P. 1
AO_full.pdf

AO_full.pdf

|Views: 14|Likes:
Published by corado33
using AO
using AO

More info:

Published by: corado33 on Nov 04, 2013
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

07/30/2014

pdf

text

original

DISPOZITIVE ELECTRONICE

2 C Prof.dr.ing. Gabriel Oltean 2 L - Sala 329

Obiectivele cursului
Dezvoltarea abilităţilor pentru:
analiza şi înţelegerea principiilor de funcţionare ale
dispozitivelor electronice

utilizarea dispozitivelor în diverse circuite electronice analiza şi (re)proiectarea de circuite electronice simple

Descriere curs
structură unitară - aceeaşi metodologie de tratare pentru
dispozitivele electronice : diode, tiristoare, amplificatoare operaţionale şi tranzistoare.

principiul de funcţionare - model puternic simplificat (ideal). se revine cu modele mai complexe, sau se studiază efectele
proprietăţilor neideale şi eventuale mijloace de contracarare a lor.

Descriere curs
sunt deduse modurile de utilizare ale fiecărui dispozitiv: în
comutare (toate dispozitivele), respectiv în conducţie permanentă (diode) sau ca amplificator (amplificatoare operaţionale şi tranzistoare).

pentru fiecare dispozitiv este analizat mai întâi modul de
utilizare în comutare, iar mai apoi modul de utilizare în conducţie permanentă sau ca amplificator.

utilitatea dispozitivelor electronice: aplicaţii reprezentative.

Conținut
Relaţii si teoreme de circuite electrice Condensatorul şi bobina Generalizarea relaţiilor si teoremelor de circuite electrice Circuite RC - răspunsul în timp și în frecvenţă

Semnale electrice

FUNDAMENTE

Diode:

Tipuri, principiul de functionare, caracteristici, parametri. Circuite cu diode. Dioda Zener
TIRISTOARE

Conținut
Amplificatorul operational (AO):

AO ideal, principiul de functionare, caracteristici, parametri. Moduri de utilizare Comparatoare de tensiune cu AO. Amplificatoare cu AO.

Conținut
Tranzistoare (cu efect de camp si bipolare):

Tipuri, principiul de functionare, caracteristici, parametri. Circuite cu tranzistoare in comutare. Circuite digitale cu tranzistoare

Desfășurare activitate curs
Implicare cat mai mare a studentilor Fiecare student pregateste (invata) apriori tematica cursului Curs: prezentare teorie, dezbatere, intrebari, comentarii, schimburi
de idei, rezolvare probleme, etc.

http://www.bel.utcluj.ro/dce/didactic/de/de.htm
prezentări de curs lucrări de laborator tematica pentru examen exemple de probleme date la examene diverse

Notare
Examen scris final (E) + Laborator (L) + Teste (T) E: scris – teorie 20% + probleme 80%: 0…10 puncte L: prezenta integrală + activitate + test: 0…10 puncte T: 3 teste la curs: 0…10 puncte
L ≥5 p
DA

E ≥ 4p

DA

0,6E+0,2L+0,2T ≥ 4.5
DA

Nu susține examen

Nota =1… 4 Respins

Nota=0,6E+0,2L+0,2T+1 Admis

Fundamente

Text integral

Scopul capitolului

Să fim înarmaţi cu mijloace şi instrumente de lucru potrivite înţelegerii principiilor de funcţionare ale dispozitivelor electronice şi a principalelor lor aplicaţii.

2 / 21

Conţinut
semnale electrice relaţiile şi teoremele utilizate în circuitele electronice surse de tensiune şi curent componente pasive circute RC - comportare in timp si in frecventa
3 / 21

Semnale electrice

4 / 21

Surse Notaţii

5 / 21

Relatii si teoreme de circuite electrice
Legea lui Ohm Teoremele lui Kirchhoff (TKV si TKI) Conectarea rezistoarelor Divizoare rezistive

6 / 21

Metoda suprapunerii efectelor

V0 = V01+V02
7 / 21

Teorema lui Thevenin (generatorul echivalent de tensiune)

8 / 21

Teorema lui Millman (potenţiale la noduri)
Teorema lui Millman (potenţiale la noduri)

VN = ?

9 / 21

Puterea. Transferul de putere

10 / 21

Condensatorul si bobina Relaţia tensiune – curent Conectarea serie şi paralel Comportarea în cc Comportarea în ca

11 / 21

C in domeniul timp
iC vC Relația de definiție între tensiune și curent

C

CdvC (t ) = iC (t )dt
Considerând variații finite:

CΔvC = iC Δt

12 / 21

Circuit RC – comportarea în timp
Circuit RC cu sursă de tensiune continuă

RiC (t ) + vC (t ) = vI (t )

CdvC (t ) = iC (t )dt

vI

dvC (t ) iC (t ) = C dt
dvC (t ) + vC (t ) = vI (t ) RC dt
−t
13 / 21

τ = RC - constanta de timp
−t

vC (t ) = vC (0)e τ + (1 − e τ )vC (∞)

Circuit RC cu sursa de tensiune continua
−t −t

vC (t ) = vC (0)e τ + (1 − e τ )vC (∞)
vC (∞) vC (t )

vC (0)

14 / 20

Circuit RC cu sursa de tensiune dreptunghiulară

−t

−t

vO (t ) = vO (0)e τ + (1 − e τ )vO (∞)

vO (t ) = ?
15 / 21

T T 5τ << ; τ << 2 10

T 5τ = 2

16 / 20

τ >> T
A

Calculeaza valoarea medie a tensiunii de intrare

B

A

B

17 / 20

Încărcarea C la curent constant

CdvC (t ) = iC (t )t
1 vC (t ) = ∫ iC (t )dt + vC (0) C0
1 vC (t ) = It + vC (0) C
18 / 21

t

Descrierea C, L în domeniul frecvență

2π ω = 2πf = T
Reactanţa

1 ; pentru condensator XC = ωC X L = ωL; pentru bobină
Z = R + j(X L − X C )

Impedanţa

Z C = R − jX C ;
Elemente reactive ideale

Z L = R + jX L

1 Zc = ; jωC

Z L = jωL
19 / 21

Circuit RC - răspunsul în frecvenţă
Filtru pasiv trece jos (FTJ)

vO ( jω ) 1 F ( jω ) = = vI ( jω ) 1 + jωRC
F ( jω ) = 1 1 + (ωRC )
2

Funcția de transfer

Φ(ω ) = −arctg(ωRC)
20 / 21

Reprezentarea răspunsului în frecvenţă

FTJ
F ( jω ) = 1 1 + jωRC

21 / 21

Diode
1/18

Introducere

Simbol

Asocierea sensurilor pentru curent şi tensiune

2/5

Dioda ideală
Modelul ideal (dioda ideală ) conţine doar proprietatea de conducţie unilaterală a curentului

Caracteristica diodei ideale

3/5

Dioda ideală
Dioda ideală se comportă ca un comutator automat care interzice total trecerea curentului dacă tensiunea la borne este negativă (b), respectiv permite trecerea curentului dacă tensiunea la borne tinde să devină pozitivă (c). Modele echivalente ale D ideale

Conductie

Blocare
4/5

Regimuri de functionare
Regim de comutare - dispozitivul comută (automat,
semicomandat sau comandat) între două stări extreme:

blocare, când împiedică complet trecerea curentului conducţie puternică când permite trecerea curentului, valoarea acestuia fiind stabilită de alte elemente din circuit (surse, R, C,etc.)

Regim de conducţie permanentă (moderată) când
dispozitivul controlează (determină) valoarea diferită de zero a curentului ce trece prin el.

5/5

Diporţi DR în comutare

Analiza diporţilor DR CSTV - caracteristica statică de transfer în tensiune
 se consideră toate situaţiile posibile din combinarea stărilor de conducţie şi blocare ale diodelor în circuit  pentru fiecare situaţie se determină : • • • schema echivalentă valoarea vO domeniul de valori ale vI pentru situaţia respectivă

 se desenează CSTV.

Exemplificare

vD < 0

iD = 0

iD > 0

vD = 0

vO = 0 v D = v I − vO vI < 0

vI iD = R

vO = v I

vI > 0

vO =
CSTV – Caracteristica statica de transfer in tensiune
Aplicatie: redresor moonoalternanta

0

vI < 0

vI

vI > 0

Exemplificare

4/12

iD Problema vD

a) Cum arata tensiunea de iesire daca la intrare se aplica o tensiune sinusoidala cu amplitudine de 3V si componenta continua de 2V? b) Care este valoarea de vârf a curentului direct prin dioda, daca

R=2kΩ?
c) Care este valoarea de vârf a tensiunii inverse vDR pe dioda

(vDR=- vD)?
d) Repetati punctele a) si b) daca componenta continua la intrare devine -4V e) Repetati rezolvarile anterioare daca se inverseaza modul de conectarea al diodei in circuit.

Alte modalităţi de conectare
 Inversarea locului diodei si rezistenţei  Iesirea de pe D
Diport DR, conectare paralel ?

?
Structura echivalentă pentru situaţie de avarie

vI > 0

Important Niciodată nu vom conecta o sursă de tensiune astfel încât în timpul functionării normale a circuitului să fie pusă în scurtcircuit

Diporţi cu rezistenţă de sarcina
Optional

Care sunt efectele RL asupra CSTV si tensiunii de iesire ? Aceasi CSTV Comparatie

Modelul diodei cu cădere de tensiune constantă in conductie

Pentru polarizarea directă vD>0:  când vD < 0,7V; D-(b);  când vD = 0,7V; D-(c); iD=0 iD>0

Efectul căderii de tensiune pe dioda in conducţie

9/12

Exemplificare

10/12

Aplicaţii ale diporţilor DR
Redresoare monoalternanţă

Aplicaţii ale diporţilor DR
 Selector de impulsuri

Aplicaţii ale diporţilor DR
 Limitatoare de tensiune
Pentru D se considera modelul cu cadere de tensiune constanta

Multiporţi DR în comutare
Multiporţi de maxim spaţial vO = ?

vA < vB vO = vB

vA > vB vO = vA

vO (t)= max(vA(t); vB(t))

vO= max(vA , vB , 0). vO= max(vA – 0,7; vB – 0,7V; 0).
D- ideala D – cu cadere de tensiune Care este curentul maxim prin fiecare element de circuit si in ce moment de timp se obtine daca R=5kΩ? In ce domeniu poate lua valori R daca valoarea de varf a curentului direct prin diode este de 200mA?

Multiporţi de minim spaţial

vO= min(vA, vB, VAl) vO= min(vA+ 0,7V, vB+ 0,7V, VAl) vO(t) ?

