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TEMA 8: APLICACIONES NO LINEALES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Francisco J. Franco Pelez

Electrnica en la Facultad de Fsicas de la Universidad Complutense de Madrid.

alu m a d n

de

so

Pa ra u

iv

tt p

:/

w w

e rs

id

.u

c m

lu .e te s n se

os

de

la

M a

d ri

Apuntes para uso en la asignatura Electrnica Analgica, impartida en la Ingeniera Superior

Tema 8

Aplicaciones no lineales de los Op Amp

ndice
1. Circuitos recticadores de precisin
1.1. 1.2. 1.3. 1.4. Circuitos recticadores sencillos con diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Recticador de media onda de precisin o  Superdiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3
3 4 5 6

Recticador de precisin de media onda con resistencias de realimentacin Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto

. . . . . . . . . . . . .

2. Amplicadores logartmicos y exponenciales


2.1. 2.2. 2.3. 2.4. Amplicadores logartmicos sencillos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

7
7 9 9

Otras limitaciones de los circuitos logartmicos y exponenciales

. . . . . . . . . . .

logartmicos/antilogartimicos

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

M a

Implementacin de multiplicadores, divisores y otras operaciones con amplicadores 10

3.1. 3.2. 3.3.

Uso de transistores de efecto campo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Celdas multiplicadoras con BJT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Divisin, potenciacin y races a base de multiplicadores

3. Operaciones aritmticas con transistores

d ri

Amplicadores exponenciales sencillos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11
12 13 15

lu .e te s n se

la

4. Detectores de pico

de

e
. . . . . . . . . . . . . . .

15

os
C w w

alu m a d n
:/ / id

5. Transistores como etapas de salida de amplicadores operacionales. Reguladores lineales de tensin. 17

de

so

Pa ra u

Electrnica Analgica

tt p

iv

e rs

Ingeniera Superior en Electrnica

.u

c m

Tema 8

Aplicaciones no lineales de los Op Amp

Figura 1: Recticador sencillo con un nico diodo.

1. Circuitos recticadores de precisin


Una de las aplicaciones no lineales ms inmediatas de los amplicadores operacionales es la recticacin precisa de seales alternas. En otras palabras, la obtencin eciente del valor absoluto de una seal positiva y negativa.

Un circuito muy sencillo que permite obtener la parte positiva de una seal alterna es aqul que utiliza una resistencia y un diodo (Fig. 1). Este circuito mantiene la parte positiva de la seal y

el nodo de salida sera:

os

alu m a d n

de

so

tensin de codo,

Pa ra u

iv

w w

de saturacin

e rs

id

V , y existe una pequea corriente de fuga, ms o menos equivalente a la corriente inversa, IS . En primera aproximacin, se puede deducir que: V V si V > 0 IN IN I R si VIN < 0 S L

.u

Sin embargo, en la realidad se produce una pequea cada de tensin en el diodo, llamada

c m

V IN si VIN > 0 0 si V < 0 IN

de

fuera ideal y no se produjeran cadas de tensin en l ni existieran corrientes de fuga, la tensin en

la

rechaza la negativa, siendo llamado por ello  recticador de media onda . En caso de que el diodo

lu .e te s n se

1.1.

Circuitos recticadores sencillos con diodos

M a

d ri

d
y

(1)

Siendo

RL

la resistencia de Fig. 1. Con mayor precisin an, la tensin de salida sera la solucin

de la ecuacin no lineal:

tt p

:/

(2)

VOU T = IS exp RL
Siendo

VIN VOU T N VT

(3)

el coeciente de idealidad del diodo. En caso de que deseramos recticar ambas partes

de la seal deberamos utilizar un  recticador de onda completa , siendo el ms sencillo el  puente de diodos (Fig. 2). En esta estructura, la salida sera si

VIN 2V

si

VIN > 2V

VIN 2V

VIN < 2V . Lamentablemente, aparece una zona muerta no recticable situada en el intervalo 2V < VIN < 2V en el que la tensin de salida es, aproximadamente, 0 V. Dado que el valor de
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Figura 2: Puente de diodos.

Figura 3: Recticador de precisin de media onda o  superdiodo .

es del orden de 0.6-0.8 V, se comprende que estos circuitos solo tienen utilidad cuando se aplican

os

seales de amplitud mucho mayores que este parmetro (p.e., conversin AC/DC utilizando la red

de calidad de la seal.

alu m a d n

de

so

Pa ra u

w w

e rs

sencillo. Imaginemos que la tensin aplicada en la entrada es positiva. En ese caso, si la realimentacin funciona correctamente, la salida del circuito, que es la entrada inversora,

id

Un recticador de media onda de precisin es el mostrado en Fig. 3. El estudio de este circuito es

.u

1.2.

