Materiale Si Tehnologii Pentru Componente Electronice

Materiale si tehnologii pentru componente electronice (MTCE)
Rezumat curs 1
MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean
Cuprins
1. Obiectivele disciplinei. 2. Materiale folosite n electronic 3. Materiale conductoare.
1. Obiectivele disciplinei
Materiale folosite in electronic: conductoare, materiale semiconductoare, materiale dielectrice, magnetice - proprietati si caracteristici tehnice, fenomene specifice. Tehnologia componentelor electronice pasive: rezistoare, condensatoare, bobine - comportament functional, caracteristici electrice, tehnologii de realizare, aplicatii. Tehnologia dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate: tehnologii de realizare, aplicatii. Tehnologia de realizare a subansamblelor: tehnologii de realizare a cablajului imprimat, tehnologii de lipire, calculul radiatoarelor, principii elementare de testare.
Tehnologia electronic -abordeaz procedeele de realizare ale componentelor, dispozitivelor, a circuitelor electronice, precum i modalitile de asamblare a acestora pentru realizarea aparaturii electronice. Aparatura electronic are la baz materiale specifice i procese industriale bazate pe cercetri tiinifice legate de proprietile electrice i magnetice ale materialelor.
Bibliografie curs Oltean I.D., Componente electronice pasive, Editura Lux Libris, 2000, Oltean I.D., Tehnologie electronic, Tehnologia dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate, Editura MATRIX ROM, Bucureti, 2004 http://vega.unitbv.ro/~olteanu I. Dandea, Materiale si componente pentru electronica; Ed. SOLNESS; Timisoara, 2004. V. Catuneanu, Materiale pentru electronica; Ed. Didactica si
Pedagogica, Bucuresti, 1982. Laborator http://vega.unitbv.ro/~oltean u Tehnologie electronica lab (L2, L4) Tehnici de msurare in Telecomunicaii laborator (L1, L2, L3, L4)
Evaluare
B Laborator (nota L) B Prezena+activ
curs (nota P) B Examen (nota E)
MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean
Formula de calcul a notei finale (N): N=0.1P+0.25L+0.65E Dac: E>4 i L>4
2. Materiale folosite n electronic

Clasificare d.p.d.v. al comportrii n cmpul electromagnetic:
b Materiale conductoare, Materiale semiconductoare, Materiale dielectrice (electroizolante), Materiale magnetice.
Legi i parametri de material

Proprietile diferitelor materiale pot fi descrise cu ajutorul legilor de material, introduse pe baz de experiment. O lege de material descrie comportarea materialului sub aciunea unei solicitri exterioare. Intr-o astfel de lege, parametrul de material face legtura ntre cauz i efect (descrie legtura cauzal). Un enun general al unei legi de material conine ntotdeauna o exprimare de forma: Ori de cte ori asupra unui material se exercit o solicitare de o anumit natur (fore mecanice, fore electrice, solicitare termic, radiaii .a. - care reprezint CAUZA fenomenului respectiv) n material va apare un EFECT care depinde de natura i structura materialului, prin parametrii caracteristici ai materialului.
2.1. Parametrii de material
O proprietate de material reprezint o nsuire comun pentru acea clas de materiale care caracterizeaz rspunsul materialului la aciunea unor solicitri exterioare.
Exemple:
conductibilitatea electric (proprietatea materialului de a conduce curentul electric) definete modul cum se comport un material conductor electric arunci cnd asupra lui se aplic un cmp electric; susceptibilitatea magnetic caracterizeaz modul de comportare a unui material la aplicarea unui cmp magnetic etc.
11
Fiecrei proprieti de material i se asociaz o mrime fizic (care poate fi scalar, vectorial, tensorial) numit parametru de material, care caracterizeaz starea materialului supus solicitrilor exterioare.
12
Parametrii principali
Materiale
Conductoare Dielectrice Magnetice
Parametru de material
Conductivitate electric - a Permeabilitate dielectric - s Permeabilitate magnetic - u
J = aE E =
Unitate de msur Q_1 - m ~ l F/m H/m
Legea conduciei electrice: Legea legturii n cmp Legea legturii n cmp
p- J
B = JU0JUrH
electric: D sosrE magnetic:
13
3. Materiale conductoare
Conducia electric este fenomenul de trecere a curentului electric printr-un material atunci cnd acesta este supus aciunii unui cmp electric. Curentul electric de conducie este definit prin micarea ordonat de sarcini electrice libere (electroni sau/i ioni) sub aciunea cmpului electric. Metalele i aliajele intr n clasa materialelor conductoare, avnd conductivitatea: cr = 10...108 O-1 m Metalele - cristalizate n reele compacte cu proprieti mecanice, termice, electrice, magnetice deosebite. Structura atomic - metalele sunt alctuite din atomi care au un numr mic de electroni pe ultimul strat electronic (pn la 4 electroni, excepie face bismutul Bi, care are 5 electroni pe ultimul strat electronic).
14
3.1. Clasificarea materialelor n funcie de conductibilitatea electric

u
c - vD
Conductivitatea electric este parametrul de material care caracterizeaz proprietatea de conductibilitatea electric.
materiale conductoare electric, care permit trecerea curenilor electrici inteni, de ordinul A - kA (exemple: argintul, cuprul, aurul, aluminiul, grafitul etc.); materiale semiconductoare, care permit trecerea curentului electric de valore mai mic, de ordinul |jA - mA (exemple: cristalele de germaniu, siliciu cu impuriti introduse n mod controlat etc.); materiale electroizolante, n care curenii electrici de conducie au valori foarte mici, de ordinul nA - pA.
15
Scara rezistivitii i a conductivitii electrice a materialelor
16
3.2. Teorii ale conduciei electrice

a) Teoria benzilor energetice
a)
b)
c)
Clasificarea cristalelor dup poziia nivelului Fermi: a) cristale conductoare; b) cristale semiconductoare; c) cristale electroizolante.
17
Conducia electric a metalelor

b) Teoria gazului electronic (Lorenz)
Aceast teorie consider c reeaua cristalin a metalelor este alctuit din cationii metalici printre care se mic liber electronii. n reeaua metalic ionii metalici sunt scufundai ntr - un fluid de electroni liberi, numit gaz electronic. La aplicarea unei diferene de potenial din exterior, asupra fiecrui electron cvasiliber acioneaz o for electric ceea ce determin stabilirea, peste micarea de agitaie termic, o micare orientat a electronilor, care constituie de fapt curentul electric.
18
3.2.1. Densitatea de curent electric

O expresie a densitii curentului electric J, pentru cazul unui conductor de lungime / i seciune constant S
Aq
J = L = M.
N q 0 1 _ N q 0 1 Al At
S_ At S Al volumul conductorului este:
y = S Al
SS
19
a) Calculul densitii de curent

Viteza de drift poate fi definit ca vitez medie de deplasare a electronului de
conducie care parcurge lungimea A/ n intervalul de timp At, rezult: ;N J = - q o vd Concentraia de volum a electronilor de conducie este no=N/V, cu care expresia densitii curentului electric de conducie devine:
20
b) Viteza de drift
Mobilitatea electronului de conducie. Pentru a caracteriza uurina de deplasare a electronilor sub aciunea cmpului electric, se definete mobilitatea electronilor de conducie cu relaia:
v
^0 = -
__
K>
O-
a)
c) Conductivitatea electric
Cu considerarea expresiei mobilitii electronului j 0 se mai poate scrie:
o = q 0 nQ m0
Valoarea conductivitii electrice este influenat de concentraia de volum a electronilor de conducie no i de timpul mediu ntre dou ciocniri, respectiv, de mobilitate jo.
J=a E
Proprietile metalelor sunt determinate de un tip special de legtur care se stabilete ntre atomii din reelele metalice - legtura metalic.
22
d1) Dependena conductivitii de structur

Dependena mobilitii purttorilor de sarcin de timpul mediu ntre dou ciocniri arat c procesele de ciocnire sunt responsabile de rezistena pe care o manifest conductorul la deplasarea ordonat a electronilor. Ciocnirile determin frnarea micrii electronului de conducie.
Ciocniri ale electronilor de conducie: a) cu reeaua cristalin; b)
23
cu impuritile ionizate; c) cu impuriti neutre.
24
Durata medii dintre dou ciocniri cuprinde trei componente:

1
^
d2) Dependena conductivitii de structur i de temperatur

------- ------------- 1 ------------ 1--------
1 t
1 t
împ^def
Corespunztor, rezistivitatea metalului este:
2 Aceast relaie, care poart numele de lui Mathiessen, se q0 nlegea o tot poate scrie sub forma: P p
"2a
q0 no
m0
m0
111 +t+ t
imp ^def T
imp
+P
def
+P
Rezistivitatea unui metal este format dintr-o component datorat impuritilor pimp, o component datorat defectelor reelei cristaline pdef i o component datorat vibrailor termice ale atomilor reelei cristaline pr.
25
Caracteristici
Concentraia nQ a electronilor de conducie, durata medie ntre dou ciocniri tc , valorile conductivitii electrice a i rezistivitii p pentru unele metale.
Metalul Li Na K Cu Ag n0 [ m-3 ] 4,6 1028 2,5 1028 1,3 1028
4,
tc [ s ] 0,9 10-14
3,
CT
[1/Om]
p [Om] 8,33 10-8 4,34 10-8 5,26 10-8 1,56 10

8
0,12 108 0,23 108 0,19 108 0,64 10 0,68 10

8
8,5 1028 5,8 10

2 8
C D
1",
4,
i c
C D
1,47 10-
26
d3) Dependena rezistivitii de temperatur

Rezistivitatea metalelor depinde de temperatura: cu creterea temperaturii rezistivitatea crete.
Variaia conductibilitii metalelor cu temperatura are la baz variaia forei de frecare care acioneaz asupra electronilor mobili. Forele de frecare se stabilesc ca urmare a oscilaiilor particulelor din punctele nodale ale reelei i a interaciunii electronilor cu aceste particule. La temperaturi sczute oscilaiile sunt mai reduse deci i forele de frecare sunt mai mici, ceea ce face ca conductivitatea electric s fie mai mare.
Dependena rezistivitii de temperatur la unele metale
27
Pb Fe Pt
200 -100 0 100 200
e [C]
p
r0 ' 1 +
p'^T
-T
)J
24
3.3. Starea de supraconducie

Supraconductibilitatea este proprietatea unor materiale de a opune o foarte mic rezisten la trecerea curentului electric. Starea materialelor caracterizat prin lipsa total a rezistivitii electrice la trecerea curentului electric se numete stare de supraconducie. n cazul metalelor conductibilitatea electric i termic crete cu scderea temperaturii. La 0 K unele metale nu mai opun rezisten la trecerea curentului electric, devenind supraconductoare.
29
a) Supraconductibilitatea
Fenomenul a fost pus n eviden pentru prima dat de ctre Kamerlingh Onnes n 1911, care a constatat c rezistena unui eantion de mercur la temperaturi sub 4,2 K scade brusc la zero. 0,150
Hg
0,125
0,100
1
G 0,075 ^ 0,050 0,02 5

____ J
1
1
0,000
4, 0
4,2
T[K]
4,6
4, 4
30
b) Temperatur critic de supraconducie

Se poate vorbi de o valoare bine definit a temperaturii la care are loc trecerea n stare supraconductoare, numit temperatur critic de supraconducie Tc (tabel).
Temperatura critic de supraconducie i tipul de structur cristalin pentru unele metale.
| Elementul | Tc, K ! Structur j cristalin
Al 1,19
Hg 4,15
In
Mo
Nb 9:2
Pb 72 CFC
V 5,3 CVC
W 0012 CVC
3,4
0,92
CFC Romb. Tetraed.
CVC CVC
31
3.4. Materiale de mare conductivitate

Pentru ca un material s poat fi utilizat ca material conductor electric, este necesar s ndeplineasc urmtoarele cerine: rezistivitate electric mic; efect pelicular s fie neglijabil; densitate de curent admis mare; conductivitate termic ridicat; elasticitate ridicat; rezisten mecanic mare; rezisten mare la coroziune chimic; prelucrare uoar prin laminare i trefilare.
32
Materiale de mare conductivitate: argintul, cuprul, aurul, aluminiul, fierul. Aceste metale satisfac aproape n ntregime cerinele impuse utilizrii lor drept conductoare. Aurul i argintul, fiind metale preioase, se utilizeaz mai rar.
MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean 33
a) Cupru
Cuprul este metalul folosit cu precdere n industria electrotehnic, sub form de cupru electrolitic de puritate 99,6 ... 99,9% i ca element de aliere. Obinere. Cupru se obine din minereuri sulfuroase (calcopirita, calcozina, bornita) i oxidice (cuprit, azurit, malachit) prin reducere piro- sau hidrometalurgic. Sorturi obinute prin rafinare electrolitic : CuE (99,99%), destinate utilizrilor din industria electrotehnic. Este foarte bun conductor de cldur i de electricitate. Conductivitatea electric normal a cuprului <? = 5,8 107 (Qm)1 Rezistivitate de volum normal, pn = 1,724 108 Qm Aliajele cuprului, utilizate ca materiale de mare conductivitate, sunt: alamele i bronzurile.
b) Aluminiul
Aluminiul urmeaz dup cupru din punct de vedere al conductivitii electrice i termice. Este mult mai uor i mai ieftin dect acesta, dar inferior n ceea ce privete rezistena mecanic, prelucrabilitatea i rezistena la coroziune electrochimic. Obinere. Aluminiu se obine prin reducere electrometalurgic. Metalurgia aluminiului implic dou etape importante:
MTCE- prof. dr. ing. loan D. Olt*
Impuriti [%]
obinerea aluminei, Al2O3, din bauxit; obinerea aluminiului din alumin.
MTCE- prof. dr. ing. loan D. Olt*
Impuriti [%]
Materiale conductoare.
Aplicaii. Linii electrice.
Rezumat curs 2
Cuprins
1. Materialele de mare rezistivitate. Aliaje pentru reostate 2. Dependena rezistivitii metalelor cu temperatura. Aplicatii. 3. Conductoare i cabluri electrice. 4. Linii de transmisie. Caracteristici.
1.Materialele de mare rezistivitate

Materialele de mare rezistivitate au funcia de control i limitare a curentului electric, funcie realizat datorit rezistenei mari pe care o opun la trecerea curentului electric. Pentru ca un material s poat fi utilizat ca material de mare rezistivitate
trebuie s prezinte urmtoarele cerine: rezistivitate electric mare, pentru a obine valori ridicate ale rezistenei electrice cu un volum ct mai redus de material; coeficient de temperatur a rezistivitii ct mai redus, pentru ca influena temperaturii asupra valorii rezistenei electrice s fie ct mai mic; tensiunea termoelectromotoare fa de cupru ct mai mic; temperatur de topire ct mai ridicat.
Condiia de mare rezistivitate se poate realiza prin impurificarea controlat a metalelor pure, care mrind ponderea interaciei de tip electron impuritate (independent de temperatur), conduce la micorarea dependenei de temperatur a rezistivitii, mrind tot odat valoarea rezistivitii.
Aliaje de mare rezistivitate

Aliaje au rezistivitate mai mare dect metalele pure. Dintre acestea se folosesc: Manganinele sunt aliaje de cupru cu mangan, la care se mai adaug i alte elemente de aliere: Ni, Al, Fe. Pentru a obine manganine cu rezistene deosebit de mari se mrete procentul de Mn pn la 60 ^ 70%, obinndu-se materiale cu p = 200 108 Qm. Nichelinele sunt aliaje de Cu cu cel mult 35% Ni. Acestea sunt mai ieftine dect constantanul, se
prelucreaz mai uor, dar au proprieti inferioare. Aliaje Cr-Ni, Cr-Ni-Fe.
1.1. Aliaje pentru reostate

Caracteristicile aliajelor pentru reostate. Aliajul Argentan Nichelin Compoziie 60% 17% 23% Zr 30 Cu 58% Ni 22% 20% Zr 36 Constantan Nichelin 54% 26% 20% Zr 43 Nichelin
Cu 60% Cu Ni 40% Ni 50
Cu 67% Cu | Ni 30-31% Ni 2-3% Mn 40
Rezistivitate, [IO sOm Coeficient de variaie al :i Nzistivitii, 10 3 K 1 rT.e.m. fat de Cu,
0,35
0,31
0,02
0,23
0,11
+ 15
+ 12
+ 25
-i
Aliaje pentru rezistene de putere

|Alte aliaje pentru rezistoare bobinate de putere Denumire Feromanganin Izobelina Compoziie chimic
Aliaj Weimer
Novoconstantan
Cu-86% Fe - 2%
Mn-12% Cu 84% Mm Cu 84% Mn Cu 82,5% Mn 13% Al 3% 12% Al 4% 12% Fe 1,5% Al 4%
P2ffc=10Ôm
48
50
46
45
Problem 2.1
S se determine lungimea l i diametrul d al srmei din nichelina si din constantan necesare pentru obinerea unei rezistene R=100 O cu P=1000 W. (J=5A/mm2).
Rezolvarea pentru conductor de constantan p=50 E-8 Qm Calculul rezistenei R:

_ l,RS R = p; l = ------------Calculul seciunii S:
Sp
J = , S = = -------- = 0,632 mm S J 5
Determinarea lungimii l:
3,16
l=
nd S= ~4
2
R S 100 0,632 10 P
d=
'4S
50 10 8
6 = 126,4 m
Calculul diametrului:
Se adopt d=1 mm i se recalculeaz lungimea conductorului de constantan. Rezult: l=157 m
4 0,632 10
= 0,947 mm
10
Pentru metalele de mare conductivitate este valabil relaia:
1.2. Dependena rezistivitii metalelor cu temperatura.