Aplicaţii ale multiporţilor DR
Redresare dublă alternanta
~

alternanta pozitiva, vI >0
D1, D3 – (c)
+

D2, D4 – (b)

alternanta negativa, vI <0
D1, D3 – (b) D2, D4 – (c)

~

vI>0V

vI<0V

Redresare bialternanță utilizând transformator cu priza mediană

Alimentarea de rezervă de la baterie

Circuite logice DR
Semnal analogic logic

“0” logic “1” logic

fals
sau

scăzut
sau

adevărat

ridicat

0V→ “0”logic 10V→”1”logic

Circuit “SAU” cu două intrări

tabel de functionare electrica

tabel de adevar

Circuit “SI” cu trei intrări

Diporţi DC în comutare
Proprietătile de regim static (cum ar fi CSTV) ale diportului DC nu prezintă interes în aplicaţii. Este util să studiem comportarea lor în domeniul timp, în regim variabil.

Diporţi DC de extrem temporal

Există doar 2 situații distincte în funcție de starea diodei

1. Dacă vD tinde să fie pozitivă, D – (c), vC(t) crește 2. Dacă vD<0V, D – (b) vC (t)=constant
1 /13

Detector de vârf pozitiv

vO (t) = vC (t) vD (t) = vI (t) – vO(t)
Cum arată vO(t) și vD(t) dacă vI(t) este sinusoidală cu amplitudine de 6V și componentă continuă de a) 0V b) +2V c) -7V ?

2 /13

Diporţi DC de translație

vO(t) = vD(t) =vI(t)-vC(t)
Translație spre valori negative

3 /13

Ce aplicație realizează circuitul?

vO (t) = vI (t)+vC(t) vC (t) > 0
Translatie spre valori pozitive

4 /13

Aplicaţii ale diporţilor DC
 Dublor de tensiune
 tensiune continua la iesire  tensiunea de iesire este dublul amplitudinii tensiunii de intrare

Solutia 1

5 /13

• Dublor de tensiune solutia 2

translatie spre valori pozitive

detector de varf pozitiv

Cronogramele sunt pentru regimul permanent

V+

V-

C1 V01 Vi 22n D1 D1N4448

V

D2 V02 D1N4448 C2 22n

V1 = +5V V2 = -5V PER = 1ms

0

V

V

7 /13

V+

V-

V

C1 V01 Vi 22n D1 D1N4448

D2 V02 D1N4448 C2 22n

V1 = +5V V2 = -10V PER = 1ms

0

V

V

8 /13

Triplorul de tensiune - facultativ

9 /13

Redresoare cu filtru capacitiv

RC >> T

pentru

ˆ ∆v << V I
ˆ V I= I R

Curentul de descarcare poate fi aproximat

∆t d = T − ∆ti ≈ T

∆v

C∆v = I∆t

T ˆ ∆v = VI RC

1 ˆ ∆v = VI fRC

- ondulatie (riplu)

10 /13

Exemplificare
ˆ = 10V f=50Hz, RL = 100Ω V I

C=?

∆v < 1,5V ˆ V ∆v = I < 1,5V fRC

ˆ V 10 I C> = = 1333μF 1,5VfR 1,5 ⋅ 50 ⋅100

C > 1333μF
Alegem un condensator electrolitic C=1500µF/25V

Ce valoarea are ondulația rezultată? Cum se modifica C dacă se dorește reducerea la jumătate a ondulației? Repetați rezolvarea pentru redresare bialternanță.

11 /13

Demodulator pentru modularea în amplitudine.
(Detector de anvelopă)

12 /13

Restabilirea componentei continue - facultativ

Ca şi aplicaţie considerăm un semnal dreptunghiular care a fost transmis pe o linie cu cuplare capacitivă. Datorită cuplării capacitive semnalul şi-a pierdut componenta continuă iniţială. După trecerea prin circuitul de translaţie spre valori pozitive nivelul de curent continuu al semnalului este restabilit.
13 /13

Circuite cu diode în conducţie permanentă
Curentul prin diodă şi tensiunea pe diodă sunt legate prin ecuaţia de funcţionare a diodei

o cădere de tensiune pe diodă determină
valoarea curentului prin ea

o valoare a curentului prin diodă determină
căderea de tensiune pe ea

Caracteristica diodei
Caracteristica curent-tensiune, pentru o diodă semiconductoare cu Si.

i D = I S (e

vD nVT

− 1)

Modelul exponential
Valabil in polarizare directa

IS – curent de saturatie (~ nA) KT VT = 25 mV (aprox 20OC) tensiune termica VT = q

vD > 0

n=2 diode discrete n=1 diode integrate

iD ≅ I S e

vD nVT

Tensiune de prag VP ≈ 0,6V

Dependenţa de temperatură
iD ≅ I S e
vD nVT

IS, VT - depind direct de temperatura
la curent constant, la o creştere a

temperaturii cu 10C , tensiunea pe diodă scade cu 2mV coeficient termic negativ

CT = −2mV/ C

Ο

v D (T2 ) = v D (T1 ) + CT ⋅ (T2 − T1 ) I

D − cst

Analiza circuitelor cu diode

Care este punctul satatic de functioanare al D ? ID=? VD=?

VI = I D R + VD

ID = ISe

VD nVT

Ecuaţie transcendentă

VI − VD = RI S e

VD nVT

Două metode aproximative de rezolvare: 1. Metoda grafică 2. Metoda analitică (aproximări succesive)

Metoda grafică
Ecuatia dreptei de sarcina:

VI = I D R + VD
Ecuatia diodei:

ID = ISe

VD nVT

Metoda grafică
Efectul rezistentei asupra PSF (punct static de functionare)

Metoda analitică
1. Se consideră o valoare iniţială a tensiunii pe diodă, de ex. VD(0) =0,7V şi se determină curentul prin diodă ID(0) folosind ecuaţia dreptei de sarcină. (VD(0), ID(0)) – soluţia initiala 2. Cu valoarea ID(0) se calculează tensiunea pe diodă din ecuaţia diodei VD(1), apoi curentul ID(1) din ecuaţia dreptei de sarcină.
(VD(1) , ID(1)) – soluţia dupa prima iteraţie Dacă este necesară o precizie mai bună se mai efectuează alte interaţii.
In analiza manuala, rapida se utilizeaza in general solutia initiala !

Metoda analitică - Exemplu
Se considera VI=3V, R=0,5KΩ, iar D este 1N400x cu IS=14nA şi n=2.

VD = nVT ln

ID IS

(0) VD = 0,7V

V − VD ID = I R

(0) ID =

3 − 0,7 = 4,6 mA 0,5

(0) 4,6mA I (1) D = 2 ⋅ 0,025⋅ ln = 0,635 V VD = nV T ⋅ ln 14nA IS

(1) ID

(1) VI − VD 3 − 0,635 = = = 4,73mA R 0,5

( 2) VD

(1) ID 4,73mA = n ⋅ VT ⋅ ln = 2 ⋅ 0,025 ⋅ ln = 0,637 V 14nA IS
( 2) VI − VD 3 − 0,637 = = = 4,726mA R 0,5

( 2) ID

Metoda analitica - exemplificare

Consideram VI=3V, R=0,5KΩ, D este 1N400x cu IS=14nA si n=2. Care este punctul satatic de functioanare al D ?
Analiza rapida, de ordinul unu:

VD > 0,6V

D – (on)

Consideram VD = 0 ,7 V caderea de tensiune pe dioda in conductie

3 − 0 ,7 VI − VD ID = ID = = 4 ,6mA R 0 ,5

Q( 0 ,7 V , 4 ,6mA )

Analiza detaliata:
(0) VD = 0.7V

OPTIONAL

ID =

VI − VD R

VD = nVT ln

ID IS

I

(0) D

3 − 0.7 = = 4.6 mA 0.5

(0) 4.6mA I (1) D = 2⋅ 0.025⋅ ln = 0.635 V VD = nV T ⋅ ln 14nA IS

(1) ID

(1) VI − VD 3 − 0.635 = = = 4.73mA R 0 .5

(2) VD
( 2) ID

(1) ID 4 .73 mA = n ⋅ VT ⋅ ln = 2 ⋅ 0 .025 ⋅ ln = 0 .637 V IS 14 nA
( 2) VI − VD 3 − 0.637 = = = 4.726 mA R 0 .5

Q (0.637 V, 4.726mA)

Parametrii diodei
Parametrii se definesc in punctul static de functionare (PSF)

Parametrii statici – se definesc in regim static (c.c.) Parametrii diferenţiali – se definesc in regim variabil
de semnal mic

(parametrii de semnal mic)

Parametrii statici
VD rD = ID Q
rezistenţa statică a diodei conductanţa statică a diodei

gD =

1 ID = rD VD

Exemplu: 0 ,7 = 42 Ω Q1(0,7V; 16,8mA) r D 1 = 16 , 8 Q2(0,65V; 2,3mA)
rD 2 0,65 = = 283 Ω 2,3

gD1=24mS gD2=3,5mS

Cu cresterea curentului, dioda este in conductie mai puternica, asadar rezistenta statica este mai redusa.

Parametrii diferenţiali (de semnal mic)
Un semnal variabil mic este suprapus peste marimile de cc OPTIONAL

vD(t)= VD+vd(t)
iD(t)=ID+id(t)

Rezistenta diferentiala:

vd rd = id

Q

δv D rd = δi D

Q

nVT rd = ID

Aproximarea de semnal mic:
regiune liniară in jurul lui Q

Interpretarea rD şi rd

OPTIONAL

Modelarea diodei in PSF curent continuu semnal mic (variatii)

Exemplificare
vi

OPTIONAL

a) Care este circuitul echivalent in curent continuu? b) Considerand Q(0,64V; 4,7mA), ce valoare are rezistenta statica? c) Ce valoare are rezistenta de semnal mic in Q? d) Care este circuitul echivalent pentru variatii? e) Cum arata cronogramele vD(t), si iD(t)?

LED - Light-Emitting Diode
Diodă emițătoare de lumină
A vD K iD

• principial se comporta ca o dioda obisnuita • 1,5V - 2,5V - caderea de tensiune in conductie • cand este in conductie LED-ul emite radiatii luminoase: rosu, galben, verde, albastru, alb (infrarosu – telecomanda) • tipic 5mA - 20mA prin LED

Currentul prin LED?

