Circuite integrate numerice- Circuite de memorie FLASH

Circuite de memorie FLASH

Pentru a sublinia importana categoriei de circuite de memorie care va face obiectul acestei prezentri, n graficul alturat sunt descrise cotele de pia (exprimate n miliarde de dolari-B$), i evoluia acestora, pentru trei mari categorii de circuite de memorie: SRAM (RAM static), DRAM (RAM dinamic) i FLASH.

1. Introducere
La fel ca la un circuit UV-EPROM (UV-UltraViolet, cu tergere cu ultraviolete) o celul de memorare EEPROM are la baz un tranzistor cu dou grile, unde o gril zis flotant (floating gate) exist ntre grila propriu-zis, de control (control gate) i substratul P (P-substrate). O gril flotant este perfect izolat de un izolator un start de dioxid de siliciusticl (silicon dioxide) astfel c electronii injectai n gril rmn acolo i cnd circuitul nu mai este alimentat. Pe scurt, acesta este mecanismul de memorare i pentru o memorie FLASH EEPROM. La fel ca la UV-EPROM un circuit FLASH EEPROM este programat prin injecia de electroni fierbini n grila flotant i este ters prin emisia de cmp din aceiai gril. Intr-un circuit Flash EEPROM tergerea se face pentru ntreg circuitul simultan, pe cnd la un EEPROM propriu-zis tergerea se face octet cu octet. Dac se elimin facilitatea de tergere octet cu octet, o celul de memorare poate fi realizat folosind un singur tranzistor. i la un circuit UV-EPROM celula de memorare are un singur tranzistor i tergerea se face simultan pentru ntreg circuitul, prin expunere la radiaii ultraviolete. In acest sens, din punct de vedere al funcionalitii, un FLASH EEPROM este asemntor unui circuit UV-EPROM, cu excepia modalitii de tergere. Pentru toate circuitele FLASH exist o aa zis structur logic, circuitul fiind mprit in mai multe blocuri de date (cu dimensiuni tipice de 16koctei-bytes sau mai mari), iar blocurile sunt mprite ntr-un numr fix de pagini de date. O pagin are la rndul ei un

Circuite integrate numerice- Circuite de memorie FLASH

anumit numr de octei-bytes, de obicei de ordinul sutelor sau mai mare. tergerea se face de fapt nu la nivelul ntregului circuit, ci la nivelul unuia sau mai multor blocuri de date. Pentru nelegerea acestei structuri logice i utilizarea ei corect (i nu numai!) este obligatorie consultarea foilor de catalog ale circuitului respectiv. 2. Circuite NOR Flash

Structurile tradiionale de memorii realizeaz accesul aleator prin conectarea in paralel a celulelor de memorare la liniile de bit (BL). Astfel biii corespunztori cuvintelor diferite sunt conectai i accesai n paralel. Aceasta caracteristic se ntlnete i la structura Flash NOR, prima aprut in ordine cronologic. In figura alturat se observ c liniile de bit (BL0, BL1, ..), care formeaz fiecare cuvnt, sunt realizate prin conectarea comun, n dren (D), a tranzistoarelor cu gril flotant. La nivelul fiecarei linii de bit este realizat de fapt un SAU cablat (OR-wired). Un bit n 0 va trage toat linia de bit BL n 0, indiferent de starea celorlali bii. Sursa (S) a tuturor tranzistoarelor este conectat in acelai punct (Source), linia respectiv servind la activarea ntregii matrici de memorie. Liniile de cuvant (WL0, WL1, WL2, ..) realizeaz selecia unuia din cuvinte, fiind conectate la grilele de control. In momentul activrii unui cuvnt, prin linia corespunztoare WL, un tranzistor n conducie (programat) din linia de bit BL va trage potenialul acesteia n 0. In figur nu este prezentat sarcina activ (pull-up) existent pentru fiecare linie de bit

