Comutarea tranzistorului bipolar Scopul lucrarii Scopul lucrarii: se studiaza regimul de comutare al tranzistorului bipolar, se masoara timpii de comutare

directa si inversa, precum si influenta diferitelor elemente ale schemei asupra acestora; se studiaza eficienta unor scheme de accelerare a comutarii si de evitare a intrarii in saturatie a tranzistorului. Elemente teoretice Regimul de comutare al unui tranzistor bipolar consta din trecerea lui din starea de blocare in starea de conductie - in regiunea activa normala sau in saturatie - si invers. In starea de blocare, ambele onctiuni ale tranzistoarelor sunt polarizate invers; prin tranzistor circula curentii Icbo si Icoo !in cone"iunea EC#, de obicei, negli abili pentru tranzistoarele din siliciu, astfel incat tensiunile la bornele tranzistoarelor blocate sunt determinate numai de elementele circuitului e"terior acestora. In starea de conductie, tranzistorul are onctiunea baza-emitor polarizata direct iar onctiunea colector-baza este fie blocata !in cazul functionarii in regiunea activa normala# fie polarizata direct !in cazul in care tranzistorul functioneaza la saturatie#. $unctionarea tranzistorului in saturatie, in circuitele de comutatie, prezinta avanta e, precum realizarea unui coeficient bun de utilizare a tensiunii de alimentare, putere disipata mica pe tranzistor, stabilitate a tensiunii de iesire, dar are si dezavanta ul unui timp de comutare inversa mai mare, datorita sarcinilor stocate suplimentar in baza. Conditia de functionare in saturatie a unui tranzistor bipolar este ca si onctiunea colector-baza a tranzistorului sa fie polarizata direct, ceea ce, pentru circuitul din fig. %&.% devine: !%&.%# unde I'S este curentul de baza la saturatie incipienta iar I'% este curentul direct prin baza tranzistorului. In saturatie, tranzistorul este caracterizat prin tensiunea baza-emitor, ('E, de circa ),* - ),& ( !in functie de curentul de emitor# si prin tensiunea de colector de saturatie, (cesat, de circa ),% - ),+ ( !in functie de curentul de colector#, negli abila. ,ensiunile pe onctiuni fiind foarte mici sau, oricum, cunoscute, pentru un tranzistor bipolar saturat, curentii prin el sunt determinati de elementele circuitului e"terior. Se adauga si relatia: IE - I' . IC. In regiunea de saturatie, tranzistorul este caracterizat si prin gradul de saturatie: !%&./# Intarzierea, la comutarea dintr-o stare in alta, a tranzistorului, este determinata atat de fenomenele de acumulare a sarcinii de purtatori in baza tranzistorului, caracterizate prin constantele de timp tn !constanta de timp de viata a electronilor minoritari in e"ces in baza# si ts !constanta de timp de stocare# cat si de capacitatile de bariera ale onctiunilor tranzistorului, Cbe, ce conteaza cand tranzistorul este blocat, respectiv Cbc ce conteaza si cand tranzistorul este deschis, in regiunea activa normala !in special, la rezistente de colector de valoare mare#. 0entru tranzistoarele de comutatie, se iau masuri tehnologice pentru micsorarea constantelor de timp tn si ts !crearea unor centri de recombinare suplimentari prin dopare cu atomi de aur, concentratii mari de impuritati# si a capacitatilor de bariera !suprafete mici ale onctiunilor#. Rezulta curenti reziduali ai onctiunilor de valoare mica si, deci, tensiuni directe pe onctiuni deschise de valori mai mari !circa ),* - ),& (#; de asemeni, factorul de curent al tranzistorului, b), va avea valori relativ mici, de circa +)-1), avand in vedere recombinarea favorizata a purtatorilor minoritari in baza.