Dioda Zener

Factorul relativ de stabilizare al DZ

ΔvZ VZ FZ = Δ iZ IZ

rz FZ = rZ

Exemplificare
Pentru trei diode de 0,4 W la acelaşi curent nominal IZ = 5 mA avem :

1) DZ 3V6 2) DZ 5V1 3) DZ 10
FZ 1

VZ = 3,6V; VZ = 5,1V; VZ = 10V;

rzmax = 95Ω; rzmax = 60Ω; rzmax = 15Ω;

rZ = 0,72 KΩ rZ = 1,02 KΩ r Z = 2 KΩ

95 = = 0,132 720

FZ 2

60 = = 0,059 1020
FZ 3

15 = = 0,0075 2000

Domeniul de stabilizare al DZ
Pd max = VZ

I Z max

VZ @ I Z

Dependenţa de temperatură
Diodele Zener au un coeficient de temperatură CT care depinde atât de tensiune cât şi de curentul la care lucrează. Diodele cu efect Zener (2…5V) au un coeficient de temperatură negativ (la creşterea temperaturii scade VZ,). Diodele cu multiplicare în avalanşă au coeficient de temperatură pozitiv. În particular diodele Zener cu VZ = 5,1V, au CT~0mV/°C la curent mic. Pe de altă parte pentru DZ de 6,8V, au CT ~ 2mV/°C.

Echivalentul unei diode Zener de 7,5V cu coeficientul de temperatură foarte scăzut.

Aplicaţii ale DZ
Stabilizator parametric de tensiune – studiem la CEF Referință de tensiune Limitatoare duble de tensiune Ajustarea nivelului de curent continuu al unui
semnal variabil

Stabilizator parametric de tensiune

VI − VZ iz = − IO R
Exercițiu

VI − VZ R= I Znom + I O

vI ≈ 12V, VO = 7.5V, I O = 70mA R=?

Referinţa de tensiune

Io << Iz

Limitatoare duble de tensiune

circuite de protectie

vI > VZ , DZ − (c) in regiunea de polarizare inversa (stabilizare a tensiunii), vO = VZ − 0,7 < vI < VZ , DZ − (b ), vO = vI
vI < −0,7 V , DZ − (c) in regiunea de polarizare directa, vO = −0 ,7 V

-VZ -0,7V

Ajustarea componentei continue a unui semnal variabil
OPTIONAL

AMPLIFICATOARE OPERATIONALE - AO

Amplificatoare operationale (AO)
CI ce conţin un număr relativ mare de tranzistoare şi componente pasive (în general rezistoare) pe aceeaşi pastilă de siliciu (popularul 741 conţine 24 T, 12 R, 1C); Sunt împachetate în diverse capsule de plastic sau metal ce prezintă mai multe terminale (8,14 sau 16); Foarte populare datorita versatiliatii lor; AO are caracteristici la terminale care il fac sa se comporte ca un amplificator (aproape) ideal; Optimizate pentru viteză / precizie / zgomot redus / consum redus / amplificare mare / excursia maximă a ieşiri (linie la linie) / stabilitate termică / tensiuni reduse de alimentare, etc; Studiul din p.d.v. al caracteristicilor la terminale si al principalelor aplicatii

Terminalele AO

Terminale de semnal

Conectarea in circuit
Observatie: În multe circuite nu se desenează terminalele de alimentare ale AO ci doar intrările şi ieşirea, considerându-se implicit că există o alimentare corectă.

Funcţionarea AO

vD = v − v

+

_

vO = av D
a - amplificarea proprie a AO
Modelul pentru variatii
Rezistența de ieșire
• tensiunea de intrare

vD

• dacă nici una dintre intrări nu este legată la masă nu avem un terminal comun între intrare şi ieşire

Rezistența de intrare

sursa de tensiune comandată în tensiune (STCT) - pseudosursă

AO ideal

Rezistenţă de intrare ri=∞. Aceasta are ca efect faptul că AO nu absoarbe curent pe intrări: i+=i-=0 Rezistenţă de ieşire ro=0. Aceasta înseamnă că tensiunea de ieşire este independentă de curentul furnizat în sarcină. Bandă de frecvenţă infinit B=∞, adică amplificarea a este constantă în tot domeniul de frecvenţe, inclusiv în cc. Amplificare infinit: a=∞

? Care este valoarea tensiunii de iesire, având în vedere ecuaţia de funcţionare a AO, care devine: vO=avD=∞·vD ?
• Utilizarea ca si comparator, în comutare. vD >0; vO → +∞, vO va fi limitată vO=VOH ≈ +VAl vD<0, vO → -∞, vO va fi limitată vO=VOL≈-VAl vO poate lua doar două valori extreme • Utilizarea ca amplificator vOЄ(VOL ; VOH) vO poate lua o infinitate de valori intre cele doua valori extreme este necesar cavD=0. Apare nedeterminarea: vO=avD=∞·0 vD poate fi ţinută la 0 prin conectarea unor rezistenţe în exteriorul AO într-o configuraţie cu reactie negativă. Aceste rezistenţe împreună cu AO menţin vD la zero şi stabilesc valoarea tensiunii de iesire ⇒ amplificatoare cu AO

AO – comparator de tensiune
AO este utilizat in comutare => comparatoare cu AO
Comparator de tensiune: circuit care semnalizează prin două valori diferite ale tensiunii de ieşire starea relativă a două tensiuni aplicate la intrare

compararea tensiunilor: prin semnul diferentei dintre ele in functie de semn, comparatorul raspunde cu una sau alta dintre cele doua valorile disponibile la iesire pentru comparator putem considera o singură intrare şi anume diferenţa între v+ şi v-, adică vD

VO Є {VOL , VOH}

vD>0, adică v+>v- , vO=vOH vD<0, adică v+<v- , vO=vOL
1 / 11

Modelare AO în comutare

CSTV ?

Potrivit pentru AO linie-la-linie

2 / 11

Comparatoare simple
Comparatoare simple, fara reactie, cu o singura tensiune de prag; Comparatoare cu histerezis (cu reactie pozitiva), cu două tensiuni de prag;

Tensiunea de prag VP : acea valoare particulară a tensiunii de intrare vI pentru care are loc comutarea tensiunii de iesire, (pentru care vD=0). Determinarea tensiunii de prag: • se determina expresia vD • se pune conditia vD=0 si se inlocuieste vI cu VP • se determina VP

3 / 11

Comparatoare cu VP = 0
• neinversor

vD = v + − v − v = vI ; v = 0 vD = vI v D = 0; VP = 0
4 / 11

+

Comparatoare cu VP = 0
• inversor

Cum arata tensiunea de iesire daca tensiunea de intrare este o tensiune sinusoidala cu amplitudine de 3V si alimentarea este ±V Al = ±12V ?
5 / 11

Comparatoare cu VP ≠ 0
neinversor

vD = v + − v − v D = v I − VREF v D = 0; VP = VREF
CSTV ?

inversor

i+ << crt prin divizorul R1, R2 (i+≅0)

VREF

R1 V Al = R1 + R2

6 / 11

Exemplificare

Reproiectare: inversor Vp= +6V ? CSTV ? vO(t)
7 / 11

AO speciale pentru comparatoare
amplificatoarele operaţionale uzuale – comparatoare clasă specială de AO destinate utilizării ca şi comparatoare, cum ar fi: LM 306, LM 311 ,LM 399, LM 393, LM 339 : tensiuni diferenţiale de intrare mari răspuns foarte rapid (viteză foarte mare de creştere a tensiunii de ieşire) uzual comparatoarele au ieşirea de tip colector în gol (necesita conectarea la ieşire a unei rezistenţe externe R către un potenţial pozitiv) pot prezenta terminal de masă, care nu se întâlneşte la AO uzuale
8 /11

Aplicaţii ale comparatoarelor simple
Circuite logice Interfaţare între circuite analogice şi circuite logice Formarea de semnal dreptunghiular din semnalul sinusoidal (sau triunghiular) Indicator optic al nivelului tensiunii Modularea în durată a impulsurilor Circuitele de semnalizare şi comandă, convertoare analog-digitale, circuite de modulare a impulsurilor în lăţime, etc.

9 /11

Indicator optic al nivelului tensiunii

10 /11

Interfaţare între circuite analogice şi circuite logice

Circuit logic

11 /11

Comparatoare cu histerezis
Comparatoarele simple, fără reacţie au două dezavantaje: Pentru un semnal de intrare cu variaţie lentă comutarea ieşirii dintr-o valoare în alta poate fi lentă. Dacă semnalul de intrare conţine zgomot la ieşire vom avea comutări multiple nedorite (parazite), când semnalul de intrare trece prin valoarea de prag. Nu mai sunt comutari nedorite

Cum implementăm aceasta comportare in timp ?
1/8

Solutie:
Doua praguri de comparare VPH si VPL Doua valori distincte ale vO: VOH si VOL Comutarea are loc la VPH numai daca vO=VOH Comutarea are loc la VPL numai daca vO=VOL ⇒ Valorile tensiunilor de prag sa depinda de valoarea tensiunii de iesire → Tensiunea de iesire adusa la intrare: reactie pozitiva (sa intareasca efectul): aducerea unei fracţiuni din tensiunea de ieşire la intrarea neinversoare a AO prin intermediul unui divizor rezistiv

2/8

Comparator inversor cu histerezis

vO

CSTV ?

vI

R1 v = vO R1 + R2
+

vD = 0

R1 vO = VP R1 + R2
VPH

v _ = vI

R1 vD = vO − v I R1 + R2

VPL

R1 VOL = R1 + R2

R1 VOH = R1 + R2
3/8

ΔV P = V PH − V PL

R1 (VOH − VOL ) = R1 + R2

sensul de parcurgere al histerezisului

la un anumit moment este „activ” doar un singur prag comparatoarele cu histerezis sunt circuite bistabile semnalul de intrare declanşează acţiunea de comutare a ieşirii, procesul de comutare fiind continuat de reacţia pozitivă: consideram vO=VOL , vI>VPL vI ↓; cand vI trece prin VPL: vI ↓, vD ↑, vO ↑, v+↑, vD↑, vO ↑ RP procesul va continua de la sine datorită RP până când ieşirea ajunge în cealalta stare, VOH ⇒ comutare rapidă circuite basculante bistabile (CBB) sau trigger Schmitt
4/8

Exemplificare

CSTV ?

5/8

Comparator inversor cu praguri nesimetrice
Circuit ?

R1 R2 v = vO + VREF R1 + R2 R1 + R2 R1 R2 + − vD = v − v = vO + VREF − vI R1 + R2 R1 + R2
+

VPL
Tensiunea de iesire pentru tensiune de intrare triunghiulara cu amplitudine de 10V? Dar pentru amplitudine de 5V?