Recticador de media onda de precisin o  Superdiodo

c m

elctrica general de 220 V) o bien en aplicaciones en las que no importa excesivamente la prdida

de

lu .e te s n se

la

M a
VIN V ,
se encontrara a

iv

la misma tensin,

Como la tensin es positiva, la corriente uye a travs de la resistencia tras

haber recorrido el diodo.

Imaginemos ahora que la tensin aplicada fuera negativa. En este caso, si el amplicador estuviera

tt p

amplicador, que actuara como un sumidero de corriente. Sin embargo, el diodo bloqueara el paso de esta corriente. Cul es entonces la solucin? Puesto que el diodo no est en conduccin ya que se llega a un absurdo, supondremos que est cortado. Sera entonces equivalente a un abierto y, al carecer de camino de realimentacin, el amplicador estara en saturacin. En estas circunstancias, apenas habra cada de tensin entre los extremos de la resistencia, corriente de fuga

en zona lineal, la tensin

:/

VIN .

VOU T

sera negativa y la corriente tendra que entrar en la salida del

RL ,

debida simplemente a la

IS , y se cumplira que VOU T = VIN V = IS RL . Como VN IN V < 0, siendo NIN V la entrada no inversora del amplicador, ste ira a saturacin negativa haciendo VD VSAT . Estas

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d ri

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circunstancias son coherentes pues implicaran que el diodo est cortado, como se haba supuesto al principio. Cmo se puede ver de una manera ms rigurosa? Aceptando que la corriente

IL

es la que

atraviesa el diodo y que llega directamente a la resistencia independientemente de la tensin aplicada, puede demostrarse que:

IL =
Pero

VOU T = IS exp RL

VIN VOU T N VT

1 = ID

(4)

VD

puede calcularse a partir de la ganancia de un amplicador operacional, A:

motivo, la estructura anterior es conocida popularmente como  Superdiodo . Qu ocurrira si invirtiramos los terminales del diodo? Simplemente, la corriente entrara en el

seal y se mantendra la negativa, que no cambiara de signo.

alu m a d n

1.3.

Recticador de precisin de media onda con resistencias de real-

de

imentacin

so

Pa ra u

conectado a una resistencia de carga para permitir el paso de corriente necesaria para activar el

iv

Por ello, existen otras estructuras que utilizan varios diodos y resistencias para impedir que el amplicador operacional abandone la zona lineal. Una estructura tpica es el recticador inversor de media onda con salida negativa (Fig. 4). El estudio de esta estructura es sencillo. En primer lugar, debe suponerse que la entrada

tt p

permanece tal cual, sin amplicarse ni atenuarse.

:/

el signo de la seal por lo que, en general, su respuesta es bastante lenta. Por otra parte, la seal

diodo. En segundo lugar, el amplicador operacional pasa de zona lineal a saturacin al cambiar

w w

El superdiodo presenta dos problemas a la hora de utilizarlo. En primer lugar, necesita estar

e rs

id

.u

c m

diodo si

y no entrara en caso contrario. En este caso, se rechazara la parte positiva de la

os

VIN < 0

de

la

V/A. Como A es enorme, esta tensin de codo ser del orden de unos cuantos microvoltios. Por este

lu .e te s n se

podemos deducir que el circuito recticador de media onda equivale a un diodo con tensin de codo

A1 . La consecuencia fsica de aquella ecuacin era la aparicin de una tensin de codo, V , que se puede suponer proporcional a N VT . Dado que la ecuacin del circuito recticador es equivalente salvo el factor de proporcionalidad,
Fijmonos que esta ecuacin es similar a Eq. 3 salvo por el factor

M a

VOU T = IS exp RL

A (VIN VOU T ) VOU T N VT

1 = IS exp

VIN VOU T A1 N VT

d ri

d
1
(5)

VIN

es

bien positiva, bien negativa. A continuacin, deberan estudiarse las cuatro posibles combinaciones de estado de D1 y D2 llegando a las conclusiones siguientes. Si la entrada

VIN

es negativa, es fcilmente demostrable que el nico estado coherente es aqul en

el que el diodo D1 se activa y D2 se desactiva. Toda la corriente que necesite

VIN

es proporcionada

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Figura 4: Recticador de precisin de media onda avanzado.

