In t
e). In nodul de circuit care este comun surselor tranzistoarelor de intrare nu avem variat ie de semnal, deoarece acest nod este mas a virtual a.
eg r
Figura 17
at e
22
0d -20d -40d -60d -80d -100d -120d -140d -160d -180d -200d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
An
alo g
ice
i). Semnalul la ie sire se scrie: vout = |A0 | vin = |A0 | 0, 01sin(125, 66M Hz t) = 0, 1sin(2 20M Hz t) (57)
Vin
GmVin CGD2
Rout
An
CL
gm1 = 2mS
CGD1
Figura 18
Rezolvare:
a). Produsul amplicare-band a este de forma: GBW = Gm gm1 = 2CL 2CL (58)
Ci r cu ite
8). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a oglind a de curent si ie sire asimetric a, av and tranzistoare bipolare la intrare. Produsul amplicare-band a este GBW =80MHz, capacitatea de sarcin a CL = 2pF , capacitatea CBC 1 = 40f F , capacitatea total a n nodul comun grilelor oglinzii de curent este CX = 100f F si VEA = 50V . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunea de polarizare Vbiasn . b). Trasat i diagramele Bode. c). Cum se schimb a GBW dac a tranzistoarele bipolare se nlocuiesc cu tranzistoare MOS, avand Vod =200mV.
In t
eg r
23
at e
alo g
Vout
Frecvent a semnalului este f = 20M Hz egal a cu produsul amplicare-band a. Prin urmare, c a stigul circuitului e unitar, iar semnalul de ie sire va avea amplitudinea egal a cu cea a semnalului de intrare, adic a Vout = Vin =100mV.
ice
VDD X
Vout CL Ip Q1 I Vbiasn M5 Q2 Im
Figura 19
gm1 =
I/2 VT
at e
I = 100A
An
(59) W3 W4 12, 6 = = L3 L4 0, 5 (60) W5 7, 5 = L5 0, 5 (61)
20L3 50 = 50 W3
In t
Se fac scal ari pentru aarea geometriei tranzistoarelor MOS. Pentru cele cu canal p, M3 si M4 , avem: 225m 200m
2
Ci r cu ite
Tensiunea din grila lui M5 se calculeaz a ca la problema anterioar a: Vbiasn = 0, 65V . b). Circuitul are patru singularit a ti: polul dominant introdus de nodul de ie sire, un pol si un zero de nalt a frecvent a datorate nodului oglinzii de curent si un zero pozitiv dat de calea directa de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea baz a-colector a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor si produsul amplicare-band a sunt:
eg r
24
Pentru tranzistoarele M3 -M4 din oglinda de curent si pentru M5 care implementeaza sursa de curent, alegem Vod = 200mV .
alo g
ice
M3
M4
An
fp1=140kHz fp2=800MHz fzn=1.6GHz fzp=8GHz GBW=80MHz A0=55dB
alo g
1 VEA 1 fp1 = = 140kHz , Rout = rCE 2 || rDS 4 = || = 285k 2Rout CL I/2 (I/2) gm3 I/2 fp2 = = 800M Hz , gm3 = = 500S 2 C V X od 3 2gm3 flhz = = 1, 6GHz 2CX gm1 fzp = = 8GHz 2CBC 1 GBW = 80M Hz
Ci r cu ite
0d -20d -40d -60d -80d -100d -120d -140d -160d -180d -200d 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz 1.0GHz 10GHz
Figura 20
c). Dac a nlocuim tranzistoarele bipolare de intrare cu tranzistoare MOS si p astr am acela si valoare a curentului, se va modica valoarea lui gm1 conform urm atoarei relat ii:
In t
eg r
at e
25
ice
(62)
gm1 =
1 gmM OS = gmT B 4
(63)
Rezult a c a |A0 | la circuitul implementat doar cu tranzistoare MOS, va sc adea de 4 ori fat a de varianta BiCMOS. 9). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a surse de curent si ie sire simetric a ca n Figura 21 a). Produsul amplicare-band a este GBW = 80M Hz , c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 32dB (40abs ), capacitatea de sarcin a CL = 2pF , capacitatea CGD1 = 50f F si tensiunea de overdrive pentru toate tranzistoarele din schem a Vod = 200mV . Lungimea canalului tranzistoarelor este L=0,5m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vbiasp si Vbiasn . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a semnalului de ie sire are 1, 2V v arf la v arf. c). Desenat i diagramele Bode. d). Presupun and valoarea tensiunii continue la ie sire egal a cu valoarea tensiunii continue la intrare, g asit i valoarea acestora.
at e
Vbiasp Om Ip
VDD M3 Vbiasp CL Om M1
eg r
M4 Op M2
An
VDD 1,3V M3 M1 Vbiasn
In t
Ip
Im
Ci r cu ite
Vbiasn
M5
a)
Figura 21
Rezolvare:
26
alo g
M4 Op VMC=1,7V 0,65V M2 M5 1,05V
b)
ice
Im
GBW =
gm1 = 1mS
(64)
Totodat a, transconductant a de semnal mic a unui tranzistor MOS are expresia: 2(I/2) Vod1 I5 = 100A 2
at e
Vbiasp = 2, 35V
An
W5 15, 1 = L5 0, 5
alo g
gm1 =
I1 = I2 = I3 = I4 =
In t
eg r
Ci r cu ite
c). Circuitul are un pol introdus de nodul de ie sire si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea gril a-dren a a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor sunt:
27
ice
(65)
(66)
(67)
(68)
(69)
d). Pentru a aa valoarea tensiunii continue la ie sire, tinem cont de relat iile: tensiunile de continue la intrare si ie sire sunt egale, Vin = Vout ; amplitudinea semnalului la ie sire este Vsemn = 0, 6V ; tensiunea dren a-surs a este dat a de relat ia: VDS = Vod + V , cu V = 100mV ;
Tensiunea continu a la intrare are expresia: Vin = VGS 1 + VDS 5 = (VT hn + Vod ) + (Vod + V ) = 0, 95V (70)
Ci r cu ite
tensiunea gril a-surs a se scrie: VGS = VT h + Vod ; tensiunea de overdrive a tuturor tranzistoarelor din schem a este Vod = 200mV ; tensiunea de prag at at pentru tranzistoarele PMOS, c at si pentru cele NMOS este VT hn = |VT hp | = 450mV
In t
eg r
Figura 22
at e
28
An
alo g
ice
40 30 20 10 0
alo g
In Figura 21 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.