P t = P to (1 + a p AT )
TD - temperatura Debye
11
La metalele pure coeficienii de variaie a rezistivitii cu temperatura au valori de ordinul ap 4 10-3 K-1. Astfel, apCu = 3,39 10-3 K-1, apAl = 4 10-3 K-1, apFe = 5,7 10-3 K-1. La unele metale, cum este cazul fierului, apar abateri de la dependena liniar
p=p0 (1+a0+b0 2 + C03 +...)

n acest caz, se poate defini doar un coeficient efectiv de variaie a rezistivitii cu temperatur a p0, cu relaia:
La materialele conductoare coeficienii de variaie a rezistivitii cu temperatura sunt pozitivi, ceea ce specific o cretere a rezistivitii cnd temperatura crete.
Problema 2.2
Care este variaia relativ a rezistentei din

Problema 2.3.
nichelin i din constantan (R=100 O cu P=1000 W - problema 2.1) dac temperatura creste cu AT=250 grd.
S se determine rezistena unei linii electrice din cupru cu seciune S=1,5 mm2 i lungimea l=1000 m. S se stabileasc modificarea procentual a curentului din circuitul alimentat prin aceast linie electric dac temperatura crete cu 50 grd.
R:
R=11,47 ohm Modificarea - 20%
13
2. Aplicaii ale materialelor conductoare

Cabluri i linii de transmisie a energiei electrice; Cabluri i linii de transmisie a semnalelor; Elemente i dispozitive de reglaj a curentului electric: rezistoare, reostate; Elemente de contactare: contacte i conectoare electrice; Elemente de limitare a curentului: sigurane fuzibile.
2.1.
Conductoare i cabluri electrice
Conductoare:' masiveiflexibile;" material: Cu, Al, (Fe). Cablurile monofilare, izolate sau nu, metalizate (stanate, argintate) sau nu, sunt din cupru recopt (moale, rezistivitate mic) sau tras la rece (mai elastic, cu rezistivitate ceva mai mare). Conductoarele masive au flexibilitate redus i nu suport ndoiri sau rsuciri repetate. Cablurile multifilare, sunt formate din mai multe fire (3 ...15 fire, O 0,1 ... 0,5 mm) strnse n mnunchi i uor torsadate.Aceste conductoare au flexibilitate mai bun i sunt folosite pentru conectarea pieselor
mobileSolid (1) 3
0 9? < & & # # #

4 5 7
19
37
61
151
Cablurile bifilare (2 fire), trifilare (3 fire) sau multifilare, constau din mai multe conductoare, de regul multifilare, puse n paralel i izolate formnd cabluri rotunde sau tip panglic.
15
a) Construcia cablurilor
izolaie (plastic)
conductor
Curentul maxim admis depinde de diametrul conductorului i condiiile de rcire.

conductor litar
n general: J<5 A/mm2 La un cablu se indic: -nr. fire (2, 3,...); -- felul conductorului (masiv, flexibil)
conductor masiv
Trifilar litat. cu !7 izolaie comuna multifilar panglic (litat)
-Seciunea (mm2); -Tipul de izolaie; -Grad de protecie.
16
b) Izolaia conductoarelor cablurilor

Izolaia cablurilor filare se realizeaz cu: pelicul de email, cu email i estur impregnat sau nu, sau cu mas plastic. Cablurile izolate cu email (pelicule de 8 - 50^m) se folosesc pentru bobinajele transformatoarelor i mainilor electrice, a bobinelor releelor etc;
Masa plastic PVC Teflon PVF
Rez.. la solveni
----- JT----------------------
(T ......................
Bun Excelent Bun
Inflamabilitate Arde lent Neinfla mabil Se autostinge
Temp. lucra -55 +105C -80+260C -65+130C

17
u Problem 2.4
S se calculeze cderea de tensiune i puterea disipat pe un cablu bifilar cu lungimea /=100 m i seciunea de 2,5 mm2 care alimenteaz de la reeaua de 220 V o
18
sarcin cu puterea P=2,2 kW.
2.2. Aplicaii ale materialelor conductoare n electronic i telecomunicaii

a) Linii de transmisie a semnalelor Linii electrice de transfer a semnalelor pot fi: cablul de cupru simetric sau asimetric, cablul TV, linii mirostrip.
19
20
Distribuia campului electric si magnetic (E i H) la o linie bifilar

ii-------*
I ------------------------------------------
21
Parametrii ai liniilor de transmisie

Rezistena electric pe unitatea de lungime R [ohm/km], Impedana caracteristic: Z0 [ohm], Atenuarea: At [dB/m, dB/100m, dB/km, la diferite frecvente]; Uneori se specific i parametrii liniei: capacitatea i inductana specific: C0 [pF/m] i L0 [nH/m].
22
A. Linii de transmisie simetrice

Lin ia bifilar -asigur o cale simetric de transfer pentru semnalele electrice. Mediul de transmisie al semnalelor n telecomunicaii este constituit din fire de cupru sau aluminiu de form cilindric cu diametre d situate ntre ele la distana D.
A.1.Caracteristici ale liniilor de transmisie

a) Inductana liniei bifilare
Inductana L este dat de cmpul magnetic dintre conductoare care apare atunci
cnd acestea sunt parcurse de curent. Valoarea inductanei se poate calcula n funcie de dimensiunile conductoarelor i de geometria dispunerii acestora.
L -,
l f [ B ( r ) + B (r)] Idr = ln x 2 Ja <tn a
L -M
ln a
b) Rezistena R
Rezistena R este dat de caracteristicile materialului conductor p i dimensiunile geometrice ale conductoarelor: l, d (S)
Rezistena conductoarelor n funcie de diametru
I) i a 111 etnii con du eforului [nun]
0,-1 0,6 0,8
Rezistenta electrica [Q km] maxima individuala

150 66,8 co <n
medie
144 63,9 35,3
Cderea de tensiune AU pe conductoarele liniei este proporional cu valoarea rezistenei acestora: AU = R I Dezechilibrul de rezisten - ntre conductoarele aceleiai perechi, nu trebuie s depeasc 2%.
25
Scheme echivalente
c) Capacitatea C asemntor cu condensatorul plan este data de geometria
conductoarelor, distanta dintre acestea i natura dielectricului r. Schema echivalent cu neglijarea pierderilor n conductoare i n izolaie.
26
A.2. Cabluri cu perechi torsadate (rsucite)

Conductoare paralele
Perechile rsucite pot fi neecranate UTP sau cu perechi torsadate individual ecranate STP .
Perechea este format din dou conductoare din cupru izolate identice rsucite pe unitatea de lungime (tipic, 40 rsuciri/m). Prin rsucire curentul circul n sensuri opuse n conductoarele alturate i prin aceasta fluxurile magnetice produse au valori egale, dar de sens contrar aa nct fluxul total este nul.
27
S-au stabilit normative pentru aplicarea cablurilor UTP n comunicaii de date pn la 100 Mbps.
Cablul UTP
28
Cablul cu perechi torsadate ecranate STP i individual ecranate SSTP.

Fluxurile magnetice produse au valori egale, dar de sens contrar aa nct fluxul total se anuleaz.
29
Cablul STP
30
1>OOOOCXJXXXXXX
Conectori pentru cablul UTP
OO -^1 gf> -fi <jO M
Cablul UTP (cu 4 perechi)
..-.aaiii
31
Categorii UTP
* Pana la 16MHz Folosit pentru voce in mojoritatea cldirilor Lungimea de toisadare: 7.5 cm la 10 cm * Cat 4 Pana la 20 MHz * Cat 5 Pana la 100 Miz Folosit n cldirile noi Lungimea de torsadare: 0.6 cm la 0.85 cm * Cat 5E {Enhanted) * Cat6
cat 3
--=- (SSTP)
_
|b) Cat 3 UTP Cat 5 UTP
32
B. Liniile de transmisie asimetrice

Liniile de transmisie asimetrice transfer semnalele electrice n raport cu celalalt conductor considertat ca referin.
33
STRI PLINE
MICROSTRIP
b)
c-r c-r
-r C-r V
Linii de transmisie asimetrice a) Tipuri de linii b) Schema echivalent
34
B.1. Cablul coaxial
Ecranul, conductorul cilindric exterior, este realizat de obicei din mpletitur din fire de cupru (tres). Cu ct ochiurile sunt mai mici, cu att radiaia electromagnetic (radiat sau ptruns) este mai redus, efectul de ecranare mai pronunat. Pentru frecvene foarte mari, se folosesc cabluri dublu ecranate cu tres sau cu folie. Dielectricul - Izolaia intern: polietilen, polistiren, teflon, etc.
35
Scheme echivalente
O linie compus din conductoare se poate considera un circuit electric cu constante distribuite.
Capacitate C, conductan G, inductan L si rezisten R sunt distribuite / unit. lungime. Exemplu: , L. j
^ ^
36
Exemplu: Caracteristicile unor cabluri coaxiale
37
Caracteristicile unor cabluri coaxiale cu ZQ= 50Q Codul 50-3-1 50-7-2 503 50+2 Zo [Ol 0.9 2,28 d [nun] 2,95 D [nun] 7,25 Polietilena Polietilen Dielectric 100 100 C [pF/111] 5 2,8 At 10 [dB/lOOm] 17 8,5 100 22 12 f [MHz] 200
500 800 Dext [imn] 40 54 5 RG58CIU 21 28 10,3 RG213U
50-12-1
502 3,58 11.5 Polietilen
100
1,9 5,5 8,2 14 19 15
Echivalent
5
38
C. Impedana caracteristic a liniilor de transmisie

Impedana caracteristic Zo este dat de relaia.
R (o L G oC
R + joL G + jwC MC
j+ j+
La frecven mare wL>>R, wC>>G si impedana caracteristic devine:
Impedana caracteristic a perechilor individuale pentru toate categoriile de cabluri UTP este ZQ=100 Q.
Impedana caracteristic Z0 a cablului coaxial, n funcie de geometria cablului (d, D) i de caracteristicile dielectricului sr, se obine prin nlocuirea inductanei L i a capacitii C in relatia
i se obine:
'0
L1 C 2n \
M In D d oS 0 r
60 In D
d
138
40
Problema 2.5
1) Un
cablu coaxial cu dielectric teflon (sr=2) are conductorul central cu diametrul d=1,5 mm.
S se determine: a) diametrul exterior D pentru ca impedana caracteristic s aib valoarea Zo=50 Q; b) capacitatea proprie a unei tronson din acest cablu la care inductanta L=1 mH.
R: D=4,86 mm C=0,4 MF
Componente pasive. Serii

de valori. Rezistoare.
Cuprins
1. Generaliti 1.1. Componente pasive 2. Serii de valori nominale 2.1. Valorile normalizate 3. Rezistoare
1. Generaliti
Componente electronice, un termen general, pentru componentele pasive i active, pornind de la cele simple cum ar fi rezistoarele, condensatoarele i bobinele pn la cele mai complexe cum ar fi circuitele integrate. Componentele electronice sunt produse de firme specializate (de exemplu: Siemens, Philips, Intel, etc.) i sunt caracterizate printr-un set de valori i parametrii standard. Caracteristicile componentelor sunt prezentate n cataloagele firmelor productoare.
1.1. Componente pasive

Componentele pasive nu pot transforma direct energia de curent continu n curent alternativ i nu pot amplifica semnalele electrice. Din aceast categorie fac parte: - rezistoarele, - condensatoarele, - bobinele.
rezi stenta
i-iEI
capacitat e
inductivitate
Condensatoare
Placa de baz la Ceramice multistrat cu terminale Ceramice multistrat cu montare pe suprafa Arie de capaciti Electrolitice cu Ta cu terminale Electrolitice cu Ta cu montare pe suprafa Electrolitice cu Al De trecere Disc Cu terminale Cu montare pe suprafa Arii de rezistoare
PentiumPentium 2GGFentium II Pentium 486 12G MMX 333MHz 5S III 151 190 32 15 1 3l l 32 3 257 1SS 14S 336 11 4 492 635 346 981 S0 15 300 140 600 200
Total condensatoare Rezistoare
73 92
159 146 64 21G
895 1000 300 13GG
Total rezistoare
92
Total componente
165
369
593
1473
2195
6
Dinamica utilizrii componentelor pasive

pasiv e
2. Serii de valori nominale

Componentele pasive, n special rezistoarele i condensatoarele discrete se caracterizeaz prin anumii parametrii cu valori tipizate. Aceast tipizare a fost impus de: considerente funcionale (componentele se pot situa ntr-un interval de valori fr a influena fucionarea circuitui electronic); considerente tehnico-economice de fabricaie (fabricaia n serii mari i foarte mari). Considerentele tehnico-economice ale produciei de serie au dus la realizarea de componente electronice avnd valori normalizate.
Valori nominale, tolerane
2.1. Valorile normalizate

Valoarea nominal Vn corespunde cu valoarea tipizat a
parametrului de baz. Valorile nominale Vn se succed n serii discrete ce formeaz seriile
de valori nominale.
V (1+1) > V *,(1 -t) Tolerana t :
t = max
100
Valorile nominale ale seriei alctuiesc o progresie geometric cu raia r Iar tolerana:
10
Numrul n de valori nominale dintr-o .100...)
decad (1.. .10 sau 10..
r =
= 10
r
Valoarea raiei r, pentru o decad cu n termeni:
= nlo
Seriile de valori nominale se codific cu litera E urmat de numrul n de
11
valori distincte dintr-o decad (E6, E12, E24, E48, E96, E192).
12
Exemplu
S se gseasc valorile nominale ale seriei de componente cu tolerana t= 20%.
Numrul n de termeni dintr-o decad: Raia: r = ---------- = 1,5 1 - 0,2
11 . =i k = 5,68 lg r lg 1,5
n=
Valoarea obinut se rotunjete (conform CEI) la valoarea ntreag n=6 i se obin seriile de valori nominale E6:
k 10
(1; 1,5; 2,2; 3,3; 4,7; 6,8), unde k=-1, 0, 1,...6.

... ... . . ... .
Raia:
r = a/Io = 1,468
Valoarea raiei seriei cu 6 termeni intr-o decada (seria E6) se rotunjete la valoarea r=1,5.
13
Aplicaie
3.1. S se determine valorile nominale ale seriei de componente cu tolerana t= 10% i 5%.
14
E1 2
E24
Caracteristicile
Seria Raia Toleranta tl%] Numr de valori n E6 1,5 20 6 E12 1? 10
3
seriilor
E24 1,1 5 24 E48 2,5 48
T=l r,
de
1. S
E96 1,025 1
2.2
E192 1.0125 0,5

2.2 2.2
12
96
192
valori nominale
Serie - Toleran
3.3
3.3
_ E6(+20%); E12(10%); E24(+5%);

E12
E2 4
E48(+2%); E96(+1%); E192(+0,5%);
3. Rezistoare
14
Rezistoarele sunt componente electronice dipolare (cu doua borne) la a caror borne se produce o cadere de tensiune U, atunci cnd sunt strbtute de un curent electric I. Energia electric care rezult W=U.I.t se transform prin efect Joule - Lenz Un cldur.
0
3.1. Rezistoare. Clasificare. Simboluri.
r\
15
Simboluri utilizate.
16
Clasificare
a) In funcie de dependea U(I)
Rezistoarele a cror valoare (R=U/I) nu depinde de valoarea tensiunii aplicate la borne se numesc rezistoare liniare.
Rezistoare peliculare
Rezistoare bobinate ir
MTCE- prof. di. my. lu cii i l j. wu cdi
17
Rezistoarele neliniare sau dependente sunt acele rezistoare la care
dependena dintre tensiunea la borne i curentul care le strbate depinde de influene de natur: electric, magnetic sau ambientale (temperatur, lumin, etc.).
b) Dupa modul de modificare a valorii rezistenei (la utilizare): - rezistoare fixe, la care valoarea rezistenei se stabilete n procesul de fabricaie i rmne constant pe ntreaga durat de funcionare; -rezistoare variabile i semivariabile, la care valoarea rezistenei se poate modifica ntre o valoare minim i maxim sau n limite prestabilite. c) Dup modul de realizare al elementului rezistor: - rezistoare peliculare, realizate prin depunerea unei pelicule conductoare (semiconductoare) pe un suport izolant; - rezistoare bobinate, realizate prin nfurarea unui conductor metalic pe un suport izolant; - rezistoare de volum, realizate prin formarea elementului rezistiv dintr-o mas rezistiv compact.
19
3. 2. Rezistoare fixe
-rezistoare fixe, la care valoarea rezistenei se stabilete n procesul de
fabricaie i rmne constant pe ntreaga durat de funcionare;
Pri componente: elementul rezistiv, suportul izolant, terminalele.
(c)
<>
Rezistoare discrete
Rezistoare SMD Rezistoarele din
Contacte
circuite n tehnologie hibrid
20
Conectarea in serie si paralel

*1 *2 ^NAA^WW
(a)
*2
-AAAVWWV-
(b)
21
Utilizri ale rezistoarelor fixe

Rezistoarele - componente caracterizate prin rezisten electric reprezent aproximativ 30 - 40% din componena unui circuit electronic.
Circuite cu tranzistoare
Circuite cu AO
22
23
3.2.1. Rezistoare peliculare

ol L
a)
dl
c)
24
25
In cazul unei pelicule plane avnd rezistivitatea p i dimensiunile L x w x g,

unde: L - lungimea; w - limea; g - grosimea peliculei;
Rezistena se calculeaz cu relaia:
26
Structura rezistoarelor din circuite n tehnologie hibrid
Contacte
Pri componente
1. 2 3 4 ' ' '
5 5
6
27
28
Materiale pentru pelicule rezistive

Tabelul 2.7. Caracteristicile unor materiale utilizate pentru pelicule rezistive Material CrSiO Sn02 Ta
R= [n/n] a.R [10 6/C] 103 100 25... 1000 500 50.. .500 200...5.103
Cermet
1... 104 -200...-3000
29
. 3.2. Aplicaie
S se determine grosimea peliculei din CrSiO necesar la realizarea unui rezistor R=10 O la o lungime echivalent de 10 mm. Pentru acest rezistor s se determine intervalul de variaie al rezistenei dac temperatura are o variaie A0=1QO grd.
30
3.2.2. Rezistoare bobinate

Terminalele rezistoarelor bobinate se realizeaz n variantele: axiale, din cupru (cositorit) fixate prin intermediul unor cpcele pe capetele suportului (a); incluse, n cazul rezistoarelor tropicalizate (b); radiale tip colier, fixate cu urub i piuli pentru rezistoare de putere (P>40W) (c).
31
l 4 - N - n - D 4 -N -D R = P = P --------------------- = P ------------------------- S n - d d
32
Aplicaie
S se dimensioneze un rezistor bobinat (N, d, p) din constantan cu urmtoarele caracteristici: R=100 O, P=100 W, D= 20 mm, l=80 mm.
R: N=32 spire d=0,5 mm
33
P=2 mm
3.3. Rezistoare variabile i semivariabile
34
35
Caracteristici
- rezistoare variabile i semivariabile, la care valoarea rezistenei se poate modifica ntre o valoare minim i maxim sau n limite prestabilite.
________________________________ _______ _____________ ______________ __________________ __ ________ __________
Legea de variaie
Liniari
Forma analitic a dependenei R=r, +<pRK
Utilizri
-reglajul tensiunii (montaj poteniometric); - reglajul curentului (montaj reostatic) -reglajul volumului la amplificatoarele de audio frecven
rO II l
R=>, R
Logaritmici
Invers logaritmici
i- n ''
-reglajul caracteristicii de frecven la amplificatoarele de audio frecven
36
Rezistoare variabile i semivariabile
sunt caracterizate prin aceiai parametrii ca i rezistoarele fixe. Tolerana poteniometrelor este n general mai mare dect la rezistoarele fixe, considernd c poziionarea cursorului nu poate fi fcut cu o rezoluie foarte mare. Pentru obinerea unei rezoluii mari n poziionare se realizeaz poteniometrii multitur.
37
Andurana mecanic- numrul minim de acionri la care un poteniometru i pstreaz aceleai caracteristici. Aceasta se situiaz ntre 10.000 i 25.000 pentru poteniometri variabili uzuali i 100-200 pentru poteniometrii semivariabili. Fora de presare - reprezint fora cu care cursorul apas
38
asupra peliculei rezistive (pelicul).
39
3.4. Parametri rezistoarelor Marcare.