R1 R2 VOL + VREF = R1 + R2 R1 + R2
R2 R1 = VOH + V REF R1 + R2 R1 + R2
6/8

V PH

Comparator neinversor cu histerezis

R2 R1 vI − 0 vO + vD = v − v = R1 + R2 R1 + R2
+ −

R2 R1 vO + VP = 0 R1 + R2 R1 + R2

VPL

R1 vO VP = − R2

VPH

R1 = − VOH R2 R1 = − VOL R2

7/8

Exemplificare

R1 R2 vD = v − v = vO + v I − VREF R1 + R2 R1 + R2
+ −

8/8

AMPLIFICATOARE ELECTRONICE
Amplificatorul electronic: triport activ ce furnizează la ieşire un semnal xo(t) (tensiune sau curent) cu aceeaşi formă de variaţie în timp ca a semnalului de intrare xi(t) şi care este capabil să furnizeze o putere mai mare dacă lucrează pe o sarcină adecvată..

Circuit liniar: x0 proportional cu xi

A - amplificare

x o ( t ) = A ⋅ xi ( t )

A<0 A>0

inversor neinversor

Alimentarea amplificatoarelor
cu surse de tensiune continuă şi/sau surse de curent continuu. mai frecvent cu surse de tensiune Alimentare unipolara

Alimentare bipolara (diferential simetrica)

Circulaţia şi bilanţul puterilor
puterea medie a semnalului de ieşire Pout este mai mare decât puterea medie a semnalului de intrare Pin. Surplusul de putere la ieşire este preluat din sursele de alimentare Palim+Pin=Pout+Pdisipată Palim ≈ Pout+Pdisipată η=Pout/Palim un transformator ridicător de tensiune nu este amplificator

Tipuri de amplificatoare

amplificator in tensiune, alimentat diferential simetric

CSTV

regiunea activa (de amplificare):
⎛ V OL V OH vI ∈ ⎜ ⎜ A ; A v ⎝ v v O ∈ (V OL ; V OH ⎞ ⎟; ⎟ ⎠

)

amplificator ideal: VOL=-VAl VOH=+VAl

dvO Av = dv I

Q

AO uzuale
vO ∈ (−V Al + 1V...2V; + V Al − 1V...2V)
AO linie la linie (bara la bara, rail-to-rail): vO ∈ (− V Al ;+V Al )

Transferul semnalului de amplificat

Observaţie: Semnalul de intrare suficient de mic pentru ca amplificatorul să lucreze în regiunea liniară din jurul PSF: aproximare de semnal mic

Modele ale amplificatoarelor
diport: se referă explicit doar la comportarea la porţile de intrare şi ieşire si la transferul semnalului valabile indiferent de complexitatea internă a amplificatoarelor pe care le modelează valabile în domeniul frecvenţelor din banda de trecere

Surse comandate liniare (SCL)
diporţi activi - un singur parametru finit şi nenul: transferul direct semnalul de iesire este comandat de semnalul de intrare pseodosurse Exemplu: STCT vO = av vi

Modelarea amplificatorului in tensiune
vo av = vi
Ri - va absoarbi curent de la sursa de semnal, Ro - diminuarea tensiunii de iesise la lucrul in sarcina

Conectarea amplificatorului cu o sursa reala de semnal si cu sarcina

vo Av = vs

Ri RL Av = av Rs + Ri RL + Ro

Amplificator ideal ?

Av este cu atât mai apropiată de amplificarea la mers în gol av cu cât se reduc pierderile de tensiune la intrare (pe Rs) şi la ieşire (pe Ro) Ri>>Rs - tensiunea sursei sa ajungă la intrarea amplificatorului

vi ≈ vs
vo ≈ av vi

Ro<<RL - tensiunea SCL să ajungă la iesire

amplificator în tensiune ideal

Ri = ∞;

Ro = 0

Determinarea parametrilor amplificatoarelor
amplificarea (factorul de transfer direct) rezistenta de intrare rezistenta de iesire

Amplificarea
analiza circuitului folosind teoreme şi relaţii de circuite electrice
(Kirchhoff, Ohm, etc.) şi ecuaţii ce descriu funcţionarea dispozitivelor active. se determină mărimea de ieşire în funcţie de cea de intrare şi prin raportul lor se deduce amplificarea

Rezistenta de intrare

vi Ri = ii

Rezistenţa de ieşire
1.

Se pasivizeaza sursa de semnal de intrare Se aplica la iesire o sursa de test

vtest Ro = itest

2.

gol

scurtcircuit

Ro =

vo , gol io , sc

Raspunsul in frecventa
se analizeaza modelul complet al amplificatorului incluzand si elementele capacitive prin impedanta lor complexa 1/jωC Functie de transfer complexa pentru amplificare: impedantele de intrare si de iesire se definesc in domeniul complex Z i ( jω ) Z o ( j ω ) Amplificator trece banda

scaderea amplificarii la frecvente inalte - capacitatile interne (parazite) ale dispozitivelor active (tranzistoarelor) scaderea amplificarii la frecvente joase – capacitatile de cuplare / decuplare

Cuplare capacitiva la intrare

Cuplare capacitiva a doua etaje de intrare

cuplare directa, cuplare in cc (fara condensator de cuplare - FTJ)

AO – amplificator
vO=a·vD=∞·vD
Utilizarea ca amplificator  vO ∈(VOL ; VOH)  este necesar ca vD=0. Apare o nedeterminare: vO=a·vD=∞·0  vD poate fi menţinută la 0 prin conectarea unor impedanțe în exteriorul AO într-o configuraţie cu reacţie negativă. Aceste impedanțe împreună cu AO menţin vD la zero şi stabilesc valoarea tensiunii de ieşire ⇒ amplificatoare cu AO

1/16

AO cu reactie negativa - amplificator
vD = 0 v D ↑, vO ↑, v − ↑, v D ↓
RN, mentine automat vD la zero

Ce posibilitati avem pentru conectarea intrarilor ?

2/16

Amplificator neinversor

CSTV ?

R1 v = vO R1 + R2

vD = v + − v − = vI −

R1 vO = 0 R1 + R2

R1 vI = vO R1 + R2

vO R2 = 1+ Av = vI R1

3/16

Alta metoda de a determina amplificarea

vD = 0

v + = vI

v = vI
vO R2 Av = = 1+ vI R1

i

• acelaşi curent prin R1 şi R2 i

 amplificarea este dată doar de raportul a două rezistenţe  valoare precisă a amplificării  amplificarea este independentă de AO, nefiind influenţată de dispersia tehnologică a valorilor parametrilor AO.  consecinţă directă a folosirii RN în cazul unui amplificator cu amplificare proprie foarte mare ( a → ∞ in cazul AO)
4/16

Rezistentele de intrare si de iesire
• se determina pe modelul echivalent

vI vede întrerupere, deci Ri = ∞
Ro = vOgol iOsc = vOgol ∞ =0
5/16

Exemplificare
•A Avv=6 =?
•Modelul echivalent al amplif.

•CSTV

•vO(t) pentru vI(t) triunghiulara cu amplitudunea 1,5V axata pe zero

•vO(t) pentru vI(t) triunghiulara cu amplitudinea 2V axata pe 0,5V ?
6/16

Reglarea amplificarii
Avmax = 1 + R2 R1

Avmax

R2 + P = 1+ R1

Avmin = 1 +

R2 R1 + P

Avmin = 0

Ce se obtine pentru valori extreme (0 sau ∞) ale rezistentelor pentru amplificatorul inversor ?

vO = ? daca R1 = 0 cursorul la extrema stanga
7/16

Repetor de tensiune

vO = v I
 RN totală  nu există amplificare în tensiune  amplificare infinită în curent  etaj tampon (buffer) pentru a conecta o sursă (sau ieşirea unui circuit electronic) cu rezistenţa de ieşire mare (poate debita curent redus) cu o rezistentă de sarcină scăzută (care solicită curent mare).

8/16

Amplificator inversor

Circuit ?

CSTV ?

v =0
+

+

R2 R1 v = vI + vO R1 + R2 R1 + R2
− −

R2 R1 vD = v − v = 0 − vI − vO = 0 R1 + R2 R 1 + R2 Amplificare ?

vO R2 =− Av = vI R1

9/16

Alternativă pentru înţelegerea funcţionării amplificatorului inversor

v+ = v− v+ = 0
0 − vO i2 = R2
masa virtuala

v =0

i1 = i2
vI − 0 i1 = R1

vO vI =− R1 R2

vO R2 =− Av = vI R1
10/16

Rezistenţele de intrare şi ieşire

Ri = R1
Ro = 0

Ri = ?
Ro = ?

 În comparaţie cu amplificatorul neinversor la care Ri →∞ pentru amplificatorul inversor avem o rezistenţă mai mică de intrare.  Uzual aceasta este de ordinul K, zeci de K.  Dacă într-o aplicaţie se solicită o rezistenţă mare de intrare vom folosi conexiunea neinversoare.
11/16

Exemplificare

R1=10K, R2=100K, alimentare ±12V

 Ri, Ro, Av  Modelul echivalent  Domeniul vi, a.i. AO amplificator

Ri = R1 = 10k

Ro = 0

R2 100 Av = − =− = −10 R1 10

Domeniul vI: (−1,2V; + 1,2V)

12/16

Exemplu de Proiectaţi un amplificator inversor cu R > 8k si i proiectare amplificarea |Av| reglabilă în domeniul [10,18]
Av
min

R2 = = 10 R1
Av
max

=

R2 + P = 18 R1

Varianta 1 Din condiţia pentru Ri:

R2 = 10 R1
Ri = R1 ≥ 8kΩ

R2 + P = 18R1
R1 = 10kΩ

Alegem

P = 18 ⋅10 − 100 = 80kΩ R2 = 10 ⋅10 = 100kΩ Deoarece nu există potenţiometru de 80K, alegem 100K şi refacem calculele. Păstrând R2=100K, rezultă:
R2 + P 100 + 100 R1 = = = 11,1kΩ 18 18
Verificare:

R2=100kΩ
= 18

P=100kΩ

Av

min

= 9.1

Av

max

Acceptabil ?

13/16

Exemplu de proiectare (cont.)
Varianta 2

Av

min

R = 2 = 10 R1
Alegem

Av

max

=

R2 + P = 18 R1

R2 = 10 R1

R2 + P = 18R1

P = 100k
R2 = 10 R1

R1 = 12.5k
R2 = 125k
Ri = R1 = 12kΩ ≥ 8kΩ

R2 + 100k = 18 R1
Verificare:

Av

min

= 10

Av

max

= 18

Ce se intampla daca alegem P=10k?

14/16

Repetor de tensiune inversor

vO = −1 Av = vI

Ri = R

15/16

Amplificare si rezistenta mare de intrare
Acelasi curent prin R1 si R21 Aceasi tensiune pe R3 si R21 OPTIONAL

 R21 + R22 R21 R22  vO  = − + Av =   vI R R R 1 1 3  
R21 = 10k, R22 = 10k, R1 = 1k, R3 = 0.1k
 10 + 10 10 ⋅10  Av = − +  = −1020 1 ⋅ 0 ,1   1

 R21 R21 R22  vO  ≅ − + Av =   vI R R R 1 3   1
Av ≅ −1010

Ri = R1
16/16

Sumatorul inversor

Expresia tensiunii de iesire ?

