Sunteți pe pagina 1din 2

IEM Procese si Interactiuni Energetice IEM Surse de energie IEM Procese specifice ingineriei electrice medicale MM Sisteme Fotovoltaice

C!lirea rapid! a unei plachete semiconductoare


n industria semiconductorilor, c!lirea termic! rapid! (Rapid Thermal Annealing, RTA) este o etap! de procesare a semiconductorilor utilizat! pentru activarea dopan"ilor #i a reac"iei superficiale de realizare a contactelor metalice. n principiu, opera"ia implic! nc!lzirea rapid! a plachetei semiconductoare, de la temperatura mediului ambiant la aprox. 1000-1500 K (Fig. 1). Placheta este men"inut! pentru ctea secunde la aceast! temperatur! dup! care este c!lit!. Efectuare acestui pas rapid, cu precizie (temperatur!, uniformitate, durat!) este crucial! pentru a se evita difuzia unei cantit!"i prea mari de dopant. Mai mult, este important! #i evitarea supranc!lzirii sau neuniformitatea temperaturii plachetei. Un aparat RTA utilizeaz! l!mpi cu infraro#u, de mare putere, ca surse de nc!lzire.

Fig.1 Schi"a unui aparat RTA.

M!surarea tremperaturii plachetei este una dintre dificult!"ile ridicate de acest sistem. n aceast! lucrare sunt evaluate dou! solu"ii tehnice: termocuple #i senzori infraro#u (IR). Pentru asigurarea unei m!sur!tori cu grad de acurate"e ridicat, este important ca senzorul de temperatur! s! nu fie supus radia"iei directe a l!mpii de nc!lzire. Ideal, senzorul ar trebui pozi"ionat astfel nct s! primeasc! doar iradia"ie secundar!, respectiv radia"ia reflectat! #i emis! de placheta de siliciu. Propriet!"ile dorite pentru senzor sunt acurate"ea ridicat! #i timpul de r!spuns scurt. n timp ce un design performant necesit! o electronic! de precizie, geometria senzorului are o contribu"ie semnificativ!. Pe scurt, senzorul trebuie s! fie suficient de mare nct s! nregistreze o cantitate suficient de mare de radia"ie, #i suficient de u#or nct iner"ia termic! pe care o are s! fie ct mai mic!. Prin urmare, un optimizare parametric! a senzorului poate reprezenta o etap! de proiectare. Pentru nceput, se demostreaz! c! un senzor IR este intr-adev!r mai adecvat dect un termocuplu ieftin.

1. Modelul matematic
n multe aplica"ii, RTA utilizeaz! nc!lzirea bilateral!, n care l!mpile IR sunt pozi"ionate deasupra #i sub placheta semiconductoare. Modelul de fa"! consider! nc!lzirea unilateral!. Componentele din Fig. 2 sunt nchise ntr-o camer! cu control al temperaturii pere"ilor (400 K). Ca urmare, modelul de calcul este o incint! nchis!, #i pot fi omi#i pere"ii camerei. Transferul de c!ldur! (r!cire), n acest sistem, se realizeaz! n principal prin radia"ie #i convec"ie. Transferul de c!ldur! convectiv al plachetei #i a senzorului, la gazul de r!cire (400 K) este modelat printr-un coeficient de transfer, h stabilit aici la 20 W/(m2!K). Modelul matematic este alc!tuit din ecua"ia c!ldurii

1/2

IEM Procese si Interactiuni Energetice IEM Surse de energie IEM Procese specifice ingineriei electrice medicale MM Sisteme Fotovoltaice

(1) #i condi"iile la limit! asociate (2)

Fig.1 Domeniul de calcul.

Aici " este densitatea de mas!, k este conductivitatea termic!, Q este sursa de c!ldur! distribuit! (n volum), n este normala la suprafa"!, Tinf este temperatura gazului de r!cire, J0 este radiozitatea suprafe"ei, iar # este constanta Stefan-Boltzmann. Modelul simuleaz! lampa ca un obiect solid cu surs! de c!ldur! distribuit! (25 kW). Ea este izolat! pe toate fe"ele, mai pu"in fa"a care vede placheta de siliciu. Prin aceast! suprafa"! c!ldura este transferat! exclusiv prin radia"ie. Pentru a modela regimul tranzitoriu de demaraj al l!mpii, modelul utilizeaz! o c!ldur! specific! redus!, Cp, (10 J/kg!K). Celelalte propriet!"i termice ale l!mpii sunt identice cu cele ale cuprului. Se presupune c! placheta transfer! c!ldur! prin radia"ie #i convec"ie. Senzorul este izolat, exceptnd fa"a de sus, care este supus! convec"iei #i radia"iei. Propriet!tile termice sunt cele ale aluminei. Tabelul 1 prezint! propriet!"ile de material utilizate n modelare.
Tabelul 1. Propriet!"i de material.

Modelul simuleaz! regimul termic tranzitoriu pe durata celor 10 s de nc!lzire. Temperatura ini"ial! a sistemului este de 400 K.

2/2