a) Rezistena nominal Rn, reprezint valoarea care se realizeaz prin procesul
tehnologic de fabricaie. Valoarea nominal se marcheaz n clar sau n codul culorilor. Unitatea de msur a rezistenei n Sistemul /nternaional [S.I.] este ohmul [Q] sau multiplii uzuali: kiloohm [1kQ = 10 3 Q ], megaohm [1MQ = 10 6 Q ]
b) Tolerana t, exprimat n procente reprezint abaterea maxim admisibil a valorii reale R a rezistenei :
40
c) Puterea nominal Pn,[W] reprezint puterea maxim care poate fi disipat pe un rezistor, la temperatura de T 1=70 C. Puterile normalizate ale rezistoarelor sunt urmtoarele: 0,063; 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2; 3; 4; 6; 12; 16; 25; 40; 50; 100 W.
T-T
T mJ
41
Rn
U2
Tensiunea nominal limit este tensiunea maxim

poate fi aplicat la bornele unui rezistor.
0,125 0,25 0,5 1
TD Pn
continu sau valoare eficace a tensiunii alternative care
Pn [W]
n [V]
125
250
350
500
700
42
P=U
43
1 P=R I
44
d) Coeficientul de temperatur al rezistenei aR: a = __________________ 'R
1 AR
R AT
Coeficientul de temperatura se exprim: 10 6/C sau ppm/ C
Utilizarea
Tip rezistor
Coef. temperatur aR[ppmiC\
Observaii
profesional industrial uz general de precizie
pelicula metalic Pelicula de carbon pelicula metalic groas
50...200 O o o = ! 1 0 01 1 <-1
aR crete cu 1% la
temperaturi peste 50C
45
e) Factorul de zgomot Fzg
Tensiunea electromotoare de zgomot Uzg [yV] se datoreaz micrii haotice i micrii termice a electronilor la trecerea curentului prin rezistor. U - tensiunea la bornele rezistorului.
Tensiunea de zgomot termic U
energie perturbatoare se datoreaz oscilaiilor termice ale purttorilor de sarcin - zgomotul termic, dar i variaiilor fluctuante ale elementului rezistiv i ale conexiunilor, atunci cnd sunt strbtute de curent zgomotul electric sau de curent. Zgomotului de curent i se asociaz o tensiune de zgomot Uzc.
46
J.
Categoria de rezistoare
Rezist oare etalon Rezistoare de precizie
Toleranta
{%]
= 1 / =2.5
Tensiune de zgomot, [pi7 Valori ale coeficienilor de variaie

1 <1 foarte mici medii
:v
=2.5 f=5
Rezistoare de uz curent
=5 =10 =20
< 15
mari
47
Puterea de zgomot termic Pzt este dat de relaia:
Pzt =
T-Af
T - temperatura absolut a rezistorului; Af - banda de frecven n care se utilizeaz rezistorul; k = 1,3806 .10-23 J /K - constanta lui
48
Boltzmann.
3.5. Marcarea rezistoarelor fixe

a) Marcarea n codul culorilor
49
Prima A doua Coeficientul Toleranta cifra cifra de multiplicare
50
Codul culorilor
Notatiile corespund fig. 1.1

3'
b, c
Urmtoarele cifre semnificativ

Culoarea ARGINTIU AURIU NEGRU MARO ROU PORTOCALIU GALBEN VERDE ALBASTRU VIOLET GRI ALB {far culoare)
Prima cifr semnificativ

Factor de multiplicare io io- 1 10 = 1 10 : 10 : 10 IO 4 1010 10 10 E 10 ?
Toleranta
31
= 10%
I^1 -...o o
1 f 3 4 5 6 7
S
0 1 f 3 4 5 6 7
S
II
= 1%
=
2%
=0 : 5% =0 : 25% =0.1%
oo
II \.
51
a) Marcarea n codul culorilor

Marcarea cu 2 sau 3 cifre semnificative
4-B8nd Color Code
9 MM nn MM nn r^n nn 5 5 5 o
6 7 8 9 6 9
1st Digit 2nd Digit 3rd Digit 25hfi +5%
WM
6 7 8 9
Coeficientul de temperatur se marcheaz numai la rezistoarele de precizie.

100k
Temperature
toefficien!
1 %
2 %
lOftp pm SO ppm ISppm
1M 10M
0.5 <
1R 0 1R 2 1R 5 1R 8 fe. 2R 2 2R 7 3R 3 3R 9 4R 7 5R 6 6R 8 8R 2
iha ) 11 ti 11 m q b ii'ttII* tm <3 1IM* ) m ) wm m**i fll*q E|M] 1f-
III 1 12R III 15R * II18R III 22 R * m

L.
i i i i i 27R i m 33R i m 39 } R Dl m 47R 1}

56R 68 UP R 82R
10R
i m III *
I i i
MTCE- pr
100R IU ) 120R HI- ) 150R I I 180R II* } 220R HI* ) 270R|n| 330R 1 ) 390R 1 } 470R 1 } 560R HI* ) 680R II* } 820R j 1 }
1k0 HU 1 <1k2 IIEC > iks mi ) 1X8HH ) 2k2|Hll } 2k7 I I* ) 3k3 j* 1 3^mt 4k7 1 ) sk6 mi 6k8 wm i
8k2
mf
of. dr. ing. loan D. Oltean
47
b) Marcarea n clar
Factor de multiplicare 1 103 106 109 1012 Litera R K M G T Tolerana [%] 0,1 0,25 0,5 1 2 5 10 20 B C D F G J K M
Exemple
Marcarea valorii nominale

Inscripionare Rn[ii] 0,1 0,1 l l 8,2 8,2 82 82 510 510 lk 1000 3k3 3300 33k 33000 820k IM 82000( 10* IMS L8-106 10M 107
Marcarea toleranei
Toleranta [%i 0.005 0.001 L 0.02 P 0.05 0.1 B 0.25 C 0.5 D 1 F 2 G 2.5 H 5 J 10 K 20 M Cod literal E
Puterea nominal: se marcheaz numai la rezistoarele bobinate. La rezistoarele cu P<2 W puterea se recunoate dup dimensiuni.
ANEXA 1 Seriile de valori nominale
____E6, E12,...E96 ____
49
1.0
1.2
1.5
1.0 1.8
1.5 2.2 3.3 4.7 E6 ser ies 20% toleiajice 2.2 2.7 3.3 3.9 El2 serIes 10% 2.0 toleiajice 2.2 2.4 2.7 6.8 7.6 6.2 8.2 E2 seres 5% toleiajice 4 1.15 1.18 1.21 1.24 1.69 1.74 1.78 1.82 2.49 2.55 2.61 2.67 3.65 3.74 3.83 3.92 5.36 5.49 5.62 5.76 7.87 8.06 8.25 8.45 E9 serles 1% toleiajice 6
6.8 4.7
5.6
6.8
8.2
1.0 1.1
1.2
1.3
1.5
1.6
1.8 5.6 1.13 1.65 2.43 3.57 5.23 7.68
3.0 9.1 1.27 1.87 2.74 4.02 5.90 8.66
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7 5.1
1.00 1.47 2.15 3.16 4.64 6.81
1.02 1.50 2.21 3.24 4.75 6.98
1.05 1.54 2.26 3.32 4.87 7.15
1.07 1.58 2.32 3.40 4.99 7.32
1.10 1.62 2.37 3.48 5.11 7.50
1.30 1.91 2.80 4.12 6.04 8.87
1.33 1.96 2.87 4.22 6.19 9.09
1.37 2.00 2.94 4.32 6.34 9.31
1.40 2.05 3.01 4.42 6.49 9.53
1.43 2.10 3.09 4.53 6.65 9.76
50
Materiale dielectrice. Caracteristici i aplicaii.
Rezumat curs 4
Cuprins
1. Materiale dielectrice. Caracteristici. Proprieti electrice i termice ale dielectricilor 2. Condensatoare Condensatoare discrete - clasificare Caracteristici ale condensatoarelor Variante constructive de condensatoare 3. Tehnologia condensatoarelor fixe
1. Materiale dielectrice
Dielectricii sunt materiale care se caracterizeaz prin stri de polarizaie electric cu funcie de ut ilizare. Prin stare de polarizaie electric se nelege starea materiei caracterizat prin moment electric al unitii de volum diferit de zero. Stare de polarizaie electric - starea materiei caracterizat prin moment E =0 electric al unitii de volum diferit de zero. Polarizaie electric:
9
- temporar dac depinde de intensitatea local a cmpului electric situat dielectricul. n care este - permanent dac nu depinde de intensitatea local a cmpului electric.
c
000 eJL
G >
0
0 0 b
1.1. Caracteristici
a) Polarizarea electric Fenomenul de polarizare const n deformarea i/sau deplasarea microscopic a sistemului de sarcini electrice legate din structura dielectricului sub aciunea cmpului electric. Sub aciunea cmpului electric Eo pot aprea deplasri sau rotiri ale sistemului de sarcini legate, nsoite de apariia sau ordonarea momentelor electrice dipolare.
Momentul electric caracterizeaz fenomenului de polarizare electric. Momentul electric p al unui dipol cu relaia:
P = q leg h
n atomul multielectronic se definete momentul electric atomic (b) cu relaia:

N
P
atom = ^ Qileg hi i=1
leg
+q
-Qleg
leg
/
leg
leg i
-Q
- leg Q
a)
b)
Clasificare
n funcie de valoarea momentului electric total p, moleculele pot fi: - nepolare, cnd nu prezint moment electric (microscopic) spontan; - polare, cnd posed un moment electric p * 0 chiar i n absena cmpurilor electrice exterioare; Structura polara
Permitivitatea electric
Interaciunea unui dielectric izotrop cu cmpul electric este caracterizat n domeniul liniar de permitivitatea complex relativ:
Caracterizarea materialelor electroizolante din punct de vedere D polarizare se face cu parametrul de al proceselor de s = S- js" =
s E
material
8
C r= oS C0= C
s
unde:
permitivitate electric.
10-9 F/m s0 36n
b) Conducia electric n materialele dielectrice Dielectrici reali, care conin att sarcin electric liber, ct i sarcin electric legat. La aplicarea unei tensiuni rezult un curent de scurgere sau curent de conducie. Comportarea materialelor electroizolante din punct de vedere al proceselor de conducie si polarizare se face cu parametrul de material numit factor de pierderi, notat tg 5, care reprezint tangenta unghiului de pierderi. O particularitate a conduciei n materialele dielectrice este aceea c traseul curentului electric de conducie este prin volumul materialului i pe suprafaa acestuia.
Rigiditatea dielectric
Exist un prag limit de solicitare electric, la depirea cruia materialul i pierde capacitatea de izolare electric. Fenomenul poart numele de strpungere.
Valoarea tensiunii la care se produce strpungerea materialului se numete tensiune de strpungere Ustr iar valoarea corespunztoare, a intensitii cmpului electric Estr este rigiditatea dielectric. Rigiditatea dielectric este o mrime dependent de: natura dielectricului, starea de agregare, natura, forma i dimensiunea electrozilor, frecvena cmpului electric, condiii de mediu.
Hr
++
r
4.
4-
1 ...... . 1
-E '
'* 1
Fi
!S
Tipuri de strpungere
Strpungerea termica se produce atunci cnd cldura dezvoltat local la trecerea curentului electric depete cantitatea de cldur ce poate fi evacuat din dielectric. Strpungerea electric sau intrinsec este de natur electronic
datorat creterii numrului de electroni liberi sau cvasiliberi n structura materialului. Strpungere prin descrcri pariale se datoreaz prezenei n
12
Unghiul de pierderi 5 este complementul unghiului de faz dintre tensiunea u aplicat i intensitatea i a curentului care trece prin condensatorul avnd ca dielectric materialul electroizolant de studiat.
I m
J. C n/
S R
1/
Uc
Vy<p
5S \ A <p
1
CechRech
S
tt
'\ IR
a )
b )
13
1.2. Proprieti electrice i termice ale dielectricilor

a) Proprietatea de izolare electric este direct legat de existena unei concentraii mici de sarcin electric liber (qi/b0) i o pondere extrem de mic a fenomenelor de conducie electric.
5
Conductivitatea electric a, respectiv rezistivitatea de volum pv=1/a, sunt parametrii legai de fenomenul de conducie electric n volumul materia lului. b) Permitivitatea absolut , respectiv permitivitatea relativ r sunt parametrii legai de fenomenul de polarizare electric, un fenomen complex care const n procese de deplasare i rotire a electronilor, ioni l or i moleculelor polare sub aciunea unui cmp electric.
Coeficientul de pierderi (r, tg 5), respectiv tangenta unghiului de pierderi tg 5 sunt parametrii care caracterizeaz pierderile de energie n materialele electroizolante datorate att proceselor de polarizare electric, ct i celor de conducie electric (pierderi Joule-Lenz).
c) Tensiunea de strpungere Ustr reprezint valoarea maxim a tensiunii care poate fi aplicat unei probe de material pentru care este posibil s apar procesul de strpungere electric. Temperatura este un factor de mediu care influeneaz proprietile fizico-chimice ale materialelor electroizolante. Aciune cldurii asupra materialelor electroizolante are ca rezultat modificare conductivitii electrice, a permitivitii i unghiului de pierderi dielectrice, precum i a rigiditii electrice. Influena temperaturii asupra proprietilor fizice este definit prin coeficienii de variaie a parametrilor de material cu temperatura.
5
Parametrii electrici la unele materiale dielectrice

Materialul dielectric
Permitivitatea Tangenta relativ la 200C, unghiului de 50 Hz pierderi la 200C, 50 Hz tg 5 2,20 - 2,50 2,10 -2,50 2,2-2,4 4,2-4,5 2,0-4,0 4 -15 5,6 -6,5 81 1,00059 <10-5 <10-4 <10-4 <10-2 10-2 <10-4 <10-3 <10-5
Rigiditatea dielectric la 200C, 50 Hz [kV/mm] 20-50 20-80 50-70 40-70 7-10 100 10-20 3,2
Polietilen Politetrafluoretilen Polistiren PVC Hrtii Sticle Porelan, ceramic Ap distilat Aer
9
7
16
2) Condensatoare
Condensatoare fixe
2.1. Condensatoare discrete - clasificare
Condensatoare variabile i semivariabile
17
Condensatoare fixe
18
2.2. Caracteristici ale condensatoarelor

a) Capacitatea electric Condensatorul este o component de circuit electric format din dou suprafee conductoare (armturi) ntre care se gsete un material dielectric. C= U
Expresia capacitii condensatorului : Capacitatea C a unui condensator plan:
Armtur cu suprafaa A
Dielectric \ caracterizat de \
C =
s-A d
permitivitatea /
sr
relativ
Armtur cu suprafaa A
19
| Proprietile electrice ale di electrici lor de condensator

Proprieti ideal
foarte mare (x) foarte mare (x) foarte mare (x)
real
ST
rezstivitatea p[Q m]
2+ IO4
IO10 -1G1E 100 + 15.000
EsiI[kV cm]
Pentru obinerea unei capaciti specifice ct mai mari (capacitate /volum) este necesar ca raportul
d
s aib valoare
mare, respectiv permitivitatea dielectricului i suprafaa armturilor S
20
s aib valori ridicate, iar grosimea d a dielectricului ct mai mic.
21
b) Variante constructive de condensatoare

O construcie compact a condensatoarelor se obine prin: bobinarea armturilor mpreun cu dielectricul; conectarea n paralel a mai multor condensatoare plane (varianta multistrat); folosirea de materiale dielectrice caracter izate printr-o valoare mare a permitivitii relative sr (de exemplu: polimeri i
22
ceramice feroelectrice).
23
Multistrat
24
25
c) Energia
Energia acumulat n dielectric:
T T T
We = J Pdt = J UIdt = J UC 0 0 0
dUdt = 1 CU dt 2
26
Aplicaie
4.1. S se determine capacitatea echivalent, tensiunile V1, V2, V3 de la bornele condensatoarelor i energia acumulat.
Ci=3|jF Cs=6jnF C3=12^F

Vi
-HI
1 1
V2
V = 350 V
27
2.3. Parametrii condensatoarelor

Parametrii principali ai condensatoarelor sunt:
a) Capacitatea nominal (Cn) corespunde valorii pentru care a fost fabricat condensatorul, valoare care este marcat, de obicei, pe corpul condensatorului. Marcarea va I ori nominale la condensatoare se face, ca i la rezistoare, att n clar, prin imprimarea valorii capacitii nominale pe corpul condensatorului sau codificat (codul culorilor). b) Tensiunea nominal (Un) reprezint valoarea maxim a tensiunii continue sau alternative (valoare efectiv) maxime la care condensatorul nu se strpunge la o funcionare ndelungat.
Se folosesc uzual n circuite electronice (de joas tensiune), urmtoarele valori: Un= 6, 12, 16, 25, 63, 70, 125, 250, 350, 450, 500, 650, 1000V.
28
c) Tangenta unghiului de pierderi (tgS) reprezint raportul dintre puterea activ i puterea reactiv a condensatorului determinat i msurat n condiii specificate (de tensiune, de frecven a tensiunii alternative aplicate la borne i de temperatur, etc.). I IRs I Rs Cs
O-
a)
tgSs = Rs - oC
29
d) Coeficientul de temperatur al capacitii aT reprezint variaia relativ a capacitii la variaia corespunztoare a temperaturii:
Aplicaie
unde: AC - reprezint variaia capacitii; AT - reprezint variaia temperaturii.
S se determine Rs i AC (AT=50 grd) al unui condensator cu urmatoarele caracteristici: C=0,1^F, tg5=0,1, a = -2 10-4, la frecvena f=1MHz.
Caracteristici ale dielectricilor

Caracteristici ale unor di electrici pentru condensatoare Pic D electrici tgS* ai 6 [Qcm] [K-ijO Hrtie Mic A1;0; Ta;O f *6 5-8 S:5 27 : 3 0 S 01 0 : 0001 -250 +30 4 10 : 10 1 ' 6 10 4 2 10*
fms.x
[MHz] 0.5 1000
F -w [MV/m] 120 500 390 1500
[CJ 100 200 85 200
0=10 : 05* 0 : 004 0.002 0 : 0001 0 : 0005 0 : 02 0 : 001 0 = 03 -125 -50 -200 -150 =1000-300 = 1000
Polimeri
Ceramici Tip 1
PET PC PS PP X7R NPO Z5U
3=2 2:S 2:4 2:3 1800 60 6000
4 10 1 " 2- 10 1 ' 4- 10 : " 4 10 1 " 10 14 10 14 lO 1 ^
i 1 2500 25 70 i
JL.
160 ISO 75 340 15+35 15+35 15+35
125 150 70 90 85 85 85
31
2.4 Clasificarea condensatoarelor

