Proprietatile electrice ale materialelor

Proprietatile electrice ale materialelor - Curpins

Mobilitatea electronilor (incarcarea, campul electric, denistatea curentului, Legea lui Ohm, resistivitatea, electroni si holes Conductivitatea Izolant, semiconductor si superconductor Decala ul benzii de energie nivelul de energie !ermi Doparea " Intrinseca si e#trinseca Materialele dielectrice, permitivitatea Capacitatea electrica

Mobilitatea electronilor

$n electron se misca in metal (cu o viteza medie u% &iind dispersat &recvent si aleatoriu de vibratiile termice ale atomilor' In lipsa unui camp aplicat nu e#ista nici o deriva neta in nici o directive' Campul aplicat - Deriva neta (lectronii se disperseaza in urma coliziunilor cu atomi care le schimba directia miscarii (lectronii se misca aleatoriu dar cu o deriva neta in directia opusa campului electric' In prezenta unui camp aplicat, este o deriva neta in directia #' )ceasta deriva neta de-a lungul &ortei campului este suprapusa pe miscarea aleatorie a electronului' Dupa dispersari repetat, electronul a &ost mutat la o distanta neta, delta #, de la pozitia initiala spre terminalul pozitiv' Purtatorii de sarcina, precum electronii, sunt deviati de atomi sau de&ecte, si au o ruta neregulata intr-un conductor' *ata medie la care se misca sarcinile este viteza deviatiei v'

+alenta electronilor in legatura metalica se misca cu usurinta' Legaturile covalente trebuie rupte in semiconductori si izolant pentru ca un electron sa se poata deplasa' Ionii intregi trebuie sa di&uzeze pentru a putea transporta sarcina in ma oritatea materialelor bazate pe legaturi de ioni' Legea lui Ohm Cand un potential electric, + este aplicat asupra unei bucati de material, trece un current de magnitudine' In ma oritatea metalelor, la volta os, curentul este proportional cu + si poate &i descris de Legea lui Ohm " I,+-*, unde * este rezistenta electrica (masurata in ohmi%

*ezistenta si *ezistivitatea

*ezistenta * depinde de resistivitatea intrinseca a materialului (-m) si de geometria (lungimea L si aria A prin care trece curentul): R=L/A *esistivitatea : definite cat de dificila este trecerea curentului. Este o proprietate a materialului independenta de marimea si geometria data. Conductivitatea electrica (abilitatea unei substante sa conduca curentul electric % este opusul rezistivitatii " conductivitatea, = / In&luenta temperaturii si a impuritatilor asupra resistivitatii Prezenta imper&ectiunilor creste rezistivitatea Limite de &ibre Dislocarile )tomi de impuritate .oluri si interstitial )cestea actioneaza pentru a dispersa electronii, &acandu-i sa ia o diretie mai putin directa Deasemenea, cauzeaza electronilor pierderea energiei /inetic *ezistivitatea depinde de coliziuni *ezistivitatea creste odata cu " temperatura, impuritati 0t1, 1 C2

*egula lui Matthiesen" total = t ! i ! d Miscarea electronilor prin "

(a %Cristal per&ect , (b% cristal la o temperature ridicata, (c% cristal cu de&ecte la nivel atomic' Dispersia electronilor reduce mobilitatea si conductivitatea'

Clasi&icarea materialelor

Materialele se pot clasi&ica in &unctie de cat de bine cunoduc electricitatea De e#emplu, sticla rece nu conduce electricitatea' (ste izolatont' Materialele care conduc electricitatea, cum e cuprul, se numesc conductor' 3unt numite semiconductoare materialele care nu conduc energia la &el de usor precum conductorii, dar pot conduce curentul' 3unt numite superconductoare materialele care pot conduce current la temperature &oarte oase, sunt cele mai scurte cai ale curentului' (le conduc curentul &ara nici un &el de rezistenta' 4oate materialele sunt &ormate din atomi cu nucleu si electron care se invart in urul lor' Ce le &ace atat de di&erite cand vine vorba de a conduce electricitatea5

Conductivitatea

Di&erenta se rezuma la cati electroni sunt in urul nucleului' Legile &izicii cuantice spun ca sunt numai benzi speci&ice pe une poate trece curentul' In primul rand, numai un numar speci&ic de electroni pot trece pe aceeasi banda' In al doilea rand, banda pe care trece un electron corespunde cu valoarea energiei a electronului respectiv' In al treilea rand, unele benzi sunt mai apropiate una de alta'