10). S a se proiecteze un amplicator diferent ial cu sarcin a surse de curent cascod a ca n Figura 23 a). Intrarea se face pe tranzistoare PMOS, iar ie sirea este simetric a. Produsul amplicare-band a este GBW = 80M Hz , c a stigul de joas a frecvent a |A0 | = 32dB (40abs ), capacitatea de sarcin a CL = 2pF , capacitatea CGD1 = 50f F si tensiunea de overdrive pentru toate tranzistoarele din schem a Vod = 200mV . Lungimea canalului tranzistoarelor de intrare si a celor cascod a este L=0,5m, iar restul au L=1m. In Tabelul 2 sunt dat i parametrii de referint a ai tranzistoarelor. a). Dimensionat i tranzistoarele si g asit i tensiunile de polarizare Vbiasn , Vcasn si Vbiasp . b). Determinat i domeniul de variat ie al tensiunii de ie sire, dac a semnalului de ie sire are 0, 8V v arf la v arf. c). Desenat i diagramele Bode. d). Dac a valoarea tensiunii continue la ie sire este egal a cu valoarea tensiunii continue de intrare, Vout = Vin , g asit iti o posibil a valoare pentru acestea. Se tine seama c a VDS = Vod + V , unde V = 100mV .
Ci r cu ite
In t
VSD3,4 = VDD Vout = 3 1, 7 = 1, 3V , VSD3 > Vod VDS 5 = Vin VGS 1 = 1, 7 (0, 45 + 0, 2) = 1, 05V , VDS 5 > Vod VDS 1,2 = VDD VSD3 VDS 5 = 3 1, 3 1, 05 = 0, 65 , VDS 1 > Vod
eg r
at e
Acum putem calcula tensiunile dren a-surs a a tuturor tranzistoarelor din schem a si vom verica dac a tranzistoarele sunt saturate.
An
Tensiunea continu a la ie sire se alege aproximativ la mijlocul intervalului (1,2; 2,1). O posibila valoare ar Vout =1,7V. Atunci si valoarea tensiunii continue la intrare e Vin =1,7V.
29
ice
(72) (73)
VDD M7 0,85V
Ip
Im
Ip
1V
M6
An
M5 0,5V
Vbiasn
a)
at e
b)
Rezolvare:
Ci r cu ite
a). Deoarece specicat iile sunt acelea si ca la problema 9), va rezulta aceea si valoare a curentului prin ramurile etajului diferent ial I1 = I2 = I3 = I4 = I5 = I6 = I7 /2 = 100A, ca la problema precedent a. Mai stim c a tensiunea de overdrive este Vod = 200mV pentru toate tranzistoarele din schem a. Pentru dimensionarea tranzistoarelor se fac scal ari. Astfel, rezult a: W1 W2 25, 3 W7 25, 3 = = , =4 L1 L2 0, 5 L7 1 W3 W4 7, 5 W5 W6 15, 1 = = , = = L3 L4 0, 5 L5 L6 1
In t
eg r
Figura 23
alo g
VCM=1,5V Op M4 M6
0,65V
M2
Vbiasn = VGS 5 = 0, 65V Vcasn = VGS 3 + VDS 5 = 1, 15V VDD Vbiasp = VSG7 Vbiasp = 2, 35V
30
ice
Im
Vbiasp
Vbiasp
(74)
(75)
Observat ie: valoarea tensiunii VDS 5 se calculeaz a la punctul d). b). Domeniul de variat ie a tensiunii de ie sire este:
Ci r cu ite
c). Circuitul are un pol introdus de nodul de ie sire si un zero pozitiv datorat c aii directe de semnal dintre intrare si ie sire prin capacitatea gril a-dren a a tranzistoarelor de intrare. Frecvent ele singularit a tilor sunt:
In t
eg r
at e
An
31
40 30 20 10 0
alo g
fp1=2MHz fzp=3.2GHz GBW=80MHz A0=32dB
ice
(76)
(77)
Diagramele Bode sunt trasate n Figura 24. d). Tensiunea continu a la intrare are expresia:
M IN Vout = 2(0, 2 + 0, 1) + 0, 4 = 1V
An
(80)
Tensiunea continu a la ie sire se alege aproximativ la mijlocul intervalului (1V, 2V ). O posibil a valoare ar Vout =1, 5V . Atunci si valoarea tensiunii continue la intrare este Vin = 1, 5V . In Figura 23 b) sunt marcate tensiunile dren a-surs a pentru ecare tranzistor din schem a.
Ci r cu ite
VSD7 = VDD VSG1 Vin = 3 (0, 45 + 0, 2) 1, 5 = 0, 85V VDS 3 + VDS 5 = Vout = 1, 5V aleg VDS 3 = 1V , VDS 5 = 0, 5V VSD1 = VDD VSD7 VDS 3 VDS 5 = 0, 65V
In t
Acum putem calcula tensiunile dren a-surs a a tuturor tranzistoarelor din schem a:
eg r
at e
alo g
32
ice
(81)