Figura 5: Recticador de precisin de onda completa.

pues

RF

est conectado a la tierra virtual.

alu m a d n

Si la entrada fuera positiva, D1 se desactivara y D2 se activara. El bucle de realimentacin se

de

cerrara a travs de las resistencias haciendo que sera negativa. Lgicamente, si hacemso

so

con signo negativo (VOU T

Pa ra u

La tensin de codo de esta estructura sera del orden de V/A permitiendo una recticacin

precisa y, por otro lado, dado que el amplicador operacional nunca abandona la zona lineal, la

iv

(Producto ganancia-ancho de banda y slew rate ). Finalmente, si invertimos el sentido de ambos

1.4.

Recticador de onda completa o circuitos de valor absoluto

Una manera sencilla de obtener estos circuitos sera construir un circuito que rectique la parte positiva, otro la negativa y, nalmente, sumarlas con un tercer amplicador operacional. Sin embargo, existen soluciones con menor nmero de diodos, de resistencias y de amplicadores operacionales. Un ejemplo de ello es el circuito de Fig. 5.

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diodos, se recticar la parte negativa de la seal.

tt p

las capacidades de los diodos y por las propiedades del amplicador operacional en zona lineal

:/

frecuencia mxima de trabajo aumentara. As, la frecuencia de trabajo estara limitada ahora por

w w

e rs

id

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= |VIN |).

.u

F VIN . Como VIN es positiva, la salida VOU T = R R RF = R, se consigue una recticacin perfecta, aunque

c m

por el diodo D1 de tal modo que nada circula por

lu .e te s n se

os

de

la

RF

haciendo que la salida del sistema sea 0 V

M a

d ri

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Figura 6: Recticador de precisin de onda completa basado en multiplexores.

guraciones que permiten realizar estos dispositivos y se remite al estudiante a textos especializados para conocerlos.

Finalmente, debe researse que existe un mtodo alternativo basado en multiplexores y compara-

os

el canal 1 del multiplexor, que es la entrada tal cual, y si es negativa, se seleccional el canal 0, que es la entrada invertida. De este modo, a la salida siempre llega el valor absoluto de la seal. Esta

alu m a d n

el canal apropiado, que es transferido a la salida. De este modo, si la salida es positiva, se selecciona

de

so

Pa ra u

iv

La combinacin de diodos y amplicadores operacionales no solo permite realizar una recticacin

precisa de seales alternas sino que facilita la realizacin de operaciones matemticas ms complejas como son el logaritmo y la exponenciacin. Adems, la posibilidad de disponer de estas dos funciones es un paso clave para realizar otras operaciones aritmticas como la multiplicacin, divisin, potencias y races.

2.1.

Amplicadores logartmicos sencillos

Los circuitos logartmicos ms sencillos que existen son similares al mostrado en Fig. 7. Puede verse que, para estabilizar el circuito, la realimentacin se realiza a travs del terminal inversor ya que, en el fondo, un diodo no es sino una resistencia fuertemente no lineal. Dado que la impedancia

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tt p

:/

2. Amplicadores logartmicos y exponenciales

w w

e rs

id

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fabricado por Analog Devices.

.u

estructura es utilizada por algunos recticadores de precisin integrados, como el dispositivo AD630,

c m

dores. Fig. 6 muestra un ejemplo general. El comparador determina el signo de la seal y selecciona

lu .e te s n se

es negativa. En estas circunstancias, la salida es el valor absoluto de la entrada. Existen otras con-

de

la

seal . Puede demostrarse que

DP

est activo y

DN

cortado si la entrada es positiva y viceversa si

Este circuito consta de un restador y de otra estructura llamada  Separador de polaridad de

M a

d ri

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Figura 7: Amplicador logartmico para entrada positiva.

ID =
Siendo por lo

M a
1

VIN VA = IS exp R

VA VOU T N VT

d ri

el diodo. Por tanto:

d
F

de entrada del amplicador es innita, toda la corriente que atraviesa la resistencia se deriva hacia

(6)

As, hemos conseguido que la salida sea proporcional al logaritmo de la entrada. El rango de

os

alu m a d n

valores de la entrada est limitado por varios factores. En primer lugar, se supone que el diodo debe estar polarizado en directa. Para ello, es necesario que

de

VOU T VIN = IS exp RL N VT

lu .e te s n se

ecuacin se transformar en:

IS y N parmetros caractersticos del diodo. Ocurre que el nudo A es una tierra virtual que VA = 0 y que, en general, el diodo estar polarizado en directa por lo que la anterior

VOU T = N VT ln

VIN RL IS

la

(7)

VIN > 0.

