_________________________________________________________________ Teste

____________________________________________________________________ 185
INTREBRI, TESTE, APLICAII
1. Fie o surs ideal de tensiune care furnizeaz la borne o tensiune u(t), perfect
sinusoidal, avnd frecvena de 1 kHz, amplitudinea 1 V i faza iniial nul.
10. Scriei dependena n raport cu timpul (formula) acestei tensiuni;
11. Determinai perioada;
12. Determinai pulsaia;
13. Determinai faza;
14. Determinai valoarea efectiv;
15. Ce semnificaie are valoarea efectiv a acestei tensiuni sinusoidale;
16. Facei graficul tensiunii u(t) in raport cu timpul;
17. Facei graficul tensiunii u(t) in raport cu faza;
2. S se scrie expresia tensiunii u(t) a crei imagine pe osciloscop este cea din figura
urmtoare
u(t)
t
1 V
2 ms
Figura 1.
3. Ce este faza unei tensiuni sinusoidale?
4. Ce este defazajul?
5. Desenai graficul unei tensiuni sinusoidale cu frecvena de 1 KHz, valoarea efectiv
de 2V si faz iniial egal cu /2 rad.
6. Definii (descriei) ntr-o singur propoziie (fraz) generatorul de tensiune
sinusoidal ideal.
7. Definii (descriei) ntr-o singur propoziie (fraz) generatorul de tensiune
sinusoidal real.
8. Definii (descriei) ntr-o singur propoziie (fraz) generatorul de tensiune
continu ideal.
Teste ________________________________________________________________
186 ____________________________________________________________________
9. Definii (descriei) ntr-o singur propoziie (fraz) generatorul de tensiune
continu real.
10. Definii (descriei) ntr-o singur propoziie (fraz) generatorul de curent continuu
constant.
11. Definii (descriei) ntr-o singur propoziie (fraz) generatorul de curent sinusoidal
constant.
12. Precizai semnificaia fiecrui element din figura urmtoare
Figura 2
13. Ct este impedana de ieire a unei surse de tensiune ideale?
14. Ct este impedana de ieire a unei surse de curent ideale?
15. Ce se ntmpl dac ieirea unei surse de tensiune reale este scurtcircuitat?
16. Ce se ntmpl dac ieirea unei surse de tensiune ideale este scurtcircuitat?
17. Ce se ntmpl dac ieirea unei surse de curent reale este scurtcircuitat?
18. Ce se ntmpl dac ieirea unei surse de curent ideale este scurtcircuitat?
19. Ce nelegei prin sursa de tensiune continu stabilizat protejat (de exemplu:
12V/10A)?
20. Care este valoarea rezistenei interne a unui voltmetru ideal.?
21. Care este valoarea rezistenei interne a unui ampermetru ideal.?
22. In figurile urmtoare, instrumentele de msur magnetoelectrice sunt considerate
ideale.
a. Ce vor indica ele dac au selectat domeniul de cureni /tensiuni alternative ?
b. Ce vor indica ele dac au selectat domeniul de cureni /tensiuni continue ?
c. Pentru ambele cazuri desenai ce se vede pe ecranul unui osciloscop corect setat,
conectat n paralel cu voltmetrul.
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 187
A
V
1 k
2 k
E = 10 V
Uef = 10 V
= 50 Hz
A
V
1 k
2 k
I = 10 mA
Uef = 10 V
= 50 Hz
Figura 3
23. tiind c tensiunea furnizat de generatorul din figur este: e(t) = 10 sin(100t)
[V], s se precizeze ct indic voltmetrul din schema urmtoare cazuri:
a. dac este un instrument ideal magnetoelectric
b. dac este un instrument real magnetoelectric, avnd rezistena intern
de 50 k
c. dac este un instrument ideal digital cu trei digii
R
1
R
2
V

1K
2K
e(t)
Figura 4
24. In figurile urmtoare, instrumentele de msur magnetoelectrice sunt considerate
ideale. Ce vor indica ele?
Teste ________________________________________________________________
188 ____________________________________________________________________
A
V
R = 2 k
Uef = 10 V
= 50 Hz
C = 1 F
A
V
1 k
R = 2 k
Uef = 10 V
= 50 Hz
C = 1 F
Figura 5
25. Enunai teoremele Kirchhoff.
26. S se calculeze tensiunea u
x
pentru fiecare din cele patru circuite din figura
urmtoare. Se cunoate u(t) = 10 sin(100t) [V].
R
2
=2k
E=10V
R
1
=1k
U
x

R=2k
E=10V
C=1F
U
x
R
2
=2k
R
1
=1k
U
x
~
u(t)