2otiuni de electronica corpului solid 0urtatori de sarcina 3n semiconductoare - dupa conductibilitatea electrica corpurile solide sunt: - conductoare - 4 5 %)+67cm la tamb 8 - ne9 %)//6cm+ !electroni liberi# - conductibilitatea scade cu temperatura !3n urul ionilor pozitivi care nu participa la conductie se misca electroni mobili# - semiconductoare - 4 9 %)-%):%)+ 6 7cm !la temperatura ambianta# - pentru ,;%)))< rezulta 4 ; %)-%) 6 7cm - 4 depinde pronuntat de temperatura - izolante - nici la temperaturi foarte mari nu prezinta o conductibilitate electrica importanta Comportarea materialelor este determinata de tipul legaturii chimice dintre atomi: - la metale !conductoare# e"ista legatura metalica, foarte slaba 3n care electronii formeaza un nor electronic si pot participa usor la conductie; - la izolatoare !materiale izolante# este specifica legatura ionica, foarte stabila p=na la temperaturi foarte mari; poate sa apara, eventual, o conductie ionica; - semiconductoarele pot fi constituite: - dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra !>e sau Si# - din tipuri de atomi din grupe apropiate !de e"emplu, din grupele III, (, e"emplul tipic fiind semiconductorul >a?s#; @ntre aceste tipuri de atomi se pot stabili legaturi covalente care constau din punerea 3n comun a unuia dintre electronii de valenta. 0entru a se elibera un electron din legatura covalenta este necesar un surplus de energie. Aa temperaturi mai mari de %)))<, datorita agitatiei termice, electronii din stratul de valenta devin electroni liberi si formeaza o sarcina electronica reala mobila. @n aceste conditii, la aplicarea unui c=mp electric, electronii liberi se deplaseaza ordonat si formeaza un curent electric de natura electronica ; Bar, un electron de valenta vecin, de pe alta legatura covalenta, poate efectua o tranzitie !tot datorita agitatiei termice# si ocupa locul ramas liber; sub influenta c=mpului electric, se constata ca are loc o deplasare de sarcina pozitiva 3n sensul c=mpului electric, adica un electron devenit liber determina efectuarea mai multor tranzitii ca si c=nd locurile libere s-ar % deplasa. Se asociaza acestei deplasari a unei sarcini pozitive notiunea de gol, adica un purtator de sarcina pozitiva care determina o componenta a curentului electric. Be remarcat ca golul nu este o particula elementara ci este un concept care simuleaza deplasarea locurilor goale din structura semiconductorului prin ocuparea lor de catre electroni care se afla de a pe alte nivele energetice. C alta e"plicatie a celor doua componente ale curentului electric dintr-un semiconductor se poate da folosind teoria benzilor energetice dintr-un corp solid. metale izolatoare-semiconductoare conductoare: la temperatura absoluta )) <elvin toate nivelele din '( sunt ocupate si cele din 'C sunt libere; nivelul $ermi separa cele doua benzi; daca , creste, apar electroni de conductie care pot participa la conductie. semiconductoare !izolatoare#: la temperatura absoluta )) <elvin toate nivelele din '( sunt ocupate si cele din 'C sunt libere; pozitia nivelului / $ermi nu este precizata; electronii nu pot ocupa nivele din 'I; la energie termica suficient de mare !foarte mare# este posibil ca unii electroni sa treaca din '( 3n 'C. 2umarul acestora depinde de DE: - la germaniu: DE - ),F* e( - la siliciu: DE - %,% e( 0rin impurificare !procedee tehnologice#, proprietatile electrice ale semiconductoarelor se modifica foarte mult fiind doua posibilitati: - impurificare cu substante pentavalente !'i, Sb, ?s# - donoare