Si quisiramos realizar el logaritmo

c m

neperiano de valores negativos, deberamos invertir el diodo D1 de Fig. 7 consiguiendo as que:

VOU T = N VT ln

so

Pa ra u

directa es la suma de dos factores exponenciales, uno asociado a las corrientes de difusin y que ha

iv

con los de silicio. Sin embargo, esta opcin no es factible en muchos casos como, por ejemplo, en el diseo de circuitos integrados. En estas circunstancias, la solucin que se plantea es utilizar un transistor en lugar de un diodo. Fig. 8 muestra dos posibles conguraciones. Al polarizar los transistores de esta manera se comportan como diodos con una ventaja sobre la unin PN sencilla como podra ser la unin BE. Al intervenir la corriente de colector, la componente de difusin de la corriente

tt p

utilizar diodos Schottky o de germanio, cuyo comportamiento es prcticamente ideal en comparacin

Por ello, para minimizar este efecto hay que recurrir a diversas alternativas. Una de ellas consiste en

:/

sido utilizado en el clculo anterior, y otro asociado a las corrientes de generacin-recombinacin.

IB

w w

e rs

Otras limitaciones son ms importantes. En realidad, la corriente que atraviesa un diodo en

id

VIN RL IS

de

.u

(8)

se ve amplicada por un factor igual a

o, lo que es lo mismo, las corrientes

el diodo equivalente sera similar a la unin BE tras haber disminuido un factor

de generacin-recombinacin. As, se construye un falso diodo mucho ms cercano a la idealidad.

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Figura 8: Amplicador logartmico basados en transistor bipolar.

Lgicamente, es posible utilizar transistores PNP en cualquiera de los esquemas anteriores.

os

Una vez conocidos los circuitos logartmicos, la creacin de circuitos exponenciales o antilogart-

alu m a d n

(Fig. 9). Debe remarcarse que la realimentacin se realiza a travs del terminal inversor para que la

de

conguracin sea estable. En esta estructura, se concluira que:

so

id

.u

c m

micos no ofrece mayor dicultad pues basta con intercambiar la posicin de la resistencia y el diodo

2.2.

Amplicadores exponenciales sencillos

Pa ra u

iv

ponenciadores seran los mostrados en Fig. 10.

2.3.

Otras limitaciones de los circuitos logartmicos y exponenciales

Los circuitos anteriores tienen algunas limitaciones importantes. Una de ellas es la existencia de no idealidades en el amplicador como, por ejemplo, la tensin de oset y las corrientes de polarizacin de las entradas que afectan a la salida. As, por ejemplo, puede demostrarse que la salida de un circuito logartmico con entrada estrictamente positiva es:

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tt p

recombinacin, siempre es posible utilizar transistores. Si estos fueran NPNs, algunos circuitos ex-

:/

fuga y obtener la forma exponencial. Para compensar los efectos de las corrientes de generacin-

El valor de la tensin de entrada debe ser positivo para despreciar el efecto de las corrientes de

w w

e rs

VOU T = RL IS exp

lu .e te s n se

Figura 9: Amplicador exponencial para entrada positiva.

de

la

VIN N VT

M a

d ri

d
(9) Ingeniera Superior en Electrnica

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Figura 10: Amplicador exponencial para entrada positiva basados en transistores bipolares.

d ri

VOU T = VOS N VT ln
Siendo

VIN VOS + RL IB RIS

d
(10) (11)

VOS

la tensin de oset de entrada e

IB

la corriente de polarizacin de la entrada

del amplicador operacional. Sin embargo, estos problemas carecen de importancia en comparacin

d
T T0 T0

con el efecto de la temperatura. Los parmetros de un diodo son fuertemente dependientes de la temperatura. Por ejemplo, la corriente de saturacin inversa de un diodo,

lu .e te s n se

de difusin, depende de la temperatura de la siguiente manera:

la

de

IS (T ) = exp IS (T0 )

T 1 T0

EG N kB T

M a
XT I/N

IS , debida a las corrientes

os

La mayor parte de los parmetros son ya conocidos siendo

la temperatura de referencia,

EG

XT I

un parmetro especco de cada diodo que, en caso de una unin abrupta, se iguala a 3.

alu m a d n

el valor de la banda prohibida del semiconductor (1.12 eV en silicio),

kB

la constante de Boltzmann

Una consecuencia de ello es que la corriente de saturacin inversa se dobla cada 10

c m

C.

Teniendo

de

so

Pa ra u

de la temperatura de tal modo que se encuentran amplicadores comerciales de ambos tipos. Para

iv

Una vez resuelto el problema del logaritmo y la exponenciacin, la realizacin de algunas operaciones aritmticas se convierte en algo muy sencillo de realizar (al menos sobre el papel). Imaginemos que deseamos realizar la siguiente operacin de forma general:

con amplicadores logartmicos/antilogartimicos

tt p

2.4.