R=2k
C=1F
U
x
~
u(t)
Figura 6.
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 189
27. Pentru circuitul urmtor se mai cunosc: E=10 V; C= ; u
1
(t) = 2 sin (100t).
S se taseze pe acelai sistem de axe, graficele tensiunilor E, u
1
, i u
s
.
Figura 7
28. Care rezisten din cirsuitele urmtoare se nclzete mai mult? De ce?
R
1
=10
R
2
=100
E=10V
C=1F
R
4
=10
R
3
=100
U=10V
=100Hz
C=1F
Figura 8
29. Explicai rolul comutatorului AC / DC de la intrarea fiecrui canal al unui
osciloscop.
30. Se d tensiunea u(t) = 10 + 2sin (100t). Desenai ce se vede pe osciloscop n
regim AC i DC.
31. S se calculeze Rin i Re pentru circuitul urmtor:
Re
Rin
Figura 9
Teste ________________________________________________________________
190 ____________________________________________________________________
32. Determinai rezistena de intrare i de ieire a cuadripolului:

1
U
R
1
R
2
2
U
R
in
R
out
Figura 10
33. S se determine, cu ajutorul teoremei Thevenin, circuite echivalente pentru
urmtoarele poriuni de circuit:
R1 = 1 k
R2 = 2 k
E=1 V
R1 = 1 k
R2 = 2 k
I=1 mA
Figura 11
34. Un generator de tensiune cu rezisten intern nul, genereaz: u= 20 sin (120 * *
t) i poate debita un curent maxim de valoare efectiv 1A,
35. Putei conecta la bornele generatorului un rezistor pe care scrie: 10k 5%; 3W.
Justificai rspunsul
36. Putei conecta la bornele generatorului un condensator polarizat pe care scrie: 10F
5%; 60V. Justificai rspunsul
37. Putei conecta la bornele generatorului un condensator nepolarizat pe care scrie:
10F 5%; 60V. Justificai rspunsul
38. Un generator de tensiune cu rezisten intern avnd valoarea Ri= 75 ohmi , are
tensiunea electromotoare: u= 200 sin (120 * * t), i poate debita un curent maxim de
valoare efectiv 1A.
39. Putei conecta la bornele generatorului un rezistor pe care scrie: 10k 5%; 3W.
Justificai rspunsul.
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 191
40. Putei conecta la bornele generatorului un condensator polarizat pe care scrie: 10F
5%; 60V. Justificai rspunsul
41. Putei conecta la bornele generatorului un condensator nepolarizat pe care scrie:
10F 5%; 60V. Justificai rspunsul
42. Definii ce este un semnal analogic?
43. Definii ce este un semnal discret n timp discret?
44. Toate becurile din figura urmtoare sunt identice, avnd nscrise pe ele datele 24 V
/ 10 W. Care din ele lumineaz mai tare n ipoteza c:
Diodele sunt ideale (U
D0
=0; r
D
=0) i pot
suporta curenii din circuit
Diodele Zener sunt ideale i pot suporta
curenii din circuit: U
D0
=0; r
D
=0; U
Z
=12V; r
Z
=0. (La polarizare invers au
rezisten dinamic nul i stabilizeaz o tensiune de 12 V).
Rezistena becurilor nu depinde de curentul
ce trece prin ele, ea fiind din regimul nominal: 24 V / 10 W
EC = 24 V
10
100 100
Figura 12
45. S se determine punctul static de funcionare al diodei din circuitul urmtor tiind
c dioda are o caracteristic liniarizat n care U
D0
= 0,6 V i r
D
= 10 . Este indicat
utilizarea teoremei Thevenin.
Teste ________________________________________________________________
192 ____________________________________________________________________
D
R
4
1k
R
3
3k
R
2
2k
R
1
1k
E
C
= 24 V
Figura 13
46. Pentru circuitul din figura urmtoare sa se determine punctul static de funcionare
al diodei D, identic cu cea din problema precedent. S se determine de asemenea
potenialul anodului diodei D.
D
R
3
3k
R
2
2k
-E
2
= -10V
+E
1
=+12V
R
1
1k
Figura 14
47. In circuitul din fig. 1.16. dioda D functioneaza n regim de semnal
mare. Ea are o caractreristic liniarizat pe poriuni cu U
DO
=0,6V si r
D
=10.
tiind c u
g
=2,5 sin(100t) s se determine:
a).Curentul si tensiunea pe rezistenta R i s se reprezinte grafic.
b).Tensiunea pe diod.
c).Intervalul de timp ct dioda se afl n conductie.
Indicaii:
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 193
Figura 15
n regimul de semnal mare, dioda se afl pe poriuni diferite ale
caracteristicii liniarizate n anumite intervale de timp. Astfel atta timp ct
U
D
U
DO
=0,6V, dioda este blocat, ea se afl pe prima poriune a caracteristicii.
Acest interval de timp se poate determina din condiia (1):
u
g
= U
DO
(1)
Rezult: U
m
sin (100 t
1
)=U
DO
(2)
cu soluii n primul cadran: t
1
=
1
100
arcsin
U
U
D0
m