Condensatoare polarizate Electrolitice cu Tantal Supercondensatoare. Condensatoare nepolarizate - dielectric nepolar Cu film poliester Cu film polipropilen Cu film polistiren Cu film polistiren metalizat Ceramice Ceramice multistrat Cu mic variabile Semireglabile.
32
Condensatoarele fixe se pot clasific n funcie de: - materialul dielectric utilizat: hrtie, materiale anorganice (ceramic, mic, sticl), materiale organice termoplastice (polistiren, policarbonat, polipropilen, polietilenftalat, etc.), oxizi (Al2O3 ,Ta2O5, SiO2) numite condensatoare electrolitice, deoarece contactul electric la una din armturi este realizat prin intermediul unui electrolit; - forma armturilor, bobinate i plane; - tensiunea de lucru: de joas i de nalt tensiune; - varianta constructiv: gabarit normal, gabarit redus, cu gam extins de temperatur, cu terminale radiale, axiale sau de implantare, etc.
1
29
3. Tehnologia condensatoarelor fixe
Condensatoare bobinate
34
a) Condensatoare cu dielectric hrtie
Armturile se realizeaz fie din folii de aluminiu de grosimi 5...15^m nfurate sub form de bobin sau prin metalizare n vid. Dielectricul este constituit din dou sau mai multe straturi de hrtie impregnat. Grosimea i numrul straturilor de hrtie depind de tensiunea de lucru a condensatorului.
35
b) Condensatoare cu pelicule plastice
Materialele plastice nu prezint incluziuni sau goluri, ca hrtia de

condensator, se utilizeaza drept dielectric o singur folie de material plastic. Aceste folii pot fi obinute sub forma unor pelicule subiri cu grosimi de ordinul micronilor. Rezistena de izolaie i rigiditatea dielectric prezint valori mai ridicate dect la hrtie.
n ____________________________________________________________________________________________________________________________________
Materialuldielctrica
Ero
tgoa
(2-3)10-4= 5-10'4E (l-2)10-4i: r J o 1 * O 1
4-
ar[K-L]a -100-300C -550-700C -100-120C -500s
AS-i^CJa
-6060-(-S5); -60-+85<+90)E -60200-(-250p -601503
p- [Q-m]n 10r-101Er IO1*lflr:3 >10l7= 101Slflr:3
1. La un condensator cu capacitatea Cn=0,1^F/500 V cu dielectric

polistiren s se determine: a) caracteristicile gometrice (S, d). b) Pierderile in dielectric la Un si /=0,1MHz.
.S
Polistiren^ 2:58D Polietilen^ P olit etra.il oretilen D 2;05:3 P oii etil ent ereft al at 3,2-
Se dau: r=2,3; Estr=50kV/mm; tg6=1E-4.
2. S se calculeze lungimea armaturilor unui condensator cu pelicul

plastic cu C=0,1^F/500V, dac limea acestora l=1 cm. Se dau: r=2,3; Estr=50kV/mm.
38
Tehnologia condensatoarelor. Aplicaii. Materiale feroelectrice.
Rezumat curs 5
Coninut curs
1. Tehnologia condensatoarelor fixe
Tehnologia condensatoarelor variabile i semivariabile 2. Identificarea condensatoarelor
3. Utilizri ale condensatoarelor 4. Materiale feroelectrice
1.1. Condensatoare cu pelicule plastice

Armturile se realizeaz din folii de aluminiu, staniu, sau din pelicule metalice obinute prin depunerea in vid pe suprafaa dielectricului. Prin metalizarea armturilor se obine reducerea gabaritului, rezultnd capaciti specifice mari. Dielectricul este format dintr-o pelicul (film plastic) din materiale termoplaste polare: policarbonat, polietilentereftalat (mylar), rini poliamidice; nepolare: polistiren (stiroflex), polipropilen, polietilen, etc.
frrc
lf~ fftQ tuf/
of. dr. ing. loan D. Oltean
1.2. Condensatoare ceramice

Care este relatia de calcul pentru capacitatea condensatorului cilindric?
Disc ceramic
Plachet
Dielectrici ceramici
Caracteristicile electrice ale dielectricilor ceramici Parametrul Diet, ceramic tip I Di ei ceramic tip II r 5...220 2.10 3 ...10 4
ac [ppm/C] t Q.5 -750...250 <15.10
4
Di ei ceramic tip III >W

nedefinit <1200. IO 4
nedefinit <350. IO 4
Dielectricii ceramici de tipul I (grupa I) au la baz titanaii de calciu, magneziu, bariu sau
stroniu care se caracterizeaz prin permitivitate relativ mic (sr =5...200), comparativ cu cei de tip II i III.
Dielectricii ceramici de tipul II (grupa a-II-a) au la baz titanaii i zirconaii de bariu sau
stroniu cu permitivitate foarte mare (sr>500), dar prezint dezavantajul unei instabiliti mari a permeabilitii electrice i a pierderilor dielectrice cu temperatura i frecvena.
Dielectricii ceramici de tipul III (grupa a-III-a) au la baz materiale feroelectrice, compoziii
ale titanatului de bariu (sr>10E4-10E5), care se supun unui tratament termic.
Condensatori ceramici mono

i multistrat
Marcarea condensatoarelor ceramice
Se pot ntlni inscripionri diferite: Cu trei culori - numai valoarea capacitii nominale Cu patru culori Cu cinci culori - pot avea semnifcaii diferite de la un tip la altul de condensator Coeficientul de temperatur este indicat de: -culoarea corpului (a unei zone) condensatorului, -ultima banda colorata, -litera plasata inainte de valoarea numerica .
MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean 8
Exemplu
3.3nF / 63V / 5% / RM 5 mm Condensator poliester.
H
J K
2.5 % 5% *
1 0 % *
Primele doua cifre - cifre semnificative; A treia cifra - ordinul de marime (puterea lui 10).
d) Condensatoare SMD
10
1.3. Condensatoare electrolitice
Capacitatea nominal a condensatoarelor electrolitice este foarte larg de la 1 ^F pn la 10000 ^F. Toleranele uzuale sunt n limitele de -20% i +100%.
1.3.1. Construcie. Caracteristici

Dielectricul condensatoarelor electrolitice este format din pelicule de oxizi metalici (AI2O3, Ta2O5, Mb2O5, TiO2), care se depun pe o armtur metalic. Condensatoare electrolitice prezint proprieti deosebite (permitivitate i rigiditate mare) i posibilitatea de obinere a unei pelicule sub un micron, ceea ce duc la realizarea de capaciti specifice mari. Se bazeaz pe proprietatea oxizilor unor metale ca aluminiul i tantalul, de a conduce ntr-un sens i de a prezenta o rezisten de blocare mare n cellalt sens. De aceea, aceste condensatoare sunt polarizate. Metalul constituie una dintre armturi, iar cealalt armtur n contact cu dielectricul este un electrolit.
12
a) Condensatoare electrolitice cu Al
Armtura anod (electrodul pozitiv (+)) este realizat dintr-o folie de aluminiu folia anod, respectiv din folii sau din pulbere de tantal. Dielectricul const din pelicula de oxid care se formeaz prin oxidarea armturii anodice. Pentru mrirea capacitii specifice, anodul de aluminiu nainte de oxidare se supune unei operaii de asperizare (mrirea suprafeei armturii). Electrolitul are rolul celei de a doua armturi, acesta poate fi: lichid, lichid impregnat ntr-un material poros, sau solid (strat semiconductor). Dup felul electrolitului utilizat, condensatoarele electrolitice se mpart n: umede, semiuscate i cu electrolit solid.
13
Construcia condensatoarelor electrolitice cu Al

Catodul: soluie de acid boric, hidroxid de amoniu i glicoletilen, care ptrunde n toi porii anodului. Aceast soluie este meninut n contact cu stratul de oxid anodic pe toat suprafaa prin impregnarea a 2 -5 foie de hrtie fr impuriti. Asamblare. Cilindrul se introduce n tuburi de aluminiu etanate cu dopuri de cauciuc.
Armtura (+) Folie de aluminiu
14
Schema echivalent a condensatoarelor electrolitice
VC
>0
15
b) Condensatoare electrolitice cu tantal

Condensator electrolitic cu tantal
Anodul este sintetizat din pulbere de tantal, care apoi se oxideaz, iar ca electrolit se utilizeaz o pelicul
Tantalul sub form de pulbere este supus unui proces de sinterizare pentru creterea suprafeei echivalente.
solid semiconductoare de MnO

2.
17
Caracteristici ale condensatoarelor electrolitice cu Ta

Condensatoarele cu tantal prezint o serie de avantaje fa de cele cu aluminiu: gama frecvenelor de lucru este mai larg; temperatura minim de funcionare este mai cobort; fiabilitatea este mai ridicat; timpul de stocare este mai mare; curentul de fug este extrem de mic.
2.5. Condensatoare variabile

Reglajul valorii capacitii se poate obine, innd seam de relaia
de calcul prin modificarea: suprafeei active S a armturilor, a distanei d, sau sr. La realizrile practice se folosesc aproape exclusiv primele doua variante (variaia S i d ).
19
Construcia condensatoarelor variabile

Armturile, formate din lamelele (plci) metalice din aluminiu, cupru sau alam cu
grosimi de 0,5.. .1 mm, sunt conectate n paralel din punct de vedere electric. Se obin n condensatori elementari (n = numrul de perechi de lamele) a cror suprafa comun se modific n funcie de reglaj.
Dielectricul condensatoarelor variabile obinuite este aer
(Estr=3,2kV/mm), iar n cazul condensatoarelor variabile de nalt tensiune incinte vidate sau cu gaze electronegative.
Ax rotor
(Estr =7...20 kV/mm).
20
Condensatorul variabil cu dielectric aer

Statorul este izolat electric de asiu
(masa electric a montajului) prin intermediul unor rondele din material dielectric (ceramic sau plastic).
Rotorul cu lamelele dispuse pe un
ax este conectat la potenialul asiului. Pentru micorarea frecrilor, rotorul este fixat la capetele pe bile. Deoarece conexiunea electric la rotor, numai prin intermediul bilelor este nesigur (contact imperfect) i genereaz zgomot, se folosesc arcuri conductoare sau conductoare flexibile, avnd un capt conectat la rotor (contact flexibil).
Aplicaie
6.3. S se calculeze capacitatea maxim a condensatorului variabil cu 12 armturi semicirculare cu D=10 cm situate n aer la distana d=0,5 mm.
R: C1666 pF
22
2.5.1. Condensatoarele reglabile (semivariabile sau trimeri)

Construcia condensatoarelor reglabile difer n funcie de tipul dielectricului folosit. Astfel, trimeri cu aer i cei ceramici se construiesc att sub form plan, ct i sub form cilindric (cu armturi tubulare), dar formele i dimensiunile sunt diferite n funcie de capacitatea i tensiunea nominal. Condensatorul semireglabil cilindric cu aer se compune din stator i rotor sub form de tuburi concentrice, care formeaz ntre ele un numr de condensatoare cilindrice n funcie de numrul de tuburi. Valoarea capacitii trimerilor cu aer este de maxim 100 pF, iar cea minim (capacitatea rezidual) este n general mai mare de 1.3 pF.
23
Trimerii ceramici se construiesc att sub form
plan, ct i sub form cilindric. Valoarea capacitii trimerilor ceramici este de maxim 200pF, iar cea minim (capacitatea rezidual) este n general mai mare de 3.. .5 pF.
24
Variaia capacitatii
Legea de variaie 3' Expresia capacitii
1.
Liniari Exponeniali
.
C = C + ^ ic -CI
P
J jL.
3.
c=
Liniari a frecvenei de acord (circuit LC)
c V"
c=
4. Liniari a lungimii de undi (circuit LC)
1 2 _ A MM */M2JT c / 8 c = i+ * i,** _-^\ :+Li; jl.
.fTfci-n! >7
L v***
/Y
25
2. Identificarea condensatoarelor
26
2.1. Domeniul de frecven al condensatoarelor n funcie de natura dielectricului

Folistiren Ceramici Pol ieste? Hrtie Electrolitici
3. Utilizri ale condensatoarelor
10
1 G: IO3 1 0 * IO4 IO5
10
&
10
- IO3 io9 io10 f[Hz]
27
Tensiune
Descarcarea condensatorului pe o sarcina rezistiva (R=const.).
vt
Constanta de timp
Z=R C
timp
29
a) Circuite de filtrare
VR
VC
30
FTJ - Filtru trece-jos
= v-
R
v
'c ; 'c = z
l
v
=
C
ZC
v
jaC
----v
31
R+ Z c ' R+^L_ ' jaC

v (ja)
o o
v , ( j a ) 1+ jaRC
32
Circuit integrator
33
b) Circuite integratoare
34
Circuit derivator
Care este funcia de transfer a circuitului ?

c) Circuite oscilante Oscilaii amortizate
36
LRC
37
Aplicaie
6.4. Un circuit oscilant LC cu L=0,1 mH si capacitatea C formata din 6 plci cu suprafaa S=10 cm2 la distana d=0,2 mm. S se determine: a) frecvena de rezonana; b) variatia frecvenei Af daca temperatura se modific cu 20 grade, iar aT=-200 ppm/grd.
R: C=265 pF, f=489 kHz, AC=-1,06 pF, Af=+1kHz
38
4. Materiale feroelectrice
Starea feroelectrica - stare de ordine a materiei, rezultata spontan din tendinta catre stabilitate care corespunde unui minim al energiei libere totale a materialului. Materialele cu polarizare spontana sunt materiale care se caracterizeaza prin existenta unui moment electric P^0 in absenta unui camp electric exterior. Polarizarea permanent poate fi: spontan (piroelectric); piezoelectric. Materialele feroelectrice contin domenii dielectrice in interiorul carora momentele electrice ale celulelor elementare sunt orientate in aceeasi directie si sens, dar diferite domenii pot avea orientari diferite.
39
4.1. Caracteristici
Din categoria dielectricilor cu polarizare spontan utilizri practice au cristalele feroelectrice (cristale dielectrice cu polarizare spontan a crei direcie, sau sens poate fi schimbat prin aciunea unui cmp electric exterior).
p
40
Materialele feroelectrice prezint la nivel macroscopic polarizatie P remanenta diferit de zero.
a) supuse aciunii unei presiuni mecanice induce o polarizare care
41
genereaz o tensiune electric (efectulpiezoelectric direct); polarizarea P, indus n materialul cristalin, este direct proporional cu solicitarea (presiunea) mecanic a aplicat din exterior P = d o; (a =
F/S).
b) sub aciunea unui cmp electric sufer o deformare mecanic
(efectul piezoelectric indirect).
42
4.2. Materiale piezoelectrice

Efectul piezoelectric este caracteristic att materialelor omogene monocristaline cum este cuarul, ct i materialelor neomogene policristaline denumite materiale ceramice ( titanatul de bariu, niobatul de litiu, ceramica PZT, etc.).
a) Cristalul de cuar prezint trei sisteme de axe decalate la 120 grade. yj X!
43
Rezonatorul cu cuar
Pentru obinerea condensatorului C i a sarcinilor Q lamela de cuar se introduce ca dielectric ntre dou armturi metalice.
Carcas Electrozi de Ag pe ambele fee
Cristalul de cuar (disc)
Contacte de Ag
Gaz inert, uscat Soclu
44
JL
O
Circuitul echivalent al rezonatorului piezoelectric

Q R q
fi =
IK yfTqC
Lq
I I
2 K JL
C
o
+ C
,C
C,
Inductana Lq reprezint masa cristalului, capacitatea Cq elasticitatea sa i Rq reprezint frecrile mecanice. Cele dou frecvene fp i fs sunt apropriate valoare. ca
45
Rezonatorul piezoelectric. Materiale magnetice. Caracteristici i aplicaii.
Rezumat curs 6
Cuprins
1. Rezonatorul piezoelectric (cont.) 2. Materialele magnetice 3. BOBINE
1. Rezonatorul piezoelectric
Circuitul echivalent al rezonatorului piezoelectric

Inductana Lq reprezint masa cristalului, capacitatea elasticitatea sa i Rq reprezint frecrile mecanice. Cele dou frecvene fp i fs sunt apropriate ca valoare.
Cq
Uzual, f = 15 kHz...25 MHz,

Factorul de calitate, are aceeai semnificaie ca la circuitul RLC, dar are valori mult mai mari. De aici deriv stabilitate de frecven mult mai mare dect cea de la oscilatoarele LC.
Stabilitatea frecvenei cu temperatur
Stabilitatea de scurt durat
RTXO TCXO OCXO (on/off) 2 x 1O-9 rms 1
x 10-vrms 5 x 10-10 rms
0.002 ppm 0.001 ppm 0.0005 ppm
Stabilitatea de lung durat

TXCO OCXO (on/off)
RTXO 1 x 10-7/month
7 3x 10/month 0.3 ppm
0.1 ppm 0.1 ppm

7
1 x 107/month
Oscilator - Regim auto-oscilant
Aplicaie
S se determine care este domeniul de frecven i factorul de calitate al rezonatorui cu cuar care are urmtorii parametrii ai schemei echivalente: Lq=10 mH, Cq=1 pF, C0=50 pF, Rq= 10 O.
10
1.2. Dielectricii neomogeni cu structur policristalin

Dielectricii neomogeni cu structur policristalin prezint la fel ca materialele cristaline fenomenul de polarizare. Granulele de microcristale denumite cristalite sunt nconjurate de un strat superficial denumit strat de separare. Cristalitele prezint o conductivitate mult mai mare dect stratul de separare.
11
1.2.1. Materiale piezoceramice

Polarizare interfacial, este caracteristic unor oxizi metalici cu structur ceramic. Aceste materiale stau la baza rezonatoarelor i a filtrelor piezoceramice. Polarizarea se datoreaz posibilitii de migrare i de acumulare a sarcinilor electrice n structurile de separare ale granulelor policristaline. Datorit acestei neomogeniti, n urma migrrii purttorilor de sarcin, n stratul de separare, apare o acumulare de sarcini spaiale. Materialele ceramice policristaline: Titanatul de bariu - BaTiO3-, Titanatul de plumb -PbTiO3, Zicronatul de plumb -PbZrO3-, Niobatul de sodiu NaNbO3-, Ceramica PZT - soluie solid de Pb(Zr0.53Ti0.47)O3- ) prezint macroscopic proprieti piezoelectrice asemntoare cristalului de cuar.
12
Filtru cu und elastic

Structur se comport ca o un sistem de oscilatori cuplai elastic. Coeficientul de cuplaj elastic dintre electrozii este determinat de distana dintre cele dou perechi de electrozi.
13
Banda de trecere - Fl - Fh - definete intervalul de frecven delimitat la 3dB, (-6dB,.... -60dB), fa de nivelul maxim (0dB). Banda de trecere: B=Fh-FL
Caracteristica de trecere a unui filtru trece-band
14
2. Materialele magnetice
Materialele magnetice reprezint o clas de materiale care se caracterizeaz prin stri de magnetizare. Stare de magnetizare M se nelege starea materiei caracterizat prin moment magnetic m al unitii de volum diferit de zero (m>0) . Parametru de material care caracterizeaz strea de magnetizare este permeabilitatea magnetic absolut p si cea relativa ^r
15
Dependene n cmp magnetic

Interaciunea dintre substan i cmpul magnetic este dat de legea legturii dintre inducia magnetic B, intensitatea cmpului magnetic H i magnetizaia corpului M: B = ^0(H + M)= ^0^r H
fa - 4n-10
H/m
2.2. Clasificri ale materialelor magnetice

Materialele magnetice cu magnetizaie temporar se mpart in: - diamagnetice ^r < 1 - paramagnetice ^r > 1 Materialele magnetice cu magnetizaie permanent (materialelor cu ordonare magnetic) se mpart n: -Feromagnetice: pr >> 1 Ferimagnetice: pr >> 1,
17
Scara permeabilitii magnetice a materialelor.

