Sunteți pe pagina 1din 8

Elemente de electronic analogic

Jonciunea pn cu tensiune aplicat



Regim de echilibru termodinamic:



- 4 componente ale curentului
- numrul de purttori care difuzeaz (purttori care nving bariera de
potenial) depinde de
0
U ;

0 = + =
nm nM pm pM D
i i i i i

Se aplic tensiune invers:

Elemente de electronic analogic


Fizic: la polarizare invers, nu exist difuzie de purttori, dar n imediata
vecintate a regiunii de trecere apare o generare termic de perechi de
purttori care sunt antrenai de cmpul electric; astfel, curentul invers este
un curent de generare.

0 < + =
nm nM pm pM D
i i i i i

Se aplica tensiune direct:

Fizic: la polarizare direct, n imediata vecintate a regiunii de trecere, n
zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu triesc mai mult de
p
t i nu
ptrund mai mult de
p
L . La fel pentru electronii din zona P. Apare o
recombinare puternic n ambele zone i se obtine curentul direct care este
un curent de recombinare.

0 > + =
nm nM pm pM D
i i i i i

Concluzie: curentul prin jonciune depinde de tensiunea de la bornele
jonciunii. Intereseaz o expresie de forma:

| | 1 ) ( 1 =
|
|
.
|

\
|
=
D pm
pm
pM
pm pm pM
u f i
i
i
i i i

cu condiia: 1 ) 0 ( = f
La fel i pentru electroni.
Rezult curentul prin jonciune de forma:

| | | | | | 1 ) ( 1 ) ( 1 ) (
0
= + =
D D nm D pm D
u f I u f i u f i i

0 pm nm
I i i = +
curent de saturaie
Elemente de electronic analogic



Deducerea caracteristicii curent-tensiune

Aproximaii pentru calcul:
- jonciunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu
i
n ;
- fluxuri unidimensionale de purttori;
- regiunea de trecere complet golit de purttori;
- n regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare;
- lungimile de difuzie sunt mai mici dect lungimile zonelor neutre
(diod groas);
- jonciune abrupt;
- se neglijeaz rezistenele zonelor neutre;
- se neglijeaz efectele de suprafa;
- se consider temperaturi ambiante; impuritile sunt ionizate
complet.

Densitatea curentului electric este aceeai n orice seciune:



- Pentru: < < + x l L
n p
- purttorii de sarcin sunt numai
electroni; exist curent de cmp;

- pentru:
n p n
l L x l + < < - componenta de difuzie a golurilor
- componenta de cmp a electronilor
- pentru:
n p
l x l + < < - se neglijeaz generarea -
recombinarea de purttori; densitile de curent rmn constante;
- similar n zona P

Elemente de electronic analogic


Condiii la limit:
Lungimea regiunii de trecere se obine dac:
D
u U U
0 0
, adic:

0
0
'
0
1
2
U
u
l
n p
n p
q
U
l
D
n p
n p
=
+
=
c

- polarizare direct:
0
l l < ;
- polarizare invers;
0
l l > .

La limitele zonei de trecere concentraiile de purttori vor fi:
kT
D
qu
n
kT
D
qu
kT
qU
p
kT
qU
p n
e p e e p e p l p = = =

0
'
0
) (

kT
D
qu
p
kT
D
qu
kT
qU
n
kT
qU
n p
e n e e n e n l n = = =

0
'
0
) (

- condiii la limit de tip Shockley
- injecie de purttori

Densitatea de curent va fi:

p n D
j j j + =
dif p camp p p dif n camp n n
j j j j j j + = + =

n semiconductorul P, n p >> :

dx
dn
qD E qp E qn
dx
dn
qD E qp j
n p p p n n p p D
+ ~ + + =

(curent de cmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de
cmp de goluri neglijabil);

Elemente de electronic analogic


La fel, n semiconductorul N, p n >> :
dx
dp
qD E qn j
p n n D
~

Continuitate n regiunea de trecere:

p
l x
p p
p
l x
n D
E qp
dx
dn
qD j
=
=
+ =

n
l x
n n
n
l x
p D
E qn
dx
dp
qD j
=
=
+ =

Dar:
n
l x
p
p
l x
p p
dx
dp
qD E qp
=
=
=
Rezult:
p
l x
n
n
l x
p D
dx
dn
qD
dx
dp
qD j
= =
+ =

Ecuaia de continuitate, n regim staionar i pentru flux unidimensional
de purttori:

0
1
0
=

=
c
c
dx
dj
q
p p
t
p
p
p
t
cu
dx
dp
qD x j
p p
= ) (

Rezult:

0
1
0
=
|
.
|

\
|

dx
dp
qD
dx
d
q
p p
p
p
t
cu ) (x p p = si:
Elemente de electronic analogic


0
) ( ) (
2 2
2
=

p
n
L
p x p
dx
x p d

Soluia:
p
L
x
p
L
x
n
Be Ae p x p + + =

) (

cu condiia la limit: 0 ) ( = B p x p x
n

Deci:
p
L
x
n
Ae p x p

+ = ) (
Condiia la limit Shockley:
kT
D
qu
n n n
e p l p l x = = ) ( ;
Rezult:
p
L
n
l
kT
D
qu
n
e e p A ) 1 ( = ;
Deci:
p
L
n
l x
kT
D
qu
n n
e e p p x p

+ = ) 1 ( ) ( .

Pentru:
n D
p x p u = = ) ( 0 (echilibru termodinamic)

Pentru: 0 >
D
u apare concentraia n exces care dispare dup
p
L x > .

Se calculeaz curentul de goluri:
) 1 ( )
1
)( 1 (
) (
= =
= =
=

=
kT
D
qu
p
n p
n
l x
p
L
n
l x
p
kT
D
qu
n p
n
l x
p n p
e
L
p qD
e
L
e p qD
dx
dp
qD l j

Elemente de electronic analogic


Analog:
) 1 ( ) ( =
kT
D
qu
n
p n
p n
e
L
n qD
l j
Rezult:
) 1 ( ) 1 ( + =
kT
D
qu
n
p n
kT
D
qu
p
n p
D
e
L
n qD
e
L
p qD
j
D
A fiind aria transversal a jonciunii:
D D
Aj i =

) 1 (
|
|
.
|

\
|
+ =
kT
D
qu
n
p n
p
n p
D
e
L
n qD
L
p qD
A i

) 1 (
0
=
kT
D
qu
D
e I i cu :
|
|
.
|

\
|
+ =
n
p n
p
n p
L
n qD
L
p qD
A I
0

(
0
I
curentul de saturaie)

Reprezentarea grafic:


- pentru ) 26 ( 0 mV
q
kT
q
kT
u u
D D
= >> > la
temperatura ambiant, rezult:
kT
D
qu
D
e I i
0
= ;
Elemente de electronic analogic


- pentru
q
kT
u u
D D
>> < 0 , rezult:
0
I i
D
=

Semnificaia curentului de saturaie:
0
I

2
2 2
0
1 1
i
a n
n
d p
p
a
i
n
n
d
i
p
p
n
p n
p
n p
n
N L
qD
N L
qD
A
N
n
L
qD
N
n
L
qD
A
L
n qD
L
p qD
A I
|
|
.
|

\
|
+ =
=
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
.
|

\
|
+ =

Deoarece:
kT
W
i
e T ct n
A

=
3 2
. , rezult:
kT
W
e T ct I
A

=
3
0
.

Concluzii:
-
0
I se dubleaz la fiecare C
0
10 pentru Ge i la C
0
6 pentru Si.
-
0
I este mult mai mic la Si dect la Ge (circa 3 ordine de mrime).