Implementacin de multiplicadores, divisores y otras operaciones

:/

ms informacin sobre las tcnicas, consultar el captulo 8 de Peyton & Walsh.

w w

conguraciones algo ms sosticadas que las mostradas en estos apuntes que minimizan los efectos

e rs

id

minimizar los efectos de la temperatura y hacer los dispositivos ables. Afortunadamente, existen

.u

en cuenta que la temperatura afecta a otros parmetros, es de entender la dicultad que existe para

VOU T =
Reescribmosla de la siguiente manera:

m n VX V Y p VZ

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10

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Figura 11: Operaciones aritmticas de modo digital.

Ambas expresiones son iguales pero sta ltima es implementable mediante amplicadores operacionales. En primer lugar, se debe realizar el logaritmo de cada una de las entradas, multiplicarlas por el factor de proporcionalidad, sumarlas y obtener el exponencial de la suma. Evidentemente,

etc. Por otra parte, quizs no sea una opcin econmica ya que se necesitaran muchos ampli-

las entradas del multiplicador no pueden cambiar de signo ya que heredan esta desventaja de los amplicadores logartmicos y exponenciales.

os

alu m a d n

3. Operaciones aritmticas con transistores


Como se ha visto en los apartados anteriores, los transistores bipolares pueden combinarse con

so

Pa ra u

la multiplicacin de tensiones y, a partir de ella, la divisin, la potenciacin y la raz cuadrada.

sadores para la implementacin no solo de funciones aritmticas simples sino tambin de funciones

muy complicadas (Fig. 11). En esta gura, un microprocesador selecciona alternativamente el canal

binario, recogerlas, operar con ellas y transferirlas a un DAC. Evidentemente, de este modo se podran implementar funciones como la suma o resta pero sera un desperdicio de recursos materiales. No sera en cambio un problema si, el objetivo fuera, por ejemplo, obtener la media armnica las tensiones de entrada. El problema de esta conguracin es el coste y, sobre todo, el comportamiento en frecuencia, marcado por la frecuencia de trabajo del microprocesador y por la complejidad de los clculos que
1 Recordemos
que la media armnica es el inveso de la semisuma de los inversos:

de un multiplexor conectado a un ADC. As, puede muestrear cada una de las tensiones, pasarlas a

tt p

:/

En la actualidad, se va imponiendo poco a poco el uso de conversores A/D, D/A y microproce-

iv

w w

e rs

deseados. Por ello, se pueden utilizar estrategias alternativas para implementar, de modo efectivo,

id

logaritmos y exponienciales. Sin embargo, esta tcnica es delicada y es posible que no d los frutos

.u

los amplicadores operacionales para realizar algunas operaciones aritmticas a travs del uso de

de

c m

de

la

las conguraciones del sumador/restador y las resistencias. Finalmente, debe tenerse en cuenta que

lu .e te s n se

cadores. Sin embargo, es posible anar el diseo eliminando bloques si escogemos apropiadamente

hay que corregir los trminos dependientes de la corriente de saturacin inversa, de las resistencias,

M a

d ri

d
1
de
1 2 1 A

VOU T = exp [m ln (VX ) + n ln (VY ) p ln (VZ )]

1 =

1 B

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Figura 12: Multiplicador con JFET de canal n.

algunas de las estrategias que se muestran en los apartados siguientes. Asimismo, la seal de salida siempre presentar ruido de cuantizacin, tanto mayor cuanto menor sea el nmero de bits empleados en la codicacin o la relacin entre las entradas de tensin y el valor de la referencia de tensin

3.1.

Uso de transistores de efecto campo

Los transistores de efecto campo tienen la peculiaridad de que la corriente que los atraviesa es funcin de la tensin de puerta y de drenador. Estas tensiones se multiplican entre s de tal modo

os

que los transistores pueden utilizarse para realizar multiplicaciones. En primer lugar, jmonos en el

lu .e te s n se

de

la

que todo conversor posee.

as, el transistor estar en zona lineal por lo que lo atraviesa una corriente:

alu m a d n

de

so

id

Pa ra u

iv

w w

e rs

corriente es enviada hacia la resistencia

Ha sido posible hacer esto ya que la fuente del transistor est conectada a la tierra virtual. Esta

VOU T = RID R (VY VP ) VX VX VY

.u

ID (VGS VP ) VDS = (VY VP ) VX

c m

circuito de Fig. 12. Veamos que funciona como un multiplicador siempre que

M a

d ri

realizar. En aplicaciones con una frecuencia de trabajo sucientemente alta, s tiene sentido utilizar

VX << VY .

