25.12.

2013
Capitolul V
TRANZI STORUL BI POLAR

DCE 1
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relatii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1
5.1 I ntroducere
B C E
i i i + =
0 v v v
CB EC BE
= + +
(5.1a)
(5.1b)
i
B
i
C
i
E
C

E

B

npn

i
B
i
C
i
E
C

E

B

pnp

Simboluri - relaii fundamentale
Fig 5.1a
DCE 1
E

w
E0
w
B0
w
C0
w
C
x
dC
w
B
x
dE
w
E
B

C

RSS JE

RSS JC

n N
D,E
n N
D,C
p
N
A
Fig. 5.1b
5.1 I ntroducere
Structura ideal
DCE 1
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relatii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1
E

w
B
B

C

RSS JE

RSS JC

(n)

(n)

(p)

Fig. 5.2a
+
+
-
-
v
BE
v
CB
i
E
i
B
i
C
E
JC
5.2 Efectul de tranzistor
Tranzistorul in RAN
DCE 1
E

w
B
B

C

RSS JE

RSS JC

(n)

(n)

(p)

Fig. 5.2b
+
+
-
-
v
BE
v
CB
i
E
i
B
i
C
5.2 Efectul de tranzistor
Baz groas
DCE 1
5.2 Efectul de tranzistor
Baz groas
B
E
C
+ + -
-
v
BE v
CB
i
C
i
E
Fig. 5.2c
DCE 1
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1
SATURAIE
RAN = RAD
RAI
BLOCARE
0 v , 0 v
BC BE
> <
0 v , 0 v
BC BE
> >
0 v , 0 v
BC BE
< < 0 v , 0 v
BC BE
< >
BC
v
BE
v
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
Fig. 5.3
DCE 1
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1
E 0 CB
i I <<
E F C
i i o ~
0 v E
C
F
BC
i
i
s
= o
Factorul de amplificare static, n curent, RAN, conexiunea baz comun (BC)
(5.11a)
Fig. 5.4a
(5.11b)
i
C
-i
E
C

E

BC

B

B

+
v
EB

+
v
CB

Q

B

5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
DCE 1
Fig. 5.4b
i
C
i
B
C

EC

E

E

+

v
BE


+


v
CE




Q

B

E

5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
BE CE
v v
B
C
F
i
i
>
= |
Factorul de amplificare static, n curent, RAN, conexiunea emitor comun (EC)
DCE 1
Factorul de amplificare static, n curent,RAI, conexiunea colector comun (CC)
BC EC
v v B
E
R
i
i
>

= |
Fig. 5.4c
-i
E
i
B
E

CC

C

C

+

v
BC


+


v
EC




Q

B

C

5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
DCE 1
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1
+V
CC
SATURAIE

Aplicaii
V
CC
+V
BC
0V

C

E

B

V
CE
0

ON

I
C
0
OFF

BLOCARE
COMUTATOR ON COMUTATOR
OFF
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
Fig. 5.5
DCE 1
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1




Circuitul echivalent al tranzistorului npn n regim staionar
Fig. 5.6a
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
R
EC
I
|
F
CC
I
|
I
E
I
C
B
E
C
I
CC
- I
EC
V
BE
V
BC
+
-
-
I
B
DCE 1




Circuitul echivalent al tranzistorului pnp n regim staionar
Fig. 5.6b
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
I
EC
I
CC
F
CC
I
|
R
EC
I
|
V
EB
V
CB
I
E
I
C
B
E
C
-
+
+
I
B
DCE 1
Circuit echivalent pentru npn n RAN
Fig. 5.6c
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
I
B
V
BE
|
|
.
|

\
|
+ =
F
C E
1
1 I I
|
B
E
C
+
+
-
I
C
B F
th
BE
S CC
I
V
V
exp I I | = =
DCE 1
Fig. 5.6d
Circuit echivalent pentru npn n RAN - liniarizat
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
I
B
V
BE
E
I
B
E
C
+
+
-
I
C
B F
I |
+
-
V
CE
mA 10 A 10 I
C
=
BE
V = 0,65V V 1 , 0
DE
6. Circuitul echivalent de semnal mic, frecvente joase
(simplificat)
t
v g v g i
m be m c
= =
t
t
t
r r
v v
i
be
b
= =
Fig 5.6e
(5.13e)
i
b
v