6enzile de energie

"and atomii se aduna pentru a forma un solid# $alenta electronilor lor interactionea%a datroita fortei "olum&us. Acestia ating campul electric format de nucleul lor si alti atomi. 'in principiul $aria&ilitatii al lui (eisen&erg# electronii stransi intr-un $olum mic cresc in statutul energiei. Asta ar implica mutarea electronilor intr-o &anda de energie inter%isa. 'in principiul e)cluderii al lui *auli# numarul electronilor care pot a$ea aceleasi proprietati este limitat (inclusi$e ni$elul de energie). +n semiconductori si i%olanti# $alenta &en%ii este plina si nu mai poate fi adaugat nici un electron.

,en%i
"a re%ultat al $alentei electronilor din &en%ile late in stare solida. ,en%ile sunt separate de goluri# unde electronii nu pot e)ista. Locatia precisa a &en%ilor si golurilor dintre &en%i depinde de atom# distant dintre atomi in solid si aran-amentul atomic.

Energia .ermi
+maginea de mai -os arata implicatiile functiei .ermi pentru conducti$itatea

electrica a unui semiconductor

/ici un electron nu poate fi deasupra electroni pot $alentei &en%ii la 01# din moment ce nici participa la unul nu are energia deasupra ni$elului .ermi si nu sunt conditii energetice disponi&ile in spatiu.

La temperaturi inalte# unii a-unge la &anda de conducere si curentul electric

2eoria &en%ilor materialelor solide arata ca este un gol intre ni$elul .ermi si &anda de conducere a unui semiconductor. La temperature mai inalte# un raport mai mare de electroni se pot aduna si participa la conducerea electrica.

Energia spatiilor dintre &en%i

"and lumina straluceste pe o suprafata de silicon cristalin# electronii dinauntrul structurii pot fi eli&erati +ntr-in material semiconductor# numai fotonii ( energia luminii ) cu un ni$el specific de energie pot eli&era electroni din legaturile lor atomice pentru a produce curentul electric. Acest ni$el de energie este cantitatea de energie necesara pentru desprinderea

unui electron din legatura co$alenta si permiterea lui sa de$ina parte dintr-un circuit electric. *entru a eli&era un electron# energia unui foton tre&uie sa fie cel putin la fel de mare ca cea din spatiile dintre &en%i. .otonii cu mai multa energie decat spatiul dintre &en%i $or transforma surplusul in caldura# cand eli&erea%a electonii.

"omponentele semiconductoarelor
3emiconductoarele pot fi elementare sau compuse# 3emiconductoarele elementare includ 3iliconul# 4ermaniul si 3taniul. 3emiconductoarele compuse includ materalele +++-5 ( 4aA3# +n*# +n3&)# ++-+5 ( "d3# (g2e# 6n2e ) si +5-5+ ( *&3e# 3n2e ). "u cat este mai mare electronegati$itatea dintre elemente cu atat mai mare este golul de enegie. "ostul procesarii semiconductoarelor compuse este mai mare pentru ca: 7aterialele au de o&icei presiuni inalte ale $aporilor. Este greu sa produci cristele de dimensiuni mari fara defecte.

Izolatorii In izolatori nu sunt electroni liberi care sa se miste de-a lungul materialului' Legaturile interatomice sunt ionice sau puternic covalente' (lectronii cu valenta sunt strans legati si nu sunt liberi sa se disperseze in cristal'

Distanta dintre benzi e mare, banda de valenta este plina iar banda de conductivitate goala' 3emiconductorii In semiconductori legaturile sunt predominant covalente ( relative slabe %' )cesti electroni sunt usor de inlaturat cu a utorul stimularii termice' Distanta dintre benzi este mai mica, banda de valenta este plina, iar banda de conductivitate goala' Conductia si transportul de electroni Metalele (conductori% Pentru metale pozitiile libere sunt adiacente cerlor ocupate' (nergia termica stimuleaza electronii in pozitii energetice mai inalte si libere (#ista doua &eluri de structuri ale benzilor pentru metale " cu banda partial ocupata sau cu o banda libera suprapusa unei benzi pline' Purtatorii de sarcina in izolanti si semiconductori (#ista doua tipuri de purtatori de sarcina electronica" (lectron liber " are sarcina negative, se gaseste in banda de conductive ai are nivelul energetic mai mare decat (& Ori&iciul " are sarcina pozitiva si este o pozitie libera a unui electron in banda de valenta