(3)
t
2
=T/2-t
1
(4)
Deci dioda se afla n stare de conducie n intervalul
t[t
1
t
2
] (4)
Pentru intervalul de conducie, circuitul echivalent devine cel din figura 15.1. d,
curentul prin diod fiind:
i
u U
r R
Um
r R
t
U
r R
D
g D
D D
D
D
=

+
=
+

+
0
0
100 sin( ) (5)
Se constat c forma curentului este n acest interval armonic, fcnd parte dintr-o
sinusoid "deplasat" n jos cu o component continu egal cu termenul constant al
relaiei 5. Cderea de tensiune pe diod n acest interval va fi:
u U i r Um
r
r R
t U
R
r R
D D D D
D
D
D
D
= + =
+
+
+
0 0
100 sin( ) (6)
Se observ c pentru diode cu rezisten dinamic neglijabil, cderea de tensiune
pe diod este constant, egal cu U
D0
.
Pe durata ct dioda este blocat, avem:
I
D
= 0,
u
D
=U
m
sin(100 t)
Deci cnd dioda este blocat ea suport ntreaga tensiune de alimentare.Diagramele
cerute sunt cele prezentate n figura 16
Teste ________________________________________________________________
194 ____________________________________________________________________
t
t
t1
20 10
[ms]
T/2 T/2
t
0,6 V
2,5V
0,6 V
iD
ug
uD
t2
Figura 16
48. Se d circuitul din figur n care diodele D1D4 sunt ideale (U
D0
=0; r
D
=0).
R
Dz
220 V
50 Hz
D1 D2
D3 D4
u2 uz
Figura 17
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 195
Se cunosc:
u
1
=100sin(100t); U
Z0
=10V; r
Z
=10; P
Z
=1W
Se cer:
a) valoarea rezistenei R pentru a proteja dioda
b) S se traseze diagramele tensiunilor u
2
, u
Z
i a curentului i
Z
49. Se d circuitul:
Figura 18
Se cunosc:
-transformatorul are nfurri cu rezistene nule iar
-n
1
= 4000 spire; n
2
= 400 spire;
-primarul transformatorului se alimenteaz de la reea 220V,50 Hz
-caracteristicile diodelor sunt:
Ud
i
D
u V
D0
1
0 6 = .
i
Z
Uz
U
D0
= -0,6V
U
Z0
=10V
Figura 19
S se determine:
a) graficul la scar al tensiunilor u
1(t)
, u
2(t)
, u
3(t)
, u
4(t)
i al curentului i(t);
b) care este puterea instantanee maxim disipat n fiecare diod.
Teste ________________________________________________________________
196 ____________________________________________________________________
50. S se determine punctul static de funcionare (PSF) pentru tranzistoarele din
schema urmtoare, tiind c ele sunt identice i au = 100; U
BEd
= 0,56 V; U
BEc
= 0,6 V; i I
CB0
= 0.
RC
10k
RB
1,1M
+EC = +24 V
T1
RC
10k
RB
0,1M
T2
RC
10k
RB2
10k
RB1
10k
RB2
100k
RB1
100k
T3
RC
2k
RE
10k
T4
Figura 20.
Indicaie
Problema de fa este reprezentativ pentru determinarea punctului static de
funcionare, atunci cnd nu se cunoate apriori nimic despre funcionarea
tranzistorului ci doar schema de polarizare. Esena rezolvrii problemei const n
stabilirea zonei n care se afl tranzistorul: zona activ (regiunea activ normal-
RAN), zona de saturaie sau zona de blocare. Pentru acesta este util de urmat
algoritmul din figura 21. Dei pare laborios, algoritmul este uor de urmat, i
presupune:
a). calculul curentului I
CMAX
, curentul maxim ce trece prin tranzistor, n ipoteza c
U
CE
=0. Atunci cnd trece acest curent, tranzistorul se afl fie la limita zonei de
trecere dintre zona de saturaie i zona activ normal.
b). determinarea PSF considernd tranzistorul n zona activ.
c). dac I
B
0, atunci tranzistorul este blocat.
d). dac I
B
> 0, atunci tranzistorul conduce, el putnd fi saturat sau n zona activ. n
ipoteza c aceast condiie este ndeplinit, se verific:
d.1). dac I
C
I
CMAX
atunci tranzistorul este saturat.
d.2). dac I
C
< I
CMAX
atunci tranzistorul este n zona activ normal.
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 197
Se determin I
CMAX
din circuitul de
colector-emitor, punnd condiia :
U
CE
= 0
Se scrie sistemul de ecuaii,
presupunnd
c tranzistorul este n zona activ .
( U
BE
= 0,6 V; I
C
= I
B
)
Se rezolv sistemul determinndu-se
iniial valorile:
I
B
i I
C
IB 0
I
C
I
CMAX
Tranzistor
blocat !
Tranzistor
saturat !
Da
Da
Nu
Nu
Se reia
rezolvarea
Se reia
rezolvarea
Se determin
PSF
Tranzistor n
zona activ !
Figura 21
Rezolvare.
1). Pentru tranzistorul T
1
, din schema din figura 20.a,
I
E
R
CMAX
C
C
= = =
24
10
2 4
V
k
mA ,

