Sunteți pe pagina 1din 0

CUPRINS

1. INTRODUCERE................................................................................................9
1.1. Conductivitatea electric. Clasificarea materialelor electrotehnice ..............9
1.2. Teorii utilizate n studiul materialelor electrotehnice..................................15
1.2.1. Legtura chimic i structura cristalin a materialelor
electrotehnice solide.........................................................................16
1.2.2. Nivelele de energie ale electronilor n materialele electrotehnice
solide ................................................................................................25
1.2.3. Efectul Hall i efectul magnetorezistiv.............................................29
1.2.4. Supraconductibilitatea ......................................................................31
1.2.5. Efectul Seebeck ................................................................................32
1.2.6. Efectul fotoelectric n semiconductori..............................................34
1.2.7. Efectul de redresare a unei jonciuni semiconductoare ....................36
2. MATERIALE ELECTROIZOLANTE .........................................................41
2.1. Generaliti. Clasificare, descriere i utilizare ............................................41
2.1.1. Materiale electroizolante gazoase ....................................................42
2.1.2. Materiale electroizolante lichide .....................................................44
2.1.3. Materiale electroizolante solide .......................................................48
2.1.3.1. Materiale organice micromoleculare ..................................48
2.1.3.2. Materiale organice macromoleculare .................................49
2.1.3.3. Celuloza i derivaii si ......................................................50
2.1.3.4. Cauciucuri i elastomeri .....................................................51
2.1.3.5. Materiale siliconice ............................................................51
2.1.3.6. Materiale anorganice ..........................................................52
2.1.3.7. Lacuri electroizolante .........................................................54
2.1.3.8. Compounduri ......................................................................55
2.1.3.9. Produse pe baz de rini sintetice .....................................56
2.2. Proprietile neelectrice ale materialelor electroizolante ...........................58
2.2.1. Proprieti fizice ..............................................................................59
2.2.2. Proprieti chimice ...........................................................................61
2.2.3. Proprieti termice ...........................................................................62
2.2.4. Proprieti mecanice ........................................................................63
2.3. Proprietile electrice ale materialelor electroizolante ...............................64
2.3.1. Conductibilitatea electric a materialelor electroizolante ................68
2.3.1.1. Conductivitatea electric a dielectricilor gazoi .................70
2.3.1.2. Conductivitatea electric a dielectricilor lichizi .................71
2.3.1.3. Conductivitatea electric a dielectricilor solizi ..................74
2.3.2. Polarizarea electric a materialelor electroizolante .........................75
2.3.2.1. Polarizarea electronic .......................................................77
2.3.2.2. Polarizarea ionic ...............................................................79
2.3.2.3. Polarizarea dipolic ............................................................80
2.3.2.4. Polarizarea de relaxare .......................................................85
2.3.3. Pierderile de energie electric activ n materialele
electroizolante .................................................................................86
2.3.3.1. Permitivitatea complex .....................................................86
2.3.3.2. Expresia general a pierderilor de energie n dielectrici ....90
2.3.3.3. Scheme electrice echivalente ale dielectricilor ..................91
2.3.3.4. Pierderile de energie electric activ prin incluziuni de
gaze ...................................................................................101
2.3.4. Strpungerea electric a materialelor electroizolante .....................102
2.3.4.1. Strpungerea dielectricilor gazoi ....................................104
2.3.4.2. Strpungerea dielectricilor lichizi ....................................106
2.3.4.3. Strpungerea dielectricilor solizi ......................................107
3. MATERIALE SEMICONDUCTOARE ....................................................... 111
3.1. Semiconductori intrinseci ......................................................................... 111
3.2. Semiconductori extrinseci ........................................................................ 112
3.3. Jonciuni semiconductoare ....................................................................... 114
3.4. Utilizrile semiconductorilor ...................................................................122
3.4.1. Tranzistorul ....................................................................................123
3.4.2. Senzori pe baz de materiale semiconductoare .............................125
3.4.2.1. Senzori de gaz pe baz de oxizi semiconductori ai unor
metale ...............................................................................125
3.4.2.2. Senzori pentru controlul combustiei ................................126
3.4.2.3. Senzori pentru controlul gazelor toxice i explozive .......126
3.4.2.4. Senzori de umiditate pe baz de oxizi semiconductori ai
unor metale .......................................................................129
3.4.2.5. Senzori de umiditate pe baz de carbon semiconductor ...131
3.4.2.6. Senzori pe baz de materiale organice semiconductoare .132
3.4.3. Varistoare pe baz de ZnO .............................................................132
3.4.3.1. Caracteristica static curent-tensiune pentru un varistor
ZnO ...................................................................................133
3.4.3.2. Tehnologia de fabricaie a varistoarelor pe baz de ZnO
i influena tehnologiei folosite asupra calitii acestora...136
3.4.3.3. Uzura varistoarelor pe baz de ZnO n exploatare ...........148
4. MATERIALE CONDUCTOARE .................................................................153
4.1. Clasificare, descriere i utilizare ..............................................................153
4.1.1. Cuprul i aliajele sale .....................................................................153
4.1.2. Aluminiul i aliajele sale ...............................................................155
4.1.3. Alte materiale conductoare ............................................................157
4.1.4. Materiale pentru rezistoare de precizie i pentru reostate .............158
4.1.5. Materiale utilizate n electrotermie ................................................159
4.1.6. Materiale pentru contacte electrice ................................................160
4.1.7. Materiale pentru bimetale, termocuple i aliaje de lipit ................162
4.2. Conductivitatea electric a metalelor .......................................................164
4.3. Variaia rezistivitii electrice cu temperatura n cazul metalelor ...........165
4.4 Variaia rezistivitii electrice cu coninutul de impuriti la metale .........168
4.5. Proprieti termoelectrice ale materialelor conductoare ...........................169
5. MATERIALE MAGNETICE ........................................................................171
5.1. Momentul dipolar magnetic .....................................................................171
5.2. Magnetizarea materialelor ........................................................................172
5.3. Clasificarea materialelor din punct de vedere magnetic ..........................173
5.4. Teoria clasic a diamagnetismului (Langevin) .........................................175
5.5. Teoria clasic a paramagnetismului .........................................................177
6. APLICAII MODERNE DE MATERIALE N INGINERIA
CURENILOR TARI ...................................................................................181
6.1. Izolaii de nalt tensiune n hexafluorur de sulf ....................................181
6.1.1. Hexafluorura de sulf ......................................................................181
6.1.2. Dimensionarea izolaiilor tehnice cu SF
6
......................................185
6.1.3. Variante constructive de echipamente electrice cu SF
6
..................192
6.2. Materiale utilizate n generatoarele magnetohidrodinamice (MHD) .......199
6.3. Echipamente de protecie contra supratensiunilor pe baz de varistoare
cu ZnO .....................................................................................................201
6.3.1. Prezentarea principalelor caracteristici i avantaje ........................201
6.3.2. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
pe baz de oxizi metalici pentru joas tensiune ............................205
6.3.3. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
pe baz de oxizi metalici pentru medie tensiune............................218
6.3.4. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
pe baz de oxizi metalici pentru nalt tensiune ............................224
BIBLIOGRAFIE ................................................................................................229

Capitolul 1
INTRODUCERE
1.1. Conductivitatea electric. Clasificarea materialelor
electrotehnice
Proprietatea corpurilor de a manifesta existena materiei prin transportul de
sarcini electrice, sub aciunea unui gradient de potenial (a unui cmp electric) se
constituie ca fenomen de conductibilitate electric.
Msura conductibilitii electrice este conductivitatea electric .
n conformitate cu legea conduciei electrice n form local pentru medii
izotrope i liniare conductivitatea electric este coeficientul de proporionalitate al
densitii de curent J cu intensitatea cmpului electric E .
E J = (1.1)
Deci este o constant de material care difer de la un material la altul.
Mrimea invers a conductivitii electrice este rezistivitatea electric care se
noteaz cu

=
1
. i este o constant de material. Lund n considerare rezis-
tivitatea electric, legea conduciei electrice n form local referitoare la mediile
liniare i izotrope devine:
J E = (1.2)
Relaiile (1.1) i (1.2) se mai numesc n literatur i legea lui Ohm n form local.
n sistemul de uniti SI, unitile de msur pentru J , E , i sunt:
J :

2
m
A
; E :

m
V
; :

m
S
; [ ] m .
Valorile lui i pentru diverse materiale sunt date n fiele tehnice ale
acelor materiale sau n manuale de specialitate.
Conductivitatea electric este o mrime macroscopic, dar fenomenul de
conductibilitate are loc la nivelul sistemului de microparticule (atomi, molecule
etc.). Rezult de aici c n mrimea se nglobeaz mrimi fizice specifice sistemului
de microparticule din care este constituit corpul, cum ar fi: masa particulei
m:

3
m
kg
, viteza particulei v:

s
m
, concentraia purttorilor de sarcin n: ] m [
3
,
sarcina electric a purttorilor de sarcin q: [C].
n cele ce urmeaz vom stabili o expresie general a conductivitii electrice
cu ajutorul teoriei clasice a electronului. Expresia general a conductivitii
electrice este util pentru unele raionamente ce intervin n studiul proprietilor
materialelor [3, 14].
S considerm un purttor de sarcin electric q care se deplaseaz cu viteza
v ntr-un corp de volum V, sub aciunea unui cmp electric avnd intensitatea E .
Contribuia purttorului de sarcin la densitatea de curent este v
V
q
j = .
Considernd c n volumul V exist i purttori de sarcin, avnd fiecare
aceeai sarcin electric medie q i viteza
i
v , rezult c densitatea total de curent
este:

i
i
v
V
q
J =

.
Precizm c viteza
i
v a particulei libere, ncrcat cu sarcina q, se consider
n raport cu corpul. Viteza i v cu care se deplaseaz purttorul de sarcin are o
component ordonat 0 i v , imprimat de cmpul electric E prin fora E q F = i o
component dezordonat id v datorat agitaiei termice.
Lund n considerare acest lucru densitatea de curent devine:
( )
id 0 i
i
v v
V
q
J + =

(1.4)
Datorit rezultantei nule a componentelor vitezei dezordonate, expresia (1.4)
se reduce la forma:
0 i
i
v
V
q
J =

(1.5)
Pentru a efectua suma se admite (pentru simplificare) c n volumul V exist
un numr finit N de purttori de sarcin i c fiecare purttor de sarcin are aceeai
vitez ordonat medie:

N
v
v
i
0 i
m 0

= (1.6)
n acest caz densitatea de curent va fi:
m 0 v q
V
N
J = (1.7)
Viteza ordonat medie, necesar pentru a continua calculele se poate determina
n regim staionar. n acest caz se admite c la ciocnirea purttorului de sarcin cu
atomul din nodul reelei cristaline, el cedeaz toat energia sa cinetic, viteza medie
total devenind nul. n intervalul de timp dintre 2 ciocniri succesive purttorul de
sarcin are o micare accelerat.
Ecuaia micrii purttorului de sarcin n ipotezele precizate este:
E q
dt
v d
m
0
= (1.8)
unde m este masa n repaus a purttorului de sarcin.
Integrnd ecuaia (1.8) ntre limitele t = 0 cnd
0
v = 0 i t = t
r
cnd
M 0 0
v v =
se obine:
E
m
t q
dt E
m
q
v
r
t
0
oM
r

= =

(1.9)
n relaia (1.9) M 0 v este viteza ordonat maxim (imediat naintea unei
ciocniri), iar t
r
se numete timp de relaxare i reprezint timpul n care purttorul de
sarcin parcurge spaiul ntre 2 ciocniri succesive. Timpul de relaxare se calculeaz
ca raportul dintre drumul mediu liber parcurs l
m
i viteza total medie m v :

dm m 0
m
m
m
r
v v
l
v
l
t
+
= = (1.10)
n relaia (1.10) v
0m
este viteza ordonat medie (v
0m
= f(E)), iar v
dm
este
viteza dezordonat medie (v
dm
= f(T)).
La metale v
0m
10
2

s
m

i v
dm
10
6

s
m
. Prin urmare n cazul metalelor
t
r
poate fi calculat i cu relaia:

dm
m
r
v
l
t (1.11)
i are n cazul metalelor ordinul de mrime de 10
14
[s].
Revenind la relaia (1.9) i avnd n vedere c viteza iniial sa considerat
nul, rezult viteza ordonat medie:
E
m 2
t q
2
v
2
v 0
v
r M 0 M 0
m 0

= =
+
= (1.12)
nlocuind expresia vitezei ordonate medii (1.12) n expresia densitii de
curent (1.7) rezult:
E
m 2
t q
V
N
J
r
2

= (1.13)
n relaia (1.13) se pot face notaiile:
V
N
n = [m
3
] reprezentnd concentraia purttorilor de sarcin,
m 2
t q
E
v
u
r
m 0

= =

s V
m
2
reprezentnd mobilitatea purttorilor de sarcin,
astfel nct expresia densitii de curent devine:
E u q n J = (1.14)
Comparnd expresiile (1.13) i (1.14) corespunztoare densitii de curent cu
legea lui Ohm (1.1) rezult expresiile generale ale conductivitii electrice , n
forma dezvoltat i respectiv simplificat:

m 2
t q
V
N
r
2

= (1.15)
= n q u (1.16)
Din expresia explicit a conductivitii electrice rezult:
nu depinde de intensitatea E a cmpului electric i deci ea reprezint o
constant de material;
nu se observ explicit dependena lui de temperatur.
Modelul fizic al gazului electronic (sau astfel spus teoria clasic a electronului)
nu ofer posibilitatea s se explice n mod corect toate procesele care au loc n
materiale. De exemplu, nu este posibil explicarea apariiei supraconductibilitii
metalelor pure sau aliajelor supraconductoare la temperaturi apropiate de 0 [K].
Rezultatele obinute cu teoria clasic a electronului sunt totui utile pentru
aplicaiile practice ca i pentru reprezentri intuitive ale unor procese fizice.
Un model fizic mai adecvat studierii proceselor fizice din materiale care ofer
posibilitatea obinerii unor rezultate mai apropiate de realitate, are la baz
conceptele teoriei cuantice, la care se vor face referiri n paragraful 1.2 .
Dup valoarea conductivitii electrice , materialele utilizate n industria
electrotehnic se pot grupa n trei categorii: materiale neconductoare sau electro-
izolante, materiale semiconductoare i materiale conductoare.
Materialele electroizolante prezint o rezistivitate electric cu valori
cuprinse ntre 10
8
i 10
18
[ cm]. Oricare dintre proprietile electrice i neelectrice
ale materialelor electroizolante poate servi drept criteriu de clasificare a acestora. S-
au impus totui criteriile cu caracter general cum sunt: natura chimic; starea de
agregare; stabilitatea termic; forma i caracteristica esenial a materialelor com-
ponente la care se mai adaug eventual, starea final i transformrile necesare
pentru obinerea produsului finit.
Astfel, dup natura lor chimic, materialele electroizolante se pot clasifica n
materiale organice, anorganice i siliconice.
Materialele de natur organic prezint proprieti electroizolante foarte bune,
avnd ns o rezisten redus la solicitrile termice i mecanice.
Materialele de natur anorganic (marmura, azbestul etc.) au o comportare
invers materialelor organice.
Materialele de natur siliconic mbin n mod favorabil cele mai bune
proprieti ale materialelor organice i anorganice.
Lund n considerare starea de agregare a materialelor electroizolante vom
distinge materiale: solide, lichide i gazoase.
Folosind drept criteriu de clasificare stabilitatea termic, materialele electro-
izolante se mpart n clase de izolaie i au caracteristica comun temperatura
maxim la care pot fi utilizate timp ndelungat. Pentru determinarea stabilitii
termice, pe lng temperatur, se pot utiliza i mrimi electrice (constante de
material) ca de exemplu scderea rigiditii dielectrice cu creterea temperaturii
(vezi STAS 10242/1-75 i STAS 10514/1-76), mrimi fizice sau mrimi mecanice.
O clas de izolaie cuprinde materialele care au o stabilitate termic
comparabil, la o temperatur de serviciu dat.
Clasele de izolaie i cteva exemple reprezentative de materiale cuprinse n
fiecare clas sunt indicate n tabelul 1.1 [14, 15]
Tabelul 1.1. Clasele de izolaie ale materialelor electroizolante
Denumirea clasei
de izolaie
Materiale electroizolante
Y (90 C)
Materiale textile pe baz de celuloz, fire poliamidice, hrtii
celulozice, cartoane - neimpregnate. Polietilen, polistiren,
PVC, cauciuc natural vulcanizat etc.
A (105 C)
Materiale textile pe baz de celuloz, fire poliamidice, hrtii
celulozice, cartoane - impregnate cu lacuri uleioase,
oleorinoase, lichide electroizolante. Folii poliamidice, de
triacetat de celuloz, materiale combinate, folie prepan,
leteroid. Cauciuc pe baz de butadien cu acrilnitril i cauciuc
pe baz de clorbutadien etc.
E (120 C)
Emailuri polivinilacetolice, poliuretanice sau epoxidice pentru
conductoare. Mase plastice fenolice cu umplutur organic,
stratificate pe baz de hrtie (de tip pertinax) i de esturi (de
tip textolit). Rini epoxidice, poliesterice, poliuretanice.
B (130 C)
Materiale pe baz de mic sau hrtie de mic fr suport sau
cu suport din hrtie sau estur organic, precum i pe baz
de fire de sticl i azbest - impregnate cu lacuri
oleobituminoase, bachelitice, epoxidice, poliuretanice,
gliptalice. Mase plastice cu umplutur anorganic. Stratificate
pe baz de fire de sticl i azbest. Emailuri tereftalice pentru
conductoare.
Denumirea clasei
de izolaie
Materiale electroizolante
F (155 C)
Materiale pe baz de mic sau hrtie de mic fr suport sau
cu suport anorganic, precum i pe baz de fire de sticl i
azbest, impregnate cu rini alchidice, epoxidice, poliesterice
sau cu rini siliconice modificate etc.
H (180 C)
Materiale pe baz de mic fr suport sau cu suport
anorganic, precum i pe baz de fire de sticl sau azbest -
impregnate cu lacuri siliconice. Mase plastice cu umplutur
anorganic. Cauciucuri siliconice.
C (peste 180 C)
Materiale anorganice (mica, sticla, ceramica, marmura,
azbestul etc.). Materiale pe baz de mic, samic, fr suport
sau cu suport din fire de sticl - impregnate cu compui
anorganici sau rini siliconice cu stabilitate termic peste
220 C. Politetrafluoretilena (teflon) etc.

Clasificarea materialelor n clase de izolaie este n prezent nesatisfctoare
deoarece se refer la grupe de materiale ce pot intra n constituia unui sistem de
izolaie, dar nu ofer posibilitatea alegerii unui material pentru condiiile impuse de
un anumit scop sau loc de utilizare. Ca urmare este cutat un alt criteriu de
clasificare a materialelor adoptat de CEI (Comisia Electronic Internaional).
Aceast clasificare cuprinde n fiecare grup materiale de aceeai form i stare
final, care necesit pentru utilizare acelai mod de prelucrare.
Din punctul de vedere al proprietilor lor electrice, materialele semiconduc-
toare se situeaz ntre materialele conductoare i materialele electroizolante.
Materialele semiconductoare au o rezistivitate electric cuprins n intervalul
) 10 10 (
10 3

[cm].
Caracteristicile de baz ale materialelor semiconductoare sunt urmtoarele:
rezistivitatea materialelor semiconductoare variaz neliniar cu temperatura;
rezistivitatea lor scade odat cu creterea temperaturii;
prin suprafaa de contact ntre 2 semiconductori sau un semiconductor cu un
metal, conducia electric este unilateral;
natura purttorilor de sarcin dintr-un semiconductor depinde de natura
impuritilor existente n semiconductor.
Materialele semiconductoare se pot clasifica, la rndul lor, dup mai multe
criterii. Astfel dup gradul de puritate distingem:
Semiconductori intrinseci. Acetia sunt perfect puri i au o reea cristalin
perfect simetric;
Semiconductori extrinseci. Acetia sunt impurificai i natura conductibilitii lor
depinde de natura impuritilor.
Dup felul impuritilor pe care le conin, semiconductorii extrinseci pot fi:
donori, dac impuritatea are valena mai mare dect cea a semiconductorului;
acceptori, dac impuritatea are valena mai mic dect cea a semiconductorului.
Materialele conductoare au o rezistivitate care nu depete 10
-5
10
-3
[cm].
Dup natura conductibilitii electrice materialele conductoare se pot clasifica n:
Materiale conductoare de ordinul I. Aceste materiale prezint o conduc-
tibilitate de natur electronic, rezistivitatea lor crete odat cu creterea
temperaturii, iar sub aciunea curentului electric ele nu sufer modificri de
structur. Materialele conductoare de ordinul I sunt metale n stare solid i
lichid. Dac lum n considerare valoarea conductivitii lor, materialele
conductoare de ordinul I se pot mpri n:
materiale de mare conductivitate, cum sunt: Ag, Cu, Al, Fe, Zn, Pb, Sn etc.
materiale de mare rezistivitate, care sunt formate, de obicei din aliaje i se
utilizeaz pentru rezistene electrice, elemente de nclzire electric,
instrumente de msur etc.
Materiale conductoare de ordinul II. Aceste materiale prezint o conductibilitate
de natur ionic, rezistivitatea lor scade odat creterea temperaturii, iar sub
aciunea curentului electric ele sufer transformri chimice. Din categoria
materialelor conductoare de ordinul II fac parte srurile n stare solid sau
lichid, soluiile bazice sau acide, soluiile de sruri (deci toi electroliii).
1.2. Teorii utilizate n studiul materialelor electrotehnice
Dezvoltarea fizicii n secolu1 al XIX-lea poate fi caracterizat printr-o etap
cumulativ de adunare a unei varieti mari de date asupra proprietilor termice,
optice, electrice, magnetice ale materialelor, indiferent de starea de agregare. Tot n
aceast perioad au luat natere primele capitole de fizic teoretic (Termodinamica,
Electromagnetismul etc.) care stabilesc att descrierea matematic a fenomenelor ct i
legtura fenomenologic ntre diferite constante. Astfel, ai nvat i dumneavoastr
legea lui Hooke, definiia cldurii specifice, legea lui Ohm etc., fr a v ntreba prea
mult, de ce de pi1d metalele sunt bune conductoare de cldur i de electricitate n
raport cu izolatorii, sau de ce unele materiale sunt transparente n vizibil (sarea de
buctrie, de exemplu) iar altele sunt opace. Cu alte cuvinte, s-a ivit necesitatea
explicrii acestor fenomene, a calculrii constantelor ce caracterizeaz materialele
innd seama de structura lor microscopic i determinarea naturii microscopice a
legturii ntre aceste constante. Primul model de legtur ntre fizica fenomeno-
1ogica i structura microscopic a materialelor l-a oferit teoria cinetico-molecular
a gazelor i apoi fizica statistic. Tot aa, proprietile fizice ale strii solide au fost
interpretate pornind de la structura microscopic i folosind metodele de calcul ale
fizicii statistice i mecanicii cuantice. Se poate spune deci c Fizica Solidului
constituie o ramur a fizicii care are ca obiect studiul tuturor proprietilor fizice
a1e strii solide (proprieti mecanice, termice, optice, electrice i magnetice)
cutnd s stabileasc pe de o parte, natura i mrimea constantelor fenomenologice
pornind de la structura microscopic, iar pe de alt parte, s gseasc corelaiile dintre
diversele proprieti fizice ale aceluiai material. Ea poate fi submprit n 3
ramuri: fizica metalelor i aliajelor, fizica semiconductorilor i fizica dielectricilor
[3, 4].
Factorii care au impulsionat dezvoltarea fizicii solidului ar putea fi grupai astfel:
a) dezvoltarea intern a fizicii (descoperirea difraciei radiaiilor X pe cristale de
ctre Knipping i Friedrich, dezvoltarea fizicii atomice i a mecanicii cuantice);
b) cerinele tehnicii (electrotehnica, electronica i radio-telecomunicaiile);
c) dezvoltarea tehnicii militare.
Dei este relativ tnr, fiind conturat ca ramur distinct n perioada 1930 -
1935, fizica solidu1ui a repurtat cteva succese tehnice i tiinifice de o importan
covritoare, cum ar fi: tranzistorul i toate dispozitivele semiconductoare, laserul i
maserul, memoria magnetic, atingerea temperaturi1or ultrajoase (<10
-5
[K] ),
explicarea supraconductibilitii etc. Mai mu1t de jumtate din investiii1e fcute n
fizica modern sunt astzi dirijate spre acest domeniu, fizica solidului fiind direct
implicat n realizarea progreselor electronicii legate de microminiaturizare.
1.2.1. Legtura chimic i structura cristalin a materialelor
electrotehnice solide
Solidele pot fi concepute ca ansambluri de atomi (gazele inerte solide), de
ioni (halogenurile alcaline) sau de molecule (metanul solid i alte combinaii
complexe), n funcie deci de modul n care combinaia chimic sau e1ementul
respectiv i pstreaz individualitatea. Pentru simplificare vom numi particul unul
din cele trei elemente care formeaz un solid. Particulele ocup n spaiu poziii
stabile numite poziii de echilibru, n jurul crora pot executa micri de oscilaie i
de rotaie cnd sunt molecule. Dac n acest ansamblu se poate stabili o ordine,
adic el se poate obine prin translatarea pe trei direcii necoplanare a unui element
geometric numit celul elementar obinem o reea cristalin sau un solid cristalin.
Celula elementar constituie un aranjament spaial format dintr-un numr mic de
atomi plasai n colurile unei figuri geometrice (cub, prism). Dac lipsete aceast
ordine avem de-a face cu un solid necristalin. In rndul acestora sunt incluse de fapt
trei varieti: solidele amorfe, sticlele i polimerii solizi. Un solid amorf se distinge
de unul cristalin prin absena unei ordini spaiale care s se ntind n toat masa lui,
prin lipsa deci a unei ordini la distan mare. Este posibil s existe o ordine la
distana mic de cteva sute de ngstrmi, dar aceste regiuni mici n care exist
ordine sunt dezordonate n ansamblu.
Sticlele sunt combinaii complexe formate prin amestecul n topitur a mai
multor substane. De exemplu poate fi obinut o sticl prin amestecul mai multor
oxizi: Si0
2
-P
2
O
5
-Fe
2
O
3
. Pe lng absena ordinii la distan mare, ntr-o sticl poate
s difere local i compoziia, nepstrndu-se n fiecare regiune raportul strict n care
au fost amestecate compoziiile. n sfrit, polimerii solizi sunt formai din molecule
mari care conin un numr variabil de atomi, de la zeci la sute de mii, aceste
molecule (lanuri deschise sau nchise) fiind aezate n diferite poziii n spaiu. Se
poate introduce i o "ordine" ntr-un polimer solid, de exemplu, lanurile moleculare
s fie paralele, dar o asemenea stare difer de reeaua cristalin, care are structur
periodic pe cele trei direcii.
O celul elementar este caracterizat de lungimea laturilor (a, b, c,) numite
parametrii (constante) de reea i de unghiurile dintre ele (, , ) (vezi fig.1.l). n
funcie de relaiile ntre a, b, c, i , , sunt definite 7 sisteme cristalografice.
Astfel, dac a = b = c i = = = 90, avem de-a face cu sistemul cubic. n
fiecare sistem pot exista mai multe tipuri de celule. De exemplu, n sistemul cubic
exist celula cubic simpl (cs) (fig.1.2.a), celula cub cu volum centrat (cvc)
(fig.1.2.b) i celula cub cu fa centrat (cfc) (fig.1.2.c). n prima, particulele sunt
plasate n colurile unui cub, n a doua - n coluri i n centrul cubului, iar n celula
a treia particulele sunt plasate n coluri i n centrele fee1or. n natur nu se
nt1nete structura cs. n schimb, n celelalte structuri cristalizeaz multe
e1emente: n cfc - aluminiul, aurul, cuprul, calciul .a., iar n cvc - bariul, potasiul,
litiul, molibdenul, argintul etc.

Fig. 1.1. Celula elementar a
unui solid cristalin
O particul ocup o anumit poziie avnd n juru1 ei alte particule. Cele mai
apropiate poart numele de vecini de ordinul nti. Coordonatele particulelor sunt
date n funcie de parametrii de reea. Pentru exemplificare s lum o celul dreapt
( = = = 90) dar cu a b c i s plasm axele sistemului de coordonate n
lungul axelor celulei, adic:
i a a = , j b b = , k c c = (1.17)
Vectorul de poziie al unei particule oarecare din reea va fi
c n b n a n k c n j b n i a n k z j y i x r
3 2 1 3 2 1
+ + = + + = + + = (1.18)
unde n
1
, n
2
, n
3
sunt numere ntregi. Poziia unei particule este dat prin cele trei
numere (n
1
, n
2
, n
3
), care arat de cte ori sunt cuprini cei trei parametri n
proieciile vectorului de poziie pe cele trei direcii.

Fig.1.2. Sistemul cristalografic cubic
Prin noiunile de plan cristalin vom nelege un plan care trece cel puin prin
trei poziii cristaline necoplanare. De exemplu, ntr-o structur cubic exist plane
paralele cu feele celulei, plane care trec prin diagonalele feelor etc.
O reea n care toate particulele ar ocupa exact toate poziiile de echilibru
constituie o reea perfect. n rea1itate, exist abateri de la structura ideal numite
imperfeciuni sau defecte structurale. Cele mai simple defecte se datoreaz
osci1aiilor particulelor n juru1 poziiilor de echilibru, osci1aii numite vibraiile
reelei. Deci, din acest punct de vedere o reea ar fi perfect la 0 [K]. Un alt
exemplu de dezordine l constituie solidele policristaline care sunt de fapt un
conglomerat de crista1e mici numite cristalite sau granule. De exemplu un bulgre
de sare este format dintr-o mu1ime de crista1ite orientate haotic. Dar i un singur
cristal poate prezenta defecte de structur. S lum ca exemplu reeaua auru1ui n
care o parte din atomii de aur au fost nlocuii cu atomi de argint. Obinem o reea
de aur cu impuriti de argint. Deci impuritile constituie o alt surs de imperfeciuni.
O particul poate fi scoas din poziia de echilibru lsnd n urma ei un nod
vacant (vacan) i poate ajunge la suprafaa cristalului aprnd astfel un defect
Schottky, sau poate intra printre alte particule formnd un interstiial. Perechea
vacan-interstiial constituie un defect Frenkel. Cele dou tipuri de defecte sunt
reprezentate schematic n fig.1.3. Ionii interstiiali dintr-o halogenur, de exemplu
se pot mica printre ionii din noduri, producnd astfel un curent de ioni. Existena
defectelor poate exp1ica apariia conductibi1itii ionice n cristalele dielectrice.
Defectele prezentate se refer la o singur particul sau cel mult la un numr
mic de particule, motiv pentru care ele sunt numite i defecte punctiforme. Este
posibi1 ns ca un defect structural s conin un numr mare de particule (zeci, sute
sau chiar mii) acesta fiind numit defect extins. Printre acestea ntlnim colonii de
vacane, colonii de interstiiali i dislocaiile. Dislocaiile reprezint regiuni cu abateri
de la ordinea cristalin n care s avem de exemplu un ir de particule deplasate de
la poziiile lor, rmnnd un cilindru gol n masa de particule ordonate. Exist
diverse tipuri de dislocaii a cror prezen modific esenial proprietile mecanice
ale cristalelor, n special, dar nu vom prezenta o descriere detaliat a lor.

Fig.1.3. Defecte de reea
cristalin
Se tie c o molecul este un sistem stabil de atomi format pe baza unui
anumit tip de interaciune. Tipurile cele mai des ntlnite sunt legturile ionice i
legturile covalente. n timp ce legtura ionic explic formarea moleculei pe baza
atraciei electrostatice ntre ionii de semn contrar aprui prin cedarea de electroni
de valen de ctre atomii elementelor electropozitive (Na, K etc.) spre atomii elemen-
telor electronegative (Cl, Br etc.), legtura covalent presupune colectivizarea unui
numr de electroni de valen pentru a forma configuraia stabil de dublet sau de
octet (de exemplu H:H, Cl:Cl etc.). Se poate arta prin analogie c exist dou tipuri
fundamentale de solide: ionice i covalente. Ce modificri apar ns n raport cu
moleculele ? ntr-o molecul liber, un ion este legat de un alt ion, sau de un numr
mic de ioni, pe cnd ntr-un solid, un ion trebuie s fie legat de toi ceilali,
interaciunea cea mai tare fiind realizat cu primii vecini. n acest fel, celula
elementar trebuie s fie astfel construit nct s ofere posibilitatea unei asemenea
legturi. S lum ca exemplu molecu1a clorurii de cesiu (Cs
+
Cl
-
), care crista1izeaz
n sistemul cvc. S presupunem c cesiu1 este n centrul celulei (fig.1.4).
La prima vedere ar aprea paradoxal faptul c el este legat de 8 ioni vecini de
clor, n timp ce n molecula liber este legat doar de un ion de clor. Dar dac inem
seama de faptul c i clorul este legat de ali 7 ioni de cesiu rezult c fiecare ion de
clor particip la legtur cu a 8-a parte, deci toi cei 8 ioni de clor din colurile
cubului exercit o interaciune echivalent cu cea a unui singur ion. Rezult c
celula elementar conine un numr de atomi echivalent cu o molecul. n ali compui,

Fig.1.4. Molecula
clorurii de cesiu
celula elementar conine un numr ntreg de molecule. S discutm acum un
exemplu mai complex: titanatul de bariu (Ba
2+
Ti
4+ 2
3
O ) a crui celul elementar
este de tipul perovskitei (fig.1.5) i reprezint de fapt o celul cubic cu fee i cu
volum centrat. Dac ne imaginm celula ,,1ipit" de celulele vecine, vom vedea c
ionii din coluri aparin la 8 celu1e, iar cei de pe fee aparin la cte dou celu1e.
Deci ionii din coluri sunt echivaleni cu 1
8
1
8 =

ion, iar cei de pe fee cu


3
2
1
6 =

ioni, astfel c pe celula elementar avem 1 Ba


2+
, 3 O
2-
i 1 Ti
4+
.
S ana1izm acum cristalele cu legtur covalent lund ca exemplu germaniul
(Ge) i siliciul (Si) care au cte 4 electroni pe ptura de valen. Dac cei 4 electroni
ar fi pui n comun numai ntre doi atomi de germaniu (Ge::::Ge), atunci n spaiul
dintre ei ar exista o densitate mare de sarcin negativ, care ar genera fore de
repu1sie. O astfel de molecul nu ar fi stabil. Este posibi1 ca n starea solid, un
atom de germaniu s se lege simetric cu ali 4 atomi prin punerea n comun a cte
unui electron formndu-se astfel 4 legturi covalente. Cea mai simpl aranjare
geometric care permite o asemenea configuraie este gruparea tetraedric
(fig.1.6.a) n care vecinii cei mai apropiai sunt plasai n colurile unui tetraedru.
Acest aranjament poate fi identificat n reeaua diamantului n care cristalizeaz
germaniul i siliciul (fig.1.6.b). Celula diamantului este de fapt un cub cu fee
centrate dar care mai conine 4 atomi n interior, plasai pe diagonalele de volum la
un sfert din lungimea lor de la vrfuri.

Fig.1.5. Molecula
titanatului de bariu
Pentru a nelege mai bine modul de plasare al atomilor, s ne imaginm
celula mprit n 8 cubulee formate cu ajutorul planelor paralele cu feele cubului,
dar duse pe mijloacele laturilor. Doi atomi sunt n centrele a dou cubulee diagonal
opuse, n partea superioar, iar ceilali doi sunt tot n centrele a dou cubulee, n
partea inferioar i legate de celelalte dou diagonale de volum.
Cu aceste precizri am indicat un fapt deosebit de important i anume, c
exist o strnsa corelaie ntre tipul legturii chimice i tipul reelei cristaline.

Fig.1.6. Celula elementar a diamantului
Difracia radiaiei X pe cristale a constituit dovada direct a existenei ordinii
cristaline. Pentru nelegerea ei vom face apel la difracia luminii printr-o fant,
fenomen care apare atunci cnd lrgimea fantei este de ordinul de mrime al
lungimii de und a radiaiei incidente. Dac ne-am imagina un lan de particule,
aezate regulat, acesta ar constitui o reea de difracie. Cum un astfel de sistem de
particule nu poate fi observat cu un microscop obinuit rezu1t c distana dintre ele
este foarte mic. Putem evalua aceast distan innd seama de volumul macro-
scopic al unui cristal, de numrul de particule cunoscut din legea lui Avogadro. Ea
este de ordinul ngstrmilor. Din aceast cauz este justificat alegerea radiaiei X,
cu lungimi de und de acest ordin pentru investigarea structurii crista1ine. Prin
ana1ogie cu reelele optice de difracie, s ne imaginm un lan de atomi egal
distanai (fig.1.7.) pe care cade un fascicu1 de radiaie X.

Fig.1.7. Explicativ
privind investigarea
structurii cristaline cu
radiaii X
Conform principiului lui Huygens, fiecare atom devine un centru de oscilaii
care se propag n toate direciile. Rezult c radiaiile emise pe direcii paralele vor
interfera constructiv sau destructiv n funcie de valoarea diferenei de drum. S
presupunem acum c avem o familie de plane cristaline, pe care cade un fascicul
paralel de radiaii X de lungime de unda . n fig.1.8 este desenat o seciune printr-
o astfel de familie, fiind ilustrate mai multe iruri paralele de particule. Razele care
cad sub unghiul fa de plane prezint o diferen de drum ntre dou raze
reflectate de dou plane succesive egal cu
= = + = sin
1 2 1
d 2 2 (1.19)
Pentru a obine un maxim de difracie trebuie ca s fie un numr par de
2

, deci

2
n 2

= => 2dsin = n (1.20)
Ultima relaie reprezint formula lui Bragg i ne d o legtur direct ntre
geometria reelei (d), lungimea de und a radiaiei () i unghiul sub care cade pe
planul cristalin respectiv. Numrul n ia valorile 1,2, 3, ... obinndu-se maxime de
difracie de ordinu1 1,2,3, ... din ce n ce mai slabe.

Fig.1.8. Difracia
radiaiei X pe cristale
Se poate remarca, de asemenea, simi1itudinea cu formula dedus pentru
reelele de difracie obinuite. Pentru a ne da seama de ordinul de mrime al lui ,
s lum un unghi de difracie, = 30 i d = 3 . Se obine astfel = 3 .
ntr-un solid, agitaia termic const n micarea de osci1aie a particulelor n
jurul poziii1or de echilibru. La 0 [K] ne putem imagina particu1ele ngheate n
aceste poziii, dar la o temperatur T 0 [K] ele oscileaz cu o anumit frecven i
cu o anumit amp1itudine astfel c temperatura unui solid este o msur a energiei
cinetice medii de osci1aie. Pentru a examina modul de osci1aie s ne imaginm un
ir de particule identice de mas m, egal distanate cu a (fig.1.9). Poziii1e de
echilibru la 0 [K] au coordonatele x
n
= na, cu n = 1, 2, 3, ... S ne fixm atenia
asupra unei particu1e (n) care interacioneaz mai puternic cu particu1ele vecine
(n -1) i (n + 1). La o temperatur T 0 [K] acestea sunt deplasate de la poziii1e
de echilibru, la un moment dat cu u
n-1
, u
n+1
i respectiv u
n
. Dac admitem c forele
de interaciune ntre dou particule vecine sunt proporionale cu diferena ntre
deplasri1e lor de la poziii1e de echilibru, atunci forele de interaciune ale
particu1ei (n) cu particulele (n + 1) i respectiv (n -1) vor fi
F
n+1, n
= f (u
n
- u
n+1
) (1.21)
F
n, n-1
= f (u
n-1
- u
n
)
unde f este o constant de proporiona1itate. Fora rezu1tant este dat de diferena
dintre cele dou fore:
F = F
n, n -1
- F
n+1, n
= f (u
n+1
+ u
n -1
- 2u
n
). (1.22)
Ecuaia de micare pentru particula (n) poate fi scris uor
F = ma = m
2
n
2
dt
x d
= m
2
n
2
dt
) u a n ( d +
= m
2
n
2
dt
u d
, (1.23)
de unde rezult:
m
2
n
2
dt
u d
= f(u
n+1
+ u
n-1
- 2u
n
). (1.24)

Fig.1.9. Explicativ privind oscilaiile particulelor din nodurile reelei cristaline
Ecuaia elongaiei poate fi scris sub forma
u
n
= A sin


v
x
t
n
= A sin (
n
x k t ), (1.25)
unde A este amplitudinea de oscilaie, k = /v este vectorul de und, iar v este
viteza de propagare. Am introdus aici soluia sub forma unei unde, deoarece
particulele nu sunt izolate i dac una dintre ele ncepe s oscileze, aceast micare
se poate transmite din aproape n aproape. innd seama c

2
n
2
dt
u d
= - A
2
sin (
n
x k t ), (1.26)
ecuaia (1.25) devine:
-m
2
A sin ( t - k n a) = A f [sin ( t - k (n + 1) a) +
+ sin ( t - k (n - 1) a) - 2 sin ( t - k n a)]. (1.27)
Dac descompunem primii doi termeni din dreapta n felul urmtor:
sin

(

t-k

(n 1)

a)=sin

(

t-k

n

a)cos

(k

a)

cos

(

t-k

n

a)sin(k


a),
(1.27) devine

2
=
m
f
[2 cos (k a) - 2] =
m
f 4
sin
2
2
a k
, (1.28)
iar de aici obinem
= 2
m
f
sin
2
a k
=
max


sin
2
a k
, cu
max
= 2
m
f
. (1.29)
Se observ c o und s-ar putea propaga prin lniorul nostru dac are
frecvenele situate ntre 0 i
max
care se obine pentru ka/2 = /2. Rezult de aici
lungimea de und minim, innd seama c k = /v = 2/(Tv) = 2/:

min
= 2a (1.30)
Am obinut astfel o concluzie deosebit de important: printr-un lan de
particule nu se poate propaga o und mai mic dect dou constante de reea. Avnd
n vedere c a este de ordinul 1 3 [] rezult c
min
este de 2 6 [].
S vedem acum cum putem evalua pe
max
. Dac inem seama de legea lui
Hooke: F =

f
S E
=

i admitem c avem de-a face cu un cub de latura


= a, astfel c S = a
2
, rezult c expresia lui f este:
f =
a
a E
2

= Ea, (1.31)
deci
max
= 2
m
a E
. Pentru o substan cu E = 2 10
10
N/m
2
, a = 3 i masa
atomic egal cu 50 de mase protonice, frecvena maxim de oscilaie este de
ordinul a 10
12
Hz. Dac nu vom avea de-a face cu unde generate de micarea
termic, ci de oscilaii provocate de unde venite din exterior, atunci ne putem imagina
propagarea undelor e1astice (sunete, ultrasunete) n so1ide prin intermediul
oscilaiilor particule1or din nodurile reelei cristaline.
1.2.2. Nivelele de energie ale electronilor n materialele
electrotehnice solide
ntr-un solid format pe baza legturii ionice, electronii de valen sunt legai
n jurul anionilor, iar electronii pturilor interioare sunt legai de nucleele atomilor
respectivi. n aceste solide (halogenurile - Na
+
Cl
-
, Ca
2+
2
Cl , oxizii - Mg
2-
O
2-
,
+ 2
3
3
2
O Al etc.) nu exist electroni liberi, de aceea ele se vor comporta ca un
dielectric. ntr-un solid, format pe baza legturii covalente, electronii de valen
sunt pui n comun de ctre atomi. Electronii de valen nu mai sunt deci strns
localizat n jurul unui atom, dar nici nu sunt liberi, deoarece sunt localizai n
spaiile interatomice. Din aceast legtur electronii pot fi eliberai i transformai
n electroni liberi prin absorbie de energie termic sau electromagnetic. Avem de-a
face n acest caz cu un semiconductor (Ge, Si etc.) n care numrul de purttori de
sarcin crete cu creterea temperaturii. Ne vom referi, n sfrit, la legtura
metalic, care se distinge net de primele dou, deoarece ea nu apare n formarea
moleculelor n stare liber. ntr-adevr, elementele care n stare solid sunt metale
(Na, K, Ca, Mg, Al) n stare gazoas se afl sub form de atomi izolai. Natura
acestei legturi nu are analog clasic, ea este descris de mecanica cuantic astfel c
ne vom mrgini numai la sublinierea efectului ei asupra electronilor de valen. ntr-un
metal, electronii de valen se afl sub aciunea atractiv a nucleului atomului din
care provin, dar i sub aciunea nucleelor nvecinate. Aceast interaciune este att
de puternic nct electronii de valen ai unui atom pot schimba locul cu electronii
de valen ai atomilor vecini. Apare n felul acesta o interaciune fr analogie
clasic numit interaciune de schimb. Efectul ei const n schimbul de electroni
ntre atomi, schimb care se face fr aport de energie din exterior. Electronii de
valen ntr-un metal nu mai aparin deci unui singur atom, ei se pot mica de la un
atom la altul. Se justific astfel, ntre anumite limite, conceptul de electroni liberi.
Vom vedea care sunt aceste limite.
Deoarece ntr-un solid electronii sufer i influena atomilor vecini (atracia
nuclear i repulsia din partea celorlali electroni) se modific nivelele de energie pe
care le aveau n atomul izolat. Fizica atomic ne-a artat c n atomul izolat
electronii au la dispoziie o serie de nivele de energie corespunztoare numerelor
cuantice orbitale ( = 0, 1, 2,, n - 1) pentru fiecare numr cuantic principal
(n = 1, 2, ) numerotate n felul urmtor: 1s; 2s; 2p; 3s; 3p; 3d; 4s; .
Electronii pot efectua salturi ntre orbitele situate la diverse distane de nucleu,
salturi care sunt descrise prin tranziii ntre nivelele de energie prin absorbia sau
emisia de energie. Interaciunea de schimb conduce la amestecarea electronilor,
deci la formarea unui colectiv de electroni n care nu mai puteam deosebi electronii
unui atom de cei ai altui atom. n acest ansamblu, electronii care aparineau aceleiai
pturi n atomul izolat (acelai n i ) mai au oare aceeai energie? Cu alte cuvinte,
energia pe care o au electronii n atomul izolat rmne nemodificat n stare solid?
Rspunsul este negativ i este legat de aplicarea principiului de excluziune al lui
Pauli nu numai n atomul izolat ci i n cadrul unui solid. Dac pe fiecare nivel de
energie n atomul liber gsim maximum 2(2+1) electroni, atunci prin formarea
unui solid prin condensarea a N atomi am avea 2(2+1) N electroni cu aceeai
energie. Principiul lui Pauli se aplic i colectivului de electroni care provin din
aceeai ptur (n, ) n sensul c nu pot avea aceeai energie toi cei 2(2+1) N
electroni ci maximum 2(2+1) electroni. Din aceast cauz n locul fiecrui nivel
de energie (n, ) din atomul izolat apar N nivele (fig.1.10). Aceste nivele formeaz
o zon sau band de energie. Vom avea astfel o zon 1s n care pot sta maximum
2N electroni, o zon 2s cu acelai numr maxim de electroni, o zon 2p cu 6N
electroni .a.m.d., numrul maxim de electroni dintr-o zon fiind astfel egal cu
2(2+1) N, dar care sunt distribuii pe N nivele. Teoria solidului arat c zonele
de energie corespunztoare nivelelor atomice au lrgimi din ce n ce mai mari odat
cu creterea numrului cuantic n i deoarece electronii cu numerele cuantice
principale cresctoare se afl tot mai departe de nucleu i simt mai puternic
influena celorlali atomi. Poziia zonelor de energie poate s fie modificat fa de
succesiunea nivelelor din atomul izolat. Astfel, n grupa fierului, nivelul 4s se
completeaz naintea lui 3d. n solid ns, deoarece electronii 3d sunt mai apropiai
de nucleu dect electronii 4s, zona 4s este mai larg dect zona 3d i n plus, este
situat deasupra celei din urm. Zona de energie corespunztoare electronilor de
valen se numete zon de valen, iar cea corespunztoare primului nivel complet
neocupat - zon de conducie. Astfel, la litiu, care are configuraia electronic 1s
2
,
2s
1
, zona de valen este 2s, iar zona de conducie este 2p. La metalele de tranziie
situaia este urmtoarea: zona 3d este mai ngust dect 4s, dar incomplet umplut;
urmeaz zona 4s - zon de valen, iar apoi zona 4p - zon de conducie.
Folosind modelul zonelor de energie vom face acum distincia ntre metale,
semiconductori i izolatori pornind de la efectul unui cmp electric de intensitate
E , care acionnd asupra unui electron i imprim o acceleraie (e E) / m. Dac
electronul se deplaseaz ntre dou puncte cu potenialele V
1
i V
2
(V
1
> V
2
) el
ctig o energie egal cu e (V
1
- V
2
). ntr-un atom izolat electronul rmne pe
aceeai orbit dac diferena de potenial nu asigur o energie suficient de mare
nct s poat sri pe un nivel liber. Aceste salturi devin posibile n solide deoarece
distana dintre nivele este mai mic. Este necesar ns s existe stri libere pe care
electronul s poat sri. ntruct zonele corespunztoare tuturor nivelelor cu
excepia celui de valen i a pturilor incomplete din grupele de tranziie sunt
complet umplute, vor putea efectua salturi numai electronii zonelor periferice.
Astfel, dac zona de valen este complet umplut pot face salturi pe nivelele libere
ale zonei de conducie dac primesc o energie corespunztoare diferenei dintre
energia ultimului nivel ocupat din zona de valen i primul nivel liber din zona de
conducie. Dac ntre cele dou zone exist un interval interzis, atunci aceste
excitri nu pot avea loc n cmpuri electrice de intensiti obinuite. Intervalul de
energie interzis corespunde intervalului existent ntre nivelele din atomul izolat
(fig.1.10.b). Un solid n care exist un interval interzis este un dielectric. Din acest
punct de vedere un dielectric nu se deosebete de un semiconductor. Deosebirea
provine din mrimea intervalului interzis: n dielectrici el este n general mai mare
de 5 eV. Semiconductorii uzuali, germaniu i siliciu, au intervalele egale cu 0,67 eV
pentru Ge i 1,14 eV pentru Si.
n semiconductori ca i n dielectrici electronii de valen sunt legai (n
legturile covalente sau ionice), iar la o temperatur diferit de 0 [K] devine
posibil excitarea lor n zona de conducie, adic ruperea lor din legturile de
valen. Numrul de excitri este proporional cu

) T k 2 /( E
g
e


unde E
g
este energia intervalului interzis. S remarcm dou lucruri: a) numrul de
excitri ntr-un dielectric este de
) T k 2 /( ) E E (
s
g
d
g
e

ori mai mic dect ntr-un
semiconductor (
d
g
E i
s
g
E sunt intervalele interzise pentru dielectric i respectiv
semiconductor); b) numrul de excitri devine apreciabil numai la temperaturi
foarte ridicate. n general am avea de-a face cu o probabilitate mare de excitare
atunci cnd kT ar fi de ordinul energiei intervalului interzis. Pentru un
semiconductor cu E
g
= 2,5 eV, aceast temperatur ar fi de aproximativ 30000 [K],
temperatur la care nu rezist nici un material n condiii normale de presiune, nici
n stare topit. Iat de ce numrul de electroni liberi aprui prin excitarea n zona de
conducie este foarte mic n izolatori. Numrul lor este mai mare n semiconductori
i devine apreciabil la materialele cu intervalul interzis mai mic de 1 eV.


Fig.1.10. Explicativ privind zonele de energie: metal, semiconductor, izolator
Cum ncadrm n aceast schem metalele? Exist dou situaii corespun-
ztoare metalelor monovalente i celor bivalente. n primul caz, s ne referim de
pild la metalele din grupa I, n care zona de valen este de tip s, dar n care se
gsesc N electroni, pentru c fiecare atom are cte un electron pe nivelul de valen.
Nivelele zonei de valen ncep s fie umplute ncepnd cu cele care au energia cea
mai mic: Deoarece pe fiecare nivel dintr-o zon de tip s pot sta cte doi electroni,
rezult c zona de conducie a unui metal monovalent va fi plin doar pe jumtate.
Electronii pot fi deci excitai cu ajutorul energiei termice sau al cmpului electric pe
nivele goale ale zonei de valen incomplet umplut (fig.1.10.d). S ne referim
acum la zona de valen a metalelor bivalente din grupa a doua pentru care pe
pturile s se afl cte doi electroni, ceea ce face ca zona de valen sa fie complet
umplut. n aceste metale exist ns o suprapunere cu zona de conducie
(fig.1.10.a), astfel c electronii pot fi excitai uor din zona de valen n cea de
conducie pentru ca nu exist un interval interzis. Aceast situaie nu reflect dect
faptul c electronii de valen nu mai sunt strns legai de edificiul atomic propriu i
pot s se mite liber de la un atom la altul. O situaie uor modificat o prezint
metalele bivalente din grupa fierului, la care exist zona 3d incomplet umplut,
situat sub zona 4s complet umplut (zona de valen). Teoria arat c electronii 3d
contribuie la procesul de conducie ntr-o msur mult mai mic dect electronii 4s
care pot fi excitai n zona de conducie (4p) cu care se suprapune. Cu alte cuvinte,
exist un curent dat de electronii 3d i unul dat de electronii 4s, dar contribuia lor
este diferit deoarece zona 3d este mult mai ngust dect zona de conducie, astfel
c i strile excitate libere se ntind pe un interval energetic mai ngust n aceasta
din urm.
1.2.3. Efectul Hall i efectul magnetorezistiv
O aplicaie a modelului prezentat anterior o constituie nelegerea efectului
Hall i a variaiei rezistenei electrice ntr-un cmp magnetic (efect magneto-
rezistiv). Primul efect se obine dac, ntr-un cmp magnetic uniform, avnd inducia
magnetic B , plasm o plcu paralelipipedic metalic sau semiconductoare prin
care trece un curent electric continuu, de intensitate I (fig.1.11). ntr-un astfel de
aranjament, se poate detecta o tensiune V
H
ntre feele laterale paralele cu planul
format de B i I, adic pe direcia forei Lorentz. Tensiunea V
H
, numit tensiune
Hall, apare datorit acumulrii de sarcini ntr-o parte a probei n raport cu partea
opus. Sarcinile n exces sunt acumulate datorit forei
m
F

prin deviaia de la linia


curentului. Acumularea are loc pn cnd cmpul electric ntre dou suprafee
laterale mpiedic continuarea procesului. Deci tensiunea Hall este dat de:
V
H
= E
y
(1.32)
Calculul ordinului de mrime al lui V
H
este relativ uor de fcut, dac ne vom
plasa n starea de echilibru, adic atunci cnd cmpul
y
E

(cmp Hall) echilibreaz


aciunea cmpului magnetic i n ipoteza c toate particulele s-ar mica cu aceeai
vitez v

:
eE
y
= Bev => V
H
= Bv (1.33)
Dar cum

h e n
I
v v h e n
t
e h
L n
t
e N
I

= => =

=

(1.34)
rezult de aici

h
I B
R
h e n
I B
V
H H

=


= ,
e n
1
R
H

= (1.35)
unde n este concentraia purttorilor.
Se observ deci c tensiunea Hall depinde de inducia cmpului magnetic, de
intensitatea curentului electric i de grosimea probei. Constanta de proporionalitate
(R
H
) se numete constant Hall i este invers proporional cu concentraia
purttorilor de sarcin electric. Rezult c dac am avea de-a face cu purttori
pozitivi (goluri) atunci sensul tensiunii Hall ar fi inversat. ntr-adevr, din semnul
constantei Hall s-a verificat veridicitatea noiunii de gol.