Aceast modalitate de conectare are avantaje majore din punct de vedere al timpului de acces aleator (linia de bit se prezint ca o poart NOR, tranzistoarele fiind conectate in paralel). Din pcate ea prezint i un dezavantaj din punct de vedere al realizrii tehnologice, i anume presupune o suprafa mare ocupat la nivelul microcircuitului, datorit

Circuite integrate numerice- Circuite de memorie FLASH

configuraiei particulare de interconexiuni care trebuie realizate. Cu alte cuvinte, este neeconomic din punct de vedere al preului de cost per bit. In figura alturat este prezentat structura de baz a unui tranzistor cu grila flotant folosit ntr-un circuit NOR Flash. Grila de control (control gate) i cea flotant (floating gate) sunt realizate din siliciu policristalin (poly) conductor. Programarea se face prin injectia de electroni fierbini (CHE- Channel Hot Electron injection), iar tergerea prin efectul de tunel Fowler-Nordheim (FowlerNordheim FN-tunneling). La fel ca la UVEPROM programarea unui bit nseamn modificarea tensiunii de prag a tranzistorului, iar un bit programat este n 0, pe cnd unul neprogramat este n 1. O meniune important care trebuie fcut relativ la circuitele NOR este c la acestea, la livrare, se garanteaz c toate locaiile de memorie sunt bune i au acelai numr garantat de cicluri de tergere-programare. Mai mult, n faza de fabricaie se realizeaz un numr destul de mare de locaii de rezerv (un alt aspect neeconomic), care vor fi utilizate pentru repararea eventualelor locaii cu defecte si producerea astfel a unui circuit perfect. Timpii de acces la citire pentru majoritatea circuitelor NOR Flash sunt de cca 70nsec. Densitatea maxim la care au ajuns (2004) aceste circuite este de cca 512Mbii n condiiile folosirii unei tehnologii cu dimensiunea minim de cca 70 de nanometri. 3. Circuitele NAND Flash

O nou tehnologie FLASH (promovat de Toshiba si Samsung) a cunoscut o dezvoltare dramatic n ultimii ani. Tehnologia respectiv numit NAND Flash are la baz conceptul de acces secvenial i nu aleator la informaie. Nu trebuie uitat c unul din scopurile iniiale ale acestei tehnologii a fost nlocuirea dispozitivele de memorare externe de tip hard-disk, avnd piese n micare, cu dispozitive statice de memorare (solid state mass storage), mai fiabile i cu timpi de acces la informaie mai buni. Hard-disk-ul este n esen un dispozitiv care acceseaz informaia secvenial, dei acest aspect este mascat prin intermediul aa zisului timp de acces aleator, rezultat n urma cutrii-regsirii (seek time) acestei informaii ntr-o structur de date secvenial. Exist i alte noi tehnologii FLASH, mai mult sau mai putin nrudite, cum ar fi DINOR FLASH (DIvided bit line NOR- cu linie de bit divizat) promovat de Mitsubishi, AND FLASH promovat de Hitachi sau T-Poly a firmei SanDisk. Memoria NAND Flash este o configuraie relativ nou care reduce suprafaa ocupat de celula de memorie astfel nct s creasc densitatea de integrare (i implicit capacitatea), n condiiile scderii preului de cost per bit. O astfel de structur o fost realizat prima dat de Toshiba n 1987 prin conectarea n serie a cte opt celule de memorie (tranzistori). Dimensiunea unei celule de memorie NAND este aproape jumtate din cea a unei celule NOR. Ea este mai mic deoarece prin fiecare tranzistor va circula un curent mai mic, nefiind nevoie s comande o linie de bit lung, cu capacitate proprie mare. 3

Circuite integrate numerice- Circuite de memorie FLASH

Un alt ctig major vine i de la faptul ca noua topologie de interconectare a celulelor de memorare este mult mai economic din punct de vedere al suprafeei ocupate pe microcircuit. Aproape singurul dezavantaj este c aceast structur este poate fi accesat doar secvenial i este optimizat n acest sens. In figura urmtoare este prezentat o astfel de structur tipic care folosete 16 tranzistoare-celule de memorare (exist i variante cu 32 de tranzistoare). In figur nu sunt prezentate i sarcinile active conectate la liniile de bit Bit Line.