Metalele " Pozitiile electronilor Pentru metale este nevoie de un nivel de energie scazut pentru a plasa electronii in pozitii libere oase' (nergia generate de un camp electric este su&cienta pentru a stimula multipli electroni sa se plaseze in banda de conductivitate'

Materialele semiconductoare 3iliconul si germaniumul au &iecare cate 7 electroni in orbitalul lor e#terior' )cest lucru le da posibiliatea &ormarii unor cristale' In silicon, &orma cristalinului este o substanta arginitie si asemanatoare metalului' Cu toate astea, nu este un metal' Metalele tind sa &ie buni conductor pentru ca au electroni liberi care se pot deplasa cu usurinta intre atomi iar electricitatea implica debitul electronilor'

In structura siliconului, toti atomii se leaga de alti patru atomi prin legaturi covalente, nelasand nici o pozitie libera pentru a conduce curentul electric' Din aceasta cauza cristalul de silicon este izolant si nu conductor de electricitate' 4oate lucrurile acestea pot &i schimbate ptrintr-un process numit dopare' Doparea siliconului pentru a crea silicon de tipul n sau p' Procesul de dopare rezulta in obtinerea siliconului de tip n sau p' Consta in introducerea unui atom al altui element in cristalul siliconului pentru a ii altera proprietatile electrice' 8Dopantul9are electroni de valenta : sau ;, siliconul are valenta 7 3ubstituind un atom de &os&or cu electroni cu valenta ; pentru un atom de silicon intr-un cristal, ramane un atom in plus, lipsit de legatura care este relativ liber sa circule' 3ubstituind un atom de bor cu electroni de valenta : pentru un atom de silicon intr-un cristal, ramane o pozitie libera care e relative libera sa circule' Cand un atom dopant cu valenta mai mica decat patru este substituit intr-o strucura de silicon, se creeaza o gaura in structura si nivel de energie se creeaza deasupra benzii de valenta' (ste nevoie de putina energie pentru a stimuli ori&iciile sa se miste' Intrinsec si e#trinsic 3emiconductoarele sunt &ie intrinsece sau e#trinsece' Intr-un semiconductor intrinsic, n si pa sunt determinate de electronii si ori&iciile generate termal' 3emicondutorul e#trinsic este rezultatul adaugarii de dopanti' Concentratia purtatorilor este controlata de dopare' Materialele dielectrice' Cand un volta este aplicat asupra unui capacitor, o placa primeste sarcina pozitiva iar cealalta sarcina negative' $n capacitor este asemanator cu o baterie, in seunsul in care amandoua pastreaza energie electrica' Densitatea saricinii de pe supra&ata, D, sau sarcina - aria unei placi de capacitor (C-m<%, este proportional cu camul electric' D , 8E. Capacitoarele cu placi paralele Pentru un capacitor cu placi paralele cu un gol in regiunea dontre placi, capaitatea electrica este calculate prin C , 90 A/l

I-distanta dintre placi )-aria placilor 90 - perimiti$itatea golului - :.:; ) 0<

./m

Pentru un capacitor cu material dielectric in spatial dintre placi, capacitatea electrica este calculata din C , 90 9r A/l $nde 8 este permiti$itatea materialului dielectric. *ermiti$itatea relati$% este 8r = 8 / 80 In teorie, dielectrica poate &i orice substanta non-conductiva' Depinzand de marimea si tipul dielectricului, unele capacitoare sunt mai bune pentru &recvente mai inalte, in timp ce altele sunt mai bune pentru e#punerea la volta mai mare' 4ipurile de capacitoare Potentialul de depozitoare a unui capacitor se masoara in &ara %' C = Q / V un capacitor cu un &arad care poate depozita un columb de sarcina (=% la un volt (+% $n columb este >'<; # ?@?A electroni $n amp reprezinta rata debitului de electroni de ? columb de electroni per secunda )parate Cea mai comuna metoda de dopare (pentru a &ace o onctiune p-n% este sa pui un strat de silicon cu &os&or si apoi sa incalzesti supra&ata' )tomii de &os&or di&uzeaza in silicon' 4emperatura se reduce apoi aducand rata de di&uzie pana la @' )lte metode de a introduce &os&or in silicon includ di&uzia gazoasa, un lichid dopant prin process de pulverizare si o tehnica unde ionii de &os&or sunt condusi cu e#actitate in supra&ata de silicon' 3iliconul de tip n dopat cu &os&or nu pot &orma un camp electric singur, este necesar siliconul de tip p' 6orul, cu electroni cu valenta :, este &olosit pentru doparea cu silicon de tip p' 6orul se introduce in timpul procesarii siliconului, cand siliconul este puri&icat' Cand un atom de bor ia pozitia unui atom de silicon in structura cristalului, ramane un ori&iciu cu sarcina pozitiva in plus, una dintre legaturi va avea un electron lipsa' *edresarea onctiunii p-n Permite miscarea electronilor doar intr-o singura directive (&olositor in schimbarea curentului alternative cu cel direct %