Fig.1.11. Explicativ privind efectul Hall
Apare acum natural, ca n metale efectul Hall s fie slab deoarece n este
mare, iar n semiconductori efectul s fie mai mare pentru c i concentraie de
purttori de sarcin electric este mai mic. Pentru a avea o imagine asupra ordinului
de mrime al efectului Hall s lum un metal cu urmtoarele caracteristici: n = 10
22

electroni pe cm
3
, = 1 [mm], I = 10
-1
[A], B = 1 [T]. Pentru acest metal tensiunea
Hall este de aproximativ 310
-8
[V]. n semiconductori, unde concentraia de
purttori este de 10
3


10
5
ori mai mic, tensiunea Hall este de ordinul a 10
-5
10
-3
[V].
O alt remarc este legat de existena a dou tipuri de purttori, de sarcin
opus, cum ar fi cazul unui electrolit. n aceast situaie tensiunea V
H
este
diminuat. Dac concentraiile celor dou tipuri de purttori i vitezele lor ar fi
egale, atunci efectul va fi nul.
n ceea ce privete, natura variaiei rezistenei electrice a metalelor i
semiconductorilor n cmp magnetic, dac nu ar fi aplicat cmpul magnetic,
lungimea medie a traiectoriei purttorilor ar fi L. Sub aciunea cmpului magnetic
traiectoriile se curbeaz, devin mai lungi i deci numrul de ciocniri al purttorilor
crete, ceea ce duce la creterea rezistenei electrice. Efectul magnetorezistiv la
metale este foarte slab i el este pus n eviden numai la cmpuri magnetice foarte
mari (peste 10 [T]). Acest efect a fost descoperit de fizicianul sovietic P.Kapia i
explicat teoretic de fizicianul romn erban ieica.
1.2.4. Supraconductibilitatea
n 1911, Kammerlingh Onnes a gsit urmtoarele valori pentru rezistena
unei coloane de mercur: 0,084 [] la 4,3 [K] i mai mic de 310

-

6
[] la 3 [K].
De la aceast dat, fenomenul de scdere brusc a rezistenei electrice la valori
neglijabile a fost pus n eviden pe multe metale i aliaje n domeniul tempe-
raturilor joase. Starea de rezisten neglijabil a fost numit stare supraconductoare,
iar temperatura la care are loc trecerea de la starea normal la cea supraconductoare
se numete temperatur de tranziie sau temperatur critic (T
c
). Variaia rezis-
tenei electrice n jurul acestei temperaturi este redat n fig.1.12.

Fig.1.12. Variaia rezistivitii
electrice n raport cu temperatura
n cazul materialelor
supraconductoare
Temperatura critic este diferit pentru diferite materiale. Astfel, aliajul
Nb
3
Al
0,8
Ge
0,2
are T
c
= 20,05 [K], iar unii semiconductori au temperaturi de tranziie
sub 0,01 [K]. Unele metale prezint o scdere a rezistivitii mult mai mare dect la
mercur, atingnd circa 10
-23
[cm]. Supraconductorii prezint unele proprieti
foarte interesante dintre care vom meniona dou: efectul Meissner i distrugerea ei
n cmp magnetic. Efectul Meissner arat c un supraconductor este un diamagnet
ideal: liniile cmpului magnetic trec prin metalul n stare normal (fig.1.13.a), dar l
ocolesc n starea supraconductoare (fig.1.13.b). Aceasta ne arat c momentele
magnetice ale electronilor de conducie nu pot fi orientate paralel cu cmpul magnetic,
deci nu poate sa apar o component a magnetizrii paralel cu cmpul magnetic ca
ntr-un paramagnet.

Fig.1.13. Explicativ privind efectul Meissner
Cel de-al doilea efect se refer la faptul ca supraconductibilitatea poate fi
distrus de un cmp magnetic atunci cnd intensitatea lui are o anumit valoare
numit cmp critic (H
c
). Mrimea cmpului critic scade odat cu creterea
temperaturii. n fig.1.14 este reprezentat aceast variaie pentru plumb.
Supraconductibilitatea poate fi distrus i de cmpul magnetic al curenilor electrici
aa cum a observat Onnes n 1913.
Explicarea supraconductibilitii a ntrziat aproximativ 50 de ani, teoria ei
fiind formulat n 1957 de Bardeen, Schrieffer i Coopper (S.U.A.) i de Bogoliubov
(U.R.S.S.). Ipoteza de baz a acestei teorii pur cuantice const n faptul c electronii
de aceeai energie, care au spinii orientai n sens opus, nu se mai mic
independent unul de altul, ci sunt legai, sunt forai s se mite mpreun prin
formarea unei perechi numit coopperon. Aceasta este, evident, o imagine
simplificatoare, dar ea ne poate conduce la nelegerea faptului c electronii nu se
mai mic independent unul de altul, ceea ce ngreuneaz ciocnirile cu ionii reelei
i deci are loc o micorare a rezistenei electrice. Meritul teoriei const n faptul c a
propus un model de interaciune care s cupleze electronii, dei prin natura lor
(sarcini de acelai semn) ei se resping. Aceast interaciune trebuie s fie mai
puternic dect repulsia electrostatic. n momentul de fa supraconductibilitatea a
ptruns n tehnic sub forma crioelectronicii i crioelectrotehnicii, adic a tehnicii
folosirii unor dispozitive electronice i electrotehnice la temperaturi joase, sau a
unor materiale supraconductoare. Menionm, n primul rnd, sintetizarea unor
aliaje cu temperaturi de tranziie relativ ridicate i cmp critic mare, din care au fost
confecionate bobinele supraconductoare care pot da cmpuri magnetice mai mari
de 1 [T]. O a doua direcie de cercetare o constituie folosirea liniilor supracon-
ductoare pentru transportul curenilor foarte inteni pe distane scurte.

Fig.1.14. Variaia cmpului
magnetic critic n raport cu
temperatura n cazul plumbului
1.2.5. Efectul Seebeck
Efectul termoelectric sau efectul Seebeck const n apariia unei tensiuni ntre
dou suduri metalice cnd acestea sunt meninute la temperaturi diferite. Se realizeaz
astfel un termocuplu cu ajutorul a dou suduri: metal (1) - metal (2) - metal (1)
(fig.1.15.a). Tensiunea termoelectromotoare V
t
, msurat cu un milivoltmetru sau cu
un microvoltmetru, este proporional cu diferena de temperatur dintre suduri:
V
t
= S (
1
-
2
) = S (1.36)
unde S este coeficientul Seebeck, sau puterea termoelectromotoare. n experiene, o
sudur este pus de obicei n ap cu ghea pentru a avea o temperatur bine fixat.
Coeficientul Seebeck difer de la termocuplu la termocuplu. Valorile lui sunt cuprinse
de obicei ntre 10 i 50 [V/grad]. Exemple de termocupluri uzuale: cupru -
constantan, platin - (platin - rhodiu), fier - constantan.

Fig.1.15. Efectul termoelectric la contactul metal-metal
V prezentm acum o explicaie succint a efectului termoelectric folosind
modelul electronilor liberi. S presupunem c metalul (2) are nivelul Fermi mai
cobort dect al metalului (1). n cele dou metale electronii sunt situai deci la
nivele de energie diferite. n mod natural apare o tendin de trecere a electronilor
cu energie mai mare din metalul (1) n metalul (2), pe nivele de energie mai sczut,
deoarece aceste stri sunt mai stabile din punct de vedere termodinamic. Aceast
scurgere de electroni las ns metalul (1) ncrcat pozitiv, aprnd astfel la
contactul celor dou metale un cmp electric care se opune trecerii ulterioare, cmp
descris de o diferen de potenial de contact. Intensitatea acestui cmp nu difer la
cele dou suduri atunci cnd acestea au aceeai temperatur (fig.1.15.b). Atunci
cnd sudurile au temperaturi diferite, electronii de la sudura mai cald, care au
trecut n metalul (2), pot fi excitai pe nivelele superioare goale i au acum o energie
mai mare dect cei de la captul rece. Din aceast cauz exist acum tendina de
realizare a echilibrului termic ntre cele dou suduri ale metalului (2) prin migrarea
unui numr de electroni de la captul cald ctre cel rece, micare care are loc
mpotriva cmpului electric de contact. Deplasarea de sarcini de la o sudur la
cealalt face ca cele dou suduri s fie ncrcate diferit, aprnd astfel ntre ele o
diferen de potenial. O discuie analog poate fi efectuat i n cazul cnd nivelul
Fermi al metalului (2) este mai ridicat dect cel al metalului (1), dar diferena de
potenial dintre suduri va avea semn schimbat.
1.2.6. Efectul fotoelectric n semiconductori
Dup cum se tie, efectul fotoelectric extern const din emisia de electroni
dintr-un metal sub aciunea luminii, emisie care are loc numai atunci cnd frecvena
radiaiei este mai mare dect o limit (
o
): h
o
= , unde este lucrul de extracie.
Dac ne reprezentm metalul ca pe o "cutie" cu electroni a cror energie are valori
pn la o anumit limit (energia Fermi), atunci emisia unui electron are loc cnd i
se comunic o energie mai mare dect bariera de potenial pe care o ntlnete la
suprafaa metalului (fig.1.16.a).
Efectul fotoelectric poate fi produs i ntr-un semiconductor, sau dielectric,
dar difer de cel produs pe metale. S analizm cazul unui semiconductor care are
impuriti de ambele tipuri (fig.1.16.b). Sub aciunea fotonilor pot fi efectuate
tranziiile 1, 2, 3 de pe nivelul donor n zona de conducie (
1
= E
d
/ h), din zona de
valen pe nivelul acceptor (
2
= E
a
/ h), sau tranziii ntre cele dou zone (
3
= E
g
/ h).
n urma acestor excitri apar purttori liberi (efect fotoelectric intern). Cum la
temperatura la care are loc iradierea probei aceti purttori nu ar exista, ei au fost
denumii purttori de neechilibru, care dup un timp (timp de via) revin la starea
iniial. Procesu1 de revenire se numete recombinare. Timpul de via este de
ordinu1 microsecundelor. Existena procese1or de recombinare ne explic de ce nu
crete nelimitat numrul de purttori generai prin efect fotoelectric. Este evident c
poate s existe efect fotoelectric extern i ntr-un semiconductor prin emisia direct
de pe nivelele donoare (
4
= (E
d
+

)

/

h), din zona de valen (
5
= (E
g
+

)

/

h),
sau din zona de conducie (
6
= /

h). Aceste tranziii au loc de obicei sub aciunea
luminii de la limita violet i ultraviolet a spectrului radiaiilor electromagnetice.

Fig.1.16. Explicativ privind efectul fotoelectric
O aplicaie direct a efectului fotoelectric intern o constituie fotorezistena,
dispozitiv a crui rezisten electric scade sub aciunea luminii. Ele sunt sensibile
att n vizibil, ct i n infrarou (sulfura de plumb). Variaia rezistenei sub aciunea
luminii poate fi studiat static prin inserarea fotorezistenei n brau1 unei puni
Wheatstone (fig.1.17.a). Se echilibreaz puntea la ntuneric i apoi sub aciunea
luminii msurndu-se astfel direct variaia rezistentei electrice n funcie de
intensitatea luminii i de frecvena ei. Efectul poate fi studiat i dinamic folosind
montajul din fig.1.17.b, n care a fost interpus ntre sursa de lumin i fotorezisten
un chopper, adic un disc cu fante care las s treac lumina n impulsuri. n felu1
acesta rezistena variaz n timp. Dac se nregistreaz pe un oscilograf o tensiune de
pe o rezisten fix (R
o
), atunci aceasta fluctueaz ntre
0
i 0
0
i
R
R R
U
U
+
= (la
ntuneric) i
0
e 0
0
e
R
R R
U
U
+
= (la lumin), unde R
i
i R
e
reprezint rezistena la
ntuneric , respectiv la lumin. Semnalul cules nu urmrete la fel de rapid variaiile
intensitii luminii: la nceputul fiecrui impuls tensiunea crete pn atinge o
saturaie, iar dup ncetarea iluminrii nu scade brusc la valoarea de ntuneric.
Fotorezistenele i-au gsit o sfer larg de aplicaii dintre care citm cteva:
detectoare de radiaii n infrarou (utilizate n spectroscopia n infrarou i n
scopuri militare), relee fotoelectrice (n care iau locul celu1elor fotoelectrice fiind
mai robuste, cu gabarit mai redus i mai ieftine).

Fig.1.17. Studiul variaiei rezistenei electrice n funcie de intensitatea i prezena
luminii
1.2.7. Efectul de redresare a unei jonciuni semiconductoare
Redresorii cu semiconductori (Cu
2
O, seleniu, siliciu etc.) sunt dispozitive
care pot redresa curentul alternativ renunndu-se la diode. Pentru a nelege acest
fenomen, s facem un contact ntre un metal (M) i un semiconductor de tip n (S
n
)
(fig.1.18.a), ale cror zone de energie nu coincid, iar lucruri1e de extracie sunt
diferite (
n

s
). n S
n
exist un numr de electroni n zona de conducie care au o
energie superioar electronilor metalului.

Fig.1.18. Efectul de redresare la contactul metal-semiconductor
Din aceast cauz apare o tendin de scurgere spre metal, ceea ce duce la
acumularea de electroni pe suprafaa metalului. Prin plecarea acestor electroni,
semiconductorul rmne ncrcat pozitiv, astfel c la contactul M-S apare un cmp
electric numit cmp de baraj dirijat dinspre S
n
spre metal. Metalul fiind neutru, nu
accept electroni n plus, astfel c electronii transferai rmn pe suprafaa metalului
n zona de contact. Datorit cmpului de baraj diagrama energetic se modific,
astfel c limita superioar a zonei de valen a semiconductorului se apropie de cea
a metalului, atingndu-se local un echilibru energetic.
Care este efectul unui cmp electric extern? Cnd cmpul electric extern
( ext E ) are acelai sens ca i cmpul de baraj (polul pozitiv pe semiconductor)
atunci electronii din metal sunt mpiedicai s treac spre semiconductor pentru c
ei ar trebui s fie excitai pe stri superioare de energie. Cnd ns cmpul extern are
sens contrar cmpului de baraj (polul negativ pe semiconductor), electronii se pot
mica dinspre semiconductor spre metal i curentul trece uor. n felul acesta un
contact metal-semiconductor acioneaz ca un redresor. Un raionament analog
poate fi efectuat pentru contactu1 metal-semiconductor de tip p. Trebuie menionat
ns c n acest caz cmpul de baraj are sens invers.
O jonciune semiconductoare p-n este un ansamblu format prin alipirea unui
semiconductor de tip p cu unul de tip n. Zona de separare ntre cele dou
semiconductoare S
n
i S
p
este de ordinul a 10
-4
[cm] (fig.1.19). n regiunea S
n

exist donori neutri, donori ionizai i electroni, iar n S
p
acceptori neutri, acceptori
ionizai i goluri (vezi i diagrama energetic din fig.1.19.b). ntre cele dou regiuni
exist o diferen de concentraie de electroni, respectiv de goluri, ceea ce genereaz
o tendin de egalare a lor prin difuzie de electroni n regiunea p i de goluri n
regiunea n. n felul acesta, apare n regiunea de separare un cmp electric, care are o
astfel de intensitate nct mpiedic difuzia ulterioar de purttori. Electronii care au
trecut n regiunea p sunt n minoritate fa de goluri, de aceea ei au fost numii
purttori minoritari, iar ultimii - purttori majoritari. Rolul lor este inversat n
regiunea n.
S vedem cum se poate fabrica o jonciune [4, 14]. Vom prezenta dou procedee:
a) jonciunea format prin aliere i b) jonciunea format prin difuzie. Pentru
jonciunea aliat se pune o bucic de metal trivalent (aluminiu de exemplu) pe o
lam de germaniu sau siliciu de tip n (fig.1.20.a). Se nclzete sistemul pn se
topete metalul, formndu-se o pictur care nu se mprtie datorit tensiunii
superficiale (fig.1.20.b). Din lichid, o parte din atomii metalului trivalent intr n
reeaua semiconductorului formnd un strat de tip p. Contactele sunt asigurate ntre
baza inferioar pe care s-a depus un strat metalic care asigur un contact ohmic i
metalul solidificat de pe suprafaa exterioar (fig.1.20.c). Pentru tipul al doilea se
depune prin evaporare n vid o impuritate trivalent pe suprafaa unui
semiconductor de tip n (fig.1.20.d). Prin nclzire, impuritatea difuzeaz formnd
jonciunea p-n (fig.1.20.e).

Fig.1.19. Explicativ privind fenomenele specifice unei jonciuni p-n

Fig.1.20. Procedee de formare a jonciunilor
Apariia cmpu1ui electric de baraj n zona jonciunii p - n indic imediat
posibilitatea folosirii ei ca redresor. O jonciune poate fi alimentat n sens direct
(polarizat n sens direct) cnd polul (+) al sursei de tensiune se afl pe regiunea
(p), iar cel negativ pe regiunea (n) (fig.1.21), sau n sens invers, cnd polaritatea
alimentrii este schimbat. Prin aplicarea cmpului electric n sens direct are loc o
micorare a barierei de potenial ntre cele dou regiuni, deoarece cmpul extern are
sens invers cmpului de baraj i uureaz micarea electronilor din regiunea n n
regiunea p, respectiv a golurilor spre regiunea n i deci curentu1 poate trece.
Cmpul aplicat n sens invers are acelai sens cu cmpul de baraj i deci mpiedic
micarea purttorilor.

Fig.1.21. Aciunea de redresare
a unei jonciuni p-n
Ne putem imagina acum c o jonciune poate juca rolul unei diode n curent
alternativ, regiunea p fiind echivalentu1 anodului, iar regiunea n - rolul catodului.
Se pune problema dac prin aplicarea tensiunii n sens invers dioda poate suporta
orice tensiune. Rspunsul este negativ. S analizm caracteristica tensiune-curent a
unei diode semiconductoare (fig.1.22). Cnd V > 0 (polarizare direct), intensitatea
curentului crete rapid la variaii mici ale tensiunii. Astfel ntr-o jonciune p-n cu
germaniu, pentru o tensiune de 0,1 [V] pe jonciune, densitatea de curent atinge
100 [mA/cm
2
].

Fig.1.22. Caracteristica tensiune-curent a unei diode semiconductoare
Cnd tensiunea are semnul schimbat (polarizare invers) curentul este slab,
atingnd o valoare de saturaie. Pentru aceeai diod, la 100 [V] densitatea de curent
este de 0,5 [mA/cm
2
]. La o anumit valoare a tensiunii are loc strpungerea diodei.
Deci o diod semiconductoare nu suport tensiuni inverse orict de mari am dori !

Fig.1.23. Scheme electrice cu diode semiconductoare
Modul de alimentare a unei diode este indicat n fig.1.23.a i b. Un montaj
de redresare a ambelor alternane, folosit n mod curent, conine 4 diode dispuse
ntr-o punte cu 4 ramuri (fig.1.23.c). Tensiunea alternativa este aplicat ntre dou
puncte opuse (A i B). ntr-o alternan n care A este pozitiv, curentul trece de la A
la C, prin circuitul exterior revine la D, apoi la B i de aici la surs. n cealalt
alternan, curentul pleac din B, trece prin C, prin circuitul exterior, prin D i A i
din nou la surs.


Capitolul 2
MATERIALE ELECTROIZOLANTE
2.1. Generaliti. Clasificare, descriere i utilizare
La realizarea unui produs electrotehnic se utilizeaz materiale electroizolante
pentru izolarea circuitelor electrice ntre ele, pentru izolarea circuitelor electrice fa
de cele magnetice, precum i a prilor magnetice i electrice fa de carcase.
n timpul funcionrii mainilor, aparatelor, instalaiilor electrice n general,
materialele electroizolante sunt supuse la solicitri: electrice, termice, mecanice,
chimice, fizice etc. Dac aceste solicitri depesc anumite limite ele determin
nrutirea proprietilor materialelor. Deoarece efectele solicitrilor sunt cumulative,
rezult c durata de funcionare a materialelor electroizolante i implicit a produsului n
componena cruia intr aceste materiale este limitat.
Avnd n vedere cele precizate anterior, putem afirma c materialele
electroizolante determin fiabilitatea oricrui produs electrotehnic. De asemenea,
prin nivelul proprietilor pe care le posed materialele electroizolante determin i
performanele produselor electrotehnice, reprezentnd prin urmare un factor de
importan tehnic i economic major.
Dei se cunosc foarte multe tipuri de materiale electroizolante, sunt relativ
puine cele care suport n mod corespunztor toate tipurile de solicitri.
Datorit acestui fapt, alegerea materialelor electroizolante, pentru un produs
electrotehnic, este n general o problem dificil cu largi implicaii tehnice i
economice. Alegerea materialelor electroizolante impune o cunoatere temeinic a
tuturor proprietilor lor, precum i a compatibilitii reuniunii lor ntr-un sistem de
izolaie dat.
Prin sistem de izolaie nelegem totalitatea materialelor electroizolante care
intr n componena unui produs electrotehnic.
Cteva clasificri ale materialelor electroizolante au fost prezentate n Cap.1.
Aceste clasificri au mai mult un caracter didactic (rareori izolaiile utilizate au un
singur component) i se vor utiliza n continuare pentru a scoate n eviden (ndeosebi
n cadrul materialelor solide) anumite proprieti specifice unor grupe de materiale [15].
Pe lng cele amintite anterior, se mai fac clasificri n funcie de componenta
principal a materialului finit (mica, rina sintetic, lacul etc.), de domeniul de
utilizare (izolaie de cresttur, ntre straturi, materiale de impregnare, de acoperire
etc.), dup anumite considerente practice (definite prin Enciclopedia materialelor elec-
troizolante), dup comportarea la solicitri termice (n termoplasice i termorigide) etc.
2.1.1. Materiale electroizolante gazoase
n funcie de natura i caracteristicile lor (vezi tabelul 2.1), gazele se utilizeaz
ca izolani electrici, ca medii de rcire, ca medii de protecie mpotriva coroziunii etc.
Tabelul 2.1.Caracteristici generale ale gazelor
Gazul
Raza moleculei
[]
Indicele de
refracie
Permitivitatea
relativ
r
la 293
[K] i 1 [atm]
Heliu
Hidrogen
Oxigen
Argon
Azot
Bioxid de carbon
Etilen
1,12
1,35
1,82
1,83
1,91
2,30
2,78
1,000035
1,00014
1,00027
1,000275
1,00030
1,00050
1,00065
1,000072
1,00027
1,00055
1,00056
1,00060
1,00098
1,00138

AERUL. Ca izolant sau impuritate, aerul se afl n toate schemele de izolaie
ale instalaiilor electrice. Proprietile sale dielectrice sunt satisfctoare pentru
cmpuri electrice mai puin intense. Rigiditatea dielectric a aerului depinde de
umiditatea, temperatura i presiunea la care se afl i ia valori foarte mari n cazul
presiunilor nalte sau foarte reduse. Aceast caracteristic determin utilizarea
aerului n construcia condensatoarelor, a ntreruptoarelor de .T. (cu vid sau cu aer
comprimat) etc.

HIDROGENUL. Datorit valorilor mari ale conductivitii termice, cldurii
specifice i coeficientului de transmisie a cldurii, precum i densitii sale reduse,
hidrogenul se utilizeaz ndeosebi ca mediu de rcire n construcia mainilor
electrice de puteri mari. Deoarece, n contact cu aerul, prezint pericol de explozie,
se iau msuri speciale pentru ca aerul s nu ptrund n interiorul mainii(prin
mrirea presiunii hidrogenului fa de presiunea mediului ambiant etc.). Faptul c
oxigenul nu ptrunde n interiorul mainii electrice determin i o mrire a duratei
de via a sistemului de izolaie.

GAZE ELECTRONEGATIVE. Combinaii clorurate i fluorurate, organice
sau anorganice, gazele electronegative prezint o mare afinitate pentru electroni i
rigiditate dielectric superioar celei a aerului. Cum reacioneaz foarte uor cu
electronii liberi dnd natere unor ioni negativi cu mas mare i deci, cu factor de
recombinare redus gazele electronegative se utilizeaz mai ales n construcia
ntreruptoarelor, ca mediu de stingere a arcului electric.
Hexafluorura de sulf (SF
6
) este un gaz inert, neinflamabil i stabil chimic
pn la 100C. Este de cinci ori mai greu dect aerul, are conductivitate termic mai
mare, vscozitate mai redus i cldur specific apropiat de cea a aerului. Datorit
sulfului pe care-l conine, SF
6
atac materialele active din instalaiile electrice (Cu,
Al, Fe).

Fig. 2.1 Variaia tensiunii de strpungere cu distana dintre electrozi pentru aer (1) i
hexaflorur de sulf (2) la frecven de 50 [Hz] i la temperatur de 20 [C].
Rigiditatea dielectric a SF
6
este cuprins ntre 6,72 i 7,04 [MV/m] i variaz
mai puin cu distana dintre electrozi d dect n cazul aerului (fig.2.1). Pentru valori
ale lui d mai mari de 25 mm tensiunea de strpungere U
str
este mai mare n c.c.
dect la frecven industrial; n cmp uniform este proporional cu presiunea, iar
n cmp neuniform scade dac presiunea depete 1 atm. Tensiunea de apariie a
efectului Corona este mai mare dect n cazul aerului. Aceasta prezint o mare
importan, ntruct sub aciunea descrcrilor Corona ca, de altfel i sub aciunea
arcului electric - SF
6
se descompune parial, aprnd produse toxice i corozive. Se
utilizeaz ca izolant i ca mediu de stingere a arcului electric n ntreruptoare de
.T., ca izolant i mediu de rcire n transformatoare, n construcia unor instalaii
speciale (condensatoare i transformatoare speciale, acceleratoare de particule,
microscoape electronice etc.).
Perfluorcarbonii sunt compui fluorurai ai metanului, etanului i propanului
de tipul perfluorpropan (C
3
F
6
), perfluorbutan (C
4
F
10
) sau octafluorciclobutan (c-
C
4
F
8
). Au stabilitate termic mai mare dect SF
6
(200250 [C]) i nu atac
materialele active (Cu, Al, Fe). Se utilizeaz n aparatele de .T. care funcioneaz la
temperaturi ridicate.
Diclordifluormetanul (CCl
2
F
2
) este neinflamabil, netoxic i cu rigiditate
dielectric apropiat de cea a hexafluorurii de sulf. Atac cauciucul i unele mase
plastice. Are temperaturi de fierbere sczute (-28 [C]), motiv pentru care nu se folo-
sete n instalaii exterioare. Se utilizeaz n construcia frigiderelor cu compresiune.
ALTE GAZE. Azotul-se utilizeaz n condensatoare i transformatoare cu ulei
(pentru evitarea oxidrii i ptrunderii umiditii n izolaii), n cablurile cu izolaii
din hrtie impregnat cu ulei (la presiune nalt de utilizare 17 [atm] avnd
rigiditate dielectric de 5060 [MV/m], iar cldura specific i conductivitatea
termic apropiate de cele ale aerului), la fabricarea lmpilor cu incandescen (n
amestec cu argonul) etc.
Bioxidul de carbon are solubilitate foarte mare n ulei mineral (de 10 ori
mai mare dect cea a aerului). Se utilizeaz ca preimpregnant pentru transformatoare i
cabluri cu ulei sub presiune, pentru umplerea cuvelor transformatoarelor n vederea
transportrii acestora etc.
n afara gazelor amintite mai sus, se mai utilizeaz amoniacul i clorura de
metil (pentru frigidere cu absorbie), argonul, neonul i heliul (pentru lmpi cu
incandescen sau cu descrcri n gaze) etc.
2.1.2 Materiale electroizolante lichide
Din aceast grup fac parte uleiurile electroizolante naturale (uleiul mineral,
de ricin) i sintetice (clorurate, fluorurate, siliconice), precum i diferite
hidrocarburi utilizate ca solveni pentru lacurile electroizolante.
ULEIUL MINERAL. Uleiurile minerale se obin prin distilarea ieiului (dup
separarea produselor uoare: benzen, white-spirt, petrol etc.), urmat de o rafinare
prin tratare cu acid sulfuric. Din punct de vedere chimic, uleiul mineral este un
amestec de hidrocarburi naftenice (>60%, acestea fiind foarte stabile i cu punct de
congelare sczut), aromatice (<30%, deoarece conin un numr mare de atomi de
carbon care se elibereaz sub aciunea arcului electric, reducnd proprietile
uleiului) i parafinice (<30%, deoarece au punct de congelare ridicat i determin o
cretere a vscozitii uleiului), proprietile sale depinznd att de compoziia
chimic, ct i de condiiile de exploatare. Uleiuri minerale sunt: uleiul de
transformator, uleiul de cablu i uleiul de condensator.

ULEIUL DE TRANSFORMATOR. Se utilizeaz n transformatoare (ca
electroizolant i mediu de rcire) i n ntreruptoare de nalt tensiune (ca
electroizolant i mediu de stingere a arcului electric). Fiind nepolar, are
permitivitatea relativ redus (2,22,4) i puin variabil cu temperatura (fig. 2.2)
i frecvena. n schimb, factorul de pierderi crete sensibil cu temperatura datorit
creterii conductivitii electrice (fig. 2.3). Creterea temperaturii determin, de
asemenea (prin mrirea vitezei de oxidare i a vitezei de solubilitate i emulsionare
a apei) i o variaie a rigiditii dielectrice (fig. 2.4). La temperaturi ridicate, fierul i
plumbul, reacioneaz chimic cu uleiul, iar cuprul i cadmiul constituie catalizatori
ai descompunerii sale. Pregtirea probelor pentru msurarea caracteristicilor uleiului,
precum i metodele de ncercare sunt normalizate.

Fig. 2.2 Variaia
permitivitii relative a
uleiului de transformator
(pur) cu temperatura.

Fig. 2.3 Variaia factorului
de pierderi tg cu
temperatura pentru ulei de
transformator.

Fig. 2.4 Variaia rigiditii dielectrice cu
temperatura pentru diferite sorturi de ulei
de transformator, caracterizate prin
valoarea maxim admisibil a cmpului
electric n exploatare:
1-E
max
= 20

m
MV
; 2-E
max
= 16

m
MV
;
3-E
max
= 12

m
MV
; 4-E
max
= 8

m
MV
.

ULEIUL DE CABLU I DE CONDENSATOR. O caracteristic funda-
mental a uleiului de cablu o constituie vscozitatea. Astfel, vscozitatea sa
cinematic este apropiat de cea a uleiului de transformator n cazul cablurilor cu
ulei sub presiune i mult mai mare n cazul cablurilor cu gaz sub presiune sau a
celor izolate cu hrtie impregnat. Uleiul utilizat pentru impregnarea hrtiei trebuie
s fie foarte fluid la temperatura de impregnare (130[C] ) i s aib o vscozitate
mare la temperatura de exploatare (4050 [C]). Din acest motiv el se amestec cu
colofoniu (10%) n cazul impregnrii hrtiei - sau cu poliizobutilen n cazul
cablurilor cu gaz sub presiune.
Uleiul de condensator are un grad nalt de rafinare, pierderi dielectrice reduse
(tg =10
-4
..10
-3
), rezistivitate ridicat ( >10
11
[m]) i se utilizeaz n construcia
condensatoarelor de capaciti mari.

MBTRNIREA ULEIULUI MINERAL. Dintre factorii care favorizeaz
mbtrnirea uleiului mineral se remarc n mod deosebit oxigenul, temperaturile
ridicate, cmpul electric, arcul electric, lumina, unele metale etc. Astfel, oxigenul
formeaz cu hidrocarburile componente ale uleiului acizi liberi sau legai care
corodeaz metalele i nrutesc caracteristicile izolaiei aflate n ulei. Temperaturile
ridicate favorizeaz reaciile chimice de descompunere a uleiului. Arcul electric
descompune uleiul n produse gazoase (hidrocarburi i H
2
), lichide (ap) i solide
(negru de fum). Sub aciunea cmpului electric moleculele uleiului disociaz,
rezultnd apoi produse insolubile n ulei. Metalele constituie catalizatori ai reaciilor
de descompunere a uleiului.
Produsele insolubile n ulei (gudroanele) nu modific proprietile eseniale
ale acestuia; ele se depun ns pe suprafeele nfurrilor i ale cuvelor ngreunnd
procesul de rcire a transformatoarelor. Produsele de descompunere gazoase i
lichide afecteaz profund caracteristicile dielectrice ele uleiului: rezistivitatea i
rigiditatea dielectric scad iar permitivitatea i factorul de pierderi cresc cu peste un
ordin de mrime (fig.2.5). Printre criteriile care caracterizeaz mbtrnire uleiului
mineral se afl: indicele de aciditate, factorul de pierderi, rezistivitatea, rigiditatea
dielectric, temperaturile de inflamabilitate i congelare, vscozitatea etc., ale cror
valori nu trebuie s depeasc anumite limite (STAS 811-72).
Fig.2.5 Variaia rezistivitii
V
cu
temperatura pentru ulei foarte pur (1)
i ulei aflat n exploatare (2)
NTREINEREA ULEIULUI MINERAL. ntreinerea uleiurilor const n
protejarea lor mpotriva umiditii i oxidrii, curirea, uscarea i regenerarea celor
cu grad de mbtrnire ridicat. n acest sens, se utilizeaz mai multe metode. Astfel,
pentru eliminarea contactului direct dintre ulei i oxigenul i umiditatea din
atmosfer se utilizeaz perne de azot (ndeosebi pentru transformatoarele de puteri
mari ), iar pentru reducerea coninutului de ap i compui insolubili se utilizeaz
filtre ncrcate cu silicagel, oxid de aluminiu, bauxit sau ali absorbani.
Prin introducerea unor substane antioxidante se mpiedic desfurarea
procesului de oxidare (adic se ntrzie formarea primilor peroxizi sau, dac acetia
exist, ei sunt transformai n compui neduntori) i se reduce aciunea catalitic a
metalelor (fig.2.6).
Fig.2.6 Creterea aciditii
(mbtrnirea) uleiului de
transformator n timp: 1- ulei
fr antioxidani; 2- ulei cu
amidopirin.
Printre aditivii antioxidani cei mai utilizai se remarc paraoxidifenilamina,
dimetilaminofenildimetil pirazolan (amidopirin) etc.
Dac n procesul de exploatare, caracteristicile uleiului s-au redus sub limitele
admisibile, acesta se supune unui proces de purificare i regenerare. Purificarea
ncepe cu decantarea, n decursul creia are loc depunerea apei i impuritilor
mecanice cu greutate molecular mare. Urmeaz apoi centrifugarea (pentru
eliminarea impuritilor cu greutate specific superioar uleiului), filtrarea (pentru
reinerea impuritilor mici, apei, negrului de fum etc.) i uscarea prin pulverizarea
n vid (pentru eliminarea vaporilor de ap). Prin regenerare se nltur i acele
produse rezultate n procesul de mbtrnire care rmn n urma purificrii
(hidrocarburi nesaturate, acizi etc. ). Pentru aceasta se utilizeaz metode similare
celor de rafinare, adic tratarea cu hidroxid de potasiu, acid sulfuric i pmnturi
absorbante (argil, diatomit, bauxit, silicagelul, oxizi i silicai de aluminiu etc.).

ULEIURI SINTETICE. Uleiurile sintetice tind s nlocuiasc uleiurile
minerale care, dei au proprieti dielectrice foarte bune, prezint deficiene
importante n exploatare: inflamabilitate i pericol de explozie, tendin de oxidare,
mbtrnire rapid etc. Dup natura chimic, uleiurile sintetice se grupeaz n uleiuri
clorurate, fluorurate i siliconice.
Uleiurile clorurate sunt derivai ai hidrocarburilor aromatice de tipul
benzenului sau difenililor clorurai cel mai utilizat fiind pentaclordifenilul
(C
6
H
3
Cl
2
-C
6
H
2
Cl
3
) i poart diferite denumiri comerciale: askareli, sovol, clophen.
Sunt substane polare, neinflamabile, cu stabilitate chimic mare i care nu se
oxideaz. Se descompun sub aciunea arcului electric, dezvoltnd carbon i gaze
neinflamabile, dar toxice i corosive (HCl). Atac lacurile pe baz de uleiuri vegetale,
dar sunt compatibile cu rinile fenolice, poliuretanice, epoxidice, celulozice etc. Au
vscozitatea superioar celei a uleiului mineral, dar absorbie de ap mai redus.
Proprietile uleiurilor clorurate depind, n mare msur, de numrul atomilor
de Cl din molecule. Astfel, creterea coninutului de Cl determin nu numai o
cretere a temperaturii de congelare pn la +12 [C] (i deci, a vscoziti uleiului)
ci i o variaie important a caracteristicilor sale dielectrice, ndeosebi a permi-
tivitii i factorului de pierderi. Factorul de pierderi depinde, de asemenea, de
coninutul substanelor dizolvate n ulei i de temperatur. Se utilizeaz n cons-
trucia transformatoarelor (fiind neinflamabile i cu E
str
mare), condensatoarelor cu
hrtie (avnd
r
mare) etc.
Uleiurile fluorurate (hidrocarburi fluorurate, perfluoramine, eteri ciclici i
esteri fluorurai, derivai vinilici fluorurai etc.) au temperatura de fierbere mai
sczut dect a uleiurilor clorurate, caracteristici dielectrice superioare i absorbie
de ap redus. Nu ard i nu prezint pericol de explozie. Nu produc gaze toxice i
nu atac izolanii cu care vin n contact. Fiind foarte scumpe se utilizeaz doar n
ntreruptoare i transformatoare care funcioneaz n condiii speciale.
Uleiurile siliconice (dimetilsiloxani liniari nereticulai) au proprieti
dielectrice asemntoare uleiului mineral, absorbie de ap redus i temperatur de
inflamabilitate ridicat (350475[C]). Permitivitatea lor crete cu vscozitatea i
scade cu temperatura, iar tg crete cu vscozitatea, temperatura i frecvena. Se
utilizeaz n construcia transformatoarelor speciale, pentru ungerea mecanismelor
din mase plastice, a matrielor pentru turnarea rinilor sintetice etc.
2.1.3. Materiale electroizolante solide
2.1.3.1. Materiale organice micromoleculare
CERURI I SUBSTANE CEROASE. Cerurile sunt materiale cristaline cu
proprieti dielectrice foarte bune i higroscopicitate mic, dar cu rezisten
mecanic, temperatur de topire i conductivitate termic reduse. De asemenea, au
contracie la rcire mare i sunt solubile n uleiuri minerale i clorurate. Cerurile
naturale (ceara de albine, de carnauba, montan) sunt puin folosite n prezent, datorit
proprietilor lor mecanice i termice reduse. Mai des se utilizeaz substanele
ceroase, att cele nepolare (parafina, cerezina, ozocherita )- cu proprieti dielectrice
foarte bune ct i cele polare (uleiul de ricin hidrogenat, parafina i naftalina
clorurat) cu caracteristicile dielectrice mai slabe i dependente de temperatur.
Se utilizeaz la fabricarea maselor de impregnare pentru conductoare, a maselor de
umplere a manoanelor cablurilor i cutiilor terminale, la impregnarea condensa-
toarelor etc.

BITUMURI I ASFALTURI. Bitumurile sunt amestecuri amorfe de
hidrocarburi care conin, n cantiti reduse, oxigen i sulf. Cele sintetice se obin
prin distilarea produselor petroliere, iar cele naturale asfalturile - provin din
zcminte nvecinate cu cele de iei. Bitumurile au contracie mare la rcire, sunt
fragile la temperatura camerei, insolubile n ap i alcooli i solubile n hidrocarburi
aromatice, uleiuri i benzin. Temperatura de nmuiere variaz ntre 50 i 150 [C]
i crete cu coninutul de sulf. Se utilizeaz la fabricarea lacurilor de impregnare, a
compoundurilor, a unor produse pe baz de mic, ca mase de umplere etc.
2.1.3.2. Materiale organice macromoleculare
RINI NATURALE. Rinile naturale sunt amestecuri complexe de acizi
rinoi i hidrocarburi cu proprieti dielectrice foarte bune, dar caracteristici
mecanice i termice reduse. ellacul se prezint sub form de solzi, este solubil n
alcooli i benzen i are temperatura de nmuiere foarte redus (50-60[C]). Aceasta
poate fi ns mrit printr-o tratare termic: 30 de ore la 100[C]. nclzit la 200[C]
devine termorigid. Se utilizeaz ca baz pentru lacuri de lipire, emailare etc.
Colofoniul se obine din rini de conifere. Se dizolv greu n ulei (la 300-350[C]),
dar este solubil n benzen, aceton etc. Se utilizeaz la fabricarea masei galbene (cu
ulei de cablu), la umplerea manoanelor i cutiilor terminale ale cablurilor etc.
Chihlimbarul prezint valori foarte mari ale duritii, rezistivitii de volum i de
suprafa. Se utilizeaz n construcia aparatelor de msur de mare precizie
(electrometre etc.).

RINI SINTETICE. Datorit proprietilor electrice i mecanice deosebite,
precum i a prelucrabilitii lor uoare, rinile sintetice prezint cele mai diverse
aplicaii industriale. Aflndu-se n numr foarte mare i cu caracteristici foarte
diferite, ele se clasific n mai multe moduri (fig.2.7). Astfel, n funcie de tipul
reaciei chimice de obinere, rinile sintetice se clasific n rini de polimerizare,
de policondensare i de poliadiie, clasificare care are o importan mai mult
didactic. inndu-se seama de proprietile termomecanice rinile sintetice se
clasific n rini termoplastice i termorigide. n funcie de caracterul polar sau
nepolar al moleculelor, rinile sintetice se mpart n rini polare i nepolare.
Aceast ultim clasificare este important pentru evidenierea proprietilor
dielectrice ale rinilor. Astfel, rinile nepolare sunt caracterizate prin valori mici
(i care variaz puin cu temperatura i frecvena) ale permitivitii i factorului de
pierderi dielectrice. Dimpotriv, n cazul rinilor polare, permitivitatea i factorul
de pierderi au valori mari i care se modific foarte mult cu temperatura i frecvena.
Rini
sintetice
Rini de
polimerizare
Rini de
policondensare
Rini de
poliadiie
Termoplaste Termoplaste Termorigide Termoplaste Termorigide
Polistiren
Polietilen
Polipropilen
Rini vinilice
Fluoroplaste
Rini acrilice
Poliamide
Poliesteri cu
molecule
liniare
Policarbonai
Poliesteri
nesaturai
(devin
termorigizi
prin adaos de
stiren)
Fenoplaste
Aminoplaste
Poliesteri cu
molecule
spaiale
(rini
alchidice)
Poliuretani cu
molecule
liniare
Poliuretani cu
molecule
spaiale
Rini
epoxidice

Fig.2.7. Clasificarea rinilor sintetice.
2.1.3.3. Celuloza i derivaii si
Celuloza este foarte mult utilizat n electrotehnic, ndeosebi sub form de
hrtii, cartoane, fire i esturi. Este ieftin, uor prelucrabil, dar higroscopic i cu
proprieti variabile n timp.
Hrtia de cablu are densitate mic (pentru a se putea impregna), rezisten la
traciune i sfiere mare, factor de pierderi redus i rigiditate dielectric mare. Se
utilizeaz la izolarea cablurilor de energie, a conductoarelor de bobinaj etc. Hrtia
Kraft se obine prin procedeul sulfat (lemnului de conifere i se adaug sod
caustic, sulfur i sulfat de sodiu) i are proprieti mecanice, dielectrice i termice
foarte bune. Hrtia de condensator este mai omogen, subire, dens, cu rigiditate
dielectric, permitivitate i rezistivitate electric mari i pierderi dielectrice reduse.
Se utilizeaz (impregnat) ca dielectric pentru condensatoare. Hrtia japonez, cu
fire lungi i rezisten mecanic mare, se utilizeaz ca suport pentru produsele pe
baz de mic. Cartonul electrotehnic (prepanul) este alctuit din straturi de hrtie
foarte fin, presate n stare umed. Are proprieti mecanice bune, este rezistent la
aciunea uleiului i se utilizeaz ca izolaie de cresttur, la izolarea transforma-
toarelor etc. Firele i esturile se obin din bumbac, mtase natural sau artificial
i se utilizeaz la izolarea conductoarelor, a bobinelor pentru maini i aparate
electrice, a stratificatelor, a tecilor izolante (tuburi linoxinice) etc.
2.1.3.4. Cauciucuri i elastomeri
Cauciucurile sunt materiale cu elasticitate mare care, sub aciunea unor fore
mecanice (exterioare) se deformeaz, dar i recapt dimensiunile iniiale odat cu
anularea acestor solicitri. n stare tensionat ele prezint tendin de cristalizare.
Elastomerii sunt polimeri cu fore intermoleculare slabe: se deformeaz cu uurin,
dar revenirea la starea iniial se face foarte ncet. n stare tensionat acetia nu
prezint tendin de cristalizare.
Cauciucul natural. Este un polimer natural al izoprenului, cu grad de poli-
merizare cuprins ntre 2000 i 4000. Are proprieti dielectrice foarte bune dar
caracteristici mecanice i termice reduse. Coninutul de sulf poate varia ntre 4%
(pentru cauciuc moale) i 45% (pentru ebonit). Cauciucul natural este atacat de
oxigen i ozon; pentru diminuarea aciunii acestora se introduc antioxidani (fenoli,
amine i fosfai aromatici), respectiv materiale parafinoase sau bituminoase. Intro-
ducerea sulfului, negrului de fum antioxidanilor etc. produce ns o nrutire a
caracteristicilor dielectrice: permitivitatea i pierderile dielectrice cresc, iar
rigiditatea dielectric i rezistivitatea de volum scad. Se utilizeaz la realizarea
conductelor electrice flexibile, a cablurilor pentru instalaii de interior, a benzilor
adezive etc. la tensiuni joase i n medii care nu conin ulei mineral, solveni
oxigenai sau halogenai etc.
Cauciucuri sintetice. Au caracteristici dielectrice mai slabe dect ale
cauciucului natural, dar au proprieti termice i mecanice superioare i o rezisten
mai bun la aciunea solvenilor, uleiurilor etc. Din aceast categorie fac parte
cauciucurile pe baz de butadien i cauciucurile din poliacrilai.
2.1.3.5. Materiale siliconice
Materialele siliconice sunt compui organici ai siliciului i se obin prin
completarea valenelor libere ale lanului siloxanic cu radicali organici (metil, etil,
fenil etc.). Prin urmare, proprietile lor mbin caracteristicile electrice foarte bune
ale materialelor organice cu stabilitatea chimic i termic mare care caracterizeaz
materialele anorganice. Pot funciona la temperaturi ridicate (200 [C]), sunt
neinflamabile, nehigroscopice, nu dezvolt gaze toxice i ader la suprafeele
metalice. n funcie de structura lor molecular, siliconii se prezint sub form de
uleiuri sau unsori (molecule scurte), cauciucuri (molecule liniare cu puni de
legtur rare) i rini (molecule spaiale sau reele moleculare).
Rinile siliconice sunt materiale termorigide, nehigroscopice, greu inflamabile,
cu rezisten mare la aciunea curenilor de scurgere pe suprafa i cu bune proprieti
dielectrice. Se utilizeaz la fabricarea lacurilor de acoperire (pentru esturi de
azbest sau sticl, produse pe baz de mic etc.) a lacurilor de lipire (pentru stratificate
etc.), a lacurilor de impregnare( pentru condensatoare, stratificate etc.), a lianilor
pentru mase plastice presate cu umplutur anorganic etc. O larg utilizare au
rinile siliconice n realizarea sistemelor de izolaie ale mainilor electrice de puteri
mari i tensiuni nalte (avnd rezisten mare la aciunea descrcrilor pariale),
precum i a celor cu regim greu de lucru (pentru laminoare, macarale, traciune
etc.). n aceste cazuri, se utilizeaz benzi din estur de sticl, hrtie de mic (sau
mic foi) i liant siliconic, cu proprieti termo-mecanice foarte bune, dar ale cror
proprieti electrice variaz cu temperatura i intensitatea cmpului electric.
Siliconii se mai utilizeaz i ca adaos n compoziiile de presare (pentru evitarea
lipirii pieselor de matrie), ca aditiv pentru cauciucuri sintetice, la fabricarea
compoundurilor etc.
2.1.3.6. Materiale anorganice
Materialele anorganice joac un rol determinant n realizarea sistemelor de
izolaie pentru clasele F, H i C. ntr-adevr, ele pot fi utilizate la temperaturi de
peste 200 [C] (fr a-i schimba caracteristicile), nu se oxideaz i nu se
carbonizeaz sub aciunea arcului electric (nu las, deci urme conductoare). Sunt
rezistente la aciunea radiaiilor i microorganismelor, iar unele dintre ele au i
higroscopicitate sczut. Au proprieti mecanice inferioare materialelor organice,
dar sunt mai rezistente la descrcri pariale. Rezistivitatea de volum variaz ntre
10
8
i 10
15
[m] , permitivitatea relativ ntre 3,5 i 20, factorul de pierderi ntre 10
-4

i 10
-2
, iar rigiditatea dielectric ntre 3 i 200 [MV/m]. Avnd caracteristici
mecanice reduse (reziliena, rezistena la traciune etc.) materialele anorganice se
utilizeaz, de obicei, mpreun cu materialele organice.
Mica i produse pe baz de mica. Mica este un material cristalin care face
parte din grupa silicailor de aluminiu. Varietile cele mai utilizate de mic sunt
muscovitul i flogopitul. Structura micei este foarte complex i const din straturi
elementare de atomi de siliciu (aflai n centrul unor tetraedre din atomi de oxigen)
i aluminiu, legai prin atomi de oxigen sau atomi de oxigen i grupe -OH. ntre
straturile elementare, legturile sunt asigurate prin atomi de potasiu i grupe -OH.
Forele de legtur n lungul straturilor fiind mult mai puternice dect cele
corespunztoare atomilor de potasiu, straturile se desfac cu uurin unele de altele,
adic mica cliveaz. Proprietile dielectrice ale micei - foarte bune n cazul
direciilor perpendiculare pe straturi - scad n lungul planurilor de clivaj, datorit
mobilitii mari a atomilor de potasiu i radicalilor -OH (
v
=10
6
... 10
8
[m],
tg = 0,002 etc.). Ele se modific, de asemenea, cu temperatura i frecvena.
Rigiditatea dielectric depinde ndeosebi de grosimea straturilor i de coninutul de
defecte ale materialului, ajungnd pn la 700 [MV/m]; uzual ns nu se depete
25 [MV/m]. Mica este inert din punct de vedere chimic i are o mare rezisten la
aciunea descrcrilor pariale. Are stabilitate termic foarte ridicat.
Sticlele. Sticlele anorganice sunt materiale termoplaste obinute din oxizi de
siliciu, bor sau fosfor, la care se adaug - pentru obinerea unor proprieti speciale -
oxizi de calciu, aluminiu, plumb, sodiu, potasiu etc. (vezi tabelul 2.2). Structural,
ele sunt constituite din cristalite cu o structur cristalin perfect desprite de
regiuni amorfe.
Tabelul 2.2. Compoziia i utilizarea sticlelor anorganice
Substane Formula chimic Coninut [%] Utilizri
Bioxid de siliciu SiO
2
72
Oxid de calciu CaO 10,3
Oxid de aluminiu Al
2
O
3
1
Oxid de magneziu MgO 2,8
Oxid de sodiu Na
2
O 13,5
Trioxid de sulf SO
3
0,4
Izolatori de nalt
tensiune
Bioxid de siliciu SiO
2
55
Oxid de aluminiu Al
2
O
3
25
Oxid de fier Fe
2
O
3
<0,05
Oxid de calciu CaO foarte redus
Oxid de bor B
2
O
3
foarte redus
Oxid de bariu BaO foarte redus
Lmpi cu vapori
de mercur
Oxid de bariu BaO 32
Oxid de bor B
2
O
3
30
Oxid de aluminiu Al
2
O
3
25
Oxid de sodiu Na
2
O foarte redus
Oxid de potasiu K
2
O foarte redus
Lmpi cu vapori
de sodiu
Bioxid de siliciu SiO
2
>70
Oxid ce bor i alte
componente
B
2
O
3
15
Redresoare cu
vapori mercur,
tuburi catodice
Bioxid de siliciu SiO
2
54,5
Oxid de aluminiu Al
2
O
3
14,5
Oxid de calciu CaO 22
Oxid de bor B
2
O
3
8,5
Oxid de sodiu Na
2
O 0,5
Fibre de sticl,
esturi