R  R vO = − v v +   R I1 R I 2  2  1 

Ce relatie trebuie sa existe intre rezistente pentru a obtine media aritmetică a tensiunilor de intrare ?

R1 = R2 = 2 R

1/7

Problema
a) Expresia vO(vi1, vi2) considerand ca AO lucreaza in regiunea liniara? Ce aplicatie realizeaza circuitul? b) Considerand vi1=2V, cum arata CSTV vO(vi2) a circuitului pentru vi2∈[-5V; 5V]? In aceasta situatie pentru ce interval de valori ale vi2 avem functionare in regiunea activa? c) Pentru valorile rezistentelor din figura, cum arata vO(t) pentru tensiunile din figura alaturata? d) Dimensionati R1, R2, R3, R4 a.i. circuitul sa realizeze functia de sumator inversor vO= -(vi1+ vi2). Cum trebuie modificat circuitul pentru a obtine functia de sumator neinversor, vO= vi1+ vi2?

2/7

Sumatorul neinversor

vO = ?

 R4  R2  R1 vO =    R + R vI 1 + R + R vI 2   1 + R  3  1 2 1 2  

Relatia intre rezistoare pentru

vO = v I 1 + v I 2
R3 = R4
3/7

R1 = R2 si
Uzual:

R1 = R2 = R3 = R4

Amplificatorul diferential
Aplicam suprapunerea efectelor

vO1

R4 = R3 + R4

 R2   1 + R  v I 1 1  

vO 2

R2 =− vI 2 R1

vO = vO1 + vO 2

R4 = R3 + R4

 R2  R2  1 + R  v I 1 − R v I 2 1  1 

4/7

Cum amplificam vI1-vI2 ?

R4  R2  R2  vO = 1+  vI 1 − vI 2   R3 + R4  R1  R1
R4 R3 + R 4  R2  R2  = R 1 + R  1  1 

R1 R3 = R2 R4

R2 (v I 1 − v I 2 ) vO = R1

pentru vI1=vI2 se obţine vO=0 circuitul amplifică doar diferenţa tensiunilor şi rejectează semnalele de mod comun. in cazurile practice se pune R1=R3 şi R2=R4
5/7

Exemplificare
De la un senzor se primeste un semnal variabil vi cu componenta continua VI =5V. Dorim sa amplificam doar partea variabila a semnalului (cea care contine informatie), de 10 ori. Ce solutie se poate utiliza ?

R4  R2  R2  (VI + vi (t )) − VI 1+  vO (t ) =   R3 + R4  R1  R1 R4  R2  R2  − =0 1+    R3 + R4  R1  R1

R4  R2  R2  vO (t ) = vI (t ) − VREF 1+    R3 + R4  R1  R1

R4  R2   1+  = 10   R3 + R4  R1 

R1 R3 = R2 R4

R1 R3 1 = = R2 R4 10

R1 = R3 = 2,5kΩ R2 = R4 = 25kΩ

vo (t ) = 10vi (t )
6/7

Amplificator de instrumentatie standard
 rezistenţă mare de intrare  rejecţie cât mai bună a semnalului de mod comun AO1 şi AO2: rezistenţa de intrare mare asigură amplificarea, AO3: amplificarea unitară trecerea de la două tensiuni vO1 şi vO2 la o singură tensiune vO. rejecţie suplimentară a tensiunii de mod comun

 2 R2 vO =  1 + R 1 

  (v I 1 − v I 2 ) 

7/7

Metoda superpozitiei:

vO1
vO 2

 R2  R2  v I1 − 1 = + vI 2   R1  R1 
 R2  R2 = v I 2 − R v I 1 1 + R  1  1 

R vO = (vO1 − vO 2 ) R

 2 R2   ( ) vO =  − 1 v v + I 1 I 2   R 1  

Amplificatoare diferentiale de precizie integrate
• AD8221 Analog Devices

• MAX4194, MAX4195, MAX4196, MAX4197 Micropower, Single-Supply, Rail-to-Rail, Precision Instrumentation Amplifiers Maxim Integrated

• LT1167

Linear Technology

TRANZISTOARE
Dispozitive semiconductoare active (cu trei terminale) Principiul de funcţionare: utilzarea unei tensiuni între două din terminale (de comandă) pentru a controla intensitatea curentului prin al treilea terminal (de execuţie). Tranzistoarele: surse de curent

comandate în tensiune

1/9

Categorii de tranzistoare

2/9

Principiul si regiuni de functionare
Tranzistorul – sursă de curent comandată • Modelul in cc – sursa ideala de curent comandata in tensiune Tip n Tip p

TECMOS TB npn

cu canal n

TECMOS TB pnp

cu canal p

Surse comandate neliniare: exponentiala – TB
Tensiune de prag

patratica - TMOS

3 /9

Utilizarea in circuit a tranzitorului Tn
De ce este necesara R ? Marimi de iesire: IO, VO CST: IO(VCT), VO(VCT)

• alimentare serie cu sursa de tensiune • alimentare paralel cu sursa de curent
4 /9

Caracteristici de transfer
• VCT<VPn, Tn – blocat, IO=IT=0 • VCT>VPn, Tn – conduce, IO=IT>0
VAl=RIO+VO ; VO= VAl - RIO VCT ↑, IO ↑, VO ↓

VO,min=0

I Oex

V Al = R

5 /9

• Două regiuni extreme, regiuni pasive: - blocare (b) IT=0; VO>0; comutator ideal blocat - conducţie extremă (cex) IT=IOex; VO=0; comutator ideal în conducţie. Dacă VCT<VPn sau VCT>VCTex tranzistorul - regim de comutare • O regiune intermediară, regiunea activă directă aF

VCT∈(Vpn; VCTex), - tranzistorul - regim de amplificare

6 /9

Utilizarea Tp. Circuit. CST

- blocare (b)

VCT > VPP

- conducţie extremă (cex) - regiunea activa (aF)

VCT < VCTex
7 /9

VCTex < VCT < VPP

Cine determină graniţele între cele trei regiuni?
Tn Tp

graniţa (b) - (aF) tranzistorul prin tensiunea de prag
T prin funcţia IT(VCT) R şi VAl prin valorea extrema a curentului de iesire

• granita (cex) - (aF), VCT=VCTex tranzistor, R şi VAl:

I Oex

VAl = R

8 /9

Exemplu

i) VAl=10V; R=1KΩ ii) VAl=15V; R=1kΩ iii) VAl=10V; R=2.5kΩ
9 /9

TECMOS
Tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor
Structura fizica Simboluri Principiul de functionare Caracteristici de transfer si de iesire Regiuni de funcţionare Plasarea PSF
1 / 18

pentru TMOS cu canal n indus şi canal p indus.

Structura fizica canal n indus

Ce conditii trebuie realizate pentru a avea curent intre drena si sursa?
• Formarea unui canal cu purtatori majoritari de tip n de la drena la sursa • Crearea unei diferente de potential pozitive drena – sursa care sa antreneze purtatorii

2 / 18

Optional
VP - tensiunea de prag

3 / 18

Optional

ID = 0

4 / 18

Optional

Curentul depinde liniar de VGS
5 / 18

Optional

Curentul depinde neliniar de VGS2

6 / 18

Curentul prin tranzistor

Curentul prin tranzistor depinde de • VGS - formarea canalului • VDS – deplasarea dirijata a purtatorilor

I D = f (VGS , VDS )
7 / 18

Simboluri

D – drena G – grila S – sursa B – baza (substrat)

8 / 18

Principiul de funcţionare
Pentru a înţelege funcţionarea TMOS vom studia caracteristicile statice la terminalele TMOS cu canal n:

Familia de caracteristici de transfer

i D + iG = iS nod de curent iG = 0 i D = iS

i D (vGS ) cu parametru v DS

Familia de caracteristici de iesire

vGS = vCo v DS = v Al
9 / 18

i D (v DS ) cu parametru vGS

Caracteristici de transfer
i D (vGS ) cu parametru v DS

VDSsat = vGS − VP

• Regiunea liniara

vDS – mic,

vDS < VDSsat
2

iD = β [2(vGS − VP )vDS − vDS ]
iD – depinde liniar de tensiunea de comanda vGS, - depinde de tensiunea de iesire vDS, • Regiunea de saturatie vDS< vDSsat

vDS > VDSsat

iD = β (vGS − VP ) 2
iD – depinde doar de patratul vGS VP=0,58V, β=104μA/V2
10 / 18

Caracteristici de iesire
iD (v DS ) cu parametru vGS

i D (v DS ) cu parametru vGS
• Regiunea liniara

iD = β [2(vGS − VP )vDS − vDS ]
2

vDS < VDSsat
• Regiunea de saturatie (activa)

iD = β (vGS − VP )
vDS > VDSsat

2

11 / 18

Exemplificare
5V

Ce valori au VGS, ID, VDS, VGD, VDSsat pentru urmatoarele valori ale VCo?

