Ministerul Educaiei din Republica Moldova Universitatea Tehnica a Moldovei Facultatea de Inginerie i Management n Electronic i Telecomunicaii Catedra Telecomunicaii

Referat
La lucrarea de laborator Nr. 3 Tema : Tranzistoare cu efect de cimp La disciplina : Tehnica Microundelor

A efectuat studentul gr. TLC-122 A verificat lec. univ.

Stancov M.

Iov V.

Chiinu 2013

1.Scopul lucrrii : 1.1 Familiarizarea cu principiul de functionare a tranzistorului cu efect de cimp ; 1.2 Parametrii de baz,utilizarea tranzistorului n circuite electronice ; 2.Teoria lucrrii :

TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP Prezentare general

Tranzistorul cu efect de cmp a aprut pe pia n anii 60, dup tranzistorul bipolar cu jonciuni, deoarece tehnologia lui de fabricaie a fost mai greu de pus la punct. Dac pentru tranzistorul bipolar cu jonciuni se folosete notaia TBJ, pentru tranzistorul cu efect de cmp se folosesc notaiile TEC Tranzistor cu Efect de Cmp sau FET Field Effect Transistor. La TEC conducia este asigurat de un singur tip de purttori de sarcin, electroni sau goluri, acetia fiind purttorii majoritari. De aceea, acest tranzistor se mai numete i tranzistor unipolar sau dispozitiv cu purttori majoritari. Tranzistorul cu efect de cmp are ca principiu de funcionare efectul de cmp, adic controlul valorii curentului prin tranzistor se obine cu un cmp electric care modific conducia cii de trecere a curentului prin dispozitiv. Calea de trecere se numete canal i este partea activ a unui TEC. TEC poate fi de dou feluri din punctul de vedere al tipului de canal: 1) Cu canal n atunci cnd curentul prin dispozitiv este asigurat de electroni ca sarcini electrice; 2) Cu canal p atunci cnd curentul prin dispozitiv este asigurat de goluri ca sarcini electrice. Cmpul ce controleaz valoarea curentului prin dispozitiv este creat de o tensiune aplicat ntre dou terminale ale tranzistorului, dintre care unul este terminalul de control care se numete poart sau gril. TEC este un dispozitiv electronic comandat n tensiune, spre deosebire de TBJ care este comandat n curent.

Tranzistoarele cu efect de cmp se mpart n dou categorii dup modul n care se controleaz valoarea curentului prin canal: o Tranzistoare cu efect de cmp cu jonciuni (TECJ) sau Junction Field Effect Transistor (JFET); o Tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (MOSFET). MOS corespunde denumirii de Metal Oxide Semiconductor, deoarece electrodul de comand al tranzistorului este constituit dintr-un strat de metal separat de semiconductor printr-un strat izolator foarte subire din oxid de siliciu. Tranzistoarele MOSFET reprezint n prezent componentele de baz din circuitele integrate dedicate electronicii numerice. Prezentarea pe larg a MOSFET poate fi gsit n [? EEE-Steriu, ? DCE-Dnil, ? E-Vasilescu]. n continuare se vor trata numai tranzistoarele cu efect de cmp cu jonciuni (TECJ sau JFET).

4.1. Principiul de funcionare al tranzistorului cu efect de cmp cu jonciuni

Simbolurile utilizate pentru reprezentarea tranzistorului cu efect de cmp cu jonciuni n schemele electronice sunt artate n figura 4.1.
D G S G S D

Canal n Fig. 4.1.

Canal p

Cele trei terminale ale tranzistorului se numesc dren (D), surs (S) i gril (G).

Structura unui TECJ este reprezentat n figura 4.2 a, unde s-a considerat un TECJ cu canal n. Aceast figur este util pentru nelegerea funcionrii TECJ.
Zona de sarcin spaial G
p p

D n G UDS

ID

a)
UGS +

n
n S D
n

Zona de sarcin spaial G

ID

G
p p

+ UDS

b)
UGS +

Fig. 4.2. Un TECJ poate fi privit, ca i un TBJ, ca fiind alctuit din doi dipoli: 1. dipolul gril-surs (G-S) care joac rolul unui dipol de comand. Prin grila TECJ circul un curent de intensitate mic, de ordinul nanoamperilor.

2. dipolul dren-surs (D-S) care joac rolul unui dipol comandat de ctre dipolul gril-surs. Dipolul dren-surs implic cureni mult mai mari dect cei de gril. Curentul de dren ID este dat de electronii care se deplaseaz de la surs spre dren atunci cnd tensiunea dren-surs UDS este pozitiv. Grila corespunde zonelor de tip p care mrginesc zona n i care sunt legate electric mpreun prin exterior. Limea efectiv a canalului depinde de extinderea celor dou zone de sarcin spaial, deci de tensiunea UGS aplicat. Jonciunile gril-canal se polarizeaz invers i de aceea curentul de gril este extrem de mic, practic neglijabil, ceea ce reprezint unul din principalele avantaje ale TECJ. Atunci cnd tensiunea UGS = 0, tranzistorul este deschis i curentul ID are o anumit valoare. Dac tensiunea invers aplicat ntre gril i canal crete n valoare absolut, atunci zonele de sarcin spaial se extind mai mult, limea efectiv a canalului scade i n consecin rezistena acestuia crete (fig. 4.2 b). Dac tensiunea UDS se menine constant (alimentarea circuitului se face din surs de tensiune continu stabilizat), atunci curentul ID se micoreaz. Aceasta este manifestarea efectului de cmp la TECJ. Pentru o anumit valoare a tensiunii UGS , numit tensiune de prag UP a tranzistorului, cele dou zone de sarcin spaial se ntlnesc (fig. 4.2 b), canalul dintre surs i dren dispare i curentul de dren ID = 0. Nu se recomand ca tensiunea UGS s devin pozitiv. Rezult c dipolul dren-surs al TECJ se comport ca o rezisten variabil, a crei valoare depinde de tensiunea de comand UGS aplicat. Tranzistorul poate fi utilizat ca amplificator deoarece, ca i n cazul TBJ, pentru variaii mici ale mrimii de comand UGS au loc variaii mari ale mrimii comandate ID . Se poate afirma c TECJ este n conducie maxim atunci cnd UGS = 0. Observaie: pentru TECJ cu canal p funcionarea este similar, dar sensul curentului ID i polaritile tensiunilor trebuie schimbate.