Ceramica electrotehnic. n funcie de domeniul de utilizare, se realizeaz
trei categorii de materiale ceramice: pentru instalaii (pe baz de caolin i steatit),
pentru condensatoare (pe baz de steatit i compui ai titanului) i pentru
temperaturi nalte (ceramic poroas). Ceramicele rezist foarte bine la aciunea
arcului electric i nu prezint fenomenul de mbtrnire.
Alte materiale anorganice. Azbestul. Cel mai utilizat material de azbest este
crizolitul. Are fibre de lungimi variabile (pn la zeci de [mm]), dar flexibile i la
temperaturi mai ridicate. La 350 400[C] i pierde apa de cristalizare, la 800[C]
devine pulverulent, iar la 1521[C] se topete. Rezistena la traciune a azbestului
este cuprins ntre 30 i 40 [MN/m
2
] , dar scade considerabil cu coninutul de
impuriti. Este foarte higroscopic, rezistivitatea sa (10
3
... 10
11
[m]) variind foarte
mult cu coninutul de umiditate i cu temperatura. Avnd rigiditatea dielectric
redus (circa 3,5 [MV/m]) i pierderi dielectrice mari, azbestul neimpregnat se
utilizeaz doar la tensiuni joase i frecvene industriale. Se obin fire (pentru
izolarea conductoarelor), esturi (pentru stratificate), benzi i hrtii (pentru izolarea
nfurrilor mainilor electrice, ca izolaie de cresttur etc.). Azbocimentul,
obinut din fire scurte de azbest i ciment, are rezisten mare la aciunea arcului
electric i a curenilor de scurgere pe suprafa i se utilizeaz pentru confecionarea
camerelor de stingere, a plcilor separatoare, a tablourilor de distribuie etc.
Roci electroizolante. Din grupa rocilor electroizolante fac parte marmura, ardezia
i talcul. Au o structur poroas, sunt higroscopice, casante i cu proprieti dielectrice
reduse. Prezint rezisten redus la aciunea acizilor i la ocuri termice. Au
temperatura de utilizare relativ redus (marmura: 110[C] ). Se utilizeaz doar la
tensiuni i frecvene joase: pentru confecionarea unor tablouri de distribuie, plci
de borne, suporturi pentru ntreruptoare sau reostate, la izolarea cablurilor (talcul) etc.
Oxizi metalici. Materialele electroizolante obinute prin sinterizarea oxizilor
de aluminiu (Al
2
O
3
) sau de magneziu (MgO) au structur cristalin, proprieti
mecanice i electrice foarte bune, conductivitate termic ridicat, rezisten la
temperaturi nalte (2000-3000[C]). Se prelucreaz ns foarte greu i sunt foarte
scumpe. Se utilizeaz ca dielectrici pentru condensatoare, la izolarea conductoarelor
electrice, la fabricarea bujiilor, a cuptoarelor electrice pentru temperaturi ridicate etc.
Materiale refractare. Rezist la temperaturi foarte nalte fr a se oxida sau a-
i modifica proprietile electrice i mecanice. Din aceast grup fac parte oxizii
metalici polivaleni, carburi, nitruri, boruri, sulfuri etc. Se utilizeaz la fabricarea
micei sintetice, a circuitelor integrate monolitice NMOS (nitrura de Si), a varistoarelor
(carbura de Si), a cermeilor (carbura de W, Ti, Cr), pentru reactorii nucleari (carbura de
B) etc.
2.1.3.7. Lacuri electroizolante
Lacurile sunt soluii coloidale ale rinilor sau uleiurilor n solveni organici.
Dup uscare ele formeaz, pe suprafaa materialelor pe care se aplic, pelicule
electroizolante. ntrirea are loc ca urmare a evaporrii solvenilor sau a unor
procese fizico-chimice (evaporarea solvenilor fiind urmat de reacii de oxidare, de
policondensare sau poliadiie).
Un lac este constituit dintr-o baz (substana care formeaz pelicula), un solvent
volatil (benzin, white-spirt, hidrocarburi aromatice, alcooli mono- i dihidroxilici,
eteri, esteri etc.) i materiale de adaos (sicativi, plastifiani, colorani etc.). n procesul
de dizolvare a bazei, micromoleculele solvenilor ptrund printre macromoleculele
rinii i le solvateaz, adic se leag de valenele libere ale acestora. ndeprtndu-
se unele de altele forele de legtur slbesc i macromoleculele se pot deplasa n
solvent. Se realizeaz astfel, dizolvarea rinii.
Lacurile electroizolante se clasific n funcie de domeniul de utilizare, de
compoziia chimic, de stabilitatea termic, de modul de uscare etc. Dup compoziia
chimic, lacurile electroizolante se mpart n lacuri uleioase (pe baz de uleiuri sicative),
lacuri oleobituminoase (pe baz de uleiuri sicative modificate cu bitumuri) i lacuri
rinoase (pe baz de rini naturale sau sintetice modificate). Dup modul de
utilizare, se grupeaz n lacuri de impregnare, de acoperire, de lipire i de emailare.
Lacuri de impregnare. Utilizate la impregnarea nfurrilor mainilor
electrice, lacurile le asigur acestora o rezisten mecanic superioar mpotriva
vibraiilor i a forelor electrodinamice, o transmisie mai bun a cldurii disipate n
nfurri (conductivitatea termic este mai mare dect a aerului), le protejeaz
mpotriva umiditii i a altor ageni chimici i le mbuntesc proprietile dielectrice
(rezistena de izolaie i tensiunea de strpungere fat de miezul feromagnetic cresc).
Pentru aceasta se utilizeaz lacuri cu bazele constituite din molecule mici i eventual
fr solveni, pentru ca ntrirea s se produc la temperaturi joase (120-130[C]), la
care izolaia conductoarelor nu se deterioreaz. Pentru impregnarea hrtiilor i
esturilor se utilizeaz, n general lacuri uleioase sau oleobituminoase.
Lacuri de acoperire. Protejeaz materialele electroizolante mpotriva agenilor
externi (umiditate, ageni chimici etc.), formnd pelicule cu permeabilitate sczut
la umiditate i vapori de ap i cu bune proprieti mecanice. Sunt lacuri cu uscare
n aer: gliptalice, epoxidice, poliuretanice, pe baz de celuloz, polistiren etc.
Lacuri de lipire. n aceast grup intr lacurile utilizate la fabricarea
produselor pe baz de mic (cu ellac, rini epoxidice, siliconice etc.), pentru
lipirea izolanilor solizi ntre ei sau pe metale (epoxidice) i cele utilizate la
fabricarea stratificatelor (considerate i ca lacuri de impregnare).
Lacuri de emailare. Peliculele formate de lacurile de emailare trebuie s adere
bine la suprafaa conductoarelor, s fie nehigroscopice, elastice (pentru evitarea
fisurilor) i cu bune proprieti dielectrice. Se utilizeaz lacuri uleioase (n
telecomunicaii), polivinilacetalice (pentru 50% din conductoarele emailate),
poliamidice, epoxidice, poliuretanice, tereftalice, siliconice etc.
2.1.3.8. Compounduri
Compoundurile sunt amestecuri de rini, uleiuri, ceruri sau bitumuri care se
nmoaie i se topesc cu uurin (tabelul 2.3). Aceste mase izolante (de impregnare,
de umplere sau de acoperire) ocup spaiile goale din sistemele de izolaie care
astfel devin mai compacte, mai rezistente la umiditate, cu conductivitate termic i
proprieti electrice mai bune etc. Cele mai utilizate sunt compoundurile ceroase (pe
baz de ulei hidrogenat, mas galben etc.) i bituminoase. Masa galben
(colofoniu + ulei mineral) prezint o importan deosebit pentru impregnarea
hrtiei pentru cabluri de tensiuni medii: colofoniul absoarbe hidrogenul (produs prin
descrcri pariale) din izolaia cablului, mpiedicnd apariia unor presiuni mari,
care ar mri volumul cavitilor i ar intensifica procesul de degradare a izolaiei.
Compoundurile bituminoase sunt nehigroscopice, au proprieti electrice foarte
bune i cost redus. Se utilizeaz amestecuri de bitum cu petrol sau asfalturi, bitum
cu colofoniu i ulei mineral etc. n domeniul frecvenelor nalte se utilizeaz
amestecuri de polietilen, cerezin, parafin, poliizobutilen etc.
Tabelul 2.3. Proprieti generale ale unor compounduri
M
a
t
e
r
i
a
l
u
l

Compo-
ziia
Vscozitatea
cinematic [E]
I
n
d
i
c
e
l
e

d
e

a
c
i
d
i
t
a
t
e

[
m
g

K
O
H
/
g
]

Rigiditatea
dielectric
[MV/m]
Utilizri
M
a
s


i
z
o
l
a
n
t


n
e
b
i
t
u
m
i
n
o
a
s


Colofoniu
i ulei
mineral
la 130[C] 6 0 > 12
Umplerea
manoanelor
cablurilor de
tensiuni pn la
20 [kV]
M
a
s


i
z
o
l
a
n
t


n
e
b
i
t
u
m
i
n
o
a
s


Ulei
mineral
colofoniu,
parafin,
ozocherit
la 120[C] 2 0 > 12
Umplerea
manoanelor
i acoperire a
cablurilor de
cureni slabi;
impregnarea hrtiei
de cablu etc.
C
o
m
p
o
u
n
d


b
i
t
u
m
i
n
o
s

d
e

i
m
p
r
e
g
n
a
r
e

Bitum,
colofoniu
i ulei de
in
_ max. 15 > 20
Impregnarea
nfurrilor
mainilor i
aparatelor electrice,
la cabluri,
condensatoare etc.
2.1.3.9. Produse pe baz de rini sintetice
Mase plastice presate. Pentru obinerea pieselor electroizolante cu proprieti
termomecanice bune i cost redus nu se utilizeaz rini pure, ci amestecuri de
presare constituite din rini (liani) i materiale de umplutur (organice sau anorga-
nice), la care se adaug plastifiani, colorani etc. Proprietile maselor plastice
presate depind de natura i coninutul rinii, al materialului de umplutur, al
plastifianilor etc.
Materialele de umplutur organice (esturi, rumegu de lemn etc.) reduc
greutatea i costul produselor, le mresc rezistena mecanic etc., iar cele
anorganice le mresc stabilitatea termic i chimic. Plastifianii (esteri uleioi)
necesari pentru buna desfurare a procesului tehnologic sunt materiale polare,
motiv pentru care masele plastice presate au proprieti dielectrice mai reduse dect
rina de baz. Se realizeaz: mase plastice pe baz de rini termoplastice, pe baz
de rini termoreactive (izotrope), armate cu fire de sticl (cu caracteristici mecanice
superioare) etc.
Mase plastice stratificate. Acestea se obin din straturi suprapuse de hrtie,
esturi sau furnir de lemn, impregnate cu rini termoreactive i lipite ntre ele (sub
aciunea presiunii i a cldurii). Sunt materiale anizotrope i cu higroscopicitate
ridicat. Proprietile lor depind n mare msur de natura i coninutul liantului
(bachelite, melamine, rini epoxidice, poliesterice, siliconice etc.), de natura
materialului impregnat (organic sau anorganic), de caracteristicile procesului tehnologic
etc. Caracteristicile dielectrice ale stratificatelor sunt mai reduse dect cele ale
rinilor pe care le conin i variaz destul de mult cu temperatura, frecvena i
umiditatea. Stratificatele pe baz de hrtie (pertinax, izoplac etc.) au proprieti
electrice bune i se utilizeaz la confecionarea tablourilor de distribuie, a suporturilor
pentru circuite imprimate, a pieselor izolante pentru transformatoare i ntreruptoare etc.
Cele pe baz de esturi de bumbac (textolit) au proprieti mecanice mai bune i se
utilizeaz n construcia pieselor izolante cu solicitri mecanice intense (roi dinate,
tije portperii, pene pentru maini electrice etc.). Stratificatele din esturi de sticl
(sticlotextolit) au proprieti electrice, termice i mecanice foarte bune i se
utilizeaz n schemele de izolaie ale mainilor de puteri mari, pentru camerele de
stingere a arcului electric etc. Cele pe baz de azbest (azbestit) prezint stabilitate
chimic i termic ridicat, dar proprieti dielectrice reduse i se utilizeaz pentru
confecionarea unor piese izolante care funcioneaz la temperaturi ridicate sau n
medii toxice.
Folii electroizolante. Sunt materiale omogene, cu suprafa neted i grosimi
care variaz ntre uniti i mii de m . Se obin din derivai ai celulozei (triacetat,
etilceluloz etc.) sau rini de polimerizare (polietilen, polistiren, polipropilen,
PVC, PTFE etc.) sau rini de policondensare termoplastice (poliamide, poliesteri,
poliimide, policarbonai), proprietile lor depinznd att de natura chimic a
materialelor de baz, ct i de caracteristicile proceselor tehnologice. Sunt materiale
flexibile cu absorbie de ap redus (PTFE etc.), rigiditate dielectric mare
(tereftalatul de polietilen, poliimidele), cu pierderi dielectrice reduse (polietilena,
polipropilena etc.). Se utilizeaz la izolarea conductoarelor, a cablurilor, a capetelor
de bobine, la fabricarea benzilor adezive, a circuitelor imprimate, a izolaiilor de
cresttur combinate (prepan hostafan - prepan, hostafan mic hostafan
etc.), a izolaiilor ntre straturi etc.
Fire i esturi. Firele se obin din substane organice cu moleculele liniare
(celuloz, rini sintetice etc.), sau anorganice (sticl, azbest etc.). Firele sintetice
(organice) se caracterizeaz prin valori foarte mari ale rezistenei la rupere prin
traciune; aceasta se datoreaz orientrii macromoleculelor n direcia firelor. Firele
de sticl se obin din borosilicai, sunt rezistente la ageni chimici i radiaii,
neinflamabile, cu absorbie redus de ap i stabilitate termic ridicat. Se utilizeaz
n general, impregnate la izolarea conductoarelor, la fabricarea esturilor etc.
esturile se obin din fire de diferite lungimi i compoziii chimice: bumbac,
mtase, poliamide, sticl, azbest etc. Proprietile lor dielectrice depind de natura
firelor, iar cele mecanice de caracteristicile fizico-chimice ale firelor, de parametrii
proceselor tehnologice etc. Se impregneaz sau se lcuiesc, obinndu-se esturi
galbene (impregnate cu ulei sicativ i rini sintetice), sau negre (impregnate cu ulei
sicativ i bitum), cu proprieti care depind i de caracteristicile lacurilor de
impregnare. Se utilizeaz la fabricarea stratificatelor, a benzilor adezive, a izolaiilor
compuse etc.
Materiale expandate (poroplaste). Sunt materiale cu structur poroas,
obinute (cu ajutorul unor substane care dezvolt gaze) din polietilen, polistiren,
PVC, poliuretani etc. Pot fi rigide, elastice sau plastice cu pori deschii sau nchii
(cu dimensiuni ntre 0,1 i 0,25 [mm]) i conductivitate termic variind ntre 30 i
40 [W/mK]. Se utilizeaz ca izolani electrici, termici, acustici, pentru amortizarea
oscilaiilor mecanice etc.
Deoarece materialele electroizolante prezint fenomenul de polarizare electric
ele se mai numesc i dielectrici. Pentru c exist i materiale semiconductoare (de ex.
feritele) care prezint fenomenul de polarizare trebuie precizat c prin dielectrici
vom nelege ntotdeauna, n cadrul acestei lucrri, numai un material electroizolant.
Proprietile materialelor electroizolante (dielectricilor) se pot grupa dup
natura lor n proprieti electrice i nelectrice.
Dei toate proprietile sunt importante n egal msur, este util cercetarea
cu precdere a proprietilor electrice pentru c:
- solicitrile electrice asupra dielectricilor prezint uneori efecte violente;
- solicitrile neelectrice devin duntoare ca urmare a solicitrilor electrice.
2.2. Proprietile neelectrice ale materialelor
electroizolante
Proprietile neelectrice caracterizeaz materialele din punct de vedere
mecanic, fizic, chimic i termic. n cadrul fiecrui grup de proprieti se definesc
mai multe mrimi care constituie msuri ale proprietilor respective din grup. n
domeniul utilizrii dielectricilor nu toate aceste mrimi prezint importan n egal
msur i de aceea sunt studiate mai ales cele care influeneaz n mod frecvent
comportarea materialului i care sunt specifice domeniului sau locului de aplicaie.
Dat fiind c definirea i modul de determinare a celor mai multe mrimi
neelectrice se efectueaz n cadrul altor discipline, se va restrnge aria acestor
aspecte n cele ce urmeaz.
2.2.1. Proprieti fizice
Acestea se refer la: densitate; porozitate; higroscopicitate i adsorbie. n
cazul dielectricilor poroi, densitatea se determin ca raportul ntre mas i volumul
total mai puin volumul porilor. Dac se noteaz masa corpului cu (m) n [kg],
volumul total cu (V) n [m
3
], iar volumul porilor cu (V
p
), rezult densitatea
materialului poros:

p
p
V V
m

= [kg/m] (2.1)
Porozitatea, reprezint raportul ntre volumul porilor (V
p
) i volumul total (V):
100
V
V

p
) p (
= [%] (2.2)
i poate atinge pn la 50% la materiale cu porozitate mare cum sunt hrtiile i
esturile. Se deosebesc, dup form, trei feluri de pori: deschii ; seminchii i
nchii ca n fig. 2.8. Primele dou forme de pori prezint avantajul c pot fi umplute cu
lacuri electroizolante prin impregnarea dielectricului (eventual dup o prealabil
vidare). Ca urmare calitile dielectricului poros se pot mbunti corespunztor lacului
de impregnare.

Fig.2.8 Tipuri de pori n materiale electroizolante
Higroscopicitatea, ca proprietate a corpurilor de a absorbi lichidele i
respectiv vaporii din atmosfer, este cauzat de existena porozitii. Materialele
poroase absorb lichidele, n cazul cel mai frecvent vaporii din mediul nconjurtor i
i mresc corespunztor umiditatea. n general absorbia poate fi msurat prin
coninutul de ap din material, care se exprim procentual prin umiditatea relativ:

G
G G

0
r

= [%] (2.3)
unde: G
0
- este greutatea materialului uscat, iar G este greutatea materialului
umed. Dielectricii higroscopici tind totdeauna spre o umiditate de echilibru atunci
cnd sunt introdui ntr-un mediu care are umiditatea relativ
r
, ca n fig. 2.9.
Materialele a cror umiditate variaz n timp dup curbele (1) i (1

) nu sunt
corespunztoare pentru izolaii. Dielectricii de bun calitate nu absorb umezeala
dect n foarte mic msur sau deloc, corespunztor curbelor (2) i (2).

t [h]
Fig. 2.9 Variaia n timp a umiditii relative a dielectricilor higroscopici
Dielectricii nehigroscopici (impermeabili) se umezesc n atmosfer prin
adsorbie. Adsorbia const n condensarea vaporilor la suprafaa dielectricului sub
form de straturi moleculare de ap (sticl, mic, unele rini sintetice). Att
adsorbia ct i absorbia (ptrunderea umezelii n masa corpului) se determin prin
msurarea unghiului marginal ( ) pe care l formeaz suprafaa corpului cu
suprafaa unei picturi de ap cu vrful pe linia de contur a ariei de contact ca n fig.
2.10. Dac unghiul marginal < 90
o
ca n fig. 2.10.a, materialul se ud (la sticl i
mic este practic nul). Dac >90
o
, ca n fig. 2.10.b, dielectricul nu se ud
(parafina, folii sintetice, siliconi). Adsorbia materialelor impermeabile este foarte
pronunat la umiditi relative ale atmosferei ce depesc umiditatea normal (

r
=
65%) ca n fig. 2.11 i prezint neajunsul c reduc n foarte mare msur
rezistivitatea de suprafa a dielectricului.

Fig.2.10 Explicativ privind determinarea adsorbiei i absoriei.
[%]
Fig.2.11 Adsorbia materialelor impermeabile
2.2.2. Proprieti chimice
Dintre toate proprietile chimice ale materialelor, n cazul dielectricilor
prezint interes deosebit rezistena la aciunea acizilor i bazelor, solubilitatea,
compatibilitatea la contactul cu alte materiale, stabilitatea chimic, aciditatea n
cazul lichidelor, toxicitatea (emanaii toxice), oxidarea etc.
Aciunea agenilor nocivi din atmosfer se manifest n prezena oxigenului i
a umezelii care se depune la suprafaa dielectricului sub form de pelicule coninnd
dizolvate diverse elemente din mediul ambiant. Peliculele acide sau bazice au efect
coroziv asupra izolaiilor i deteriorarea este n general intensiv.
Solubilitatea prezint interes pentru prepararea lacurilor electroizolante i
depunerea lor pe izolaii. n general o substan solid se dizolv uor ntr-una
lichid care conine grupri similare de atomi sau molecule n structura sa (de ex.
parafina (hidrocarbur saturat solid) se dizolv uor n benzen, ambele avnd
grupri de atomi CH). Solidele termorigide au solubilitate redus sau deloc. Aceasta
deoarece solubilitatea scade cnd gradul de polimerizare sau policondensare crete.
n izolaiile mainilor i aparatelor electrice intervin de regul diferii
dielectrici. Ca urmare se impune compatibilitatea lor, adic s nu se formeze reacii
chimice ntre elementele componente a doi dielectrici aflai n contact.
Stabilitatea chimic prezint un interes major pentru toate felurile de
dielectrici, dar mai cu seam pentru cei ce sunt supui la aciunea arcului electric, a
radiaiilor ultraviolete, a radiaiilor solare, a aciunii microorganismelor, a ocurilor
de temperatur etc.
Dielectricii lichizi cum sunt uleiurile utilizate n contact cu izolaiile
nfurrilor electrice trebuie s nu aib aciditate deoarece aciunea acizilor se
resimte asupra majoritii materialelor. Indicele de aciditate a uleiului se determin
prin cantitatea de hidroxid de potasiu (n mg) ce este necesar pentru neutralizarea
l [g] din substana acid.
n general, cu referire la toxicitate, trebuie avut n vedere c materialele care
au stabilitate chimic redus i care eman vapori toxici (cum sunt cele ce conin
clor) se folosesc numai cu msurile de precauie cuvenite. Aa de exemplu, uleiurile
clorurate nu se folosesc n ntreruptoarele cu ulei sau dac se introduc n
condensatoare acestea se execut n construcie capsulat. Materialele toxice sunt
nsoite de recomandri de folosire pentru evitarea accidentelor.
2.2.3. Proprieti termice
Aceste proprieti influeneaz att asupra proprietilor electrice ct i asupra
structurii dielectricilor, deci asupra tuturor proprietilor n general. Dielectricilor li
se impun cerine contradictorii, deoarece trebuie s aib pe de o parte mare
rezistivitate de volum, dar s prezinte, pe de alt parte, conductivitate termic ct
mai mare pentru a permite disiparea pierderilor de energie din conductoare ca i
pierderile proprii. Din ansamblul proprietilor termice, la utilizarea dielectricilor
prezint importan mai ales: conductivitatea termic [W/mC]; cldura specific
masic c [Ws/g
o
C]; transmisivitatea termic [W/m
2

o
C]. Toate mrimile trebuie
s fie cunoscute pentru dielectricul ce urmeaz a fi utilizat n construcia unui
produs electrotehnic i ele sunt indicate n standarde i prospecte. n tabelul 2.4 se
prezint cteva caracteristici termice ale unor dielectrici frecvent utilizai.
Tabelul 2.4 Caracteristicile termice ale unor materiale electroizolante
Materialul
Cldura specific
masic
[Ws/g
o
C]
Conductivitatea
termic
[W/
o
C m]
Coeficientul de
dilataie termic
x 10
-6
[
o
C
-1
]
Ulei de
transformator
1,67 0,130,16 750
Hrtia impregnat 1,252,50 0,150,20 -
Pertinax 1,261,68 0,200,30 1560
Textolit 1,261,68 0,34 30 ... 50
Mica 0,86 0,36 -
PCV 1,352,15 0,150,29 -
Sticla 0,700,85 0,801,05 3
Porelanul tare 0,92 0,801,85 4,5
Steatita 1,05 1,95 8,5

nclzirea dielectricilor influeneaz toate proprietile acestora, astfel c
temperatura a fost adoptat i ca o msur a limitei pn la care proprietile se
pstreaz corespunztoare. n acest sens se definete stabilitatea termic a mate-
rialelor electroizolante.
Stabilitatea termic, constituie temperatura maxim la care poate funciona
un dielectric, timp ndelungat (ani, zeci de ani) fr ca proprietile sale s se
deterioreze i msurile lor s scad sub o limit inferioar admisibil. Pentru
dielectricii solizi sau termoplastici se utilizeaz ca msur a stabilitii termice
temperatura la care corpul i modific forma, ceea ce corespunde unor schimbri
de structur i implic modificarea i a celorlalte proprieti.
Pentru materialele termoplaste stabilitatea termic se determin prin metoda
inel-bil (pentru ceruri, bitumuri etc.).
La materialele solide stabilitatea termic se determin prin metoda Martens.
Mostra de material (lungime 120 [mm], seciune 10 20 [mm
2
]) se aeaz ntre dou
bacuri (1) i (2) ca n fig. 2.12. Pe tija solidar cu bacul (2) se afl greutatea (G). La
captul tijei indexul (i) se poate deplasa n faa scalei (S). Momentul de ncovoiere
produs de greutatea (G) se alege conform normelor. Se nclzete incinta (3) cu o
variaie prestabilit a temperaturii pe unitatea de timp, pn cnd, proba (M) se
deformeaz sub aciunea momentului ncovoietor, astfel ca indexul (i) s coboare cu
(n) diviziuni n faa scalei (S). Se citete temperatura la care (n) corespunde normei
stabilite pentru materialul dat. Aceast temperatur reprezint stabilitatea termic.




3
Fig.2.12 Metoda Martens de
determinare a stabilitii termice
Dei stabilitatea termic reprezint un mijloc de apreciere a limitei pn la
care dielectricul poate fi solicitat termic, ea nu este exclusiv, deoarece i alte
solicitri pot duce la scoaterea din funcie a izolaiei nainte de a se ajunge la
temperatura de stabilitate termic cum sunt agenii nocivi din atmosfer, vibraiile
mecanice, pierderea elasticitii etc.
Stabilitatea termic a lichidelor constituie temperatura de inflamabilitate
(aprindere a vaporilor) sau temperatura de aprindere (a lichidului propriu zis).
Pentru gaze stabilitatea termic constituie de asemenea temperatura de
inflamabilitate.
2.2.4. Proprieti mecanice
Acestea cuprind: rezistena la traciune (
r
); rezistena la ncovoiere (
i
);
rezistena la compresiune (
c
); rezistena la sarcini aplicate dinamic; reziliena
(
rez
); alungirea specific ( /); duritatea Brinell (H
B
); modulul de elasticitate
(E); rezistena la abraziune etc. Pentru dielectricii solizi determinarea mrimilor
mecanice se efectueaz ca i n cazul metalelor, cu excepia duritii lacurilor.
Pentru determinarea duritii lacului se aeaz pe suprafaa peliculei lama unui
pendul format dintr-un cadru de srm ca n fig. 2.13. Pendulul scos din echilibru
este lsat s oscileze pn cnd elongaia scade la o anumit diviziune i se msoar
timpul ct dureaz aceast amortizare (t
0
). Se repet experiena cu un material a
crui duritate (H
1
) este cunoscut i timpul msurat este (t
1
). Din raportul timpilor i
al duritilor rezult duritatea necunoscut a lacului (H
0
= H
1
t
0
/t
1
). Pe lng
duritate (deci rezisten la abraziune), cnd lacul se utilizeaz ca email pentru
conductoare, el trebuie s aib elasticitate corespunztoare, iar alungirea specific i
coeficientul de dilataie liniar trebuie s fie ct mai apropiate de ale metalului
pentru a se evita desprinderea de pe conductor.

Fig.2.13
Determinarea duritii
lacurilor electroizolante
2.3. Proprietile electrice ale materialelor
electroizolante
Proprietile electrice ale dielectricilor se refer la patru fenomene de baz
care au loc n materiale sub aciunea cmpului electromagnetic. Aceste fenomene
sunt urmtoarele: conductibilitatea electric; polarizarea electric; strpungerea
dielectricilor; pierderile de energie electric activ n dielectrici. Fiecare fenomen
are ca msur mrimi constante de material determinabile experimental conform
Comisiei Electrotehnice Internaionale (CEI) sau standardelor naionale.
Fenomenul de conductibilitate electric definit n paragraful 1.1, are ca msur
conductivitatea electric [S/m], sau mrimea invers acesteia, rezistivitatea
electric . La dielectrici exist dou tipuri de rezistiviti i anume: rezistivitatea
de volum
V
[m] i rezistivitatea de suprafa
S
[].
Rezistivitatea de volum
V
este rezistena electric a unei probe sub form de
cub, cu latura de 1 [cm], aezat ntre armturile unui condensator i determinat n
curent continuu la o tensiune U = 1000 [V]. Experimental
V
se determin cu
schema electric din fig. 2.14.

Fig. 2.14 Determinarea
rezistivitii de volum.
Rezistena de volum a probei se obine cu relaia:

) V ( c
v
i
U
R = (2.4)
unde U este tensiunea aplicat probei msurat cu voltmetru V, iar i
c(V)
este curentul
de conducie care trece prin volumul probei msurat cu miliampermetrul mA.
Cunoscnd R
V
i dimensiunile A i d ale probei rezult rezistivitatea de
volum cu relaia:

d
A R

V
V

= (2.5)
Dac este determinat n condiii date,
V
constituie o constant de material
i are valori cuprinse ntre 10
8
i 10
18
[cm] .
Rezistivitatea de suprafa
S
se definete ca fiind rezistena electric
determinat n curent continuu la o tensiune U = 1000 [V], ntre 2 electrozi de
form lamelar avnd fiecare lungimea L = 100 [mm] i fiind aezai paralel pe
suprafaa dielectricului la o distan d = 10 [mm]. Se admite convenional c
adncimea de ptrundere a curentului n suprafaa probei este egal cu unitatea.
Schema electric cu care se determin experimental
S
este prezentat n fig.2.15.
Fig. 2.15 Determinarea
rezistivitii de suprafa
Rezistena de suprafa a probei este:

) S ( c
S
i
U
R = (2.6)
n care U este tensiunea aplicat probei, iar i
c(S)
reprezint curentul de conducie de
suprafa.
Cunoscnd R
S
i dimensiunile suprafeei L i d se obine rezistivitatea de suprafa:

S s S
R 10
d
L
R = = (2.7)
Rezistivitatea
S
determinat n condiii date constituie i ea o constant de
material cu valori ntre 10
8
i 10
18
[].
Fenomenul de polarizare electric este fenomenul de apariie n dielectric,
sub aciunea unui cmp electric exterior, a unui moment electric indus temporar.
Polarizarea electric are ca msur permitivitatea absolut

m
F
, sau permitivitatea
relativ
r
care este o mrime adimensional. Permitivitatea relativ se determin
experimental cu puntea Schering de nalt tensiune la frecvena industrial f = 50 Hz
sau cu puni de joas tensiune la frecvene nalte (de sute sau de mii de [Hz] ). Ea se
determin ca raportul ntre capacitatea C a unui condensator avnd ntre armturile
sale (metalice) materialul dielectric studiat i respectiv capacitatea C
0
a aceluiai
condensator, avnd ntre armturile sale vid sau aer (vezi fig.2.16). Cunoscnd
dimensiunile A i d ale condensatorului rezult c:

Fig. 2.16 Explicativ privind determinarea permitivitii relative.

0 o 0
r

d
A
d
A
C
C
=

= = (2.8)
unde


=

m
F
10 854 , 8
m
F
10 9 4
1

12
9
0
reprezint permitivitatea absolut a
vidului.
Permitivitatea unui dielectric determinat n condiii date este o constant de
material i are valori apropiate de unitate pentru gaze, de cteva uniti pentru
solide, zeci de uniti pentru unele lichide i sute sau mii de uniti pentru materiale
feroelectrice.
Fenomenul de strpungere electric a dielectricilor este fenomenul care
const n trecerea direct a curentului electric prin corpul unui dielectric aezat ntre
plcile unui condensator, la o anumit valoare a intensitii cmpului electric
exterior. Msura fenomenului de strpungere electric este rigiditatea dielectric.
Ea se definete ca fiind intensitatea cmpului electric uniform la care se produce
strpungerea dielectricului.
Rigiditatea dielectric E
s
se determin experimental ca raportul ntre tensiunea
electric de strpungere U
s
aplicat condensatorului care conine dielectricul i
distana d dintre armturile sale (vezi fig. 2.17):

Fig. 2.17 Explicativ
privind determinarea
rigiditii dielectrice.
1 i 3 electroni; 2- dielectric

d
U
E
s
s
=

m
kV
efectiv
(2.9)
Determinat n condiii date rigiditatea dielectric constituie de asemenea o
constant de material i are valori de zeci de

cm
kV
pentru gaze, de sute de

cm
kV

pentru lichide i solide i de mii de

cm
kV
pentru unele solide impregnate cu lacuri
tehnice.
Fenomenul de pierderi de energie electric activ n dielectrici. Cnd un
dielectric este supus unui cmp electric invariabil (constant) n timp n acesta au loc
pierderi de energie numai prin cureni de conducie.
Dac ns dielectricul este supus aciunii unui cmp electric alternativ (deci
variabil n timp), n dielectric au loc pierderi de energie att prin cureni de
conducie ct i prin cureni de deplasare (de polarizaie electric).
n curent alternativ, puterea electric activ absorbit de la reea de un
dielectric este = cos I U P . n diagrama fazorial (din fig. 2.36) curentul total
prin dielectric este decalat naintea tensiuni U cu unghiul . Cosinusul unghiului
se numete factor de putere, I
a
= I


cos reprezint componenta activ a curentului
(deci cea care determin pierderile de energie electric activ), iar I
c
este compo-
nenta capacitiv a curentului.
Unghiul

=
2
se numete unghi de pierderi, iar tg se numete factor de
pierderi i constituie o msur a fenomenului de pierderi de energie electric activ
n dielectric.
Factorul de pierderi tg se determin experimental cu puni RC de joas ten-
siune sau de nalt tensiune. Dac determinarea lui tg se face n condiii date, el repre-
zint o constant de material i are valori cuprinse ntre 10
1
i 10
4
. Cu ct valoarea
sa este mai mic cu att pierderile de energie electric activ n dielectric sunt mai
mici i evident un tg mare nseamn pierderi de energie electric activ mari.
2.3.1. Conductibilitatea electric a materialelor electroizolante
Materialele electroizolante prezint la cmpuri electrice avnd intensitatea
E < 10
2

cm
kV
o conductibilitate de natur ionic (prin ioni pozitivi i negativi) i
nu electronic (prin electroni liberi). La cmpuri electrice intense, cu intensiti peste
10
2

cm
kV
, n dielectricii solizi apare i o conductibilitate de natur electronic.
Experimental, dac se traseaz variaia conductivitii electrice n funcie de
intensitatea cmpului electric se constat c valoarea total a conductivitii
electrice nu depinde de E pn la intensiti de aproximativ 10

cm
kV
. Peste
aceast valoare conductivitatea total crete foarte repede cu E, datorit compo-
nentei electronice a conduciei, dup care la aproximativ 10
3

cm
kV
se ajunge la
strpungere (vezi fig. 2.18).
La cmpuri electrice intense depinde de E conform legii lui Poole:
= A e
B E
(2.10)
unde A i B sunt constante de material.
n cazul n care unui dielectric i se aplic un cmp electric invariabil n timp,
n primele momente dup punerea sub tensiune a dielectricului curentul total prin
material este i = i
c
+ i
p
, unde i
c
este componenta de conducie a curentului, iar i
p
este
componenta de polarizare a curentului.

Fig.2.18 Variaia conductivitii electrice a dielectricilor n raport cu intensitatea
cmpului electric exterior.
Dac se reprezint experimental variaia curentului total prin materialul electro-
izolant n funcie de timp, din momentul aplicrii cmpului electric, se obine o
variaie hiperbolic (fig. 2.19).

Fig. 2.19 Diagrama i =f (t) pentru un dielectric plasat n cmp electric continuu.
Din fig. 2.19 rezult c dup un timp t
2
componenta curenilor de polarizare
este complet atenuat i dielectricul este parcurs numai de componenta de conducie
a curentului (i
c
). Prin urmare la determinarea rezistivitilor de volum (
V
) i
respectiv de suprafaa (
S
)

ale dielectricilor, curentul se citete pe aparatul de
msur dup aplicarea tensiunii, la (13) minute, pentru a se obine numai compo-
nenta de conducie.
2.3.1.1. Conductivitatea electric a dielectricilor gazoi
Orice gaz este un amestec de molecule neutre i de molecule ionizate. Starea
de ionizare a gazului, n absena unui cmp electric exterior este ntreinut de diveri
ionizatori externi cum sunt: razele X, radiaiile cosmice, radiaiile elementelor
radioactive terestre, unde electromagnetice de nalt frecven. Datorit ionizatorilor
externi ntr-un cm
3
de gaz n timp de o secund se formeaz aproximativ 3 5
perechi de ioni. n acelai timp o parte din ionii formai se recombin devenind
molecule neutre, astfel nct n mod normal se menin n stare ionizat doar 3 5
perechi de ioni pe cm
3
s.
Cnd se aplic unui gaz un cmp electric, apare fenomenul de conducie
electric. S considerm un gaz nchis ntr-un tub de sticl prevzut cu 2 electrozi
plani paraleli. Dac aplicm acestor electrozi o tensiune electric ntre ei se va
stabili un curent electric. Curentul electric prin gaz variaz cu tensiunea aplicat n
felul urmtor (fig. 2.20):
Pn la tensiunea U
0
curentul variaz corespunztor legii lui Ohm.
ntre U
0
i tensiunea critic U
c
curentul se menine la valoarea de saturaie I
s
,
deoarece ionii accelerai de cmpul electric nu posed energii egale cu energia
de ionizare a gazului (i deci nu se formeaz noi purttori de sarcin).
La tensiuni mai mari dect tensiunea U
c
energiile ionilor accelerai de cmpul
electric devin mai mari dect energia de ionizare a gazului i are loc
descrcarea n avalan, autonom, care duce la strpungerea gazului.

Fig. 2.20 Dependena curentului prin dielectricul gazos de tensiunea aplicat
acestuia
La cmpuri mici i mijlocii densitatea de curent depinde de intensitatea
cmpului electric conform relaiei:
E J = (2.11)
La cmpuri foarte intense densitatea de curent nu depinde de intensitatea
cmpului electric. n acest caz expresia densitii de curent este:
J = nqd (2.12)
n care: n reprezint concentraia moleculelor ionizate;
q este sarcina electric a ionului;
d distana dintre electrozii ntre care se formeaz curentul electric.
Din relaia (2.12) nu trebuie s se neleag c (J) ar crete cu (d), fiindc n
acest caz scade (n), sau dac (n) ar rmne constant atunci scade (E) i nu mai este
valabil ipoteza cmpului foarte intens. ntr-adevr, atunci cnd (d) crete, crete i
volumul dintre electrozi i scade concentraia (n) a purttorilor de sarcin. Pe de
alt parte cnd (d) crete scade
d
U
E = .
Experimental, n cazul aerului, pentru d = 1 [cm] se obin urmtoarele date:
U
0
= 6 [mV] , U
c
= 10 [kV] , J = 10
19

2
cm
A
. Deoarece densitatea de curent este
practic nul rezult c aerul, ca i toate gazele de altfel, este electroizolant atta
timp ct nu este supus unui proces intens de ionizare.
2.3.1.2. Conductivitatea electric a dielectricilor lichizi
n dielectricii lichizi exist mai multe surse de purttori de sarcin dect n
dielectricii gazoi. Astfel, surse de purttori de sarcin, n absena unui cmp
electric exterior, sunt:
- ionizatorii externi;
- agitaia termic;
- prezena moleculelor polare (dipolilor), care datorit cmpului lor electric
favorizeaz disocierea moleculelor neutre;
- existena n lichide a impuritilor (moleculele impuritilor se disociaz mai
uor dect moleculele lichidului de baz).
Datorit acestor surse n lichide apar i se menin n stare ionizat aproximativ
200 de perechi de ioni pe cm
3
s.
Atunci cnd unui dielectric lichid i se aplic o diferen de potenial, n acesta
apare fenomenul de conducie electric.
Fenomenul conductibilitii dielectricilor lichizi se studiaz n 2 cazuri
distincte:
A n absena unui cmp electric exterior, 0 E = ;
B n prezena unui cmp electric exterior, 0 E ;

A. n absena unui cmp electric exterior transportul de sarcin electric
are loc prin difuzie. Difuzia ionilor n lichid se afl n echilibru dinamic, astfel nct
nu rezult un transport de sarcin electric dup o direcie preferenial, deci
curentul electric este nul.
Cauzele difuziei sunt att de natur termic ct i de natur electric.
Difuzia termic
Difuzia constituie procesul de micare dezordonat a moleculelor n lichide n
absena cmpurilor electrice exterioare.
n lichide aceast micare se caracterizeaz prin aceea c dup realizarea unei
ciocniri, molecula efectueaz, pe parcursul unui durate , o oscilaie n jurul unui
punct fix, cu o frecven = 10
12
10
13
[s
1
], i numai apoi i schimb poziia.
Trecerea dintr-o poziie n alta are loc prin escaladarea barierei de potenial de
energie (U), datorat moleculelor vecine. Durata () se numete timp de relaxare i
are expresia:

kT
U
0
e

= (2.13)
Probabilitatea de difuzie este dat de relaia:

kT
U
0
2 2
e
a a
P

= (2.14)
relaie n care (a) reprezint distana dintre 2 molecule vecine.
Deoarece (
0
) are expresia:


=
1
0
(2.15)
unde (
0
) este perioada oscilaiei termice a moleculei, iar () este o mrime care ine
seama de alte condiii care influeneaz difuzia, rezult:

kT
U
2
e a P

= (2.16)
Din relaia (2.16) se observ c probabilitatea de difuzie P crete atunci cnd
crete temperatura, adic atunci cnd se intensific agitaia termic.
Difuzia electric
n absena unui cmp electric exterior difuzia este cauzat nu numai de
agitaia termic ci i de anizotropia electric. Dac, de exemplu, ntr-un punct M
1

din spaiul lichidului, situat pe axa OX, concentraia ionilor este (n
1
), iar ntr-un alt
punct M
2
pe aceeai ax concentraia ionilor este (n
2
) > (n
1
), rezult un gradient al
concentraiei
dx
dn
orientat spre M
2
(fig. 2.21).
Datorit acestui fapt, se produce un transport de sarcin de la M
2
spre M
1
(n
sens invers gradientului). Prin urmare, apare un curent de difuzie avnd densitatea:

dx
n d
D q J
D
= (2.17)
n relaia (2.17) q este sarcina ionului, iar D constituie coeficientul de difuzie,
avnd o expresie de forma:

kT
U
2
e a P D

= = (2.18)
Dac difuzia este izotrop n tot lichidul, cum saltul moleculei se face numai
dup unul din cele ase sensuri posibile, se poate considera
6
1
= .

Fig. 2.21 Explicativ
privind difuzia electric n
lichidele electroizolante
La nivel macroscopic dielectricul este neutru din punct de vedere electric i
prin urmare suma curenilor de difuzie este nul:

= 0 J
D
(2.19)
B. n prezena unui cmp electric exterior apare un curent de cmp cu
densitatea:
E u q n J
E
= (2.20)
Mobilitatea (u) a purttorilor de sarcin (q) se obine din relaia lui Einstein,
care are forma:
ukT = qD (2.21)
Din relaiile (2.18) i (2.21) rezult:

T k
U
2
e
T k 6
a q
T k
D q
u

= (2.22)
relaie n care semnificaiile notaiilor sunt cunoscute.
nlocuind relaia (2.22) n (2.20) se obine pentru densitatea de curent
E
J
urmtoarea expresie:
E E e
T k 6
a q n
J
kT
U
2 2
E
=


=

(2.23)
unde:

T k
U
0
T k
U
2 2
e e
T k 6
a q n

=


= (2.24)
n expresia (2.24)
0
este o constant. Din aceast ultim relaie (2.24) rezult c:
conductivitatea dielectricilor lichizi nu depinde de intensitatea cmpului
electric i deci ea este o constant de material;
conductivitatea dielectricilor lichizi crete odat cu creterea temperaturii.
2.3.1.3. Conductivitatea electric a dielectricilor solizi
Dielectricii solizi pot avea structur amorf sau structur cristalin. Conducti-
bilitatea dielectricilor solizi depinde de structura lor. Astfel, dielectricii solizi cu
structur amorf au conductibilitate de natur ionic. Ei pot fi considerai ca i nite
lichide suprarcite. Din acest motiv, expresia conductivitii electrice stabilit
pentru dielectrici lichizi i pstreaz valabilitatea i n cazul dielectricilor solizi cu
structur amorf.
n cazul dielectricilor solizi cu structur cristalin, conductibilitatea este de
natur ionic la cmpuri mici i mijlocii i temperaturi uzuale, iar la cmpuri foarte
intense apare o conductibilitate de natur electronic care se suprapune peste prima.
Conductibilitatea ionic este cauzat de ionii care primesc n decursul timpului o
energie suficient, generat de vibraiile reelei, astfel nct prsesc nodul reelei i
migreaz fie ntr-un interstiiu, fie ntr-un alt nod vacant. Ali purttorii de sarcin
provin de la ionii impuritilor care formeaz defecte ale reelei cristaline. Defectele
de reea sunt de dou feluri:
Defecte interstiiale (de tip Frenkel). Acestea constau n faptul c n interstiiul
dintre atomii din 4 noduri vecine se poate situa atomul unei impuriti care
deformeaz reeaua. Atomul impuritii este foarte slab legat de reea.
Defecte de substituie (de tip Schottky). Acestea apar n timpul procesului tehno-
logic de elaborare a dielectricului solid, fie prin migrarea unui ion dintr-un
nod spre periferia reelei atomice, fie prin situarea unui atom de impuritate
ntr-un nod al reelei de baz. i n acest caz defectele sunt slab legate de reea.
Ionii care formeaz defecte fiind mai slab legaii de reeaua cristalin, se depla-
seaz local prin difuzie n absena unui cmp electric exterior, iar n prezena unui cmp
electric exterior ei au i o component ordonat i particip la conducia electric.
Expresia general a conductivitii dielectricilor solizi este de forma:

kT
W
0
e

= (2.25)
unde
0
este o constant, iar energia W este constituit din energia corespunztoare
barierei de potenial (numit i energie de activare) U i energia necesar formrii
defectelor W
defect
. Deci avem:
W = U + W
defect
(2.26)
Din relaia (2.25) rezult c:
conductivitatea electric a dielectricilor solizi crete sensibil cu temperatura.
Variaia conductivitii electrice cu temperatura este prezentat n fig. 2.22.
Din grafic se constat c n domeniul temperaturilor uzuale conductivitatea
este predominant ionic, iar la temperaturi mai mari, apare i conductivitatea
electronic. Cu T
c
s-a notat temperatura critic peste care se schimb structura
i calitile electroizolante ale dielectricului.
conductivitatea electric a dielectricilor solizi nu depinde de intensitatea E a
cmpului electric, n domeniul cmpurilor mici i mijlocii. La cmpuri mari
(peste 10
6

m
V
) conductivitatea electric depinde de intensitatea cmpului
electric conform legii lui Poole.

Fig. 2.22
Dependena
conductivitii electrice
de temperatur n cazul
dielectricilor solizi
n ceea ce privete conductibilitatea electric a dielectricilor solizi i lichizi se
pot meniona urmtoarele concluzii, de interes practic:
dielectricii lichizi (uleiurile) trebuie meninui n exploatare n cea mai bun
stare de puritate pentru ca conductivitatea lor s fie ct mai mic.
suprafaa dielectricilor solizi trebuie pstrat n stare ct mai curat pentru a
menine rezistivitatea de suprafa n limite normale.
2.3.2. Polarizarea electric a materialelor electroizolante
Fenomenul de polarizare electric const n redistribuirea sarcinilor electrice
de semn opus din masa dielectricului, sub aciunea unui cmp electric exterior, prin
micri limitate, uneori elastice, pe distane microscopice, avnd ca rezultat apariia
unor momente electrice induse temporar.
Timpul n care se realizeaz polarizarea din momentul aplicrii cmpului electric
se numete timp de relaxare i se noteaz cu t
r
. Acesta are o valoare caracteristic
pentru fiecare fel de polarizare.
La nivel microscopic (adic la nivelul atomilor, ionilor, moleculelor, dipolilor
etc.) polarizarea se caracterizeaz prin mrimi specifice, cum sunt: concentraia
microparticulelor polarizabile n [m
3
] i polarizabilitatea (sau capacitatea de
polarizare) [Fm
2
].
La nivel macroscopic mrimile specifice care caracterizeaz polarizarea sunt:
permitivitatea absolut

m
F
,permitivitatea relativ
r
i susceptivitatea electric

e
. Ultimele dou mrimi sunt adimensionale.
La nivel microscopic, pentru corpurile omogene, izotrope, cu temperatura
constant n toat masa lor i nepolare, vectorul elementar de polarizaie (momentul
electric indus temporar specific fiecrei molecule sau fiecrui atom) este dat de relaia:
E p = [ ] m C (2.27)
Fie un volum (V) considerat egal cu unitatea, n care exist (n) particule
polarizabile avnd fiecare o valoare medie ( p) a vectorului elementar de
polarizaie. n acest caz vectorul total de polarizaie va fi:
E n p n
V
p
lim P
i
i
0 V
= =

=


(2.28)
La nivel macroscopic vectorul total de polarizaie poate s fie de dou feluri:
vector de polarizaie temporar
t
P (caracterizeaz corpurile ce conin molecule
nepolare i are valori diferite de zero numai atunci cnd intensitatea cmpului
electric exterior este diferit de zero);
vector de polarizaie permanent
p
P (caracterizeaz corpurile ce conin molecule
polare i are valori nenule i atunci cnd intensitatea cmpului electric
exterior este zero).
Avnd n vedere cele precizate anterior rezult pentru vectorul total de
polarizaie P expresia:
p t P P P + =

2
m
C
(2.29)
ntr-un punct al unui mediu polarizat exist o relaie de legtur general ntre
vectorul total de polarizaie P , vectorul induciei electric D

2
m
C
i
intensitatea cmpului electric E :
P E D
0
+ = (2.30)
n cazul corpurilor nepolare t P P = i relaia (2.30) devine:
t
0
P E D + = (2.31)
Vectorul de polarizaie temporar
t
P , pentru corpurile izotrope, nepolare,
avnd temperatura constant n toat masa lor se poate exprima sub forma:
P E P
e 0 t
= = (2.32)
Din relaiile (2.31) i (2.32) rezult:
( ) E E E 1 D
r 0 e 0
= = + = (2.33)
unde
r 0
= este permitivitatea absolut a mediului, iar
e r
1 + = este
permitivitatea relativ.
innd cont de faptul c susceptivitatea electric
e
se poate scrie sub forma:
1
r e
= (2.34)
rezult pentru vectorul de polarizaie electric temporar urmtoarea expresie:
( ) E 1 P P
r 0
t = = (2.35)
Din punct de vedere practic este necesar i util s se stabileasc o legtur
analitic ntre mrimile specifice procesului microscopic de polarizare i cele
specifice efectului macroscopic de polarizare. Aceast legtur se obine egalnd
expresiile vectorului total de polarizaie P n mrimi microscopice i respectiv
macroscopice. Pentru corpurile nepolare vom obine:
( ) E 1 E n
r 0
= (2.36)
de unde rezult:
1
n
0
r
+


= (2.37)
i:

0
e
n


= (2.38)
Determinnd pe cale experimental (
r
), respectiv (
e
) i admind c (n)
este egal cu numrul lui Avogado
23
Av
10 02 , 6 N =

mol
1
, se poate calcula cu
aproximaie polarizabilitatea n cazul fiecrei specii de polarizare electric.
Speciile de polarizare electric sunt urmtoarele: polarizarea electronic,
polarizarea ionic, polarizarea dipolic i polarizare de relaxare (interfacil).
Deoarece mecanismele de polarizare difer de la o specie la alta, acestea vor fi
studiate separat.
2.3.2.1. Polarizarea electronic
Polarizarea electronic const n deplasarea centrului de greutate al tuturor
electronilor dintr-un atom fa de centrul de greutate al nucleului atomic, sub
aciunea unui cmp electric exterior. Ea are loc la nivelul atomului i are ca efect
apariia unui moment electric indus temporar
e
p .
Aceast polarizare este specific pentru gaze monoatomice (hidrogen), sau
pentru unele solide cum sunt: parafina, sulful, polistirenul etc.
Pentru studiul polarizrii electronice se poate considera ca model fizic un
atom izolat. Fie deci un atom izolat. Presupunem c, n absena unui cmp electric
exterior, sarcina electric a electronilor este repartizat uniform n jurul nucleului
ntr-o sfer de raz R. n acest caz , cnd E = 0 centrul de greutate al electronilor
coincide cu centrul de greutate al nucleului i la nivelul atomului nu exist
momentul electric indus temporar (vezi fig. 2.23).
Fig. 2.23 Explicativ
privind polarizarea
electronic
Dac se aplic atomului un cmp electric exterior i se admite c nucleul st
pe loc (deoarece masa nucleului este de 10
3
ori mai mare dect masa electronului),
atunci centrul de greutate al sarcinilor negative se deplaseaz, n sens invers
cmpului electric exterior, pe o distan x fa de centrul de greutate al nucleului.
Ca urmare apare un moment electric indus temporar, orientat n sensul cmpului E
i avnd expresia:
E x e z p
e e
= = (2.39)
n relaia (2.39) z reprezint numrul electronilor din atom, e este sarcina
electronului, iar
e
este polarizabilitatea electronic.
Vectorul de polarizaie temporar, la o concentraie n
e
de atomi polarizabili n
unitatea de volum este:
E n p n P
e e e e e
= = (2.40)
innd seama c la nivel macroscopic avem:
( ) E 1 P
r 0 e
= (2.41)
i lund n considerare relaia (2.40) se obine:
1
n
0
e e
r
+


= (2.42)
i respectiv:

0
e e
e
n


= (2.43)
Polarizarea electronic nu depinde de intensitatea cmpului electric exterior,
de frecven sau de temperatur. Aceast polarizare se realizeaz fr consum de
energie, adic este elastic i de aceea dispare odat cu anularea cmpului electric
exterior. Timpul de relaxare al polarizrii electronice este de ordinul a (10
15
10
14
)
[s]. Polarizabilitatea electronic
e
este direct proporional cu raza atomului la
puterea a treia.

3
0 e
R 4 = (2.44)
2.3.2.2. Polarizarea ionic
Polarizarea ionic este specific pentru gazele poliatomice i pentru corpurile
cu structur ionic cum sunt: mica, clorura de sodiu etc.
Polarizarea ionic const n schimbarea poziiei de echilibru a ionilor vecini
de semne opuse, sub aciunea unui cmp electric exterior. Polarizarea ionic are ca
efect apariia unui moment electric indus temporar
i
p .
Pentru a studia polarizarea ionic vom considera un sistem de 3 ioni vecini
(vezi fig. 2.24). n absena unui cmp electric exterior ( E = 0) cei 3 ioni se afl la
egal distan unul fa de altul i momentele electrice
'
21
p i
'
23
p sunt egale, deci
rezultanta lor este nul.

i
p =
'
21
p +
'
23
p = 0 (2.45)
Sub aciunea unui cmp electric exterior, ionii pozitivi sufer o deplasare n
sensul cmpului electric, iar ionii negativi n sens invers cmpului electric. Prin
urmare (conform fig. 2.24):

23
p >
21
p i
i
p =
21
p +
23
p 0 (2.46)
Momentul electric indus temporar
i
p se mai numete i vector elementar de
polarizaie ionic i are expresia:
E p
i i
= (2.47)
unde
i
este polarizabilitatea ionic.
Vectorul total de polarizaie ionic pentru un volum unitar, n care exist n
i

ioni este:
E n P
i i i
= (2.48)
La nivelul macroscopic vectorul total de polarizaie ionic este:
( ) E 1 P
r 0 i
= (2.49)
Din relaiile (2.48) i (2.49) rezult c:
1
n
0
i i
r
+


= (2.50)
i respectiv:

0
i i
e
n


= (2.51)

Fig. 2.24 Explicativ privind
polarizarea ionic
Polarizarea ionic nu depinde de intensitatea cmpului electric exterior, de
temperatur i de frecven. Polarizarea ionic se realizeaz fr consum de energie,
fiind deci o polarizare elastic. Timpul de relaxare al polarizrii ionice este ceva mai
mare dect n cazul polarizrii electronice, fiind cuprins n intervalul (10
12
10
11
)
[s].
Corpurile care prezint polarizare ionic sunt supuse simultan i unei polarizri
electronice. Avnd n vedere, ns, timpii de relaxare diferii ntre polarizarea ionic
i cea electronic, este posibil separarea acestor polarizri prin determinri
experimentale la frecvene diferite.
2.3.2.3. Polarizarea dipolic
Polarizarea dipolic este specific pentru corpurile cu molecule polare
(numite i dipoli). Dielectrici cu molecule polare sunt: acetona, nitrobenzenul, apa
distilat, unele rini naturale i sintetice, cauciucul etc.
Aceti dielectrici prezint, la nivelul moleculelor polare, n absena unui cmp
electric exterior, un moment electric propriu permanent (vezi fig. 2.25):
d q p
p
= (2.52)

Fig. 2.25 Reprezentarea grafic
a unei molecule polare
n absena unui cmp electric exterior ( E = 0), datorit agitaiei termice,
dipolii sunt orientai la ntmplare, astfel nct momentul electric rezultant din
unitatea de volum este nul i dielectricul apare la nivel macroscopic nepolarizat. La
cmpuri mici ( E 0) orientarea dipolilor este numai parial. Pe msur ce cmpul
aplicat devine mai intens orientarea dipolilor se amplific, astfel nct la o anumit
valoare a cmpului electric ( 2 E ), se ajunge la saturaie, adic toi dipolii au aceiai
orientare ca i cmpul electric exterior aplicat dielectricului (vezi fig. 2.26).

