Sunteți pe pagina 1din 7

Tranzistorul bipolar cu poartaizolata IGBT

IGBT uleste un dispozitiv semiconductor ce are o structurmulticelular, fiecarecelulfiindrealizatdintr -un tranzistor MOS cecomand un tranzistor bipolar de putere. n Fig. 1.56, se prezint o seciunetransversalpentru o celul a IGBT-ului cu canal N(a), schema electric (b), schema electricsimplificat (c) isimboluri (d). IGBT apare, la prima vedere, ca fiind identic cu un tranzistor MOSFET n varianta DMOS. Noutatea pe care o introduce IGBT-ul o reprezint utilizarea canalului de inversiune care se formeaz la interfaa zonei P cu oxidul, n urma aplicrii unei tensiuni pozitive pe poart. n Fig. 1.56.b, se observ existena unui tranzistor T 2(NPN), care se formeaz datorit dispunerii straturilor, i a unui tranzistor T 1-(PNP), care apare datorit sucesiunii celor 3 zone de la colectorul C ctre emitorul E. Tranzistoarele compuse T1, T2 formeaz un tiristor parazit, i care n caz de conducie determin funcionarea anormal a IGBT-ului. Pentru nlturarea acestui neajuns, n fiecare celul elementar P+N-PN+ se formeaz, n emitorul N+, un unt central prin intermediul cruia baza P este conectat direct la metalizarea emitorului printr-o rezisten Rb. Din cele menionate anterior putem trage concluzia c IGBT -ul este comandat la fel ca un MOSFET avnd toate avantajele acestuia, dar, datorit interdependenei celor dou tranzistoare T 1 i T2, funcionarea sa este mai complicat. Pentru tensiuni vGE<VGEP (tensiunea de prag IGBT), absena stratului de inversiune face ca legtura ntre dren i surs s nu existe IGBT-ul fiind blocat. Performanele la blocare ale IGBT -ului sunt date de caracteristicile stratului N-, adic de grosimea lui i de concentraia de impuriti. Pentru vCE mai mari ca zero, trebuie s se evite strpungerea jonciunilor J 2, J3 din zona P, fapt ce impune ca lungimea canalului s fie minim i este condiionat de distribuia impuritilor P. Apariia stratului de inversiune i implicit conducia dispozitivului are loc n momentul n care vGE>VGEP. Rezistena, n starea de conducie a IGBT-ului, este mult mai mic dect a unui DMOS ce are aceeai suprafa de cristal i aceeai tensiune de blocare. Scderea rezistenei este determinat de efectul de modulaie al conductibilitii zonei N-, efect datorat injeciei purttorilor minoritari din substratul P+ n substratul N- . Consecina imediat a acestui deziderat, o prezint funcionarea IGBT -ului la densiti de curent mult mai ridicate (de exemplu, dac densitatea de curent pentru un IGBT poate depi 200A/cm2 , pentru un MOSFET cu aceleai dimensiuni aceasta nu depete 10A/cm2). Avantajele tranzistorului bipolar cu poartaizolata IGBT sunt o imbinare dintre avantajele tranzistoarelo rbipolare si MOSFET. Astfel tranzistorul bipolar in raport cu cel MOSFET are urmatoarele avantaje: capacitate mai mare in current si tensiune; cadere mica de tensiune in conductie ,VCEON ; Tranzistorul MOSFET este avantajos din urmatoarele motive: timpimici de comutatie; comanda de putere mica, in tensiune; inexistentasaturatieisi a celei de a douastrapungeri; O imbinareaavantajelorcelordouatipuri de tiristoare s-a regasitintr-un noudispozitiv semiconductor de puterenumit transistor bipolar cu poartaizolata IGBT. 1.1 Structura .Polarizare Straturiletranzistorului IGBT sunt : stratulcolectorului de tip p+ inaltdopat, 1019/cm3; stratul de tip n- ,slab dopat ,1014 cm3 ; corpul p, mediudopat, 1017 cm3; stratulemitorului n2+, inaltdopat, 1019 /cm3; La uneletranzistoare se maigasestesistratul tampon n+1,inaltdopat 1019/cm3. O structuraverticalaprintr-un IGBT cu canal n esteprezentata in fig.1.1, iar in fig.1.2 simbolizareaacestuia.

Structura IGBT

Simbolul IGBT

Daca tranzistorul nu are stratul tampon se numeste IGBT simetric, si daca are aceststrat se numeste asimetric. Emitorultranzistorului se conecteaza la stratul n2+ prinintermediuluimetalizarii din aluminiu.Metalizareaportii G este separate de corpul p prinstratul de oxid de siliciu. Polarizareadirectaconsta in aplicareaportii + pecolectorul C al tranzistorului.PolarizareainversaestedoarpejonctiuneaJ2 ,bariera de potential extinzandu-se in toatagrosimeastratului n, IGBT putandsustinetensiunea de pana la 15002500 V. Pentrutranzistorulasimetricsuntpolarizate invers jonctiunile J 1 si J3.In cazultranzistoruluisimetricjonctiunea J1 esteformata din straturile n-p+,bariera de potential fiind de acelasiordin de marimeca la polarizareadirecta. Tranzistorulsimetricpoatefunctionaalimentat in c.c., cat sic.a.,intimpcetranzistorulasimetricpoatefunctionaalimentatnumai cu tensiune continua. Se realizeazafoarterar IGBT-uri cu canal de tip p, structurafiindasemanatoare, iartipulstratuluiinversat.

1.2 FUNCTIONARE.CARACTERISTICA STATICA


Producatorii de IGBT-uri furnizeaza mai multe tipuri de scheme echivalente functionale , care permit descrierea functionarii acestui transistor. Starea de functionare a unui IGBT se realizeaza daca este polarizat ca in fig.1.3 O astfel de schema echivalenta simplificataeste prezentata in fig.1.4.