= v
be
e
i
B
E
C
+
+
-
i
c
b F m
i v g |
t
=
v
ce
r

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
t
r
v
v g i
be
be m e
+ =
DE


c) Capacitatea de barier a JE (C
j,E
)
Q
BE
E , J
E , j
dv
dq
C =
( )
BE E , d
A E , D
A E , D
J E , J
v x
N N
N N
qA q
+
=
(5.18c)
( )
2 1
BE E , 0 B
E , D A
s
E , d
v
N
1
N
1
q
2
x
(
(

|
|
.
|

\
|
+ = u
c
Pentru o jonciune abrupt
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
E , d
J
Q
BE
E , J
E , j
x
A
dv
dq
C
c
= =
( )
E , j
m
E , 0 B
BE
E , j
E , j
V
1
0 C
C
|
|
.
|

\
|

=
u
(5.19b)
(5.19d)
oarecare JE
2
1
...
3
1
m
E , j
o pt. =
( )
2
1
E , 0 B
BE
E , j
E , j
V
1
0 C
C
|
|
.
|

\
|

=
u
(5.19c)
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
E , j E , J E , J
q Q q + =
be E , j E , j
v C q =
(5.18d)
( )
C , j
m
C , 0 B
BC
C , j
C , j
V
1
0 C
C
|
|
.
|

\
|

=
u
oarecare JC
2
1
...
3
1
m
C , j
=
(5.19e)
bc C , j C , j
v C q =
(5.18e)
d) Capacitatea de barier a JC (C
j,C
)
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
dt
dq
dt
dq
dt
dq
i
i
dt
dq
i i
dt
dq
dt
dq
1
1 i i
C , J E , J E , D
F
CC
B
C , J
CC C
E , J E , D
F
CC E
+ =
+ =
+
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
3. Ecuaii curent-tensiune
(5.13f)
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
E

B

C

Fig. 5.6f
+
+
-
-
v
BE
v
CB
i
E
i
C
i
B
RSS JE

RSS JC

(n)

(p)

x
dC
x
dE
i
CC
= -A
J
J
n
dt
dq
C , J

Componentele curenilor n RAN

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
dt
dq
E D,
F
CC
i
|
dt
dq
E , J

DE
( )
( )
dt
dv
C
dt
dv
C C v
g
i
dt
dv
C v g i
dt
dv
C C v
1
1 g i
bc
C , j
be
E , j E , d be
F
m
b
bc
C , j be m c
be
E , j E , d be
F
m e
+ + + =
=
+ +
|
|
.
|

\
|
+ =
|
|
(5.18c),(5.18d),(5.18e),(5.13f)
(5.13h)
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
4. Circuitul echivalent natural de semnal mic i frecvene nalte (simplificat)
Fig 5.6g
E , j E , d
C C C + =
t C , j
C C =

E
-
i
b
v

e
i
B
C
+
+
i
c
t
v g
m
v
ce
r

C

C

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
5.6.5 Tranzistorul ca amplificator
v
be
= dV
BE
v
BE
= V
BE
+ v
be


i
C
= I
C
+ i
c
i
B
= I
B
+ i
b
v
CE
= V
CE
+ v
ce



|
|
.
|

\
|
= =
th
BE
S CC C
V
V
I I I exp
F
C
B
I
I
|
=
V
CE
= V
CC
- R
C
I
C



V
CB
= V
CE
- V
BE
> 0 (RAN)

i
B
i
C
i
E
+V
CC
Q

~
+
-
v
be
+
-
V
BE
v
BE
R
C
+
-
v
CE
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
Tranzistorul ca amplificator
be C m c C ce
v R g i R v = =
i
b
i
c
~
+
-
v
be
R
C
+
-
v
i
+
-
v
ce
+
-
v
o
be m c
v g i =
be
F
be m
F
c
b
v g
v g i
i
t
| |
= = =
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
C m
be
ce
i
o
v
R g
v
v
v
v
A = = =
F
b
c
i
i
i
A | = =
F C m i v p
R g A A A | = =
Tranzistorul ca amplificator
~
+
-
v
be
+
-
v
i
e
i
i
c
i
b
B
E
C
( )
b o
be m
i
v g
|
(v
ce
)
r

R
C
+
-
v
o
(v
be
)
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
( ) t V v
be be
e sin =
Exemplu numeric
V
CC
= 10V