Si esto es

(12)

creando una tensin de salida,

(13)

tt p

En esta expresin, aparece un producto posterior el trmino proporcional a

:/

que puede aislarse restando en una etapa

en zona lineal. Por otro lado, el transistor es de canal N con lo que la tensin de pincho debe ser forzosamente negativa. En concreto,

tensiones aplicadas. En primer

VX VP . Evidentemente, existen limitaciones en el valor de las lugar, VX no puede ser muy alto pues el transistor JFET debe estar VP = |VP | < VY < 0.
As, si deseramos que

VY

fuera

positiva, deberamos utilizar un transistor JFET de canal P. Ahora, jmonos en el circuito de Fig. 13. Como ya sabemos de temas anteriores, el transistor NMOS de la gura estar bien en corte, bien en saturacin. Como la fuente del transistor est conectada a la tierra virtual,

VDS = VGS = VIN

por lo que:

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Figura 13: Multiplicador con JFET de canal n.

VOU T = RIDS = R (VIN VT N )2

M a

De modo que:

d ri

IDS = (VGS VT N )2 = (VIN VT N )2

(14)

(15)

Por tanto, con esta disposicin, podemos elevar una tensin desconocida al cuadrado teniendo en

os

Obteniendo de manera sencilla la raz cuadrada de un determinado valor de tensin.

alu m a d n

de

so

En primer lugar, recordemos que es posible implementar conversores de tensin a corriente por

Pa ra u

medio de amplicadores operacionales. Ejemplo de ello son los circuitos mostrados en Fig. 14. En ambos circuitos la transconductancia es

w w

e rs

id

.u

3.2.

Celdas multiplicadoras con BJT

c m

IDS

VIN VIN 2 2 = (VGS VT N ) = (VOU T VT N ) VOU T = VT N = R R

de

la

haber intercambiado los roles del transistor y la resistencia. En consecuencia:

lu .e te s n se

cuenta que aparecen trminos lineales que deberan ser eliminados. Asimismo, en Fig. 13 podramos

(16)

iv

Una estructura muy popular para multiplicar corrientes es la estructura basada en el par diferencial

(Fig. 15).En esta estructura, hay un par diferencial que es polarizado por un espejo de corriente polarizado con una fuente de tensin

tt p

que tensiones.

:/

asignemos a la corriente. El motivo de esta aclaracin es que es ms sencillo multiplicar corrientes

1 gM = R ,

dependiendo el signo del sentido que le

VA .

Recordando la ganancia de un amplicador diferencial:

VO =
Haciendo

F IQ RB F RB (VA V ) (VB + VB ) = (VB + VB ) N VT N VT RA

(17)

VB = 0,

se puede transformar la entrada en absoluta. La salida, que se muestra en

modo diferencial, se podra transformar en absoluta por medio de una amplicador diferencial o de instrumentacin con ganancia 1. Adems, podra aadirse circuitos adicionales para restar el trmino

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13

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Aplicaciones no lineales de los Op Amp

Figura 14: Ejemplos de transconductores, que convierten aplicando la corriente.

VIN

en

IO . ZL

es la carga donde se est

alu m a d n

de

so

Pa ra u

iv

Fig. 14 para eliminar la dependencia con este parmetro. Sin embargo, debe tenerse en cuenta que la carga de Fig. 14 sera el espejo de corriente. Los emisores del par diferencial deberan cambiar

VEE

tt p

:/

dependiente de

V VB +

del circuito de la gura. Por otra parte, podran combinarse Fig. 15 con

w w

e rs

id

Figura 15: Multiplicador basado en el par diferencial.

.u

c m

lu .e te s n se

os

de

la

por una tierra virtual con lo que no sera posible conectar

VB

de los transistores del par debera ser, al menos, de 0.9 V. Otra estructura muy popular es la llamada Celda Gilbert, que tambin produce una salida en modo diferencial. Con ella, es posible realizar una multiplicacin sea cual sea el signo de las corrientes envueltas en la operacin pues, por ejemplo, en Fig. 15

VA

debe ser, forzosamente, mayor que 0.

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a tierra ya que el modo comn

M a

d ri

d
14

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Figura 16: Divisor de tensiones con multiplicador. Las entradas son interna del circuito.

VA

VB

siendo

VX

una tensin

3.3.