Fig. 2.26 Explicativ privind polarizarea dipolic
Deci, polarizarea dipolic const n orientarea dipolilor (a momentelor electrice
permanente
p
p ) sub aciunea unui cmp electric exterior E . Ea se realizeaz cu
consum de energie pe seama cmpului electric. Consumul de energie este cu att
mai redus cu ct dipolii sunt mai ndeprtai ntre ei, deci cu ct influena lor
reciproc este mai mic. Prin urmare, n cazul gazelor i lichidelor consumul de
energie necesar realizrii polarizrii dipolice este mic, iar n cazul solidelor
polarizarea se face cu consum mare de energie.
Studiul polarizrii dipolice se face n dou cazuri distincte:
A. Cazul gazelor i lichidelor polare;
B. Cazul dielectricilor solizi.
A. n cazul gazelor i lichidelor polare, vom considera c dipolii nu se
influeneaz reciproc. Fie un dipol izolat al crui vector de polarizaie
p
p face unghiul
cu axa OX dup care este aplicat un cmp electric exterior E . Asupra acestui dipol
acioneaz forele E q F = i E q F = (vezi fig. 2.27).
Fig. 2.27 Explicativ
privind polarizarea
dielectricilor fluizi
Aceste fore imprim dipolului un cuplu:
M = q E d sin = p
p
E sin (2.53)
Energia necesar pentru rotirea dipolului se obine integrnd relaia (2.53):

= = = E p E p d E p ) ( U
p p p
cos sin (2.54)
Pentru = 0 energia dipolului este minim, U(0) = p
p
E.
Pentru
2

= energia dipolului este nul, 0


2
U =


.
Pentru = energia dipolului este maxim, U() = p
p
E.
Admind c ntr-un volum egal cu unitatea existent n
0
dipoli, cu ajutorul
statisticii MaxwellBoltzmann se obine pentru vectorul total de polarizaie dipolic
expresia:
=
p 0
0 p n P L (a) (2.55)
unde:
L (a)
a
1
a cth = (2.56)
este funcia lui Langevin, iar:

T k
E p
a
p

= (2.57)
este un numr adimensional care reprezint raportul de energie transmis dipolului
de cmpul electric exterior i energia termic a dipolului.
Interpretnd relaia (2.55) n funcie de variabila a se poate deduce att
influena intensitii cmpului electric ct i influena temperaturii i a frecvenei
asupra polarizrii dipolice.
Influena intensitii cmpului electric asupra polarizrii dipolice se obine
considernd dielectricul la temperatur constant, de exemplu cea a mediului
ambiant.
La valori mici ale variabilei a (a < 10
3
), cum se obin la temperaturi
uzuale (T = 300 [K]) i cmpuri electrice micii i mijlocii (E 10
2

cm
kV
), funcia
L (a) este:
L (a)
3
a
a
1
...
45
a
3
a
a
1
a
1
a cth
3

+ = = (2.58)
Vectorul total de polarizaie dipolic devine:

T k 3
E
p n
3
a
p n P
2
p 0 p 0 0

= = (2.59)
Din (2.59) rezult c
0
P variaz liniar cu a ca i L (a).
La valori mari ale variabilei a (a >>1), situaie corespunztoare cmpurilor
electrice foarte intense i temperaturilor uzuale, funcia L (a) 1, iar vectorul total
de polarizaie dipolic tinde teoretic spre saturaie, cnd toi dipolii sunt orientai n
sensul cmpului electric exterior (vezi fig. 2.28).
Vectorul
0
P are n acest caz expresia:
constant p n P
p 0
sat 0 = = (2.60)

Fig. 2.28 Influena
intensitii cmpului
electric asupra polarizrii
dipolice
Influena temperaturii asupra polarizrii dipolice se obine egalnd expresia
general a vectorului total de polarizaie n mrimi microscopice cu expresia
acestuia dat de relaia (2.59):

T k 3
E
p n E n P
2
p 0 0 0
0

= = (2.61)
Din (2.61) rezult c:

T
C
T
1
k 3
p
0
2
p
0
=

= (2.62)
Prin urmare polarizarea dipolic scade hiperbolic cu creterea temperaturii.
n cazul gazelor vom avea:
1
C n
0
0 0
r
+

= (2.63)
i:

T
C n
0
0 0
e


= (2.64)
Mrimile ce intervin n relaiile (2.63) i (2.64) au semnificaia cunoscut.
Deci
e
i
r
scad hiperbolic cu creterea temperaturi (vezi fig. 2.29).
n cazul lichidelor trebuie luat n considerare i vscozitatea. Dac
temperatura lichidului este mai mare dect o valoare critic (T >T
c
) atunci
e
i
r

scad pe msur ce temperatura crete, ca i n cazul gazelor (vezi fig. 2.30).
Dac ns temperatura scade sub valoarea critic (T <T
c
), vscozitatea crete,
iar orientarea dipolilor la aceeai intensitate a cmpului electric este mai redus.
Permitivitatea relativ
r
i susceptivitatea
e ,
n aceast situaie, cresc odat cu
creterea temperaturii.
Fig. 2.29 Variaia permitivitii relative i
susceptivitii electrice n raport cu
temperatura pentru gaze polare

Fig. 2.30 Variaia permitivitii
relative i susceptivitii electrice n
raport cu temperatura pentru lichide
polare
Influena frecvenei asupra polarizrii dipolice se obine dac se consider
dielectricului n cmp alternativ. Variaia permitivitii relative i a susceptivitii
electrice n raport cu frecvena f este conform graficului din fig. 2.31.

Fig. 2.31.Variaia permitivitii
electrice relative i a
susceptivitii electrice cu
frecvena n cazul gazelor i
lichidelor polare
Cu f
c
sa notat frecvena critic, care se obine n cazul n care timpul de
relaxare al polarizrii dipolice t
r0
este egal cu durata unei semiperioade a tensiunii
aplicate dielectricului gazos sau lichid. Deci:

0 r 0
c
t 2
1
T
1
f

= = (2.65)
unde T
0
este durata tensiunii aplicate dielectricului.
Cnd f < f
c
dipolii se orienteaz i polarizarea dipolic se menine ridicat,
astfel c permitivitatea relativ este egal cu valoarea sa static
rs
.
Cnd f > f
c
dipolii nu se mai orienteaz i respectiv permitivitatea relativ se
reduce la valoarea
r
pe care materialul dielectric o prezint numai datorit
polarizrii electronice i eventual ionice.
B. n cazul dielectricilor solizi
n cazul dielectricilor solizi, polarizarea dipolic depinde n mod determinant
de temperatur. Permitivitatea relativ a solidelor polare depinde de temperatur,
dup cum aceasta schimb strile de agregare ale corpului. n fig.2.32 este
prezentat variaia permitivitii relative datorat polarizrii dipolice a unui solid
care trece prin cele 3 stri de agregare.
n grafic cu T
f
sa notat temperatura de transformare de faz de ordinul 2.
La temperatura T < T
f
moleculele polare practic nu se pot roti sub aciunea unui
cmp electric exterior, deoarece forele de coeziune ntre molecule sunt foarte mari.
n concluzie, polarizarea dipolic este dependent de intensitatea cmpului
electric exterior, de temperatur i de frecven. Polarizarea dipolic are loc cu
consum de energie, fiind deci o polarizare neelastic. Timpul de relaxare al
polarizrii dipolice este cuprins n intervalul (10
9
10
8
) [s].
Corpurile care prezint polarizare dipolic, sunt supuse simultan i unei
polarizri electronice i respectiv ionice.
n cmpuri alternative dielectricii ce prezint polarizarea dipolic se nclzesc
suplimentar.

Fig. 2.32 Diagrama
r
= f(T)
pentru un dielectric solid
2.3.2.4. Polarizarea de relaxare
Polarizarea de relaxare nu este de fapt o nou specie de polarizare, ci o
consecin a speciilor de polarizare tratate anterior, care au o manifestare comun
fie n cazul unui dielectric stratificat, fie n cazul unui amestec de dielectrici de
naturi diferite.
Polarizarea de relaxare se realizeaz ca o consecin a timpilor de relaxare
diferii de la un dielectric la altul, cnd acetia sunt pui n contact. De aceea ea se
mai numete i interfacial. Detalii privind aceast polarizare sunt prezentate n [4],
[5] i [6].
Dac se consider un dielectric la care se presupune c sub aciunea unui
cmp electric alternativ exist toate tipurile de polarizri i se reprezint variaia
permitivitii relative n raport cu frecvena se obine graficul din fig. 2.33.
Din grafic se observ c n infrarou apare un maxim datorit rezonanei de
oscilaie termic a moleculei, iar la frecvene optice datorit rezonanei de oscilaie
a electronilor.
Peste valoarea optic a frecvenei nu mai rmne dect polarizarea electronic.

Fig. 2.33 Modul de polarizare a unui dielectric la diferite frecvene
2.3.3. Pierderile de energie electric activ n materialele
electroizolante
n cmp electric alternativ un dielectric se nclzete suplimentar n raport cu
cmpul invariabil n timp. nclzirea suplimentar apare datorit pierderilor de
energie prin polarizare electric, care se suprapun peste pierderile de energie prin
conducie electric. Aceste dou aspecte ale comportrii unui dielectric n cmp
electric alternativ se pun n eviden printr-o mrime numit permitivitate complex.
De aceea, n cadrul acestui subcapitol se vor prezenta mai nti cteva
consideraii privind permitivitatea complex, dup care se va stabili o expresie
general a pierderilor de energie n dielectrici i se vor trata schemele electrice
echivalente ale dielectricilor.
2.3.3.1. Permitivitatea complex
Permitivitatea complex este o mrime care caracterizeaz un dielectric att
sub aspectul polarizrii ct i sub cel al pierderilor de energie prin polarizare i prin
conducie. Ea este de forma:

' ' '
j = (2.66)
unde:
'
este permitivitatea relativ, care constituie o msur a fenomenului de
polarizare;
' '
se numete coeficient de pierderi i constituie o msur a pierderilor de ener-
gie activ att prin curenii de polarizare ct i prin curenii de conducie.
a) Permitivitatea complex datorat pierderilor prin polarizare electric
n cmp electric alternativ, ca urmare a timpului de relaxare diferit de zero,
polarizarea nu este niciodat perfect elastic, ci este nsoit de un consum (orict de
mic) de energie. Polarizarea dipolic se realizeaz chiar cu un consum mare de energie.
n cmp electric alternativ, conform legii de legtur n cmp electric (care
afirm c P E D
0
+ = ), inducia electric D este defazat n urma cmpului
electric E cu un unghi numit unghi de pierderi (vezi fig. 2.34).
Tangenta unghiului este:

h
'
''
=

= tg tg (2.67)
i se numete factor de pierderi ( de energie n dielectric). n relaia (2.67)
'
i
' '

sunt valori relative, iar indicele h sa introdus pentru a sugera c la dielectricii
feroelectrici pierderile de energie sunt determinate de suprafaa ciclului de isterezis
electric, iar aceasta este proporional cu tg .
Fig. 2.34 Explicativ privind
pierderile prin polarizare
electric
Prin urmare, dielectricul n cmp electric alternativ prezint pierderi de energie
datorate proceselor de polarizare, prin faptul c polarizaia nu variaz n faz cu cmpul
electric aplicat, deci componenta
' '
care msoar aceste pierderi nu este nul.
b) Permitivitatea complex datorat pierderilor prin conducie electric
Pentru deducia permitivitii complexe n acest caz, se consider dou situaii
extreme ale unui condensator alimentat cu o tensiune alternativ:
u = U
m
sin t (2.68)
Cazul condensatorului ideal. Acesta are ntre armturile metalice vid sau aer
i este un condensator fr pierderi (fig. 2.35).
Curentul prin circuit
c
I este pur capacitiv, este defazat cu
2

n faa tensiunii
U i este dat de relaia:

0 c
C U j I = (2.69)
unde: = 2f este pulsaia tensiunii,
d
A
C
0
0

= capacitatea condensatorului;
A aria armturii condensatorului;
d distana ntre armturi;

=

m
F
10 854 , 8
12
0
permitivitatea absolut a vidului.
Fig. 2.35 Condensator
ideal
Cazul condensatorului real. Aceasta are ntre armturile metalice un dielectric
tehnic oarecare i este un condensator cu pierderi (fig. 2.36).
Fig. 2.36 Condensator
real
Curentul prin circuit este I i este defazat cu un unghi
2

< naintea tensiuni


U . Curentul I are o component activ
a
I i una capacitiv
c
I :

c a
I I I + = (2.70)
Componenta activ a curentului este n faz cu tensiunea i se obine cu relaia:
G U
R
U
I
a
= = (2.71)
unde sa notat cu
A
d
R = rezistena dielectricului, iar cu G conductana dielec-
tricului.
Componenta capacitiv a curentului este defazat cu
2

naintea tensiunii i
este dat de relaia:
C U j I
c
= (2.72)
n relaia (2.72) cu C sa notat capacitatea condensatorului real care este mai
mare dect capacitatea C
0
a condensatorului ideal i anume:

'
r
0 0 0
d
A
d
A
C
C
= =

=


= (2.73)
unde este permitivitatea absolut a dielectricului, iar
r
este permitivitatea relativ
a acestuia.
Avnd n vedere cele precizate anterior relaia (2.70) devine:

=

+

= + =
= + = + =
'
0
0
'
0
c a
C j
G
U C j C U j G U
C U j G U I I I


=
0
'
0
C
G
j U C j (2.74)
Dac n (2.74) se noteaz:

''
0
C
G
=

(2.75)
rezult c:
( ) = = U C j j U C j I
0
' ' '
0
(2.76)
unde reprezint permitivitatea complex, avnd componenta real

egal cu
permitivitatea relativ
r
, deci o msur a fenomenului de polarizare, iar componenta
imaginar:
. const
C d
A
C R
1
C
G
0 0 0 0
''
=


=


=

=

= , (2.77)
adic o msur a conductivitii a dielectricului.
Factorul de pierderi este:

=


=

= tg tg
0
' '
''
(2.78)
Factorul de pierderi tg

crete proporional cu componenta activ a curentului.


n consecin este corect s se aprecieze calitatea dielectricului dup valoarea compo-
nentei imaginare

. Aa de exemplu dac un dielectric are


'
1
= 10 i tg
1
= 0,02, iar
altul are
' '
2
= 2 i tg
2
= 0,04, cel de al doilea este mai avantajos n exploatare
pentru c are coeficient de pierderi mai mic dect primul (
' '
2
= 0,08 <
' '
1
= 0,20 ).
Att
r
ct i tg se determin experimental cu puni Schering de nalt
tensiune la f = 50 Hz sau cu puni de joas tensiune la frecvene nalte.
2.3.3.2. Expresia general a pierderilor de energie n dielectrici
n general, dielectrici prezint ambele tipuri de pierderi, factorul total de
pierderi fiind:
tg = tg
h
+tg

(2.79)
Exist ns i unele cazuri particulare. Astfel dielectricii nepolari au pierderi
prin isterezis neglijabile, adic tg
h
0 iar tg = tg

. Dielectricii polari sau cei


neomogeni (ca i la feroelectrici) au pierderi prin conducie neglijabile, adic tg

=
0 iar tg = tg
h
.
Puterea activ total absorbit de la reea de ctre un dielectric, putere care se
transform n cldur, este dat de relaia:
P = P
j
+ P
h
(2.80)
unde P
j
este puterea activ corespunztoare efectului JouleLenz avnd expresia:

=


=

= =

= = tg C U U
C
U
C
U
d
A
A
d
U
R
U
P
2 2
'
0
2 2
2 2
j
(2.81)
iar P
h
este puterea activ datorat isterezisului i se obine cu relaia:
h h
tg C U P =
2
(2.82)
nlocuind (2.81) i (2.82) n (2.80) rezult:
( ) = + =

tg tg tg C U C U P
2
h
2
(2.83)
Relaia (2.83) reprezint expresia general a pierderilor de energie n dielectrici.
Deoarece izolaiile mainilor i aparatelor electrice sunt dimensionate a
funciona la tensiunea i frecvena reelei (deci U = ct. i f = ct.), iar capacitatea C a
izolaiei este de asemenea constant prin construcie, rezult c pierderile de energie
electric activ n izolaii sunt determinate de factorul de pierderi tg .
2.3.3.3. Scheme electrice echivalente ale dielectricilor
Orice dielectric poate fi reprezentat printr-o schem electric echivalent cu
parametrii concentrai R, C. Dac parametrii circuitului sunt corespunztori ca
valoare i conexiunea lor este potrivit aleas (serie, derivaie, sau mixt) se pot
obine scheme electrice echivalente dielectricului cu ajutorul crora s se determine
pe care teoretic caracteristici apropiate sau chiar identice cu cele experimentale.
Aceste scheme electrice echivalente ale dielectricilor nlesnesc mult studiul
comportrii dielectricilor n cmp electric alternativ.
a) Schema electric derivaie
n acest caz dielectricul este echivalent cu un condensator ideal de capacitate
C
p
conectat n paralel cu o rezisten R
p
n care se dezvolt aceleai pierderi de
energie activ ca i n dielectricul real. Schema electric echivalent i diagrama
fazorial sunt prezentate n fig. 2.37.
Tensiunea sinusoidal cu care se alimenteaz schema este:
u = U
m
sin t (2.84)

Fig. 2.37 Schema electric echivalent derivaie
Puterea absorbit de la reea este:

p
2
R
U
I U P = = cos (2.85)
iar curentul total din circuit este:

p
p
c a
C U j
R
U
I I I + = + = (2.86)
Avnd n vedere c, curentul total n dielectricul real este:

'
0
' '
0
C U j U C I + = (2.87)
i innd seama de (2.86) rezult c:

p 0
''
R C
1

= (2.88)

0
p
'
C
C
= (2.89)
Din (2.88) i (2.89) rezult factorul total de pierderi:

p p p
'
''
p
T
1
R C
1
tg

=

=

= (2.90)
unde T
p
= C
p
R
p
este constanta de timp a circuitului derivaie.
Admitana echivalent a circuitului derivaie se obine cu relaia:

p
p
p
C j
R
1
U
I
Y + = = (2.91)
Puterea activ absorbit de dielectric de la reea, innd seama de (2.90) este:

p p
2
p
2
p
C U
R
U
P = = tg (2.92)
Din (2.92) rezult c la tensiune i frecven constant pierderile de energie n
dielectric sunt determinate de factorul de pierderi tg
p
.
Schema electric echivalent derivaie corespunde foarte bine pentru reprezen-
tarea (modelarea) dielectricilor nepolari. Coeficientul de pierderi
' '
, permitivitatea
relativ
'
i factorul de pierderi tg variaz cu frecvena (dup cum rezult din
(2.88), (2.89) i (2.90)) ca n fig. 2.38.
Fig. 2.38 Variaia
mrimilor , i tg
p

cu frecvena n cazul
schemei electrice
echivalente derivaie.
n consecin, dac prin determinri experimentale se obin pentru un dielectric
caracteristici similare celor din fig. 2.38 rezult c el poate fi reprezentat printr-o
schem electric echivalent deviaie.
b) Schema electric serie
n acest caz dielectricul este echivalent cu un condensator ideal de capacitate
C
s
conectat n serie cu o rezisten R
s
n care se dezvolt pierderi de energie
electric activ ca i n dielectricul real. Schema electric echivalent i diagrama
fazorial sunt reprezentate n fig. 2.39.
Tensiunea sinusoidal cu care se alimenteaz schema este:
u = U
m
sint , iar curentul total prin circuit se obine cu relaia:

Fig. 2.39 Schema electric echivalent serie.

s
s
s
C j
1
R
U
Z
U
I

+
= = (2.93)
Admitana echivalent a circuitului serie se obine cu relaia:
=
+
+

=

+
= =
j C R
j C R
j C R
C
C
j
R
1
C j
1
R
1
Z
1
Y
s s
s s
s s
s
s
s
s
s
s
s


2
s
2 2
s
s
2
s
2 2
s
2
s
2
s
C R 1
C j
C R 1
C R
+

+
+

= (2.94)
Admitana echivalent a dielectricului real este:

'
0
''
0
C j C Y + = (2.95)
Din (2.94)i din (2.95) rezult c:

2
s
2
s r
2
s
2
s
2
s s
0
s
''
T 1
T
C R 1
C R
C
C
+

=
+

= (2.96)

2
s
2
r
2
s
2
s
2
o
s
'
T 1 C R 1
C
C
+

=
+
= (2.97)
unde T
s
= R
s
C
s
este constanta de timp a circuitului serie.
Din (2.96) i (2.97) rezult c factorul total de pierderi este:

s s s
'
''
s
T C R = =

= tg (2.98)
Puterea activ absorbit de dielectric de la reea este:
=
+

=

+

= = = =
2
s
2
s
2
s
2
s
2 2
2
s
2
2
s
s
2
s
2
2
s
s
C R 1
R C U
C
1
R
R U
R
Z
U
Z
R
Z
U
U I U P cos

s
2
s s
2
1
C U
+

=
tg
tg
(2.99)
Din (2.99) se constat c i n cazul schemei electrice echivalente serie, la
tensiune i frecven constant, pierderile de energie sunt determinate de factorul de
pierderi tg
s
.
Schema electric echivalent serie se preteaz pentru reprezentarea (studiul)
dielectricilor slab polari (care prezint pe lng polarizarea electronic i ionic i o
polarizare dipolic).
Reprezentnd grafic pe ", ' i tg
s
n funcie de frecvena tensiunii de
alimentare se obin caracteristicile din fig. 2.40.
Din grafic rezult c pentru ( = 0) i pentru ( = ) coeficientul de pierderi
(
' '
= 0), iar la
s s
C R
1

= acesta are un maxim. Pe de alt parte permitivitatea


'

scade odat cu creterea frecvenei.
n intervalul de frecven (
1
,
2
) nu este indicat utilizarea dielectricului n
exploatare deoarece:
coeficientul de pierderi
' '
atinge un maxim i deci dielectricul se nclzete
suplimentar;
permitivitatea relativ
'
nu mai este constant i deci nu mai sunt valabile
relaiile pentru regimul sinusoidal.

Fig. 2.40 Variaia mrimilor , i tg
s
cu frecvena n cazul schemei electrice
echivalente serie.
Dac prin determinri experimentale se obin pentru un dielectric caracteristici
similare celor din fig. 2.40 rezult c el poate fi reprezentat prin schema electric
echivalent serie.
c) Scheme echivalente mixte
Scheme electrice cu parametrii R i C n conexiune mixt se utilizeaz pentru
studiul dielectricilor neomogeni sau a dielectricilor polari.
Astfel pentru studiul dielectricilor polari omogeni se poate utiliza schema
electric echivalent din fig. 2.41.
Admitana echivalent a circuitului din fig. 2.41:

2 1
Y Y Y + = (2.100)
unde:

1 1
C j Y = (2.101)
i

2
2
2
2
2
2 2 2
2
2
2
C R 1
) j C R ( C
C
1
R
1
Y
+
+
=

= (2.102)
sunt admitanele circuitelor componente. Admitana total devine:
)
C R 1
C
C ( j
C R 1
C R
Y
2
2
2
2
2
2
1
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
+
+ +
+

= (2.103)
dac n (2.103) se nlocuiete constanta de timp a circuitului serie (
2 2 2
C R T = ) i
se egaleaz termenul real i cel imaginar, cu termenii respectivi ai admitanei
dielectricului real din relaia (2.95) se obine:

2
2
2 C
C
C
C
T 1
1
'
0
2
0
1
+
+ = (2.104)
i

2
2
2
2
C
C
T 1
T
' '
0
2
+

= (2.105)
respectiv factorul de pierderi:

2
2
2
2
1
2 2
C ) T 1 ( C
T C
'
' '
+ +

=

= tg (2.106)

Fig. 2.41 Schema electric echivalent
a unui dielectric polar omogen
Pentru reprezentarea grafic a variaiei cu frecvena se consider valorile
permitivitii relative
,
la frecvena nul (
,
s
,
= permitivitatea static) i la o
frecven foarte mare ( ) cum sunt frecvenele optice (cnd
, ,

= , permiti-
vitatea optic datorat numai polarizrii electronice). Pentru ( 0 = ) i ( ),
din (2.104) rezult:

0
2 1
C
C C
,
s
+
= (2.107)
i

0
1
C
C ,
=

(2.108)
Din (2.107) rezult c la frecvene foarte mici, cele dou capaciti apar ca
fiind conectate n derivaie, (deci R
2
=0) adic pierderile sunt nule. La fel rezult din
(2.108) c la frecvene foarte mari dielectricul prezint numai capacitatea C
1
i
pierderile de asemenea nule.
Din (2.104), (2.105) i (2.106), observnd c
, ,
s 0 1
,
s 0 2
C / C C / C

= =
se obine:

2
2
2
, ,
s , ,
T 1 +

+ =

(2.109)
i

2
2
2
2
, ,
s
T 1
T ) (
' '
+

=

(2.110)
respectiv:

2
2
2 , ,
s
2
, ,
s
T
T ) (
'
' '
+

=

tg (2.111)
Din ultimele trei relaii la 0 = se obine: (
,
s
,
= ), ( 0 ' ' = ) i (tg = 0).
Constanta de timp T
2
este aproximativ egal cu timpul de relaxare al polarizrii
diolice (10
-9
~ 10
-6
) [s]. Deci la frecvene mici (
,
s
,
= ) i ( 1 T
2
2
2
<< ). La
frecvene nalte ( ) rezult (
, ,

= ), ( 0 ' ' = ) i (tg = 0) ca n fig.2.42.



Fig. 2.42 Variaia mrimilor i cu frecvena n cazul schemei electrice
echivalente unui dielectric polar omogen.
Experimental se determin (
,
s
) i (
,

), iar (C
2
) rezult din diferena
(
, ,
s
) i la fel (R
2
) din (
2
Y ), deci ( ' ), ( ' ' ) i ( tg ) sunt determinabile.
Cum ( tg = 0) pentru ( 0 = ) i ( ), rezult c prezint un maxim pentru o
valoare a pulsaiei ce se determin prin anularea derivatei:

( )
( )
0
T
T ) T (
d
) ( d
2
2
2
2 , ,
s
2
2
2
2 , ,
s
, ,
s
=
+

=


tg
(2.112)
'
'
'
'
de unde, cum (
,
s
) este totdeauna diferit de (
,

), rezult c:

2
2
2 , ,
s
T

= 0
i deci:

,
,
s
2
T
1

= (2.113)
nlocuind (2.113) n (2.111) se obine valoarea maxim

, ,
s
, ,
s
max
2
) (
) (



= tg (2.114)
a factorului de pierderi pentru dielectricii polari omogeni.
Pentru studiul dielectricilor neomogeni se pot adopta diverse scheme electrice
echivalente mixte, ca de exemplu cele din fig. 2.43.

Fig. 2.43 Scheme electrice echivalente ale unor dielectrici neomogeni
Dac se consider schema echivalent din fig.2.43.b, n care se noteaz pentru
simplificare parametrii (R) i (C) fr indicele p, constata de timp a circuitului
echivalent rezult sub forma:
) C C (
R R
R R
T
2 1
2 1
2 1
+
+

= (2.115)
deoarece tensiunea (U
1
) ce revine primului circuit are aceeai form de variaie n
timp cu (U
2
) ce revine celui de-al doilea circuit, n cazul n care (U) ar fi o tensiune
continu aplicat la cele dou borne ale ansamblului. Deci i constantele de timp
(T
1
) i (T
2
) sunt egale i fiecare reprezint constanta de timp (T) a circuitului
echivalent. nlocuind n (2.115) pe (R) i (C) cu valorile lor corespunztoare lui ()
i () se obine:

2 1 1 2
2 1 1 2
d d
d d
T
+
+
= (2.116)
La alimentarea circuitului cu tensiune alternativ, se caut determinarea variaiei
mrimilor (
,
), (
.,
) i ( tg ) cu frecvena ca i n cazurile precedente. Dac
1
Y i
2
Y sunt admitanele celor dou circuite derivaie, atunci admitana echivalent
este:

2 1
2 1
Y Y
Y Y
Y
+

= (2.117)
sau innd seama de
1 1 1
C R T = i
2 2 2
C R T = se obine:
) R R ( ) T 1 (
) T T T T T T (
j
) R R ( ) T 1 (
) T T T T T T ( 1
Y
2 1
2 2
2 1
2
2 1
2 1
2 2
2 1 2 1
2
+ +
+ +
+
+ +

=
(2.118)
Identificnd termenii din (2.118) cu admitana dielectricului real (2.95) rezult:

0 2 1
2 2
2 1
2
2 1 ,
C ) R R ( ) T 1 (
T T T T T T
+ +
+ +
= (2.119)
i:

0 2 1
2 2
2 1 2 1
2
, ,
C ) R R ( ) T 1 (
) T T T T T T ( 1
+ +

= (2.120)
Din (2.119) i (2.120) pentru ( 0 = ) i ( ) rezult:

) R R ( C
T T T
2 1 0
2 1 ,
s
+
+
= (2.121)
i

T ) R R ( C
T T
2 1 0
1 ,
+

=

(2.122)
astfel c (2.119) i (2.120) se pot scrie:

2 2
, ,
s , ,
T 1 +

+ =

(2.123)
i

2 1
,
2 2
, ,
s , ,
T T
T
) T 1 (
T ) (


+
+

=

(2.124)
Comparnd (2.123) i (2.124) cu valorile respective din (2.109) i (2.110),
unde T
2
reprezint de fapt constanta T a circuitului echivalent, rezult c pentru
dielectricul stratificat se obine acelai (
,
) i deci variaia sa cu ()este aceeai ca
i n fig. 2.42. n schimb (
, ,
) difer fa de cazul precedent prin termenul:

, ,
2 1
,
T T
T

=


(2.125)
unde indicele () sugereaz c acesta depinde de conductivitatea echivalent (),
deoarece innd seama de (T), (T
1
), (T
2
)

rezult:

=
+
=

) R R ( C
1
T T
T
2 1 0 2 1
,
(2.126)
deoarece (1/RC) are dimensiunea de [m]
-1
ca i conductivitatea electric ()
.
Prin
urmare (2.124) devine:

+
+

=

2 2
, ,
s , ,
T 1
T ) (
(2.127)
astfel c factorul de pierderi rezult:

2 2
, ,
s ,
2 2 , ,
s
, ,
s
,
, ,
T 1
) (
/
T
T ) (
+

+

+
+

=

tg (2.128)
Fig. 2.44 Variaia
factorului de pierderi cu
frecvena pentru un dielectric
neomogen sau stratificat
Dielectricul stratificat, prezint la frecvene sczute pierderi mari datorate mai
ales conductivitii, iar la frecvene mari, pierderi datorate polarizrii. Frecvena la
care pierderile sunt minime este cea potrivit pentru exploatarea dielectricului. La
aceast frecven nclzirea dielectricului este minim, iar durata sa de via este
maxim (vezi fig. 2.44).
Pentru fiecare dielectric este necesar s se adopte schema electric echivalent cu
care s se poat obine prin calcul aceeai variaie cu frecvena a permitivitii
relative, a coeficientului de pierderi i a factorului de pierderi ca i la determinrile
experimentale.
Reprezentarea dielectricilor prin scheme electrice echivalente sporete
eficiena i corectitudinea alegerii i utilizrii lor n proiectarea i construcia
mainilor i aparatelor electrice.
2.3.3.4. Pierderile de energie electric activ prin incluziuni de gaze
Pierderile de energie n dielectrici nu sunt datorate numai conduciei electrice
i polarizrilor electrice ci i descrcrilor ce au loc n incluziunile de gaze.
Dac un dielectric prezint incluziuni de gaze, n aceste incluziuni ionii de
gaz bombardeaz repetat pereii cavitii i datorit acestui fapt apare att o eroziune a
pereilor cavitii ct i o nclzire local excesiv. Aceast nclzire suplimentar
reprezint o pierdere de energie ce poate fi exprimat empiric sub forma:
( )
2
0 1 i
U U f B P = (2.129)
unde: B
1
este o constant de material;
f frecvena tensiunii U aplicate dielectricului;
U
0
tensiunea de ionizare a gazului.
Fig. 2.45 Variaia
factorului de pierderi cu
tensiunea aplicat unui
dielectric cu incluziuni de gaze.
Egalnd pierderile P
i
cu pierderile determinate n cazul schemei echivalente
derivaie, unde n loc de U sa introdus U
0
, se obine factorul de pierderi cores-
punztor pierderilor prin incluziuni de gaze:
( ) = tg C U U U f B
2
0
2
0 1
(2.130)
de unde:
( ) ( )
2
0 2
2
0
2
0
1
U U B U U
C U
f B
=


= tg (2.131)
n relaia (2.131) B
2
reprezint factorul constant.
Variaia lui tg cu tensiunea U este prezentat n fig. 2.45.
Pentru U < U
0
variaia lui tg cu U este nesemnificativ.
Pentru U > U
0
pierderile cresc foarte mult cu creterea tensiunii. Pe baza
celor precizate mai sus rezult c un dielectric care prezint incluziuni de gaze
trebuie s fie utilizat la tensiuni sub valoarea de ionizare a gazelor din incluziuni. n
caz contrar dielectricul se distruge n timp foarte scurt.
2.3.4. Strpungerea electric a materialelor electroizolante
Strpungerea dielectricilor este fenomenul care const n trecerea direct a
curentului electric prin masa unui dielectric aezat ntre doi electrozi metalici la o
anumit valoare a intensitii cmpului electric exterior. Trecerea curentului prin
dielectric are loc ca urmare a distrugerii reelei dielectricilor solizi, descompunerii
prin ionizare a dielectricilor lichizi sau ionizrii n avalan a dielectricilor gazoi.
Pentru orice dielectric aezat ntre 2 armturi metalice se constat c prin
mrirea tensiuni aplicate U, curentul I crete proporional. Acest lucru este valabil
numai pentru tensiuni inferioare tensiuni critice U
c
(vezi fig. 2.46).

Fig. 2.46 Variaia
curentului electric printr-un
dielectric n raport cu tensiunea
aplicat acestuia.
Pentru tensiuni (U < U
c
) unghiul () format de tangenta la curba I = f(U) este
constant.
Pentru tensiuni (U > U
c
) unghiul () crete, astfel nct la (U = U
s
) se obine
(
2

= ) iar (tg = ).
Dar tangenta la curb este:
= = = . const
R
1
U
I
tg (2.132)
Rezult c rezistena (R) a dielectricului este nul, adic conductana acestuia
(
R
1
G = ) este nelimitat.
Curentul I din circuitul dielectricului va fi limitat doar de parametrii sursei de
alimentare. Tensiunea U
s
se numete tensiune de strpungere. Raportul ntre tensiunea
de strpungere U
s
i distana dintre electrozii ntre care este plasat dielectricul este
rigiditatea dielectric.

d
U
E
s
s
=

m
kV
ef
(2.133)
Determinat n condiii date ea este o constant de material. Sunt ns necesare a
fi fcute urmtoarele precizri:
Dac rigiditatea dielectric este determinat n condiii ideale i anume:
- cmp electric uniform,
- frecvena de 50 [Hz],
- temperatura constant,
- grosimea i suprafaa dielectricului s fie suficient de mari pentru a se
obine suficieni purttorii de sarcin, atunci experimental se va obine tot
timpul aceeai valoare numit rigiditate dielectric intrinsec.
Dac rigiditatea dielectric se determin n condiii reale atunci experimental
se vor obine valori apropiate dar nu identice i vom vorbi de o rigiditate
dielectric tehnic.
Cei mai importani factori care influeneaz strpungerea unui dielectric sunt
urmtorii:
Frecvena, forma i durata de aplicare a tensiunii. n acest sens cablurile electrice
se ncearc la tensiune continu, aparatele i echipamentele electrice de nalt
tensiune se ncearc la tensiune alternativ cu frecvena de 50 [Hz], iar
mainile i transformatoarele electrice se ncearc la impulsuri de tensiune
avnd forma din fig. 2.47. Creterea tensiunii continue sau alternative se poate
face continuu cu o vitez prestabilit, sau n trepte de tensiune cu o durat de
pstrare a fiecrei trepte.
Forma, dimensiunile i conductivitatea termic a electrozilor metalici.
Omogenitatea, umiditatea , grosimea dielectricului, la care se adaug coninutul
de incluziuni de gaze i prezena elementelor de contaminare a dielectricului.
Presiunea, temperatura i umiditatea mediului ambiant.
Studiul strpungerii dielectricilor se face n funcie de starea de agregare a
acestora.

Fig. 2.47 Impuls de
tensiune utilizat la ncercarea
unei maini electrice
2.3.4.1. Strpungerea dielectricilor gazoi
Datorit complexitii fenomenului, tratarea matematic a procesului de
strpungere a fost posibil numai prin adoptarea unor ipoteze simplificatoare.
Teoria strpungerii gazelor a fost elaborat de ctre Townsend i are la baz
urmtoarele ipoteze:
Sub aciunea unui cmp electric exterior moleculele neutre de gaz sunt ionizate
numai de ctre electroni i numai dac energia cinetic a electronului (dat de
relaia:
a e E
2
v m
W
2
e
=

= (2.134)
n care: m este masa electronului;
v viteza electronului nainte de ciocnire;
E intensitatea cmpului electric exterior;
e sarcina electric a electronului;
a drumul mediu ntre dou ciocniri ionizante succesive) este mai
mare dect energia de ionizare a moleculei gazului (ce se poate
calcula cu relaia:

i i
V e W = (2.135)
unde V
i
este potenialul de ionizare al gazului). Prin urmare se iau n
considerare numai ciocnirile ionizante.
La fiecare ciocnire ionizant electronul i cedeaz ntreaga sa energie
cinetic, viteza lui devenind nul.
Electronii se deplaseaz rectiliniu n lungul liniilor de cmp electric uniform.
Pe baza acestor ipoteze Townsend a obinut pentru tensiunea de strpungere
(U
s
) a gazelor o expresie de forma:
U
s
= f(pd) (2.136)
Din (2.136) rezult c tensiunea de strpungere a gazelor este funcie de
produsul dintre presiunea p i distana dintre electrozi (d), cum de fapt se constat i
experimental.
Influena presiunii asupra rigiditii dielectrice a gazului rezult din fig. 2.48.

Fig. 2.48 Variaia
rigiditii dielectrice a gazelor
n funcie de presiune
La presiuni mici concentraia moleculelor de gaz fiind mic i probabilitatea
de ciocnire i ionizare este mic, deci sunt necesare intensitii de cmp mari pentru
a se ajunge la strpungere.
La presiuni mari drumul mediu ntre dou ciocnirii ionizante succesive (a)
este mic i deci pentru ca (W
e
) s fie suficient de mare ca s se produc ionizarea i
respectiv strpungerea trebuie ca intensitatea cmpului electric s fie mare.
ntre aceste 2 stri limit curba E
s
= f(p) la d = const. corespunztoare
gazului electroizolant prezint un minim care n exploatare trebuie s fie evitat.
n cazul aerului minimul rigiditii dielectrice (E
s
) se obine pentru o presiune
apropiat de 1 [atm].

Fig. 2.49 Variaia rigiditii
dielectrice a gazelor n funcie de
distana dintre electrozi
Influena distanei dintre electrozi asupra rigiditii dielectrice a gazului este
prezentat n fig. 2.49.
Se constat c odat cu creterea distanei ntre electrozi are loc o scdere a
rigiditii dielectrice.
2.3.4.2. Strpungerea dielectricilor lichizi
Pn n prezent nu exist o teorie unitar a strpungerii dielectricilor lichizi.
Din teoriile elaborate pentru explicarea strpungerii dielectricilor lichizi cele mai
apropiate de realitate sunt urmtoarele:
Teoria ionizrii, care se bazeaz pe disocierea moleculelor neutre de ctre
ionizatorii externi. Teoria ionizrii este similar celei din cazul gazelor.
Teoria strpungerii pur electrice, ce are la baz ipoteza c electronii care
produc ionizarea urmat de descrcarea autonom i strpungerea lichidului
sunt smuli de ctre cmpul electric din electrozii metalici ntre care se afl
dielectricul.
Teoria strpungerii termice, care se bazeaz pe descompunerea moleculelor
neutre datorit agitaiei termice i pe existena n lichid a unor incluziuni
gazoase.
Deoarece teoriile strpungerii lichidelor sunt nc incomplete, studiul acestor
dielectrici i a factorilor ce i influeneaz trebuie efectuat pe cale experimental.
Rigiditatea dielectric a lichidelor este influenat de mai muli factori dintre
care cei mai importani sunt:
- impuritile;
- temperatura;
- neuniformitatea cmpului electric;
- coninutul de ap.
Astfel n cazul uleiurilor electrotehnice tensiunea de strpungere U
s
variaz
cu coninutul de ap ca n fig. 2.50.
Fig. 2.50 Influena
coninutului de ap asupra
tensiunii de strpungere a
uleiurilor electrotehnice
Factorii menionai sunt cei care n exploatare accelereaz mbtrnirea die-
lectricului lichid.
2.3.4.3. Strpungerea dielectricilor solizi
La cmpuri electrice intense (10
2
10
3

cm
kV
) se produce strpungerea dielec-
tricilor solizi fie pe cale pur electric, fie pe cale electric i termic.
Pentru nelegerea procesului strpungerii, este convenabil ca cele dou feluri
de strpungere pur electric i termic s se studieze separat.
a). Strpungerea pur electric se realizeaz la ncercri de scurt durat cnd
dielectricul nu-i modific temperatura sub aciunea cmpului electric exterior.
Distrugerea reelei atomice i realizarea strpungerii are loc sub aciunea forelor:
E q Fe = (2.137)
datorate cmpului electric, capabile s echilibreze i s depeasc fora maxim de
coeziune m F dintre ionii reelei.
Deci trebuie s avem:
m e F F (2.138)
Pentru doi ioni vecini aflai n echilibru i situai la distana r (vezi fig.
2.51.a), n ipoteza c asupra lor nu acioneaz ceilali atomi din reea, fora de
atracie dintre ei este:

2
0
2
a
r 4
q
f

= (2.139)
unde q este sarcina unui ion.

f
a
f
a
r
a)


Fig. 2.51 Explicativ
privind strpungerea pur
electric a dielectricilor
solizi
b)
q
La o apropiere mai mic dect r ntre ioni se manifest o for de respingere
datorit interaciunii dintre nveliurile electronice, exprimat empiric prin relaia:

10
0
2
r
r 4
q B
f


= (2.140)
unde B este o constant.
n starea de echilibru a reelei ionice rezultanta acestor fore este nul:
0 f f F
r a
= + = (2.141)
Forele F, f
a
i f
r
variaz n raport cu (r) ca n fig. 2.51.b.
Aceast teorie a strpungerii pur electrice conduce la rezultate ce difer cu
(12) ordine de mrime fa de cele experimentale.
b). Strpungerea termic apare i se suprapune peste cea electric dac
dielectricul se nclzete sub aciunea cmpului electric (aa cum este totdeauna n
exploatare). Deci tensiunea de strpungere termic este mai mic dect cea pur
electric. n proiectare se consider totdeauna tensiunea de strpungere termic.
Pentru deducerea tensiunii de strpungere termic se poate utiliza teoria lui A.V.
Fock. S considerm un dielectric situat ntre dou armturi metalice ca n fig. 2.52.
El se caracterizeaz prin temperatura din planul median (
m
) i prin temperatura (
s
)
din suprafaa de contact dielectric-armtur metalic. Cu (
0
) s-a notat temperatura
la suprafaa exterioar a armturii.

a)

b)
Fig. 2.52 Explicativ privind strpungerea termic a dielectricilor solizi
Admitem c toat cldura dezvoltat n volumul canalului n unitatea de timp

) ( a 2
1
0 m
e E B Q

= (2.142)
este egal cu cldura disipat spre mediul exterior prin suprafeele frontale ale
canalului aflate n contact cu electrozii metalici.
) ( B ' Q
0 m 2
= (2.143)
n relaiile (2.142) i (2.143) (B
1
), (B
2
) i (a) sunt constante.
Ecuaia ( ' Q Q= ) se rezolv grafic (vezi fig. 2.52.b).
Pentru 3 tensiuni de alimentare (U
1
), (U
2
) i (U
3
) se obin exponenialele
(Q
1
), (Q
2
) i (Q
3
).
Dac dielectricul este supus tensiunii (U
1
), curba (Q
1
) se intersecteaz cu
dreapta (Q) n punctul stabil de funcionare (A) i n cel instabil (B). ntre (A) i
(B) funcionarea nu este posibil (dect dac dielectricul ar fi nclzit suplimentar
din exterior). La tensiunea (U
2
) curba (Q
2
) este tangent la dreapta (Q) n (C) i
dielectricul se afl la limita tensiunii de strpungere termic.
n punctul (C) se poate scrie c:

m m
d
' dQ
d
dQ

(2.144)
Din (2.142), (2.143) i (2.144) rezult c:

2
) ( a 2
1
B e a E B
0 m
=

(2.145)
Comparnd relaia (2.145) cu relaia ( ' Q Q= ), adic:
) ( B e E B
0 m 2
) ( a 2
1
0 m
=

(2.146)
rezult c:

0 m
1
a

= (2.147)
Constantele (B
1
) i (B
2
) din relaia (2.146) au expresiile:

( )
0
a
1
d 24 , 0 e d 24 , 0 B
0 m
= =

i (2.148)

+

=
d
B
2
(2.149)
n care: () este transmisivitatea termic a electrozilor metalici, () este conductivitatea
termic a tubului considerat i () este conductivitatea electric a tubului considerat.
nlocuind (2.147) n (2.145) i innd cont de faptul c
2
2
st 2
d 4
U
E

= rezult c:

2
2
2
st
1
B e a
d 4
U
B =

(2.150)
i deci

)
d
1 ( e a 6 , 0
) d ( e a 6 , 0
d
e a d 24 , 0
d
d 4
e a B
B d 4
U
0
0 0
2
1
2
2
st

+

=
=
+

=

+


=


=
(2.151)
Relaia (2.151) se poate scrie i sub forma:

)
d
C
1 ( B
A
U
st
+
= (2.152)
unde (A), (B) i (C) sunt constante, iar (d) este grosimea dielectricului.
Pe baza relaiei (2.152) se poate reprezenta grafic variaia tensiunii de
strpungere termic n funcie de grosimea dielectricului (vezi fig. 2.53.a).
Din grafic se observ c tensiunea de strpungere termic tinde spre o valoare
constant cnd grosimea dielectricului crete. n consecin cnd grosimea
dielectricului crete rigiditatea dielectric
d
U
E
s
s
= scade (vezi fig. 2.53.b).
Deci n aplicaiile practice ntrirea izolaiilor nu trebuie s se fac prin
creterea grosimii acestora ci prin schimbarea i alegerea corespunztoare a
dielectricului.
Dac dielectricul este alimentat cu tensiune alternativ influena grosimii
asupra tensiunii de strpungere U
st
rmne aceeai, iar n plus mai apare i influena
frecvenei. U
st
scade puin cu creterea frecvenei.

a) b)
Fig. 2.53 Influena grosimii dielectricului solid asupra tensiunii de strpungere
termic i rigiditii dielectrice.
Capitolul 3
MATERIALE SEMICONDUCTOARE
3.1. Semiconductori intrinseci
Principalele elemente semiconductoare sunt Si i Ge (ambele tetravalente).
Ele pot fi obinute cu un nalt grad de puritate. Cu toate c puritatea nu este total
este posibil realizarea strii de semiconductor intrinsec. Pentru aceasta concentraia
impuritilor donoare se compenseaz printr-o concentraie egal de impuriti
acceptoare.
n cazul semiconductorilor intrinseci, conform teoriei zonelor de energie ale
electronilor dintr-un corp solid, zona de valen (A) este complet ocupat de
electroni la 0 [K], nivelul limit Fermi se afl la jumtatea zonei interzise (B), iar
zona de conducie (C) este complet liber de electroni (vezi fig. 3.1.a).
a)

b)

Fig. 3.1 Reeaua cristalin i
structura zonelor de energie
la 0 [K] n cazul unui
semiconductor intrinsec

n figura 3.1.a (W
F
) este energia nivelului limit Fermi, (W
C
) este energia
primului nivel al zonei de conducie, (W
V
) este energia ultimului nivel al zonei de
valen, iar (W
b
) este energia de activare. n zona de valen conform principiului
lui Pauli pe fiecare nivel de energie exist doi electroni de spini opui.
S considerm reeaua cristalin a Ge (vezi fig.3.1.b). La 0[K] cei patru
electroni de valen ai unui atom formeaz legturi covalente prin asociere cu patru
electroni de valen ai atomilor vecini. Structura zonelor de energie este cea
prezentat anterior.
Dac temperatura crete la o valoare oarecare (de ex. 300 [K]) datorit
agitaiei termice este posibil ca energia unui electron de valen s devin egal sau
mai mare dect (W
b
) i electronul face un salt cuantic n zona de conducie acesta
este aa numitul efect intrinsec. Electronul fiind liber, sub aciunea unui cmp
electric exterior particip la conducia electric. n legtura de valen i respectiv n
zona de valen de unde a plecat electronul, rmne un loc vacant, un gol, care
poate fi echivalat cu o sarcin pozitiv egal n valoare absolut cu sarcina electro-
nului. Golul poate fi ocupat de ctre un alt electron de valen, care las un gol n
urma sa, .a.m.d.
Sub aciunea unui cmp electric exterior golurile se deplaseaz n sensul
cmpului, iar electronii n sens invers cmpului. Prin urmare la conducia electric
particip dou feluri de purttori de sarcin adic electroni i goluri. n zona de
valen, sub aciunea cmpului electric exterior electronii sar de pe nivelele
inferioare pe cele superioare, respectiv golurile se deplaseaz invers. Electronii din
zona de conducie se numesc purttori de sarcin de tip n, iar golurile din zona de
valen se numesc purttori de sarcin de tip p. La un semiconductor intrinsec
concentraia electronilor din zona de conducie este egal cu concentraia golurilor
din zona de valen:

i
n p n = = (3.1)
3.2. Semiconductori extrinseci
Semiconductorii acceptori se obin prin impurificarea Si i Ge cu elemente
trivalente ca: bor (B), aluminiu (Al), indiu (In) etc.
S considerm reeaua atomic a Ge n care exist un defect de substituie
realizat prin prezena unui atom de indiu (vezi fig.3.2.a).
Din fig.3.2.a. rezult c cei trei electroni de valen ai atomului de In
formeaz legturi covalente cu trei dintre electronii de valen ai atomilor vecini de
Ge. A patra legtur rmne nesatisfcut.
Structura zonelor de energie la 0 [K] este cea din fig.3.2.b. n fig.3.2.b. cu
(W
p
)

s-a notat energia de ionizare a impuritii, iar cu (a) s-a notat nivelul de energie
care va accepta un electron provenit din zona de valen i se numete nivel
acceptor.
La creterea temperaturii un electron de valen al unui atom de Ge din reea
obine energia (W
p
) i trece pe nivelul acceptor. Acest electron ocup locul vacant
din legturile de valen ale atomului impuritii cu atomul vecin de Ge. Atomul
impuritii se fixeaz stabil n reea i este ionizat negativ. Electronul a lsat n urma
sa un loc vacant, un gol, n legtura de valen ntre 2 atomi vecini de Ge. Zona de
valen a acestui atom devine astfel incomplet. Sub aciunea unui cmp electric
exterior, locul vacant este ocupat de ctre un electron din zona de valen de pe un
nivel inferior acesta lsnd alt gol n urma sa .a.m.d. Se realizeaz astfel conducia
electric prin goluri. i n cazul semiconductorilor acceptori se manifest efectul
intrinsec. ntr-un semiconductor acceptor electronii constituie purttorii minoritari
iar golurile purttorii majoritari.

a)
Fig.3.2 Reeaua cristalin i
structura zonelor de energie
la 0 [K] n cazul unui
semiconductor extrinsec
acceptor

b)
Semiconductorii donori se obin prin impurificarea siliciului i a germaniului
cu elemente pentavalente ca: P, As, Sb etc.
Se consider reeaua atomic a Ge n care exist un defect de substituie realizat
prin prezena unui atom de Sb (vezi fig. 3.3.a.).
Din fig. 3.3.a. se observ c numai patru dintre electronii de valen ai atomului
Sb formeaz legturi covalente cu cei patru electroni de valen ai atomilor vecini
de Ge. Al cincilea electron de valen al atomului de Sb rmne slab legat de atom.
Structura zonelor de energie la 0 [K] este cea din fig. 3.3.b. n fig. 3.3.b. cu (W
n
) s-a
notat energia de activare a electronului excedentar al Sb, cu (d) s-a notat nivelul de
energie pe care se afl electronul excedentar al Sb, nivel care se numete donor, iar
cu (W
b
) energia de activare a germaniului. La creterea temperaturii electronul de
pe nivelul donor obine energia (W
n
) i devine liber, iar atomul impuritii (atomul
donor) rmne ionizat pozitiv. Impuritile donoare pot fi activate uor astfel nct
la temperatura camerei concentraia electronilor n zona de conducie s fie suficient
de mare pentru ca sub aciunea unui cmp electric exterior s se obin conducia
electronic. Dac considerm i efectul intrinsec atunci electronilor din zona de
conducie li se mai adaug electronii ce provin din zona de valen. n zona de
valen rmne de asemenea una numit numr de goluri.

a)
Fig. 3.3. Reeaua cristalin
i structura zonelor de
energie la 0 [K] n cazul
unui semiconductor
extrinsec donor

b)
ntr-un semiconductor donor electronii constituie purttorii majoritari, iar
golurile purttorii minoritari. Semiconductorii donori se caracterizeaz prin apariia
conduciei electrice ncepnd ns de la cele mai mici valori ale intensitii
cmpului electric aplicat.
3.3. Jonciuni semiconductoare
Metalele proaspt curite dac vin n contact cu oxigenul se oxideaz
imediat i se formeaz oxidul metalic la suprafa. Trecerea de la un metal la oxid
constituie o jonciune metal-oxid semiconductor denumit jonciune MOS.
Dac se consider un metal i un oxid semiconductor de tip donor, nainte de
punerea lor n contact, zonele de energie se prezint ca n fig.3.4.a.
Dup punerea n contact a metalului cu semiconductorul se produc procese de
difuzie care nu sunt ns complet elucidate.
Conform teoriei lui Bardeen, n semiconductorul de tip n are loc o difuzie a
electronilor spre suprafaa de separaie (fr a depi jonciunea) pn la o adncime
(
0
) n interiorul acestuia, aa cum este sugerat n fig.3.4.b. n urma difuziei n
semiconductorul (n) se constituie o sarcin spaial pozitiv, iar la jonciune pe
partea dinspre semiconductor o sarcin spaial negativ. Potenialul sarcinii
spaiale se numete potenial de difuzie i se noteaz cu (V
D
).
Gradientul potenialului este:
D
D
D
E i
dx
dV
V grad = = (3.2)
Deci gradientul determin un cmp electric de difuzie ( D E ), care la un moment
dat realizeaz un echilibru termodinamic (adic la o temperatur a jonciunii dat
diferena de potenial se menine constant). Echilibrul termodinamic se realizeaz
n momentul n care nivelul limit Fermi din metal (F
M
)

coincide cu nivelul limit
Fermi din semiconductor (F
n
).