V
BE
= 0,65 V

R
C
= 2k

I
S
=1,02*10
-14
A

100 =
F
|
V
be
= 1,25 mV
mA I
C
2
025 , 0
65 , 0
exp = |
.
|

\
|
=
V
CE
= 10 2*2 = 6V
mA I
B
02 , 0
100
2
= =
mA I I I
B C E
02 , 2 02 , 0 2 = + = + =
( )
1
80 80 2 40

O = = = k
V
mA
g
m
( )
O =
O
=

k
k
r 25 , 1
80
100
1
t
mA I
c
1 , 0 10 25 , 1 80
3
= =

A A I
e
100 101 1 100 ~ = + =
V V
ce
2 , 0 1 , 0 2 = =
160
25 , 1
200
= =
v
A
100 =
i
A
16000 100 160 = = =
i v p
A A A
A
A
I
b

1
100
100
= =
Date
PSF
Amplitudinile semnalelor/amplificrile
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
=
(

|
|
.
|

\
|
1
V
v
exp w
2N
n
qA
th
BE
B
A
2
i
J
( ) | | = =
2
w
n 0 n qA q
B
p0 p J BF
n
2
B
BF F CC BF BF D,E
D 2
w
i q q = ~ = ~
, i 1
V
v
exp
w N
D n
qA
2D
w
CC BF
th
BE
B A
n
2
i
J
n
2
B
=
(

|
|
.
|

\
|
=
Expresia capacitatii de difuzie, C
d,E

m F
Q
BE
CC
CC
E , D
Q
BE
D,E
d,E
g
dv
di
di
dq
dv
dq
C = = = t
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
DE
) v ( x N qA q
BE e , d A J E . J
~
2
1
be BE E , 0 B A s J
)] v V ( N q 2 [ A + = | c
]
) V ( 2
v
1 [ )] V ( N q 2 [ A q
BE E , 0 B
be
2
1
BE E , 0 B A s J E . J

~
|
| c
), V ( v
BE E , 0 b be
<< |
2
x
1 x 1 ~ +
A E , D
N N >>
(5.2b)
Expresia capacitatii de bariera ,C
j,E

5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului

DCE 1
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1 25.12.2013
w
B
E

B

C

RSS JE

RSS JC

Fig. 5.7a
+ -
V
BE
+
-
V
CB
I
E
I
C
I
B
w
B
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
Modificarea limii zonei neutre a bazei (w
B
) prin variaia polarizrii JC.
5.7.1. Modularea grosimii bazei (efectul Early)
V
CB
w
B
w
B
DCE 1 25.12.2013
Fig.5.7b
|
F
|
FM
lg I
C
I III II
V
BC
0
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.7c
th
BE
V
V
B
C
I
I
ln
ln
I II III
FM
S
I
|
ln
S
I ln
S
I C
2
ln
KF S
I I ln
C
I ln
B
I ln
0 V
BC
s
panta 1/2
panta 1
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
KF
I ln
DCE 1 25.12.2013
- caracteristica de intrare : dependenta
curentului de intrare de tensiunea de intrare in conexiunea EC
( )
V
I
BE B
- caracteristica de transfer : dependenta
curentului de iesire de tensiunea de intrare in conexiunea EC

Zona I
V
V
2
1
I
ln
I
ln
th
BE
S
2
B C
+ ~

I
B
, I
C
mici
( )
V
I
BE C
lnI
B

cu
V
V
th
BE
cu panta 1/2
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
DCE 1 25.12.2013
Zona II
|
|
.
|

\
|
= =
V
V
I I I
th
BE
S CC C
exp
|
|
.
|

\
|
= =
V
V

I
I
th
BE
FM
S
FM
CC
B
exp
V
V
I I
th
BE
S C
+ = ln ln
th
BE
FM
S
B
V
V
I
I + =
|
ln ln
I
B
, I
C
medii
im max
FM
F
= = | |
ln I
C
/ ln I
B
cu
V
V
th
BE
cu panta 1
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
DCE 1 25.12.2013
th
BE
KF S C
V
V
I I I
2
ln ln + =
ln I
C
cu
V
V
th
BE
cu panta 1/2
Zona III
KF C
I I >>
I
B
, I
C
mari
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.7d
B C F
I ln I ln ln = |
th
BE
V
V
B
C
I
I
ln
ln
I II III
FM
S
I
|
ln
S
I ln
S
I C
2
ln
KF S
I I ln
C
I ln
B
I ln
0 V
BC
s
FM
| ln
panta 1/2
panta 1
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
KF
I ln
DCE 1 25.12.2013
E

