Sunteți pe pagina 1din 5

1.

Scopul lucrrii: Studierea experimental a caracteristicii curent-tensiune a diodelor semiconductoare i a dependenei lor de temperatur; determinarea parametrilor de baz ai diodei semiconductoare conform acestei caracteristici.

2. Parametrii i metoda de determinare: Cuplm circuitul conform schemei de montaj. Macheta de laborator conine dou diode semiconductoare, una din e i alta din Si. !idicm ramura direct, i apoi cea indirect a caracteristicii curent-tensiune pentru aceste diode la temperatura t " #$$C C. %nalo& procedm i 'n cazul temperaturii t " ()$C, 'ns pentru aceasta termostatul se cupleaz la tensiunea * " ),) + i se ateapt ,) min p'n a 'ncepe experiena. -atele obinute le introducem 'n tabele. Conform acestor rezultate trasm caracteristicele curent-tensiune i determinm parametrii de baz ai diodelor, adic rezistenele static i diferenial.
Rst = U$ U ; R dif = . I$ I

3. Schema de montaj:

4. Caracteristicile aparatelor utilizate: .n aceast lucrare de laborator am utilizat urmtoarele aparate/ sursele de curent de continuu 0)-(1 i 0)-((%, 2oltmetru uni2ersal 03-#4 i multimetru -5-16$7.
a)

Sursa de curent continuu 0)-(1 este destinat pentru alimentarea dispoziti2elor radiotehnice cu tensiune sau curent continuu. 8arametrii principali/ tensiunea la ieire ; intensitatea curentului .

b)

Sursa de curent continuu 0)-((% este destinat pentru alimentarea

dispoziti2elor radiotehnice cu tesiune sau curent continuu. 8arametrii principali/ tensiunea la ieire . ; intensitatea curentului

c)

+oltmetrul uni2ersal 03-#4 este destinat pentru msurarea tensiunii i rezistenei curentului continuu i alternati2. Msoar tensiunea curentului continuu 9$; ,$$ i 9$$ . , a2'nd diapazoanele cu limita de sus $,,; $,9; ,; 9; ,$;

d)

Multimetrul -5-16$7 este destinat pentru msurarea tensiunii curentului continuu i alternati2 p'n la curentului p'n la , intensitii , rezistenei p'n la i

, capacitii p'n la controlul parametrilor diodelor i tranzistoarelor.

5. Ta ele cu date e!perimentale i de calcul:

Polarizare direct.

t " #$$C VD1 Udir :V; Idir :mA; $,#( 94 $,## $,# $,,6 $,,1 #9 ) #,) , Udir :V; $,(( $,9( $,#4 $,,1 $,$1 VD2 Idir :mA; )9 9) #, ,$ , Udir :V; $,#( $,## $,# $,,6 $,,1 VD1

t " ()$C VD2 Udir :V; $,(( $,9( $,#4 $,,1 $,$1 Idir :mA; (( 9# #$ ,$ , Idir :mA; 96 ## ,$ ( #

Polarizare indirect.

t " #$$C VD1 Uind :V; #1 #) #$ ,) ,$ ) Iind :A; , , , , $ $ Uind :V; #1 #) #$ ,) ,$ ) VD2 Iind :A; ,3 ,4 ,( ,, 6 1 Uind :V; #1 #) #$ ,) ,$ ) VD1

t " ()$C VD2 Uind :V; #1 #) #$ ,) ,$ ) Iind :A; )# ), (3 (# 94 9# Iind :A; , , , , $ $

". #!emple de calcul: a; pentru +-,/ t = #$$ C


Rst = $, #,V = ,( $, $,) A

I = #$ ,$ = ,$mA; U = $, #,) $, #$) = $, $,V

Rdif = Rst =

$, $,V = , $, $,A $, ##V = ,$, ( $, $#,A

t = ()$ C

I = #) ,3 = 1mA; U = $, #9 $, #, = $, $#V

Rdif = Rst =

$, $#V = #,) $, $$1 A $, #3V = ,,, 3 $, $#9 A

b; pentru +-#/ t = #$$ C

I = #1 ,1 = ,$mA; U = $,9 $, #( = $, $4V

Rdif = Rst =

$, $4V = 4 $, $,A $,9V = ,,,) $, $#4 A

t = ()$ C

I = 9$ ## = 1mA; U = $,99 $, #1 = $, $)V

Rdif =

$, $)V = 4, #) $, $$1 A

$. Concluzii: .n urma efecturii acestei lucrri de laborator am ridicat caracterisiticile curent-tensiune pentru dou diode fabricate din materiale diferite la dou temperaturi diferite, t " #$$C i t " ()$C. Conform acestor caracteristici am determinat parametrii de baz ai diodelor, dup care am i determinat materialele din care sunt fabricate diodele :&ermaniu i siliciu;.