Prin intermediul tranzistoarelor normale (NMOS) comandate n gril cu semnalele de tip Select (BSL-Bit Select Line, GSL-Ground Select Line) se implementeaz un mecanism de selecie a liniei de bit Bit Line si conectare la mas a irului de celule de memorare nseriate. Un tranzistor care este programat(are sarcin negativ acumulat pe grila flotant) va avea tensiunea de prag VT > 0, pe cand unul neprogramat are tensiunea de prag VT <0. Pentru o operaie de citire a celulei identificat de semnalul de selecie WLn ambii tranzistori de selecie sunt adui n conducie. Dac tensiunea de alimentare este, de exemplu, VDD, aceasta este folosit pentru comanda lor n gril. Grila de control a celulei din mijloc WLn este i ea selectat (tot cu VDD) n timp ce celelalte grile de control sunt conectate la o tensiune mai mare dect VDD, fornd toate celulele de memorie (tranzistoarele) s conduc, indiferent dac au sau nu sarcin acumulat pe grila flotant. Dac celula n cauz (cea citit) nu a fost programat (nu exist sarcin n grila flotant) canalul va intra n conducie i va conecta linia de bit BL la mas, citindu-se un 0. Dac celula nu e programat, canalul nu intr n conducie, linia de bit meninnduse la valoarea la care a fost prencrcat (VDD), citindu-se astfel un 1. Este evident c citirea irului de celule presupune o secven ordonat n timp a semnalelor GSL, BSL i WL0..WL15. Datorit conectrii n serie a celulelor de memorare (a tranzistoarelor) timpul de acces la primul octet de date dintr-un acces secvenial este considerabil mai mare dect

Circuite integrate numerice- Circuite de memorie FLASH

acelai acces aleator la un octet pentru un circuit NOR. Chiar i aa, el este totui incomparabil mai mic dact timpul minim de cutare (seek time) la un hard disk. In figura alturat este prezentat structura de baz a dou din tranzistoarele adiacente cu gril flotant conectate n serie, folosite intr-un circuit NAND Flash. Regiunea surs-dren pentru cele dou tranzistoare adiacente este comun, de unde i o economie de spaiu. Grilele de control (control gate) si cele flotante (floating gate) sunt realizate din siliciu policristalin (poly) conductor. Att programarea ct i stergerea se realizeaz uniform, printr-un efect de tunel Fowler-Nordheim (FowlerNordheim FN-tunneling), ntre grila flotant i substrat. Timpul de acces pentru o citire aleatoare este de cca 25usec (comparat cu 70nsec la un NOR Flash) pe cnd timpul de acces pentru o citire secvenial este de cca 50nsec. Avantaje evidente pentru un utilizator ale unui circuit NAND Flash sunt timpii de tergere i (re)programare scuri. Timpul de tergere pentru un bloc de 16 koctei sau mai mare la un circuit NAND este de 2msec, comparativ cu 700msec pentru acelai bloc la un circuit NOR. Curentul de programare necesar pentru injecia de sarcin n grila flotant este mai mic deoarece se utilizeaz efectul de tunel Fowler-Nordheim (Fowler-Nordheim FNtunneling) att pentru tergere ct i programare. Astfel puterea necesar pentru programare rmne mic, chiar dac se programeaz simultan un numr mare de celule de memorare. Este astfel posibil s se programeze simultan un numr mare de celule i astfel timpul de programare per octet (byte) devine foarte scurt. La un circuit NAND Flash programarea se face la nivel de pagin. Comparativ, un circuit NOR Flash poate fi programat doar octet cu octet (sau cuvnt cu cuvnt) i. deoarece utilizeaz injecia de electroni fierbini (CHE) pentru programare, consum mai mult i timpul de programare este mai lung, numai dac comparaia se face la nivel de pagin. Tipic acesta este mai lung cu un ordin de mrime (x10) dect la un NAND Flash: 4msec pentru 512 octei fa de 200usec tot pentru 512octei. In orice situaie, consumul de putere pentru orice circuit FLASH este incomparabil mai mic dect cel al unui hard-disk. Att pentru circuitele NOR ct i pentru cele NAND numrul de cicluri de tergere-programare este limitat (endurance), existnd i noiunea de uzur (wear). Pentru a nlocui un circuit UV-EPROM, un numr de 1000 de cicluri era considerat suficient. S-a estimat ns c pentru a putea nlocui un hard-disk, numrul de cicluri trebuie s fie de cel puin 1 000 000. La un circuit NOR Flash mecanismele de tergere (FN) i programare (CHE) sunt diferite, neuniforme, fluxul de electroni din gril (la tergere) sau n gril (la programare) are ci diferite i n consecin uzura asociat este mai mare. Astfel durata