B

C

RSS JC
RSS JE
V
BE
Fig.5.7e
5.7.3.Rezistena distribuit a bazei
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
B

+
-
+
-
V
CB
n+
n
p
SiO
2
B
DCE 1 25.12.2013
V R I V V
BE b B BE E ' B
> + =
V R I V V
BC b B BC C ' B
> + =
Fig 5.7f
E
B
C
E
C
B
R
b
B
V
BE
V
BE
V
BC
V
BC
-
+
-
I
B
5.7 Fenomene fizice de ordinul al I I -lea
+
DCE 1 25.12.2013
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relatii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1 25.12.2013
EM3 npn RAN
Fig. 5.8a
Circuitul echivalent natural de regim staionar n RAN
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
I
B
V
BE
FM
CC
I
|
B
E
C
+
-
|
|
.
|

\
|
+
A
CE CC
V
V I
1
u
CC S
I I C
2
B
R
b
I
C
DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.8b
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
i
b
B
C
+
-
( )
b 0
m
i
v g
|
t
B
r
b
i
c
Circuitul echivalent natural de semnal mic, frecvene joase
o
r
t
r
ce
v
E E
+
-
t
v v
be
=
DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.8c
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
i
b
B
C
+
-
t
v g
m
B
r
b
i
c
Circuitul echivalent natural de semnal mic, frecvene nalte (Giacoletto)
o
r
t
r
ce
v
E E
+
-
t
v v
be
=
t
C

C
E , j E , d
C C C + =
t
C , j
C C =

DCE 1 25.12.2013
Tensiunea de intrare i curentul de ieire n funcie de celelalte dou mrimi
Parametrii hibrizi
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
I
i
I
o
V
i
V
o
(

=
(

o
i
o f
r i
o
i
V
I
h h
h h
I
V
o o i f o
o r i i i
V h I h I
V h I h V
+ =
+ =
0 V
i
i
i
o
I
V
h
=
=
0 I
o
i
r
i
V
V
h
=
=
0 V
i
o
f
o
I
I
h
=
=
0 I
o
o
o
i
V
I
h
=
=
5.8.6 Circuite echivalente cu parametrii msurabili
Fig. 5.8d
DCE 1 25.12.2013
ce re b ie be
v h i h v + =
ce oe b fe c
v h i h i + =

Parametrii hibrizi pentru tranzistor in EC
Fig. 5.8e
i
c
i
b
C

EC

E

E

+
v
be

+

v
ce



Q

B

E

5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.8f
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
i
b
B = B
C
+
-
b fe
i h
i
c
Circuitul echivalent cu parametrii hibrizi
1
oe
h
ie
h
E
+
-
ce re
v h
Parametrii h parametrii msurabili Q(2mA, 5V) i f = 10 kHz
0 v
b
be
ie
ce
i
v
h
=
=
0 i
ce
be
re
b
v
v
h
=
=
0 v
b
c
fe
ce
i
i
h
=
=
0 i
ce
c
oe
b
v
i
h
=
=
DCE 1 25.12.2013
Parametrii y (admitane)
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
I
i
I
o
V
i
V
o
(

=
(

o
i
o f
r i
o
i
V
V
y y
y y
I
I
o o i f o
o r i i i
V y V y I
V y V y I
+ =
+ =
Curenii de intrare/ieire funcie de tensiunile de intrare/ieire.
0 V
i
i
i
o
V
I
y
=
=
0 V
o
i
r
i
V
I
y
=
=
0 V
i
o
f
o
V
I
y
=
=
0 V
o
o
o
i
V
I
y
=
=
Fig. 5.8g
DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.8h
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
i
b
B = B C
+
-
be fe
v y
i
c
1
oe
y

E
-
1
ie
y

ce re
v y
Circuitul echivalent cu parametrii y
ce re be ie b
v y v y i + =
ce oe be fe c
v y v y i + =
Parametrii y
Curenii de intrare/ieire funcie de tensiunile de intrare/ieire.
+
v
be
v
ce
DCE 1 25.12.2013
Parametrii y parametrii msurabili Q(2mA,5V) i f=10MHz
0 v
be
b
ie
ce
v
i
y
=
=

0 v
ce
b
re
be
v
i
y
=
=
0 v
be
c
fe
ce
v
i
y
=
=

0 v
ce
c
oe
be
v
i
y
=
=
Parametrii y admitane de forma:
) tensiune (
dt
d
C g y
ie ie ie
+ =
dt
d
C g y
re re re
+ =
dt
d
C g y
fe fe fe
+ =
dt
d
C g y
oe oe oe
+ =
dt
dv
C v g
dt
dv
C v g i
ce
re ce re
be
ie be ie b
+ + + =
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
DCE 1 25.12.2013
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1 25.12.2013
E