Fig. 3.4 Explicativ privind fenomenele specifice jonciunii MOS
Dup cum se remarc din ultima fig.3.4.b. pe limea (
0
) exist o distorsiune a
zonelor de energie. Aceast lime (
0
) a sarcinilor spaiale + i reprezint o
barier de potenial de nlime (
D
V e ). Pentru trecerea unui electron peste bariera
de potenial, acesta trebuie s posede o energie egal sau mai mare dect (
D
V e ),
adic trebuie satisfcut condiia:

D
2
V e
2
v m

(3.3)
Aceast condiie nu se realizeaz nici mcar la temperatura camerei dect n
foarte mic msur.
n apropierea jonciunii nivelul limit Fermi se afl deasupra ultimului nivel
al zonei de valen (ca i la semiconductorii acceptori), iar la o deprtare mai mare
ca (
0
) nivelul limit Fermi se afl ntre nivelul donor C
n
i primul nivel al zonei de
conducie (ca i la semiconductorii donori). Prin urmare pe limea (
0
) are loc
inversarea naturii conductibilitii de la conducie prin goluri (de tip p), la
conducie prin electroni (de tip n). De aceea limea (
0
) se numete strat de
inversie sau eventual strat de baraj. Mrimea limii (
0
)

i a potenialului de difuzie
(V
D
) depinde de natura semiconductorului.
n absena unui cmp electric exterior ( 0 E = ) curentul de difuzie determinat
de trecerea electronilor dinspre metal spre semiconductor, sau invers, este:
( )
T K
V e
0
2
3
1
D
e T K
h
e m 4
i



= (3.4)
unde: h = 6,62310
34
[Js] este constanta lui Planck, k = 1,3810
23

grad
J
este
constanta lui Boltzmann, e = 1,60110
19
[C] este sarcina electric a electronului,
m = 9,10210
31
[Kg] este masa electronului, T este temperatura absolut, iar e
0

este baza logaritmilor neperieni.
Dac se aplic jonciunii un cmp electric exterior ( 0 E ) n sens invers
cmpului de difuzie ( D E ), cu potenialul pe semiconductor i + pe metal,
atunci nlimea barierei de potenial se reduce la valoarea ) V e V e (
D
, unde (V)
este potenialul din care deriv cmpul ( E ).
Pentru trecerea electronului dinspre semiconductor spre metal este necesar o
energie mai mic, adic:
) V V ( e
2
v m
D
2

(3.5)
Aceast energie poate fi furnizat de cmpul exterior la temperatura camerei,
chiar la intensiti de cmp foarte mici. Deci jonciunea are conductivitate mare i
se spune c este alimentat n sens direct.
Curentul electric prin jonciune este:
( )
T K
) V V ( e
0
2
3
2
D
e T K
h
e m 4
i



= (3.6)
Deci curentul (i
2
) crete odat cu creterea lui ( E ).
Dac se aplic jonciunii un cmp electric exterior ( 0 E ) n sensul
cmpului de difuzie ( D E ), cu potenialul + pe semiconductor i pe metal,
atunci nlimea barierei de potenial crete la valoarea ) V e V e (
D
+ .
Pentru trecerea electronului peste bariera de potenial este necesar o energie
mai mare, adic:
) V V ( e
2
v m
D
2
+

(3.7)
Aceast energie nu poate fi transmis electronului de ctre cmpul exterior
fr ca jonciunea s nu se strpung. Deci jonciunea se comport ca un dielectric
i se spune c este alimentat n sens invers.
Curentul electric prin jonciune este:
( )
T K
) V V ( e
0
2
3
3
D
e T K
h
e m 4
i

+



= (3.8)
La temperatura camerei i la o intensitate a cmpului exterior ce nu produce
strpungerea, curentul (i
3
) este practic nul.
Conducia jonciunii MOS este deci unilateral i se realizeaz numai la
alimentarea n sens direct a acesteia. Aceast proprietate a jonciunii se numete
efect de diod deoarece la alimentarea n cmp electric alternativ se obine redresarea
tensiunii i curentului.
Caracteristicile de redresare ale jonciunii sunt prezentate n fig.3.5.
Efectul de diod al jonciunii MOS se regsete la jonciunile formate de
semiconductorii dopai cu impuriti de valen diferit, cum ar fi un donor cu un
acceptor [14].
Jonciunea de tip n-p se realizeaz prin impurificarea unui cristal de germaniu
sau siliciu cu impuriti donatoare la un capt i acceptoare la cellalt, folosind
procedee tehnologice astfel ca cele dou zone n i p s fie nvecinate.

Fig. 3.5 Caracteristicile de redresare ale jonciuni MOS.
nainte de a considera cele dou pri puse n contact, se admite c partea
acceptoare este legat la pmnt i deci potenialul ei nu se modific. Dac se
consider c cele dou pari n i pale semiconductorului se pun n contact,
datorit concentraiei mari de electroni n n zona de conducie i respectiv de
goluri p n zona de valen, are loc difuzia electronilor din n n p ntr-o
regiune ce delimiteaz jonciunea. n partea jonciunii dinspre semiconductorul n
se formeaz o sarcin spaial pozitiv, iar n partea dinspre semiconductorul p
una negativ (deoarece aici s-a localizat un numr excedentar de electroni) aa cum
se reprezint n fig.3.6.

Fig.3.6 Explicativ privind fenomenele specifice jonciunii n-p.
Prin punct plin s-a figurat electronul excedentar al atomului donor, iar prin
cercuri golurile atomilor acceptori. n urma difuziei, n regiunea de lime (
0
)
electronii din ncompenseaz golurile din p. Atomii donori se ionizeaz deci
pozitiv iar cei acceptori negativ. Pe msur ce electronii excedentari ai impuritilor
donoare difuzeaz n reeaua impuritilor acceptoare are loc micorarea valorii
nivelului limit Fermi donor. La o anumit valoare a cmpului de difuzie (E
D
), cnd
se stabilete echilibrul termodinamic, nivelul Fermi (F
n
) a semiconductorului n
coincide cu (F
p
) al semiconductorului p. Aceasta determin distorsiunea nivelelor
de energie, ca n fig. 3.6 i apariia barierei de potenial de nlime (eV
D
). Rezult
c trecerea purttorilor de sarcin dintr-o parte a jonciunii n cealalt nu este
posibil numai dac energia acestora este egal sau mai mare dect bariera de potenial.
Conducia unilateral a jonciunii rezult i n acest caz dac se consider
alimentarea acesteia cu o tensiune continu, de polaritate dat.
Dac cmpul electric exterior ( E ) este aplicat n sens invers cmpului
electric de difuzie (E
D
), similar jonciunii MOS, polaritatea negativ (-V) revenind
semiconductorului n, bariera de potenial se reduce i la temperatura camerei,
purttorii de sarcin att n ct i p o pot escalada chiar i la intensiti foarte
mici ale cmpului electric exterior. Deci jonciunea este alimentat n sens direct si
prezint conductivitate foarte mare.
Dac se aplic cmpul electric exterior n sensul cmpului de difuzie ( E
D
),
bariera de potenial crete la valoarea (eV
D
+ eV) i distorsiunea nivelelor de
energie se accentueaz. Purttorii de sarcin nu mai pot traversa jonciunea
deoarece nu le poate fi transmis energia necesar fr ca aceasta s nu se distrug.
Jonciunea este practic electroizolant, iar curentul ce o strbate este neglijabil. Deci
jonciunea este alimentat n sens invers. Dac se aplic jonciunii n-p o tensiune
alternativ, datorit conduciei unilaterale, se obine redresarea curentului deci
efectul de diod. n practic jonciunile n-p au aplicaii multiple att n domeniul
curenilor slabi ct i n tehnica curenilor tari. n prezent se utilizeaz diode
semiconductoare de Si sau Ge pentru curent direct de ordinul sutelor de amperi i
tensiune invers de valoare foarte mare (1,5 - 3 [kV]). Se utilizeaz de asemenea
jonciuni duble de tipul (n-p-n) n care conducia revine n principal electronilor sau
de tipul (p-n-p) cu conducie predominant prin goluri, ambele funcionnd ca
tiristoare.
Cele mai utilizate materiale semiconductoare pentru diverse aplicaii n
tehnic, dar mai ales pentru jonciuni redresoare, sunt Si i Ge, dar n egal msur
se utilizeaz pentru alte scopuri i Se, As, Sb, Te, In etc., care intr n combinaii
binare sau ternare cu elemente chimice potrivit alese din tabloul periodic pentru a se
obine proprietile dorite.
Combinaiile elementelor chimice care formeaz substanele semiconductoare au
de obicei structur cristalin, datorit legturilor covalente dintre impuriti i
atomii de baz. Reeaua cristalin este o repetare periodic, dup orice direcie n
spaiu, a unei ordini locale de aranjare a atomilor. n reeaua cristalin exist deci
att ordine local (a unei celule elementare a reelei) ct i ordine la deprtare de un
punct arbitrar de referin din reea. Exist ns i materiale care dei au o structur
amorf prezint proprieti semiconductoare. Intr-o asemenea substan legturile
covalente sunt predominante dar nu i exclusive, iar ordinea este numai local nu i
la deprtare. Materialele de acest fel se numesc semiconductori necristalini (SNC).
Semiconductorii cristalini (SC) se utilizeaz pentru jonciuni, iar (SNC),
pentru elemente de circuit avnd n general funcii de traductoare, varistoare,
luminofari, elemente fotovoltaice etc. Materialele cu structura amorf se caracterizeaz
i prin aceea c sunt izotrope.
Semiconductorii cristalini se realizeaz prin diferite tehnologii care au drept
scop eliminarea atomilor impuritilor, deci a defectelor de reea spre a obine
cristale ct mai pure, urmnd ca acestea s fie apoi supuse unei impurificri
controlate n care elementele de adaos sunt alese din grupele cu o valen mai mare
sau mai mic dect cea a cristalului pur, dup cum se dorete obinerea unei zone
donoare sau acceptoare n semiconductor.
Ca elementele de baz pentru cristalele semiconductoare se utilizeaz, cu
precdere n prezent, Ge i Si ambele fiind situate n grupa a patra a tabelului
periodic, deci sunt tetravalente.
Diodele semiconductoare se realizeaz sub dou forme: diode cu contact
punctiform i diode cu jonciune de suprafa.
Dioda cu contact punctiform se obine prin lipirea unei plcue de Ge sau Si
(3), ca n fig. 3.7 pe o pies metalic (1). Pe cealalt pies metalic (2) este sudat un
fir de W sau PtRt (4) care prin arcuire face contact cu plcua (3). Ansamblul elemen-
telor jonciunii este protejat cu un material ceros (5) mpotriva ptrunderii umezelii.
Toate componentele diodei sunt montate ntr-o carcas (6) de ceramic sau sticl.
Fig.3.7 Formarea
diodei cu contact
punctiform.
Diodele cu jonciune se realizeaz prin mai multe procedee dintre care ns
sunt mai frecvent utilizate: metoda alierii i metoda difuziei.
Procedeul formrii jonciunii prin aliere presupune o serie de operaii
tehnologice care ns pot fi reprezentate prin trei faze eseniale. Astfel n fig. 3.8 sunt
redate principalele faze ale formrii prin aliere a unei jonciuni n-p. Pe o plcu de
Si-n (siliciu dopat cu impuriti donoare) se aeaz o bucat de aluminiu. Prin
nclzirea la 850 [K] Al ptrunde n reeaua atomic a siliciului donor i formeaz o
zon acceptoare p (fig.3.8.b). Jonciunea (n-p) este astfel format deoarece n
zona siliciului n care a ptruns aluminiul apar defecte de substituie prin ocuparea
unor noduri din reeaua semiconductorului de baz de ctre un element trivalent. La
partea de aluminiu nedifuzat n cristal se sudeaz un fir de contact, iar pe partea
opus se depune un strat de (Au + O, 1% Sb) care formeaz un contact pur ohmic
cu semiconductorul. Procesul de aliere, relativ simplu i frecvent utilizat, se
realizeaz n cuptoare cu atmosfer reductoare.

Fig. 3.8 Formarea jonciunii n-p prin aliere.
Diodele cu jonciune se realizeaz prin metoda difuziei. Pe un cristal
semiconductor, de exemplu Si-n, puternic dopat cu impuriti donoare (fig.3.9) se
depun, prin evaporare, impuriti acceptoare. Dup un anumit timp de evaporare,
jonciunea este format (fig.3.9.b) datorit faptului c stratul de impuriti
acceptoare atinge grosimea necesar i urmrete exact forma suprafeei cristalului.
Grosimea stratului acceptor este controlat, fiind proporional cu timpul de
expunere, iar concentraia impuritilor scade exponenial cu adncimea de
ptrundere. Dup formarea stratului acceptor (fig. 3.9.c) pe cristal se depune
contactul pur ohmic, iar la stratul acceptor se ataeaz de asemenea un contact.

Fig. 3.9 Formarea jonciunii n-p prin difuzie.
Dup cum la jonciunea multipl (p-n-p) sau multiplu de jonciuni (p-n), se
realizeaz jonciuni n plane diferite sau n acelai plan, se deosebesc dou procedee
de formare a acestora: mesa i planar. n ambele cazuri cristalul semiconductor, de
exemplu siliciu, se acoper cu un strat protector de oxid, pentru a evita apariia unor
alterri care pot determina stri de suprafa nedorite. n procesul mesa ndeprtarea
oxidului se face pe cale chimic la locul jonciuni. Prin procedeul planar oxidul se
ndeprteaz prin metode fotorezistive, iar jonciunile se afl n acelai plan. Prin
procedeul planar-epitaxial se constituie o combinaie ntre metoda alierii i cea a
difuziei, menit s asigure mai bune proprieti electrice, termice i mecanice.
Epitaxia este tehnica de cretere, pe cale chimic, a unor straturi semiconductoare
subiri, pe un cristal masiv de aceeai natur (Si pe Si) sau de natur diferit.
Structura cristalin a stratului crescut o reproduce fidel pe ceea a cristalului masiv.
Se realizeaz n acest fel o variaie lent a impuritilor, a concentraiei acestora,
prin difuzia donorilor din stratul masiv n stratul depus (fig. 3.10). Stratul depus este
apoi protejat cu un strat subire de SiO
2
n care se realizeaz mici orificii (fig.3.10.b)
unde se introduc prin difuzie impuriti acceptoare p. n final se depun pelicule de
contact ohmic att pe o parte ct i pe cealalt (fig.3.10.c) a jonciunii formate.
Trecerea lent de la concentraia mare de impuriti donoare la stratul cu impuriti
acceptoare p se reflect n stratul de inversie i determin caracteristici
avantajoase ale jonciunii.

Fig. 3.10 Formarea jonciunii prin procedeul planar epitaxial.
Pe lng cele dou metode se mai utilizeaz i altele, cum sunt topirile
zonare, sau metoda tensionrii i doprii n timpul creterii cristalelor. In cazul
ultimei metode, din baia de Si sau Ge topit se nucleoneaz, cu o tij, cristalul care
apoi se impurific cu vapori i impuriti n sau p, n timp ce este tensionat i
torsionat n mod repetat.
n cazul fiecrei metode exist posibilitatea s se controleze att grosimea
stratului depus ct i concentraia impuritilor. Prin procedeul mesa se pot forma
simultan, pe un cristal masiv, mai multe jonciuni, care apoi sunt decupate, prin
tierea cristalului, astfel c rezult un numr corespunztor de elemente semicon-
ductoare cu jonciuni multiple.
n tehnic se realizeaz, prin asemenea tehnologii, att diode, tranzistoare,
tiristoare, ct i circuite integrate de cele mai complexe structuri.
3.4. Utilizrile semiconductorilor
Cele mai multe dintre elementele semiconductoare amintite deja, se folosesc
mai ales pentru realizarea jonciunilor cu efecte de diod, a jonciunilor multiple
(tranzistoare, tiristoare etc.) i a circuitelor integrate.
Pe lng acestea exist ns o diversitate mare de materiale semiconductoare
(oxizi, sulfuri, carburi etc.) care se utilizeaz n alte scopuri. Aa de exemplu
sulfurile de Ag sau Si ca i oxidul de Fe, Mn, Ni, Ti, Cu, Zn, Cd, se folosesc pentru
fabricarea termistoarelor i varistoarelor, ambele produse caracterizndu-se printr-o
foarte pronunat neliniaritate a variaiei rezistiviti cu temperatura. Alte materiale
ca Si, Ge, Se, sulfuri, seleniuri, teluri sunt sensibile la radiaii luminoase, la radiaii
infraroii sau ultraviolete ceea ce le face utile pentru msurri pe cale electric a
mrimilor nelectrice, sau ca elemente detectoare i de comand.
Alte materiale avnd la baz mai ales crbunele i negrul de fum, se
utilizeaz n domeniul curenilor tari. Astfel cu diverse sorturi de crbune, negru de
fum, liani gudronai, se fabric periile de maini electrice, electrozii pentru cuptoare
cu arc electric, electrozi pentru elemente galvanice uscate, electrozi pentru redre-
soare cu vapori de mercur etc. Din carburi de siliciu n amestec cu crbuni se
fabric electrozi pentru cuptoare cu nclzire prin radiaie, superior electrozilor de
grafit deoarece nu formeaz cenu la suprafaa de contact cu aerul, evitndu-se
astfel impurificarea metalului topit.
3.4.1. Tranzistorul
De cnd Bardeen, Brattain i Shockley au inventat tranzistoru1 n 1948, s-a
dezvoltat furtunos o nou ramur n electronic - electronica semiconductore. Au
fost create de atunci zeci de tipuri de tranzistori, astfel ca n rndurile de fa, ne
vom mrgini n a expune doar principiile de funcionare ale unui tranzistor, (p-n-p),
obinut prin montarea a dou diode semiconductoare n opoziie (fig.3.11): o diod
este polarizat n sens direct (emiterul), iar cealalt n sens invers (colectorul).
Regiunea din mijloc a tranzistorului (baza) este legat n circuit printr-un contact
fcut cu un strat metalic. S analizm pe scurt mersul curenilor. n prima diod are
loc o injecie de goluri din regiunea p n n (I
ep
) i o injecie de electroni din n
n p (I
en
) fiind generai doi cureni care se adun.
I
e
= I
en
+ I
ep
(3.9)

Fig.3.11 Explicativ privind funcionarea unui tranzistor (p-n-p)
n baz are loc o separare a curentului electronic de cel al golurilor, primu1
nchizndu-se prin bateria (B
e
). Curentul de goluri este dirijat spre cea de-a doua
regiune p legat la polul negativ al bateriei (B
e
). Deoarece rolul anodului care
colecta electronii este luat de aceasta regiune, i-a fost atribuit nume1e de colector.
Spre deosebire de anodu1 unei triode colectorul este legat la polu1 negativ pentru
un tranzistor (p-n-p), dar este legat la plus pentru un tranzistor (n-p-n). Curentul
colectorului, n cazul nostru, este format din curentu1 la saturaie obinut sub
tensiunea invers (I
co
) i dintr-o fraciune a curentului care vine de la emiter (I
e
)
I
e
= I
co
+ I
e
(3.10)
unde este factorul de amplificare, care ne arat c intensitatea curentului de goluri
ajuns la colector este diferit de cea plecat de la emiter. Nu ajunge deci tot curentul
de goluri la colector, pentru c golurile sunt purttori minoritari n regiunea n i de
aceea ele se pot recombina cu electronii. Pentru ca acest proces sa fie redus, baza,
respectiv regiunea n, trebuie s fie ct mai ngust. De ce dac < 1 avem de-a
face cu o amplificare ? Este vorba de o amplificare a tensiunii, deoarece jonciunea
a II-a are o impedan mare n raport cu prima. n sfrit, curentul bazei (I
b
) este
format din curentul deviat din (I
e
), din care se scade (I
co
):
I
b
= (1- ) I
e
+ I
co
(3.11)

Fig. 3.12 Schema de alimentare a unui tranzistor (p-n-p) cu baza comun.
Un tranzistor poate fi folosit n toate circuitele electronice jucnd rolu1 de
redresor, amplificator sau oscilator. n fig.3.12.a sunt date simbolurile grafice
pentru tranzistorii (p-n-p) i (n-p-n), iar n fig.3.12.b este reprezentat schema de
alimentare a unui tranzistor (p-n-p) cu baza comun, fiind indicai curenii i
tensiunile importante. Un exemplu de folosire al tranzistorului ca amplificator l
constituie montajul push-pull (fig.3.13) n care doi tranzistori sunt astfel montai,
nct fiecare s amplifice o alternan. Semnalul amplificat este introdus n primarul
transformatorului de ieire.

Fig.3.13 Utilizarea tranzistorului ca amplificator.
3.4.2. Senzori pe baz de materiale semiconductoare
Concentraia i mobilitatea purttorilor de sarcin dintr-un semiconductor
sunt sensibile nu numai la factorii fizici (temperatur, lumin, cmp electric,
tensiuni mecanice etc.), ci i la factori de natur chimic. Astfel, exist materiale
semiconductoare care i modific conductivitatea n contact cu gaze de anumit
natur. Senzorii bazai pe asemenea materiale semiconductoare nu pot fi ns
utilizai pentru control n mediu acvatic, deoarece apa i srurile difuznd n
semiconductor i modific mult conductivitatea i fac imposibil determinarea
variaiei conductivitii datorat gazelor [5].
Dac senzorul este ns ncapsulat ntr-o membran hidrofobic permeabil
la gaze el se poate utiliza i pentru msurarea gazelor dizolvate n ap.
3.4.2.1. Senzori de gaz pe baz de oxizi semiconductori ai unor metale
Senzorii pe baza oxizilor semiconductori ai unor metale sunt cei mai utilizai
pentru detectarea gazelor combustibile. Materialul cel mai des folosit este SnO
2

sinterizat sub form de mici sfere. Se mai utilizeaz i ali oxizi de metale cum ar fi
ZnO, Fe
2
O
3
, WO
3
, Co
3
O
4
, fie sub forma unor pelicule subiri depuse pe un strat
ceramic, fie sub forma de mici sfere sinterizate. Materialele prezentate mai sus sunt
semiconductore datorit defectelor din reeaua cristalin provocate, de obicei, de
absena oxigenului.
Funcionarea senzorilor pe baz de oxizi semiconductori ai unor metale se
explic prin prezena sau absena oxigenului la suprafaa oxidului metalic. Astfel
dac oxigenul din aer este absorbit chimic de oxidul din metal, conductivitatea
suprafeei sale devine forte mic. n aceste condiii rezistena total a sferei sinterizate
sau a peliculei depuse este foarte mare, ea fiind puternic influenat de rezistena de
contact, n care un rol esenial l are rezistena electric a stratului superficial. Dac
la contactul cu un anumit gaz oxigenul absorbit chimic la suprafaa oxidului se
combin cu gazul, rezistena peliculei superficiale precum i rezistena de contact
scad. Fenomenul de scdere a rezistenei superficiale este mai rapid i reversibil,
dac temperatura la care are loc contactul cu gazul este mare (de ordinul sutelor de
grade Celsius). Temperatura de funcionare ridicat se obine cu ajutorul unor elemente
de nclzire plasate fie n interiorul fie n exteriorul sferelor semiconductoare sau pe
faa materialului ceramic opus celei cu pelicul de semiconductor.
Deoarece numrul gazelor care reacioneaz cu oxigenul de la suprafaa
oxidului metalic este mare, capacitatea de selectare a acestor senzori este mic.
Capacitatea de selectare poate fi mrit dac se adaug n structura senzorului
substane catalitice (metale nobile, oxizi ai metalelor nobile sau diverse tipuri de sruri).
n prezent se efectueaz cercetri privind realizarea senzorilor pe baz de cristale
de SnO
2
i ZnO. Sa demonstrat c senzorii pe baz de monocristale se comport
diferit fa de senzorii obinui prin sinterizare, n sensul c n funcionarea lor,
temperatura are o influen deosebit, nu numai asupra mrimii timpului de rspuns
i asupra reversibilitii ci i asupra selectivitii lor.
Senzorii pe baz de oxizi semiconductori ai unor metale pot fi folosii, n
special, pentru depistarea gazelor dar nu i pentru controlul cantitativ al
concentraiei lor, deoarece pe lng selectivitate redus ei au i un efect diferit de
lung durat care apare la contactul cu gazul.
3.4.2.2. Senzori pentru controlul combustiei
O aplicaie relativ nou a senzorilor este cea a controlului combustiei. Senzorii
pentru controlul combustiei sunt sinterizai la 1300
0
C i au o comportare diferit de
cei descrii mai sus, n sensul c oxigenul poate difuza n i din interiorul
materialului, provocnd variaii ale rezistenei totale sferei sinterizate i nu numai
ale stratului ei superficial. Rezistena sferei sinterizate se modific cu cteva ordine
de mrime cnd raportul
valoarea real a raportului dintre masa de aer i cea de combustibil
=
valoarea raportului stoechiomertic dintre masa de aer i
combustibil
i modific valoarea ntre 0,9 i 1,1.
3.4.2.3. Senzori pentru controlul gazelor toxice i explozive
Senzorii pe baz de oxid de staniu semiconductor, sinterizai la temperaturi nalte,
sunt utilizai, n cele mai multe cazuri, pentru controlul a dou gaze: monoxidul
de carbon (foarte toxic) i gazul metan (inflamabil).
Aceti senzori prezint urmtoarele proprieti generale:
sensibilitate destul de mare (detectarea gazului cnd concentraia lui este sub
100 ppm);
vitez mare de rspuns;
selectivitate medie (senzorul este sensibil i la etan, propan, butan, hidrogen,
vapori de acizi, amoniac, etc.);
durat mare de via (senzorul are slab tendin de contaminare, dar el se
reface prin expunere la o temperatur mai ridicat dect cea de lucru);
consum mic de putere (puterea sursei de alimentare a senzorului este n jur de 0,9 W);
stabilitate termic bun.
Aceti senzori se utilizeaz n minele de crbuni, n instalaiile petroliere, n
gospodriile individuale ale populaiei, n exploatarea motoarelor cu ardere intern etc.
n Japonia (Shimizu-1983) a fost realizat, prin sinterizarea unor pulberi de
SnO
2
i TiO
2
, un senzor ceramic pentru gaz. Amestecul de SnO
2
i TiO
2
cu un mic
adaos de Nb
2
O
5
i PdClO
2
a fost sinterizat n aer la o temperatur cuprins ntre
900
0
C i 1100
0
C. Raportul dintre masele componentelor SnO
2
i TiO
2
din amestec
determin selectivitatea senzorului pentru un anumit tip de gaz. Astfel, cnd acest
raport este de 2:1 senzorul este mai sensibil la gazul de ora, iar cnd are valoarea
de 3:1 senzorul este mai sensibil la L.P. - gaz.
Sensibilitatea senzorului depinde de temperatura de sinterizare. Valoarea
optim a acestei temperaturi a fost stabilit experimental la 1100
0
C.
Schema de principiu a senzorului este prezentat n fig. 3.14, iar n fig. 3.15
sunt artate gamele lui de sensibilitate pentru cele dou tipuri de gaze i sunt
marcate nivelele minime de explozie ale concentraiilor gazelor.

Fig.3.14.
Fig.3.15
n fig. 3.16 este indicat, pentru diferite tipuri de gaze, variaia rezistenei
senzorului cu concentraia gazului. Cu linie punct a fost prezentat nivelul rezistenei
senzorului cnd el se gsete plasat n aer curat (fr gaze).
Fig.3.16
Variaia raportului: R
A
/R
G (
unde R
A
este rezistena senzorului n aer curat iar
R
G
reprezint rezistena senzorului n aer contaminat) n funcie de temperatura de
lucru a senzorului, cnd concentraia gazului este constant, este prezentat n fig.
3.17. Au fost trasate caracteristicile pentru un senzor avnd raportul ntre masele
componentelor SnO
2
i TiO
2
de 2:1.

Fig.3.17
Variaia RA/RG= f(T) pentru senzorii sinterizai la diverse temperaturi,
avnd raportul maselor de 2:1, este prevzut n fig. 3.18. Fig. 3.19.a furnizeaz
informaii cu privire la timpul de rspuns al senzorului, iar din fig. 3.19.b rezult
influena umiditii asupra rezistenei senzorului, pentru dou temperaturi de lucru
ale sale. Se observ c la 200
0
C, practic, umiditatea relativ nu are nici un fel de
influen asupra rezistenei senzorului, deci a funcionrii lui.
3.4.2.4. Senzori de umiditate pe baz de oxizi semiconductori
ai unor metale
Tot pe baza unei compoziii TiO
2
-SnO
2
a fost realizat (Shimizu-1984) prin
sinterizare un senzor ceramic pentru umiditate. Tratat cu hidroxid de potasiu(KOH)
senzorul i mbuntete mult caracteristica rezisten electric umiditate relativ
i n acelai timp crete stabilitatea n timp a proprietilor fizice.
n fig. 3.20 este prezentat schema simplificat a senzorului ceramic din
TiO
2
-SnO
2
pentru detectarea umiditii.
Fig.3.18.

Fig.3.19.
Variaiile rezistenei electrice n funcie de umiditatea relativ a senzorului tratat
sau netratat cu KOH sunt prezentate n fig. 3.21. Timpul de rspuns al senzorului la
schimbarea brusc a umiditii relative a mediului n care este el plasat rezult din
diagrama artat n fig. 3.22. n fig. 3.23 este prezentat dependena rezistenei
electrice de frecven, cnd umiditatea relativ i temperatura de lucru rmn
constante. Rezultatele testului de degradare a senzorului sunt sintetizate n fig. 3.24.
Curba A, a fost ridicat pentru senzorul martor; curba B, a fost ridicat pentru un
senzor care a funcionat 100 de zile n atmosfer obinuit, iar curba C corespunde
unui senzor care a funcionat 100 de zile ntr-o atmosfer cu temperatura de 40
0
C i
umiditate relativ de 95%.
Fig.3.20.

Fig.3.22

Fig.3.21


Fig.3.23.
Influena altor gaze (etanol, fum de tutun) asupra comportrii senzorului de
umiditate se poate deduce din diagrama prezentat n fig. 3.25.
Dup cum rezult din analiza tuturor diagramelor de mai sus senzorul de
umiditate pe baz de TiO
2
-SnO
2
rspunde tuturor cerinelor avute n vedere (simplitate
constructiv, robustee, histerezis redus, selectivitate ridicat, stabilitate ridicat a
proprietilor n timp, timp de rspuns relativ redus etc.).


Fig.3.24.

Fig.3.25

3.4.2.5. Senzori de umiditate pe baz de carbon semiconductor
Posibilitatea utilizrii carbonului semiconductor pentru realizarea senzorilor
de umiditate a fost studiat pe mostre de carbon obinute prin procedee tehnologice
speciale de carbonizare.
S-au cercetat urmtoarele patru tipuri de probe:
pastile cilindrice avnd diametrul i nlimea de 3 mm;
pelicule de carbon cu grosimea de 10-15 micrometrii;
pulberi de carbon cu granule avnd diametrul variabil (0,3-0,2 mm;0,2-0,12
mm;0,12-0,06 mm);
amestecuri de carbon pulbere i pulbere de sticl, n proporie de 1:2 sau 1:3,
sinterizare la 923
0
C timp de 300,600 sau 900 secunde.
S-au determinat la toate probele variaiile rezistenei lor electrice la contactul
cu vaporii de ap din aer. Cele mai bune rezultate au fost obinute cu probele sub
form de pulbere la care variaia rezistenei electrice a probei a fost relativ mare
(30-49%), rapid i total reversibil. Toate rezultatele au fost, de asemenea,
reproductibile. De notat c toate msurtorile au fost fcute la temperatur joas
(300-320 K) i c probele cu cea mai mare sensibilitate au fost pulberile cu
granulele cele mai fine (0,12-0,06 mm).
3.4.2.6. Senzori pe baz de materiale organice semiconductoare
Materialele organice semiconductoare au fost mai puin utilizate pentru
realizarea senzorilor chimici a cror funcionare se bazeaz pe modificarea
rezistenei electrice a materialului la contactul su cu un anumit gaz.
Un material organic semiconductor care ar putea fi utilizat ca senzor de gaz
este ftalocianina pur care, atunci cnd se gsete la o temperatur ridicat ( n jur
de 150
0
C), este foarte sensibil la NO
2
. Ftalocianina pur nu distinge NO
2
de Cl
2

dar nu sesizeaz gazele obinuite, ca: H
2
, H
2
S, NH
3
, CH
4
, SO
2
, CO etc. Ea poate fi
deci utilizat pentru realizarea unor senzori de mare selectivitate pentru industriile
miniere i industria chimic.
Polimerii semiconductori reprezint o alt clas de materiale organice care
st n atenia specialitilor n vederea realizrii senzorilor chimici. Multe din aceste
materiale au marele dezavantaj c se degradeaz n contact cu aerul i nu sunt deci
foarte stabile n timp. Polipirol este un polimer semiconductor mai stabil care este
foarte sensibil la amoniac.
Dei nu se cunoate pe deplin mecanismul modificrii rezistenei electrice a
materialului cnd el este pus n contact cu o atmosfer contaminat cu amoniac,
polipirolul servete pentru realizarea unor senzori ieftini, simpli i foarte eficace ai
acestui gaz.
3.4.3. Varistoare pe baz de ZnO
n accepia general, un varistor este un element de circuit neliniar, a crui prin-
cipal proprietate electric, anume rezistena sa, variaz n funcie de un parametru
exterior impus.
n tehnic, varistorul este asimilat cu un element de circuit a crui rezisten
variaz invers proporional (intrinsec, neliniar) cu tensiunea aplicat, tensiunea fiind
principalul parametru care determin variaia proprietii electrice fundamentale i
anume rezistena. Influena temperaturii asupra rezistenei electrice, chiar dac ea este
mult mai mare dect n cazul rezistoarelor, nu joac un rol important n definirea acestor
componente de circuit. Capitolul de fa i propune s prezinte i influena colateral a
acestui parametru asupra funcionrii varistoarelor i a echipamentelor care le
nglobeaz. n schemele electrice, varistorul se reprezint prin simbolul din figura 3.26.



Fig. 3.26. Simbolul varistorului
Caracteristica static curent-tensiune I(U) a varistoarelor utilizate n construcia
echipamentului de protecie este ceea care furnizeaz informaiile eseniale
despre evoluia dependenei dintre cele dou mrimi i asupra performanelor
echipamentului [13].
3.4.3.1. Caracteristica static curent-tensiune pentru un varistor
pe baz de ZnO
Dependena neliniar dintre curentul (densitatea de curent) i tensiunea
(intensitatea cmpului aplicat) la bornele varistorului este dat de relaia:

E K J = (3.12)
unde: J este densitatea curentului prin varistor [A/m
2
];
E este intensitatea cmpului electric aplicat la bornele varistorului [V/m];
K este o constant care depinde de geometria i modul de fabricare i utilizare a
varistorului;
este coeficientul de neliniaritate a caracteristicii curent-tensiune;
O relaie similar (n esen o exprimare asemntoare legii lui Ohm pentru o
poriune de circuit) poate fi scris i ntre curentul care trece prin varistor i
tensiunea aplicat:
I = H U

(3.13)
unde: I este curentul prin varistor [A];
U este tensiunea aplicat la bornele varistorului [V];
H este o alt constant;
este coeficientul de neliniaritate;
Protecia reelelor i echipamentelor este cu att mai eficient cu ct coefi-
cientul de neliniaritate are o valoare mai mare [90]. Spre deosebire de varistoarele
cu SiC, la care = 3 6, varistoarele cu ZnO au obinuit un = 25 pn la 70 i un
curent de scurgere mult mai sczut dect celelalte.
Caracteristica curent tensiune a unui varistor este reprezentat n figura 3.27. S-a
preferat reprezentarea sub forma J = f (E) i nu I = f (U), pentru a ne referi exclusiv
la materialul varistorului i nu la problemele de geometrie i construcie.
Caracteristica curent-tensiune prezint trei zone importante, fiecare fiind
caracterizat prin proprieti de conducie particulare:
I Zona ohmic
Corespunde curenilor slabi, dependeni de tensiune printr-o relaie ohmic
(liniar). Rezistivitatea electric a varistorului n aceste zone este de 10
4
10
10
m.
Materialul poate fi considerat ca izolator.
Aceast zon trebuie avut n vedere la dimensionarea echipamentului de
protecie pentru a plasa tensiunea nominal U
n
(pe grafic intensitatea cmpului
electric E
n
) a reelei sau echipamentului de protejat (practic punctul de funcionare
n regim de serviciu permanent), pentru a avea cureni de scurgere ct mai mici,
(sub 1 mA la medie i nalt tensiune). Ea corespunde curentului de scurgere I
f

(respectiv densitatea de curent J
f
).
n aceast zon curentul este determinat de conducia termic, aa cum
rezult i din caracteristica J(E) ridicat pentru temperaturi ale mediului ambiant de
T
1
i respectiv T
2
, T
1
> T
2
.
Fig.3.27. Caracteristica J(E) a unui varistor cu ZnO.
Temperaturile ridicate ale mediului ambiant n care este plasat varistorul, sau
chiar creterea temperaturii acestuia prin efect Joule-Lenz favorizeaz depirea
mai uoar a barierei de potenial de ctre electronii liberi, ceea ce duce la creterea
curentului, aa cum se poate observa i din formula 3.14:

T k
(U) q
2
e
e T A(U) J

= (3.14)
unde, mrimile utilizate reprezint:
Z
o
n


n
e
l
i
n
i
a
r


Z
o
n



o
h
m
i
c


Z
o
n


d
e

s
a
t
u
r
a

i
e

C
u
r
e
n

i
m
a
r
i
C
u
r
e
n

i

m
i
c
i

III
II
I
E
n
E
N
E
C
J
N
J
n
U tensiunea electric aplicat;
q
e
sarcina electronului (= 1,6 10
-19
C);
k constanta lui Boltzman (= 5,6710
-8
W/(m
2
K
4
));
T temperatura absolut (pe scar Kelvin);
(U) nlimea barierei de potenial;
A(U) constanta de radiaie a lui Richardson, care este funcie de tensiunea
aplicat i este foarte diferit de constanta lui Richardson-Dushman
pentru un metal.
Formula reflect destul de bine realitatea. n practic, aceste dependene sunt
nlocuite cu funcii polinomiale sau exponeniale simple, utiliznd metode numerice
de aproximare.
II Zona neliniar
n aceast zon se manifest efectul de varistor, acest efect fiind bine descris
de relaiile (3.12) i (3.13).
Coeficientul de neliniaritate poate fi deci asimilat cu panta caracteristicii i
calculat cu formula (3.15):

(U)) log d(
(I)) log d(
=
(3.15)
Valorile normale ale coeficientului de neliniaritate sunt cuprinse ntre 20 i
50, uneori ajungnd la 70. Tensiunea de prag a varistorului (sau echipamentului),
U
N
(respectiv intensitatea cmpului E
N
), una din mrimile de referin, ea fiind
msurat convenional la o densitate de curent de 1 mA/cm
2
, sau, pentru simpli-
ficarea msurtorilor la un curent de 1 mA.
De asemenea, tot pentru simplificare, vom face referire direct la tensiune i
curent, nu la intensitatea cmpului i densitatea de curent.
Aceast poriune de caracteristic nu este dependent de temperatur, aa
cum se constat uor i din grafic. Valoarea lui este variabil de-a lungul
caracteristicii i nu se poate considera o valoare prestabilit, determinarea lui
fcndu-se exclusiv experimental, din caracteristica I(U), ntre dou puncte alese
convenional. Opernd cu caracteristici logaritmice sau semilogaritmice, este mai
uor s se determine la 1 mA, respectiv 10 mA, conform relaiei 3.16.
De fapt aceast relaie este dedus prin logaritmarea relaiei 3.15, care conduce
la urmtoarea relaie pentru (prin explicitarea diferenialelor ca diferene finite):

1 2
1 2
U ln U ln
I ln I ln

= (3.16)
Relaia 3.16 face referiri la dou puncte de pe caracteristic, luate arbitrar, de
exemplu cel cu un curent de 1 mA (I
1
) i cel cu un curent de 10 mA (I
2
) i
tensiunile corespunztoare, cele dou puncte fiind suficient de apropiate pentru a
explicita difereniala.
n aceast poriune conducia se realizeaz prin efect de tunel, conform [3, 4] sau
prin generalizarea mecanismului termoelectronic.
III Zona de saturaie
Corespunde curenilor foarte ridicai, de civa kA.
Aici se situeaz curentul de descrcare nominal I
n
(respectiv densitile de curent
corespunztoare J
n
), precum i curentul maxim al varistorului (I
max
), n regim de
oc, dincolo de care se produce distrugerea iremediabil a elementului. Caracte-
ristica devine din nou ohmic, curentul este limitat doar de rezistena linear a
granulelor de ZnO, rezistivitatea materialului n aceast zon fiind de ordinul
0,5 10
-2
[m]. Aici varistorul poate fi asimilat cu un material conductor
electric.
Se pot introduce relaiile 3.17 i 3.18 ntre tensiunea U i curentul I (respectiv
intensitatea cmpului electric E i densitatea de curent J), pentru descrierea
conductivitii n acest domeniu:
U = R
g
I (3.17)
sau:
E =
g
J (3.18)
Unde mrimile reprezint: R
g
rezistena electric a granulelor de ZnO;

g
rezistivitatea electric a granulelor de ZnO;
Calitile de element de protecie ale varistorului sunt asigurate n zonele II i III.
n zonele de funcionare normal a varistorului (I i II), repartiia potenialului la nivel
microscopic, pe varistoarele elementare din structura sa, depinde esenial de
rezistivitatea fiecrei granule.
Dup cum vom detalia i n capitolele urmtoare, caracteristica curent-tensiune a
varistoarelor depinde de toate barierele de potenial care se stabilesc ntre dou
granule de ZnO nvecinate, deci fiecare jonciune constituie un microvaristor
elementar care poate fi caracterizat individual, lucru ce poate fi fcut cu ajutorul
unor tehnici speciale.
3.4.3.2. Tehnologia de fabricaie a varistoarelor pe baz de ZnO i
influena tehnologiei folosite asupra calitii acestora
La ora actual exist diverse procedee fizico-chimice de fabricare a varistoa-
relor pe baz de ZnO. Pentru exemplificare, toate referirile se vor face la procedeul
practicat i utilizat de ctre autori, n timpul stagiului efectuat n 1998 la Laboratorul
Gnie Electrique al Universitii PAUL SABATIER din Toulouse. Scopul
ntregului demers a fost familiarizarea cu tehnologia de fabricaie i producerea unei
serii de varistoare cu capacitate mrit de absorbie n energie, utilizate pentru
experimentele ulterioare.
Proprietile pe care trebuie s le asigure varistoarele sunt:
Tensiune de prag suficient de ridicat pentru un rspuns excelent la toate
tipurile de solicitri;
O bun comportare la solicitrile electrice, termice, chimice i mecanice sau
combinate;










































Elaborarea reetei i
procurarea materiilor prime


Cntrirea procentual


Mcinarea i amestecul n
faz lichid


Uscarea



nclzire uoar


Uscare



nclzire la 700 C



Mcinarea uscat


Cernerea


Presarea


nclzire pentru eliminarea
total a apei


Sinterizarea la 1250 C


Metalizare
(depunerea electrozilor)


Acoperirea suprafeei laterale
cu rin i polmerizarea ei
Adugare de liani organici

Fig. 3.28. Procesul de fabricare a unui
varistor.
a) Ciclul termic de sinterizare;
b) Ciclul termic de recoacere.
Tensiunea de prag depinde n mod esenial de dimensiunea granulaiei pulberii de oxid
metalic. n general, dac se dorete obinerea unui varistor de bun calitate
trebuie avute n vedere urmtoarele aspecte :
Controlul proprietilor materiilor prime care intr n compoziie (puritate,
reactivitate chimic, repartiie granulometric, densitate etc.);
Prepararea unei pudre omogene;
Respectarea parametrilor tratamentelor termice;
Controlul permanent al atmosferei din cuptor n timpul nclzirii;
Natura electrozilor;
A. Operaiile procesului de fabricaie
Oxizii utilizai ca materie prim se prezint sub form de pudre cristaline.
Dimensiunile cristalelor sunt variabile, n funcie de tipul oxizilor, dar rmn
inferioare valorii de 10 m, cristalele de ZnO fiind baza compoziiei. Etapele
fabricaiei sunt prezentate n diagrama din figura 3.28.
Cntrirea
Cntrirea componentelor se efectueaz cu o balan cu o precizie de 0,1 mg.
Compoziia chimic iniial a unui varistor este prezentat n tabelul 3.1, conform
unei reete proprietate a companiei franceze SOULE S.A. i obinut la
L.G.E.Toulouse, masele fiind raportate la 500 g de amestec. Rolul fiecrui
component va fi detaliat ulterior.
Tabelul 3.1. Compoziia chimic iniial a unui varistor.
Substan Procentaj [%] Mas [g] la 500 g amestec
ZnO 82,25 411,28
MnO2 0,75 3,75
Cr2O3 1,32 6,601
Co3O4 2,09 10,457
NiO 0,648 3,244
Bi2O3 4,047 20,235
Sb2O3 8,862 44,345
B2O3 0,0756 0,378
MgO 0,0438 0,219
Al(NO3)9 0,0260 0,130
Mcinarea
Dup cntrire, oxizii sunt mcinai ntr-un cilindru cu bile. Aceast operaie de
amestecare se face mult mai uor n faz lichid, prin adugarea de ap distilat
i agent de polimerizare organic. Aceast operaie dureaz n jur de 30 de ore.
nclzirea uoar, uscarea i mcinarea uscat
Pasta obinut n etapa precedent este uscat prin expunere deasupra unei plci
nclzite, sau ntr-o etuv, pn la evaporarea complet a apei.
Dup aceast operaie, pudra rezultat care are o granulaie neuniform trebuie din
nou mcinat, dar de aceast dat se face o mcinare uscat care dureaz cteva
ore. nainte de mcinare pudra este din nou supus nclzirii, de data aceasta la
700 grade C.
Cernerea
Dup mcinarea uscat se face cernerea cu scopul de a separa granulele din pudr
cu o dimensiune mai mare de 200 m. Aceasta are ca principal scop facilitarea
umplerii formelor i apoi presarea pudrei n aceste forme.
Presarea
Pudra este turnat ntr-o form cilindric i apoi presat la 400 600 barr.
Dimensiunile pastilelor ce se vor obine sunt stabilite n funcie de curentul nominal
(diametrul) i tensiunea de prag (nlimea pastilei) ce se doresc a fi asigurate.
Sinterizarea
Aceasta este operaia cea mai important, deoarece de parametrii ciclului termic
depind foarte mult reaciile fizico-chimice ntre diferitele elemente constituente,
structura i proprietile varistorului.
n prima faz are loc o cretere cu un gradient mic a temperaturii (n 10 ore),
pn la 400C, temperatur care se menine constant timp de 3 ore. n aceast faz
are loc eliminarea oricror urme de ap. Urmeaz apoi creterea pn la 840 C, cu un
palier de cel puin o or la aceast temperatur. n aceast faz se realizeaz structura
cristalin a materialului. n ultima faz are loc din nou o cretere la 1250 C i apoi o
rcire lent pn la temperatura mediului ambiant. Datorit numrului mare de
constituani i etapelor procesului termic precum i a temperaturilor mari, cunoaterea
fizico-chimic a proceselor din interiorul varistorului este nc imperfect.
n timpul nclzirii la 1250 C are loc o evaporare total a oxizilor aditivi, n
primul rnd a oxidului de bismut. nclzirea varistorului este evident neuniform, ea
fiind mai important la suprafa dect n centru.
n urma acestei operaii se constat o reducere a volumului iniial al pastilei
cu circa 20%, deci o cretere a densitii spre densitatea teoretic de 5,7 kg/m
3
.
Densitatea ajunge la 98-99% din aceast valoare teoretic. Acest fapt va fi
evideniat i prin dimensiunea final a pastilei (diametrul scade cu 10% la toate
seriile fabricate iar nlimea scade cu 15%).
Procesul de sinterizare la cald mpreun cu cel de coacere sunt reprezentate
grafic n figura 3.28 a), i b).
Depunerea electrozilor
Dup sinterizarea eantioanelor, pe cele dou fee ale pastilei cilindrice se depune
prin serigrafie sau cu pensula o past conductoare, pe baz de Ag sau mai rar de
Al, aceste suprafee constituind electrozii pastilei sau cilindrului varistor.
erizare;
oacere.
Recoacerea varistorului
Pentru ca pasta de pe suprafeele frontale s devin metalic i deci s aib loc
formarea electrozilor pastilei, este necesar un tratament termic de recoacere la
peste 600 C, tratament prezentat n figura 3.28.b).
Acoperirea suprafeei laterale cu rin
Pe periferia eantionului se depune o rin epoxidic izolant. Aceast cptuire se
face cu scopul de a proteja varistorul contra aciunii mediului ambiant, a
agresiunilor chimice, dar mai ales pentru a evita conturnrile care pot aprea la
aplicarea unor ocuri de curent i tensiune de mare amplitudine.
n prealabil varistorul se nclzete la 220 C timp de 2-3 ore pentru ca rina s
adere perfect i s polimerizeze pe suprafaa lateral.
Dup aceast operaie varistoarele vor fi supuse testelor de caracterizare i
verificare a calitii, teste care vor fi ulterior prezentate.
B. Microstructura i proprietile fizice ale varistoarelor pe baz de ZnO
Varistoarele sunt n esen nite ceramici policristaline cu proprieti
semiconductoare.
Structura este relativ simpl, format din granule de ZnO separate prin spaii
intergranulare. Figura 3.29. prezint ceramica policristalin, aa cum este obser-
vabil ea la microscopul electronic.

Fig. 3.29. Structura unei pastile de
ZnO vzut la microscopul
electronic.
Aceast structur se aseamn cu un zid de pietre, n care granulele de ZnO sunt
pietrele, iar ceilali oxizi metalici rmai dup procesul de fabricaie realizeaz
mortarul, care este responsabil de caracterul neliniar al varistorului.
Observaiile la microscop au evideniat trei pri componente n structura unui
varistor:
Granulele de ZnO, a cror dimensiune variaz n funcie de tratamentul termic
i compoziia chimic, n mod obinuit fiind n jurul a 20 m.
Stratul intergranular bogat n Bi
2
O
3
, a crui dimensiune variaz ntre 10
-3
i
10
-1
m, n funcie tot de tratamentul termic aplicat;
Granulele fazei izolante, a crei structur de baz este constituit din oxizi de
Co, Sb, Bi, Mn, Cr. Acestea au dimensiunile de ordinul 0,1 10 m.
Granulele de ZnO au structura unui semiconductor dopat n, cu o mare concen-
traie a donorilor. Electronii de conducie sunt pe de o parte de natur intrinsec, legai
de atomii interstiiali, iar pe de alt parte de natur extrinsec, datorai dopajului cu
Co i Mn.
Proprietile fizice ale reelei cristaline sunt [12]:
Reea: hexagonal;
Constantele reelei: a = 3,24 ; c = 5,19 ; c/a = 1,6;
Masa molar: 81,37 g/mol;
Densitatea volumic: 5,7 0,08 g/cm
3
;
Cldura specific: 0,7 J/(ggrad) la 300 K;
Temperatura de topire: 2300 K;
Lrgimea benzii interzise: 3,2 V;
Densitatea atomilor donori: 10
17
cm
-3
;
Mobilitatea electronic: 200 cm
2
/Vs;
Rezistivitatea electric: 0,5 cm;
Izolaia granulelor de ZnO se comport ca un dielectric cu permitivitatea
dielectric relativ n jurul valorii de
r
= 8,5. Cderea de tensiune pe un astfel de
spaiu intergranular este de aproximativ 3 V. Numrul acestor spaii intergranulare
va determina tensiunea de prag U
N
. Aceast structur va determina mecanismele de
conducie i degradare care vor fi prezentate ulterior.
Schema electric echivalent pentru un microvaristor (o granul de ZnO
nconjurat de spaiul izolant intergranular) la nivel microscopic, se poate reprezenta
ca n figura 3.30. Schema electric echivalent pentru ntregul varistor se poate
obine prin combinaii de asemenea scheme elementare n paralel i n serie.
Fig. 3.30. Schema echivalent a unui varistor pe baz de ZnO.
Prezena inductanei n schem nu a putut fi explicat nc de nici o teorie.
Aceast inductan ns este pus n eviden de experimente, mai ales n cazul
regimurilor tranzitorii.
Granule de ZnO Jonciuni
intergranulare
L R
g

R
i






C
i
Caracterul inductiv se manifest printr-o ntrziere a curentului fa de
tensiunea pe care o observm n situaia unui oc de curent de mare amplitudine.
Microstructura corespunztoare acestui model, att cea real ct i cea
idealizat, sunt prezentate n figura 3.31. Pe figur sunt marcate i dimensiunile
geometrice cele mai importante pentru varistor. Aa cum indic i denumirea lor,
varistoarele au n componena lor n cea mai mare parte ZnO, la care se adaug un
numr de oxizi aditivi, fiecare avnd un anumit rol.
Fig. 3.31. Microstructura unui varistor pe baz de ZnO.
a). teoretic (idealizat); b) real.
Compoziia chimic aproximativ a unui varistor, dup terminarea tuturor
operaiunilor de fabricaie este dat n tabelul 3.2., mpreun cu proprietile fizico-
chimice ale fiecrui constituent major. Ea este diferit de cea iniial datorit
evaporrii majoritii oxizilor adiionali n timpul procesului tehnologic.
Compoziia chimic difer de la un productor la altul.
Dup cum s-a constatat anterior, componenta principal a varistoarelor este
oxidul de zinc (ZnO). Acesta se prezint sub form de pulbere cristalizat, de
culoare alb, puritatea lui ajungnd pn la 99%. Impuritile cele mai importante
sunt sulfaii (0,01 %), arsenicul (0,005 %), plumbul (0,005 %), azotul (0,001 %),
clorul (0,001 %), calciul (0,001 %).
C. Influena tehnologiei de fabricaie i a diverilor componeni asupra
parametrilor varistoarelor
Proprietile electrice ale varistoarelor sunt influenate de concentraia
oxizilor aditivi ct i de dimensiunea granulaiei pulberii.