I = I
E I R + U
E I R + U
C B
C B B
C C C

=
=

BEc
CE
Dup rezolvare : I
B
= 21 A.
Deci tranzistorul T
1
este sigur n conducie, deoarece I
B
> 0.
De asemenea: I
C
= 2,1 mA,
Tranzistorul T
1
este deci n zona activ (RAN), deoarece I
C
< I
CMAX.
i acest fapt,
permite determinarea tensiunii U
CE
= 3 V.
2). Pentru tranzistorul T
2
, rezolvarea este similar. Rezult ns I
B
= 234 A; I
C
=
23,4 mA.
Concluzia este c T
2
este puternic saturat, deoarece I
C
> I
CMAX.
n acest caz, pentru
determinarea PSF, se reia rezolvarea problemei, rezultnd sistemul:
Teste ________________________________________________________________
198 ____________________________________________________________________

U = 0,2 V 0
E I R + U
E I R
CE
C B B
C CMAX C

=
=

BEc
care permite determinarea curentului de baz: I
B
= 234 A; I
C
= 24 mA; U
CE
= 0 V.
3). Pentru determinarea PSF la tranzistorul T
3
, este recomandabil folosirea
teoremei Tevenin:
+EC = +24 V
RC
10k
RB2
100k
RB1
100k
R
E
Uab
T3
RC
10k
T3

b
a
b
a
Figura 22
Generatorul de tensiune echivalent are parametri:
E U E
R
R R
R R
E
R R
R R
R R
ab C
B
B B
ab
C
B B
B B
B B
'
' ||
= =
+
=
=
=
= =
+
=
2
1 2
2 2
1 2
1 2
12
0
50
V
k
Cu acestea sistemul rezultat va fi

I = I
E' I R + U
E I R + U
C B
B B
C C C CE

=
=

BEc
Rezult I
B
= 228 A; I
C
= 22,8 mA;
Deci tranzistorul T
3
este saturat, deoarece I
CMAX
=2,4 mA.
4). La acest montaj, curentul maxim de colector se poate aproxima (I
C
I
E
), ca
fiind:
I
E
R R
CMAX
C
C E
=
+
= =
24
12
2
V
k
mA
Aplicnd teorema Tevenin, iar apoi teoremele Kirchhoff rezult:
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 199

I = I
I = I I
E' I R' + U I R
E I R + U I R
C B
E B C
B E E
C C C CE E E

+
= +
= +

BEc
Cu soluiile: I
B
= 11,23 A; I
C
= 1,12 mA < 2 mA;
Deci T
3
fiind n zona activ, rezult U
CE
= 10,56 V.
51. n circuitul din figura 2.2.a, tranzistorul are = 100; U
BE
= 0,6 V; i I
CB0
=
0.
R2
10k
RE
10k
R1
10k
+EC = +20 V
I2
I1
IB
IC
UCE
RX
Figura 23
S se determine:
a. Valoarea curentului I
C
.
b. S se evidenieze funcionarea circuitului ca i generator de curent constant
(GCC).
c. Ce valori poate avea R
X
, pentru ca circuitul s funcioneze ca GCC.
Indicaie.
a.
I = I
I I + I
I I + I
E I R + U + I R
I R - U - I R
E I R + U + I R
C B
E B C
1 B 2
C 1 1 E E
2 2 E E
C C X E E

=
=
=
=
=

BE
BE
CE
0
Din primele 5 ecuaii ale sistemului rezult:
Teste ________________________________________________________________
200 ____________________________________________________________________
( )
I =
E - U
R R
R
R + 1+ R
R R
R

B
C BE
1 2
2
1 E
1 2
2
+

11 A
I
C
= I
B
= 1,1 mA.
b). n rezolvare nu s-a folosit ultima ecuaie a sistemului, deci I
C
nu depinde de R
X
.
Rezult c circuitul se comport fa de R
X
ca un generator de curent constant. n
acest sens circuitukl poate fi privit n felul urmtor:

