Ministerul Educaiei al Republicii Moldova Universitatea Tehnic din Moldovei

Raport
La lucrarea de laborator Nr.1 la Electronic
la Tema: Studierea diodelor semiconductoare

A realizat:

st. gr. AI-121: Beju Dinu Niculit N.

A verificat:

Chiinu 2013

Scopul lucrrii: Ridicarea caracteristicilor Volt-Amperice si determinarea parametrilor de baz a diodelor semiconductoare Schemele electrice:

Fig. 1 Schema polarizrii directe

Fig. 2 Schema polarizrii inverse

Tabelele msurrilor:
Tabelul 1. Tabelul pentru cazul polarizrii directe Udir,V I,mA VD1 VD2 VD3 VD4 0.1 0.4 0 0 0 0.2 4.44 0 0 0 0.3 30 0 0 0 0.35 78.4 0 0 0 0.6 1.20 0.08 0.01 0.7 0.75 0.78 1.5 1.6 1.7 10.1 26 40.5 3.46 28.5 70 0.02 0.03 0.04 1.15 3.65 15.30 Tabelul 2. Tabelul pentru cazul polarizrii inverse 4 50 0 4.4 83.4 6 61.2 0.01 7.82 94.2 7 86.7 0.03 10.9 107.1

Uinv,V I,mA VD1 VD2 VD3 VD4

0 0.06 0 0 0

2 24.5 0 2.0 24.5

3 45.8 0 3.0 47

Calcularea parametrilor diodelor:

1) Polarizarea direct a) VD1 U1 = 0.2 V U2 = 0.35 V U = 0.15 I1 = 4.44 A I2 = 78.4 A I = 73.96 Rd = U/ I = 0.15 / 73.96 = 0.002
b) VD2

U1 = 0.6 V U2 = 0.75 V U = 0.15 I1 = 1.2 A I2 = 26 A I = 24.8 Rd = U/ I = 0.15 / 24.8 = 0.006

c) VD3

U1 = 0.6 V U2 = 0.75 V U = 0.15 I1 = 0.08 A I2 = 28.5 A I = 28.42 Rd = U/ I = 0.15 / 28.42 = 0.005

c) VD4

U1 = 0.6 V U2 = 0.75 V U = 0.15 I1 = 0.01 A I2 = 0.03 A I = 0.02 Rd = U/ I = 0.15 / 0.02 = 7.5 2) Polarizarea invers a) VD1 U1 =6 V U2 = 7 V U = 1 I1 = 61.2 A I2 = 86.7 A I = 25.5 Rd = U/ I = 1 / 25.5 = 0.039
b) VD2

U1 =6 V U2 = 7 V I1 = 0.01 A I2 = 0.03 A Rd = U/ I = 1 / 0.02 = 50

c) VD3

U = 1 I = 0.02

U1 =6 V U2 = 7 V U = 1 I1 = 7.82 A I2 = 10.9 A I = 3.08 Rd = U/ I = 1 / 3.08 = 0.324

c) VD4

U1 =6 V U2 = 7 V U = 1 I1 = 94.2 A I2 = 107.1 A I = 12.9 Rd = U/ I = 1 / 12.9 = 0.077

Caracteristicile volt-amperice:

POLARIZAREA DIRECTA
I, mA (VD1) 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0
0.1 0.2 0.3 0.35 0.6 0.7 0.75 0.78 1.5 1.6 1.7

I, mA (VD2)

I, mA (VD3)

I, mA (VD4)

POLARIZAREA INVERSA
I, A (VD1) 120 100 80 60 40 20 0
0 2 3 4 6 7

I, A (VD2)

I, A (VD3)

I, A (VD4)

Concluzie:
n aceasta lucrare de laborator am ridicat caracteristicile curent-tensiune pentru patru diode diferite. Am determinat din ce sunt confectionate diodele dup parametrii ei de baz pe care i am determinat din aceast caracteristic. Am lucrat cu dioda VD1 care este confectionat din siliciu i dioda VD2 care este confectionat din germaniu. Datorit faptului c, la Ge Eg este mai mic (Eg=0,67 eV), curentul crete la tensiuni mici, n comparaie cu Si la ca re Eg este mai mare (Eg=1,12 eV). Totodat creterea curentuluieste influienat de temperatur, adic cu creterea temperaturii crete i curentul.Am studiat dioda a treia Zener i dioda a patra fotoluminiscent.Am observat ca diodele au diferite particularitai si indic parametri diferii.