Tabelul 3.2. Compoziia chimic final a unui varistor i proprietile
fizico-chimice ale fiecrui constituent.
C
o
m
p
o
n
e
n
t
a

C
o
m
p
o
z
i

i
a

p
r
o
c
e
n
t
u
a
l



[
%

m
o
l
a
r
e
]

C
a
n
t
i
t
a
t
e

l
a

1
0

g

p
r
o
d
u
s

[
g
]

M
a
s
a

m
o
l
a
r



[
g
]

D
e
n
s
i
t
a
t
e
a

[
g
/
c
m
3
]

T
i
p
u
l

r
e

e
l
e
i

c
r
i
s
t
a
l
i
n
e

i

c
u
l
o
a
r
e
a

l
a

2
5

C

T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

d
e

t
o
p
i
r
e

[

C
]

ZnO 97,0 9,117 81,37 5,70
Hexagonal
Alb
2000
Bi
2
O
3
0,5 0,269 496,96 8,90
Romboedric
Galben
820
MnO
2
0,5 0,050 86,94 5,03
Romboedric
Neagr
535
Co
3
O
2
0,5 0,139 240,80 6,07
Cubic
Neagr
1935
Cr
2
O
3
0,5 0,088 151,99 5,21
Hexagonal
Verde
2435
Sb
2
O
3
1,0 0,337 291,50 5,20
Cubic
Alb
656

Tensiunea de prag (U
N
) a varistorului depinde de numrul de straturi inter-
granulare i deci de dimensiunile granulelor de ZnO. De asemenea, coeficientul de
neliniaritate i curentul de scurgere la tensiunea de serviciu (I
f
) sunt influenai de
proporia oxizilor suplimentari folosii ca liani sau ca dopani.
n esen chiar conducia electric a varistorului este determinat de barierele
de potenial care se formeaz la nivelul spaiilor intergranulare.
Aditivii cei mai importani sunt cei precizai n tabelul 3.3., mpreun cu rolul
jucat de fiecare n ansamblul varistorului. Pe lng acetia, n structura varistoarelor
se introduc i o serie de dopani, cum ar fi: Cr, Sb, Ba, Ni, Ti, Al, Li, care sunt
prezentai n tabelul 3.4.

Tabelul 3.3. Influena unor aditivi asupra proprietilor varistorului
Componentu
l
Utilitatea
Bi
2
O
3

Joac un rol esenial n manifestarea efectului de varistor,
adic a neliniaritii pronunate a caracteristicii curent-
tensiune.
Observaiile la microscopul electronic [35] au artat c
bismutul se localizeaz ntre granulele conductoare electric de
ZnO, asigurnd o izolaie electric eficient. Concentraia de
Bi
2
O
3
n pulberea iniial influeneaz valoarea curentului de
scurgere (I
f
) i a exponentului de neliniaritate
Co
3
O
4
MnO
2

Sunt oxizi indispensabili obinerii unei caracteristici puternic
neliniare.
Rolul lor este de a dopa granulele de ZnO i deci de a deplasa
nivelul Fermi, modificnd structura sarcinii spaiale i
facilitnd micorarea nlimii barierei de potenial;
Sb
2
O
3

Oxidul de stibiu are rolul de a fixa Bi
2
O
3
la temperaturi nalte
i astfel limiteaz creterea dimensiunii granulelor de ZnO. n
acest fel este fixat tensiunea de prag V
N
pentru o anumit
nlime a pastilei varistorului.

Adugarea altor aditivi nu modific microstructura electronic a benzilor de
energie, dar contribuie la ameliorarea caracteristicilor electrice ale materialului
obinut. Astfel, dac oxizii de Sb i Cr limiteaz dimensiunile granulelor, Ti sau Si
favorizeaz creterea lor.

Tabelul 3.4. Influena unor elemente chimice asupra proprietilor fizico-
chimice ale varistoarelor, sau asupra celor electrice.
Elementul Proprieti fizico-chimice specifice Proprieti electrice specifice
Bi
Permite sinterizarea n faz
lichid;
Concentraie ridicat a dopanilor
n spaiul intergranular;
Aderena la oxizii de Al.
Mrete curentul de scurgere
Co Dopeaz granulele de ZnO
Mn Dopeaz granulele de ZnO
Cr
Limiteaz dimensiunea granulelor
de ZnO.

Sb
Limiteaz dimensiunea granulelor
de ZnO.

Ti
Crete dimensiunea granulelor de
ZnO

Si
Crete dimensiunea granulelor de
ZnO

B Stabilizeaz curentul n timp
Ni Reduce curentul de scurgere
Al
Scade rezistivitatea electric;
Crete tg
Ga, In,
Zr
Scad rezistivitatea electric
Li, K,
Na, Cu
Cresc rezistivitatea electric
Aluminiul, prin nitraii i oxizii si diminueaz rezistivitatea materialului, pe
cnd Li are un efect contrar. O sistematizare a influenei fiecrui component asupra
proprietilor fizico-chimice i a celor electrice este prezentat n tabelul 3.4.
Ameliorarea proprietilor electrice ale varistoarelor se poate face att prin
optimizarea concentraiei fiecrui constituent, ct i prin modificarea parametrilor
ciclului termic de sinterizare.
M. Matsuoka [34] a realizat nc de la nceputul anilor `70 un material varistor
care pe lng ZnO mai are doar 5 oxizi aditivi. Acest material este considerat de
referin, fiind admirabil prin simplicitatea compoziiei chimice i performanele
electrice obinute (avnd un coeficient de neliniaritate = 50, determinat ntre 1 i
10 mA. Tabelul 3.5. rezum evoluia coeficientului de neliniaritate n funcie de
numrul de aditivi i temperatura de sinterizare a ciclului termic.
Tabelul 3.5. Dependena caracteristicilor electrice de concentraia aditivilor i
temperatura de sinterizare.
Aditivi
(n concentraie molar de 0,5 %
fiecare)
Temperatura
de sinterizare
[C]
Intensitatea
electric de prag
Es [V/mm]

Bi2O3 1150 10 4
Bi2O3 Sb2O3 1150 65 3
Bi2O3 CoO 1250 30 13
Bi2O3 MnO 1350 50 18
Bi2O3 MnO CoO 1350 30 22
Bi2O3 MnO CoO Cr2O3 1250 48 21
Bi2O3 MnO CoO Cr2O3 Sb2O3 1350 135 50

De mare importan pentru fabricantul i utilizatorul de varistoare este influena
diametrului mediu al granulelor de ZnO asupra tensiunii de prag U
N
. Un varistor cu
ZnO are n componena sa granule de diferite dimensiuni. Prin urmare, va exista o
cale prefereniat de trecere a curentului pe drumul de rezisten minim, traversnd
granulele de ZnO care au rezistena electric cea mai mic.
Tensiunea de prag asociat unei asemenea granule v
N
se definete ca fiind
egal cu nlimea barierei de potenial ntre dou granule alturate, anume:
u
N
= U
bi
3 V (3.19)
Presupunnd c trecerea curentului se face prin n microvaristoare nseriate pe
nlimea H a varistorului i considernd c toate granulele de ZnO au acelai
diametru mediu d
g
,
n = H/d
g
. (3.20)
i deci tensiunea de prag a varistorului va fi proporional cu numrul de straturi
de ZnO, deci cu nlimea H a pastilei ceramice i, efectund nlocuirile,
obinem:

[V] 3
d
H
U
d
H
u
d
H
u n V
g
bi
g
N
g
N N
= = = =
(3.21)
Dup cum se constat din aceast ecuaie, stabilind tensiunea de prag U
N
,
necesar varistorului i cunoscnd granulaia medie a granulelor de ZnO, putem
calcula cu aproximaie nlimea pe care va trebui s o aib pastila ceramic. Calculul
practic se face pornind de la constatarea c dimensiunea medie a granulelor de ZnO
este aproximativ 20 m.
n figura 3.32 prezentm o seciune de principiu, realizat printr-un varistor
gata fabricat, de grosime micrometric.
Fig. 3.32. Seciune de principiu printr-un varistor.

Aceast dimensionare se refer doar la nlimea pastilei. Diametrul pastilei
se va alege dup criterii mult mai complicate, care in de curentul maxim pe care l
suport varistorul i de stabilitatea termic ce se dorete a fi obinut.
Pentru domeniul de joas tensiune, conform standardelor UL#1449 (Transient
Voltage Surge Suppressors, File E103662) i CSA 2221-01 (Accessories and Parts
for Electronic Products, File LR109328) [89], exist trei categorii de varistoare,
fiecare avnd urmtoarele diametre standardizate, nlimea fiind proporional cu
tensiunea de prag, nefiind standardizat:
Varistoare de uz general, mbrcate complet n rin epoxidic, cu conectori
radiali;
Diametrele standard sunt: 5, 7, 10, 14, 18 respectiv 20 mm;
Varistoare cu capacitate sporit de absorbie a energiei, fr conectori, cu
feele acoperite cu electrozi prin depunere i suprafaa lateral acoperit cu
rin epoxidic;
Diametrele standard sunt: 25, 32, 40 i 60 mm;
Varistoare cu destinaie special (aplicaii militare sau alte aplicaii aparte).
Vom prezenta o metod empiric de corelare a diametrului varistorului care
rspunde celor dou cerine contradictorii:
Realizarea unei serii de varistoare cu acelai diametru i nlime variabil;
Corelarea diametrului varistorului cu nlimea cerut de capacitatea de
absorbie n energie;
n figura 3.33 prezentm pe scurt realizarea compromisului ntre cele dou:
d
g



d
g
H
Electrod de aluminiu (depunere)
Jonciuni
intergranulare


Granule de
ZnO
Izolant pe baz de rin

Granule de impuriti
Fig. 3.33. Alegerea diametrului varistorului
Se observ c pn la un raport ntre nlime i diametru de aproximativ 2
sau 2,1, se poate realiza o serie de varistoare de diametru constant, impus de prima
valoare a grosimii aleas.
Peste aceast valoare a grosimii (exprimat la fel ca i diametrul n uniti
relative), diametrul solicitat de un varistor de nalt tensiune, pentru a face fa ocurilor
violente i a putea absorbi energia acestora, este mai mare dect cel corespunztor
nceputului de serie. n consecin se impune trecerea la un nou diametru.
Se poate genera o serie nou cu acest diametru iniial Se realizeaz serii de
varistoare, care difer doar prin nlime (tensiune U
N
), diametrul fiind identic.
n Romnia se produc experimental doar varistoare destinate aplicaiilor la
joas tensiune, la I.C.P.E. Bucureti, conform S.F. 64/1996, pe baza unei tehnologii
asemntoare celei prezentate aici.
n figura 3.34 prezentm o serie de varistoare pentru medie tensiune.
Fig. 3.34. Serie de varistoare pe
baz de ZnO.
D
i
a
m
e
t
r
u
l

v
a
r
i
s
t
o
r
u
l
u
i

(
u
n
i
t

i

r
e
l
a
t
i
v
e
)



1,5


1,0


0,5
1 2 3
nlimea varistorului (uniti relative)
Diametru ideal
Diametru impus de capacitatea de
absorbie a energiei
3.4.3.3. Uzura varistoarelor pe baz de ZnO n exploatare
nglobate n echipamentele de protecie, varistoarele supuse solicitrilor
electrice intense sufer modificri ale proprietilor lor iniiale, care n anumite
cazuri pot afecta substanial capacitatea lor de a asigura protecia la supratensiuni.
Deteriorarea varistoarelor (uzura) se reflect n modificarea caracteristicii curent-
tensiune, i mai ales a tensiunii de prag U
N
.
Evaluarea gradului de uzur a unui varistor se face:
De ctre fabricant, dup primele ncercri de lot (conform CEECC 42000 Test
4.7, 4.20, 4.10.1, 4.10.2, 4.11, 4.12, 4.15, 4.18.1, C2.1, C2.2 etc.);
De ctre utilizator, ori de cte ori este nevoie, dup aceleai standarde sau
dup norme proprii.
Criteriile de evaluare ale uzurii sunt, dup aceleai standarde: [18].
Variaia tensiunii de prag raportat la valoarea de catalog:
n general % 10
U
U
N
N

, dar pentru unele solicitri mecanice: % 5


U
U
N
N

;
Observarea vizual (nu prezint defecte vizibile i marcajul este lizibil).
n funcionarea varistorului, uzura se manifest prin:
Degradare (mbtrnire),
Distrugere.
A. Degradarea varistoarelor
Solicitrile care pot produce degradarea sunt de diverse tipuri:
Polarizarea n funcionare normal (la tensiunea nominal), care n cazul unor
temperaturi ridicate ale mediului ambiant poate determina creterea exagerat
a curentului de scurgere prin varistor;
Supratensiunile violente, de scurt durat, dar de mare amplitudine, datorate
descrcrilor atmosferice;
Supratensiunile de lung durat rezultate n urma manevrelor efectuate n
instalaia electric;
Descrcrile pariale din apropierea varistorului;
Solicitrile electrice, termice, mecanice i chimice ale mediului nconjurtor
asupra varistorului.
Ca urmare a degradrii se va constata o cretere a curentului de scurgere n
funcionare normal i o scdere a tensiunii de prag.
n cazul solicitrilor unidirecionale (n curent continuu), caracteristicile I(U) vor
prezenta un caracter asimetric, o schimbare mai pronunat observndu-se pentru
ncercrile cu tensiuni de polaritate invers celor aplicate pentru degradare. Supu-
nerea varistorului la solicitri cu tensiuni alternative determin o degradare simetric.
Aceste observaii experimentale sugereaz o deformare a barierei Schottky cu
o scdere a nlimii barierei de potenial provocat de o modificare a distribuiei
sarcinii spaiale la suprafaa de separaie. Majoritatea modelelor referitoare la acest
subiect explic la nivel microscopic fenomenul degradrii varistorului printr-o
deplasare a ionilor sub aciunea solicitrilor cmpului electric aplicat.
Fenomenul de degradare al varistoarelor la nivel microscopic este evideniat
prin deformarea barierei de potenial, datorate migrrii ionilor i modificrii concen-
traiei ionice de la suprafaa de separaie intergranular, iar la nivel macroscopic prin
modificarea n sens nedorit a caracteristicilor electrice.
n esen:
Creterea curentului de scurgere ca urmare a mbtrnirii varistorului are drept
consecin creterea puterii disipate prin efect Joule.
Creterea curentului de scurgere asociat cu diminuarea tensiunii de prag i a
coeficientului de neliniaritate sunt alte simptome ale mbtrnirii;
Stabilirea unor canale conductoare prin interiorul varistorului sau pe suprafaa
exterioar, care sunt generate de un grad nalt de neomogenitate n material,
este o alt consecin a mbtrnirii;
Apariia descrcrilor pariale n interiorul varistorului sau ntre suprafaa
lateral izolant protectoare i masa sinterizat a varistorului poate fi asimilat
ca un efect direct al mbtrnirii.
n funcie de fenomenele de degradare care se manifest, se pot distinge dou
categorii de degradare:
Degradarea reversibil, atunci cnd eantioanele supuse degradrii i
recapt proprietile iniiale dup un anumit timp de repaus, timp ce poate fi
redus prin aplicarea unui tratament termic (nclzire n curent de aer cald de
exemplu). Acest tip de degradare este atribuit deplasrii ionilor dinspre
interiorul granulelor spre spaiul intergranular, cauzat de polarizare;
Degradarea ireversibil, atunci cnd eantioanele supuse degradrii nu sunt
distruse, dar nu i mai recapt proprietile iniiale, nici dup un timp
ndelungat, indiferent de tratamentele aplicate. Dac gradul de degradare este
acceptabil, dup evalurile standard, ele pot fi meninute n funciune.
B. Mecanismele degradrii
Vom prezenta pe scurt principalele modele care trateaz degradarea
varistoarelor pe baz de ZnO.
Modelul K. Eda i colaboratorii
Acetia au studiat degradarea varistoarelor supuse tensiunilor continue sau
alternative, la diverse temperaturi ale mediului ambiant. Ridicarea caracteristicii
I(U) i determinarea proprietilor dielectrice le-a permis s evalueze aceast
degradare. Msurarea curentului de depolarizare, stimulat termic, a condus la
stabilirea cantitii de ioni care au difuzat spre spaiul intergranular.
Atomii care s-au deplasat sunt, conform observaiilor, cationii de Zn, Sb, Co,
Mn i Cr, care migreaz sub aciunea cmpului electric. Ei vor fi neutralizai i
perturb echilibrul sarcinilor.
Ca urmare, bariera Schottky sufer o deformare, scderea ei mbuntind
conducia prin spaiul intergranular. Concluziile care se desprind sunt:
1. Pentru solicitri unidirecionale (tensiune continu):
Modificarea I(U) la o caracterizare cu tensiune invers celei cu care a fost
degradat, este provocat printr-o migraie a ionilor n regiunea intergranular
bogat n Bi
2
O
3
, care deformeaz bariera Schottcky polarizat direct;
Modificarea I(U) la tensiuni de acelai sens cu cea la care a fost degradat este
consecina unei deplasri a ionilor n zona srac n electroni, antrennd o
deformare a barierei polarizate n sens invers.
2. Pentru solicitri alternative:
Dubla barier este deformat n ambele pri n mod simetric, prin deplasarea
ionilor n cele dou zone prsite (srace n electroni).
Autorii aduc de asemenea cteva precizri viznd modalitile n care procesele
de recoacere amelioreaz stabilitatea varistorului. n timpul acestei operaii, structura
reelei ionice se modific, conductivitatea ionic (generat de ionii de O
2-
),
diminundu-se. n plus, ionii Zn
2+
interstiiali difuzeaz ctre suprafaa de separaie
intergranular, unde se pot combina cu O
2-
, ducnd la scderea concentraiei lor i
deci la scderea conductivitii spaiului intergranular. Acest fapt conduce la scderea
curentului prin varistor, care nseamn de fapt mbuntirea stabilitii termice a lui.
Acest mecanism prezint n esen mecanismul pierderilor n O. n urma
acestor aciuni rezult o scdere a nlimii barierei de potenial Schottky i o
deformare asimetric a acesteia din urm, dac tensiunea aplicat este continu, sau
simetric dac tensiunea aplicat este alternativ.
Autorul explic faptul c bariera Schottky polarizat n sens direct va fi
deformat mai uor dect cea polarizat n sens invers, explicnd asta prin pierderea
de oxigen mai uoar pentru jonciunea polarizat n sens direct. Verificarea experi-
mental a acestui model a fost fcut de A. Chang i W.D. Kingery, care au pus n
eviden o diferen de concentraie a ionilor metalici (Al, Si, Ca, Ti, Fe, Co i Bi)
ntre spaiile intergranulare n starea iniial, nedegradat, i cea final, dup degradare.
Modelul T.K. Gupta i colaboratorii
Autorii presupun c o rcire rapid n ciclul de sinterizare poate provoca un
gradient termic important n granulele de ZnO. Acesta determin defecte n reeaua
cristalin (ionii de Zn
2+
se deplaseaz n poziii intermediare) i o distribuie
neomogen a ionilor. Aplicarea unei tensiuni mari asupra eantionului supus
ncercrilor provoac difuzia ionilor pozitivi Zn
2+
n zona prsit de electroni, ctre
spaiul intergranular, unde neutralizeaz o parte din sarcinile negative care sunt
generatoare ale barierei Scottky, rezultnd o deformare a acesteia i o scdere a
nlimii barierei de potenial i creterea curentului de conducie.
Modelul C.G. Shirley i W.M. Paulson
Acetia analizeaz mecanismul degradrii n urma unui impuls de mare
amplitudine i mare energie, echivalentul unei lovituri de trznet. Acest oc produce o
neomogenitate a materialului varistor, nclzirile locale excesive distrugnd n parte
unele din spaiile izolante intergranulare. Rezult deci la nivel global o scdere a
numrului de bariere de potenial, deci o scdere a tensiunii de prag i o cretere a
curentului de conducie la o aceeai tensiune normal aplicat, nsoit de o cretere
global a temperaturii pastilei, ce poate determina starea de instabilitate termic.
C. Distrugerea
Distrugerea unui varistor se poate manifesta n primul rnd prin:
Strpungere punctiform
Dac un anume curent, de ordinul amperilor sau zecimilor de amperi, altfel
inofensiv, parcurge varistorul n regim de serviciu permanent timp de cteva ore,
poate conduce la stabilirea prin varistor a unui canal preferenial de trecere a
curentului, de rezisten mic (sub 1 k). n urma apariiei acestui canal au loc i
fenomene de topire local a materialului varistor, care conduc n final la apariia
unui orificiu cu diametrul mai mic de 1mm. Practic, asistm la topirea stratului
intergranular, care are punct de topire mai mic dect ZnO. Ca urmare, efectul
varistor nceteaz. Acest fenomen este favorizat de neomogenitatea materialului
varistor, adic de existena n material a unor zone cu rezistivitate electric mult mai
sczut dect altele, zone prin care se va scurge ntreg curentul, ducnd la topirea de
care am vorbit mai nainte.
Strpungere total
Este produs de trecerea prin varistor a unor cureni extrem de mari, chiar pe
o durat de timp extrem de scurt, aa cum se ntmpl n cazul trecerii undelor de
supratensiune (supracurent). La fel ca n cazul scurtcircuitelor, apar fore
electromagnetice extrem de mari n interiorul materialului, favorizate de
neuniformitatea acestuia, dar, n primul rnd apar nclziri excesive ale materialului,
datorit curentului extrem de mare. i nclzirile excesive sunt favorizate de
neuniformitatea materialului. Ca urmare, varistorul este topit total sau n mare parte,
n unele situaii ajungndu-se la vaporizare i explozie. Din aceast cauz,
descrctoarele de medie i nalt tensiune, executate n variant capsulat, sunt
prevzute cu supape sau membrane distructibile, n scopul de a evita, ntr-o
asemenea situaie, explozia echipamentului.
Conturnare
Fenomenul de conturnare const n apariia unui curent electric pe suprafaa
lateral a varistorului, urmrind profilul acesteia. Conturnarea este favorizat de
gradul de poluare a suprafeei laterale (impuriti, praf, ap) sau de imperfeciunile
izolaiei din rin epoxidic. Conturnarea se produce de regul la tensiuni mari, la
apariia unui impuls, i duce la topiri locale sau totale. Neomogenitatea sau lipsa
izolaiei pot favoriza acest fenomen.
Oricare din aceste forme de distrugere sunt ireversibile. Varistorul care a
suferit asemenea constrngeri trebuie nlocuit din echipament pentru a evita eventuale
scurtcircuite cauzate de rezistena mic a varistorului chiar numai sub aciunea
tensiunii nominale a reelei, sau, n cel mai ru caz, incendii i accidente.
Capitolul 4
MATERIALE CONDUCTOARE
4.1. Clasificare, descriere i utilizare
4.1.1. Cuprul i aliajele sale
Fiind materiale cu conductivitate electric i rezisten mecanic mare, rezistente
la coroziune, maleabile i ductile, sudabile, etc., cuprul i aliajele acestuia prezint
numeroase utilizri n industria electrotehnic.
Cuprul electrotehnic (CuE) se obine prin rafinare electrolitic i are puritatea
de peste 99,9%. Impuritile i pot modifica considerabil proprietile. Astfel
oxigenul reacioneaz - n timpul procesului de prelucrare a cuprului cu gazele din
mediul ambiant (H
2
, CO, CH
4
), dnd natere unor produse insolubile n cupru(ap,
CO
2
etc.), care, ieind din metal, provoac fisuri n structura acestuia (fenomenul
numindu-se boala hidrogenului). Oxigenul afecteaz, de asemenea, conductivitatea
cuprului: aceasta scade cu aproape 4[%] pentru un coninut de oxigen de 0,15[%].
Cea mai duntoare impuritate o constituie ns bismutul. Insolubil n cupru,
bismutul formeaz pelicule foarte fragile i uor fuzibile n jurul grunilor cristalini
ai acestuia, mrindu-i fragilitatea. Alte impuriti, cum sunt fosforul, fierul, siliciul,
cromul etc. determin o reducere important a conductivitii, n timp ce argintul,
aurul, cadmiul, nichelul etc. au o influen mult mai mic.
Proprietile cuprului depind de structura sa (tab.4.1), precum i de solicitrile
mecanice i termice din exploatare.

Tabelul 4.1. Caracteristicile principale ale cuprului electrolitic
Caracteristica
Unitatea
de
msur
Cupru
recopt
(moale)
Cupru tras
la
rece(tare)
Densitatea Kg/dm
3
pn la 8,95
Rezistena la rupere (la ntindere) MN/m
2
200250 400490
Alungirea relativ % 5030 42
Duritate Brinell MN/m
2
400500 8001200
Modulul de elasticitate GN/m
2
122 126
Caracteristica
Unitatea
de
msur
Cupru
recopt
(moale)
Cupru tras
la
rece(tare)
Rezistivitatea electric, la 20[C] m 0.017241 0.0177
Coeficientul de temperatur al
rezistivitii, la 20[C]
K
-1
3,39 10
-3

Temperatura de topire C 1083
Temperatura de recoacere C 400...700
Temperatura de recristalizare C 220300
Coeficientul de dilataie liniar
(de la 25 la 300[C])
K
-1
1.77 10
-6

Conductivitatea termic, la 20[C] W/mK 3.9398
Cldura specific J/kgK 385

Astfel, rezistivitatea se determin cu relaia: ()=0,01724+0,0000681(T-
293) [m], adic un conductor din cupru i mrete rezistivitatea cu 0,0000681
[m] dac temperatura sa crete cu un grad. Avnd potenialul de electrod
standard pozitiv (+0,345[V]), cuprul este protejat de metalele uzuale cu care vine n
contact(Al, Fe, Zn etc.), acestea avnd potenial de electrod standard negativ. Este
atacat de oxigen, de oxizii de azot, de acidul azotic i acidul sulfuric, de clor,
amoniac, de sulful din cauciucul vulcanizat etc.
Cuprul se utilizeaz la fabricarea conductoarelor de bobinaj, a liniilor de
transport i distribuie a energiei electrice, a conductelor i cablurilor pentru nalt
frecven, a pieselor pentru tuburi cu vid, a redresoarelor cu Cu
2
O, aliajelor de mare
rezistivitate, magnetice.
Introducerea unui coninut foarte redus de Ag, Cd, Zn, Cr, Be etc. confer
cuprului proprieti termice i mecanice superioare. Astfel, un adaos mic de Ag
(0,030,1[%]) imprim aliajului stabilitate termic bun dup ecruisare, Cd
(0,061[%]) i mrete rezistena la solicitri dinamice, Zn (2[%]) i Cr
(0,50,9[%]) i mresc rezistena la rupere prin traciune, Be(0,52[%]) i mrete
duritatea etc. n schimb adaosurile care apar ca ,,impuriti n reeaua cristalin a
cuprului - mresc rezistivitatea electric a materialului.
Alamele sunt aliaje ale cuprului cu Zn. Se reprezint prin simbolul AmXY,
numrul XY reprezentnd coninutul de cupru (peste 50[%]) n procente.
Proprietile lor depind att de compoziia chimic, ct i de tratamentele mecanice
i termice la care au fost supuse n procesul de fabricaie. Sunt rezistente la
coroziune, se pot lamina i tana uor, dar au conductivitate electric mai redus
dect cea a cuprului. Adugndu-se i alte elemente, se confer alamelor rezisten
mrit la coroziune i oxidare (Si), proprieti mecanice superioare (Al, Sn, Fe, Mn)
eventual la temperaturi nalte (Ni) -, prelucrabilitate uoar (Pb) etc.
Sub denumirea de bronzuri sunt cunoscute aliajele cuprului cu Sn, precum i
cele cu Al, Si, Cd, Be, P, Cr, Ti, Ag etc. Acestea au duritate mare (dependent de
gradul de deformare plastic), sunt rezistente la coroziune, iar unele din ele (cu Cd)
au rezistivitate apropiat de cea a cuprului. Se utilizeaz la fabricarea conductoarelor
aeriene, a firelor de troleu, a contactelor arcuite, a lamelelor de colector etc.
4.1.2. Aluminiul i aliajele sale
Aluminiul este, dup cupru, materialul cel mai utilizat n electrotehnic. Este
mai uor i mai ieftin dect cuprul, dar inferior acestuia n ceea ce privete
conductivitatea electric, rezistena mecanic i rezistena la coroziune electro-
chimic (tab.4.2).
Tabelul 4.2. Principalele caracteristici ale aluminiului (gradul de puritate 99,6[%])
Caracteristici
Unitatea
de
msur
Aluminiu
recopt
(moale)
Aluminiu
tras la
rece(tare)
Aluminiu
turnat
Aldrey
Densitatea Kg/dm
3
2.7 2.7 2.56 2.7
Rezistena la rupere (la
ntindere)
MN/m
2
70110 150..250 90..120 310320
Alungirea relativ la rupere % 3045 28 1325 -
Duritatea Brinell MN/m
2
150..250 350700 240320 -
Modulul de elasticitate GN/m
2
5866 72 - 65
Cldura specific
(0-100[C])
J/kgK 895 944 - -
Conductivitatea termic
W/mK
la 20[C]: 217
la 20[C]: 199
-
Coeficientul de dilataie
liniar (de la 0 la 100[C])
K
-1
23.9 10
-6
32 10
-6

Temperatura de recoacere C 200450 -
Temperatura de
recristalizare
C 150 180
Rezistivitatea electric la
20[C]
m 0.028 0.0322
Coeficientul de
temperatur al rezistivitii
la 20[C]
K
-1
4 10
-3
3.6 10
-3


Fig. 4.1 Sistemul de cristalizare cub cu fee centrate
Cristalizeaz, ca i cuprul, n sistemul cubic cu fee centrate (fig.4.1). Conduc-
tivitatea sa scade cu creterea coninutului de impuriti, ndeosebi n cazul
vanadiului i titanului.
De aceea, aluminiul pentru conductoare conine cel mult 0,5[%] adausuri (n
general, fier i siliciu). Proprietile mecanice ale aluminiului sunt destul de reduse
i variaz sub aciunea solicitrilor mecanice i termice. Temperatura de recristalizare
este de 150[C], dar o recristalizare complet se realizeaz numai la 250-300[C]
(n funcie de gradul de deformare i durata tratamentului). Solicitat la 70-80[C]
timp ndelungat, rezistena mecanic a aluminiului scade mult mai puin dect cea a
cuprului. Prezint ns rezisten redus la aciunea vibraiilor i este atacat de
oxigen (formnd o pelicul protectoare de Al
2
O
3
), Cl, sruri ale halogenilor, acizi
organici, ap de mare etc. Avnd potenialul de electrod negativ i mare (-1,66[V] )
Al se distruge n contact cu metalele tehnice obinuite.
Aluminiul se utilizeaz la fabricarea electrozilor condensatoarelor cu hrtie i
a celor electrolitice (folii), a mantalelor i ecranelor cablurilor de energie, a nfu-
rrilor mainilor i transformatoarelor electrice, a liniilor de transport i distribuie a
energiei electrice, a cablurilor subterane etc., precum i a unui numr foarte mare de
produse care, prin caracteristicile lor neelectrice (greutate mic, rezisten mecanic
mare etc.) au nlocuit materialele uzuale n construcii, transporturi, aparatur elec-
trocasnic etc.
Utilizarea aluminiului n transportul energiei electrice presupune realizarea
unor conductoare de seciune mai mare, dar de greuti mai reduse (tab.4.3). n
cazul liniilor aeriene de nalt tensiune, creterea seciunii contribuie la reducerea
pierderilor prin efect Corona, iar reducerea greutii conductorului permite mrirea
distanei dintre stlpii de nalt tensiune i deci a costului liniei. Cum ns aluminiul
are rezisten mecanic redus, liniile aeriene se construiesc din Aldrey sau din
conductoare bimetalice (miezuri din oel peste care se suprapun srme de aluminiu
(fig.4.2). n cazul cablurilor de energie, creterea seciunii conductoare atrage ns o
mrire a cantitii de materiale izolante i de manoane de legtur utilizate, deci o
scumpire a instalaiei.

Fig. 4.2 Seciune printr-un conductor
bimetalic oel - aluminiu.
Tabelul 4.3. Proprieti ale materialelor conductoare utilizate
n transportul energie electrice
Proprieti Cu Al Fe (n c.c.)
Densitatea [kg/dm3] 8,9 2,7 7,8
Conductivitatea electric [S/m] 56 35,2 9,5
Seciunea echivalent (pentru o linie de aceeai
lungime i rezisten electric)
1 1,59 5,9
Diametrul seciunii echivalente 1 1,26 2,75
Greutatea liniei de seciune echivalent 1 0,48 5,2

Prin adugarea unor mici cantiti de Si, Cu, Mg, Mn, Zn, Ni, Be etc. se obin
aliaje ale aluminiului proprieti mecanice superioare i conductivitate apropiat de
cea a aluminiului pur. Astfel, Aldrey-ul (98,45 Al;0,6 Si; 0,7 Mg; 0,2 Fe) are
rezistivitatea mai mic de 32 [m], rezistena la traciune mai mare de 320
[MN/m
2
] i temperatura de recristalizare cuprins ntre 180 i 200 [C]. Siluminiul
(1113,5[%] Si), n stare topit, are fluiditate mare i se utilizeaz la fabricarea
- prin turnare - a pieselor de grosimi reduse sau cu forme complicate. Tot ca aliaje
de turnare se utilizeaz i aliaje Al-Mn (pentru coliviile motoarelor asincrone), Al-
Cu, Al-Cu-Ni, Al-Mn-Mg etc.
4.1.3. Alte materiale conductoare
Utilizarea fierului ca material conductor se datoreaz ndeosebi costului
sczut i rezistenei mecanice mari pe care acesta le are. Prezint, de asemenea,
rezistivitate electric mare (0,1 [m]), rezisten slab la coroziune chimic i
efect pelicular pronunat. Deoarece efectul de refulare a curentului este cu att mai
pronunat, cu ct conductorul are diametrul mai mare i rezistivitatea mai redus, n
c.a. se utilizeaz conductoare de oel cu rezistivitate mai mare (tab.4.4) i diametre
care nu depesc 2,5[mm].
Tabelul 4.4. Caracteristicile principale ale fierului conductor
Caracteristica
Unitatea
de msur
Fier armco (c.c) Oel (c.a.)
Densitatea Kg/dm
3
7.8 7.8
Rezistivitatea electric la 20 [ C] m 105..108 130
Coeficientul de temperatur al
rezistivitii la 20 [ C]
K
-1
0.0057 0.0057
Rezistena la rupere
MN/m
2

moale: 200300
tare: 400...500
700750
Alungirea relativ
%
moale: 6040
tare: 61.5
58

Aceste oeluri conin pe lng carbon (0,10,15[%]) i Si (0,008[%]) Mn
(0,046[%]), S (0,05[%]), P (0,05[%]) etc. n curent continuu se folosete fierul
armco cu cel mult 0,2 [%] impuriti (carbon sub 0,003[%], n rest Si, Mn, S, P).
Fierul se utilizeaz - n locul cuprului sau aluminiului la realizare a liniilor
de distribuie a energiei electrice (acolo unde costul energiei este redus sau n
regiunile rurale cu consun redus), de telecomunicaii, la fabricarea conductoarelor
solicitate mecanic (trolee pentru macarale, conductoare bimetalice) etc.
Argintul nu se oxideaz dect la temperaturi ridicate, stratul de oxid format
fiind bun conductor electric. Se utilizeaz pentru confecionarea contactelor, a
armturilor pentru condensatoarelor, a siguranelor fuzibile etc.
Platina-rezisten la coroziune i arc electric-se utilizeaz la fabricarea
contactelor, a termocuplelor etc.
Wolframul-grunos i fragil, cu temperatur de topire ridicat i rezisten
mare la arc electric-se utilizeaz la fabricarea lmpilor cu incandescen (n medii
fr oxigen),a contactelor de rupere etc.
Se mai utilizeaz, de asemenea, zincul (electrozi de sudur, acoperiri
metalice),plumbul (mantale pentru cabluri etc.) ,staniul(aliaje pentru lipit etc.),
molibdenul, nichelul, cadmiu, cromul etc.
4.1.4. Materiale pentru rezistoare de precizie i pentru reostate
Materialele pentru rezistoare de precizie i etalon au coeficientul de
temperatur al rezistivitii i tensiunea termoelectromotoare fa de cupru reduse,
sunt maleabile i ductile etc. Cele mai utilizate sunt manganina aliaje Cu+Ni+Al
sau aliajele de tip manganin i aliajele pe baz de metale preioase, materiale cu
rezistivitate electric ridicat i invariabil n timp.
Materialele pentru reostate trebuie s suporte nclziri pn la 250[C] fr a-
i modifica proprietile sau s devin prin rcire casante, s aib coeficientul de
temperatur al rezistivitii mic, cost redus etc. Materialele care ndeplinesc aceste
condiii sunt constantanul (60 Cu, 40 Ni) utilizat la fabricarea termocuplelor i a
reostatelor cu cursor, nichelina utilizat la construcia reostatelor de pornire i
reglaj, neusilberul (mai ieftin deoarece conine Zn ) utilizat pn la 200 [C] ,
fonta ( =1.41.5 [m]) utilizat la confecionarea reostatelor de sarcin etc.
4.1.5. Materiale utilizate n electrotermie
Aceste prezint rezisten mare la oxidare i la temperaturi nalte, au
rezistivitatea mare, coeficientul de temperatur a rezistivitii redus, caracteristici
tehnologice bune i cost redus. Din aceast grup fac parte metale pure, aliaje pe
baz de Ni, Fe etc.
Wolframul este un material dur, casant, greu prelucrabil i se oxideaz la
500[C] dac nu se afl n atmosfer protectoare (vid, gaze inerte). Se utilizeaz la
fabricarea lmpilor cu incandescen a tuburilor electronice, a rezistoarelor de
nclzire a cuptoarelor electrice pentru topire etc. Molibdenul are caracteristici
asemntoare cu cele ale wolframului, este rezistent la acizi i se oxideaz pentru T
> 600[C] . Se utilizeaz la fabricarea lmpilor cu incandescen, a tuburilor
electronice, a electrozilor de sudur etc. Tantalul are rezisten la coroziune foarte
ridicat i se utilizeaz n construcia cuptoarelor pentru temperaturi ridicate, a
tuburilor electronice etc. Niobiul are rezistivitate mare (14,2 [m]) i utilizeaz n
construcia cuptoarelor, a filamentelor, a tuburilor electronice etc.
Aliajele pe baz de nichel numite nicromi sunt soluii solide ale nichelului
cu cromul (acesta contribuind la creterea rezistivitii i rezistenei la cldur, la
micorarea coeficientului de temperatur al rezistivitii etc.) Pentru mbuntirea
caracteristicilor mecanice i ieftinirea nicromilor, se nlocuiete o parte din crom cu
fier, obinndu-se feronicromi . Se utilizeaz la fabricarea elementelor de nclzire, a
aparatelor electrocasnice etc. Aliajele pe baz de fier sunt mai ieftine dect cele pe
baz de nichel. Adugarea unor cantiti de Cr, Ni, Al i Si le mrete rezistivitatea,
iar adausurile de Cu, Mn sau Co le micoreaz coeficientul de temperatur al
rezistivitii. n general, aceste aliaje au variaii mari ale rezistivitii cu
temperatura, iar la temperaturi ridicate prezint o tendin de cretere a grunilor
cristalini (deci, de reducere a caracteristicilor mecanice). Cele cu coninut redus de
crom (feronichelii : 0.5 Cr, fecralul : 15Cr) au temperaturi de utilizare mai reduse
(800 [C]),dar se pot prelucra cu uurin. Din nicromi se realizeaz srme subiri
(1.5 [mm]) care rezist pn la 1200[C], din cromal srme mai groase pentru
cuptoare industriale, iar pentru temperaturi mai mari de 1500[C] se utilizeaz aliaje
turnate de tip Kornilov.
Pentru nclzirea cuptoarelor electrice (n metalurgie, chimie etc.) se
utilizeaz i silitele. Acestea sunt produse din carbur de siliciu (CSi) care suport
sarcini mai ridicate dect aliajele amintite anterior, dar a cror rezistivitate variaz
sensibil cu temperatura. De asemenea, prezint fenomenul de mbtrnire,
rezistivitatea lor crescnd n decursul exploatrii.
4.1.6. Materiale pentru contacte electrice
Alegerea materialelor pentru confecionarea contactelor electrice prezint
dificulti enorme, dac se iau n considerare toi factorii care intervin n procesul
de funcionare a acestora : natura circuitului, frecvena curentului, tipul i frecvena
acionrilor, mediul ambiant, existena solicitrilor mecanice i termice, sigurana n
funcionare etc. n orice caz, materialele utilizate trebuie s prezinte conductivitate
electric i termic ridicat, rezisten mare la coroziune, eroziune i sudare, uzur
mecanic redus, greutate mic, durat de via mare etc.
Rezistena de contact (R = kp
-n
) depinde de presiunea de contact p, precum i
de conductivitatea electric i rezistena la compresiune a materialelor care
formeaz contactul. Cum materialele moi se deformeaz mai uor, piesele de
contact din metale dure se acoper cu Sn, Cd, etc. Contactele trebuie s aib, de
asemenea, coeficieni de dilataie termic apropiai pentru a evita n cazul
curenilor inteni apariia unor eforturi mecanice suplimentare care le-ar putea
deteriora.
Coroziunea contactelor se manifest ndeosebi prin oxidarea contactelor (cu
formarea unor pelicule de oxid de rezistivitate mare ) sau prin reacii chimice ale
acestora cu impuritile din mediul ambiant (activizate de temperaturile ridicate pe
care le produce arcul electric ). Eroziunea sau uzura electric se manifest ndeosebi
n curent continuu i const ntr-un transport de material topit dinspre o pies de
contact spre cealalt. Uzura mecanic ca urmare a frecrilor dintre piesele de
contact provoac o cretere a rezistenei de contact. Sudarea apare ndeosebi la
contactele de c.c. (formate din metale nobile pure ) : ele rmn lipite dac curentul
electric depete o valoare limit. Cum aceste fenomene nu sunt ntotdeauna
prezente n totalitate n timpul funcionrii contactelor, n alegerea materialelor se
ine seama de condiiile reale n care funcioneaz contactul.
Pentru realizarea contactelor de strngere se utilizeaz ndeosebi cuprul i
argintul. Argintul se acoper cu un strat de oxid foarte subire, neizolant, protector
mpotriva coroziunii. Oxidul de cupru este ns izolant, iar grosimea sa crete n
timp. Din acest motiv, contactele din cupru se acoper cu argint sau staniu. n afar
de cupru i argint se mai utilizeaz Al, Zn, Fe, Au, oel (n atmosfere uscate ), Pt, In,
molibden etc. Pentru a le proteja mpotriva coroziunii, contactele de strngere se
acoper cu lacuri, emailuri, vaseline etc. sau se nglobeaz n compounduri (de
obicei epoxidice). Contactele masive se realizeaz din cupru sau aluminiu prin
lipire sau sudare; rezistena de contact depinde de natura aliajelor de lipit i de
tehnologia de lipire sau sudare i nu de presiunea de contact, ca n cazul contactelor
de strngere. Pentru realizarea contactelor de rupere se utilizeaz materiale cu
proprieti speciale, elementele contactelor fiind supuse unor solicitri de eroziune,
coroziune i uzur mecanic.
Contactele electrice de mic putere (din relee, aparate de laborator etc.) se
realizeaz din aliaje ale metalelor nobile (Au-Ag, Pd-Ag, Pt-Ir etc. ) aliaje ale
metalelor nobile cu alte metale (Cu-Au, Ni-Pt etc.), aliaje de tip eutectic (Ag-Cu),
precum i aliaje pe baz de W i Mo. Metalele nobile pure, dei au rezistivitate
redus i rezisten la coroziune ridicat, nu se pot utiliza ca atare, deoarece prezint
pericolul de lipire sau sudare a contactelor, au rezisten mai redus la eroziune i
uzur mecanic mare etc.
Pentru realizarea contactelor electrice de medie putere (120-500 [V]) se
utilizeaz Cu, Ag, Pd, W etc., precum i unele combinaii ale acestora (bronzuri,
alame, Cu-Ag, Ag-Cd etc.) obinute prin procedee clasice de aliere sau prin
sinterizare. Se utilizeaz, de asemenea, bimetalele Cu sau Al cu Ag, Pd, Pt etc.
laminate mpreun i termobimetalele.
n cazul contactelor electrice de mare putere (de rupere) de joas tensiune
(120-500 [V]) i cureni inteni (100-3000 [A]), sau a celor de nalt tensiune (6-
1000 [KV]) se utilizeaz ndeosebi materiale sinterizate. Acestea se obin din
pulberi de metale (care nu se aliaz) supuse la presiuni mari i temperaturi ridicate
(65-70% din temperatura de topire a metalului cel mai greu fuzibil) i se aplic, sub
form de plcue, pe piesele de contact. Cele mai utilizate sunt combinaiile Cu-W,
Cu-Ni, Cu-Cr, Ag-Cd, Ag-CdO etc. Combinaiile Ag-Cd i Ag-CdO au conductivitate
termic i electric ridicat i rezisten de contact redus chiar la presiuni mici. La
temperatura arcului electric (900[C] ), CdO se descompune, gazele rezultate
oxigen i vapori de Cd mpiedicnd dezvoltarea arcului electric. Combinaiile Cu-
W prezint rezistivitate redus, duritate i temperatur de topire ridicate i se
utilizeaz pentru contacte cu presiuni mari de contact i care funcioneaz n ulei.
Contactele alunectoare (glisante) apar ntre periile i colectoarele sau inelele
mainilor electrice, ntre troleu i firul de troleu, la anumite tipuri de ntreruptoare
etc., piesele de contact fiind solicitate att mecanic ct i la coroziune i arc electric.
Lamelele de colector se realizeaz din Ag, Cu electrolitic tare, bronzuri cu Cd
etc., inelele de contact din bronzuri, alame, oel etc., iar firele de troleu din bronzuri
de Cd i Be.
Periile mainilor electrice se realizeaz din crbune grafitat sau din amestecuri de
grafit cu Cu sau bronz. n funcie de structura lor fizico-chimic, periile se mpart n
trei grupe (tab.4.5): tari (din pulbere de cocs sau crbune de retort), moi (din grafit
natural sau electrografit) i metalografitice (din grafit cu pulbere de bronz sau cupru).
Tabelul 4.5. Caracteristici generale ale periilor pentru maini electrice
Caracteristici Perii moi Perii tari Perii metal-grafit
Presiunea de contact pe
colector [MN/m
2
]
15 20 30
Rezistivitatea electric
[m]
10-40 60 0.05-30
Viteza periferic [m/s] 40-60 10-15 20-30
Densitatea de curent [A/cm
2
] 10 6-8 15-20
Grafitul cristalizeaz n sistemul hexagonal (fig.4.3.), distanele dintre dou
plane reticulare [A] [B] fiind de 3,40 x10
-10
m, iar ntre doi atomi coninui n
acelai plan de 1,42x10
-10
m. Din acest motiv forele de legtur dintre atomii care
aparin la dou plane diferite sunt mult mai reduse dect cele dintre atomii care
aparin aceluiai plan. Ca urmare, n timpul funcionrii contactelor, se desprind din
arie poriuni mici sub form de solzi care se deplaseaz paralel cu planele [A] i [B]
i care umplu microgolurile suprafeelor de contact, dnd natere unor suprafee de
alunecare netede. Aceste suprafee se caracterizeaz prin rezisten electric de
contact mic i constant i uzur mecanic redus. Grafitul nu se oxideaz, are
temperatura de topire ridicat (3000[C] ), tensiune minim de apariie a arcului
electric superioar celei a metalelor i eroziune redus.

Fig. 4.3 Sistemul de cristalizare
a grafitului
4.1.7. Materiale pentru bimetale, termocuple i aliaje de lipit
Termobimetalele se realizeaz din benzi subiri de metale sau aliaje cu
coeficieni de dilataie liniar diferii, sudate pe ntreaga lungime a lor (fig.4.4.).
Fig. 4.4 Deformarea
bimetalului sub
aciunea cldurii
Drept urmare, sub aciunea cldurii, ele prezint deformaii dinspre materialul
cu coeficient de dilataie liniar mai mare (1) spre cel cu coeficient de dilataie mai
redus (2). Sensibilitatea termobimetalelor creterea sgeii f cnd temperatura
crete cu 1 [K] este cu att mai mare, cu ct diferena (
1
-
2
) i lungimea
termobimetalului (l) este mai mare i grosimea (h) este mai redus. Ca materiale cu
coeficient de dilataie mic se utilizeaz aliajele Ni-Fe, cum este invarul (63,1 Fe;
36,1 Ni ; 0,4 Mn ; 0,4 Cu) care are 1,510
-6
[K
-1
]. Cealalt component se realizeaz
din Fe, Ni, Cu, constantan, alam, etc., pentru care ia valori ntre 10
-5
i 210
-5
[K
-1
].
Se utilizeaz n construcia termometrelor pentru lichide i gaze, a termocompen-
satoarelor, pentru protecia instalaiilor electrice mpotriva suprasarcinilor etc.
Pentru construcia termocuplelor se folosesc astfel de materiale, nct t.t.e.m.
s aib valori mari (tab.4.6.), iar caracteristicile U
T
= f(T
1
) s fie liniare (fig.4.5.).
Dintre metale se utilizeaz Cu, Fe, Pt, iar dintre aliaje constantanul, copelul (56 Cu,
44 Ni), alumelul (95 Ni, 2 Al, 2 Mn, 1 Si), cromelul (90 Ni, 10 Cr), aliaje Pt-Rh (90
Pt, 10 Rh) etc. Temperaturile de utilizare a termocuplelor depind de natura compo-
nentelor: copel cupru intre -250 i 600 [C] , copel-fier ntre -200 i 1000 [C],
cromel-alumel ntre 0 i 1100 [C], platin platin + Rh pn la 1600 [C] etc.
Tabelul 4.6. Tensiuni termoelectromotoare fa de platin la o diferen de
temperatur de 100 [C] pentru diferite materiale.
Materialul t.t.e.m.[mV]
Constantan
Nichel
Paladiu
Platin
Platin 90%+Rhodiu 10%
Cupru
Argint
Aur
Manganin
Wolfram
Fier
Nichel-Crom
-3,47
-1,94
-0,28
0,00
+0,65
+0,67
+0,79
+0,80
+0,82
+0,90
+1,89
+2,20


Fig. 4.5 Variaia tensiunii
termoelectromotoare U
T

cu temperatura pentru
diferite termocuple: 1
copel-cupru;
2 copel-fier; 3 cromel-
alumel, 4 Pt - Pt + Rh.

Avnd temperaturi de topire mai sczute, aliajele de topit se topesc naintea
metalelor pe care le lipesc i, difuznd n ele, formeaz un strat intermediar care
dup rcire - prezint conductivitate electric i rezisten mecanic satisfctoare.
Se mpart n dou grupe :moi cu temperatur de topire T
t
< 4000 [C] i rezisten
la traciune
r
=50-70 [MN/m
2
]

- i tari cu T
t
> 5000 [C] i
r
500 [MN/m
2
].
Conductoarele din cupru i alame se lipesc cu aliaje St Pb ; pentru capetele
de bobine ale mainilor electrice se utilizeaz ns aliaje tari pe baz de Zn Cu sau
Cu Ag cu adaosuri de Cd. Pentru lipirea conductoarelor din aluminiu se utilizeaz,
printre altele, aliajele Sn-Cd-Zn (40 Sn, 20 Cd, 25 Zn, 15 Al) pentru lipiri moi i Al-
Si (86 Al, 10 Si, 4Cu) pentru lipiri tari.
4.2. Conductivitatea electric a metalelor
innd seama de relaiile (1.11) i (1.15) expresia general a conductivitii
electrice (), n cazul metalelor, va fi:

dm
m
2
dm
m
2
v m
q n
2
1
v m 2
q
V
N


=


=

(4.1)
n relaia (4.1) sarcina electric (q) este egal cu sarcina electronului n
valoare absolut: [ ] C 10 601 , 1 e q
19
= = , iar m este masa electronului i anume:
m = 9,102 10
31
[kg].
Dependena conductivitii electrice de temperatur se poate scoate n
eviden dac n relaia (4.1) se nlocuiete drumul mediu liber parcurs (l
m
) cu
expresia sa dedus n cazul teoriei cinetice a gazelor:

T
c
T k n 2
a E
T k n
b
l
1
0
*
0
m
=


=

= (4.2)
unde: b constant elastic;
k = 1,38 10
23

grad
J
constanta lui Boltzmann;
T temperatura absolut;
E
*
modulul de elasticitate;
a constanta reelei;
c
1
factorul constant.
Din (4.1) i (4.2) rezult:

T
. const
T
c
v m
q n
2
1
1
dm
2
=

= (4.3)
n concluzie, la metale odat cu creterea temperaturii conductivitatea electric
scade, respectiv mrimea invers acesteia rezistivitatea electric:
T . const
1
=

= (4.4)
crete cu creterea temperaturii.
La temperaturi joase, n domeniul temperaturilor criogenice (sub 120 [C]
respectiv 153 [K]) valabilitatea relaiei (4.4) se restrnge, sau chiar se anuleaz.
n acest domeniu de temperaturi este valabil relaia empiric a lui Bloch:

5
T
. const
= (4.5)
Din (4.5) rezult c n apropiere de 0 [K], scderea rezistivitii metalelor cu
temperatura este foarte intens.
Pentru 2 metale de conductivitate ridicat sunt date n tabelul 4.7 valorile
conductivitii electrice i a ctorva dintre mrimile care o determin:
Tabelul 4.7. Mrimi specifice conductivitii electrice pentru cupru i argint
Denumirea
metalului

m
1

m
[] t
r
[s]
n

3
m
1
Energia nivelului
limit Fermi
W
F
[eV]
Argint O,68 10
8
570 4,1 10
-14
5,8 10
28
5,51
Cupru 0,64 10
8
420 2,7 10
-14
8,5 10
28
7,04
4.3. Variaia rezistivitii electrice cu temperatura
n cazul metalelor
S considerm o funcie implicit de temperatur de forma:
f = ax
m
y
n
(4.6)
unde (a), (m) i (n) sunt constante, iar (x) i (y) sunt funcii explicite de tempe-
ratur, adic:
x = g() (4.7)
y = h() (4.8)
Coeficientul de temperatur al funciei implicite (f) este prin definiie:
( )


=

d
df
f
1
f
def
(4.9)
Deoarece:


d
dy
y x n a
d
dx
y x m a
d
dy
y
f
d
dx
x
f
d
df
1 n m n 1 m
(4.10)
Din relaiile (4.9) i (4.10) rezult c:

d
dy
x n
d
dx
y m y x a
y x a
1
) f (
1 n 1 m
n m

) y ( n ) x ( m
d
dy
y
1
n
d
dx
x
1
m ) f (

+ =

= (4.11)
unde:

d
dx
x
1
) x ( (4.12)
este coeficientul de temperatur al funciei explicite x(), iar:

d
dy
y
1
) y ( (4.13)
este coeficientul de temperatur al funciei explicite y().
Pe baza celor precizate anterior vom stabili expresiile corespunztoare coefi-
cientului de temperatur al rezistivitii i coeficientului de temperatur al rezistenei.
Coeficientul de temperatur al rezistivitii este:

d
d 1
) ( (4.14)
Deoarece rezistena unui conductor oarecare de lungime (), avnd aria seciunii
transversale (A) i fiind confecionat dintr-un material de rezistivitate (), este:

1
A l
A
l
R

= = (4.15)
conform relaiei (4.11) coeficientul de temperatur al rezistenei va fi:
) A ( ) l ( ) ( ) R (

+ = (4.16)
Avnd n vedere, ns, c

()<<

() i

(A)<<

() rezult:
) ( ) R (

(4.17)
Mrimile i

() sunt constante de material, iar mrimile R i

(R) nu
sunt constante de material.
Dac se cunoate rezistivitatea (
0

) (a materialului din care este confecionat


un conductor oarecare) la temperatura (
0
), atunci se poate calcula rezistivitatea la
orice alt valoare a temperaturii. Astfel, rezistivitatea (
1

) la temperatura (
1
) este:
( ) [ ]
0 1
) ( 1
0 0 1
+ =

(4.18)
La fel se poate calcula i rezistena electric la temperatura (
1
) cnd ea este
cunoscut la o temperatur (
0
):
( ) [ ]
0 1
) ( 1 R R
0 0 1
+ =

(4.19)
Se constat c n relaia (4.19) s-a folosit tot

() care este o constant de


material i nu

(R).
Trebuie s precizm c rezistivitatea metalelor variaz liniar cu temperatura
(adic relaia (4.18) este corect) numai peste anumite valori ale acesteia numite
temperaturi Debye (T
D
). n tabelul 4.8 sunt prezentate temperaturile Debye pentru
cteva elemente:
Tabelul 4.8. Temperaturi Debye pentru diferite materiale
Metal Ag Cu Al Fe
T
D
[K] 215 315 398 420

Sub limitele temperaturilor Debye, rezistivitatea metalelor variaz neliniar cu
temperatura. Pn n prezent nu s-a gsit o relaie analitic general valabil, care s
exprime aceast variaie neliniar a rezistivitii cu temperatura. Totui pentru unele
aplicaii se poate utiliza expresia de forma:
...) c b a 1 (
3 2
0
+ + + + =

(4.20)
unde coeficienii a, b, c,... se determin pe cale experimental pentru fiecare material
n parte.
La temperatura de topire a unui metal rezistivitatea sufer un salt, a crui
mrime depinde de gradul de puritate al materialului.
La temperaturi foarte joase (n domeniul temperaturilor criogenice, adic sub
120 [C]) rezistivitatea variaz cu temperatura conform relaiei lui Bloch:
= constT
5
(4.21)
n cazul metalelor supraconductoare, la o temperatur critic T
c
(situat n
domeniul temperaturilor criogenice) rezistivitatea prezint o scdere subit la 0.
n prezent se cunosc cteva sute de materiale supraconductoare, metale,
aliaje, combinaii intermetale i elemente semiconductoare (ex.: Al, Zn, Pb, Sn, Nb,
Nb
3
Sn, V
3
Si).
Pentru a menine starea de supraconducie este necesar s fie ndeplinite 3
condiii:
temperatura metalului supraconductor s fie mai mic dect temperatura
critic (T < T
C
);
cmpul magnetic n care se gsete metalul supraconductor s fie mai mic
dect o valoare critic (H < H
C
);
densitatea de curent n materialul supraconductor s nu depeasc o valoare
critic (J < J
C
).
4.4 Variaia rezistivitii electrice cu coninutul de
impuriti la metale
Rezistivitatea electric () a unui metal se poate exprima prin relaia lui
Matthiessen:
=
i
+
r
(4.22)
n care (
i
) este rezistivitatea ideal a metalului care nu variaz dect cu
temperatura, iar (
r
) este rezistivitatea rezidual a metalului care nu depinde de
temperatur ci numai de concentraia impuritilor existente n metal.
n fig.4.6 este prezentat variaia rezistivitii electrice a Cu aliat n diferite
proporii cu Ni, confirmndu-se astfel relaia (4.22).