Divisin, potenciacin y races a base de multiplicadores

Una vez construido un multiplicador, es relativamente sencillo construir dispositivos capaces de realizar la divisin, potenciacin y races cuadradas. En algunos casos, es necesario utilizar ampli-

la

Divisin:

Sea el circuito de Fig. 16. Aceptemos que el amplicador operacional est en

lu .e te s n se

entradas,

VOU T = k VA VB ,

se pueden implementar las siguientes operaciones.

cadores operacionales. As, si tenemos un circuito cuya salida es proporcional al producto de dos

os

B VA . VX = RB IA = R RA

de

zona lineal. En este caso, la corriente que uye a travs de

Por otro lado, se debe vericar que


B VOU T = R k 1 RA

Igualando ambos trminos, se deduce que

de un multiplicador, la tensin de salida es

.u

Raz cuadrada: El circuito que permite realizar una raz cuadrada es extremadamente sencillo

de

c m

Potenciacin: Se puede ver con facilidad que, si aplicamos la misma tensin a las dos entradas

alu m a d n

2 . VOU T = k VA

M a
RA
VA . VB
es

so

Pa ra u

iv

Otro de los usos tpicos de los amplicadores operacionales con diodos y transistores es la deteccin de picos o mximos de tensin. Es decir, mantener el valor de la tensin ms alta alcanzada por una seal variable en el tiempo. As, Fig. 17 muestra un par de ejemplos de circuitos que retienen la tensin en el condensador de tal modo que, si el valor de

tt p

4. Detectores de pico
U

:/

VA , esta ecuacin se transformara en VB B VOU T = kR VA . RA

id

ya que basta unir

con

VB

VOU T

en Fig. 16. De este modo, se cumplira que


B VOU T = R k 1 RA

w w

e rs

k 1

VIN

disminuye en Fig. 17a, o aumenta en

Fig. 17b, el diodo entra en corte y la carga atrapada en el condensador mantiene la tensin mxima. El problema de esta estructura es que, en realidad, no atrapa el valor de

VIN . Debido a la tensin

del codo del diodo, la tensin de salida es del orden de 0.7 V (V ) menor en Fig. 17a, y mayor en Fig. 17b. Para evitar este problema, existen estructuras basadas en amplicadores operacionales que

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d ri
VA VOU T

VA IA = R por lo que A VX = k VB VOU T .

d
B VOU T = R RA

y esto llevara a

15

Tema 8

Aplicaciones no lineales de los Op Amp

Figura 17: Detectores de pico mximo (a) y mnimo (b).

resuelven este problema. En principio, las estructuras pueden estar basadas en diodos y transistores MOS.

os

podra utilizarse cualquier recticador de precisin de media onda, como el descrito en el apartado 1.3. Cada estructura heredar las ventajas e inconvenientes de su subcircuito generador.

alu m a d n

de

jmonos en Fig. 19a. En caso de que

so

Pa ra u

Esta estructura tiene el inconveniente de que puede ser algo lenta debido al paso del amplicador

Ms an, el amplicador operacional podra ser, simplemente, un par diferencial CMOS. Podran utilizarse transistores BJT en lugar de los MOS? La respuesta es s aunque no tendra mucho sentido hacerlo. En el fondo, la unin BE de estos transistores estara funcionando como un diodo con lo que toda la estructura sera equivalente a las de Fig. 18.

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a saturacin. Sin embargo, tiene la ventaja de que puede construirse fcilmente en tecnologa CMOS.

tt p

un mnimo, se debe utilizar el circuito de Fig. 19b.

:/

VIN vuelve a rebasar el valor almacenado, el amplicador puede volver a zona directa, haciendo que VOP AM P VIN + VT H , siendo VOP AM P la tensin de salida del amplicador operacional. En caso de que se desee buscar
dejando la salida a una tensin constante de manera denida. Solo cuando

iv

w w

est jada por el condensador, se producir un paso a saturacin negativa que cierra el NMOS,

e rs

id

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.u

Sin embargo, una solucin alternativa consiste en emplear un transistor MOS como llave. Fi-

VIN

c m

de Fig. 17 por superdiodos. As, se obtendran las estructuras de Fig. 18. Por supuesto, tambin

El detector de pico avanzado basado en diodo consiste, simplemente, en reemplazar los diodos

sufra un descenso tras alcanzar el mximo y dado que

lu .e te s n se

Figura 18: Detectores de pico mximo (a) y mnimo (b) basados en el superdiodo.

de

la

M a

d ri

d
16

Tema 8

Aplicaciones no lineales de los Op Amp

Figura 20: Aumento de corriente de salida en un op amp con transistores NPN y NMOS de potencia.