Fig.1.4 Schema echivalenta simplificata

Tranzistorul MOSFET materializeaza partea de comanda a IGBT ,care este similara cu cea a tranzistorului MOSFET in sensul ca in corpul p se creaza ,prin camp electric , canalul de tip n. Prin acest canal electronii injectati

din sursa ,polarizata negativ, se regasesc in dren ,iar prin stratul n- in baza tranzistorului p-n-p, comanda n dintrarea rapida in conductie a acestuia.Blocarea tranzistorului p-n-p se face prin blocareaconductiei MOSFETului.Infelulacesta se realizeaza comanda in tensiune ,deci de putere mica si timpi de comutatie mici. Pe de alta parte prezenta intre colector si emitor a tranzistorului p-n-p asigura o cadere de tensiuneVceon comparabila cu cea a tranzistoarelor bipolare.Se evita de asemeneafenomenul saturatiei, comanda pe poarta fiind in camp electric. Stabilirea punctului de functionare se face in acelasi mod ca la tranzistorul MOSFET in sensul indeplinirii conditiilor: saasigure la current maxim tensiuneaVceon minima, punctual de functionare plasandu-se pecurba de separate intrezonelea ctivasi ohmica. Punctul de functionaresa se gaseasca in in teriorulariei de functionare sigura ,SOA, de forma asemnatoare cu cea de MOSFET. TensiuneaVceon ,carecaracterizeaza IGBT ul are valori intre 0,9.,2,2 V.Alegereasicalcululregimuluiternicurmeazaaceeasimetodologie de la tranzistorul MOSFET.

. 1.10 ) IGBT (n- ) b) I = f (VGE) Caracteristica de transfer i regimul dinamic la comutaie sunt identice cu cele ale unui MOSFET. 1.6.2. Fenomenul de zvorre Dac tensiuneavGE>VGEP, stratul N-, este bombardat de electroni emii de emitor i goluri emise de colector, i n consecin, rezistivitatea acestei zone scade foarte mult. Traiectoriile ac estorgoluri, sunt direcionate n mare parte spre metalizareaemitorului, dar, o parte din ele ajung n zona stratului de inversiune. Aceste goluri dau natere unui curent, iar cele ce strbat zona de inversiune vor favorizacirculaia curent prin rezistena Rb. Dac curentul de colector IC depete o anumit valoare ICM, atunci curentul de goluri ce strbate rezistenaRb, devine important i faciliteaz intrarea n conducie a tranzistorului T2, implicit i a ansamblului T1-T2, care formeaz un tiristor parazit. n acest caz, apare o "zvorre", n sensul c IGBT-ul intr ntr-o stare de conducie n care tensiunea vGE devine inoperabil, blocarea IGBT-ului realizndu-se prin comutaie forat a curentului, ca la unui tiristor convenional. Dac dispozitivul rmne mult timp n aceast stare el se distruge prin effect termic.

Pentru eliminarea acestui neajuns existmai multe posibiliti, amintind printer acestea urmtoarele : 1) modificarea rezistenei Rb (micorare) prin modificarea geometriei stratului, realizatprin: dopajul puternic al zonei P+; alungirea i ngustarea zona P ; micorarea distanelor dintre celule. 2) mrirea curentului ICM, fapt ce se poate realize prin crearea unor ci prefereniale pentru curentul de goluri, sau chiar eliminarea unei regiuni N+ din emitor .

INVERTOR

. 11. LCL-T-

n primul rnd, ce nsean MOSFET? Cuvntul este format din dou prescurtri, MOS i FET. MOS vine de la Metal Oxid Semiconductor, iar FET, de la Field Effect Transistor, adic tranzistor cu efect de cmp.

Fig.5. Caracteristici de ieire pentru tranzistorul MOSFET 2N3797.

Simboluri S source/surs G gate / poart D drain / dren

Parametrii specifici de catalog ai tranzistorului MOS Vds, max(V) este tensiunea maxim care poate fi aplicat ntre dren i surs. Am zis mai sus c ntre dren i surs apar dou diode dintre una este polarizat invers, mai exact, cea dintre substrat i dren. Ca orice diod, i aceasta are o tensiune de strpungere. Vgs, max (V) este tensiunea maxim care poate fi aplicat ntre poart i surs. Oxidul de poart este foarte subire, de ordinul zecilor de nanometri, i se poate strpunge la o tensiune mic. n general Vgs, max este de +/ -20V. Rds, on este rezistena canalului cnd tranzistorul este deschis. Acest parametru este important la funcionarea n comutaie, unde acest parametru determin pierderile datorate conduciei. Valorile tipice se ntind de la sute de ohmi, la tranzistoarele de semnal, pn la miliohmi, la tranzistoarele de sute de amperi. Vt este tensiunea de prag, respectiv tensiunea ntre poart i surs de la care ncepe s treac un curent ntre dren i surs. gm (mA/V)este trasconductana, adic raportul ntre variaia curentului de dren i variaia corespunztoare a tensiunii de poart. Tranzistoarele MOS din circuitele integrate digitale au transconductane de microamperi pe volt, tranzistoarele de putere ating uor valori de zeci de amperi pe volt. Cin este capacitatea de intrare. A fi vrut s mai povestesc cte ceva despre scheme tipice, dar mi-e c devine un articol prea lung i plictisitor. Pentru mai multe detalii, i ntrebri vorbim n seciunea de comentarii de mai jos. (Imaginea reprezentativ a articolului este un tranzistor integrat ntr-o memorie NMOS Tesla MHB2114, fabricat n anii 1980. )

Comutator cu tranzistor MOS.

Amplificator cu MOSFET 25W