Bi Au \ Cs Sr Mo Sb Ag Na Ca Cr supra- Ta Cu K Ba V conductori Pb vid Li Mg Al
1
0 1 10 10 2 10 3 ^
18
u, = 4 / UK H /"m
19
Ciclul de histerezis la materialele magnetice cu magnetizaie permanent

Materialele feromagnetice prezint ciclu de histerezis B(H).
Ph = kf f BdH
20
Curbele de magnetizare
Curbele de magnetizare - locul geometric al ciclurilor de histerezis B= f(H) la valori succesiv crescatoare ale campului magnetic H.
2.0 T
5 C Q c g fi
= 1
T
permeabilitatea iniial:
1 0
2 0
30
H x 10 3 (A/m)
40
_ L
60
21
Parametrii curbei de magnetizare

4 Permeabilitatea magnetic initial n i maxim ^max
Permebilitatea magnetic reversibil ;:
AB
v u
rpv --->O Mo
"77/ AH
23
Ciclul de histerezis la materiale moi i dure

Lrgimea ciclului de histerezis este un criteriu de clasificare a materialelor feromagnetice:
a) materiale magnetice moi, care au lrgimea cilului de histerezis mic, sub 1 kA/m; materialele utilizate pentru concentrarea i amplificarea cmpului magnetic. Se caracterizeaz prin cicluri nguste de histerezis magnetic (cmpuri coercitive mici), inducii de saturaie mari, valori ridicate ale permeabilitii magnetice i pierderi magnetice mici. Se folosesc pentru miezuri de bobine i transormatoare. b) materiale feromagnetice dure, care au cicluri de histerezis foarte late, de ordinul kA/m. Materialele magnetice dure au proprietatea de a pstrez starea de magnetizare i dup ntreruperea aciunii cmpului magnetizant. Se folosesc n construcia magneilor i pentru memorarea magnetic a informaiei.
Materialele feromagnetice i ferimagnetice (feritele) sunt materiale cu ordonare homoparalel a momentelor magnetice atomice. Acestea au utilizri multiple datorit proprietii lor de a concentra i amplifica n interiorul lor cmpul magnetic. Astfel, un miez de fier introdus ntrun solenoid concentreaz i dirijeaz cmpul magnetic n spaiul din interiorul solenoidulul, fenomen care determin creterea inductivitii bobinei.
2.4. Materialele feromagnetice i ferimagnetice
25
a) Aliaje de fier-siliciu
Fierul moale are dezavantajul c prezint pierderi magnetice mari n cmpuri alternative (aproximativ 20 W/kg la inducii de ordinul 1,5 T) i este supus fenomenului de mbtrnire magnetic. Prin alierea fierului cu siliciu, pierderile prin histerezis i pierderile prin cureni turbionari scad simitor, iar fenomenul de mbtrnire practic dispare. Se obin aliaje de fier-siliciu cu proprieti bune din punct de vedere magnetic, cunoscute sub denumirea de table electrotehnice. Pentru reducerea pierderilor prin cureni turbionari tolele de Fe-Si se izoleaz ntre ele, prin diverse procedee: prin oxidare, cu strat de hrtie, prin lcuire, prin depunere de oxizi ceramici.
26
b) Materialele magnetice dure

Materialele magnetice dure se caracterizeaz prin cicluri largi de histerezis, cu inducii remanente Br i cmpuri coercitive Hc de valori ridicate. Valoarea maxim a produsului (BH), numit indice de calitate i notat (BH)max, este cu att mai mare cu ct ciclul de histerezis este mai lat i se apropie de forma dreptunghiular.
27
c) Ferite. Obinere
Obinerea Feritelor moi
j
Metoda cea mai uzuala de producere a feritelor dure o constituie reacia n faz solid. Aceasta metod presupune dou etape: Calciinarea, plecnd de la amestecuri de oxizi (Fe203, ZnO? MnO...) nclzii n jur de 1 000 -C prin reacii n faz solida se ajunge la formarea parial a feritei . Sinterizarea, pulberea de ferit obinut dupa calcinare este mcinat i amestecat cu liani organici, presat n geometria final a produsului i prin reacie n faz solid la T > 1200 -C se formeaz ferita moale nsotit de
1. 2.
reduceri dimensionale de 15 + 20 %. Dimensiunea cristallitelor sunt de ordinul jim sau zeci de \irr\.
28
d) Miezuri magnetice
Miezuri magnetice prile de nchidere a fluxului magnetic; Elementele componente ale bobinelor i transformatoarelor.
Fenite
29
2.5. Utilizri ale materialelor magnetice
Domeniul ingineriei electrice: 1. transformatoare, statoare i rotoare pentru motoare i generatoare 2. ecrane magnetice; 3. linii de ntrziere (acoustic delay lines); 4. traductoare; 5. filtre. Electronic: 1. Componente pentru surse n comutaie (switched mode power supplies); 2. Bobine i filtre de AF i RF; 3. Traductoare magneto-elastice; 4. Capete magnetice pentru nregistrare; 6. Electromagnei pentru relee; 7. Dispozitive magneto - acustice (microfoane, difuzoare); 8. Memorii magnetice.
30
Aplicaii n electronic i telecomunicaii

Bobine Transformatoare de putere i de semnal
31
3. BOBINE
Simbolizarea bobinelor a) fr miez, b) variabil, c) cu miez ferit, d) cu miez feromagnetic e) cu miez reglabil (ferit), f) semivariabil
32
33
9
-r.
L<1mH
32
3.1. Parametrii caracteristici

Bobinele sunt componente de circuit care permit nmagazina de energie electric. Energia este nmagazinat n cmpul magnetic care se stabilete n vecintatea circuitului bobinei:
Prin dispunerea conductorului sub form de spire se intensific cmpul magnetic propriu, atunci cnd este strbtut de un curent electric. Creterea fluxului magnetic propriu se obine i prin introducerea unei piese din material magnetic n interiorul bobinei (miezul magnetic).
a) Inductana L sau inductivitatea se definete prin raportul dintre fluxul magnetic O care strbate suprafaa limitat de conturul circuitului electric i curentul i care produce acest flux:
O = f B dS = N Of
Sr
o fi 0
i
L = N f- = N -
iR
N R
m
2
Unitatea de msur a inductivitii n Sistemul Henry [H] i submultiplii: mH, ^H.
/nternaional este
34
Valoarea inductanei L depinde de forma geometric a nfurrii (forma de dispunere a spirelor), de dimensiunile nfurrii i de caracteristicile miezului magnetic. Proprietile magnetice se pot caracteriza prin reluctana magnetic Rm definit prin relaia: l
m m
35
b) Factorul de inductan AL [nH /sp2 ] reprezint inductana pe care o poate avea o bobin de form i dimensiuni date, situat pe un miez ntr-o poziie determinant, dac ar fi format dintr-o singur spir:
Cunoscnd factorul de inductan AL al unei carcase cu miez se poate calcula numrul de spire N pentru realizarea unei anumite inductiviti L: L 109 N= V AL
36
c) Factorul de calitate QL reprezint raportul dintre puterea reactiv Pr i puterea activ P disipat n bobin:
= !_ = <aj_L =
p
_J_
tgSL
La bobinele utilizate n
PR
echipamentele radioelectronice QL = 0...300.
37
Unghiul de pierderi SL corespunde complementului unghiului de defazaj.
38
Aplicaie
O bobin cu inductaa L=10 mH este realizat pe un miez cu factorul de inductan AL=500. S se determine: a) numrul de spire N; b) factorul de calitate Q la f=100 kHz, dac R=62,8
39
O.
40
Bobine. Construcie. Transformatoare. Capete magnetice.
Rezumat curs 7
Cuprins C7
1. Bobine. Construcie 1.1. Calculul inductivitii bobinelor (fr miez) 1.2. Bobine cu miez magnetic 2. Tehnologia bobinelor de RF 3. Transformatorul electric
3.1. Construcia transformatorului monofazat
4. Capete magnetice
1. Bobine. Construcie.
a) Cu circuit magnetic deschis
b) Cu circuit magnetic inchis
Inductana:
L=0/i
a) Bobinaje
pe : ;@ees 0; '?////////////.

w z z m z z z L
b>
................
a)
'Seeo
;90G
w
w/mw/M
d
006 eeeo eeea

e)
>
Tipuri de bobinaje: a) cu o singur seciune, b) piramidal bobinat normal, c) piramidal bobinat alternat, d) secionat
n galei e) fagure
b) Miez magnetic
Caracteristici ale feritelor MnZn i NiZn

Tipul feritei Mn-Zn Permeabilitatea iniial [y] Frecvena max. [MHz}
1500...10.000 1000...1500 750.1000 500.750 200.300 80.100 0 0 5 CN 0 5
0,01.0,5 0,4...0,6 0,6.1 1.3 4.8 0 0 C 4 N 0 0 C N
Ni-Zn
0 8 0 4
1.1. Calculul inductivitii

a) Bobine de form toroidal
bobinelor (fr miez)

Fluxul
Curent I
B-
= uo
Ni
l
P
< --------
<d
=h dr
---------
D2 N i
h N i f D A dr = ju0
O = JJ B dS
O ------- = Moh J
ln d S
Inductana:
L=O/i
, fD L = u --------- ln
vd y
h N
ln
10
b) Bobine solenoid
L = ^ N S/l
2
unde: = 4n 10 7 H / w W- numrul de spire; S- aria seciunii transversale; l- lungimea bobinei. Inductana bobinelor fr miez poate fi considerat constant ntr-un interval larg de
c) Bobine cilindrice
frecvene, indiferent de amplitudinea curentului.
12
Aplicaie
7.1. S se determine care este inductana bobinei avnd N=25 spire i cu geometria indicat. S se stabileasca raportul inductanelor pentru aceast geometrie si varianta solenoid.
13
c) Bobine cilindric a e
c
b
Factorul subunitar Kw este:
14
Kw = ---------------------- 1 ------------------w1 + 0,9 alb + 0,32 cl a + 0,84 clb
1e
15
1.2. Bobine cu miez magnetic

c) d) Bobine cu miez magnetic Bobine In cazul bobinelor cu miez cilindric magnetic: e
L = M e '
L
Q = M r e ' A
' N
C C
N2 Se
L = ALN-
IJe - permeabilitatea efectiv a circuitului magnetic; je - depinde de caracteristicile miezului i de geometria acestuia; cu ct MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean frecveele de lucru sunt mai mari, cu att je are valori mai mici.
16
Efectul geometriei miezului magnetic
ooooooooooo
L
1
1
LFIMAL - ^ref
!-lref >
D
II
D
r
V /// M
J
ooooooooooo H
PetaL ~ Kref WQ)2 (lN/l)1
17
2. Tehnologia bobinelor de RF
In circuitele de radiofrecventa (RF), bobinele se utilizeaz: n circuite oscilante (LC paralel sau serie, circuite rezonante de adaptare), caz n care este important s aib pierderi mici (Q propriu mare); ca bobine de oc, instalate pe traseele de alimentare ale dispozitivelor active pentru a bloca trecerea componentelor variabile ale curenilor. In prezent se folosesc din ce n ce mai mult bobine fixe, cu inductan constant, cu valori normalizate (ca i la rezistoare i condensatoare). De regul, valorile sunt multipli de 1nH i sunt inscripionate n codul culorilor. Modificarea inductanei se realizeaz: prin deplasarea miezului n bobin, de obicei prin nurubare, la bobinele cu miez; prin distanarea / apropierea spirelor, la bobinele fr miez.
18
a) Bobine de semnal mic

U Su
__
f=Lri:ri:
>uo=qt fer.r?. ^DC pldc yecro ambii L=-
-5Z feri: >al fEidr :[J-| ^bobdoaj :arcas
npon ELeT5.t Cjsl r-i:)
ver.Ei e "de
sus"
EIUUIL3.E
|.
- - jvVÂA^jr fi][
tL J
>bo'âj
IEZ
miez fent (sau ceramic)

timo)
feri:
C#o,eiD
liiclea]m:
fi]e-Tc.t
bina- #0.E!
=in ;:Dtecne
cPTminalPi
e.E bbbmaj
^:ui f&Tit
caâc
nipn. cEjamic
19
b) Bobine pe cablaj imprimat

Bobinele se pot realiza pe cablaj imprimat sub form de spirale. Inductanele realizabile sunt x(1 ... 100)nH cu Q = 30 ... 80. Inductane de 2-3 ori mai mari se realizeaz cu un paralelipiped din ferit lipit pe una din feele cablajului.
Piuite
20
Calculul inductantei bobinei spiral

3,2 -10~2 az N 6a + 10c
d
d
EmH ]; unde
a=
^ [,um] c = d^2dL [^m]
21
22
Schema echivalent. Comportarea bobinei n frecven.
Aplicaie
S se determine frecvena de autooscilaie i factorul de calitate al unei bobine cu L=100 pH, Rs=50 O i Cd=30 pF.
24
Exemple
Winding (Coil) Dimensions When Coil Dimensions Are: Inductance Lq for n-100 Ttims Is:
(a )
D, = 2 cm /= 10 cm
19 nH
(b)
oooo
<t> O O y O Q)
nrf
s,
5, = 1.5 cm S 2 = 2.5 cm X = 0.05 cm /= 10 cm d 0.05 cm G (0.6:4) = 0.4
32 uH
//< 1:100) = D, = 1 cm 0
Di= 3 cm
10.3
(c)
D,
Dj = 2 cm Dy= 3 cm
41 iiH
25
Exemple
26
/(3.57+3.9G/)
f=s/r
L [ |jH], r, s [mm]
23
Circuit de acord (antena de ferita)
24
Caracteristica de rezonanta a circuitului oscilant paralel.
25
3. Transformatorul electric
Il
Transformatoare monofazate
26
27
28
T = Ni.
29
30
Aplicaie
Se dau: i=0,1 A, f x r = 1,000; N = 500
S se determine:
/ = 0.1 m, h= 0.1 m, w= 0.01 m
31
3.1. Construcia transformatorului monofazat

Transformatorul electric este un ansamblu format din dou sau mai multe bobine, izolate galvanic ntre ele, ntre care cuplajul se face prin intermediul fluxului magnetic.
32
Miez magnetic
% Infaurare IT
Miez magnetic Infaurare IT
_L
, 4-
Circuit magnetic
% nfurare JT Circuit magnetic
nfurare JT
33
a) Miezul magnetic
Miez de ferit
Asamblarea tolelor n miez

A y
a)
b)
c)
Tipuri de tole a) manta M, b) U+I, c) E+I, d) circulare
34
Transformator cu miez magnetic din tole E+I
Tole
Bobina
strngere
Brida de
Talpa de fixare
35
Miez magnetic din tole U+I, C+C i E+E
36
Prile componente ale unui transformator cu miez U
37
38
b) Bobinajul
-------------------------------- b ------------------------------------- u *
oooooooo
0000000000
00000000000
h
1 t t
1
m
1
i tiM t
sI
Pi
n .
*
00000O0000O OOOOOOOOOOOO
pI
S
II
39
40
Funcionarea transformatorului
41
3.1.1. Transformatorul ideal

Dac reluctana:
9 = 0
Raportul de transformare
42
43
3.1.2. Transformatorul real

Fluxul util
iy1+N2i2
c
6A
Ni
dO dt
Se noteaz im curentul de magnetizare Inductana de magnetizare:
ii+il
m ~ l\ +
2~^\~
44
Schema echivalent a transformatorului real
v. L.
1
jd/.
T
1
di
2
+M
dt
Coeficientul de cuplaj
1
A
df
jf I di,
45
o, = ML + L,2
di 2 df
46
4. Capete magnetice
Pelicul magnetic Suport din plastic
Kiili lis* litiiHii*;
47
48
4.1. Principiul nregistrrii magnetice

Tensiune de Semnal
49
Construcia unui cap magnetic cu mai multe piste

Suprafaa frontal
cap magnetic /
50
Miez Pri superioare
Ecran metalic
46
Suportul magnetic
Materialul de baz Strat adeziv Strat dure
MIM
* I I t
i i i i i i i i i i i i i p i i i i i i i i h i * * i
1 | I * ' '
imn'TT r i i i i i ! i i i i i ( i ii
I t l i l t t t l I I I
din particule magnetic
IJIII44IIIIII1IIIIIII11I1I
47
nregistrarea magnetic digital a) Inregisrarea pe band t > 1 1 \ Pista

TAPE
/ c : . ; V 1, ; :! % ,JI- 0
nregistrarea serial
i:
tos i ! ' C " 0 1 i
jmm&
* pk ."i-. S::s:
TAPE
f f w.1'
INPUT (10101010)
PARALLEL
0 1 0 1 0
0
.......... :'
^TIZZÊH ES y^MB3B33M13M Mia

1 /
Pista 1
Inregisrarea paralel
0\6
1
o l
M I ct- prot. dr. ing. loan u. Oltean
48
b) nregistrarea pe disc Sectoare

Low density200 to 1.000 bits per inch (bpi). Medium density1.000 to 8.000 bpi. High density8,000 to 33,000 bpi.
Piste
49
Constructia unei unitti de hard disc

??
Pivo t
ELECTROMECHANICAL DEVICES & COMPONENTS ILLUSTRATED SOURCEBOOK

BRIAN S. ELLIOTT
50
Moving Arm Stepper Drive Frame Ribbon Cable Connector
Disk
Hub
Hea d
51
Materiale semiconductoare.
Tehnologia de obinere a siliciului. Tehnici de impurificare controlat.
Rezumat curs 8
Coninut C8
j
1. Caracteristici ale materialelor semiconductoare 2. Obinerea siliciului 3. Tehnici de impurificare controlat 4. Tehnici de depuneri de straturi
i
Materialele semiconductoare stau la baza realizrii de dispozitive electronice i de circuite integrate.
1. Caracteristici ale materialelor semiconductoare
Acestea se caracterizeaz prin valori ale conductivitii electrice cuprins in intervalul de valori:
a = 10-6 -105 Q-1m_1
V 7N
Elemente chimice semiconductoare.
II B 4 Be
III 5 B* AWi =1,1eV 13 Al

9
IV 6 C*
p=10 fim AWi =5,4 eV p=2,3.103 fim AWi =1,12 eV
VI 8O
VII 9F
12 Mg
15 P* AWi =1,5 eV
16 S*
17 Cl
30 Zn
31 Ga
p=4,7.10-1 fim AWi =1,2 eV AWi =0,68 eV
34 Se* AWi =1,7 e V
35 Br
1.1. Conductia electric