- al 1-lea electron trece usor 3n 'C G apar electroni de conductie - la temp. camerei G toate impuritatile sunt ionizate - procesul de generare de perechi nesemnificativ !3nca# semiconductor e"trinsic

Compresia audio +.% ?ctivitatile de standardizare pentru codarea audio Hi-$i In acest capitol va fi descris algoritmul de codare pentru semnalele audio pentru standarul international ISC6IEC. ?u fost stabiliti trei algoritmi standard pentru a fi utilizati in functie de numarul de canale si de frecventa de esantionare: I0E>-% audio, I0E>-/ si I0E>-/ AS$. In functie de comple"itatea si de calitatea realizata fiecare este clasificat in AeJer I6II bazat pe codarea pe sub-benzi si AeJer III bazat pe o combinatie intre codarea pe sub-benzi si codarea adaptiva a transformatei. ,ransmisia eficienta si stocarea semnalelor audio sunt importante pentru citeva aplicatii cum ar fi audio digital, radiodifuziunea digitala prin satelit !BS' G Bigital Satellite 'roadcasting#, stocarea semnalelor audio, conferinta la distanta si multimedia. ISC6IEC K,C %6SC /&6E> %% !the International Crganization for Standardization6the International Electrotechnical Commission, %st Koint ,echnical Committee, /&th Subcommittee, %%th EorLing >roup# a studiat caile pentru proiectarea unui standard international pentru compresia semnalelor audio impreuna cu semnalele video sub %,1 Ib6s. Rezultatul studiului, pentru doua canale de semnal cu frecventa de esantionare intre +/ LHz si MN LHz, au fost publicate de ISC6IEC pe % august %&&+ dupa aprobarea prin vot de tarile participante. ?cesta este cunoscut ca I0E>6audio faza %, sau I0E>-%6audio. C parte a standardului I0E>% a fost stabilit ca standard I,O-R. Be asemenea, au fost efectuate studii pentru e"tensia standardului I0E>-% audio si pentru sisteme multicanal si multilingvistice si pentru o viitoare reducere a ratei de bit prin adoptarea unei frecvente oase de esantionare. ?cestea reprezinta faza / a standardului si este denumit I0E>-/ audio. I0E>-/6audio a fost aprobat prin consens international la conferinta de la Singapore in noiembrie %&&M dupa care a fost publicat ca standard in %&&1. +./ Structura algoritmului I0E> audio ?lgoritmul I0E> audio este constituit din trei algoritmi diferiti: AaJer I, AaJer II si AaJer III. Comple"itatea creste de la AaJer I la AaJer III, cu o imbunatatire corespunzatoare in calitatea sunetului. ?cestea pot fi in plus clasificate in I0E>-%, I0E>-/ IC !multichannel# si I0E>-/ AS$ !loP sampling freQuencJ#, in functie de numarul de canale codate si de frecventa de esantionare. Beoarece AaJer I si AaJer II sunt foarte asemanatoare, ele vor fi prezentate impreuna. 0artea comuna intre AaJer I6II si AaJer III este aceea ca algoritmii lor au la baza codarea pe subbenzi cu +/ de benzi. 2umarul de canale este doi, iar frecventa de esantionare este de +/, MM,% sau MN LHz. ?ceste caracteristici reprezinta algoritmul I0E>-%6audio care reprezinta baza pentru toate codurile. 0lecind de la algoritmul I0E>-%6audio, avind frecventele de esantionare +/, MM,% si MN LHz, a fost elaborat standardul I0E>-/ AS$ care foloseste frecventele %F, //,)1 si /M LHz. Crescind numarul de canale la 1 si prin imbunatatirea canalului de oasa frecventa a fost elaborat standardul I0E>-/ IC. 2umarul de canale care pot fi manipulate de standardul I0E>-/6audio este denumit uneori 1,%, considerind ca imbunatatirea canalului este ),%. Cind se compara I0E>-/6audio cu I0E>-%6audio ca standard, I0E>-%6audio ar putea fi numit I0E>-/ /C !doua canale# sau I0E>-/ HS$ !frecventa mare de esantionare#. In $ig. +.% este prezentata structura de baza a algoritmului I0E> audio. Bin figura se vede clar ca I0E>%6audio este nucleul algoritmilor I0E>-/6audio.