VCo1 = 2V VCo 2 = 2.5V VCo 3 = 2.8V
Plasati punctele statice de functionare Q(VDS, ID), in planul caracteristicilor de iesire. In ce regiuni de functionare lucreaza tranzistorul?
12 / 18

Regiunea activă:

Regiunea liniară:

i D = β (vGS − VP )

2

iD = β[2(vGS −VP)vDS −v ]
2 DS

β – parametru constructiv al tranzistorului TMOS;
– factorul beta se măsoară în µA/V2, mA/V2, A/V2; – pentru tranzistoare discrete se poate extrage din caracteristicile de catalog Pentru tranzistoarele integrate avem:

KW β= 2 L

KW (vGS − VP )2 iD = 2 L

regiunea activă

K - parametrul transconductanţă şi se măsoară în µA/V2 W - lăţimea canalului prin care circulă iD L - este lungimea canalului prin care circulă iD
13 / 18

Plasarea PSF: Q(ID, VDS)

Dreapta de sarcină:

vDS =VAl -RD iD
VDS

Q(ID, VDS) se află la intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica corespunzătoare tensiunii vGS

14 / 18

Regiuni de functionare
IDex

T – (b): VGS < VP T – (aF): VP < VGS < VGS3 T – (cex): VGS >VGS3 (cex) şi (aF) sunt separate de curba

VDSsat=VGS –VP
VDS

Tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de axe sau de una dintre axe. in comutare (b) Moduri de utilizare (cex) ca amplificator (aF), eventual (aR) rezistenta liniara comandata in tensiune
15 / 18

Exemplificare
a) În ce regiune se află T pentru: 3.vGS =4V 1.vGS=0,8V; 2.vGS=2,5V; b) Valoarea minimă a vGS pentru care T mai este în (cex)? 1. vGS<VP, deci T (b) 2. vGS>VP, deci T (cex) sau (aF) comparam vDS cu vDSsat vDS =VAl -RD ·iD Presupunem T în (aF) iD= β (vGS –VP)2

β=2mA/V2 VP=1V

iD =2·(2,5 -1)2= 4,5mA vDS =20-3 · 4,5= 6,5V vDS sat= vGS –VP=1,5-1= 0,5V vDS>vDssat, T este în (aF). vGD=vGS-vDS=1,5-6,5= -4V < VP
16 / 18

3. vGS=4V>VP, deci T (cex) sau (aF) iD =2·(4-1)2 =18mA vDS =20-3·18= -34V presupunerea T - (aF) este falsă T este în (cex)

Altă modalitate: compararea valorii iD in (aF) cu iDex
iDex = VAl − vDS ,ex R VAl 20 ≈ = = 6,67 mA R 3

iD=18mA > iDex=6,67mA ⇒ T - (cex)

17 / 18

b) valoarea minimă vGSmin pentru care T este în (cex) corespunde plasării lui T pe curba vDSsat vDSsat =VAl -R·iD vDSsat =vGSmin-VP VAl -R·iD=vGsmin –VP iD =β·(vGSmin-VP)2 R β(vGSmin –VP)2+ (vGSmin-VP) -VAl = 0 din soluţia vGSmin –VP >0 VGSmin =2,744V
18 / 18

TECMOS IN COMUTARE
In cazul tranzistoarelor în comutare, apar două stări extreme:

(b)
curentul de ieșire (iD ) tensiunea de ieşire (vDS) regiunea specifică de funcționare zero

(cex)
stabilit (aproape) în totalitate de circuitul extern tranzistorului

stabilită de circuitul foarte apropiată de extern tranzistorului zero (ideal zero) (alimentare) TECMOS: blocat TECMOS: regiunea liniară
1

Tn

Tp

Modelul întrerupător comandat

VCTex,n

VCTex,p

vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO≈0 vCT <VPn ; T- (b) ; iO =0

vCT >VPp ; T- (b) ; iOT=0 vCT <VCTex,p ; T- (cex) ; iO>0 ; vO≈0
2

Intrerupatoarele comandate sunt complementare

Comutatoare analogice
semnalului de intrare către ieşire în funcţie de un semnal de comandă. vCo - două nivele: VCoL<VPn VCoH> VCTex,n

CA este un circuit care permite sau blochează trecerea

vCo=VCoL ;

Tn-(b) ;

vO=0

blochează trecerea vI permite trecerea vI
3

vCo=VCoH ; Tn- (cex) ; vO= vI

comandate complementare

CA cu două întrerupătoare

vCo=VCoH

vCo=VCoL ;

CA-(b) ;
4

vCo=VCoH ; CA- (c) ;

transfer bidirecțional C=0; CA-blocat; vO=0 C=1; CA-conduce; vO=vI VCoH=VDD; VCoL=VSS vI ∈(VSS; VDD)
±

CA – implementare CMOS

CI 4066 - 4 porţi de transfer; alimentat la ±10V, ron=150Ω

DG400 de la
Siliconics ron=20Ω

5

Aplicatie: MUX cu trei canale

6

Circuite logice cu tranzistoare MOS
Modelul întrerupător comandat ideal Implementare cu tranzistoare MOS complementare – circuite logice CMOS

7

Inversorul logic

0V → 0 logic VAl → 1 logic

vA VCoL = 0 VCoH = VAl

Tn (off) (on)

vy VAl 0
8

Inversorul logic
Cu Tn si R

0 logic - 0V 1 logic - VAl

Cu Tp si R

9

Analiza critica a inversorului cu intrerupator comandat si R
Tn – (c) Tn – (b)

Diminuarea dezavantajului R cât mai mică, ideal R→0; R cât mai mare, ideal R→∞
10

Soluție: înlocuirea R cu întrerupator comandat

Două solutii: întrerupătoare complementare

comandă complementară

Specifica TMOS

Specifica TB
11

• Inversorul

CMOS

VGSn=vI ; vGSp=vI-VDD

12

CSTV a inversorului CMOS
Ideala din punct de vedere al intrarii

Optional
Reala

13

Margini de zgomot

NM H = VOH min − VIH min NM L = VIL max − VOL max
Nivelele tensiunii şi marginile de zgomot pentru familia logică CMOS alimentata la +5V

NM L = 1,5V − 0 ,5V = 1V

NM H = 4 ,5V − 3,5V = 1V

14

Tranzistoare bipolare (TB)
Simbolurile Structura simplificata Caracteristici de intrare, transfer, iesire Principiul de functionare Regiunile de funcţionare Curentii prin TB Saturatia TB pentru TB npn şi pnp
1 / 14

Simboluri

npn

pnp

Simboluri uzuale

“Ce vede” un ohmmetru la terminalele TB Există interacţiune între cele două diode
2 / 14

npn

pnp

Terminalele TB se numesc: B – bază (corespondent G la TECMOS) C – colector (corespondent D) E – emitor (corespondent S)
Săgeata indică sensul pozitiv al curentului prin tranzistor de la C la E (npn) şi de la E la C (pnp).
3 / 14

Structura simplificata, tranzistor npn
Efectul de tranzistor:
Trecerea curentului printr-o regiune polarizată invers (bazăcolector) datorită interacţiunii ei cu o joncţiune polarizată direct (bază-emitor) situată în imediata ei vecinătate. • regiunea bazei foarte îngustă; considerabil mai îngustă decât lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari în bază; • regiunea de emitor mai puternic dopată decât regiunea bazei; • regiunile de emitor şi colector mai late decât lungimea de 4 / 14 difuzie a purtătorilor minoritari în aceste regiuni.

Caracteristici statice la terminalele
Valabila in regiunea activa

iB =

IS

β

e

v BE VT

iC =βiB

iC = I S e

v BE VT

Caracteristica de intrare

Caracteristica de transfer

5 / 14

Caracteristici de ieşire

Regiunea activă: iC=βiB Saturaţie: iC <βiB VCEsat≈0,2V Blocare: iC=βiB =0

6 / 14

Regiunile de funcţionare ale TB, npn
rareori folosită vBE>0,6V vBC>0,6V

vBE<0,6V vBC<0,6V

vBE>0,6V vBC<0,6V

Tranzistorul să nu fie polarizat foarte aproape de originea sistemului de axe sau de una dintre axe.

Moduri de utilizare

in comutare (b)

(cex)
7 / 14

ca amplificator (aF), eventual (aR)

Curenţii prin TB

iE =iC+iB
Valabila in toate regiunile de functionare

În regiunea activă (aF), cu iC = βiB

iE = iC +
iE=(β+1)iB ≈βiB

1

β

iC = iC (1 +

1

β

)

Relaţiile nu sunt valabile la saturaţia TB (cex) unde iC <βiB

8 / 14

Limitarea curentului de comanda prin TB
deosebire TB – TECMOS: joncţiune în circuitul de comandă se impune folosirea unei rezistenţe serie pentru stabilirea (limitarea) curentului de bază, fie în bază, fie în emitor

vBE ≈ 0.7 V

9 / 14

Saturaţia TB
valorile rezistoarelor şi surselor de alimentare astfel încât tranzistorul să lucreze în regiunea dorită TB poate fi privit ca o sursă de curent comandată prin curent după relaţia iC=βiB în regiunea activă (aF).

10 / 14

Exemplificare
A.În ce regiune se află T pt RB=50k cu i) vCo=0,4V; ii) vCo=1,7V; iii) vCo=5V B. Se dau vco=2,7V şi β∈(25…200) Domeniul RB astfel încât T i) (aF); ii) (cex). Rezolvare: i) deoarece vCo=0,4V < VP=0,6V T-(b) ii) vCo >VP ⇒ T fie în (aF) fie în (cex). Vom considera vBE=0,7V în conducţie şi β=100. Presupunem T în (aF) astfel ca iC =βiB. Vom compara iB cu iCex /β. Dacă iB >iCex /β, T - (cex), dacă iB <iCex /β, T - (aF)
11 / 14

iCex

V Al − vCEsat 12 − 0,2 = = = 5,9 mA RC 2

vCo − v BE 1,7 − 0,7 = = 0,02 mA iB = RB 50
iCex 5,9 = = 0 ,059 mA β 100

Cum iB=20μA <

iCex

β

= 59 μA, ⇒ T este în (aF)

iC = β iB = 100 ⋅ 0,02 = 2mA
vCE = V Al − RC ⋅ iC = 12 − 2 ⋅ 2 = 8V

PSF

vBC = vBE − vCE = 0,7 − 8 = −7,3V < 0,6V

12 / 14

vCo − vBE 5 − 0,7 iB = = = 0,086mA 50 RB
Cum iB =86µA>iCex /β=59µA, rezultă că T este în (cex); vBE ≈0,8V; vBC=vBEsat -vCEsat ≈0,8V-0,2V=0,6V=VP

iii)

Puteam rezolva problema presupunând T în (aF) ⇒ iC=βiB=8,6mA vCE=VAl - RCiC =12-2·8,6=-5,2V Evident o valoare imposibilă (vCE nu poate fi decât pozitivă) deci presupunerea făcută este falsă. Aşadar T este în (cex)
13 / 14

B. i) Pentru T în (aF) trebuie să ne asigurăm că iB<iCex /β indiferent de valoarea lui β din domeniul specificat; cea mai defavorabilă situaţie β=βmax= 200.

iB <

β max

iCex

vCo − v BE i Cex < β max RB

vCo − vBE 2,7 − 0,7 RB > βmax ⋅ = 200⋅ = 67,8KΩ iCex 5,9
ii) Pentru saturaţie trebuie îndeplinită condiţia:

vCo − v BEsat iCex > β min RB

iB >

β min

iCex

RB < β min

vCo − vBEsat 2,7 − 0,8 = 75 ⋅ = 24KΩ iCex 5,9

14 / 14

TB IN COMUTARE
In cazul tranzistoarelor în comutare, apar două stări extreme:

(b)
curentul de iesire (iC ) tensiunea de ieşire (vCE) regiunea specifica de functionare zero

(cex) (sat)
stabilit (aproape) în totalitate de circuitul extern tranzistorului

stabilita de circuitul foarte apropiata de extern tranzistorului zero (VCE,sat ≈0,2V) (alimentare) TB: blocat TB: saturatie
1/8

Tn

VCTex,n

Modelul intrerupator comandat
vCT >VCTex,n ; T- (cex) ; iO >0 ; vO≈0 vCT <VPn ; T- (b) ; iO =0
2/8

Circuite logice bipolare Tehnologie RTL • Inversorul logic

0 logic - 0V 1 logic - VCC

• SAU - NU

• SI- NU ?