IC
RX
+EC = +24 V
Figura 24.
c). Pentru ca funcionarea circuitului s fie cea descris trebuie ca TB s fie n zona
activ. Pentru aceasta trebuie ca U
CE
> 0,2 V 0 V; (Atunci cnd tranzistorul ajunge
la saturaie, la limit, U
CE
devine zero).
0 <

R
E I R
I
X
C E E
C
0 R
X
< 12 k
53. ntr-un lan de amplificare se gsete un tranzistor bipolar polarizat n zona activ.
Descriei o modalitate simpl de a aduce tranzistorul respectiv n saturaie
(prin modificarea unei singure rezistene)
Descriei o modalitate simpl de a aduce tranzistorul respectiv n zona de
blocare (prin modificarea unei singure rezistene)
54. Curentul invers de saturaie al tranzistorului cu Ge din circuitul reprezentat n
figura urmtoare, este 2A la temperatura camerei (25
0
C) si se dubleaz la fiecare 10
0
C
de cretere a temperaturii.
a) S se determine valoarea maxim a lui R
B
pentru ca tranzistorul s rmn blocat
i la 75
0
C dac E
BB
= 5 V.
b) Dac E
BB
= 1 V i RB = 50 k, pn la ce temperatur la limit rmne
tranzistorul blocat.
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 201
R3
R3
+Ec = +12V
EBB
ICB0
Figura 25
55. De ce inversorul CMOS nu este realizat cu tranzistoare TECMOS cu canal iniial?
56. Exist posibilitatea ca la inversorul CMOS ambele tranzistoare s fie simultan n
conducie? Ce condiie trebuie impus tranzistoarelor pentru a se ntmpla aceasta?
57. Exist posibilitatea ca la inversorul CMOS ambele tranzistoare s fie simultan
blocate? Ce condiie trebuie impus tranzistoarelor pentru a se ntmpla aceasta? Poate
fi exploatat o astfel de situaie pentru a realiza circuite tristate?
58. Pentru circuitul din figura 27 dau urmtoarele date:
LED-urile au caracteristica din figur: U
D1
= U
D2
= U
D3
= 1.5 V
r
d1
= r
d2
= r
d3
= 0
i
D
u
D
1.5 V
Figura 26
T
1
= T
2
=T
3
: I
CB0
=0
=300
U
BE
=0.6 V
Teste ________________________________________________________________
202 ____________________________________________________________________
R1
10k
+EC = +12 V
R2
1k
R4
1k
R3
10k
D1 D2
R5
10k
R6
1k
D3
T1 T2
T3
Figura 27
Pentru fiecare din cele 2 pozitii ale comutatorului K (A respectiv B) se cer:
care LED lumineaza mai tare.
s se precizeze starea tranzistoarelor T
1
,T
2
, T
3
, (blocat, saturat sau in zona activa).
59. Justificai prin calcule care LED din figura urmtoare lumineaz cel mai intens? Toate
tranzistoarele sunt identice avnd =100, U
BE
=0,6 V, I
CB0
=0.

R1
50k
+EC = +24 V
Rc
2k
R1
50k
R1
50k
Rc
2k
R2
50k
Rc
3k
Rc
2k
R2
50k
D1
D2
D3
D4
Figura 28
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 203
60. Pentru circuitul din figura urmtoare s se precizeze are din cele dou LED-uri
lumineaz mai tare i de ce.
R1
100k
+EC = +24 V
-EE = -10 V
R2
100k
R2
100k
R3
1k
R4
1k
R5
10k
D1
D2
Figura 29
61. Cunoscnd forma de variaie a tensiunii intrare pentru circuitul din figura
urmtoare, i considernd regimul cvasistatic, s se traseze la scar diagramele
i
C
i u
CE
n funcie de timp, pentru acest circuit. Pentru tranzistorul T se cunosc
urmtoarele: =100; I
CB0
=0, U
BEd
=0,56 V; U
BEc
=0,6 V;
u
BE
u
CE
i
C
i
B
R
C
0,5k
R
B
+E
C
=+24 V
u
i
10k
D
Figura 30. Exemplu de regim cvasistatic de semnal mare, cu limitare.
Indicaie pentru rezolvare. Pentru nceput vom analiza regimul de semnal mare al
tranzistorului.
Teste ________________________________________________________________
204 ____________________________________________________________________
i C
iCMAX
EC
u CE
u BE
u CE
i C
i B
RC
+EC
i B
i B MIN SAT
blocat
u BE
0,56 V
activ saturat activ
( )
Figura 31. Tranzistorul bipolar n regim de semnal mare.
Trecerea prin cele trei stri poate fi uor urmrit pe caracteristicile de intrare i de
ieire ale tranzistorului, din figura 31.
Pentru u
BE
U
BEd
= 0,56 V, (U
BEd
se numete tensiune de deschidere),
tranzistorul este blocat, practic nu exist curent de colector deci nici putere
disipat pe sarcina R
S
. De menionat c starea de blocare poate fi diferit, aa
dup cum se observ pe delimitrile caracteristicii de intrare. Pentru tensiuni
u
BE
mai mici dect 0,56 V dar foarte apropiate de aceasta, tranzistorul este
"blocat la limit". Pentru tensiuni U
BE
negative, tranzistorul este "puternic
blocat". u
BE