Fig.4.6 Influena
temperaturii i a
coninutului de nichel
asupra rezistivitii
cuprului
La temperaturi foarte joase rezistivitatea electric a unui metal variaz cu
temperatura ca n fig.4.7:
dup ramura (1) dac metalul este impur
dup ramura (2) dac metalul este pur, observndu-se c la (T = T
C
) metalul
trece n starea de supraconductivitate. Deci, la temperaturi foarte joase, innd
seama de (4.21) i (4.22), rezistivitatea este determinat de relaia:
= constT
5
+
r
(4.23)

Fig.4.7 Variaia rezistivitii
electrice cu temperatura la
temperaturi criogene
4.5. Proprieti termoelectrice ale materialelor
conductoare
Elementele metalice au fost aranjate de ctre Volta ntr-o succesiune, numit
seria lui Volta: Al, Zn, Sn, Cd, Pb, Sb, Bi, Hg, Fe, Cu, Ag, Au, Pt, Pd.
La punerea n contact a dou sau mai multora dintre aceste metale, cel care se
afl mai n fa obine potenialul mai electropozitiv.
Prin urmare ntre dou metale aflate n contact apare o diferen de potenial
care este determinat de:
energiile de extracie a electronilor din atom, diferite de la un metal la altul
(vezi fig.4.8.a);
concentraiile de electroni liberi, diferite de asemenea de la un metal la altul
(vezi fig.4.8.b).

a) b)
Fig.4.8 Explicativa privind fenomenul termoelectric.
Fie 2 metale diferite (A) i (B). Considerm c metalul (A) are energia de
extracie a electronului din atom (
A
), iar metalul (B) are energia de extracie a
electronului din atom (
B
). La punerea n contact a celor dou metale dac (
A
<
B
),
are loc o difuzie a electronilor dinspre (B) spre (A). Difuzia are loc pn se atinge
echilibrul termodinamic cnd nivelele limit Fermi ale celor 2 metale coincid. La o
temperatur dat, la echilibru termodinamic, diferena de potenial care a aprut se
menine constant. Diferena energiilor de extracie este:
=
B

A
= e(V
B
V
A
) = eU
AB
(4.24)
n relaia (4.24) U
AB
este tensiunea electromotoare de contact datorat
energiilor de extracie a electronilor din atom.
Fie aceleai dou metale diferite (A) i (B). Dac considerm c i
concentraiile de electroni (n
A
) i (n
B
) ale celor dou metale sunt diferite, i anume
(n
A
< n
B
), atunci aceasta este o nou cauz a difuziei electronilor dinspre (B) spre
(A) i apariiei a nc unei diferene de potenial:

B
A
AB
n
n
ln
e
T K
' ' U

= (4.25)
innd seama de (4.24) i (4.25) diferena de potenial rezultant este:

AB AB AB
' ' U ' U U + = (4.26)
(U
AB
) se numete tensiune electromotoare de contact i depinde de temperatur.
Traductorul de temperatur a crui funcionare are la baz relaia (4.26) se
numete termocuplu sau traductor termoelectric i poate fi utilizat pentru msurarea
temperaturilor cuprinse ntre 10 [K] i cteva mii de [K].
Termocuplul se reprezint convenional ca n fig.4.9.
n fig.4.9, (1) este punctul cald (reprezint jonciunea), iar (2) sunt punctele reci.
Cu (T
1
) s-a notat temperatura punctului cald, iar cu (T
2
) temperatura punctelor reci.

Fig.4.9 Reprezentarea grafic
a unui termocuplu
La utilizarea n practic a termocuplului temperatura (T
2
) se menine
constant sau chiar nul, astfel nct tensiunea la bornele milivoltmetrului s fie
funcie numai de temperatura punctului cald (1) introdus n incinta a crei tempera-
tur se msoar.



Capitolul 5
MATERIALE MAGNETICE
5.1. Momentul dipolar magnetic
Dac un conductor prin care circul curent electric este situat mai nti n vid
apoi ntr-un mediu oarecare, se observ c n cele dou situaii cmpurile magnetice
nu sunt identice. Acest lucru se explic prin faptul c orice material are proprieti
magnetice, adic se magnetizeaz sub aciunea unui cmp magnetic.
Se poate stabili un paralelism ntre magnetizarea materialelor plasate n cmp
magnetic i polarizarea dielectricilor plasai n cmp electric.
n absena sarcinilor magnetice libere, magnetizarea materialelor este explicat
pe baza echivalenei dintre curenii nchii elementari i dipolii magnetici.
n acest fel magnetismul se consider c este produs de sarcinile electrice n
micare (de curentul electric).
Un contur circular de diametru mic, parcurs de un curent staionar I se
comport ca un mic magnet numit dipol magnetic. Plasat ntr-un cmp magnetic
uniform B

se constat experimental c asupra lui acioneaz un cuplu de fore, unde


fiecare for este proporional cu curentul I din contur i cu aria S a conturului, dar
nu depinde de forma conturului. Pe aceast baz s-a definit momentul magnetic m


al dipolului prin relaia:
m

= I S

= I S n

, (5.1)
(analog, n cmp electric: d q p

= ) aa cum se vede n fig. 5.1.



Fig. 5.1. Definirea momentului
magnetic al unui dipol
Momentul cuplului de fore este atunci:
B m

= M (5.2)
Acest cuplu va determina rotirea dipolului, vectorul m

orientndu-se n lungul
liniei de cmp magnetic, (fig.5.2).

Fig. 5.2. Rotirea dipolului n cmp magnetic
Energia potenial a dipolului n cmp magnetic exterior este:
dW
p
= = d m d M sin
Prin integrare:
W
p
= =

cos sin B m d B m
adic, n final:
W
p
= - B m

(5.3)
5.2. Magnetizarea materialelor
Pentru a explica magnetizarea corpurilor se consider c atomii i moleculele
materialelor prezint cureni circulari numii i cureni amperieni. Fiecare din
acetia posed un moment magnetic i creeaz n jur un cmp magnetic. n absena
cmpului magnetic exterior, curenii amperieni sunt orientai haotic i ca rezultat,
materialul n ansamblul lui nu genereaz cmp magnetic; momentul magnetic rezultant
este nul. Cnd materialul este introdus n cmp magnetic exterior, B

ext
, momentele
magnetice ale moleculelor se orienteaz i ca urmare materialul se magnetizeaz
crend un cmp magnetic B

m
, care se suprapune peste cmpul magnetic B

ext
,
cmpul rezultant fiind:
B

= B

ext
+ B

m
. (5.4)
Se definete intensitatea de magnetizare (sau simplu: magnetizaie) mrimea
fizic vectorial M

dat de suma momentelor magnetice din unitatea de volum (u. v.):


M

v u
m

(5.5)
Se constat experimental c:

ext m m
B H M
0

= = , (5.6)
unde H

reprezint intensitatea cmpului magnetic: H

=
0
B

.
Cmpul magnetic rezultant este atunci
H H H B
0 0 m

= + = ,
de unde se obine:
) 1 (
m 0
+ = . (5.7)
Deoarece
0 r
= , se obine relaia dintre permeabilitatea magnetic
relativ
r
i susceptibilitatea magnetic
m
:

r
= 1 +
m
.

(5.8)
5.3. Clasificarea materialelor din punct de vedere
magnetic
Spre deosebire de susceptibilitatea electric , care ia numai valori pozitive
(vectorul polarizaie ntr-un dielectric este totdeauna orientat n acelai sens cu
cmpul E

), susceptibilitatea magnetic
m
poate fi att pozitiv ct i negativ,
deci din:
r
= 1 +
m
,
r
poate fi mai mare sau mai mic dect unitatea. n funcie
de semnul i valoarea susceptibilitii, materialele se clasific astfel [1, 4, 14]:
materiale diamagnetice; acestea au
m
< 0; vectorul M

este de sens contrar


lui B

. Exemple: bismutul, mercurul, apa, hidrogenul molecular;


materiale paramagnetice;
m
>0. Vectorul M

este n acelai sens cu cmpul mag-


netic exterior B

. Exemple: Na, K, Rb, Cs, Mg, Al, Mn, oxigenul gazos i lichid ;
materiale feromagnetice;
m

>>

0. Aceste materiale au susceptibilitatea
magnetic funcie de cmpul magnetic exterior. n plus ele prezint fenomenul
de histerezis, fig. 5.3, adic magnetizaia se pstreaz chiar n absena
cmpului magnetic. Curba OA reprezint curba de prim magnetizare,
valoarea maxim a magnetizaiei este M
sat
, magnetizaia n absena cmpului
este numit magnetizaie remanent - M
r
, iar valoarea cmpului pentru anularea
magnetizaiei se numete cmp coercitiv - B
c
; M
sat
- magnetizaie de saturaie.
Explicarea magnetizrii remanente este dat de mecanica cuantic ; exist
nite fore numite fore de schimb care in orientate momentele magnetice n
absena cmpului magnetic exterior.

Fig. 5.3. Explicativ privind fenomenul de histerezis
Aceste fore ineau i iniial orientate momentele magnetice, dar pe domenii
(fig. 5.4), numite domenii Bloch, orientate spontan. De aceea M

= 0.

Fig. 5.4. Orientarea momentelor magnetice n materiale feromagnetice n absena
cmpului magnetic exterior
Introdus ntr-un cmp magnetic exterior, ntr-un asemenea material are loc
att o orientare a domeniilor ct i o mrire de volum a domeniilor iniial orientate
n sensul cmpului exterior, n detrimentul celorlalte (fig. 5.5).

Fig. 5.5. Orientarea momentelor magnetice n materiale feromagnetice n absena
cmpului magnetic exterior
Existena acestor domenii se verific cu ajutorul unei suspensii foarte fine
coloidal de pilitur de fier ntins pe o suprafa feromagnetic foarte lefuit. Pilitura
se aeaz la graniele domeniilor, unde, datorit discontinuitii, cmpul este maxim.
Aceste materiale prezint un punct Curie, T
c
, peste care ele devin paramagnetice.
materiale antiferomagnetice; se comport ca nite materiale paramagnetice cu

m
foarte mic. Au momentele magnetice orientate antiparalel. Aceste materiale
prezint o temperatur T
N
(punct Nel), peste care ele devin paramagnetice.
Unele materiale au proprieti antiferomagnetice numai ntre dou temperaturi
(punct Nel inferior i punct Nel superior). Deasupra punctului superior,
materialele se comport ca materiale paramagnetice, iar sub punctul Nel
inferior devin feromagnetice. Exemple: Er, NiO, CuCl
2
, FeS, Dy etc.;
materiale feromagnetice (ferite); sunt materiale speciale n care numai o parte
din momentele magnetice elementare se orienteaz n sens contrar cmpului
magnetic exterior i din acest motiv feritele au o permeabilitate magnetic
apropiat de cea a materialelor feromagnetice. Prezint ns n raport cu
materialele feromagnetice avantajul de a avea o conductibilitate electric
redus (ca semiconductoarele) ceea ce le ofer un cmp larg de aplicaii n
electronic. Exemplu: MnO Fe
2
O
3
(amestec echimolar).
5.4. Teoria clasic a diamagnetismului (Langevin)
Valoarea negativ a susceptibilitii magnetice a materialelor diamagnetice
este determinat de:
modificarea micrii orbitale a electronilor legai de nucleu; n acest caz
vorbim de diamagnetism orbital (sau diamagnetism Langevin);
micarea electronilor liberi din materialele respective sub aciunea unui cmp
magnetic extern: diamagnetismul electronilor liberi (diamagnetismul Landau).
Apariia magnetizrii n sens contrar cmpului magnetic exterior se explic
pe baza legii lui Lenz, care afirm c ori de cte ori apare o variaie de flux
magnetic printr-un circuit, acesta determin un curent indus prin circuit de un astfel
de sens, nct prin fluxul su se opune variaiei fluxului magnetic inductor. Un
asemenea circuit l constituie electronii n micare n atomi, ionii sau moleculele din
nodurile reelei cristaline.
S considerm un electron care se rotete n jurul nucleului cu pulsaia
0
.
Electronii n micare fiind echivaleni cu un curent, aplicnd un cmp magnetic
extern, curentul respectiv se schimb nct s se opun variaiei fluxului.
n absena cmpului magnetic extern, asupra electronului aflat pe o orbit
circular acioneaz fora:

2
0
2
2
0
r
1
4
e
r m F

= = , (5.9)
de unde rezult:

3
0
3
0
r m 4
e

= . (5.10)
n prezena cmpului magnetic, de inducie B, apare n plus fora Lorentz:
B r e B v e F = = . (5.11)
Ecuaia de echilibru a forelor devine:
B r e
r 4
e
r m
2
0
2
2


= . (5.12)
Rezolvnd aceast ecuaie n raport cu se obine:

m 2
B e
r m 4
e
m 2
B e
3
0
2
2

= . (5.13)
Dac se presupune c:

0
m 2
B e
<<

, (5.14)
atunci din relaia (5.13) se obine:

m 2
B e
0

= . (5.15)
Semnul din faa lui
0
arat c acei electroni ai cror momente orbitale
erau paralele cu cmpul sunt ncetinii cu cantitatea:

m 2
B e
L

= , (5.16)
numit pulsaie Larmor, iar cei cu momentele antiparalele cu cmpul sunt accelerai cu
aceeai cantitate. Acest rezultat constituie teorema Larmor. Aceast schimbare de
frecven d natere la o polarizaie magnetic (magnetizaie). Drept urmare micarea
electronului este rezultanta a dou micri simultane:
micarea electronului n lipsa cmpului B

,
micarea de precesie a orbitei sale (deci a momentului cinetic orbital) n jurul
direciei cmpului, cu frecvena Larmor.
Dac atomul conine Z electroni, precesia acestora n jurul lui B

este
echivalent unui curent electric circular avnd drept ax direcia lui B

i care va da
natere unui moment magnetic:
B
m 4
R e Z
R
2
e Z S e Z S I m
2 2
2 L
d

= = = . (5.17)
Deoarece, n cazul unei sarcini avnd o distribuie sferic:

2 2
r
3
2
R = , (5.18)
unde
2
r este distana ptratic medie a electronului, va rezulta, dac n

este numrul
de atomi din unitatea de volum, expresia magnetizaiei materialului diamagnetic:
B
m 6
r e Z n
m n M
2 2
d d


= = . (5.19)
Susceptibilitatea magnetic are expresia:

0
2 2
d d
d
m 6
r e Z n
B
M
H
M


= = = . (5.20)
Acesta este rezultatul clasic, obinut de Langevin. Teoria cuantic a diamag-
netismului (Van Vleck, 1932) a condus la un rezultat asemntor.
Se observ c susceptibilitatea magnetic diamagnetic este independent de
temperatur. n plus, diamagnetismul este un fenomen cu caracter universal, n
sensul c el apare la toate corpurile. Faptul c el nu este observat dect la unele
materiale se explic prin aceea c n multe cazuri el este mascat de efectele para i
feromagnetice.
5.5. Teoria clasic a paramagnetismului
Paramagnetismul, proprietatea unor materiale de a avea susceptibilitate magne-
tic pozitiv, se datoreaz momentelor magnetice permanente ale atomilor ce compun
materialul respectiv, a cror direcie este paralel cu cmpul magnetic aplicat.
Momentele magnetice permanente ale atomilor rezult din momentele
cinetice de spin ale electronilor, micarea orbital a electronilor i momentele
magnetice nucleare (neglijabile deoarece sunt cu trei ordine de mrime mai mici
dect momentele electronilor).
Teoria clasic a paramagnetismului, elaborat de Langevin n 1905, asimileaz
ansamblul momentelor magnetice atomice m

unui gaz clasic de ace magnetice,


calculul efectundu-se prin metode statistice, analog celui utilizat n cazul dielec-
tricilor polari.
Momentele magnetice sunt presupuse independente ntre ele i orientate
arbitrar n absena cmpului magnetic extern. Dac se plaseaz substana respectiv
ntr-un cmp magnetic extern, de inducie B

, atunci momentele magnetice tind s


se orienteze paralel cu cmpul.
Energia potenial de interaciune ntre dipolul de moment magnetic m

i
cmp are expresia:
B m W
p

= . (5.21)
Micarea de agitaie termic se opune tendinei de orientare a dipolilor paralel cu
cmpul, de aceea la echilibru termic dipolii fac un unghi 0 cu cmpul. Atunci:
= cos B m W
p
. (5.22)
Deci momentul magnetic efectiv trebuie considerat a fi: mcos . Atunci
intensitatea de magnetizare poate fi scris sub forma:


= = =
= = =
N
1 i
i i
N
1 i
N
1 i
i i
N
1
m
V
N
m
V
1
m
V
1
M cos cos cos ,
adic:
= cos m n M , (5.23)
unde cos este valoarea medie a lui cos

, pentru toate unghiurile corespun-
ztoare echilibrului (fig. 5.6).

Fig. 5.6. Explicativ privind teoria clasic a paramagnetismului
Presupunnd c la echilibru termic atomii din prob sunt distribuii conform
distribuiei clasice Boltzmann, valoarea medie a lui cos este:

d e
d e
kT
W
kT
W
p
p
cos
cos , (5.24)
unde d este unghiul solid elementar corespunztor direciei . Deoarece:
= d d d sin , (5.25)
se obine:
) x ( L
x
1
x = = cth cos , (5.26)
unde:

T k
B m
x

= , (5.27)
iar funcia L(x) este funcia lui Langevin a crei reprezentare grafic este dat n
fig. 5.7. Din aceast reprezentare se constat c saturaia magnetizrii se obine la
cmpuri suficient de mari sau temperaturi joase.

Fig. 5.7. Funcia lui Langevin
Rezult:
) x ( L m n M = . (5.28)
Pentru x << 1, adic: mB << k T (cazul temperaturilor nalte), din dezvol-
tarea n serie a funciei cth x:
cth x = + +
45
x
3
x
x
1
3
(5.29)
este suficient s se rein primii doi termeni. n aceast situaie expresia lui L(x)
devine:

T k 3
B m
3
x
x
1
3
x
x
1
) x ( L


= = + = (5.30)
i corespunztor:

T k 3
B m n
M
2


= . (5.31)
Cum prin definiie:
B
M
0
= , rezult mai departe:

T
C
T k 3
1
m n
2
0 p
=

= , (5.32)
unde:

k 3
1
m n C
2
0

= (5.33)
reprezint constanta Curie, iar relaia (5.32) constituie legea lui Curie, care se aplic la
temperaturi nalte. Rezultatele experimentale pentru dependena susceptibilitii
paramagnetice de temperatur sunt n bun concordan cu legea lui Curie.
La temperaturi joase, pentru care: T k B m >> , magnetizarea M tinde la
saturaie, fapt confirmat experimental.



Capitolul 6
APLICAII MODERNE DE MATERIALE N
INGINERIA CURENILOR TARI
6.1. Izolaii de nalt tensiune n hexafluorur de sulf
Cnd n anul 1900 cei doi chimiti francezi H. Moissan i P. Lebeau au
realizat pentru prima dat gazul greu hexafluorura de sulf (SF
6
) dintr-o reacie a
fluorului cu sulful, nc nu se preconiza o utilizare n calitate de gaz izolant. Dar
odat cu creterea progresiv a necesarului de energie i cu problemele tot mai
dificile ale proteciei mediului nconjurtor din zilele noastre, a aprut cerina
stringent de sisteme compacte de transport a energie electrice i - n corelaie cu
aceasta - materiale izolante de cea mai bun calitate, rezistente la mbtrnire.
Aceast cerina a fost satisfcut, n condiii excelente, de gazul hexafluorur de
sulf. Caracteristicile izolante deosebite mpreun cu celelalte proprieti ale sale, net
avantajoase din punct de vedere chimic, termodinamic i electric au impus ntr-un
timp surprinztor de scurt principiul izolaiei capsulate cu gaz. Dac ncepnd de
prin 1940 SF
6
a fost utilizat, n primul rnd, ca gaz izolant pentru aparatele de nalt
tensiune ale fizicii nucleare, de la sfritul anilor 1950 are loc i introducerea sa ca
mediu intern de izolare i stingere pentru ntreruptoarele de putere. In anul 1965 au
fost prezentate oficial pentru prima dat, instalaii de comutare izolate cu SF
6
i
capsulate n carcase metalice. Azi, aparatele de nalt tensiune izolate cu SF
6
sunt
elemente constructive ale sistemelor de transport ale energiei electrice, la care nu se
mai poate renuna, n special n centrele aglomerate. Dar dezvoltarea nu este
ncheiat nici n privina nivelelor de tensiune realizabile i nici n privina
optimizrii tehnico-economice.
6.1.1. Hexafluorura de sulf
n prezent supremaia hexafluorurii de sulf (SF
6
) n tehnicile de comutaie de
mare putere este cert. Proprietile dielectrice i de mediu de stingere a arcului
electric care caracterizeaz hexafluorura de sulf nu se regsesc reunite la nici un alt
fluid cunoscut.
Dei sintetizarea pentru prima dat a hexafluorurii de sulf a avut loc la
nceputul secolului XX n 1900, primul ntreruptor cu hexafluorur de sulf s-a
construit n SUA abia n 1953, iar n Europa construcia de ntreruptoare a nceput
abia dup 1960 [10].
Structura moleculei de hexafluorur de sulf este prezentat n fig.6.1.

Fig.6.1. Structura moleculei de hexafluorur de sulf.
Ea conine un atom de sulf S i ase atomi de fluor F. Legturile stabilite ntre
atomul de sulf i atomii de fluor sunt legturi covalente. Datorit acestui fapt
molecula de hexafluorur de sulf prezint un nalt grad de stabilitate.
Sub aciunea unui arc electric, molecula de hexafluorur de sulf sufer o
uoar descompunere , fr alterarea proprietilor sale fizice i chimice. Compuii
care rezult n urma descompunerii depind de materialele cu care hexafluorura de
sulf vine n contact. n general hexafluorura de sulf nu atac materialele utilizate n
construciile electrotehnice, excepie fcnd doar materialele care conin siliciu i
materialele electroizolante cu coninut de hidrogen.
Hexafluorura de sulf este un gaz incolor, inodor, netoxic, incombustibil, cu o
densitate de 5 ori mai mare dect a aerului la presiune i temperatur normal.
Hexafluorura de sulf este un gaz electronegativ. Deci, moleculele de
hexafluorur de sulf prezint o foarte mare afinitate fa de electronii liberi, din
combinaia lor rezultnd ioni negativi:
SF
6
+ e SF
6
(6.1)
Ionii SF
6
au mas mare i mobilitate foarte redus. Din punct de vedere
practic, ionii SF
6
se caracterizeaz printr-o probabilitate neglijabil de a produce
noi ionizri prin oc.
Caracterul electronegativ al hexafluorurii de sulf se pstreaz pn la cteva
mii de grade Kelvin. Aceast proprietate a hexafluorurii de sulf determin tensiuni
de strpungere mult superioare celor n aer, la aceeai presiune. Astfel, n fig.6.2
sunt prezentate curbele de variaie ale tensiunii de strpungere n funcie de
presiune, pentru cazurile solicitrii cu tensiune de frecven industrial i respectiv
cu impuls normal de 1,2/50 [s].

Fig.6.2. Dependena tensiunii de strpungere a gazului SF
6
n funcie de presiune:
a) la 50 Hz; b) la impuls.
Curbele din fig.6.2 au fost obinute prin determinri experimentale efectuate
pe ntreruptor cu distana ntre piesa mobil de contact i cea fix de 50 mm i
considerndu-se ca referin tensiunea de strpungere a aerului n condiii normale.
Un gaz oarecare, n care arde arcul electric, este considerat un mediu bun de
stingere a arcului electric dac conductana sa scade repede la trecerea prin zero a
intensitii curentului, adic dac arcul electric are o constant de timp redus.
Constanta de timp a arcului electric poate fi determinat cu relaia:

=
a 4 , 2
r
T
0
a
(6.2)
unde r
0
reprezint raza coloanei arcului electric, iar a

este difuzivitatea cldurii n


mediul de stingere.
Din relaia (6.2) rezult c, pentru a avea o constant de timp T
a
redus, arcul
electric trebuie s fie de diametru ct mai mic, iar gazul trebuie s aib o difuzivitate a
cldurii ct mai mare. Deoarece difuzivitatea cldurii este dat de relaia:

d
c
a

(6.3)
rezult c gazul trebuie s prezinte o conductivitate termic ct mai mare, o
cldur specific c ct mai mic i respectiv o densitate
d
ct mai mic.
De asemenea, pentru ca diametrul suprafeei transversale a coloanei arcului
electric s fie mic, este necesar ca gazul s prezinte un gradient radial de
temperatur de valori mari.
Valorile msurate ale constantei de timp T
a
a arcului amorsat n
hexafluorur de sulf variaz n jurul a 0,25 s [4. 14]. Dependena n raport cu
presiunea a constantei de timp a arcului electric amorsat n hexafluorur de sulf este
prezentat n fig.6.3.

Fig.6.3. Variaia constantei de timp a arcului electric amorsat n SF
6

n funcie de presiune.
n fig.6.4 este reprezentat dependena n raport cu temperatura a conduc-
tivitii termice a hexafluorurii de sulf. Valoarea de maxim a curbei (T) cores-
punde temperaturii de disociere a moleculelor de hexafluorur de sulf n atomi. Prin
urmare, temperatura de disociere n hexafluorur de sulf este de 2100 K.
Temperaturi mai mari sau egale cu 2100 K se nregistreaz n zona axial a coloanei
arcului electric. De aici atomii rezultai n urma disocierii migreaz ctre periferia
coloanei arcului electric, unde la temperaturi mai mici se recombin formnd
molecule. La temperaturi sub 2100 K, existente la distane mici de axa coloanei
arcului electric, n hexafluorur de sulf conducia electric practic nceteaz.
Entalpia hexafluorurii de sulf are valori ridicate. Astfel, un gram de
hexafluorur de sulf poate transporta 30000 J la 12000 K (comutaie la 25 KA).
Dependena de temperatur a entalpiei hexafluorurii de sulf este dat n fig.6.5.
Fig.6.4. Variaia conductivitii termice a SF
6
n raport cu temperatura.
Fig.6.5. Variaia entalpiei SF
6
n
raport cu temperatura.
La presiuni de lucru mari, de exemplu 10 bar, gazul SF
6
se lichefiaz n
jurul temperaturii de -10 C, temperatur uzual iarna. De aceea, n alegerea
presiunii de lucru trebuie avut n vedere diagrama de stare a hexafluorurii de sulf,
prezentat n fig.6.6. n construciile moderne (recente) de aparate electrice cu
comutaie n hexafluorur de sulf, pericolul lichefierii este nlturat prin:
- amestecarea hexafluorurii de sulf cu azot, sau
- utilizarea unor dispozitive suplimentare de nclzire local.

Fig.6.6. Diagrama de stare a hexafluorurii de sulf: K punct critic;
S punct de sublimare; T punct de topire.
n concluzie, se poate afirma c datorit proprietilor sale excepionale ca
mediu electroizolant i de stingere a arcului electric gazul SF
6
deine n prezent
supremaia n tehnicile comutaiei de mare putere [12, 17].
6.1.2. Dimensionarea izolaiilor tehnice cu SF
6

6.1.2.1. Desfurarea calculului
Schema de dimensionare care urmeaz este utilizabil n mod identic la toate
formele de tensiune. Pentru dimensionarea unei izolaii cu SF
6
ar trebui s se aib
n vedere mai nti solicitarea cea mai sever.
Dimensionarea pleac de la tensiunea nominal de inere U
NS
a izolaiei
sistemului analizat (fig.6.7). Izolaiile cu SF
6
se compun de regul din subansamble
(elemente) de acelai fel (de exemplu sistemul de bare sau cablul cu gaz se compun
din elemente tubulare identice care conin cte un distanor). Se recomand ca pe
baza lui U
NS
s se evalueze tensiunea de inere a unui astfel de element U
NSE
unde

#
U
rezult pe baza valorilor lui cu datele iniiale pentru distana dintre electrozi d,
raza de curbur r (grad de omogenitate f) i presiunea gazului izolant p
20
. n
limitele subansamblului, distanele izolante caracteristice se trateaz separat, de
exemplu distana de material solid, distana de conturnare i distanele de gaz.
Aceste distane vor fi dimensionate constructiv de la bun nceput n aa fel nct
cmpurile corespunztoare acestora s se influeneze reciproc ct mai puin posibil.
Tensiunile statistice de inere U
02
(1)
. U
02
(4)
trebuie asociate cu aceste distane.
Pentru o distan de gaz (de exemplu II) tensiunea de inere trebuia corelat cu cea a
subansamblului (U
02
(4)
U
NSE
) iar restul tensiunilor de inere se gradeaz mai sus cu
cte o treapt. Se admit totodat tolerane care se vor alege ns att de mici
nct s nu afecteze coordonarea. Pentru toate distanele izolante trebuie s se adopte
ipoteze despre macro i microgeometrie care se corecteaz permanent n timpul
desfurrii calcului n calitate de mrimi geometrice. De asemenea se adopt
iniial o presiune a gazului izolant p
20
. Toate aceste mrimi iniiale ar trebui introduse n
mod ct mai competent pentru a nu complica n mod inutil dimensionarea. Astfel
multe din mrimile geometrice indiferent de dimensiunile absolute se pot optimiza
n funcie de cmpul electric (de exemplu conturul distanorilor, razele de rotunjire).
Dimensionarea ar trebui s nceap cu acea distan izolant creia i s-a
asociat cea mai nalt tensiune de inere (fig.6.7). n general aceasta va fi distana de
material solid (1) pentru care se pot folosi datele din [9]. Dac tensiunea de apariie
a descrcrilor pariale U
a02
nu se afl n intervalul cerut, calculul trebuie repetat cu
mrimi iniiale modificate pn se obine rezultatul dorit. Valorile corectate utilizate
sunt atunci consemnate i se verific efectul lor asupra mrimilor geometrice ale
distanei urmtoare [distana de conturare (2)]. Din mrimile geometrice eventual
corectate de la (2) se determin mrimile auxiliare necesare pentru calcul (fig.6.7)
i se controleaz lipsa descrcrilor pariale. Dac tensiunea statistic de inere U
c02

nu se afla din nou n intervalul cerut, atunci se poate modifica, pe lng mrimile
geometrice, i presiunea gazului izolant p
20
, pn cnd se obine valoarea dorit. Cu
datele corectate pentru geometrie i presiune se obin alte date constructive, al cror
efect asupra urmtoarei distane de gaz I (3) trebuie luat n consideraie n mrimile
iniiale ale acestora. Dup un calcul al tensiunii statistice de inere U
s02
, analog cu
cel pentru distana (2) se controleaz din nou corespondena cu domeniul de valori
cerut. Dac devin necesare modificri, se va avea n vedere c o modificare a
presiunii se reflect i asupra distanei (2). Aadar, la o modificare a presiunii
trebuie s se calculeze din nou sistemul ncepnd de la distana (2), n timp ce la o
modificare a geometriei trebuie repetat numai calculul distanei (3). Cnd, n cele
din urm, tensiunea de inere ndeplinete condiiile puse, cu datele pentru distanele
(1)(3) se pot corecta valorile iniiale ale distanei de gaz II (4) care are cea mai
joas tensiune de inere U
(4)
s02
. Modul de calcul este la fel cu cel al distanelor
precedente (2) i (3). Dac se prevd modificri de presiune trebuie s se repete
ntreaga succesiune de calcule ncepnd de la distana de conturare, n timp ce
modificrile de geometrie necesit doar recalcularea distanei (4). Cnd U
(4)
s02

capt valoarea cerut se va controla n ncheiere cu cota de dispersie stabilit acum
mai precis
u
, dac tensiunea statistic de inere U
02m
a izolaiei compuse din m
subansamble (elemente) nu coboar sub valoarea tensiunii nominale de inere a
sistemului U
NS
. Dac totul este n ordine, atunci mrimile

Fig.6.7. Schema de dimensionare a unei izolaii tehnice cu SF
6.
geometrice corectate ale tuturor distanelor reprezint datele de dimensionare pentru
izolaia cu SF
6.
Dup aceste date se poate realiza un modul experimental, pe care s
se controleze dimensionarea. De menionat n mod special c datorit
incertitudinilor existente n lanul de calcule n special n ceea ce privete cota de
dispersie - nu se poate renuna la controlul experimental i la corecturile ce ar
rezulta eventual, n urma acestuia.
6.1.2.2. Exemplu de utilizare
Utilizarea schemei de dimensionare (fig.6.7) va fi demonstrat pe o izolaie
cu SF
6
aleas n mod intenionat simpl. Fie izolaia de dimensionat, un sistem
cilindric coaxial, cu dimensiuni prestabilite (r
i
= 5 cm; r
e
= 15 cm), care se compune
din m = 20 subansamble similare. Fiecare subansamblu (fig.6.8) este lung de 106
cm i posed un distanor n form de disc plat (rina epoxidic cu
r
= 5), care
este turnat fr caviti, pe o poriune de suprafa lustruit a electrodului interior
(valoarea rugozitii medii
t
R = 0,2 m). Restul electrodului interior este realizat
din aluminiu tras cu o valoare a rugozitii medii
t
R = 2 m. La trecerea electrod-
suprafa de frontier sunt posibile, n materialul izolant, rugoziti pn la R
tmax

1000 m. ntruct n acest sistem punctul cel mai slab fcnd abstracie de
materialul solid se afl totdeauna la suprafaa de frontiera 2, la punctele de
mbinare ale electrodului interior se prevede cte un electrod de reglare a cmpului
al crui profil corespunde cu un segment de cerc de nlime variabil h.
Fig.6.8. Modelul unei
izolaii cu SF
6
pentru
demonstrarea schemei de
dimensionare.
La dimensionare, presiunea gazului izolant p
20
i nlimea electrodului de
uniformizare h se vor regla n aa fel nct s fie suportat cea mai mare solicitare
electric impus sistemului (tensiune alternativ U = 400 kV; 1 min). n acelai
timp trebuie garantat c tensiunea de inere a distanei de conturare 2 este mai mare
dect cea a distanei de gaz 3 iar aceasta mai mare dect ce a distanei de gaz 4.
Distana de material solid 1 nu se va calcula aici. Se procedeaz direct dup fig.6.7,
toate valorile utilizate nelegndu-se ca valori de vrf ale tensiunii alternative.
Din tensiunea nominal de inere a sistemului izolant U
NS
= 400 kV se
determin cea corespunztoare unui element U
NSE
. Pentru aceasta se apreciaz cota
de dispersie a rigiditii dielectrice la un ordin de mrime de cel mult

= 2,5k V/cm,
astfel nct cu
F
= f(r
e
/ r
i
0,6 i d = r
e
- r
i
= 10 cm, rezult aproximativ

u
*
15 kV.
Pentru un element (subansamblu ) se obine:
U
NSE
= U
NS
+
*
U
ln m= 400 kV + 45 kV = 445 kV.
Dac se introduce o abatere admisibil = 10 kV atunci pentru distanele
izolante analizate rezult urmtoarele tensiuni statistice de inere:
Distana de conturnare 2 U = 505 kV
Distana de gaz 3 U = 480 kV
Distana de gaz 4 U = 455 kV
n continuare, pe baza distanei de conturnare se stabilete mai nti presiunea
gazului izolant p
20
. Dup ce se controleaz dac U
(2)
s02
> U
(3)
s02
se variaz nl-
imea electrodului de reglare a cmpului pn cnd, pentru distana de gaz, 4 U
(2)
s02

se afl n domeniul dorit.
Distanta de conturnare 2.
Valori date: r
i
= 5 cm ; r
e
= 15 cm; d = 10 cm;
F2
= 0,549 >
t0

Linia suprafeei de frontier: l
2
= 31,4 cm n
2
3
Rugozitatea electrozilor: R
t
= 0,2 m
Rugozitatea suprafeei de frontier: R
t max
= 1000 m
Durata solicitrii: t
u
= 1 min n
2
*
= 1
Calcul conform fig.6.7.
Distanta de gaz 3 (cmp cilindric ).
Valori date: r
i
= 5 cm; r
e
= 15 cm ; d =10 cm;
F3
= 0,549 >
t0

Suprafaa electrozilor: A = 3140 cm
2
n
3
=314
Presiunea gazului izolant: p
20
= 0,13 MPa
Rugozitatea electrozilor: R
t
= 2 m e
f3
= 0,86
Factor de curbura e
h
= 1,05
Durata solicitrii: t
u
= 1 min n* = 1
E
si
= 115,7 kV/cm; = 1,7 kV/cm
Calcul conform fig.6.7:
E
so63
= 99,5 kV/cm ; = 1. 7 kV/cm
E
sn63
= 89,7 kV/cm; = 1. 7 kV/cm
E
SM63
=94,4 kV/cm; = 1. 8 kV/cm
U
S63
= 518,3 kV ; = 9. 8 kV cm
U
(3)
S02
= 478,3kV.
Condiia de coordonare U
(3)
S02
= 478. 8 kV < U
(2)
S02
= 502. 0 kV este
ndeplinit.
Tabelul 6.1. Calculul tensiunii de inere pentru distana de conturare 2 din
fig.6.6 (valorile din tabel snt rotunjite )
Presiunea
P
20
[Mpa]
e
h2
e
r2
e
f2
E
si

[kV/cm]
E
s063

[kV/cm]
E
sn63

[kV/cm]
E
sM63

m
[kV/cm]
U
s63

u
[kV]
U
s 02
(2)

[kV]
0,10
1,06
0,93
0,91
89,0
1,5
75,5
1,5
73,7
1,5
77,8
1,8
427,1
8,8
392
0,15
1,05
0,90
0,90
133,5
2

107,5
2

105,2
2

110,2
2,1
605
11,5
558,6
0,14
1,05
0,91
0,90
124,6
1,8
102,6
1,8
100,2
1,8
105,5
1,9
579,2
10,4
537,5
0,12
1,05
0,92
0,91
106.8
1,6
89
1,6
87,2
1,6
91,8
1,7
504
9,2
466,9
0,13
valoarea
aleas
1,05
0,92
0,90
115,7
1,70
95,6
1,7
93,7
1,7
98,6
1,8
541,3
9,8
502
Distana de gaz 4 (cmpul electrodului de reglare a cmpului ).
Valori date: presiunea gazului izolant p
20
= 0,13 Mpa; r
e
= 15 cm; d = 10 cm - h
Suprafaa electrozilor A 30 cm
2
n 3
Rugozitatea electrozilor: R
t
= 0,2 m e
r4
= 0,92
Gradul de omogenitate
F4
(fig.6.9.a ) i factorul de curbur e
h4
(fig.6.9.b) au
fost stabilii cu ajutorul repartiiei intensitii cmpului determinat numeric, n
funcie de nlimea electrodului de reglare a cmpului.
E = 115,7 kV/cm; = 1,7 kV/cm
Calcul conform fig.6.7.
E
S063
= 105,9 kV/cm ; = 1,7 kV/cm
E
Sn63
= 104 kV/cm ; = 1,7 kV/cm
Pentru continuarea calculului se variaz nlimea electrodului de reglare a
cmpului.

a) b)
Fig.6.9. Gradul de omogenitate i factorul de curbur, n funcie de nlimea
electrodului de reglare a cmpului.
Tabelul 6.2. Calculul tensiunii de inere pentru distan de strpungere 4 din
fig. 6.8 (valorile din tabel sunt rotunjite).
nlimea electrodului
de reglare a cmpului
h [cm]
d
4
[cm]

F4
e
h4
E
SM63

M
[KV/cm]
U
S 63

u
[KV]
U
S02
(4)
[KV[
1
9,00

0,300 1,12
116,5
1,9
314,6
5,1
294,2
0,5 9,50 0,390 1,12
116,5
1,9
431,6
7,0
403,6
0,4 9,60 0,410 1,12
116,5
1,9
458,5
7,5
428,5
0,3 9,70 0,440 1,12
116,5
1,9
497,2
8,1
464,8
0,35
valoare aleas
9,65 0,425 1,12
116,5
1,9
477,8
7,8
446,6

La valorile alese p
20

=

0,13 Mpa i h = 0,35 cm se obine U
S02

(2)
= 502,0 kV>
> U
S02

(3)
= 478,8 kV > U
S02
(4)
= 446,6 kV ; pe baza acestor date se poate construi
un model experimental al izolaiei respective (de comparat cu fig.6.10).
Mai rmne de controlat dac sistemul izolant complet posed tensiunea de
inere cerut:
U
02m
= U
S02
(4)
-
u
(4)
In m = 466,6 kV 24,3 kV = 422,3 kV >U
NS
= 400 kV.
Diferen ntre U
02m
i U
NS
nu este aa de mare nct s devin oportun o
nou recalculare (fig.6.10).
n calcule similare se poate verifica dac ar mai trebui alese alte valori pentru
i dac s se ia n consideraie i ali coeficieni de siguran.
Eventual se pot alege valori diferite pentru distanele de conturnare i
distanele de gaz (
(2)
>
(3)
=
(4))
).

Cu coeficienii de siguran se pot lua n consideraie incertitudinile tehno-
logice. Valoarea lor poate fi apreciat din scderea tensiunii de strpungere datorit
defectelor fixe sau mobile atunci cnd mrimea defectelor, care depinde de metoda
tehnologic aleas, este suficient de bine cunoscut.

Fig.6.10. Sinteza valorilor calculate pentru modelul de izolaie cu SF
6.

6.1.3. Variante constructive de echipamente electrice cu SF
6

n lume sunt numeroase firme care produc aparate electrice cu comutaie n
hexafluorur de sulf. Dintre acestea putem aminti: Westinghouse Electric Corporation,
Merlin-Gerin, GEC Alsthom, Hitachi, GEC Anglia, Mitsubishi, Siemens, AEG,
Brown-Boveri, ZWAR Polonia, Electroputere Craiova etc.
Utilizarea hexafluorurii de sulf, datorit proprietilor ei remarcabile, a
permis realizarea unei game largi de aparate electrice cu comutaie n SF
6
,
performante att n domeniul tensiunilor medii ct i n domeniul tensiunilor nalte.
n aparatele electrice cu comutaie n hexafluorur de sulf, elegazul este
utilizat pentru: stingerea arcului electric, pentru acionare (la presiuni de 5. . . 10
bar) i pentru izolare electric.
Dintre principalele variante constructive de aparate electrice cu comutaie n
hexafluorur de sulf existente n prezent n exploatare amintim urmtoarele:
ntreruptoare cu instalaie de compresie auxiliar lucrnd la dou presiuni;
ntreruptoare cu autocompresie;
ntreruptoare cu autoexpansiune;
instalaii blindate cu izolaie n hexafluorur de sulf.
Evident, n afara acestor variante constructive mai pot fi amintite tehnicile
combinate, separatoarele de sarcin, scurtcircuitoarele etc.
La ntreruptoarele cu instalaie de compresie auxiliar, stingerea arcului
electric se face prin suflarea cu hexafluorur de sulf comprimat la presiuni relativ
ridicate, principiu mprumutat de la ntreruptoarele cu aer comprimat. Circuitul de
gaz SF
6
este nchis i conine dou rezervoare, unul cu joas presiune (3 bar) i unul
de nalt presiune (15 bar), ntre care este amplasat un compresor, [10, 17].
Un astfel de ntreruptor este prezentat principial n fig.6.11.
Pentru nchiderea ntreruptorului, se comand electroventilul 6, care trimite
hexafluorura de sulf de presiune nalt (15 bar) pe faa superioar a contactului
mobil 3. Contactul 3 intr n tulipa 2 i se reface legtura ntre bornele 1 i 5. Att la
nchiderea ct i la deschiderea ntreruptorului contactul mobil 3 gliseaz pe
suprafaa exterioar a rampei 4 confecionat dintr-o eav metalic.
Dup funcionarea ntreruptorului, hexafluorura de sulf ajunge n rezervorul
de joas presiune 7. De aici elegazul este preluat, prin filtrul 8, de ctre compresorul
9 i trimis, prin filtrul 10, n rezervorul 11 pentru a se menine presiunea de 15 bar.
Filtrele 8 (de joas presiune) i 10 (de nalt presiune) sunt realizate din alumin
(Al
2
O
3
) i au rolul de a reine fluorurile rezultate din descompunerea gazului
SF
6.
Toate piesele izolante din ntreruptor sunt confecionate din teflon, care prezint
cteva proprieti speciale: rezisten mecanic mare, prelucrabilitate uoar,
rezisten la temperaturi ridicate.
ntreruptoarele cu autocompresie funcioneaz cu hexafluorur de sulf la o
singur presiune, avnd valori de 5. . . 7 bar.
Forma constructiv a unui pol al unui ntreruptor cu hexafluorur de sulf cu
autocompresie este prezentat n fig.6.12, [10. 17], iar un detaliu constructiv al
camerei de stingere este prezentat n fig.6.8.
n poziia nchis, calea de curent a unui pol este asigurat prin bornele de
conexiuni 1 i 9, contactul fix de lucru de tip tulip 2, contactul mobil de lucru
tubular 5, cilindrul mobil 6 solidar cu contactul 5 i pistonul fix 7. Presiunea
hexafluorurii de sulf, att n interiorul ct i n exteriorul cilindrului 6, are aceeai
valoare.

Fig.6.11. ntreruptor de medie tensiune cu SF
6
i instalaie de compresie auxiliar:
1-born; 2-contact fix; 3-contact mobil; 4-ramp n
form de eav; 5-born; 6, 12-electroventile; 7, 11-rezervoare;
8, 10-filtre; 9-compresor; 13-incint.
La deschiderea ntreruptorului, prin deplasarea n jos a tijei 10 (vezi fig.6.13),
contactele de lucru 2 i 5 se separ i curentul se comut pe contactele de arc 3 i 4.
n momentul separrii contactelor de arc 3 i 4 ntre ele se amorseaz arcul electric.
Simultan cu contactul mobil de arc 4, fiind solidare cu acesta, se deplaseaz
cilindrul 6 i ajutajul electroizolant 11.
Ca urmare, hexafluorura de sulf dintre pistonul fix 7 i cilindrul mobil 6 este
comprimat, elegazul fiind dirijat prin interiorul duzei (ajutajului) 11, n suflaj
longitudinal asupra coloanei arcului electric.
nchiderea i deschiderea acestui ntreruptor se face cu un mecanism cu
acumulare de energie n resoarte, a cror armare se realizeaz cu ajutorul unui
servomotor.
ntreruptoarele cu autocompresie prezint, fa de ntreruptoarele cu instalaie
de compresie auxiliar, unele avantaje notabile:
Fig.6.12. Polul unui ntreruptor cu SF
6

cu autocompresie produs de BBC.
1, 9 borne de conexiuni; 2-contact fix
de lucru; 3-contact fix de arc; 4-contact
mobil de arc; 5-contact mobil de lucru,
6- cilindru de compresie al elegazului;
7-piston fix; 8-izolator; 10-tij.
eliminarea compresorului i a rezervoarelor la presiune ridicat;
adaptabilitatea la ciclu RAR, deoarece presiunea nu este stocat n rezervor
pentru rupere;
ntreruptoarele destinate a funciona n exterior la temperaturi foarte sczute nu mai
necesit un sistem de nclzire a elegazului deoarece, la presiunile mai sczute de
funcionare (specifice ntreruptoarelor cu autocompresie) lichefierea hexafluorurii
de sulf se poate produce doar la - 40C;
fiabilitate mai ridicat i cheltuieli de exploatare mai reduse;
funcionare mai silenioas.
11
3
2
5
4
6
7
Fig.6.13. Camera de stingere a
unui ntreruptor cu SF
6
cu
autocompresie produs de BBC:
2-contact fix de lucru; 3-contact
fix de arc; 4-contact mobil de
arc; 5-contact mobil de lucru
6- cilindru mobil; 7-piston fix;
11-duz (ajutaj).
Spre deosebire de ntreruptoarele cu autocompresie, ntreruptoarele cu auto-
expansiune sunt considerate ca aparate cu comutaie lin, energia necesar suflajului
fiind furnizat de arcul electric nsui.
Construcia unui ntreruptor cu hexafluorur de sulf funcionnd cu auto-
expansiune i ghidare a arcului electric prin duz electroizolant este prezentat n
fig.6.14 [10, 17].
ntreruptorul din fig.6.14 este realizat n construcie tripolar i este destinat
instalaiilor de medie tensiune. Cele trei camere de stingere ale sale sunt nglobate n
anvelopa unic 14, din rin epoxidic.
Calea de curent a acestui ntreruptor n poziia nchis cuprinde: bornele de
conexiuni 3 i 12, contactul de lucru mobil 10. i contactul de lucru fix 11.
La deschiderea ntreruptorului, micarea se transmite de la axul 8 al
mecanismului de acionare cu resort 7, prin sistemul de prghii 6 i 5, la echipajul
mobil. Se deschid mai nti contactele de lucru 10 i 11, iar apoi se separ i
contactele de rupere 1 i 4. n momentul separrii contactelor de rupere 1 i 4, ntre
acestea se amorseaz arcul electric. Atta timp ct contactul mobil de rupere 4
obtureaz duza electroizolant 2, n camera de stingere 13 crete presiunea gazului
SF
6
, datorit temperaturii ridicate a arcului electric. Dup ce contactul 4 elibereaz
duza 2, coloana arcului electric este supus unui suflaj longitudinal cu hexafluorur
de sulf, dinspre camera 13 spre zona de aspiraie 9.