4.2. Conexiuni fundamentale ale tranzistorului cu efect de cmp

Conexiunile fundamentale ale tranzistorului cu efect de cmp n montajele electronice sunt urmtoarele: surs comun (SC), dren comun (DC) i gril comun (GC) (fig. 4.3).
D G G S S D D G G S S D

SC

DC Fig. 4.3.

GC

TBJ E emitor B baza C colector

TECJ S sursa G grila D drena

Fig. 4.4. Se poate face o analogie cu conexiunile fundamentale ale tranzistorului bipolar cu jonciuni (EC, CC i BC) dac fiecruia din cele trei terminale ale tranzistorului cu efect de cmp asociem electrodul corespunztor de la cellalt tip de tranzistor (fig. 4.4).

4.3. Caracteristici statice ale tranzistorului cu efect de cmp cu jonciuni

Caracteristicile statice ale tranzistoarelor cu efect de cmp reprezint modul de variaie a curentului de dren ID n funcie de tensiunile dren-surs UDS i gril-surs UGS. Cele mai utilizate caracteristici statice sunt caracteristicile . de ieire I f (U DS ) i caracteristicile de transfer I f (U GS )
D U GS ct . D U DS ct.

ID [mA] IDSS UGS = 0

UGS = -1V UGS = -2V

UGS [V]

UP

-2

-1

UDS [V]

Fig. 4.5. n figura 4.5 s-au reprezentat trei caracteristici statice de ieire din familia de caracteristici a TECJ (partea din dreapta) i o singur caracteristic static de transfer (partea din stnga). Se poate remarca asemnarea caracteristicilor statice de ieire ale TECJ cu cele ale TBJ, cu remarca c aici mrimea de comand nu mai este un curent ci o tensiune. Poriunea din caracteristica static unde curentul de dren atinge un palier se numete zon de saturaie, iar poriunea corespunztoare valorilor reduse ale UDS se numete zona ohmic sau zona nesaturat. Dac se crete mult valoarea tensiunii UDS atunci TECJ se poate strpunge. Valoarea maximal a curentului de dren, obinut cu tensiunea UGS = 0, se noteaz IDSS i este de obicei de ordinul a civa miliamperi. n notaia

curentului de dren IDSS semnificaia simbolurilor utilizate este urmtoarea: primul S corespunde la surs comun, iar cel de-al doilea S corespunde la scurt circuit deoarece se scurtcircuiteaz grila prin legarea ei la surs. Tensiunea de prag UP i curentul IDSS sunt cei doi parametri caracteristici ai TECJ. n zona de saturaie, curentul de dren este dat de relaia teoretic urmtoare: I D I DSS
2 U GS 1 . U P

(4.1)

Pentru TECJ cu canal p tensiunile de polarizare i curentul de dren sunt inversate n raport cu cele pentru TECJ cu canal n.

4.4. Polarizarea tranzistorului cu efect de cmp

Polarizarea cea mai simpl i mai economic a unui TECJ se poate asigura cu ajutorul montajului din figura 4.6, care conine o singur surs de alimentare +ED . Rezistena RG , care poate s aib o valoare orict de mare dorim, fixeaz potenialul grilei la zero (la TECJ curentul de gril este nul).
+EC ID RD ID IDSSmax

Q'
UDS UGS RG RS UPmax UPmin UGS IDSSmin

Fig. 4.6.

Fig. 4.7.

n surs se pune rezistena RS care asigur polarizarea invers a jonciunii gril-surs. La acest tip de tranzistor IG = 0, deci prin RG nu trece curent i nu va exista cdere de tensiune la borne. Se aplic teorema II a lui Kirchhoff pe ochiul de circuit format din jonciunea gril-surs, RS i RG i se obine
UGS RS I D

(4.2)

relaie care reprezint ecuaia dreptei de polarizare. Punctul de lucru Q al montajului este situat la intersecia caracteristicii de transfer a tranzistorului cu 1 dreapta de polarizare de pant tg (vezi figura 4.7). Dac se alege RS RS mic, atunci unghiul este mare i implicit ID poate varia mult. Dac se alege RS mare, atunci unghiul este mic i implicit ID poate varia puin. Deci alegnd RS de valoare mare se asigur stabilizarea punctului static de funcionare a tranzistorului. Se face precizarea c la TECJ cea mai important variaie a punctului static de funcionare se datorete dispersiei parametrilor tranzistorului (exist o plaje de variaie a parametrilor Up i IDSS .