Principiile de functionare, constructia tip si clasificarea tranzistoarelor cu efect de cimp.

Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) sunt dispozitive electronice a crui funcionare se bazeaz pe modificarea conductibilitii unui canal semiconductor sub influena cmpului electric. Mai jos (fig.1) este prezentat schema care explic principiul de funcionare a TEC.

+Ep S n p

G Si
I

G -E+ Fig.1.

Funcionarea TEC are loc cu un singur tip de purttori de sarcin ceea ce permite funcionarea lui la frecvene !nalte. Principiul de funcionare pentru TEC este bazat pe dependena seciunii canalului prin care circul purttorii de sarcin de tensiunea aplicat la electrozi. "eplasarea purttorilor de sarcin liberi are loc sub influena tensiunii aplicate intre doi electrozi numit dren si surs plasate la cele doua capete ele canalului. Sursa desemneaz electrodul prin care purttorii de sarcin ptrund in canal iar drena # electrodul prin care purttorii mobili de sarcin sunt evacuai din canal. $onform celor de mai sus sensul deplasrii purttorilor mobili este de la surs spre dren. %n ambele cazuri sensul deplasrii purttorilor mobili de sarcin se inverseaz fr ca funcionarea tranzistorului sa fie insuficient. Multe tranzistoare nu#&i schimb proprietile dac drena si sursa se inverseaz.Modificarea conductibilitii canalului se realizeaz cu ajutorul cmpului creat de o tensiune aplicat unui al treilea electrod numit gril sau poart. $onductibilitatea canalului depinde de seciunea canalului si de numrul purttorilor de sarcin mobili din canal."eoarece fenomenul conduciei este determinat numai de un singur tip de purttori &i anume de purttorii majoritari din canal VT cu efect de cmp se mai numesc &i tranzistoare unipolare.'a toate tranzistoarele cu efect de cmp mrimea tensiunii dren-surs produce o !ngustare nemijlocit a seciuni canalului. %n consecin curentul de dren se scurge din ce !n ce mai !ncet.Tensiunea dren-surs pentru care canalul se !nchide se nume&te tensiune de saturaie &i este egal cu( UDS=Ugs Up unde Up este tensiunea gril-surs la care curentul de dren se anuleaz. %n majoritatea cataloagelor este dat tensiunea la care curentul de dren scade la o valoare foarte mic (de obicei 1 !). TEC "#S $metal o%id semiconductor& TEC "#S sunt de dou tipuri( a) Cu canal intercalat, b) Cu canal indus a& )eprezentarea TEC "#S cu canal intercalat este dat mai jos.

D G
Cu canal n

D G
Cu canal p

*tructura TEC MOS cu canal intercalat tip n este prezentat n fig. 4

G S n+ n Si p
Fig.4.

Izolator

D n+

Caracteristica de ie!ire este trasat !n fig. ' iar !n fig. ( este artat caracteristica de transfer a TEC "#S cu canal intercalat ID UGS1> UGS0 =0 UGS<
Fig.5.

ID !"

ID U$ UGS
UGS #

Fig.6. *pre deosebire de TEC cu "onciune p n, TEC "#S pot lucra att !n regim de saturaie (U)S* ) ct &i in regim de mbogire (U)S+ ). ,& )eprezentarea TEC "#S cu canal indus este dat mai jos. D D G G
Cu canal n

0 USD

Cu canal p

Caracteristicele statice ale transistorului de tip TEC-.. Parametrii lui de ,aza.

Caracteristica de baz pentru tranzistorul cu efect de cmp este panta caracteristicii de transfer# S = /D0 U) cnd UDS este constant. Caracteristica de transfer a tranzistorului cu "onciune p n este prezentat !n fig. 1.

ID !"
Fig.%.

ID
unde U2 tensiunea de bloca" Caracteristicile de transfer prezint variaia curentului de dren in funcie de tensiune gril#surs pentru diferite valori ale tensiunii dren#surs. Caracteristicile de ie!ire a tranzistorului sunt date de relaia( /D = f $USD& 3 U)S = const Caracteristicile de ie!ire sunt trasate !n fig.4.

U$

UG

UG #

ID

UGS1 < IDUGS% UGS% UDS U GS& UGS' U DS

Fig.3.

Caracteristicile de ie!ire variaz !n dependen de seciunea canalului prin care circul purttorii de sarcin. Mai sus a fost analizat TEC cu canal + n. ,entru TEC cu canal + p totul rmne la fel !n afar de polarizri. $ezistena de ie!ire a tranzistorului( 5 = UDS0 /D 3 UDS = const Coeficientul de amplificare dup tensiune( 6U = UDS0 U)S 3 /D=

Caracteristicele statice ale transistorului de tip "#S. Parametrii lui de ,aza.

Caracteristica de ie!ire este trasat !n fig. 7 iar !n fig. 8 este ar#tat caracteristica de transfer a TEC "#S cu canal indus

ID UGS%>UGS1 UGS1> UGS0 =0 Fig. 8. USD

ID UGS Fig. 9.

Fie un TEC cu "onciune p n alimentat dup curent continuu(

- . %"/)" 0 1"*

Trasarea dreptei de sarcin pentru acest etaj amplificator este prezentat !n fig.11.

ID

ID ID0

ID=E( )D " USD0

t
Fig.1 1.

UGS0 UGS1 UGS% UGS& USD ED USD