Fig.6.14. ntreruptor de medie tensiune cu SF
6
cu autoexpansiune;
1- contact de rupere fix; 2 - duz electroizolant; 3, 12 - borne de conexiuni;
4 - contact de rupere mobil; 5, 6 - prghii; 7 - mecanism de acionare cu resort;
8 - ax; 9 - zon de aspiraie; 10 - contact mobil de lucru; 11 - contact fix de lucru;
13 - camer de stingere; 14 - anvelop.
Amploarea presiunii elegazului i deci viteza de curgere a gazului SF
6
prin
duza electroizolant, depind de valoarea curentului din arcul electric. Pentru
ntreruperea sigur i a curenilor de valori mici, la care autosuflajul longitudinal nu
creeaz deionizarea suficient stingerii arcului electric, ntreruptorul de medie
tensiune cu autoexpansiune se asociaz cu dispozitive cu arc electric turnant, [10, 17].
ntreruptoarele cu autoexpansiune s-au impus n comutaia de putere prin
avantaje specifice:
energie de acionare redus;
absena supratensiunilor de comutaie;
electroeroziune slab a contactelor;
siguran n funcionare mrit etc.
Pentru a se rspunde cerinelor mereu crescnde ale utilizatorilor de aparate
electrice cu comutaie n SF
6
, cerine care se refer la [10, 17]:
necesitatea reducerii suprafeei ocupate de o instalaie de nalt tensiune;
eliminarea defectelor posibile din cauza polurii n zonele industriale sau cu
atmosfer salin;
eliminarea pericolului de explozie;
creterea gradului de securitate mpotriva electrocutrilor;
exploatare mai simpl;
fiabilitate mai ridicat.
1
2
2 1
3
7
8
3
9
6
5
4
zon legat
la pmnt
zon izolant
zon cu SF
6
zon sub
tensiune
Legend:

Fig.6.15. Instalaie blindat cu hexafluorur de sulf; 1 - bare colectoare;
2 - separator de bare; 3 - separator de punere la pmnt; 4 - ntreruptor de putere;
5 - transformator de curent; 6-separator de linie; 7-transformator de tensiune;
8 - scurtcircuitor; 9 - muf terminal.
n exploatare se introduc, pe scar din ce n ce mai larg, instalaiile blindate
cu izolaie n hexafluorur de sulf.
n instalaiile blindate cu izolaie n hexafluorur de sulf sunt amplasate aparate
de acelai tip cu cele utilizate n instalaiile convenionale, cu adaptri mai mult sau
mai puin importante, n vederea funcionrii n condiii de etaneitate complet.
n fig.6.15. se prezint o instalaie blindat izolat cu hexafluorur de sulf,
realizat de ctre firma BBC, [10].
6.2. Materiale utilizate n generatoarele
magnetohidrodinamice (MHD)
Fr ndoial c una din cele mai importante aplicaii ale magnetodinamicii
fluidelor este posibilitatea de a obine energie electric direct din energia caloric,
fr a mai trece prin intermediul energiei mecanice. Aceast posibilitate se
realizeaz n generatorul MHD, [6, 7].
n esen, un generator MHD este alctuit dintr-un tub cilindric, n general cu
seciune dreptunghiular, avnd doi perei paraleli alctuii din material izolator i
ceilali doi de asemenea, cu excepia unor zone n care sunt aplicai doi electrozi
(medii perfect conductoare). n fig.6.16. a este dat schema unui astfel de generator.
Gazul ionizat este injectat din stnga cu viteza v
0
, iar n regiunea electrozilor
este aplicat un cmp magnetic omogen de inducie B
0
, orientat paralel cu electrozii
i perpendicular pe direcia de micare a gazului. Rolul acestui cmp este de a frna
micarea gazului i de a orienta sarcinile pozitive i negative spre cei doi electrozi.
Prin intermediul electrozilor, aceste sarcini sunt recepionate ntr-un circuit exterior,
obinndu-se astfel curentul electric. n producerea acestui fenomen s-a utilizat
numai energia caloric necesar nclzirii gazului, pentru a-l face conductor, de
aceea se spune c se obine energie electric pe cale direct. Evitnd transformarea
energiei calorice n energie mecanic i apoi a energiei mecanice n energie
electric, aa cum se face n toate generatoarelor de curent clasice, randamentul este
foarte mare (aprox. 70-80% faa de 40% ct rezult n generatoarele clasice). Dar
generatoarele MHD mai ofer i avantajul materiei prime fa de generatoarele
clasice. n primul caz, materia prim poate fi apa, care nclzit la temperaturi
ridicate se transform n gaz ionizat. Este adevrat c n momentul de fa aceast
problem nu este rezolvat din punct de vedere practic, dar fr ndoial ntr-un
viitor nu prea ndeprtat ea va cpta o soluie definitiv.
n prezent exist, se pare, dou procedee mai importante pentru obinerea
gazului ionizat:
Procedeul termic, care const din nclzirea gazului obinuit pn la tempe-
raturi nalte; dnd energie caloric gazului, crete energia sa cinetic, crete
agitaia molecular, ciocnirile ntre particule devin mai frecvente, electronii se
desfac din edificiile lor i apar astfel particule libere ncrcate cu sarcin
pozitiv i altele cu sarcin negativ ; gazul se ionizeaz. Teoria de baz a
ionizrii termice a fost dat de Saha n 1920 i extins apoi de ali cercettori.
Menionm n acest sens lucrarea lui Dewan .
Procedeul supratermic (neechilibrat) asemntor aceluia ce are loc n cazul
descrcrilor n gaze la presiuni joase.
n momentul de fa este mai rspndit ionizarea supratermic, dei mecanis-
mul ei este mai complicat. Totui, mai real i mai de viitor este ionizarea termic.
Majoritatea gazelor obinuite, aerul, CO, CO
2
, etc. au un potenial de ionizare
destul de mare i, prin urmare, termic, nu se ionizeaz atta timp ct nu se obin
temperaturi destul de ridicate. Totui, dac gazului i se adaug o cantitate nu mare
(de la 0,1 la 1%) dintr-o substan uor ionizabil, cum ar fi de exemplu vaporii
metalelor alcaline, atunci se poate obine un grad de ionizare mulumitor, chiar la
temperaturi joase. n fig.6.16.b este artat, dup Rosa, dependena conductivitii
i pentru argon cu adaos de 1% kaliu n funcie de temperatur pentru diverse
valori ale lui /
0
(
0
fiind densitatea la presiunea normal). Se vede deci c argonul
cu adausul de vapori de kaliu are o conductivitate vizibil pentru temperaturi n
jurul a 2000 [C], n timp ce argonul pur, pn la temperaturi n jurul a 4000 [C],
rmne practic neconductor.
Valoarea conductivitii gazului definete mrimea intensitii cmpului
magnetic care trebuie aplicat precum i dimensiunile generatorului. Pe fig.6.16.c
este indicat, dup acelai autor, dependena lungimii unui generator MHD de
putere 100 [MW], de intensitatea cmpului magnetic i conductivitatea gazului.
Orientativ s-a artat i valoarea temperaturii necesare pentru a obine conductivitatea
respectiv. Folosind acest grafic se poate evalua c pentru o lungime de 9 [m]
(lungimea maximal a unui generator), ntr-un cmp exterior de intensitate 10000
[gauss] (o valoare plauzibil) este nevoie de un gaz cu conductivitatea cel puin de
ordinul 1 [mho. m
-1
] i de o temperatur n jur de 2000 [C].
Alt problem legat de conductivitate este aceea a concentraiei optimale a
adausului. Este evident, dat fiind rolul pe care-l are drumul liberului parcurs n
formula care d conductivitatea, c exist o concentraie a adausului optim, care
depinde de natura gazului i a adausului. Dac se utilizeaz formula propus de Lin
Resler i Kantarowitz
= 0,532
0 0 s s i i
i
e
2
Q n Q n Q n
n
T k m
q
+ +


(6.4)
Q
i
, Q
s
i Q
o
fiind seciunile transversale, iar n
i
, n
s
i n
0
concentraiile ionilor, atomilor
neutri ai adausului ionizat i atomilor neutri ai gazului de lucru (se face ipoteza,
valabil n general, c concentraia ionilor i electronilor este aceeai), q i m
e

sarcina respectiv masa electronului, T temperatura i k constanta lui Boltzmann, se
poate arta c n anumite condiii are o valoare maxim pentru n
s
Q
s
= n
0
Q
0
.
Astfel, dac se folosesc vaporii de kaliu ca amestec ionizant (Q
s
= 3. 10
-14cm2
) i
argonul ca gaz de lucru (seciunea transversal mediat cu funcia de distribuie a
lui Maxwell este Q
0
= 6 10
-17
[cm
2
]) se gsete c are valoare maxim n cazul
unei concentraii de 0.2% a adausului de kaliu.
Mai sunt evidente i alte probleme practice legate de proiectarea i utilizarea
generatoarelor MHD. Astfel, este problema gsirii unui material refractar, care s-i
pstreze proprietile de rezisten mecanic la temperaturi de ordinul aceleia
(2000
0
-5000
0
) pe care o are gazul ionizat, din care s fie constituii pereii corpului
generatorului.
a)
c)

b)


Fig.6.16. Explicativ privind
generatoarele magnetohidrodinamice.
6.3. Echipamente de protecie contra supratensiunilor
pe baz de varistoare cu ZnO
6.3.1. Prezentarea principalelor caracteristici i avantaje
Echipamentele de protecie cu varistoare pe baz de oxizi metalici (MOV
Metal Oxide Varistors) reprezint categoria cea mai nou i mai avansat de
elemente de protecie contra supratensiunilor, datorit unor avantaje evidente.
Varistoarele pe baz de oxizi metalici (MOV) sunt fabricate ntr-o gam
constructiv extrem de larg, existnd echipamente de protecie pentru fiecare nivel
de tensiune, de la reelele de telecomunicaii i instalaiile electrice de joas
tensiune pn la reelele de nalt i foarte nalt tensiune, indiferent de tipul
curentului (alternativ sau continuu).
La ora actual exist cercetri pentru implementarea acestor varistoare chiar
i n domeniul electronicii de putere, ca elemente de protecie a dispozitivelor
semiconductoare de putere care lucreaz n regim de comutaie forat.
Dei cercetrile privind proprietile neliniare ale ceramicilor semiconductoare
pe baz de amestecuri de oxizi metalici dateaz din anii `50, fiind efectuate n
Japonia i n fosta Uniune Sovietic, aceste echipamente au aprut pe pia la
nceputul anilor `70, primul brevet de invenie n acest domeniu aparinnd
companiei japoneze Matsushita Electric Industrial Co., fiind acordat n 1968.
Majoritatea companiilor gigante din domeniul electrotehnic (ABB, Siemens,
General Electric, Matsushita Electric etc.) au incluse n programele lor de fabricaie
asemenea echipamente mai ales pentru domeniile de medie i nalt tensiune. n
domeniul de joas tensiune i telecomunicaii predomin companiile mici i mijlocii,
echipamentele pentru acest domeniu nefiind extrem de pretenioase ca tehnologie

de

fabricaie. O parte din soluiile tehnice existente le vom detalia pe parcurs.
Avantajele echipamentelor de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
pe baz de oxizi metalici sunt [13]:
caracteristica curent-tensiune prezint o neliniaritate accentuat, coeficientul
de neliniaritate (panta curbei) avnd valori ntre 20 i 70;
majoritatea variantelor constructive nu necesit eclatori n serie cu varistoarele;
gabaritul (mas i dimensiuni) este mult mai redus;
curentul de scurgere n regim permanent (n absena supratensiunilor) are
valori extrem de mici;
timpul de rspuns este mult mai mic (ntre 10 i 25 ns);
au capacitate mrit de absorbie n energie (energia specific E > 150 J/cm
3
), i
permit trecerea unor cureni cu densitate J > 5 kA/cm
2
;
nivelul de protecie este mai sczut (echipamentele sunt mai sensibile la
creterile de tensiune);
Alte avantaje ale utilizrii echipamentelor de protecie contra supratensiunilor
care nglobeaz varistoare pe baz de oxizi metalici sunt:
eliminarea ntreruperilor scurte cauzate de supratensiuni: n cazul echipamentelor
de protecie cu eclatori, dup trecerea undei de supratensiune, linia este pus la
pmnt prin curentul de scurgere care persist. Pentru a asigura stingerea arcului
electric i eliminarea scurtcircuitului produs, proteciile declaneaz un ciclu de
RAR. Deci apare o pauz n alimentare, nociv mai ales pentru aparatura electronic.
diminuarea numrului de ntreruperi din cauze accidentale: Datorit construciei
compacte i a absenei eclatorilor (la medie i nalt tensiune), descrctoarele
produse pe baza acestei tehnologii nu pot amorsa accidental, din cauze meteo-
rologice, datorit polurii sau din alte cauze (psri, animale mici, vegetaie etc.).
diminuarea riscului creterii potenialului electric al instalaiilor vecine: n cazul
echipamentelor cu eclatori, potenialul prizei de pmnt sau al unor instalaii
apropiate poate ajunge la civa kV dup aplicarea unei supratensiuni.
posibilitatea legrii lor n paralel: La legarea n paralel a descrctoarelor MOV,
fr spaiu disruptiv, toate descrctoarele conduc curentul simultan. Energia
supratensiunii este distribuit tuturor descrctoarelor legate n paralel, astfel
nct capacitatea de absorbie a energiei nu mai este o limitare.
pot fi utilizate la frecvene mai reduse de 50 Hz: Descrctoarele cu OM nu produc
curent rezidual (de nsoire), care la frecvene reduse devine destul de important
pot opera i n curent continuu;
au o rezisten la poluare sporit.
Datorit repartiiei uniforme a supratensiunii, nu exist descrcri pariale pe
carcasa echipamentului, indiferent de gradul de poluare al anvelopei de protecie.
n fig.6.17. se prezint comparativ caracteristica tensiune - curent a unui
varistor pe baz de SiC i a unuia pe baz de ZnO.
Observm c n cazul varistorului pe baz de ZnO, caracteristica de funcio-
nare la temperaturi normale este suficient de aplatizat n zona de curent redus
(10
-3
10
-4
A).

Fig.6.17. Caracteristici curent - tensiune comparative
pentru varistoare SiC i ZnO
Rmne destul de aplatizat i n zona supratensiunilor de manevr, nsoite
de cureni de sute de amperi, chiar i n zona supratensiunilor atmosferice care
produc cureni de 10 kA i mai mult. Pe abscis a fost marcat curentul n A, iar pe
ordonat tensiunea n V.
Aplatizarea reflect tocmai gradul de neliniaritate crescut i apropierea
caracteristicii varistorului pe baz de ZnO de caracteristica ideal.
Pentru a putea face o comparaie mai direct ntre principalele echipamente
de protecie contra supratensiunilor utilizate la medie i nalt tensiune, prezentm
proprietile acestora n tabelul 6.3.:
Tabelul 6.3. Comparaie a proprietilor dispozitivelor de protecie la
supratensiuni.
Dispozitiv



Proprieti
Dispozitiv ideal




Eclator DRV cu SiC DRV cu ZnO
Curent de
scurgere la U
n
nul nul ridicat Sczut
Nivel de
protecie N
p
redus
tensiune de
amorsare mare
nivel de
protecie ridicat
ridicat Redus
Capacitate de
absorbie a
energiei
ridicat ridicat sczut Ridicat
Timp de
rspuns
rapid lent ( 10
-6
s) mediu (< 10
-8
s) rapid (< 10
-9
s)
Gama de
capacitate
[pF]
- 1 - 10 pF - 12 F - 50 F
determinat
ntre
1 i 10 mA
ct mai mare - 3 - 6 25 - 70
Pre de cost ct mai sczut sczut mare Mediu
Domenii de
aplicare
orice domeniu
de tensiune,
CC sau CA,
orice frecven
joas i medie
tensiune, cu
grad mare de
rspndire
medie i nalt
tensiune, circu-
ite de for, cu
domenii de
aplicare n
restrngere
joas, medie i
nalt tensiune,
cu o arie de
rspndire n
expansiune
Complexitate
medie ctre
redus
redus ridicat Medie
U
n
U
n
U
n
n

U
n
Pentru a concluziona, comparnd proprietile tuturor acestor aparate de
protecie contra supratensiunilor cu varianta ideal, se constat c echipamentele
bazate pe tehnologia varistorilor cu oxizi metalici (ZnO) ndeplinesc cele mai multe
din aceste cerine.
Dar aceast categorie de echipamente prezint i dezavantaje, dintre care
menionm:
degradarea varistorului, reflectat n modificarea caracteristicii curent-tensi-
une dup trecerea fiecrei unde de supratensiune;
degradarea permanent a varistorului chiar n absena supratensiunilor (feno-
menul de mbtrnire), datorat trecerii n permanen a unui curent de
valoare extrem de mic prin varistor;
n timpul funcionrii, caracteristica curent-tensiune este foarte dependent de
temperatur, creterea ei fie datorit condiiilor microclimatice, fie datorit
efectului Joule - Lenz, antreneaz o cretere exponenial a curentului care
trece prin varistor. La limit se poate produce chiar o cretere necontrolat, n
avalan, care conduce la fenomenul de ambalare termic i la distrugerea
echipamentului.
6.3.2. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu
varistoare pe baz de oxizi metalici pentru joas tensiune
Pentru protecia reelelor electrice de joas tensiune, la ora actual, se
utilizeaz combinate sau singure urmtoarele tipuri de protecii paralele:
eclatori simplii n aer;
eclatori n diverse medii gazoase n variant capsulat;
diode Zener cu seleniu;
diode Zener cu siliciu;
varistoare pe baz de SiC;
varistoare pe baz de ZnO.
Vom prezenta n continuare n tabelul 6.4 o comparaie ntre principalele
categorii de rezistene variabile utilizate pentru protecii la joas tensiune, eviden-
iind avantajele i dezavantajele fiecreia:
Echipamentele de protecie la joas tensiune, care folosesc varistoare pe baz
de ZnO se prezint sub forma unor module compacte de protecie, care au n
componena lor, de cele mai multe ori, alturi de varistoarele propriu-zise i
eclatoare cu gaz i diverse tipuri de diode. nainte de a prezenta clasificarea acestor
module dup locul de amplasare i cteva soluii tehnice existente, vom prezenta
variantele de asociere a varistoarelor pe baz de ZnO cu eclatori miniaturali cu gaze
precum i justificarea tehnic a asocierii celor dou dispozitive ntr-un modul. Cele
4 module analizate sunt prezentate n fig.6.18 a, b, c, d.
Modulele prezentate au acelai nivel de protecie de 1,5 kV (tensiune maxim
admis) iar tensiunea de serviciu este de 230 V, iar din punct de vedere al
specificaiilor tehnice sunt identice. Modulul a). este format dintr-un varistor simplu,
Tabelul 6.4. Comparaie ntre rezistenele neliniare utilizate pentru protecii
la joas tensiune.
Materialul utilizat Principalele avantaje Principalele dezavantaje
Carbur de siliciu (SiC)
capacitate de absorbie a
energiei important;
fiabilitate
pierderi considerabile n
serviciu permanent;
stabilitate termic redus;
Diode Zener cu seleniu
capacitate de absorbie a
energiei medie;
element unipolar;
pierderi foarte mari n
serviciu permanent;
neliniaritate medie;
instabile la nalt temperatur;
pre ridicat;
Diode Zener cu siliciu
caracteristic foarte
neliniar;
timp de rspuns extrem
de redus;
pierderi slabe n regim
permanent;
element unipolar;
capacitate redus de absorbie
n energie;
pre extrem de ridicat;
Ceramici bazate pe ZnO
capacitate important de
absorbie n energie;
neliniaritate mrit a
caracteristicii;
timp de rspuns redus;
pierderi reduse n
serviciu permanent;
fiabilitate sporit;
pierderile la tensiunea de
serviciu cresc cu temperatura;













a). b). c). d).
Fig.6.18. Variante de module de protecie la joas tensiune.
Eclator cu gaz Eclator cu gaz Eclator cu gaz
Vecl = 600 V Vecl = 300 V

Vecl

=

600 V

Vs2
Vst Vs1

Vs1 Vst Vs1

Vst=Vs1+Vs2
de rezisten variabil, Vst modulul b). dintr-un varistor Vs1 asociat cu un eclator
cu gaz n serie, modulul c). este alctuit din dou varistoare Vs1 i Vs2, astfel nct
n orice moment se poate scrie relaia dintre rezistenele variabile Vst = Vs1 + Vs2.
Modulul d). reprezint punerea n paralel a lui a). i b).
n urma unor ncercri n regim tranzitoriu (ocuri care simuleaz supratensiuni
atmosferice) i permanent (polarizare la tensiunea de serviciu i teste la supratensiuni de
valori reduse dar durat mare de aplicare) s-au stabilit performanele fiecrui modul i
anume:
Modulul a
Un varistor singur, la joas tensiune nu poate rspunde urmtoarelor cerine:
s aib un nivel de protecie n regim tranzitoriu ct mai apropiat de tensiunea
de serviciu;
s suporte n regim permanent supratensiuni temporare;
s i menin tensiunea de deschidere constant n timp, datorit mbtrnirii;
n schimb are un timp de reacie foarte redus, de pn la 25 ns. Exist riscul
ca din cauza curentului care l parcurge n permanen, a masei relativ reduse, a
limitrii posibilitilor de disipare a cldurii, dat fiind c opereaz i n regiunea
slab nelinear a caracteristicii, ca varistorul s ajung n urma unor procese
tranzitorii n regim de ambalare termic. Varistorul are nevoie de un dispozitiv care
s l conecteze doar cnd e nevoie.
Modulul b
n acest montaj varistorul are rolul de a absorbi energia i a limita curentul de
nsoire. Amorsarea este dat de eclatorul cu gaz Rolul acestuia este:
n regim permanent fixeaz tensiunea de amorsare a modulului pentru
supratensiuni temporare i se comport ca un ntreruptor, deconectnd
varistorul n regimul de serviciu;
n regim tranzitoriu prezint un inconvenient major, datorit timpului de
rspuns mult mai mare dect al varistorului;
Modulul c
n regim permanent:
cele dou varistoare serie asigur o bun comportare la aplicarea unor
supratensiuni temporare i se reduce astfel curentul de pierdere;
Eclatorul montat n paralel pe varistorul 2 fixeaz tensiunea de amorsare i
rspunsul la supratensiuni temporare, amorsnd naintea varistorului;
n regim tranzitoriu:
Varistorul 1 asigur nivelul de protecie pentru un curent de scurgere de 5 kA;
Varistorul 2 preia tensiunile care apar la bornele eclatorului , fiind mai rapid n
aciune;
Dimensionarea modulului este foarte complicat, mai ales datorit corelrii
caracteristicilor eclatorului i varistorului, pentru a obine efectul prezentat anterior.

Modulul d
Are o comportare similar cu modulul c). Concluziile care se desprind sunt:
Este necesar asocierea varistorului cu un eclator cu gaz cu rol de ntreruptor
n regim permanent, astfel se ntrzie procesul de mbtrnire i riscul de
ambalare termic;
Modulele 3 i 4 au o comportare excelent la toate tipurile de solicitri;
O alt problem, specific instalaiilor electrice domestice la joas tensiune n
primul rnd, este coordonarea nivelului de protecie n diferitele puncte ale
instalaiei. Distingem, dup natura materialului electric care trebuie protejat i locul
de amplasare n instalaia electric domestic, 4 categorii de module de protecie
contra supratensiunilor, prezentate n tabelul 6.5, mpreun cu standardele interna-
ionale sau europene care descriu modul de protecie:
n fig.6.19. prezentm o schem de principiu a locului de amplasare a
modulelor de protecie conform clasei fiecruia. S-au reprezentat i materialele din
categoria I de sensibilitate, cu un nivel de protecie de 1,5 kV, conform DIN VDE
01110-1, anume consumatorii casnici care se conecteaz n prize. Protecia fiecruia
din aceti consumatori este conceput de productorul aparatului i este integrat n
structura acestuia. n interiorul cldirilor legturile la pmnt se efectueaz prin
nulul de protecie.
Fig.6.19. Dispunerea fiecrei clase de module de protecie contra supratensiunilor
ntr-o cldire, conform DIN VDE 0675
Principalii parametrii ai unui modul de protecie la joas tensiune sunt:
Tensiunea n serviciu (nominal), care este cea a reelei 220-230 V sau 380-
400 V (efectiv), acolo unde este cazul;
Nivelul de protecie (conform clasei i categoriei de material protejat), anume
valoarea de vrf a tensiunii la bornele modulului;
Curentul de scurgere nominal (2,5 sau 5 kA, funcie de clas);
Ultimii doi parametrii sunt calculai pentru unda standardizat tip 8 / 20.
Vom prezenta n continuare cteva astfel de module existente pe pia la ora
actual [13]:
CLDIRE
Linie 220/380
contor
Tablou
electric
A B C D
IV 6 kV
III 4 kV II 2,5 kV
I 1,5 kV
Consumator
casnic
Priz
Neutru protecie
Tabelul 6.5. Clase de module de protecie contra supratensiunilor la joas tensiune
Clasa
echipamentului
Specificaii tehnice Nivel de protecie
Curent de scurgere
nominal
A
Utilizate de-a lungul
liniilor de JT pn la
intrarea n cldiri
Nu necesit protecie
mpotriva contactului
direct;
Pot fi suprancrcate
sau distruse de
lovituri directe de
trznet; Sunt
concepute s opereze
n exterior n cele mai
grele condiii meteo i
de poluare.
Conform IEC 99.1,
tabelul 1
Conform
E DIN VDE 0675-
6/11-89, tabelul 6,
I
sn
= 5 kA (8/20)
B
Utilizate la intrarea n
cldiri n primul rnd
pentru protecia contra
supratensiunilor atmos-
ferice. Protejeaz
materiale sensibile din
categoria IV.
Np = 6 kV
Conform cat. IV din
DIN VDE 0110-1
i E DIN VDE
0675-6/A1/03-96
Tabelul 7
Pn la 5 kA,
Conform
E DIN VDE 0675-
6/A1/03-96 Tabelul 4
i conform DIN 48
810/08.86 Anexa A
C
Utilizate dup tabloul
electric general i
dup contor pentru
protecia contra
supratensiunilor de
durat. Protejeaz
materiale sensibile din
categoria III.
Np = 4 kV
Conform cat. III din
DIN VDE 0110-1
i E DIN VDE
0675-6/A1/03-96
Tabelul 7 i
E DIN VDE 0675 -
6/11-89 Tabelul 4
I
sn
= 1,5 kA (8/20)
Conform
E DIN VDE 0675-
6/11-89
Tabelul 6
D
Utilizate n zona
prizelor, nainte de
intrarea n
consumatorii
domestici pentru
protecia mpotriva
supratensiunilor de
durat. Pot fi detaate
de ctre utilizator.
Protejeaz materiale
sensibile din categoria
II.
Necesit protecie
mpotriva contactului
direct;
Nu trebuie s prezinte
risc de defectare sau
incendiu n serviciu;
Np = 2,5 kV
Conform cat. II din
DIN VDE 0110-1
i
E DIN VDE 0675-
6/A1/03-96
Tabelul 7 i
E DIN VDE 0675 -
6/11-89 Tabelul 4
I
sn
= 1,5 kA (8/20)
Conform
E DIN VDE 0675-
6/11-89
Tabelul 6
Un exemplu de tablou de protecie cu module pentru clasa A, fabricat de ctre
firma DEHN +SHNE Gmbh. din Germania, este prezentat n fig.6.20.

Fig.6.20. Modul de protecie
clasa A
Se remarc faptul c este conceput s opereze n exterior, fiind protejat IP 65.
Este realizat n concepie trifazat, modulele de protecie sunt montate cte
unul pe fiecare faz, avnd un modul care protejeaz inclusiv nulul.
Legtura cu pmntul se face prin nulul de protecie (dac este accesibil).
Pentru anumite nivele de tensiune, modulele de protecie clasa A sunt
executate sub forma unor capsule cilindrice.
Fiecare modul este prevzut cu o semnalizare la acionare
Parametrii sunt corespunztori clasei.
n fig.6.21 este prezentat un alt model de echipament de protecie mpotriva
supratensiunilor, clasa A, fabricat de ctre firma INGESCO - DENA Desarrollos s.l.
din Spania, avnd denumirea comercial PROTEC A.

Fig.6.21. Descrctor tip DENA - PROTEC A
Echipamentul de protecie corespunde standardului IEC 61 643-1, fiind
conceput s opereze n instalaii de joas tensiune, corespunztor unor tensiuni
maxime de operare n regim permanent de 150, 275 i 500, respectiv 660 V, pentru
cureni nominali de descrcare de 10 i 15 kA. Pentru evitarea ambalrii termice n
regim de serviciu permanent, n cazul aplicrii unei supratensiuni de valoare relativ
mic, dar de lung durat, echipamentul este prevzut cu element de deconectare.
Dimensiunile de gabarit sunt prezentate de asemenea, alturate, n fig.6.21.
Modulele de protecie pentru clasele B i C sunt identice ca i aspect i
construcie. Difer doar parametrii varistorului i ai dispozitivului de deconectare a
varistorului (eclator sau dispozitiv termobimetalic).
Un astfel de modul este prezentat n fig.6.22.a). Modulele sunt concepute
spre a fi montate pe inele din tablourile sau dulapurile electrice tip DIN-rail 35
mm, norm european EN 50 022, valabil i n Romnia. n fig.6.22.b). este
prezentat situaia n care 4 astfel de module sunt montate pe aceeai in alturi de
modulele de protecie pentru scurtcircuite i suprasarcini (cu conexiunile de rigoare).
Aici este vorba de module clasa B, montate n tabloul electric general. Modulele sunt
produse de ctre aceeai firm german.


a) b) c)
Fig.6.22. Module de protecie clasa B i C
Alturi, n Fig.6.22. c). am prezentat i schemele electrice ale acestor module.
n Fig.6.23 sunt prezentate alte module de clasa B i C fabricate tot de ctre
firma DENA Desarrollos s.l. din Spania.
Modulele destinate proteciei n zona contactelor fi - priz (clasa D) sunt
prezentate n fig.6.24.
Fig.6.24. a). prezint un ansamblu compact priz ngropat n perete + modul
de protecie ncorporat.
n fig.6.24. b). sunt prezentate dou module de protecie, unul incorporat n
prelungitoare multipriz, cellalt aplicabil n exterior la orice priz, produse de ctre
firma MURATRON S.A. din Frana. Fig.6.23. c). i d). prezint un modul de
protecie, clasa D, aplicabil pe exteriorul oricrei prize produs de ctre firma DEHN
+SHNE Gmbh. mpreun cu schema sa electric.


Fig.6.23. Module de protecie clasa B i, respectiv C, produse de ctre
firma DENA Desarrollos s.l.
Toate aceste subansamble asigur protecia varistorului, elementul principal al
modulului. Unele module au, pe lng elementele anterioare, i indicatoare de funcio-
nare cu lmpi de Ne nseriate cu rezistene de limitare a curentului prin lamp, culorile
fiind: verde pentru serviciul permanent i rou pentru avarie. Pentru semnalizare se
utilizeaz i montaje serie rezisten + diod + LED, acestea nefiind ntotdeauna
fiabile i eficiente. Elementele schemelor electrice ale acestor echipamente sunt:
Varistorul cu rolul de a absoarbe energia ocului;
Descrctorul cu gaz, cu rol de deconectare a varistorului n regim permanent
de serviciu i fixare a tensiunii de amorsare a dispozitivului (n cazul supra-
tensiunilor de durat);
Blocul termobimetalic, cu rol de a deconecta ntregul ansamblu n caz de
cretere a temperaturii dup aplicarea unui oc (evit ambalarea termic a
varistorului);
Sigurana fuzibil, cu rol de a limita curentul de scurgere la valoarea standar-
dizat pentru a nu distruge varistorul.

a) b)


c) d)
Fig.6.24. Module de protecie clasa D.
Vom prezenta n continuare un modul de protecie contra supratensiunilor,
clasa D, produs de ctre S.C. PROTENERGO S.A. din Timioara.
Acest modul a fost conceput i proiectat integral de ctre autori, n cursul
anului 2001, fiind primul modul de protecie clasa D conceput i realizat n
Romnia. Este rezultatul direct al implementrii tehnologiei varistoarelor cu ZnO
ntr-un domeniu puin abordat de ctre fabricanii cu tradiie de la noi. Produsul este
omologat conform standardului de firm SF16/2001. A fost testat n cadrul
Laboratorului de nalt Tensiune al Facultii de Electrotehnic din Timioara i la
Laboratorul Gnie Electrique din Toulouse, fiind comercializat ncepnd cu luna
mai 2001. Pe piaa din Romnia exist la ora actual relativ puine produse similare,
din import, la preuri semnificativ mai mari. Produsul se numete Bloc Multipriz
protejat la Supratensiuni, BMS 01 i este prezentat n fig.6.25, n dou variante de
carcase. Asigur protecia contactului fi - priz, fiind localizat nainte de
consumator. Se prezint sub forma unui modul electronic de protecie nglobat ntr-
un bloc multipriz prelungitor, n execuie compact.


Fig.6.25. Blocul de protecie mpotriva supratensiunilor clasa D, fabricat de ctre
PROTENERGO S.A. Timioara. Variante constructive
Datele tehnice principale sunt:
Tensiune nominal: 220 - 250 V
Curent nominal maxim: 10 A
Putere vehiculat maxim: 2500 W
Frecvena nominal de alimentare: 50 - 60 Hz
Curent de scurgere (n regim de serviciu permanent): < 50 A
Nivel de protecie (und 8/20 s): 2,5 kV
Timp de rspuns: < 20 ns
Capacitate de absorbie n energie (und 8/20 s): 520 J
Temperatur de exploatare: -20 C+40 C
Lungime cablu: 1,5 m ( 5%)
Numr prize: minimum 3, n funcie de variant;

Blocul multipriz protejat la supratensiuni corespunde clasei D, conform DIN
- VDE 0675, i NFC 61740. Corespunde i SR CEI 60536: 1995.
Dintre multitudinea de soluii tehnice existente am optat pentru includerea
modulului de protecie n carcasa unui bloc multipriz avnd 4 prize, fiecare dintre
ele fiind prevzut cu fi de pmntare, conform STAS 8167/88, SR CEI
60884+A1:1997 i DIN 49441 R1.
Carcasa este prevzut cu un spaiu, avnd dimensiunile aproximative din
fig.6.23, destinat a adposti modulul de protecie, care trebuie interpus obligatoriu ntre
contactul fi - priz din perete i contactul fi - priz al consumatorului, nainte de
consumator.
Schema electric este alctuit, conform figurii 2.14 din:
trei varistoare V1, V2, V3;
trei sigurane fuzibile F1, F2, F3;
o lamp de neon;
o rezisten de 200 K, 0,5 W.
Cablajul, imprimat pe o plac de sticlotextolit cu dimensiunile 50 X 30 mm,
are configuraia din fig.6.26.

Schema electric a modulului de protecie

Cablajul imprimat al modulului.
Fig.6.26. Modulul de protecie tip BMS 01
Setul de orificii A corespunde lmpii cu neon iar setul de orificii B rezis-
tenei de 200 K. Fuzibilele F1, F2, F3 sunt realizate pe placa de cablaj prin
gravarea unor piste cu grosimea de 0,6 mm fa de 2 mm ct au celelalte trasee.
Elementele fuzibile sunt concepute s acioneze la un curent de 8,5 - 9 kA, n
valoare de vrf, curent care ar produce intrarea varistoarelor n regim de ambalare
termic, dup trecerea undei de supratensiune, ceea ce ar cauza un scurtcircuit faz -
pmnt i supranclzirea exagerat, urmat de deteriorarea modulului, cu risc sporit
de apariie de incendii.
Fuzibilele sunt nseriate cu varistoarele i plasate ntre:
neutru i faz;
neutru i neutru de protecie;
faz i neutru de protecie.
n condiii defectuoase de exploatare a instalaiilor electrice, este posibil ca
potenialul neutrului s nu fie egal cu cel al neutrului de protecie, ceea ce a impus
aceast soluie de conectare aparent fr justificare. n orificiile P, T i N se sudeaz
cabluri de legtur ntre modul i, respectiv faza, neutrul de protecie i neutrul
blocului multipriz. Lampa cu neon este destinat semnalizrii prezenei tensiunii la
bornele blocului multipriz. Tensiunea nominal de funcionare a lmpii este de 60
Vca, la un curent de maxim 1 mA. Se monteaz ntre faz i neutru. Se nseriaz cu
o rezisten de 200 k, pentru a asigura nivelul de tensiune de 60 Vca, la un curent
limitat la 0,8 mA.
Varistoarele utilizate sunt de tipul V250K20, produse de ctre ISKRA
Varistor Ljubljana , avnd dimensiunile de gabarit prezentate n fig.6.27.
Dimensiunea t este de 5,8 mm. Datele tehnice de catalog ale varistorului sunt
n concordan cu notaiile standardizate, valorile fiind msurate la o temperatur
ambiant de 25
0
C, anume:
- tensiune maxim de operare n curent alternativ U
RMS
: 250 V
- tensiune maxim de operare n curent continuu U
DC
: 320 V
- tensiunea de prag a varistorului (la un curent de 1 mA) U
N
: 389 V
- energia absorbit pentru form de und 10/1000 s: 130 J
- energia absorbit pentru form de und 8/20 s: 520 J
- energia absorbit la impuls treapt de 2 ms: 141 J
- puterea maxim disipat P
max
: 1 W
- nivelul de protecie pentru form de und 8/20 s: 2500 V
- capacitatea electric (la 230 V, 1 kHz): 920 pF
- curent maxim absorbit pentru form de und 8/20 s I
max
: 8000 A
- diametrul discului varistor: 20 mm
- curent de scurgere n regim permanent: < 100 A
- timp de rspuns: < 20 ns
- tensiunea rezidual U
C
, la un curent I
n
= 100 A: 650 V

Fig.6.27. Varistor de tip V250K20.
Definirea mrimilor de mai sus se va face n subcapitolul urmtor.
Domeniul de utilizare al BMS 01 vizeaz consumatorii casnici, cu puteri sub
2500 W: motoare de putere medie, instalaii de aer condiionat, frigidere,
aspiratoare, maini de splat, instalaii de iluminat, aparatur electronic, TV, audio,
video, HiFi, tehnic de calcul, cuptoare i aparate electrocasnice de nclzit, tehnic
medical, aparatur de msur i control etc. Modulul electronic de protecie mpotriva
supratensiunilor poate fi livrat i separat, atunci avnd denumirea comercial MPS
01. n aceast situaie el poate fi ncorporat n dozele (sau tablourile secundare de
distribuie), n variant aplicat pe perete sau n variant ngropat n perete (clasa
C), aa cum se poate observa i din fig.6.28.

Modulul de protecie mpotriva
supratensiunilor
Vedere exterioar a ansamblului

Amplasarea MPS 01 n doz aplicat pe
perete
Amplasarea MPS 01 n doz ngropat n
perete
Fig.6.28. Modulul de protecie tip MPS 01.
MPS 01 poate fi integrat direct n construcia aparatului sau echipamentului
care urmeaz a fi protejat (conform clasei E de protecie), varistoarele i pistele
fuzibile gravate fiind dimensionate corespunztor noii clase de protecie. Fig.6.28
prezint i o vedere de ansamblu a modulului MPS 01.
6.3.3. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu
varistoare pe baz de oxizi metalici pentru medie tensiune
Descrctoarele cu rezisten variabil se plaseaz la medie tensiune ntre
faze i pmnt, ntre nul i pmnt, ntre neutrul transformatoarelor i pmnt i
ntre faze, pe liniile electrice, la intrarea n staiile de transformare sau n preajma
unui echipament care trebuie protejat (transformator, ntreruptor etc.)
Se fac studii privind posibilitatea integrrii descrctorului n construcia
unor transformatoare electrice.
De mare importan este poziionarea descrctorului lng obiectul care
trebuie protejat, deoarece refleciile multiple cauzeaz creteri de supratensiune la
echipamentele electrice aflate la o distan mrit de descrctor. Este recomandat a
se monta ct mai aproape posibil, neexistnd distane standardizate. Legtura
galvanic de la ieirea la pmntare a descrctorului i pmntarea echipamentului
trebuie s fie ct mai scurt posibil. Distana trebuie s fie sub 2 m pentru linii pe
stlpi cu console legate la pmnt, iar pentru liniile pe stlpi de lemn trebuie s fie
mai mic de 0,6 m.

Fig.6.29 Descrctoare MT montate pe un stlp de susinere.
Fig.6.29 prezint trei descrctoare montate pe un stlp de susinere a reelei,
la un capt al ei. Descrctoarele sunt montate naintea transformatorului.
Orice descrctor de medie tensiune trebuie s corespund normelor IEC 99-
4, prima ediie din 1991-11 i ANSI-IEEE C.62.11-1993.
n structura acestor descrctoare nu se introduc spaii disruptive i nici alte
dispozitive destinate a deconecta coloana de varistoare n serviciu permanent,
varistoarele, datorit masei, geometriei i proprietilor, reuind s funcioneze n
regim stabil. n fig.6.30 prezentm dou astfel de descrctoare, realizate de ctre
firma ABB varianta a). avnd carcasa izolant din porelan, iar varianta b). avnd
carcasa izolant realizat dintr-un material compozit, un polimer siliconic.
a)

b)
6.30. Variante constructive pentru
descrctoare MT.
Se remarc diferena de gabarit ntre cele dou variante, ambele descrctoare
avnd aceleai performane.
n fig.6.31 prezentm o seciune printr-un descrctor XCL 24 S produs de
ctre ABB, destinat pentru funcionare la o tensiune nominal de 10 kV [16].
Acest descrctor are o anvelop de protecie din porelan nchis ermetic, n
care este introdus coloana de 6 varistoare cilindrice de ZnO, care constituie partea
activ. n interiorul descrctorului se afl aer la presiunea atmosferic. Aerul din
interior este meninut uscat, pentru a menine o rigiditate dielectric mrit, cu
ajutorul unor granule de silicagel introduse n corpul descrctorului.
Dispozitivele de etaneizare ale descrctorului se gsesc la ambele capete
ale descrctorului i sunt alctuite dintr-o membran pretensionat de oel
inoxidabil i o garnitur de cauciuc. Acest dispozitiv permite asigurarea unei bune
etaneiti, chiar dac ansamblul mbtrnete. Aceast membran joac i rolul
unui dispozitiv de egalare a presiunii. Pentru situaia unei avarii grave, cnd n
interiorul carcasei s-a depit presiunea de o atmosfer, aerul cu presiune este
evacuat prin distrugerea etaneitii membranei n zona interioar dintre porelan i
brid, fiind evacuat prin ajutajului de evacuare i supape. Este dizlocat i plcua de
semnalizare de la fiecare extremitate. Aceast avarie grav presupune distrugerea
unor blocuri varistoare i probabil apariia arcului electric n interior.

Fig.6.31. Seciune printr-un descrctor ABB XCL 24 S.
Dac presiunea crete uor, datorit unei nclziri, este acionat numai
supapa de evacuare. Se evit astfel riscul unei explozii a dispozitivului.
Cele dou ajutaje de la extremitile descrctorului sunt orientate una ctre
cealalt pentru a asigura rapid o amorsare exterioar a arcului electric n caz de
avarie, descrctorul distrus n interior funcionnd ca un eclator. n plus, reducerea

Racord superior
Ajutaj de
evacuare
Plcu
indicatoare de
defeciune
Ajutaj de evacuare
Brid
Dispozitiv de
prindere

Brid
(aliaj de aluminiu)

Etrier elastic


Supap


Blocuri ZnO

Rondel

Distanor

Ecran termic

Anvelop de porelan

Resort de comprimare

Garnitur de cauciuc

Dispozitiv de
etaneitate

Dispozitiv de
evacuare
presiunii n coloana de aer format de cele dou ajutaje poate contribui n unele
situaii la stingerea arcului electric format.
Ecranul termic cu care este cptuit interiorul descrctorului are rolul de a
menine cldura degajat n cazul unei astfel de avarii violente n interiorul
descrctorului i a evita nclzirea anvelopei de porelan. n momentul distrugerii
termice a acesteia, ar aprea riscul unor amorsri accidentale, conturnri sau chiar a
punerii liniei la pmnt. Distanoarele sunt puse pentru a corela gabaritul
descrctorului cu nivelul de izolaie necesar i pentru a asigura o mai bun
evacuare, prin convecie n aer, a cldurii de pe feele blocurilor varistoare.
Resortul de comprimare are rolul de a realiza o presiune de contact ct mai
mare ntre blocurile varistoare, distanoare i electrozi.
Descrctorul are o lungime de cca. 460 mm, un diametru de cca. 135 mm, la
o mas de 6 kg. n fig.6.32 prezentm o vedere lateral i o seciune real prin acest
tip de descrctor. n fig.6.33 este prezentat o seciune printr-un descrctor tip
3EG5, destinat ntrebuinrii la medie tensiune, fabricat de ctre firma SIEMENS.
Acest descrctor este realizat pentru o gam larg de tensiuni nominale, pe
principiul modularizrii, prin adugarea, conform dimensionrii, n coloana central a
unor varistoare i lungirea anvelopei de porelan corespunztor.


Fig.6.32. Descrctorul XCL 24 S
Prile lui componente, aa cum se observ din fig.6.31 sunt:
1 - varistoarele de ZnO;
2 - resortul de comprimare;
3 anvelopa de porelan;
4 garnituri speciale;
5 ajutaj de evacuare;
6 membran de etaneizare;
Descrctorul a fost conceput pentru a opera n cele mai grele condiii de
mediu, n regiuni de litoral sau n medii industriale extrem de poluate. Toate prile
metalice ale aparatului sunt realizate din oeluri speciale pe baz de nichel i crom,
aliaje de aluminiu rezistente la coroziune sau chiar din nichel pur.

Fig.6.33. Descrctor tip
3 EG5
Pentru realizarea anvelopei de protecie din porelan a fost utilizat o
ceramic bazat pe baz de oxid de aluminiu, mai scump dect cea clasic pe baz
de cuar, care are o rezisten mecanic sporit i nu prezint fenomene de
mbtrnire. Celelalte elemente din construcia descrctorului au acelai rol ca i n
cazul celui anterior.
n fig.6.34 prezentm un descrctor tip 3EQ1-B, fabricat de ctre firma
SIEMENS.
Acest tip de descrctor este conceput a opera n curent continuu i alternativ.
Poate fi utilizat pentru protecia liniilor aeriene de 10 kV, dar i pentru protecia
liniilor electrice urbane de traciune n curent continuu (tramvai, troleibuz etc.). ntr-
o alt variant poate fi folosit i la protecia liniilor de traciune feroviare i poate fi
montat chiar pe locomotive.

Fig.6.34. Descrctor tip
3EQ1-B.
Structura sa, aa cum rezult din figur este:
1 blocuri varistoare ZnO;
2 - resort de comprimare;
3 - tub suport ;
4 izolator;
5 ajutaj de evacuare;
Un descrctor destinat liniilor electrice de traciune este expus unor condiii
climatice extreme, vibraii mecanice i poluare continu. Aceasta impune cerine
mai ridicate din punct de vedere al stabilitii termice, mecanice i electrice. El
trebuie s asigure i un grad de protecie mult mai ridicat n cazul unei lovituri de
trznet n apropiere, pentru a evita electrocutarea personalului uman.
Anvelopa de protecie este realizat dintr-un tub suport din plastic (3) special
armat cu fibr de sticl, pe care s-au aplicat inele din polimer siliconic (4). Aceste
inele sunt foarte rigide din punct de vedere mecanic. ntregul descrctor se
consider ca fiind foarte puin afectat de solicitri mecanice (vnt sau vibraii).
Rezistena la vibraii este conform standardelor IEC 68-2-6, IEC 68-2-27 i IEC77.
Anvelopa este etanat printr-o membran care cedeaz rapid n caz de cretere a
presiunii, anvelopa de protecie avnd rolul i de cuc, meninnd n caz de
suprapresiune toate componentele n interiorul aparatului, evitnd explozia i
rnirea personalului uman.
Spaiul dintre coloana de varistoare i anvelopa izolatoare este suficient de
mare pentru a evita nclzirea ei.
n fig.6.35 este prezentat modul de amplasare a unui descrctor pentru linii
de traciune urban pe un stlp de susinere a liniei.

Fig.6.35 Amplasarea unui
descrctor pe un stlp de
susinere a unei linii de
traciune urban.
Notaiile utilizate sunt:
1 descrctor;
2 legtur la firul de contact;
3 legtura la in sau priz de pmnt;
4 stlp de susinere a reelei de contact;
6.3.4. Echipamente de protecie contra supratensiunilor cu
varistoare pe baz de oxizi metalici pentru nalt tensiune
Introducerea echipamentelor de protecie contra supratensiunilor cu varistoare
bazate pe oxizi metalici sub form de descrctoare cu rezisten variabil este
posibil i la nalt tensiune, prin dimensionarea corespunztoare a aparatelor i
adoptarea unor soluii tehnice specifice. Modul de amplasare i cerinele specifice
sunt aceleai ca la echipamentele de medie tensiune. i aici se fac studii pentru
ncorporarea descrctoarelor n construcia ntreruptoarelor sau a transformatoarelor de
nalt tensiune.
Nici aceast categorie de descrctoare, datorit masei mari a varistoarelor, a
geometriei i a proprietilor acestora, nu necesit eclatoare montate n serie sau alte
elemente destinate a decupla coloana de varistoare n serviciu permanent.
Pentru a asigura o mai bun absorbie a energiei, aceste descrctoare pot
avea chiar mai multe coloane de varistoare n paralel, iar ntregul ansamblu poate fi
introdus ntr-o atmosfer gazoas. n fig.6.36 prezentm o soluie constructiv
pentru o serie de descrctori de nalt tensiune, care pot fi utilizai pentru protecia
unor linii cu tensiune ntre 100 i 500 kV, corespunztori variantei din serie. Sunt de
tip 3 EP i sunt realizai n serie modularizat de ctre SIEMENS.
Notaiile, conform figurii, reprezint:
1 blocuri de varistoare ZnO;
2 resort de compresie;
3 carcas de porelan;
4 garnituri de etaneizare din cauciuc;
5 membran de protecie;
6 ajutaje de evacuare.

Fig.6.36. Descrctor
tip 3EP.
Poate fi utilizat i pentru protecia neutrului transformatoarelor i poate fi
livrat cu modificri care s-l fac operabil n condiii ambientale dificile.
Presiunea exercitat de resortul de comprimare este mai mare dect n cazul
construciilor la medie tensiune. ntreaga coloan de varistori este introdus ntr-un
tub suport, care s asigure meninerea varistoarelor pe poziie, chiar n condiii de
transport, ocuri mecanice etc. ntre coloana de varistoare i tubul suport se las o
anumit distan, cu scopul de a evita descrcrile pariale sau nclzirea acesteia.
Se introduc periodic i discuri metalice n coloana de varistoare, cu scopul de
a uniformiza repartiia tensiunii pe coloan. Bridele de la capetele descrctorului
sunt realizate dintr-un aliaj pe baz de aluminiu i sunt cimentate pe anvelopa de
porelan, ceea ce i confer o bun rezisten la solicitri mecanice importante i o
bun conductivitate termic a ansamblului.
Garniturile sunt rezistente la atacul ozonului sau al agenilor chimici din
atmosfer i total impermeabile.
Membrana de protecie se rupe i n acest caz la o presiune ce reprezint doar
o fraciune din presiunea maxim acceptat de carcasa de porelan.
Aceast soluie constructiv nu difer prea mult ca principiu fa de soluiile
aplicate la medie tensiune.
Descrctoarele cu rezistene variabile pe baz de oxizi metalici n atmosfer
gazoas, GIS (Gas-Insulated Surges) reprezint soluia tehnologic cea mai nou i
mai fiabil pentru aplicaiile la nalt i foarte nalt tensiune.
Acestea se amplaseaz n vecintatea imediat a echipamentului de protejat
(ntreruptor, transformator etc.) sau pot face chiar un ansamblu comun. n fig.6.37
prezentm dou variante de dispunere a acestor descrctoare GIS lng
ntreruptoare de 420 kV a)., c). i respectiv de 123 kV b)., produse de SIEMENS i
amplasate n Germania:



a) b) c)
Fig.6.37. Amplasarea unor descrctoare tip GIS lng ntreruptoare.
Gazul cel mai frecvent utilizat este hexafluorura de sulf (SF
6
), care este
introdus pe scar larg i n construcia ntreruptoarelor de nalt tensiune, datorit
unor proprieti evidente:
gaz incolor, inodor, greu compresibil i netoxic;
proprieti dielectrice foarte bune (rigiditate de 2-3 ori mai mare ca i cea a
aerului uscat);
foarte bun conductivitate termic;
gaz electronegativ (moleculele formeaz absorb electroni);
Rolul acestui gaz n construcia GIS este:
izoleaz termic i electric coloana de varistori fa de carcas;
preia prin convecie, mult mai bine dect aerul, cldura degajat de varistoare;
n cazul unei supratensiuni violente, care conduce la deteriorarea coloanei de
varistoare, contribuie decisiv la stingerea arcului electric format;
reduce viteza de mbtrnire a varistoarelor.
n cazul utilizrii acestui descrctor GIS alturi de un ntreruptor care are ca
mediu de stingere a arcului electric tot SF
6
, se poate realiza uniformizarea
atmosferelor de gaz din cele dou, prin interconectarea modulelor, pentru o mai
uoar monitorizare. n plus, impedana ntregului ansamblu este extrem de redus,
de pn la 3 ori cea a unui DRV cu ZnO clasic.
Fig.6.38 Descrctor GIS tip 3EP2-3PK.
Fig.6.39. Descrctor GIS tip 3EP3 3PK
Buon de umplere cu
gaz i etaneizare a
conexiunii la linie

Ajutaj + supap de
evacuare cu filtru

Resort de comprimare


Carcas


Electrod superior


Coloana de varistoare


Tije suport ale coloanei


Conexiunea
echipamentului de
monitorizare a presiunii
Zon de montare
traductori pentru
monitorizarea strii
aparatului
Buon de umplere cu
gaz i etaneizare a
conexiunii la linie
Ajutaj + supap de
evacuare cu filtru


Resort de
comprimare

Carcas


Electrod acoperitor

Coloane de
varistoare

Tub suport al
coloanei

Manometru
Detaliu privind modul de
conectare a varistoarelor de pe
cele trei coloane
Conexiunea
diverilor
traductori
Dei asemenea descrctoare se produc nc de la jumtatea anilor `70,
seciunea 4.3.2.2. din standardul IEC 99-5, care descrie cerinele unui asemenea
sistem a aprut abia n februarie 1996. n fig.6.38 se prezint o variant constructiv
a unui descrctor GIS produs de ctre SIEMENS, tip 3EP3-3PK, destinat a
funciona la tensiuni ntre 100 i 200 kV, iar n fig.6.39. se prezint o a doua
variant constructiv a unui descrctor GIS, produs tot de ctre SIEMENS [24], tip
3EP3/4PK, destinat a funciona la tensiuni nominale ntre 200 i 350 kV.
O a treia variant constructiv pentru un descrctor GIS este prezentat n
fig.6.40 i se refer la un descrctor tip 3EP2-3PK, din aceeai familie cu cele
dou anterioare. Deosebirea esenial ntre aceste trei tipuri constructive este modul
de dispunere a blocurilor varistoare. Primul model este varianta cea mai simpl,
anume o coloan rigid, varistoarele fiind nseriate. A doua variant realizeaz
practic tot nserierea varistoarelor, dar prin intermediul unor conexiuni speciale,
reprezentate n detaliu, pentru a reduce gabaritul vertical. A treia variant prezint o
punere n paralel a coloanelor de varistoare, pentru a avea o capacitate de absorbie
ridicat. Electrodul superior asigur repartizarea uniform a tensiunii i implicit a
curentului pe toat suprafaa util, greutatea lui ajutnd i la realizarea presiunii de
contact necesare.
Fig.6.40. Descrctor GIS tip 3EP2 3 PK3.
n cazul unei supratensiuni violente, care conduce la distrugerea continuitii
coloanei de varistoare, gazul sub presiune va fi evacuat prin supapa (membrana) de
evacuare, prevzut cu un filtru de protecie pentru mediul ambiant. Presiunea i
temperatura n interiorul descrctorului trebuiesc periodic verificate.
Buon de umplere cu
gaz, etaneizare i
realizarea
conexiunilor la linie

Ajutaj i supap de
evacuare cu filtru

Resort de comprimare

Carcas

Electrozi acoperitori

Coloan de varistoare

Tuburi de susinere

Conexiune echipamente de
monitorizare

BIBLIOGRAFIE
[1] ora, C., Bazele electrotehnicii, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti,
1982
[2] Mocanu C.I., Teoria cmpului electromagnetic, Editura Didactic i
Pedagogic, Bucureti, 1981
[3] Popescu I.M., Fizic I, Editura Didactic i Pedagogic, Bucureti, 1982
[4] Bunget I., Burlacu L., Ciobotaru D., Costescu A., Florescu V., Georgescu L.,
Rusu M., Compendiu de fizic pentru admitere n nvmntul superior,
Editura tiinific, Bucureti, 1971
[5] Drnciulescu C., Electricitate i magnetism, Editura Didactic i Pedagogic,
Bucureti, 1995
[6] Drago L., Magntohidrodinamica fluidelor, Ed. Academiei, Bucureti, 1969
[7] Vtu D., Proiectarea dispozitivelor electromagnetice ale pompelor
magnetohidrodinamice de repulsie, Editura Eurobit, Timioara, 1999
[8] Stanciu D., Senzori. Prezent i perspectiv, Editura Tehnic, Bucureti, 1987
[9] Mosh W., Hauschild W., Izolaii de nalt tensiune n hexafluorur de sulf,
Editura Tehnic, Bucureti, 1984
[10] Moldovan,

L.,

Vtu,

D., Aparate electrice, Editura Eurobit, Timioara, 1999
[11] Moldovan,

L.,

Vtu,

D., Aplicaii i probleme de aparate i echipamente
electrice, Litografia U.P. Timioara, 1996
[12] Moldovan,

L.,

Vtu,

D., Elemente moderne n domeniul echipamentelor
electrice de comutaie, Editura AGIR, Bucureti, 2001
[13] Frigur-Iliasa M. Flaviu, Stabilitatea termic a varistoarelor pe baz de ZnO,
Editura Orizonturi Universitare, Timioara, 2002
[14] Chioreanu V., Materiale electrotehnice, Litografia I.P.T.V. Timoarara, 1982
[15] Ifrim A., Noingher P., Materiale electrotehnice, Editura Didactic i
Pedagogic, Bucureti, 1979