alu m a d n

de

Los amplicadores operacionales discretos tienen, en general, un lmite en la corriente mxima

so

Pa ra u

podra reemplazarse el amplicador operacional normal por uno de alta potencia, capaz de propor-

iv

cionar/absorber corrientes de varios amperios aunque, en general, pueden resultar bastante caros. En segundo lugar, puede incluirse algn transistor de potencia en el camino de realimentacin del

amplicador operacional discreto. Es necesario recordar que este transistor podra ser tambin un

Fig. 20 muestra dos ejemplos de como aumentar la corriente de salida de un amplicador operacional discreto. Estudiemos el caso del NPN. En primer lugar, se puede comprobar que el amplicador operacional est en zona lineal y que el NPN en zona activa directa siempre y cuando

VIN no se aproxime a VCC . En estas circunstancias, se cumplira que VOU T = V = VIN y VX = VOU T + V = VIN + V . En el caso de que el amplicador operacional pudiera proporcionar una corriente mxima de valor IO,M AX , la corriente que se proporcionara a la carga sera IL,M AX = hF E IO,M AX .

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par Dalington.

tt p

:/

w w

e rs

el valor de la corriente de salida, se puede recurrir a una de estas dos estrategias. En primer lugar,

id

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del orden de varias decenas de miliamperio. Sin embargo, en caso de que sea necesario aumentar

.u

c m

5. Transistores como etapas de salida de amplicadores operacionales. Reguladores lineales de tensin.


o m

lu .e te s n se

os

de

la

M a

d ri

Figura 19: Detectores de pico mximo (a) y mnimo (b) basados en el un transistor MOS.

17

Tema 8

Aplicaciones no lineales de los Op Amp

transistor est siempre en ZAD incluso sin conectar una carga. De este modo,

d ri

y un transistor de potencia. Se aade una resistencia pueden colocar resistencias muy bajas en la salida.

RQ ,

de valor muy alto, para hacer que el

VOU T = VREF

Figura 21: Construccin de un regulador con una referencia de tensin, un amplicador operacional y se

El inconveniente de esta estructura es que, si

VIN < 0, IL

tendra que entrar en el amplicador

proporcionar corriente y no absorberla. En el fondo, el sistema aumentara la corriente de salida a costa de comportarse como un recticador. Por ello, esta solucin suele utilizarse en reguladores de tensin (Fig. 21). Para solventar este problema, se podra aadir un transistor PNP de potencia que

os

los temas anteriores. Recordemos, sin embargo, que esta etapa podra aumentar la distorsin del

Qu ocurre con el equivalente NMOS de Fig. 20? Simplemente, el razonamiento sera similar

alu m a d n

de

ecuacin cuadrtica

IDS =

transistores NMOS discretos, el sustrato est conectado a la fuente por lo que no hay efecto sustrato.

so

id

.u

VIN RL

(VGS VT )2 = (VX VIN VT )2 . IL

solo que, en este caso, la tensin de salida del amplicador operacional sera la solucin de la Recordemos que, en los

Si la tensin de salida fuera negativa, la corriente

c m

amplicador.

de

complementara el transistor NPN. As, se creara una nueva etapa de salida como las mostradas en

Pa ra u

tendra donde ir ya que el drenador est conectado a la tensin ms alta del circuito y la puerta est protegida por el dielctrico. En consecuencia, no existe posibilidad de que

w w

e rs

lu .e te s n se

la

debera uir hacia dentro. Sin embargo, no

pero, lamentablemente, se topara con una unin PN en inversa. Por tanto, esta estructura solo podra

M a

VOU T

sea menor que 0

iv

:/

V. Esta situacin es coherente con el estado del amplicador. En estas circunstancias, la diferencia

que el amplicador estara en saturacin negativa. En consecuencia, la puerta estara polarizada con

tt p

entre las tensiones de entrada sera negativa (V+

V = VIN 0 = VIN < 0)

lo que implicara

de corriente

conducido a ningn absurdo y es perfectamente coherente. Los circuitos mostrados en esta seccin se utilizan frecuentemente en electrnica de potencia pues constituyen la base de lo que se conoce como reguladores lineales de tensin , caracterizados por una tensin y consumo de corriente en reposo constante. Desde el punto de vista energtico, son menos ecientes que los reguladores de tensin conmutados aunque, por el contrario, son mucho menos ruidosos lo que los dota de gran popularidad.

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una tensin del orden de

VCC

de modo que el transistor estara en corte. As, se impedira el paso

IL ,

que es exactamente lo que habamos supuesto al principio: El razonamiento no ha

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