Dioda semiconductoare

Grupa:322AA Studenti: Ionescu Marius Florian Ivanusca Vlad Popa Bogdan Predescu Mircea Alexandru

1. Montaj lucrare de laborator:

Montaj principal unde : D1 - 1N4148 (dioda din siliciu, de viteza) (borna 9 este anodul); D2 - EFR 135 (dioda redresoare din germaniu) (borna 10 reprezinta anodul); D3 - 1N5819 (dioda Schottky) (borna 11 reprezinta anodul); D4 - BZX 85 C5V6 (dioda stabilizatoare de tensiune) (anodul este borna 2). LR - LED ros,u (anodul la borna 13); LG - LED verde (anodul la borna 14); LB - LED albastru (anodul la borna 15). Conectarea bornelor pentru sursa de curent: +18 V la borna 3, borna 1 la masa . Pentru realizarea montajului, sursa de curent (borna 4) se conecteaz la borna "+" a miliampermetrului, borna "-" a miliampermetrului la "+"-ul diodei (bornele 9, 10, 11, 13, 14, 15). Borna 2 se cupleaza la masa (borna 1). Voltmetrul se conecteaz intre borna "+" a diodei si masa (borna 1).

Montaj de baza:

Montaj utilizat pentru ridicarea caracteristicilor directe a diodelor

Valori obtinute experimental:

I(mA) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 USi (V) 0.58 0.61 0.64 0.66 0.70 0.74 0.78 0.84 UGe (V) 0.01 0.02 0.04 0.06 0.10 0.15 0.18 0.22 USch (V) 0.21 0.23 0.27 0.28 0.29 0.32 0.33 0.36 UZ (V) 0.64 0.68 0.71 0.73 0.75 0.77 0.78 0.80 ULR (V) 1.70 1.75 1.80 1.82 1.84 2.00 2.10 2.18 ULG (V) 2.05 2.10 2.12 2.18 2.22 2.30 2.35 2.50 ULB (V) 3.10 3.50 3.60 3.80 3.90 4.00 4.10 4.40

2.

La curentul I9 = 5 mA se incalzeste (cu mana) dioda 1N4148 si se constata, calitativ, modicarea tensiunii directe pe dioda. Daca temperatura creste, aceasta tensiune are tendinta sa scada, aceasta luand valori intre 0.66 V s,i 0.67 V. Datorita regiunii de rezistenta negativa, instabilitatea termica nu este de dorit in stabilizatoarele de tensiune si ea trebuie evitat .

3. Caracteristicile statice ale diodelor la scara semilogaritmica:

(a) Dioda de siliciu

(b) Dioda de germaniu

(a) Dioda Schottky

(b) Dioda Zener

(a) Dioda Led R

(b) Dioda Led G

(a) Dioda Led B

Siliciu
1

Germaniu
1

Schottky
1

Zener
1

Led R
1

Led G
1

Led V
1

I0(mA)

7.3 *

10

1.5*

10

8.1*

10

6.9*

10

12

3.9*

10

2.5*

10

12

4.3*

10

1.84

1.64

1.07

1.10

3.70

3.17

8.43

Listing 1: Codul MATLAB aferent determinarii caracteristicilor statice ale diodelor

4.1

Caracteristicile la scara liniara, pe acelasi grafic, pentru cele 7 diode E = 5V; R = 1k

Determinarea punctului static de functionare a diodei de siliciu, utilizand datele experimentale :

M UD(V ) 0.745 ID(mA) 4.254

Compararea rezistentelor dinamice obtinute pe cale teoretica si din grafica:

Valoarea rezistentei dinamice obtinuta pe cale teoretica este :

Valoarea rezistelor dinamice obtinute pe care grafica:

4.2
Montaj de baza

Circuit pentru determinarea PSF E = 5V; R1 = 1k

Valori masurate :
U
D

ID

Siliciu 0.65 4.42

Germaniu 0.14 5.05

Schottky 0.26 4.70

Zener 0.75 4.38

R 1.72 3.45

G 1.61 3.18

B 3.32 2.50

5.1
Schema montajului

Montaj pentru masurarea curentului invers

Concluzii:
Se observa ca intensitatea curentului prin dioda la polarizare inversa creste foarte incet, fiind limitata de valoarea curentului de saturat,ie I0.

E (V) 0 -5 -10 -20

ID (mA)
0 0.14 0.22 0.30

5.2
Schema montajului

Montaj pentru determinarea caracteristicii diodei Zener

Tabel cu valori experimentale :

ID (mA) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50
U
Zener

(V)

4.30 4.74 5.00 5.30 5.40 5.50 8.00 8.00 8.00

Caracteristica directa si inversa a diodei Zener :

Caracteristica directa si inversa a diodei Zener