Circuite integrate numerice- Circuite de memorie FLASH

de via a unui circuit NOR Flash este de cca 100 000 de cicluri de tergere/programare. La un circuit NAND tergerea i programarea se face uniform, prin acelai efect de tunel FN, fluxul de electroni avnd mereu aceiai cale. Astfel durata de via e prelungit la cel puin 1000 000 de cicluri. Astfel un circuit NAND Flash va fi caracterizat inerent printr-un numr posibil mai mare de cicluri de tergere/programare. De altfel, i la unele circuite NOR Flash mai recente modalitatea de tergere a fost modificat, devenind similar cu cea de la NAND Flash. Comparativ cu un hard-disk att circuitele NOR ct i cele NAND trebuie terse nainte de scriere, lucru care nu e necesar n cazul hard-disk-ului. Astfel n cazul unui acces continuu de scriere, unde timpul de cutare (seek time) este negijabil, un hard-disk este mai eficient. La un circuit NAND Flash, productorul NU se garanteaz c toate locaiile de memorie sunt bune i au acelai numr garantat de cicluri de tergere-programare. Deasemenea se realizeaz un numr foarte mic de locaii de rezerv, care pot fi utilizate pentru repararea eventualelor locaii cu defecte, rezultnd o economie n plus. La un astfel de circuit trebuie s existe un mecanism de detecie a erorilor si de gestionare al locaiilor defecte, circuitul putnd fi livrat, din considerente economice, cu locaii defecte! Mai mult este perfect posibil ca unele celule s-i epuizeze resursa de tergere-programare mai devreme dect altele, pe parcursul utilizrii circuitului. Dac o locaie de memorie este defect, sau devine defect, atunci ntreg blocul creia i aparine va fi marcat ca defect (bad block) i nu va mai fi utilizat. Un bloc pentru un circuit NAND are, n mod tipic, 16, 32 sau 64 de pagini. Pentru marea majoritate a acestor circuite o pagin are 512 octei de date, plus nc 16 octei cu coduri de control i corecie-ECC. Codurile ECC utilizate permit, de obicei, detecia unei erori de 2 bii i corecia unei erori de 1 bit per pagin. Din punct de vedere practic, al proiectantului de sistem i utilizatorului, cea mai mare diferen ntre cele dou categorii de circuite este interfaa utilizator. Un circuit NOR Flash este foarte asemntor din punct de vedere al interfeei cu un circuit EPROM (sau SRAM), avnd linii (magistrale) de adrese i date dedicate. El poate fi mapat cu usurin, natural, n spaiul de memorie al unui sistem de calcul. Astfel, sistemul de calcul poate citi n mod natural cod memorat ntr-un NOR Flash i l poate executa. Pe de alt parte un circuit NAND Flash nu are linii de adrese dedicate. El este controlat printr-o interfa similar dispozitivelor de intrare/iesire, prin trimiterea de comenzi i adrese, printr-o magistral unic de 8 bii (tipic), ctre registrele interne de comenzi si adrese. De exemplu, echivalentul unui ciclu de citire presupune: scrierea n registrul de comand a comenzii READ, scrierea n registrul de adrese a unei adrese formate din pn la 4 octei (bytes) i citirea propriu-zis a unei pagini de date (cu dimensiunea tipic de 528 de octei, cu 512 octei date i 16 octei coduri ECC de corecie) dintr-un registru de date. Exist i un registru de stare care este folosit pentru sincronizarea operaiilor de tergere-scriere. Circuitele mai noi au n componen i un buffer de tip SRAM n care este memorat temporar informaia care se va scrie ntr-o pagin, fiind astfel posibil suprapunerea operaiilor de citire i scriere: se poate citi o pagin n timp ce alta este scris. Funcionarea unui NAND Flash este similar altor dispozitive de intrareieire, cum ar fi i hard-disk-ul pe care acesta dorete s-l nlocuiasc. Datorit acestei interfee indirecte un sistem de calcul nu poate executa codul memorat ntr-un NAND Flash dect prin intermediul unui controler de memorie sau al unei maini secveniale dedicate.