9
La materialele semiconductoare se poate modifica n mod controlat concentraia de purttori de sarcin liber, deci conductivitatea, respectiv, rezistivitatea materialului.
Purttorii de sarcin n cmp

electric.
8=0 K; E= 0
7*0 K; E= 0
7r0 K; E0
A Wi
AW
a)
b)
c)
Modelul benzilor energetice al conduciei electrice n semiconductoarele intrinsece: a) la temperatura de 0K; b) la temperaturi T * 0K i n absena cmpului electric; c) formarea perechilor electron-gol n semiconductor.
a) Semiconductorii intrinseci
In semiconductorii intrinseci densitatea curentului electric J este suma ntre densitatea de curent a electronilor i a golurilor.
J = nqv + p q 0 v p
a : = = ----------- +
J nqvn pqvp
'EE
ai
= a n + a p = n q 0^n + pq 0 ^p
a) Semiconductorii intrinseci
n=p=nt i =
n i q o(Mn
+ Mp )
10
b) Semiconductori extrinseci
Conducie tip n
Conducie tip p
11
O t> & 0 o o
OO (JO
Semiconductori extrinseci conin ionii de substitutie cu valena diferit de ' j j cea a reelei atomice. Condu ctivitatea electric a unui material semiconductor extrinsec depinde n primul rnd de concentraia de impuriti. Prin impurificare se obine o conductivitate electric controlabil.
5
12
13
Conductia de tip extrinsec

Impurificarea controlat - adugare a unei anumite cantiti de atomi de impuritate ntr-un cristal pur - dopare.
AWd = Wc-Wd << AWt
- pentru semiconductoare de tip n:
aen = NDq0M
=
N
- pentru semiconductoare de tip p: ae p
Aq
o Mp
Purttorii a cror concentraie n semiconductoarele extrinsece este mai mare se numesc purttori majoritari, iar cei cu concentraie mai mic sunt purttori minoritari. .
5
1.2. Caracteristici
Proprieti fizice
Banda Fermi A [e V] Mobilitatea electronului [m2 / (V-s)] Mobilitatea golului [m2 / (V-s)] Concentraia intrinsec a purttorilor de sarcinnb [purttori/m-]
Ge
0,67 0,39 0,19 2,4 x 10
19
Si
1,10 0,135 0,048 1,45 x 10ie
GaAs
1,42 0,85 0,040 1,8 x IO12
Observaie:
Mobilitile electronilor sunt ntotdeauna mai mari dect mobilitile golurilor; de aceea dispozitivele semiconductoare la care purttorii majoritari sunt electroni pot funciona la frecvene mai mari dect a celor la care purttorii sunt goluri.
Materiale de dopare pentru Si i Ge
15
Energiile intervalelor donoare i acceptoare la impurificarea controlat a germaniului i siliciului.

a a a a aaaa a a
Material de dopare
la siliciu (\Wj = 1.12 eV) AWa [eV]
la germaniu (AWi = 0.67 eV) AWd [eV] AWa [eV]
AWd [eV]
P As Sb B Al Ga In
0,015 0,049 0,039 0,045 0,057 0,065 0,160
0,0120 0,0127 0,0096 0,0104 0,0102 0,0108 0,0112
Aplicaie
S se determine conductivitatea electric pentru germaniu, siliciu i
GaAs la temperatura ambiant (kT = 0,025 eV).

Valoarea conductiviti Ge:
5
a = e n,. ( M + M p ) = (1,6 -10-19)( 2,4 1019) (0,39 + 0,19) = 2,64 Q-1 m - , Valoarea
conductivittii Si: a = e nt Mn + Mp) = (1,6 -10-19 )(1,45 1016) (0,1350 + 0,045 ) = 0,42 10-3 Q-1 m Valoarea conductivitii GaAs:
5
a = e nt (Mn + MP ) = (1,6 -10-19 )(1,8 1012) (0,850 + 0,040) = 1,42 -10-6

Q-1 m
2. Obinerea siliciului
>
Teoria dispozitivelor semiconductoare este construit n ipoteza unui cristal perfect sau cvasi-perfect.
17
Calitatea electronic (EGS) a siliciului este greu de obinut fiind necesar aplicarea succesiv a unui numr mare de etape de purificare.
18
2.1. Obinerea siliciului a) Etapa I metalurgic (MCS) Siliciul metalurgic

se obine n urma electrolizei SiC.
5
SiC(lichid) + SiO2 (lichid) ---> Si (lichid) + SiO (gaz) + CO (gaz) Puritatea siliciului metalurgic aprox. 98 %.
MTCE- prof. dr. ing . Ioan D. Oltean 19
Siliciului de calitate electronic (ECS)
se obine pornind de la siliciul de calitate metalurgic prin mai multe purificri chimice i apoi fizice.
b) Etapa II
Una din metodele folosite const n dizolvarea siliciului ntr-un produs lichid la temperatura ambiant i apoi
20
2.2. Obinerea siliciului de calitate electronic (ECS)

distilarea acestui lichid.
MTCE-prof. dr. ing. loan D. Oltean
21
Producerea de triclorosilan are loc prin pulverizarea de siliciu solid n acid clorhidric gazos (HCl), conform reaciei: Si (solid) + 3HCl (gaz) ----- 300C ----- > SiHCla (gaz) + H2 (gaz)
c) Etapa III
Triclorosilanul astfel purificat este n continuare redus, pentru a repune n libertate siliciul. Reacia chimic:
5
SiHCl3 (gaz) + H2 (gaz) ------- > Si (solid) + 3HCl (gaz)
22
2.3. Purificarea fizic

d) Etapa IV Se bazeaz pe redistribuirea impuritilor existente n material la trecerea acestuia din faza lichid n faza solid. Eficiena metodei depinde de coeficientul de repartiie kr ( kr = N s / N l ) dintre concentraia de impuriti n concentraia de impuriti n faz lichid NI. faz solid A/s i
Bobin de inducie
Lingou de Siliciu
y
T
Puritatea siliciului de calitate electronic 99,9999% (10-6)
23
2.4. Elaborarea monocristalului de siliciu

e) Etapa V Elaborarea monocristalului de siliciu se realizeaz prin diferite tehnologii (topire zo nal, tragere din creuzet, cretere epitaxial etc.).
Cristalizarea lingoului i Si monocristaiin purificarea prin metoda topirii zonale
24
f) Etapa VI Debitarea
Cristalul de siliciu
lingoului
Direciile de debitare
25
2.5. Realizarea plachetelor (wafers)

Din lingoul de siliciu cristalin se obin plachetele (wafers) pe care prin tehnologii specifice urmeaz a se realiza dispozitivele electronice i debitarea plachetelor Pnza fierstrului are grosime g400^m i realizeaz debitarea de plachete semiconductoare cu grosimea de 400^m ... 600^m brut, dup tiere.
Lingou (l2m) de Si
circuitele integrate.
Direcia [100] Marcaj de referin
Lingoul de siliciu cu marcarea orientrii cristalografice
Debitarea plachetelor
26
Identificarea tipului plachetelor (wafers) __________________
27
28
29
3. Tehnici de impurificare controlat

Pentru a realiza dispozitive semiconductoare este necesar impurificarea controlat (doparea) unor zone de pe suprafaa cipurilor pe care se vor realiza jonciunile sau componentele pasive de circuit. Tehnicile de dopare folosite n realizarea de dispozitive electronice i circuite integrate: difuzia i implantarea ionic.
Plachetele de siliciu utilizate:
Siliciu monocristalin de tip n sau
0
ooo
OO O
30
p; sau plachete epitaxiale.
31
3.1. Difuzia
Difuzia este un procedeu flexibil i bine controlat de obinere a unei distribuii de impuriti n structura materialului (dopare), n scopul obinerii jonciunilor sau a altor structuri necesare n fabricarea dispozitivelor semiconductoare. Difuzia corespunde tendinei de mprtiere (dispersie) a particulelor, atomilor sau moleculelor substanelor sub aciunea unei energii de excitaie furnizat din exterior sub form de cldur.
9
La temperatura ambiant fenomenul de difuzie este prezent numai n mediul gazos, mai puin accentuat n mediu lichid i practic inexistent n mediu solid. Pentru a obine o difuzie n medii solide, respectiv n cristale semiconductoare, trebuie ca materialul sa fie nclzit la temperaturi ridicate (n jurul valorii de 1000C).
32
3.1.1. Modelul difuziei
Modelul difuziei impuritilor n structura cristalin a materialului de baz

x
33
a) Legea lui Fick

Legea lui Fick, arat c fluxul unitar 0al particulelor ce difuzeaz este
dat de relaia (legea I a lui Fick):
unde: D [cm2/s] este coeficientul de difuzie; N concen traia particulelor ce difuzeaz. ^ n dN Dup Ox: ^_ D dx
0= -D grad N
dN (x, t) dt
dO (x, t)
dN (x, t ) dt
=D i
D
52N
dx
d _ dx _ x
dx 2
34
35
b) Materiale impurificatoare
n cazul siliciului principalele impuriti sunt: - acceptoare sunt: B, Ga, In, - donoare sunt: P, As, Sb.(n comparaie cu fosforul, arseniul i stibiul sunt difuzani relativ leni). Coeficieii de difuzie D i solubilitile elementelor de impurificare frecvent utilizate n practic sunt cunoscute i se indic n funcie de temperatur [ D(T)].
37
3.1.2 Tehnologia difuziei

n faza gazoas impuritile sunt antrenate de un mediu gazos (gaz purttor). Procesul de difuzie se realizeaz n reactoare de difuzie la temperaturi de 800 -1300C. La temperaturi joase, coeficientul de difuzie al impuritilor este foarte mic. Atomii de impuritate de specia dorit sunt adui n stare gazoas fiind transportai n reactor de ctre un gaz inert.
Gaz purttor
Reactor de difuzie
38
39
Instalaia de difuzie const n cuptorul de difuzie propriu-zis, funcionnd la temperaturi mari 1000-1200 C
3.1.3. Analiza straturilor difuzate

n studiul straturilor difuzate prezint interes urmtoarele caracteristici:
concentraia impuritilor la suprafa; distribuia spaial a difuzantului pe direcia de difuzie; adncimea de ptrundere a jonciunilor p-n; valoarea gradientului concentraiei impuritilor n jonciunea p-n.

41
Determinarea adncimii stratului difuzat

x
p
n
oL
lefuirea sub unghi n metoda colorrii selective

U
p n
a)
Xi
b)
a) Principiul de baleere cu flux luminos b) Determinarea Xj
42
Rezistivitatea de suprafa sau rezistena de ptrat
Parametrul electric cel mai utilizat pentru caracterizarea straturilor difuzate este rezistena de ptrat. Pentru a defini aceast mrime se va porni la calculul rezistenei unei probe paralelipipedice cu dimensiunile de siliciu uniform dopate.
pLpL R= wgL
gw
=R
43
Aplicaii
8.1. S se calculeze rezistena unui strat difuzat cu rezistivitatea p=10 exp(-4) Qm avnd urmtoarea geometrie: L=10 [jm, w=5 pm, g=1 pm.
5
8.2. S se determine Rn a unui strat difuzat cu R=100 Q cu L=100 pm i w=5 pm.
3.2. Implantarea ionic
Implantarea ionic reprezint procesul de introducere a atomilor de impuritate

ntr-un material semiconductor de baz prin bombardarea acestuia cu un fascicol nefocalizat de ioni cu energie ridicat (de ordin keV...sute keV). Implantarea ionic nu este un proces termic care de multe ori duce la efecte secundare i din aceasta rezult o serie de avantaje.
Atomii dopani sunt de obicei: B, P, As, In, etc. Pentru accelerarea atomilor
ionizai se folosesc energii cuprinse n gama 3 keV pn la 500 keV. de: natura materialului n care se face implantarea; de natura ionilor dopani; de energia de accelerare.
Adncimea de patrundere este cuprins ntre 100 A i 1 ^m, aceasta depinznd
3.2.1. Principiul implantrii ionice
45
Procesul de implantare se realizeaz n vid. Distana pe care o parcurg ionii n interiorul materialului semiconductor (int) pn la oprire poart denumirea de parcurs.
3.2.2 Adncimea de ptrundere a

impuritilor
Calculul adncimii maxim de ptrundere a particulelor canalizate Rmax [^m]:
K = RÊ
a
unde: aR - constant care depinde de natura ionilor implantai i de starea fizico-chimic a sursei; E [keV] - energia ionilor.
3.2.3. Caracteristicile straturilor implantate ionic

-Localizarea cu o bun rezoluie a zonelor dopate, lucru ce permite obinerea unei densiti mari de integrare; -adncimea de ptrundere a impuritilor implantate este mai mic dect n cazul difuziei; -se reduc efectele secundare ce pot aprea la procesele termice care nsoesc alte metode de impurificare (difuzia, epitaxia, alierera); - realizarea unui maxim al concentraiei de impuriti la o anumit adncime sub stratul de siliciu, ceea ce permite obinerea de tranzistoare bipolare i cu efect de cmp cu proprieti mai bune dect prin difuzie.
48
Tehnologia dispozitivelor semiconductoare
Rezumat curs 9
Coninut curs
1. Tehnici de depuneri de straturi
1.1. Epitaxia 1.2. Oxidarea 1.3. Litografia
2. Tehnologia diodelor semiconductoare
3. Tehnologia tranzistoarelor bipolare
Procesul tehnologic al dispozitivelor semiconductoare

Principalele operaii la realizarea dispozitivelor semiconductoare i a circuitelor integrate:

impurificri controlate (difuzie, implantare ionic), oxidri (strat dielectric, strat de protecie, etc.,),
depuneri sau gravri de straturi conductoare sau izolante. corodarea selectiv unor straturi sau a unor zone de pe plachetele semiconductoare.
1. Tehnici de depuneri de straturi

Depunerile sunt necesare la realizarea de straturi semiconductoare cu aceeai structur sau diferit de cea a substratului, straturi conductoare sau izolante. Tehnicile de depunere folosite pentru realizarea de straturi izolante sau de oxid permit realizarea i a depunerilor de alte materiale: metale sau pelicule semiconductoare. Tehnici de depunere: evaporare termic, pulverizare catodic, depunere chimic
n faz de vapori, depuneri la joas presiune, plasm.

1.1. Epitaxia
Prin epitaxie se nelege procesul de cretere a unui strat monocristalin pe un suport orientat. Procesul const n transportul atomilor dintr-o faz: solid, lichid sau gazoas la suprafaa unui suport monocristalin pe care s continue creterea cristalin a substratului. Creterea epitaxial a constituit un pas important n tehnologia planar i n primul rnd n tehnologia circuitelor integrate. Creterea straturilor epitaxiale a permis eliminarea unor procese de difuzie care necesitau un interval de timp mare.
a) Epitaxia cu jet molecular (MBE)

Procesul const n aducerea i proiectarea moleculelor pe suprafaa substratului. Procesul are loc n vid naintat (10-10 Torr).
b) Epitaxia n faz de vapori (VPE

n reactor gazul se disociaz, furniznd atomi (de siliciu, spre exemplu), care se depun pe suprafaa plachetelor.
nclzire
gaz
plachete
folosind silanul, SiH4; reacie ireversibil: SiH4(gaz)-> Si solid + 2H2 (gaz)
pompare
1.2. Oxidarea
a) Descrierea procesului Oxidare - reacia chimic cu un agent oxidant (oxigen, ozon, ap, bioxid de carbon, acid azotic, etc.). Procesul de oxidare la siliciu are drept scop obinerea unui strat de SiO2 caracterizat prin proprieti: Dielectrice, de ecranare n procesele de impurificare controlat (mascare). Stratul de oxid de siliciu (S/O2) se comport ca o barier la ptrunderea impuritilor n substratul de siliciu (S/). Un strat de o fraciune de micron de SO2, uor de depus pe cale termic, mpiedic ptrunderea n siliciu a atomilor strini: P As, Sb, B.
b) Funcii ale stratului de oxid de siliciu SiO2:

masc pentru implantare sau difuzie de dopant; strat pasivizant (de protecie) la suprafaa siliciului; zon de izolare electric ntre diferitele componente ale unei structuri integrate; strat activ n cazul tranzistoarelor cu efect de cmp (oxid de gril); izolant electric ntre straturile adiacente, pentru a crete gradul de integrare i a reduce dimensiunile; izolant electric ntre diferitele nivele ce conin trasee conductoare, metalice sau din polisiliciu puternic dopat.
11
Principiul instalaiei de oxidare

Si (solid) + O2 ---> SiO2 (solid) Si solid + 2 H2O ---> SiO2 (solid)+ 2H2
Incinta
L XXX
Rezistena de nclzire
N2 O H=0
13
14
1.3. Litografia
Litografie - procedeul de transfer al desenului (motivelor) de pe un ablon (masc fizic sau virtual) spre plachet. Radiaia prin care are loc transferul structurii de pe ablon pe substratul de material semiconductor:
15
Tehnica litografiei ofer posibilitatea localizrii pe placheta de siliciu a operaiilor de: oxidare, dopri, metalizri, urmrind zone foarte bine definite i pe suprafee din ce n ce mai mici, n scopul de a realiza dispozitive electronice elementare i de a le interconecta pentru a obine microcircuite.
Humber ol transislflrs'cliip
17
Principiul litografiei
ablon
18
Tehnologia fotolitografiei
Etapele procesului fotolitografic pentru localizarea unor "ferestre" pe suprafaa plachetei semiconductoare sunt: curirea i degresarea substratului (cu solveni organici); depunerea stratului de fotorezist pe suprafaa plachetei oxidate n prealabil; uscarea fotorezistului; poziionarea fotoablonului i expunerea; developarea i argsirea termic a stratului de fotorezist; corodarea chimic a stratului de oxid (S/O2) prin ferestrele din fotorezist; ndeprtarea stratului de fotorezist. splarea plachetelor,
19
349
a) Materialele fotorezistive
Rezist - strat rezistent la aciunea agenilor de corodare utilizai n gravarea diferitelor straturi pe plachet. Rezisturile - rini sensibile la radiaia incident. n funcie de modul n care rina i modific proprietile, ea poate fi: pozitiv sau negativ. Materialele fotorezistive - sisteme multicomponente care au la baz un polimer n care se adaug diferite substane n scopul obinerii urmtoarelor caliti necesare procesului fotolitografic: sensibilitate mare ntr-un domeniu spectral; stabilitate la aciunea unor ageni chimici; coeficient de vscozitate i de aderen la substrat.
20
Depunerea stratului de fotorezist