3/8

Circuite logice bipolare TTL (Tranzistor-Tranzistor Logic) • Inversorul logic
• din motive tehnologice în circuitele logice integrate este preferată folosirea doar a tranzistoarelor npn. • se adoptă varianta cu tranzistoare identice comandate complementar

4/8

Poarta TTL standard

OPTIONAL

5/8

Nivelele tensiunilor şi marginile de zgomot pentru familia logică TTL

6/8

Subfamilii TTL cu performanţe îmbunătăţite:
OPTIONAL

viteze mai mari, disipare (consum) redusa de putere

Tranzistor Schottky

Dioda Schottky: joncţiune metal semiconductor, în conductie ≈0,5V

vBE=0,8V; vBC=0,5V; vCE=0,3V
• tranzistorul Schottky nu intra în saturatie • creste viteza de comutare
7/8

Structura simplificată a porţii ŞI-NU în tehnologie Schottky de mică putere
OPTIONAL

8/8

AMPLIFICATOARE CU TRANZISTOARE
Polarizarea tranzistoarelor în curent continuu
în regiunea activă aF

Necesitatea polarizării tranzistorului în cc
utilizarea tranzistorului ca amplificator (SC, EC) în regiunea activă (aF), tranzistorul lucrează in jurul PSF

VAl – alimentare in cc VI – stabilirea PSF: (IO,VO) vi – tensiune de amplificat (de intrare) vo – tensiune amplificata (de iesire) • Suprapunerea semnalului variabil peste regimul de curent continuu

Functionarea amplificatorului (SC, EC)

Cine determina amplificarea ?

Caracteristica de transfer în tensiune vO(vI ) a unui amplificator (SC, EC)

Semnal mic: functionarea amplificatorului în regiunea liniară îngustă din jurul PSF

Excursia maximă a semnalului de intrare: adeseori determinată din
considerente de liniaritate

Polarizarea în curent continuu – fixarea PSF
Functionarea tranzistorului ca amplificator:
• tranzistorul polarizat cât mai aproape de mijlocul regiunii active • punctul instantaneu (mobil) de funcţionare să fie ţinut în regiunea activă (liniară în jurul PSF) • semnalul de intrare să fie păstrat suficient de mic.

PSF: stabil şi predictibil independent de parametrii tranzistorului

Polarizarea TECMOS
Varianta 1 – 3 rezistente, alimentare unipolara

VGS

RG 2 VAl = RG1 + RG 2
2

I D = β (VGS − VP )

V DS = V Al − R D I D
☺ foarte simplă curentul din PSF, ID depinde

puternic de parametrii tranzistorului, β si VP

nu asigură stabilitatea punctului static de funcţionare

Polarizarea TECMOS Varianta 2 – 4 rezistente, alimentare unipolara
VGG RG 2 V Al = RG1 + RG 2

VGS = VGG − R S I D

I D = β (VGS − V P ) 2
necunoscute: VGS şi ID sistem de ecuaţii de gradul 2 se alege dupa calcul valoarea convenabila a ID

V DS = V Al − ( R D + R S ) I D

Polarizarea TECMOS
Varianta 2 continuare

VGS = VGG − R S I D

I D = β (VGS − V P ) 2
VGS este determinată şi de curentul de drenă ID ID ↑, RSID ↑, VGS ↓, ID ↓ circuitul se opune tendinţei de modificare a ID. • reacţie negativă datorita prezentei RS ☺ asigură stabilitatea PSF la variaţia diverşilor parametrii creşte complexitatea relaţiilor de calcul.

Exemplificare 1
RG1=3MΩ; RG2=1MΩ; RD=3KΩ; RS=1KΩ; VAl=20V VP =2V; β =0,5mA/V2.
? Care este PSF ?

VGG

RG 2 1 = V Al = ⋅ 20 = 5V RG1 + RG 2 3 +1

I D = β (VGS − VP ) 2
ID2-8ID+9=0; ID in mA
VDS = V Al − I D ( RD + RS ) = = 20 − 1,35(3 + 1) = 14,6V

VGS = VGG − I D RS
ID1 nu convine; ar rezulta VGS<0

ID1=6,65mA şi ID2=1,35mA

ID=ID2=1,35mA

VD =?

VS =?

Q (14,6V; 1,35mA)

Exemplificare 2
TMOS: VP =2V; β =0,25mA/V2, VAl=20V ? Cum dimensionam circuitul pentru PSF cu ID=1mA ?

I D = β (VGS − VP ) 2
VGS = VP + ID 1 =2+ = 4V 0,25 β

VDSsat=VGS-Vp=2V T- regiunea activă VDS∈(2V; 20V). PSF : Alegem VDS=7V
VDS = V Al − ( RD + RS ) I D
1 orientativ VAl 3

VAl −VDS 20 − 7 = = 13KΩ RD + RS = 1 ID

Exemplificare 2 – cont.
TMOS: VP =2V; β =0,25mA/V2, VAl=20V ? Cum dimensionam circuitul pentru PSF cu ID=1mA ?
RD rezulta şi în funcţie de amplificarea dorită. Neavând valoarea amplificării alegem de exemplu VS=4V pe RS :

VS 4 = = 4KΩ RS = ID 1

RD = 13 − 4 = 9KΩ

VGG = VGS + VS = 4 + 4 = 8V
RG1 = 300 KΩ; RG 2 = 200 KΩ

Polarizarea TECMOS
Varianta 3 - cu sursa de curent, alimentare unipolara/bipolara
• Uzual in circuitele integrate: polarizare cu surse de curent • ID independent de parametrii tranzistorului amplificator

V DS = V Al − R D I + VGS − VGG
Tensiunea pe sursa de curent: VGG -VGS

VDS = V Al − RD I + VGS

Polarizarea TB,

varianta uzuala in circuite discrete

Faţă de analiza pentru TECMOS, la TB apare: - curentul de bază IB, diferit de zero - prin colector şi emitor nu trece exact acelaşi curent

I C = βI B
β +1 I E = I C + I B = ( β + 1) I B = IC β
Se poate aproxima

IC ≈ I E

• Calcul exact: se utilizeaza IB • Calcul aproximat: se neglizeaza IB fata de curentul prin divizorul din baza (nu se considera IB=0)

• Calcul aproximat
VBB

RB 2 = V Al RB1 + RB 2

VBB − VBE IC ≈ I E = RE

VCE = V Al − I C RC − I E RE ≈ ≈ V Al − I C ( RC + RE )
• RE este deosebit de important în stabilirea si stabilizarea PSF, prin mecanismul de RN introdus

IB mult mai mic decât curentul
prin divizorul din bază

IC↑; IE↑; VRE↑; VBE↓; IC↓

• Calcul exact

IC=IE+IB ≈ IE

VCE = V Al − I C RC − I E RE ≈ ≈ V Al − I C ( RC + RE )
• IE insensibil la variaţiile β:

Teorema Thevenin: VBB, RB

VBB = RB I B + VBE + RE I E
IE=(β+1)IB

RB RB R > 10 RE >> E β ( β + 1) RB1, RB2 valori mici cerute de independenţa PSF de β RB1 şi RB2 valori mari cerute de rezistenţa de intrare a mplificatorului

• IE insensibil la variaţiile temperaturii (VBE)

VBB − VBE IE = RE + RB /( β + 1)

VBB >> 0,1V
o variaţie ΔVBE de 0,1V poate fi neglijată faţă de VBB=3…5V

Exemplificare 3

VAl=15V; RB1=10kΩ; RB2=4,7kΩ; RE =1,5kΩ; RC=1,8kΩ; β =150 Calcul aproximat IC = ? VCE =? VC = ? VE = ? Calcul exact IC = ? IC = 2,7mA IC = 2,73mA VCE = 6V VC = 10,1V VE = 4,1V

Exemplificare 4
RE =
VBB

1 1 Uzual VBB = VAl = 12 = 4V 3 3 alegem:

VBB −VBE (1/ 3) ⋅12 − 0,7 = = 1,65kΩ IE 2

RB 2 1 = V Al = V Al 3 RB1 + RB 2

R B1 = 2 R B 2
RB 2 < 24.75kΩ

RE > 10

RB

β

RB1 RB 2 < 10 RE RB1 + RB 2

RB2=22KΩ; RB1=44KΩ
Verificare: Valorile rezistentelor VBB − VBE 4 − 0,7 I = = = 1,84mA astfel incat T in aF la E RE + RB /( β + 1) 1,65 + 14,7 /(100 + 1) IC=2mA. R E = 1 .5 k Ω Modificam V =12V, β=100
Al

I E = 2mA

Polarizarea TB, alimentare diferentiala

IE = I
V Al − VBE IE = RE + RB /( β + 1) VCE = 2V Al − RC I C − RE I E

VCE

RB = VAl − RC I C + VBE + I β +1

Tensiunea pe sursa de curent:

V Al − V BE

RB I − β +1

Modele de semnal mic ale tranzistoarelor
funcţionarea la semnal mic (variatii)
parametrii de semnal mic modele de semnal mic

Modelul de semnal mic necesar pentru a deduce vo in functie de vi

2/13

Funcţionarea la semnal mic
Tranzistorul pentru regimul de semnal mic: parametrii diferenţiali (sau parametrii de semnal mic) valorile parametrilor diferenţiali depind de PSF modelul de semnal mic al tranzistorului. • Modelul tranzistorului la frecvente joase: rezistenta de intrare rezistenta de iesire sursa comandata care arata transferul intrare-iesire • La frecvente inalte modelul se completeaza cu capacitatile parazite dintre terminale
3/13

TECMOS la semnal mic

Conexiunea SC

Schema completa a amplificatorului cu 1 TMOS (polarizare + semnal variabil) Schema echivalenta pentru semnal mic: tensiune continua sau curent continuu

- pasivizarea surselor de

4/13

Parametrii de semnal mic
• Transconductanţa diferenţială id ∂i D gm = vDS =cst = vDS =cst ∂vGS v gs
∂ ( β (vGS − VP ) 2 gm = ∂vGS
Q

iD = β (vGS − VP )

2

= 2 β (vGS − VP ) Q

2I D gm = = 2 β ID VGS − VP
tranzistoare integrate:

W g m = 2K I D L

id = g m v gs

TECMOS: sursă de curent comandată în tensiune (SCCT) pentru semnal mic

5/13

• Rezistenta diferentiala de intrare

grila este izolată electric de restul structurii: rezistenţa diferenţială de intrare este infinit (intrerupere)

• Rezistenta diferentiala de iesire
caracteristicile de iesire nu sunt perfect orizontale, curentul de drenă creşte uşor cu tensiunea drenă-sursă lavGS = cst.