Din momentul n care tensiunea u
BE
depete valoarea 0,56 V, tranzistorul se
deschide, i
B
devine pozitiv i consecin a relaiei fundamentale, i
C
ncepe s
creasc. Tranzistorul intr n zona activ. Crescnd u
BE
n continuare, va crete
i
B
acesta implic creterea lui i
C
. Acum exist putere disipat pe sarcin,
putere ce poate fi controlat prin gradul de deschidere al tranzistorului. Prin
creterea lui i
C
tensiunea u
CE
scade, "forat" de relaia 1:
E
C
= i
C
R
C
+ u
CE
= const. (1)
Creterea lui i
C
face ca la un moment dat tensiunea u
CE
s tind spre zero. Din
acel moment curentul de colector nu mai crete, orict de mult ar crete i
B
, se
ajunge deci la saturaie. Momentul atingerii saturaiei este caracterizat de faptul
c i
C
atinge valoarea sa maxim iar u
CE
ajunge practic nul. Valoarea curentului
de baz pentru care se atinge saturaia, este notat n schem cu I
B MIN SAT
.
Aceast valoare mparte zona de conducie a tranzistorului n dou pri: zona
activ i zona de saturaie. Gradul de saturaie al tranzistorului se apreciaz n
funcie de valoarea curentului de baz astfel: dac I
B
depete valoarea I
B MIN
SAT
dar este foarte apropiat de aceasta, tranzistorul este "saturat la limit"
(saturaie incipient). Dac ns i
B
depete cu mult valoarea I
B MIN SAT
atunci
tranzistorul este "puternic saturat".
Viteza de variaie a tensiunii de comand fiind mic (2 V/ms), putem
considera regimul dinamic ca unul cvasistatic i n consecin se vor putea utiliza
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 205
pentru rezolvare parametrii de curent continuu cum ar fi de exemplu factorul de
amplificare pentru zona activ.
Trebuie observat din figura xx c tensiunea de intrare depinde liniar de timp
iar pentru prima sa poriune ea se poate exprima u
i
(t) = 2 t ; Primul pas l constituie
determinarea momentului t
1
, al treceri de la blocare la saturaie. innd cont c la
limita blocrii curentul de baz este nul condiia ce se pune este:
u
i
= 2t
1
= I
B
R
B
+ U
BEd
= U
BEd
= 0,56 V (2)
t
T= 20 ms
-10 V
10V
u
i
[ms]
0,56 V
u
BE
i
C
u
CE
t
t
t
t1 t2
blocat saturat
0,6 V
u
i MIN SAT
I
C MAX
E
C
Figura 32. Diagrame la regimul cvasistatic de semnal mare
Al doilea pas l constituie determinarea momentului t
2
al intrrii tranzistorului n
saturaie. Fiind la limita zonei active se va utiliza relaia fundamental a
tranzistorului. Rezult:
Teste ________________________________________________________________
206 ____________________________________________________________________

E = I R + u = I R
u = I R + U = 2 t
I I + I = I
C C MAX B CE C MAX B
i MIN SAT B MIN SAT B BEc 2
C MAX B MIN SAT CB0 B MIN SAT


=

(3)
Din relaiile 2 i 3:

t ms
t ms
1
2
=
=

0
2
,28
,7
(4)
Referitor la tensiunea u
BE
constatm urmtoarele:
Ea ajunge (cu datele problemei) la valori inverse mari care pot distruge
jonciunea baz-emitor. Pentru a evita acest risc se monteaz o diod ntre baz
i emitor, cu catodul la baz pentru limitarea tensiunii inverse.
Pe durata saturaiei, tensiunea baz-emitor variaz foarte puin este limitat la
aproximativ 0,60,7V.
n zona activ diagrama prezentat nu red cu fidelitate evoluia evenimentelor
datorit neliniaritii caracteristicii de intrare. Pentru simplificarea analizei n
zona activ, vom considera c tensiunea baz-emitor variaz, de la valoarea de
deschidere U
BEd
=0,56 V, pn la valoarea medie n conducie U
BEc
=0,6 V,
foarte repede, n prima parte a zonei active. n acest fel pentru cea mai mare
parte a zonei active putem considera U
BEc
=0,6 V.
62. n circuitul din figura urmtoare, toate diodele sunt identice (U
D0
=0,6 V; r
D
=0)
iar tranzistorul T are I
CB0
=0; U
BEd
= U
BEc
=0,6 V; =100. Considernd
secundarul transformatorului ca surs de t.e.m. cu rezisten intern nul, iar
amplitudinea ei fiind de 2V, se cere:
a. s se traseze la scar, diagramele u
1
, u
2
, u
BE
, u
CE
, i
B
, i
C
b. s se precizeze intervalele de timp n care tranzistorul T este: blocat,
saturat, respectiv n zona activ;
RB
10k
220 V
50 Hz
RC
2k
D3 D4
D2
D1
uCE
iC
iB
uBE u2
u1
+EC =+12 V
T
Figura 33
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 207
Indicaie.
Pentru trasarea la scar a diagramelor din figura 34, trebuie determinate
valorile momentelor de timp la care tranzistorul trece dintr-o zon n alta.
Determinarea momentului t
1
, al intrrii n zona activ de conducie (RAN),
corespunztor deschiderii tranzistorului:
u
1d
= u
1
+ I
B
R
B
=2sin(100t
1
)=0,56 V
t =
1
100
arcsin (0,28) = 0,903 ms
1

t
t
t
U1
EC
2V
0,6 V
1,8 V
0,6 V
uBE
Ui
iC
uCE
uCE
U2
iCmax
iC
BLOCAT SATURAT
u2
uBE
t4 t3 t2 t1
Figura 34. Diagramele de timp pentru problema 62
Determinarea momentului t
2
, al intrrii n saturaie:


E = I R + u = I R
u = I R + U = 2 t )
I I + I = I
C C MAX B CE C MAX B
1 MIN SAT B MIN SAT B BEc 2
C MAX B MIN SAT CB0 B MIN SAT


=

sin(100

Teste ________________________________________________________________
208 ____________________________________________________________________
t =
1
100
arcsin (0,9) = 3,56 ms
2

Observaie. Pe durata conduciei tranzistorului s-a considerat liniar dependena
dintre curentul de baz i cel de colector. n realitate, factorul nu este constant n
acest interval, el scznd mult n apropierea limitei de saturaie i blocare a
tranzistorului.
63. Pentru schema din figura urmtoare, n care se consider c regimul regim
cvasistaionar se cer :
1. Diagramele: u
1
(t), u
1
(t), u
CE
(t),
2. Intervalele de timp n care T este blocat , saturat sau n zona activ.
3. Componenta continu a lui u
CE
(t)
Figura 35.
64. Se d amplificatorul a crui schem este cea din figur. Considernd condensatoarele
de valori foarte, iar T1 i T2 identice cu urmtorii parametri,
T2:

U 0,56 V
U 0,6 V
100
h 1,5k; h 0
h 110; h 0
BEd
BEC
11 12
21 22
=
=
=
= =
= =

_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 209
5k 20k
10k
14,4k
Us Rs
+Ec
-Ee
Eg
Rg
T1
T2
C3
C2
C1
+
-
Figura 36
Se cer :
a) PSF
b) Amplificarea global a circuitului.
c) Care este amplitudinea tensiunii sinusoidale de inrare pentru care se
atinge limitarea semnalului la ieire.
65. Pentru amplificatorul dat n figura urmtoare, cunoscndu-se parametrii
tehnologici ai tranzistorului Q (V
BE
=0,6V, I
CB0
0, =100), curentul I
C
=1mA,
corespunztor punctului static de funcionare, precum i parametrii "h"
(h
12
=2,510
-4
, h
21
=100, h
22
=20A/V), se cere s se calculeze:
a. valoarea rezistenei R
e
, inndu-se seama de polarizarea n c.c. a
tranzistorului Q;
;
v
v
A e. ;
v
v
A d. ;
i
v
R c. ;
i
i
A b.
s
2
vs
1
2
v
1
1
i
1
L
i
= = = =
f. valoarea rezistenei din emitor (R
e
'), pentru ca |A
v
| =5, indicndu-se i
modalitatea de implementare a acesteia. Pentru analiza n c.a., reactanele
condensatoarelor C
b
i C
c
se vor neglija la frecvena de lucru.
Cc
+VCC =20 V
RS=10k
R2=
10k
Re
Cb
R1=
100k
RC=10k
RL'=
10k
Vs
V1
V2
i1
i2
iL
iL
Q
Figura 37
Teste ________________________________________________________________
210 ____________________________________________________________________
Indicaii:
a. Valoarea rezistenei R
e
rezult pe baza ecuaiilor de circuit scrise pentru
schema din figura 2.14.2. care este echivalent n c.c. schemei date n figura 2.14.1.,
n care:
V 1,81
10 100
10
20
R R
R
V V
k 9,09
10 100
10 100
R R
R R
R
2 1
2
CC B
2 1
2 1
b
=
+
=
+
=
=
+