Circuite integrate numerice- Circuite de memorie FLASH

Totui, exist i un avantaj major al interfeei indirecte, i anume faptul c pinout-ul (numrul de conexiuni externe) circuitului nu se modific funcie de capacitatea circuitului de memorie, registrul de adrese fiind interior. Densitatea maxim la care au ajuns (2004) aceste circuite este de cca 8Gbii n condiiile folosirii unei tehnologii cu dimensiunea minim de 60 nanometri!

4. Suportul software pentru circuitele FLASH Spre deosebire de alte circuite de memorie, pentru utilizatorul tehnologiei FLASH exist i o component software, a crei prezen este obligatorie, mai ales n cazul circuitelor NAND FLASH. Exist dou nivele diferite pentru suportul software: un nivel de baz pentru operaiile de citire-tergere-scriere i un nivel superior, pentru emularea unui hard-disk i gestionarea algoritmilor specifici tehnologiei FLASH (mrirea duratei de via, uniformizare uzur, optimizare performane, etc.). Pentru a citi informaie i eventual a executa cod dintr-o memorie NOR Flash nu este practic nevoie de nici un suport software. Pentru a executa ns cod dintr-o memorie NAND este neprat nevoie de un driver (pe lng hardware-ul suplimentar)! Aceast categorie de drivere poart denumirea de drivere asociate tehnologiei de memorie- MTD (Memory Technology Driver/Device). Att circuitele NOR ct i cele NAND au nevoie de un driver MTD pentru operaiile de tergere i scriere. Dac un driver MTD este tot ce e nevoie pentru a terge/scrie un circuit NOR, la un circuit NAND trebuie s mai existe un suport suplimentar pentru detecia erorilor de bit i gestionarea blocurilor defecte (bad block mangement). Un exemplu de software de nivel superior, axat pe tehnologia NAND Flash, este cel al firmei MSystems, numit TrueFFS (True Flash File System) care realizeaz att emularea hard-disk-urilor, gestionarea blocurilor defecte ct i uniformizarea uzurii (wear leveling), uurnd n mod esenial integrarea n sistem a acestor circuite. O versiune TrueFFS exist i pentru tehnologia NOR Flash. TrueFFS este disponibil, ca surse i/sau executabile, pentru toate sistemele de operare majore cum ar fi: VxWorks, Windows CE, Linux, QNX/Neutrino, Windows XP/XPE, Windows NT/ NTE, DOS si multe altele. 5. Aplicaii Cota semnificativ de pia a acestor circuite nu exprim altceva dect o gam foarte larg de aplicaii. Volumul i diversitatea aplicaiilor a crescut major odat cu devoltarea tehnologiei NAND Flash. Putem enumera n acest sens : - terminale de telefonie mobil (cell phones) - terminale GPS - camere foto si video digitale - sisteme de calcul portabile de tip PDA, Palmtop, etc. - nregistratoare de voce (voice recorders) - playere MP3 - memory sticks USB (USB drives, key drives) - memory cards (PC card, ATA card, Compact Flash, Multimedia card, Smart Media, Secure Digital, etc.)