5.9 Frecvene limit
5.9.1 Frecvena limit n conexiunea EC ( f

)
t sin I i
b b
e =
f 2t e =
- valoare instantanee
I
b
- fazor
I
b
- constant; f - variabil
c c
I i
be be
V v
Fig. 5.9a
I
c
I
b
C

EC

E

E

+
V
be

+
V
ce


Q

B

I
b
C

DCE 1 25.12.2013
C
I
c
r
o
I
b
+

V
be
= V



B

I
b
+




E

E

r
b
B

E

0 v
b
c
ce
I
I
=
= |
Ctigul dinamic n curent conexiunea EC
Teorema Kirchoff I n B i C
t t t t t
e e V C j V C j V g I
b
+ + =
t t t
e V g V C j V g I
m m c
~ =
Fig. 5.9b
5.9 Frecvene limit
t
V g
m
C

r

C

DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.9c
Dependena lui f
T
de I
C
m
C , j E , j
1
F m
C , j E , j E , d
m T
g
C C
1
g
C C C
g
C C
1
+
+
|
|
.
|

\
|
=
+ +
=
+
=

t e
t
E , j E , d
C C C + =
t C , j
C C =
F m E , d
g C t =
F
tt 2
1
f
T


I
C
5.9 Frecvene limit
DCE 1 25.12.2013
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1 25.12.2013
I
C
(mA)
V
CB
(V)
V
BR(CB0)

I
B
=0
20 40 60 80
8 mA
6 mA
4 mA
2 mA
8
6
4
2
I
CB0

5.10.1 Tensiunea V
(BR)CB0
Tensiunea limita ntre B i C cu E n gol - tensiunea de strapungere a JC
Caracteristica static de ieire conexiunea BC - RAN

Fig. 5.10a
5.10 Tensiuni limit
DCE 1 25.12.2013
Conductana de ieire
Determinarea tensiunii Early
|
|
.
|

\
|
+ =
A
CE
BE C CE C
V
V
1 ) V ( I ) V ( I
I
C
= 0 V
CE
= -V
A
A
C
0
V
I
g =
I
C
(mA)
V
CE
(V)
20 40 60 80
saturaie
8 A
6 A
4 A
2 A
-V
A

Fig. 5.10b
5.10 Tensiuni limit
DCE 1 25.12.2013
Fig. 5.10c
5.10.3 Tensiunea V
(BR)EB0
Tensiunea limit ntre B i E cu C n gol - tensiunea de strpungere a JE
Caracteristica static de ieire conexiunea BC - RAI

E
I
0 EB ) BR ( EB
V V =
abrupt
2 4 8 10 6
2
4
8
10
6
I
E
(mA)
V
EB
(V)
I
EB0
V
BR(EB0)

I
B
=0
5.10 Tensiuni limit
DCE 1 25.12.2013
Capitolul V
TRANZISTORUL BIPOLAR
5.1 Introducere
5.2 Efectul de tranzistor
5.3 Relaii ntre cureni i tensiuni
5.4 Tranzistorul n RAN i RAI
5.5 Tranzistorul n blocare i saturaie
5.6 Modelarea simplificat a tranzistorului
5.7 Fenomene fizice de ordin al II-lea
5.8 Modelarea avansat a tranzistorului
5.9 Frecvene limit
5.10 Tensiuni limit
5.11 Regimul termic al tranzistorului
DCE 1 25.12.2013
5.11 Regimul termic al tranzistorului
5.11.5 Domeniul pentru PSF n RAN
Fig. 5.11
Amplificare tranzistorul se polarizeaz n RAN
I
C
I
Cmax
S
A
T
U
R
A
T
I
E

V
CE
V
(BE)CE0
V
CE
= V
BE
BLOCARE

P
dmax
DCE 1 25.12.2013
Domeniul pentru PSF n RAN este bordat (limitat) de:
intrarea tranzistorului n saturaie
BE CE
V V =
intrarea tranzistorului n blocare
0 =
C
I
tensiunea limit ( ) 0 CE BR CE
V V =
curentul limit
max C C
I I =
puterea disipat maxim
max d d
P P =
5.11 Regimul termic al tranzistorului