∂v DS 1 ro = = go ∂i D

vGS

vds = cst = id

vGS = cst

⎛ vDS iD = β (VGS − VP ) ⎜ ⎜1 + V A ⎝
2

VA – tensiunea Early

⎞ ⎟ ⎟ ⎠

VA ro = ID

6/13

regim static

TMOS:

regim variabil
id = g m v gs

g m = 2β (VGS − VP ) = 2I D = = 2 β ID vGS − VP
I D = β (VGS − V P ) 2
VDS RO = ID

id = 2 β (VGS − VP )v gs
VA ro = ID
7/13

Modelul de semnal mic al TECMOS
• la frecvente joase :

g m = 2β (VGS − VP ) = 2I D = = 2 β ID vGS − VP

VA ro = ID
• la frecvente inalte: apar capacitătile parazite interne între terminale; tipic de ordinul pF sau fractiuni de pF
8/13

Parametrii de semnal mic ai TB
• Transconductanţa diferentiala

∂iC gm = ∂v BE

ic vCE =cst = vbe

vCE =cst

iC = I S e vBE / VT
VT ≈ 25mV @ 20 o C

• Amplificarea în curent

IC gm = ≈ 40 I C @ 20o C VT
VT = KT q

∂iC β= ∂i B

ic vCE =cst = ib

vCE =cst

Deşi pot exista diferenţe între amplificarea în curent continuu şi amplificarea diferenţială in curent, vom folosi aceeaşi notaţie şi aceeaşi valoare (orientativ β=100).

temp. ↑ g m ↓
9/13

Parametrii de semnal mic ai TB - continuare
• Rezistenţa de ieşire

∂vCE ro = ∂iC
iC = I S e

vBE =cst
vBE VT

vce = ic
⎞ ⎟ ⎟ ⎠

vBE −cst

⎛ vCE ⎜ ⎜1 + V A ⎝

• Rezistenţa de intrare

∂v BE rbe = ∂i B

vbe vCE =cst = ib

vCE =cst

VA ro = IC

rbe =

β
gm
10/13

Modele de semnal mic ale TB la joasa frecventa

g m = 40 I C

rbe =

β
gm

VA ro = IC

simplificat
11/13

modelele π hibrid

Modele de semnal mic ale TB la inalta frecventa

modelul π hibrid

apar capacitatile parazite intre terminalele tranzistorului efectul acestor capacitati: reducerea amplificarii la frecvente inalte se poate folosi si modelul cu sursa de curent comandata in curent
12/13

Exemplul numeric pentru TECMOS
TECMOS : K=100μA/V2 , W/L=1, VA=100V ; polarizat la ID=100μA.
Care sunt valorile parametrilor de semnal mic şi joasă frecvenţă?
W g m = 2K L I D = 2 ⋅100 ⋅ 1 ⋅ 100 = 0.14mS V A 100 = = 1MΩ ro = 0,1 ID

Exemplul numeric pentru TB
TB polarizat în PSF la IC=100μA, VA=100V, β=100.
gm=40IC=40·0,1=4mS
Care sunt valorile parametrilor de semnal mic şi joasă frecvenţă?

100 = = 25KΩ rbe = gm 4

β

V A 100 ro = = = 1MΩ IC 0,1
13/13

Amplificatoare fundamentale cu un tranzistor
• Scheme echivalente pentru variatii SC, EC DC, CC

GC, BC

1/17

Suprapunerea semnalului variabil de intrare peste nivelele de tensiune continuă (sau curent continuu): cuplajul capacitiv Condensatoare pentru separarea semnalului variabil de cel continuu la ieşire sau în alte puncte ale amplificatorului. Condensatoarele vor fi suficient de mari pentru a fi considerate scurtcircuit la frecvenţa de lucru (impedanţa mult mai mică decât a rezistentelor cu care sunt conectate în serie sau în paralel).

In curent continuu (pentru determinarea PSF) condensatoarele sunt considerate întreruperi 1. Schema echivalenta in cc pentru determinarea PSF 2. Schema echivalenta pentru semnal mic (variatii de semnal) pentru determinarea parametrilor amplificatorului (se pasivizeaza sursele de regim continuu, se inlocuiesc condensatoarele cu scurtcircuit) 2/17

Conexiunea SC
circuitul complet:
Se poate fara RG ? Se poate fara CS ?

circuitul echivalent de semnal mic:

3/17

vo Av = vi vi = v gs vo = − g m v gs ( RD || ro )
Av = − g m ( RD || ro )
În general ro este de ordinul sutelor de KΩ iar RD de ordinul unităţilor de KΩ astfel că RD || ro≈ RD , adica ro se neglizeaza

Av = − g m ( RD || ro ) ≈ − g m RD
• amplificatorul este inversor

Ri = RG

RO = RD || ro ≈ RD

• RD poate fi considerată rezistenţă de sarcină. Dacă dorim ca sarcina să fie conectată cu un terminal la masă, atunci RL apare in paralel cu RD: Av = − g m ( RD || ro || RL ) • mărime de ieşire curentul io prin RD

Ai / v =

io ro = −gm ≈ −gm vi ro + RD

4/17

Exemplu numeric
g m = 2K W L

RG=1MΩ; RD=50KΩ; I=0,1mA; VAl=12V K=0,1mA/V2, W/L=2, Vp=0,6V şi VA=100V
I = 2 ⋅ 0,1 ⋅ 2 ⋅ 0,1 = 0,2mS

V A 100 ro = = = 1MΩ I 0,1

Ri =RG=1MΩ Ro=RD || ro=47,6KΩ

Av = − g m ( R D || ro ) = −0,2 ⋅ (50 || 1000) = −9,5

modelul echivalent al amplificatorului:

5/17

vG(t)=VG+vi(t)

VG=0V

VO=VAl - RDI=12-50·0,1=7V vo(t)=Av·vi(t)=-9,5vi(t),

V o =| Av | V i = 9,5 ⋅ 50 = 475mV vO (t ) = VO + vo (t ) = 7V − 9,5vi(t)

6/17

Conexiunea EC
Av = -gm RC

Ri = R B || rbe = R B ||
R o = RC

β
gm

io RB β ≈β Ai = = ii RB + rbe

7/17

Exemplul numeric
VAl = 12 V, RB1 = 49KΩ, RB2 = 22KΩ, RC =3,3KΩ. Se consideră β = 100. Ce valori au Av, Ri şi Ro?

PSF: IC = 1,5 mA, VCE = 4,05 V
100 g m = 40 ⋅1,5 = 60; rbe = = 1,67 KΩ 60 Av = − g m RC = −60 ⋅ 3,3 = −198 Ri = RB1 || RB 2 || rbe = 49 KΩ || 22 KΩ || 1,67 KΩ = 1,5 KΩ Ro = RC = 3,3 KΩ
8/17

Conexiunea GC

RD ( g m ro + 1) Av = RD + ro
Dacă gmro >> 1

vi Ri = ii
neglijam r0

ii ≅ − g m v gs ; vi = −v gs

vo = − RD i2 ; vi = −v gs RD i2 − i1ro + vi = 0
i1 = g m v gs − i2

RD ro Av ≅ g m RD + ro
Av ≅ g m R D

Av ≅ g m ( R D || ro )

1 Ri ≅ gm
Ro = ro || RD
9/17

Rezistenta scazuta de intrare

1 Ri ≅ gm

OPTIONAL

amplificatorul GC poate fi atacat cu o sursă de curent

io Ai = = 1 ii Av / i vo = = RD ii

10/17

Conexiunea BC

Ri = RE || re

vo − g m vbe RC Av = = vi − vbe

vi = −vbe

re – rezistenta vazuta din emitor
re = − vbe −vbe rbe rbe 1 = ≅ = rbe − g m vbe 1 + β β gm

Av = g m RC

1 1 Ri = RE || ≅ gm gm

RO = RC
11/17

Conexiunea DC

Ri = RG RO=RS || rs
vo = ( RS || ro ) g m v gs ; vi = v gs + vo vo g m RS ( RS || ro ) g m Av = = ≈ vi 1 + ( RS || ro ) g m 1 + g m RS
rs rezistenta vazuta in
sursa cu vi pasivizata

rs =

− v gs

− g m vgs − vgs ro

Dacă gmRS >> 1
repetor pe sursa

AV ≈ 1

1 ro gm 1 = rs = g m + 1 ro r + 1 o gm
12/17

1 1 Ro = RS || ro || ≅ RS || gm gm

Exemplul numeric
g m = 2k W L ro = I = 2 ⋅ 0,1 ⋅ 4 ⋅ 1 = 0,89 mS V A 100 = = 100 kΩ 1 ID

1 1 = = 1,12KΩ g m 0,89
I = 1 mA, RG = 2 MΩ RS = 5 kΩ K = 0.1 mA/V2 W/L = 4 VA = 100 V ? Av, Ri, şi Ro

( RS || ro ) g m (5 || 1000) ⋅ 0,89 Av = = 0,82 = 1 + ( RS || ro ) g m 1 + (5 || 1000) ⋅ 0,89 1 1 Ro = RS || ro || = 5 || 1000 || = 0,92 kΩ gm 0,89 Ri = RG = 2 MΩ
13/17

Conexiunea CC

g m RE ≅1 Av = 1 + g m RE
repetor pe emitor

Ri = RB || (rbe + (β + 1)RE)

1 Ro = RE || gm
14/17

Exemplul numeric
g m = 40 ⋅1 = 40 mS; 100 = 2,5 kΩ rbe = 40 40 ⋅ 2,2 Av = = 0,988 ≅ 1 1 + 40 ⋅ 2,2 Ri = 20 || (2,5 + 100 ⋅ 2,2) Ri ≅ 18,4 kΩ
RB = RB1 || RB2 = 20 kΩ RE = 2,2 kΩ IC = 1 mA Se consideră β = 100 ? Av, Ri şi Ro

1 Ro = 2,2 || kΩ 40
1 Ro = 24,7Ω ≅ gm
15/17

EC - valoare ridicată a modulului amplificării, - valoare destul de scăzută a rezistenţei de intrare. CC - are amplificarea unitară, - valoare ridicată a rezistenţei de intrare ⇒ amplificator în

conexiunea cu degenerare în emitor
g m RC Av ≅ − 1 + gm RE
Dacă gmRE>>1

amplificare stabila independenta de parametrii tranzistorului

RC Av ≅ − RE

Ri = R B || [rbe + (β + 1)R E ]
Ro = RC
16/17

Parametrii amplificatoarelor cu un tranzistor

17/17

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->