Sunteți pe pagina 1din 26

DE

Capitolul II
FIZICA SEMICONDUCTORILOR
2.6 Fenomene de transport
2.1 Clasificarea materialelor solide n funcie de rezistivitate
2.2 Benzi de energie n semiconductori
2.3 Electroni i goluri
2.4 Semiconductorul la echilibru termic
2.5 Semiconductor intrinsec. Semiconductor extrinsec
2.7 Generarea i recombinarea e
-
i e
+
2.8 Ecuaiile de baz ale dispozitivelor semiconductoare
DE
+4 +4 +4
+4
+4 +4
+4
+4
+4
2.1 Clasificarea materialelor solide n funcie de rezistivitate
Atom de Si
Leg. covalent
Fig. 2.1 Structura cristalin a Si
DE
(a) ruperea de legturi covalente
(b) ocuparea golului lsat de un alt electron dintr-o alt legtur covalent;
micarea unui gol n sens invers
Fig. 2.2a
2.1 Clasificarea materialelor solide n funcie de rezistivitate
+4
+4
+4
+4
(b)
(a)
T > 0
DE
2.2 Benzi de energie n semiconductori
Fig. 2.2b
E
0
nivel zero
banda de conducie - BC
banda interzis
banda de valen - BV
2.2 Benzi de energie n semiconductori
DE
Fig. 2.3a
E
V
energia potenial a e
+

2.3 Electroni i goluri


E
C
energia potenial a e
-

E
G
= E
C
- E
V
energia benzii interzise
e
n
e
r
g
i
a

e
-

e
n
e
r
g
i
a

e
+

Diagrama energetic
Energia cinetic a e
-
de energie E : E - E
C

Energia cinetic a e
+
de energie E : E
V
- E
E
E
DE
Fig. 2.3b
la T = 0 K nivelele energetice situate sub nivelul Fermi sunt ocupate, iar
cele peste E
F
sunt libere
2
1
F
E
E
n
f
1
2.3 Electroni i goluri
la T > 0 K funcia de probabilitate nu mai variaz abrupt
DE
Tabelul 2.1
Semi conductorul E
G
(eV) n
i
(cm
-3
)
Si 1,1
1,50 10
10

Ge 0,67
2,40 10
13

GaAs 1,43
1,79 10
6


2
E E
N
N
ln
2
kT
2
E E
E
V C
V
C V C
i
+
~ +
+
=
E
F
E
i
e situat la mijlocul benzii interzise
(2.7a)

2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
DE
Diagrama energetic a semiconductorului intrinsec la echilibru termic
Fig. 2.5a
E
C


E
V


E
i
= E
F

2
G
E
~
2
G
E
~
2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
(2.3c)
|
.
|

\
|

=
kT
E E
exp n p
F i
i 0
(2.3d)
|
.
|

\
|

=
kT
E E
exp n n
i F
i 0
DE
e
-
+4 +4 +4
+4
+5 +4
+4
+4
+4
Fig. 2.5b
2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
DE
Exemplu: N
D
= 10
16
cm
-3
, pentru Si la 300K (n
i
= 1,510
10
cm
-3
)
n
0
~ 10
16
cm
-3
, p
0
~ 2,2510
4
cm
-3

D
C
F C
N
N
ln kT E E =
(2.9a)
n
0
>> p
0
(cu multe ordine de mrime)

2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
E
C
E
F
< E
F
- E
V
din (2.3a) i (2.8b)
semiconductor de tip n
DE
procesul (a) - ionizarea impuritilor
procesul (b) - ruperea legturilor covalente
Diagrama energetic a semiconductorului n
(a)
(a)
(a)
(a)
(a)
E
D

E
C

E
V

E
F

Fig. 2.5c
(b)
E
i

2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
DE
Semiconductorul de tip p
Se obine prin doparea cu impuriti trivalente, de exemplu: B, Ga, In.
Condiia de neutralitate:
p n N
A 0 0
= +
(2.8c)
n
n
N
i
A
0
2
~
(2.8d)
p N
A 0
~
p
0
>> n
0
(cu multe ordine de mrime) semiconductor de tip p


2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
DE
+4 +4 +4
+4
+3 +4
+4
+4
+4
Fig. 2.5b
2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
DE
procesul (a) - ionizarea impuritilor
procesul (b) - ruperea legturilor covalente
(a)
(a)
(a)
(a)
(a)
E
A

E
C

E
V

E
i

Fig. 2.5e
(b)
E
F

2.5 Semiconductor intrinsec/extrinsec
Diagrama energetic a semiconductorului p
DE
2.6 Fenomene de transport
-
=
n
th
m
kT 3
2
v
vitez termic
2.6 Fenomene de transport
Fig. 2.6a
J=0
DE

(b)
E
F

E
c

E
v

(c)
Fig. 2.6b
2.6.1 Curenii de cmp
DE
Mobilitatea electronilor i golurilor
Tabelul 2.2
400 8500 GaAs
1900 3900 Ge
500 1250 Si

Semiconductorul
T = 300K
cm
V s
2

|
\

|
.
|
n

p

cm
V s
2

|
\

|
.
|
Dependena de material
2.6.1 Curenii de cmp
DE
Fig. 2.6c
N
T
[cm
-3
]

n
,
p

[cm
2
/Vs]
10
3
5
2
10
2

5
2
10

10
14
10
16
10
18
10
20
Si
300K
e+
e-
Dependena de doparea total,

A D T
N N N + =
2.6.1 Curenii de cmp
DE
[V/cm]

n
,
p

[cm/s]
10
7

5

2

10
6


5

10
2
2 5 10
3
2 5 10
4
2 5 10
5
Siliciu
300K

p

Fig. 2.6d
Dependena experimental a vitezelor de drift de cmpul electric

2.6.1 Curenii de cmp
DE
Rezistivitatea

[ cm]
N
D
, N
A
[cm
-3
]
10
2
10

1

10
-1
10
-2
10
-3


10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
10
21
Siliciu
300k
tip n
tip p
Fig. 2.6e
( )
p n
p n q
1

+
=
2.6.1 Curenii de cmp
DE
I II III

T
300K
Dependena rezistivitii de temperatur
Fig. 2.6f
Zona I : cresc concentraiile de purttori majoritari prin ionizarea impuritilor.
Zona II : concentraiile de majoritari practic constante; scade mobilitatea.
Zona III : cresc concentraiile de purttori datorit generrii de perechi electron-gol
prin ruperea de legturi covalente.
2.6.1 Curenii de cmp
DE
2.6.2 Cureni de difuzie
Bar semiconductoare cu temperatur constant i o distribuie neuniform
impuriti pe direcia x

n
0
(
c,n
)
x

c,n
-
c,n
n
0
(-
c,n
)
n
0
(0)
n
0
(x)
Fig. 2.6g
2.6.2 Cureni de difuzie
DE
Generarea e
-
Fig. 2.7a
E
V
E
t
E
C
2.7 Generarea i recombinarea e- i e+
DE
Generarea e
+`
Fig. 2.7b
E
V
E
t
E
C
2.7 Generarea i recombinarea e- i e+
DE
Recombinarea e
-
Fig. 2.7c
E
V
E
t
E
C
2.7 Generarea i recombinarea e- i e+
DE
Recombinarea e
+
Fig. 2.7d
E
V
E
t
E
C
2.7 Generarea i recombinarea e- i e+