Procesarea" di&uzarea unui atom de tip P intr-un cristal de tip B Conctiunea bipoara a tranzistoarelor' Materialele de tip B si P pot &i impreunate pentru a &orma &ie o onctiune PBP, &ie una BPB' )ceste sisteme sunt bipolare, atat electronii cat si ori&iciile &iind implicate in caracteristicile electrice' Intr-un sDstem PBP, ori&iciile sunt emose din emitator si trec printr-o baza subtire pentru a a unge la collector' Intr-un sDstem BPB, electronii sunt emisi din emitatorsi trec prin baza pt a a unge la collector' 3uperconductori 3uperconductorii conventionali poarta curentul electric &ara pierderi de energie dar numai la o dimensiune scazuta, apropiata de @' Cand curentul trece printr-un conductor obisnuit o parte din energie se pierde, (lectronii superconductor trec &ara piedici prin structura comple#a' .ra&enul )re proprietati special ale electronilor, cu dimensiunea si scara reduse, are un enorm potential de a &i &olosit in timp record' )re conductivitate mare, iar purtatorii sai de sarcina (electronii si ori&iciile% se misca printr-un solid cu masa egala cu ?@ si viteza constanta, precum &otonii' *ata scazuta intrinseca de dispersie datorita de&ectelor implica posibilitatea aparitiei unui nou &el de electronice, bazate pe manipularea electronilor in valuri, mai mult decat in particule' Prima di&icultate tehnica a &ost controlul transportului purtatorilor de sarcina electrica' Materialele piezoelectrice Piezoelectricitatea -apli#area presiunii induce volta ul -aplicarea volta ului induce schimbarea dimensiunilor Piezoelectricitatea este abilitatea unor material (cristale si anumite ceramic, incluzand osul% sa genereze un potential electric ca reactive la presiunea mecanica aplicata )st&el s-ar putea separa sarcinile electrice de-a lungul structurii de cristal' Daca materialul nu e scurt circuitat, schimbarea aplicata induce volta ul asupra materialului' Cuvantul deriva din greaca si inseamna a presa'

Ina&ara de E()D 4ennis, aceste sisteme inteligente au &ost &olosite numai in scop militarD si constructiilor de avioane, sateliti si automobile' 8intelli&ibra9 E()D trans&orma energia mecanica de la impactul mingei ntr-un raspuns electric care rigidizeaza racheta pentru mai multa putere' *ezumat Conductivitatea si rezistivitatea electrica sunt " -parametri materiali -independente de geometrie Conductorii, semiconductorii si izolantii -di&era in valorile conductivitatii -di&era in discponibilitatea de pozitii pentru electroni stimulati Pentru metale, resistivitatea este crescuta de -cresterea temperaturii -aditia de imper&ectiuni -de&ormarea plastic Pentru semiconductorii puri, conductivitatea este crescuta de -cresterea temperaturii -dopa )lte caracteristici electrice -superconductorii -piezoelectricitatea +ariatia temperaturii conductivitatii si concentratiei de purtatori 4emperatura cauzeaza electronii sa &ie mutati in banda de conductive si din nivelul de donator sau ori&icii la nivele de primitori' Depenenta conductivitatii de temperature e ca alte procese activate termic' s = A exp(Eg/2kT) unde ) este constanta La temperatura oasa, semiconductorii e#trinseci au conductivitate mai mare decat cei intrinseci'