Depunerea stratului de fotorezist se face prin: - imersie (cufundarea substratului) - procedeu puin folosit; - centrifugare - procedeu des folosit; grosimea peliculei este invers proporional cu viteza unghiular de centrifugare; - pulverizare - procedeu des folosit; avantaj - asigurarea unei grosimi uniforme i controlabile a stratului depus.
raina
11
Principiul depunerii rinii fotosensibile prin centrifugare

aspiraie rotaie
21
b) abloane
abloanele (mtile) - supori fizici pe care se realizeaz modelul (motivul) care urmeaz s se transfere pe substratul de material semiconductor. Fotomasca - plac plan din sticl special pentru transpunerea modelului prin transparen pe suprafaa plachetei de material semiconductor. Fotoabloanele cu emulsii - se realizeaz prin tehnica fotografic. Fotoabloanele cu pelicule metalice se obin prin corodarea unui strat de oxid metalic depus prin evaporare n vid pe supori de sticl optic. Fotoabloanele cu pelicule de oxizi se obin n mod asemntor cu mstile cu peliculelor metalice.
22
23
c) Expunerea
Expunerea plachetelor semiconductoare pentru transferul pe acestea a desenelor de pe ablon se poate realiza prin: contact, proximitate i prin proiecie.
24
Principiul expunerii prin contact
25
26
Etape ale unui proces de fotolitografie i gravare

SiO wssssssssss-
Developare tem j j j? VyjS'A j j JjrjrVV

Fotorezist
ssssssssss.
Si *
Fotorezis t
Gravare
m m
ki:i:i i
Expunere Radiaie UV m ^ m ^ p / / j --pyyjp J1 J1
v//////sss s s ?sssssssss<
27
Gravura
Gravura reprezint o tehnic de ndeprtare n mod selectiv a unor straturi (conductoare, semiconductoare sau izolante) de pe plachetele semiconductoare.
Particule
a) gravura cu radiaie ionic b) gravura ionic cu reactivi c) gravura cu plasm. La gravura ionic predomin mecanismele fizice de dizlocare a
atomilor i moleculelor materialului substratului, folosind energii ridicate (0,5...5 keV)
Diferena dintre gravura izotrop si cea anizotropa. a) gravura izotrop - rezult o gravare lateral. b) gravura anizotrop - pentru realizarea unor gravuri de dimensiuni foarte mici.
Diodele semiconductoare au la baz o jonciune p-n prevzut cu contacte metalice ataate la cele dou zone.
29
Ansamblu este introdus ntr-o capsul din sticl, material plastic sau metal cu rol de protecie i de transfer al cldurii degajate n funcionare.
Tehnologia diodelor
semiconductoare
31
2.1. Diodele cu contact punctiform

Diodele cu contact punctiform (Ge) Jonciunea p-n se formeaz ntre un cristal de Ge de tip n i un vrf metalic (de exemplu: wolfram sau bronz) aflat n contact cu acest cristal de material semiconductor. Vrful metalic corespunde contactului anodului diodei, iar materialul semiconductor (n-Ge) formeaz catodul.
- Capacitatea echivalent a jonciunii foarte redus; posibilitate de utilizare la frecvene foarte mari (sute MHz); - Tensiune inversa redus.
2.2. Diode difuzate

Procesul fotolitografic 1 deschiderea fereastrei de difuzie. Procesul fotolitografic 2 realizarea contactului anodului. Obinerea contactelor metalice ale zonei p (anod) i a zonei n (catod): - corodarea stratului de aluminiu metalizarea prii inferioare a substratului (contact eutectic cu aur); ataarea contactului anodului.
Si02
JIJIIIII
Ftorezist
Aluminiu
d )
) I ?ifHBi I t
h )
Fir Au
0 h ......... r *v.........
k )
2.3. Diode epitaxial difuzate

Diode de tensiune si putere - jonciuni pn difuzate ntr-un strat epitaxial. Difuzia de tip p (cu adncime de 10 ^m) este realizat n stratul epitaxial slab dopat depus pe un substrat puternic dopat de acelai tip cu stratul epitaxial.
34
Catod
Aria jonciunii depinde de valoarea curentului. Suprafeele jonciunilor diodelor de putere folosite la redresarea curenilor de sute de amperi ating civa cm2.
2.3. Diode epitaxial difuzate n procesul tehnologic de obinere a acestor jonciuni
Diode Schottky - jonciuni metal-semiconductor la care la transportul curentului particip numai purttorii majoritari. Conducia curentului rezultatul unei emisii termoelectrice de electroni din metal spre semiconductor i invers. Dioda Schottky (varianta prezentat) se obine prin depunerea unei
se folosesc plachete cu diametre D>100 mm. Stratul epitaxial slab dopat permite extinderea zonei de sarcin spaial lm a jonciunii p+ n- la polarizarea invers. Valoarea tensiuni inverse maxime Uimax depinde de grosimea zonei lm a stratului epitaxial situat sub stratul difuzat.
36
pelicule metalice (anodul diodei) pe un stratul epitaxial de tip n (n-Epi) depus pe un substrat puternic impurificat (n+ - catodul diodei).
Caracteristic pentru diodele Schotky este faptul c stratul de baraj se gsete n zona mai puin dopat, adic n stratul epitaxial al materialului semiconductor.
37
Deoarece n metal sarcina negativ a stratului dublu electric ocup o grosime foarte mic (grosimea unui strat monoatomic), datorit concentraiei mari de electroni din metal, cderea de tensiune este mai mic dect la jonciunile semiconductoare (Ud = 0,2...0,3 V).
38
Diode - capsule
39
3. Tranzistoare
3.1. Tehnologia tranzistoarelor

bipolare
3.2. Clasificare tranzistoarelor n

funcie de tehnologia de fabricaie

tranzistoare simplu difuzate realizate prin difuzarea simultan a impuritilor pe ambele fee ale unei plachete semiconductoare dopate iniial; tranzistoare dublu difuzate realizate prin dou difuzii succesive ntr-un substrat iniial dopat (difuzia bazei i apoi difuzia de emitor); tranzistoare planar epitaxiale se realizeaz ca i cele dublu difuzate cu difuziile realizate ntr-un strat epitaxial slab dopat depus pe un substrat puternic dopat; acestea sunt foarte rspndite n construcia tranzistoarelor de semnal mic precum i a celor de putere; tranzistoare planare dublu i triplu epitaxiale difuzate se caracterizeaz printr-o rezistivitate mare a regiunii de colector (rezistivitatea zonelor epitaxiale), dar cu rezistena de colector redus (rezistivitatea substratului mic), fiind folosite ca tranzistoare de putere cu tensiuni de colector mari.
Cerine de fabricaie
42
La producerea unui tranzistor bipolar trebuie ca n primul rnd s se obin eficiena emitorului. Pentru aceasta este esenial ca doparea emitorului s fie mai mare dect cea a bazei. Condiie care trebuie ndeplinit:
n, p
Cerinele impuse proceselor de fabricaie

Pentru realizarea de tranzistoare bipolare cu caracteristici electrice ridicate se impune:
unde: wB= grosimea bazei; Ln, p= lungimea de difuzie a electronilor, respectiv a golurilor; Dn, p= constanta de difuzie a electronilor, respectiv a golurilor; m, p= durata de via a electronilor, respectiv a golurilor.
43
realizarea unor rezistene de colector de valoare ct mai mic; este necesar a se realiza o zon de colector puternic dopat i o cale de acces la colector de rezisten ct mai mic; realizarea unei zone de baz cu dopaj slab, de grosime suficient de mare pentru obinerea unei capabiliti n tensiune a jonciunii colector-baz suficient de mare; rezistena de baz s fie ct mai mic pentru a nu limita rspunsul n frecven; emitorul trebuie sa fie foarte puternic dopat; gradul de dopare a bazei intrinseci s fie perfect controlat; gradul de dopare al bazei mpreun cu dopajul emitorului, determin ctigul tranzistorului.
44
3.3. Tranzistoare difuzate

Se urmresc cele ase operaii ale procesului tehnologic i se menioneaz n ce consta acestea pentru fig. : a), b),...g)
45
Principalele etape
fotolitografie 1 (masca 1) - deschiderea ferestrei pentru difuzia bazei, uscare, expunere, corodare i iniial oxidare cu SiO2; predifuzia atomilor de bor; difuzia atomilor de bor n atmosfer oxidant (fig. b); fotolitografie 2 (masca 2)- deschiderea ferestrei pentru difuzia emitorului; difuzia emitorului prin impurificare cu fosfor schimbndu-se tipul doprii (din p n n+) (fig. c); reoxidare i fotolitografie 3 (masca 3)- deschiderea ferestrelor pentru contactele ohmice (fig. d); metalizare neselectiv (Al pur (1^m) pe faa superioar (fig. e); metalizarea zonei de colector, a prii inferioare cu Au-Sb sau Au-Ni i corodarea (gravarea) stratului metalic (cu excepia zonelor de contact); (fig.f).
46
Tehnologia tranzistoarelor bipolare

Rezumat curs 10
Coninut curs
1. Tehnologia tranzistoarelor bipolare
1. Tehnologia tranzistoarelor
FUNDAMENTALS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING AND PROCESS CONTROL
Gary S. May, Ph.D.
Georgia Institute of Technology Atlanta. Geaqria
Costas J. Spanos, Ph.D.

University of California Jt Hi'rktk'y BcikfLcy. Cj.lii-.Tnij.
Structura
1.2. Tranzistoare epitaxial planare
Caracteristici:
Tranzistoarele planar-epitaxiale au performane mai bune dect cele planare: tensiunea de saturaie UcEsat cu valori mai mici (UcEsat0,3 V fa de UcEsat 1 V la cele planare). Grosimea plachetelor este de n jur de 0,3 mm
pentru tranzistoarele difuzate i de 0,2 mm (120^160 ^m) pentru tranzistoarele planar- epitaxiale.
a) Tranzistorul epitaxial planar are regiunea de colector de rezistivitate mare (stratul epitaxial), iar substratul este puternic dopat (cu rezistivitate mic).
rrmcipaieie zz$pz aJe reJmoioêi unui franzn rc.?' npn

l n +
Plachet de ('Aaier; mono cri st al in puternic dopat lN : silO L : atomi, cm 1 ) cu D= 5Oh7jmm i grosime qi-^,3 mm
spucoitcii
1 O L II I i.
Creterea epitaxial unu strat .n =1 ab dopat x.. lil^L.m
r+ '
SiOj
2un v f
n +
strat de o:-dd cu grosimea ; i2L.m
Ox.'d3-3 termic umed a uiu.
Enpnpnrap:
4 n+
i--3rD: i j z r r . (masca Ij - deschiderea
ferestrei pentru difuzia bazei
Foto litografie (masca 3) - Deschiderea

10.
n+:
ferestrelor pentru contactele ohmi ce CB i E]
11.
Metalizare neselectiv (Ai pur pentru zone p i Au-Sb sau Au-Ni pentru zone n)
12.
Corodarea stratului metalic (cu excepia

zonelor de contact]
13. Reducerea grosimii subtratului
14.
Metalizarea subtratului
B
15. Sudarea bazei i a Montarea n capsul (lipire colector]
emitorului 10
b) Tranzistorul dublu epitaxial planar are regiunea de colector de rezistivitate mare n- (stratul epitaxial 1- slab impurificat) urmat de un strat de rezistivitate medie n (stratul epitaxial 2- mediu impurificat), straturi crescute pe un substrat puternic impurificat n+ cu rezistivitate mic.
Strat epitaxial 1 de tip n Strat epitaxial 2 de tip n -
k-
n
B
rv -n
n+
'''Substratul n+
11
12
1.3. ncapsularea (tranzistor de mic i medie putere)
13
ncapsularea (tranzistor de putere)
/V
14
Tipuri de capsule si identificarea electrozilor
15
16
Tipuri de capsule - codificare
17
Tipuri de capsule - codificare
18
Caracteristici electrice
19
20
Tehnologia tranzistoarelor si a circuitelor integrate

Rezumat curs 11
Coninut curs
1. 2. 3.
Tehnologia tranzistoarelor MOS Tehnologia circuitelor integrate Tehnici de realizare a tranzistoarelor din C.I.
1. Tranzistorul MOS
Pentru ca prin structura tranzistorului MOS s treac curent de la surs la dren trebuie s fie ndeplinite dou condiii: s existe un cmp longitudinal n zona canalului; condiie satisfcut dac VD>VS; s existe purttori de sarcin liberi.
Oxid
Sursa Canal Dren

Si
(p)
[ Substrat
Structura si caracteristici
G
1
sti I sub it E
VD
Stratul SiO2 subire (0,1+0,2 |jm) care constituie izolaia de gril.
Tehnologia de autoaliniere
Pentru a reduce dimensiunile tranzistorilor a fost necesar s se gseasc metode de poziionare a grilei n raport cu sursa i drena.
Procesul de fabricaie a unui tranzistor MOS cu autoaliniere const n utilizarea unui strat de polisiliciu cu rol de ecran (ntre dren i surs) n procesele de impurificare controlat (difuzie sau
implantare).
Cerinele tehnologice
Cerinele tehnologice pentru realizarea tranzistoarelor MOS: lungimea canalului s fie ct mai mic pentru a avea o frecven de lucru ridicat; reducerea lungimii canalului determin ns reducerea tensiunii maxime dren-surs; conductivitate mare a zonelor sursei i drenei (impurificare puternic de tip n+ sau p+) pentru reducerea cderilor de tensiune la saturaie respectiv, pentru obinerea unei rezistene dren-surs n conducie rDSon de valoare mic .
Diferene fa de tehnologia dispozitivelor semiconductoare : izolarea componentelor din structura aceluiai cip (unele fa de altele); aducerea la faa superioar a structurii (cipului) a contactelor componentelor, inclusiv a contactelor de colector ale tranzistoarelor; interconectarea dispozitivelor realizate pe structura semiconductoare conform schemei electrice a circuitului.
2. Tehnologia circuitelor integrate (C.I.)________
2.1. Tehnici de izolare a componentelor _______

Izolarea componentelor dintr-un circuit integrat a fost una dintre problemele cele mai importante n tehnologia circuitelor integrate. Scopul
Funcional - pentru o bun funcionare a circuitului,
dispozitivele componente trebuie s fie izolate ntre ele ct mai bine. - Creterea densitii de integrare - reducerea
10
Caracteristici Procedeele eficiente de izolare trebuie s se caracterizeze prin urmtoarele: curentul de pierderi dintre dispozitivele active s fie neglijabil; distana dintre dispozitivele active si suprafaa ocupat de partea de izolare s fie minim; procedeul de izolare s nu afecteze parametrii dispozitivelor.
dimensiunilor.
a) Izolarea prin jonciunip-n polarizate invers

12
SiO;
Etapele realizrii zonelor izolate (insulelor): creterea unui strat epitaxial de tip n p substratul de siliciu (de tip p) i apoi oxidarea stratului depus: deschiderea ferestrelor pentru difuziile de izolare; difuzia cu impuriti de tip p pe adnci mai mare dect stratul epitaxial; reoxidarea suprafeei i pregtirea etapelor de realizare a elementelor din structura C.l. (n stratul epitaxial al regiunilor izolate).
-
Strat epitaxial n
b)
13
b) Izolarea cu oxid localizat (LOCOS)

Si02
MI
l1!!l ............... - .....
Si3N4
............ .
Viteza de oxidare a nitratului de siliciu (Si3N4) este mai redus dect a siliciului. Delimitarea regiunilor izolate, prin protecia lor mpotriva oxidrii, se realizeaz prin depunerea de straturi de Si3N4 pe aceste zone.
14
Prin oxidarea localizat, datorit creterii n volum a oxidului grosimea stratului de SiO2 devine mai mare dect grosimea stratului epitaxial realiznd n acest fel regiuni izolate (insule) pe suprafaa cipului.
15
Formarea regiunilor izolate insule
16
Izolarea dielectric prin corodarea substratului permite obinerea de
regiuni izolate prin tehnica de gravare anizotrop.
Izolarea prin corodarea de anuri n siliciu monocristalin, urmat de oxidarea acestora i depunerea de polisiliciu permite realizarea de regiuni izolate, n cadrul aceluiai cip, la care diferena de potenial
c) Izolarea dielectric
dintre componente poate ajunge pn la sute de voli.
3. Tehnici de realizare a tranzistoarelor bipolare din C.I.

Operaiile suplimentare fa de tranzistoarele discrete sunt: izolarea ntre ele a dispozitivelor implementate; aducerea contactului de colector n planul de conexiuni (faa superioar a plachetei); reducerea rezistenei echivalente serie. Simultan cu realizarea tranzistoarelor npn, n regiunile izolate (insule) ale cipurilor de pe plachet, se realizeaz i alte
elemente necesare unui circuit integrat analogic sau logic: tranzistoare pnp laterale sau de substrat; rezistoare difuzate; condensatoare de valori mici (pF, zeci pF).
19
Exemplu 1
Structura unui tranzistor pnp
20
3.1. Structura unui tranzistor npn epiaxial

Strat "ngropat" \
Strat epi taxial n Difuzie de izolare de tip p
Straturi suplimentare:
-Strat ngropat, --strat pentru legatura de colector (puul de colector).
I 75
50
25 b)
0
Exemplu 2
Caracteristicile geometrice pentru tranzistorul epitaxial tip npn, structur tipic pentru tranzistoare cu geometrie minim sunt urmtoarele:
grosimea stratului epitaxial: g=17 ^m, rezistivitatea p=5 Qcm; difuzia de baz : 45 ^m x 60 ^m; difuzia de emitor: 20 ^m x 25 ^m; garda baz - zid de izolare: 25 ^m; dimensiunile totale ale tranzistorului prezentat sunt (140 ^m x 95 ^m).
22
Exemplu 3
Structura unui tranzistor bipolar
Din: Gary S. May, FUNDAMENTALS OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING AND PROCESS CONTROL
Si02 isolation
p substrate p+ chanstop
n emitter n+ buried layer
n+ collector
23
Exemplu 4 Tranzistor npn si rezistent difuzat
3.2. Structura tranzistoarelor MOS cu

dimensiuni submicronice
Pentru realizarea tranzistoarelor cu dimensiuni submicronice (lungime de canal de 0,1^m) este necesar execuia unor jonciuni de dren i de surs de foarte mic grosime (maxim cteva zecimi de micron). S G D
substrat p Soluia tehnologic folosit const n a nala sursa i drena printr-o epitaxie selectiv. Se realizeaz apoi un strat de siliciur deasupra, pentru reducerea rezistenelor de contact.
3.3. Realizarea conexiunilor

26
27
^îTn lim
IWWÎWM
28
Vedere a structurii semiconductoare
29
aaaaaaaaaa DQQBH aaaa aaaaaa aa aa ; a ai a

iQaa aaaa
aaaa aaaaaa
BE3B
MTCE- prof. dr. ing. loan D
Oltean
26
3.4. Separarea cipurilor
Zonele Intercipdup care are loc debitarea cipurilor
27
Testarea cipului
MTCE- prof. dr. ing. loan D. Otean -
28
3.5. ncapsularea
/V
29
30
c) Asamblarea capsulei
Din: Gary S. May, FUNDAMENTALS OF SEMICONDUCTOR
31
MANUFACTURING AND PROCESS CONTROL
32
NE555
A
Flat Pack
3/8"
Dia.
1/4
33
TO - 5
34
35
36
Tehnologia de realizare a subansamblelor

