Optoelectronica

DOROGAN Andrei

LASERI PE SEMICONDUCTORI

Se utilizeaz urmtoarele materiale semiconductoare: Nr. Stratul activ Stratul de inveli Baza Grupul III ! Al"Ga!-"As Al#Ga!-#As GaAs $ GaInAs% GaIn% GaAs & GaInAs% AlGaAs GaAs
'AS(RI %( S()I*OND+*,ORI !

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

. 1 2

GaInAs% AlGaAsS/ %/SnSe,e 3nSSe

In% AlGaAsS/ Grupul I 0 I %/SnSe,e Grupul II - I

In% GaS/ %/,e GaAs

Intervalul de lungimi de und ale radiaiei laserului Rezonatorul 4a/r# 0 %erout este creat prin ac5ierea cristalului din am/ele pr6i. Structura laserului este cu mai multe straturi. Stratul activ se 7sete 8ntre alte dou straturi cu coe9icient de re9rac6ie mai mic. - 'un7imea rezonatorului L z = &:: m ; m; - Grosimea stratului activ d = :<! - '6imea stratului activ W = $ m ; - *oe9icientul de re9le"ie al o7linzilor R = :<$ <
n ! R! = R$ = n +!
$

<
= .:cm ! .

unde n - coe9icientul de re9rac6ie al stratului activ. %entru GaAs: n = &<. ; R! = R$ = &:= . Atunci tl & - 4actorul de calitate Q = .<1 !: ; $ - *urentul de pra7 I th = !...$ kA cm . - N = :<>.m ; N = :<&-nm .
z z

'AS(RI %( S()I*OND+*,ORI

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Spectrul de ampli9icare al diodei laser pe semiconductori este de !:: ori mai lar7 ca lr7imea unei mode. Deci sunt ampli9icate ? !:: mode lon7itudinale. R(G'AR(A *+ N+)@R+' D( )OD( Reglarea cu modele transversale. Din cauza 7enerrii modelor transversale se mrete valoarea curentului de pra7< apare o insta/ilitate 8n dia7rama directivit6ii< se 8nrut6ete caracteristica de modulare. De aceea< este necesar de a lic5ida aceste mode< sau de i7norat numai modele de ordin mic. Aceasta se e9ectueaz constructiv. Sunt micorate 7a/aritele sec6iunii transversale ale laserului. Dac stratul activ posed coe9icientul de re9rac6ie n! < straturile vecine n $ < iar di9eren6a lor relativ este:
=

atunci pentru a e"cita o sin7ur mod transversal sunt necesare condi6iile: d < :<-.m ; W < :<-. m . (ste uor de primit d = :<!...:<$ m < 8ns< a primi W = :<-. m ste destul de complicat. *a re7ul W $m . %entru a rezolva pro/lema dat a 9ost inventat un 75id de unde cu e9ect de re9rac6ie. (sen6a: 75idul de unde posed o di9eren6 a coe9icientului de re9rac6ie 8n am/ele direc6ii AB i CD.

n! n $ = :<:> < $

'AS(RI %( S()I*OND+*,ORI

&

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Cristalizare dubl i izolarea stratului activ

Efectuate prin epitaxie selectiv En ast9el de construc6ii modele transversale sunt a/sor/ite< iar unda lon7itudinal poart caracter unimod. Reglarea cu modele longitudinale. ("ploatFnd dioda laser a 9ost o/servat urmtorul e9ect. En timpul modulrii emisiei laser are loc trecerea de la o mod la alta instantaneu. Deci< este necesar de a 9orma un rezonator< care< spre deose/ire de rezonatorul 4a/r# 0 %erout< posed pierderi mici numai pentru o sin7ur mod lon7itudinal. Deci se 9olosete o structur cu le7tur invers distri/uit.

'AS(RI %( S()I*OND+*,ORI

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

Aici< 8n 75idul de unde este 9ormat o re6ea de di9rac6ie. 'un7imea de und pentru care coe9icientul de re9le"ie va 9i ma"imal este: = B ! < unde B - lun7imea de und Bra7; B = $n m < unde - perioada re6elei de di9rac6ie; m - numr 8ntre7 ce re9lect ordinul di9rac6iei; ! - constant ce caracterizeaz adFncimea re6elei< lun7imea rezonatorului etc. Se mai utilizeaz i structuri ale diodelor laser cu re9lector Bra7.

Aici< re6eaua de di9rac6ie Bra7 se 9ormeaz de o parte a stratului activ sau pe am/ele pr6i. )aterialul re6elei este di9erit de materialul stratului activ. Aici este 7enerat doar o sin7ur mod< c5iar i 8n re7im de modulare la 9recven6e 8nalte. Ast9el de lasere se 9ormeaz din solu6ii solide de InGaAs%. 'un7imea de und a luminii m. 7enerate este =!<&...!<1 %entru sistemul GaAs0AlGaAs este necesar o re6ea de di9rac6ie cu o perioad A D mult mia mic< ceea ce este destul de di9icil de e9ectuat. En a9ar de aceasta< prezen6a Al complic te5nolo7ia con9ec6ionrii Ael se o"ideazD.
'AS(RI %( S()I*OND+*,ORI .

Optoelectronica

DOROGAN Andrei

*AR*A,(RIS,I*I'( DIOD('OR 'AS(R GI A '+)INII ()IS( !. Puterea luminii emise i eficiena cuantic. $. Curentul de prag depinde de e9icien6a cuantic intern< pierderile optice 8n rezonator< 7rosimea i l6imea stratului activ etc. aloarea lui minim pentru 7enerare 8n continuu este ? $<.mA AteoreticD. %ractic< pentru laserii pe /az de AlGaAs el constituie !: &:mA . &. Puterea luminii 8n re7im continuu i la temperatura camerei constituie !...!:mW . En cele mai /une lasere pe /aza solu6iilor solide AlGaAs P = $::mW . -. Eficiena cuantic: = Po Pemis 1:= . Eficiena diferenial este raportul numrului de cuante de lumin la creterea numrului de electroni inHecta6i este -:...1:= . %entru 9recven6a curentului de modulare f !:MHz predomin e9ectul de temperatur. %entru f !: MHz predomin e9ectul purttorilor de sarcin< deci< e9ecte de rezonan6 i rela"are. 5. Caracteristicile de temperatur ,oate caracteristicile laserului depind mult de temperatur. *u mrirea temperaturii A D se mrete curentul de pra7 I th < se micoreaz e9icien6a cuantic di9eren6ial. I th= I th ( ! ) e"p[ ( ! ) : ] < unde I th ( ! ) - curentul de pra7 pentru temperatura etalon; : - constant< caracteristic pentru materialul laserului i se numete tem"erat#r caracteristic. %entru GaAs : =!$:...!.: $ < iar pentru InGaAs% : = .:...2: $ .

'AS(RI %( S()I*OND+*,ORI