=
+
=
Astfel, pentru I
E
I
C
=1mA,
=

= k 1,12
100
9,09
1
0,6 1,81 R
I
V V
R
b
C
BE B
e
C
VB
Re
RC=
10k
IB IC
Rb
B
VBE=
0,6V
E
VCC=
20V
IE=(+1)IB
IB
Figura 38
b. Pe baza schemei echivalente n c.a. (fig. 2.14.3.) a circuitului de
amplificare dat, se scriu urmtoarele ecuaii de circuit:

=
=
+ =
+ =
=
+ = =
L 2
L L 2
c 22 b 21 2
c 12 b 11 b
1 b 1
e b 2 c 2 b 1
2i i
i ' R v
v h i h i
v h i h v
) ( R v
)R i (i v v v v
b
i i
cu ajutorul crora se calculeaz mrimea
1
b
b
L
1
L
i
i
i
i
i
i
i
A = = , n care:
b
e b e L L L 22 21
b
c 22 21
b
e 22 b 21
b
2
b
L
i
R i R 2i i ' R
2
h
2
h
i
v
2
h
2
h
2i
v h i h
2i
i
i
i +
= =
+
=

=
prin a crui explicitare se obine:
_________________________________________________________________ Teste
____________________________________________________________________ 211
( ) ( )
63 , 44
12 , 1 2 10 10 2 2
12 , 1 10 20 100
2 ' 2
3
3
22
22 21
=
+ +

=
+ +

e L
e
b
L
R R h
R h h
i
i
i
. ' R || R R
i
v
unde ,
i
v
R
1
1
i
i
i b i
1
1
1
1
b 1
b
= = =
Cum
( ) ( ) ( )
( ) ( ) [ ]
e e L
b
L
e
b
e b
b
e b
b
e b b
b
i
R R R h
i
i
h R h
i
R i i
i
R i i v
h h
i
R i i v
i
v
R
2 2 ' 1
'
12 12 11
2 2 2
12 11
2 1
+ + + =
=
+
+
+
+ =
+ +
= =
iar =

= = k 2,5
1 40
100
40I
h
g
h
h
C
21
m
21
11
rezult:
( ) ( ) [ ] = + + =

k 103,59 1,12 2 1,12 2 10 10 2,5 44,63 10 2,5 1 1,12 2,5 ' R
4 4
i
i
=
+

=
+
= k 8,35
103,59 9,09
103,59 9,09
' R R
' R R
R
i b
i b
i
Astfel, 0,08
9,09
8,35
1
R
R
1
i
i
b
i
1
b
= = =
i, deci, . 3,57 0,08 44,63 A
i
= =
RS=10k
Rb=
9,09k
Re=
1,12k
RL'=
10k
VS
V1
V2
i1
i2
iL
VC
h12
h11 ib
Vb
h21
Ib
h22
RC=
10k
VC
i2+ib
Ri Ri'
Figura 39
c. = = k 8,35
i
v
R
1
i
i
d. . 27 , 4
35 , 8
10
57 , 3
' '
1 1
2
= = = = =
i
L
i
i
L L
v
R
R
A
R i
R i
v
v
A
Teste ________________________________________________________________
212 ____________________________________________________________________
e. . 1,94
10 8,35
8,35
4,27
R R
R
A
v
v
v
v
v
v
A
s i
i
v
s
1
1
2
s
2
vs
=
+
=
+
= = =
f. Neglijndu-se parametrii h
12
i h
22
, se obine:
( ) [ ]
5
h 1 R h 2
' R h
A
21 e 11
L 21
v
=
+ +

de unde rezult:
( ) ( )
. k 0,96
100 1 5 2
2,5 5 2 10 100
h 1 2A
h 2A ' R h
' R R
21 v
11 v L 21
e e
=
+

=
+
+
= =
Deci, n scopul creterii amplificrii n tensiune de la valoarea de 4,27 la 5,
se constat necesitatea micorrii rezistenei R
e
la o valoare R
e
'=0,96 k, ceea ce
conduce la decuplarea parial a rezistenei R
e
printr-un condensator C
e
, de valoare
suficient de mare la frecvena de lucru, care s scurtcircuiteze rezistena R
e
"=R
e
-
R
e
'=0,16 k (fig. 40.
Cc
+VCC =20 V
RS=10k
R2=
10k
Re'=
0,96k
Cb
R1=
100k
RC=10k
RL'=
10k Vs
V1
V2
Re"=
0,16k
Ce
Figura 40