Rezumat curs 12
1. Pri componente ale sistemelor electronice 2. Circuite imprimate (Printed Circuit Board -PCB)
1. Pri componente ale sistemelor electronice
Electronic system
Electronics equipment 1
Electronics aparatus1
Subansamblu 1
Aparat electronic 2
Componente electronice
Componente electronice
Subansamblu k Subansamblu 2
Subansamblu 3
Aparat electronic 3
Aparatus
1.1. Nivele de interconectare (Level)
Nivel 0: Interconectare la nivelul semiconductor; Nivel 1: ncapsularea Chip-ului; Nivel 2: Producerea modulelor multi-chip; Nivel 3: PCB; Nivel 4: Interconectarea subansamblelor electronice i mecanice la nivelul sistem (blocuri, incinte, sertare
etc.).
1.2. Subasamblele
Subasamblele sunt blocuri care ndeplinesc o anumit funcie n cadrul aparatelor electronice. Subansamblul tipic este un modul realizat pe cablajul imprimat - Printed Circuit Board (PCB). Componentele i dispozitivele electronice sunt montate folosind o tehnologie specific de conectare (n guri - TH cu componente i dispozitive cu terminale sau la suprafa - SMT cu dispozitive SMD). Example: bloc amplificator, bloc surs de alimentare, unitatea de calcul (CPU), blocul de memorie. asemenea i pri cu subansamble mecanice. Exemplu: rack-urile, cutiile, ventilatoare, radiatoarele, etc.
Un aparat, echipament sau sistem electronic conine de
1.3. Conexiunile la circuitele electronice

Contact electric - alturarea sau mbinarea a dou conductoare astfel nct s se asigure trecerea curentului electric. Condiii: - rezistenta de contact s fie ct mai mic,
5
Contacte electrice: - contacte fixe (prin rsucire, lipire, sudare), - comutabile. Conductoarele electrice pentru conexiuni electrice: - filare (fire de conexiune, cabluri), - imprimate. Conductoarele - cupru electrotehnic, electrolitic (> 99,5%; dup trefilare (tragerea n fire) se supune la recoacere care face metalul ductil
- s fie rezistent mecanic.
1.3. Conexiunile la circuitele electronice

(moale) i i reduce rezistivitatea (p 1,72-10-8 Qm).
10
Pentru unele utilizri (de ex. pentru wrapping) se folosete cupru tras la rece (fr recoacere), mai elastic, cu rezistivitate ceva mai mare (p 1,78-10-8 Qm). Conductoare din alte metale (Au, Ag, ...) se folosesc n circuite integrate i rar n alte aplicaii. Adesea conductoarele din cupru sunt metalizate, prin acoperire cu o pelicul subire din metal greu oxidabil (Ag, Au, ...) sau cu materiale care favorizeaz lipirea
R = p A
(Ag, Sn).
12
a) Tehnologii de cablare cu fire
13
Modalitati de conectare a componentelor
14
b) Procedeul wire wrap (wrapping)

Pinii sunt din metal elastic (bronz fosforos, alam, oel, ...) acoperii cu aur, argint sau staniu, cu seciune ptrat cu muchii tioase. Conductorul care se nfoar pe pini este din cupru tras la rece (pentru elasticitate) argintat. Izolaia este din teflon, Kynar, PVC sau Nylon, cu grosime mic (0,15 - 0,3mm).
scul pentru wrapping
Conductorul se nfoar foarte strns pe pin, cu o scul special.
15
Utilizri
Procedeul de wrapping (wire-wrap) se folosete pentru interconectarea subansamblelor, pentru conexiuni ntre puncte ndeprtate spaial, cnd conductoarele urmeaz trasee complicate. Exemplu: interconectarea registrelor din centralele telefonice. Avantajele procedeului de wrapping sunt: - asigur o mare densitate de contacte pe unitatea de suprafa, - permite automatizarea execuiei, - asigur contacte bune i foarte fiabile, - depanarea este uoar. Procedeul este aplicabil n joas frecven i n sisteme digitale cu
16
vitez mic i medie.
2. Circuite imprimate (Printed Circuit Board -PCB)

Istoric Paul Esler (Germania) a dezvoltat aceast tehnologie in 1943. Tehnologia PCB reprezint un nivel important n asamblare (packaging).
Cablaj imprimat - sistem de conductoare imprimate care asigur toate
conexiunile electrice dintre elementele schemei, ecranrile i punerile la mas.
Conductoare imprimate - poriune de strat metalizat pe un suport izolant
(ceramic, sticl, pertinax, sticlotextolit) echivalent unei conexiuni electrice din montaj (n cablajele clasice are ca echivalent un conductor n
17
tub izolator).
Suport placat sau placat - materialul de baz pentru realizarea plcii
imprimate, format dintr-un suport electroizolant metalizat.
18
Exemple de realizare
Cablajul cu trasee
componentelor care urmeaz s se monteze= partea plantat
conductoare= Partea placat

PCB -ul (placatul) cu marcajul
)SB D Q D Q
n n K i n c n n
a5
sa
CB 000719-1 K3
n ncm
19
Ponderea cablajelor
Tehnologia PCB Simplu strat Dublu strat Multi strat Substrat Rigid Flexibil Rigid-flexibil.
Multilayer
20
2.1. Caracteristici. Clasificari.

Se realizeaza sub form de plci cu dimensiuni pn la 2000x2000 mm, iar grosimile uzuale sunt: 0,5, 0,65; 0,8 (0,9) i 1,0 (1,1); 1,2; 1,6 (1,5); 2,0; 2,4 (2,6); 3,0 (3,2) mm, cu abateri ntre 0,1 i 0,2 mm. Clasificare: a) Tip material materiale stratificate - sunt cele mai utilizate pentru suporturi rigide att n tehnologiile substractive ct i n cele aditive;
mase plastice termoplaste pentru suporturi rigide sau flexibile; suporturi ceramice (rigide); folii pentru suporturi flexibile.
21
Clasificari.
b) dup rigiditatea mecanic: rigide (care nu permit raze mici de curbur); flexibile (cu raze mici de curbur mai mici ca 1...3 mm ). c) dup numrul straturilor metalice: simplu strat (strat metalic pe o singur fa); dublu strat (dubl fa) au straturi metalice pe ambele fee ale substratului electroizolant; permit o densitate de montaj ridicat la costuri relativ sczute; la cele cu guri metalizate, operaiunile de contactare pot fi realizate automatizat prin lipire cu val de aliaj de lipire. multistrat, cu mai mult de dou straturi conductoare, legturile electrice ntre trasee se fac prin guri metalizate; se utilizeaz la interconectarea circuitelor integrate pe scar foarte mare (VLSI
22
Very Large Scale Integration), care au mai multe terminale.
23
Cablaj simplu strat
24
Cablaj dublu strat

Material dielectric
Cu
Gaura
Traseu
conductor (Cu)
25
Structura unui cablaj imprimat cu dublu strat si cu gauri de trecere.
26
Cablaj dublu strat

Material dielectric Traseu (Cu)
Cu Trecere (via)
27
R1
1
i
R2
----- Bottom Laver 1
J1
28
Cablaj multistrat
29
Suportul izolant placat cu cupru (pertinax i steclotextolit) trebuie s

ndeplineasc o serie de condiii mecanice, electrice i termice. grosimea de: 17,5^m, 35^m, 50^m, 70^m, i 105^m.
Materialul de placare este cupru electrolitic de nalt puritate (99,5%) cu

(^ A.1 -> hrtie
fibre de sticl
n funcia de natura materialului dielectric, format din estur i rina de impregnare, se^ disting urmtoarele tipuri de suporturi placate:
Bi rin fenolic B? -> rin epoxidic B3 -> rin melaminic B4 -> rin silicomc B5 -> tetrafluoretilen (teflon) V^_B6 -> rin poliesteric
30
Ai+Bi , A2+B2, A2+B3, A2+B4, A4+B2, A2+B5, A2+B$.

Fiecare tip placat are anumite caracteristici: - varianta A1 (hrtie) +B1 (rin fenolic) se ntlnete denumirea de pertinax sau izoplacat fenolic, care poate fi simplu sau dublu placat i este materialul standard pentru solicitri obinuite. -Varianta A1+B2 (rin epoxidic) se ntlnete de pertinax epoxidic sau izoplacat epoxidic, care poate fi simplu sau dublu placat. Are proprieti electrice, mecanice i termice mai bune dect pertinaxul fenolic; - Varianta A2 (fibr de sticl) +B2, denumirea este de sticlotextolit (simplu placat, dublu placat sau multistrat) epoxidic. Sticlotextolitul epoxidic este materialul standard pentru aparatura de calitate superioar. Se prelucreaz mai dificil. Se mai numete sticlostratitex.
Tipuri de sticlotextolit pentru plci imprimate multistrat sau dublu
31
strat cu guri metalizate:

G-10^ material universal (se fabric i simplu strat); G-11 ^ sticlotextolit termostabil; FR-4^ sticlotextolit neinflamabil; FR-5^ sticlotextolit neinflamabil i termostabil. Varianta A2+B3 (rin melaminic) are proprieti mecanice foarte bune, mai ales la frecare, de aceea se utilizeaz pentru comutatoare. Formula A2+B4 (rin siliconic) are o comportare foarte bun la frecvene joase i nalte. Stratificatele se livreaz sub form de plci cu dimensiuni pn la 2000x2000 mm, iar grosimile uzuale sunt: 0,65; 0,8 (0,9) i 1,0 (1,1); 1,2; 1,6 (1,5); 2,0; 2,4 (2,6); 3,0 (3,2) mm, cu abateri ntre 0,1 i 0,2 mm.
32
Caracteristici electrice ale cablajului FR4 (cablajul cel mai utilizat)
Typical FR4 Properties:

Dielectric Constant Dielectric Breakdown Water Absorption 3.9 to 4.8
<1.3 %
39kV/mm
Dissipation Factor Thermal Expansion 16- 0.022
33
19ppm/degC
Care este semnificaia parametrilor?
34
Cablejele imprimate sunt caracterizate prin: Limea traseelor de interconectare; Rezoluia de realizare a traseelor (pitch); Numrul de puncte de conectare pentru componente pe centimetru ptrat; Dimensiunile trecerilor metalizate (metalized vias); Numrul de straturi interconectate (interconnection layars).
35
Aplicaii
Care este rezistenta traseului cu latimea 0,5 mm realizat pe un cablaj imprimat cu grosimea g=35 [jm avand lungimea echivalent l=5 cm.
R=0,01Q
Puncte importante n evoluia tehnologiei cablajelor imprimate (PCB)

C=3,5 pF
Care este capacitatea echivalent a traseului fata de mas (se consider ca masa este pe cealat fa a cablajului), daca cablajul este tip FR4 dublu placat cu grosimea 0,5 mm.
36
Limea Liniei Anul: 1985 : 500 pm Anii: 90-95: 250 pm Anii: 95-2000 : 150 pm Anii: 2000-2005 : 100 pm Anii: 2003-2006 : 75 pm Anii: 2005-2008 : 50 pm Anii: 2008-2010 : 30 pm
2.2. Tehnologii de imprimare

Tehnologii de imprimare - tehnologii de realizare a cablajelor imprimate:
- substractive - se pleac de la un semifabricat simplu placat sau
dublu placat, iar traseele conductoare imprimate i celelalte elemente imprimate se obin prin ndeprtarea metalului din poriunile ce trebuie s rmn izolatoare electric;
- aditive - traseele conductoare se formeaz i se fixeaz pe substrat

n form definitiv (prin metode chimice i apoi electrochimice);

- de sintez - i substratul i traseele conductoare se realizeaz n
aceeai etap.
a) Tehnologiile substractive
Metodele de corodare au la baz procedee chimice de ndeprtare a stratului de cupru. Operaiile care pregtesc procesul de corodare selectiv care constau din:
- realizarea desenului de cablaj la scar mrit (2^10 ori); - realizarea filmului fotografic n mrime natural pentru partea
placat (traseele de cupru); - realizarea filmului fotografic n mrime natural pentru partea plantat (dispunerea componentelor); - imprimarea imaginii de pe filmul fotografic pe folia de cupru
38
(partea placat); - imprimarea imaginii de pe filmul fotografic pe partea pe care se planteaz componentele (partea plantat).
Reguli de realizare a cablajelor imprimate
Dimensiuni Se recomand ca plcile s fie ptrate sau dreptunghiulare avnd raportul dintre laturi: 1/1, 1/2, 2/3, 2/5; Dimensiunile maxime nu trebuie s depeasc 240 x 360 mm pentru cablajul simplu i dublu placat i 200 x 240 mm pentru cablajul multistrat; Pasul reelei de corodare este de 1/10=2,54mm; Diametrele gurilor se aleg cu 0,2+0,3 mm mai mari dect cele ale terminalelor componentelor (uzual: 0,8
mm pentru guri nemetalizate i 1,1 mm pentru gurile metalizate). Centrele gurilor corespund, de obicei, pasului sau multiplului pasului reelei; Distanele minime dintre traseele conductoare se stabilete n funcie de tensiunea de lucru (diferena de potenial dintre acestea - tabelul 2) i de clasa de precizie (3 clase de precizie, clasa I este cea mai precis).
w\
Exemple
41
Pentru transpunerea circuitului pe cablaj imprimat sunt necesare filme fotografice, numite mti, care se obin dup desenele originale. Desenul original se poate realiza manual sau pe baza unui program de realizare a layoutului circuitului (de ex. ORCAD): - generarea simbolurilor; - plasarea simbolurilor; - conectarea simbolurilor.
2.3. Tehnologia de realizare a cablajelor
42
43
Realizarea fizic a circuitului (layout): - generarea capsulelor componentelor utilizate; - plasarea componentelor; - conectarea componentelor.
Transferul desenului
a) Imprimarea prin metoda fotografic const n transpunerea imaginii de pe film

pe placat cu ajutorul fotorezistului care a fost depus uniform pe aceasta.
Fotorezistul este o soluie de alcool polivinilic sensibilizat cu bicromat de potasiu care se depune prin centrifugare. Dup expunerea la o surs de ultraviolet prin clieul negativ al cablajului i developare ntr-o soluie specific, stratul fotosensibil expus se dizolv rmnnd n final desenul original transpus pe placat. La realizarea circuitelor imprimate dublu placate se folosesc dou filme (cliee), cte unul pentru fiecare fa a placatului.
2.3.1.
Transferul desenului
b) Imprimarea prin metoda serigrafic folosete pentru realizarea mtii pe cablajul imprimat o past special numit cerneal serigrafic. Depunerea pe suprafaa placatului se face prin intermediul unui ecran numit sit serigrafic.
Sita serigrafic este o estur din material sintetic (fibre poliamidice sau poliesterice) cu ochiuri foarte mici (100-200
fire/cm) sau fire din oel aliat de 30-50pm cu 60-120 fire/cm. Sitele se fixeaz ct mai ntins pe un cadru din lemn. Pentru imprimare se folosesc soluii fotosensibile similare cu cele utilizate la metoda fotolitografic. Dup uscarea sitei pe care s-a depus soluia fotosensibil, aceasta se expune la lumin prin intermediul clieului de cablaj. c) Imprimarea prin metoda offset se folosete pentru producia de serie mare i foarte mare. Const n transpunerea desenului pe cablaj printr-un procedeu asemntor cu cel folosit la tiprire. Se folosete un clieu offset (zincografic) format dintr-o plac metalic pe care este executat n relief imaginea cablajului.
ndeprtarea cuprului
ndeprtarea cuprului (metoda substractiva)

2.3.2.
Corodarea se face pentru ndeprtarea cuprului din zonele
neacoperite de fotorezist sau de cerneala serigrafic. Pentru corodare se folosete clorura feric sau clorura cupric. Viteza de corodare depinde de concentraia soluiei i de temperatura bii. Pentru neutralizarea urmelor de clorur feric, cablajele corodate sunt trecute printr-o serie de bi bazice i apoi splate n ap rece curgtoare. ndeprtarea cernelii de protecie se face n tricloretilen sau n bi alcaline.
47
Traseele conductoare
Cablajul cu trasee conductoare
48
Trasee conductoare ecranate plan de masa
49
Circuit cu stripline
50
2.3.3. Metalizarea punctelor de contact celor de conexiuni

Metalizarea punctelor de contact
Masca de lipire, folosit la marcarea punctelor de metalizare nu acoper poriunea de cablaj unde urmeaz s fie realizat lipirea.
51
Metalizarea gurilor are rolul de interconectare a traseelor conductoare dispuse pe fee diferite ale cablajului imprimat. Metalizarea se realizeaz prin depunerea pe cale electrolitic a cuprului (10 -25 pm) urmat de stanarea acestor guri (acoperirea cu un strat de 10 pm de
52
PbSn).
53
2.3.4. Imprimarea poziiei componentelor pe cablaj

Imprimarea poziiei componentelor pe cablaj este o operaie care are rolul de a uura plantarea (n varianta manual) i a indentificarea pieselor plantate n faza de testare sau depanare.
Imprimarea se face prin clieul de poziionare care se transpune tot prin metoda fotolitografic pe faa plantat dup corodare i metalizarea gurilor.
Exemplu de realizare a unui cablaj
55
=^0ê
56

Limbă

Materiale Si Tehnologii Pentru Componente Electronice

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Materiale Si Tehnologii Pentru Componente Electronice

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Materiale si tehnologii pentru componente electronice (MTCE)

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

curs (nota P) B Examen (nota E)

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

Formula de calcul a notei finale (N): N=0.1P+0.25L+0.65E Dac: E>4 i L>4

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

2. Materiale folosite n electronic

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

b Materiale conductoare, Materiale semiconductoare, Materiale dielectrice (electroizolante), Materiale magnetice.

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

Legi i parametri de material

2.1. Parametrii de material

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

Unitate de msur Q_1 - m ~ l F/m H/m

Legea conduciei electrice: Legea legturii n cmp Legea legturii n cmp

electric: D sosrE magnetic:

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

3.1. Clasificarea materialelor n funcie de conductibilitatea electric

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

Scara rezistivitii i a conductivitii electrice a materialelor

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

3.2. Teorii ale conduciei electrice

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

Conducia electric a metalelor

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

3.2.1. Densitatea de curent electric

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

a) Calculul densitii de curent

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

d1) Dependena conductivitii de structur

Ciocniri ale electronilor de conducie: a) cu reeaua cristalin; b)

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

cu impuritile ionizate; c) cu impuriti neutre.

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

Durata medii dintre dou ciocniri cuprinde trei componente:

d2) Dependena conductivitii de structur i de temperatur

Corespunztor, rezistivitatea metalului este:

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

p [Om] 8,33 10-8 4,34 10-8 5,26 10-8 1,56 10

0,12 108 0,23 108 0,19 108 0,64 10 0,68 10

8,5 1028 5,8 10

MTCE- prof. dr. ing. loan D. Oltean

d3) Dependena rezistivitii de temperatur

Dependena rezistivitii de temperatur la unele metale

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

200 -100 0 100 200

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

3.3. Starea de supraconducie

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

G 0,075 ^ 0,050 0,02 5

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean

b) Temperatur critic de supraconducie

| Elementul | Tc, K ! Structur j cristalin

CFC Romb. Tetraed.

MTCE- prof. dr. ing. Ioan D. Oltean