2.

DIODA
n acest capitol va fi prezentat, pe scurt, componenta activ numit dioda. Se ncepe cu
prezentarea materialele semiconductoare folosite i cu structura fundamental care este
jonciunea p-n.
2.1. Materialele semiconductoare i jonciunea p-n
2.1.1 Structura materialelor semiconductoare
Materialele semiconductoare au conductivitatea electric intermediar ntre materialele
izolante si materialele bune conductoare. Sunt utilizate pentru construcia dispozitivelor
semiconductoare, iar cel mai folosit este siliciul. Un atom de siliciu are electroni pe ultimul
nveli i siliciul n stare pur !numit i material intrinsec", din motive de stabilitate, este
structurat n aa fel nc#t un atom este le$at de nc atomi vecini cu fiecare cumul#nd c#te doi
electroni, unul propriu, altul vecin, ajun$#nd la un total de % !fi$ura &.'., reprezent#nd doar
nucleul i ultimul nveli". ntrea$a structur este neutr electric, motiv pentru care s-a fi$urat i
sarcina pozitiva corespondent din nucleu.
(i$.&.' Structura siliciului pur. (i$. &.&. )enerarea perec*ilor electron liber-$ol
Siliciul este stabil i ntre particule sunt le$turi puternice. +u toate acestea, o dat cu
creterea temperaturii sau n urma iradierii, unii electroni se desprind din le$turi, devenind
electroni liberi.
+oncomitent !fi$ura &.&." zona prsit rm#ne ncrcat pozitiv, se poate deplasa !din
aproape n aproape" i se numete $ol. ,lectronii liberi i $olurile !$enerate n perec*i" pot da
natere curenilor electrici. Similar cu procesul de $enerare, e-ist i un proces invers, numit
recombinare. .umrul purttorilor rm#ne ns mic, materialul intrinsec fiind mai apropiat de
materialele izolante.
2.1.2 Materiale semiconductoare p i n
.umrul purttorilor liberi poate fi mrit n mod artificial printr-un proces de impurificare
realizat n dou variante. n prima variant se introduc n structura siliciului un numr de atomi ai
unui element din $rupa a /-a !arsen, stibiu", cu / electroni pe ultimul nveli. 0cest atom se
fi-eaz n structura siliciului, la fel ca atomul de siliciu, cu dintre electronii de pe ultimul
nveli, cel de-al /-lea devenind electron liber !fi$. &.1.". 2ona prsit de acesta rm#ne ncrcat
pozitiv dar nu mai este mobil. 3rin impurificarea de acest tip se obine materialul semiconductor
tip n, care se poate reprezenta electric !fi$. &..a" printr-o structura de sarcini pozitive fi-e,
dublat de un numr e$al de electroni liberi. 0cetia sunt numii i purttori majoritari deoarece
concomitent e-ist i un numr, mult mai mic, de $oluri rezultate din procesul de $enerare
termic, numii purttori minoritari.
(i$. &.1. Material semiconductor n.
0nalo$, prin impurificare cu atomi ai unui element din $rupa a 1-a !aluminiu, indiu", se
obine materialul semiconductor tip p, care se poate reprezenta electric !fi$. &..b" printr-o
structura de sarcini ne$ative fi-e, dublat de un numr e$al de $oluri. Materialele
semiconductoare tip n i p se numesc i materiale e-trinseci.
a" Material tip n. b" Material tip p.
(i$. &.. 4eprezentarea simplificat a materialelor semiconductoare.
2.1.3 Cureni n materiale semiconductoare
,-istena purttorilor liberi, majoritari i minoritari, permite, n anumite condiii,
deplasarea acestora, adic apariia curenilor electrici. 5up mecanismul $enerator e-ist cureni
de c#mp i cureni de difuzie.
+urentul de c#mp apare c#nd materialul este supus unui c#mp electric 6 i are densitatea
76. +urentul de difuzie apare atunci c#nd densitatea purttorilor este neomo$en i are loc
fenomenul de difuzie, adic deplasarea purttorilor din zonele cu densitate mai mare spre zonele
cu densitate mai mic p#n c#nd distribuia purttorilor devine omo$en. n fi$ura &./. este
ilustrat fenomenul de difuzie prezent#nd o seciune a unui material semiconductor n dou
momente de timp. 8niial e-ist o distribuie neomo$en a purttorilor, apare un curent de difuzie
iar n final distribuia este omo$en i curentul se anuleaz. 5ac e-ist un mecanism de $enerare
continu a purttorilor ntr-o zon anumit, cum e de e-emplu $enerarea prin iluminare, se poate
asi$ura un curent permanent aa cum este cazul fotocelulelor.
(i$.&./. (enomenul de difuzie.
2.1.4 Jonciunea pn
9e*nolo$ii speciale permit alturarea intim a celor dou tipuri de materiale
semiconductoare p i n, desprite de o zon n$ust de trecere i form#nd o structur denumit
jonciunea p-n !fi$. &.:.". ;onciunea p-n are proprieti speciale i st la baza majoritii
dispozitivelor semiconductoare i implicit a electronicii moderne.
(i$.&.:. ;onciunea p-n.
n momentul iniial distribuia de purttori liberi este accentuat neuniform, cu multe
$oluri n zona p i muli electroni liberi n zona n. 9endina natural a purttorilor liberi, fie ei
electroni liberi sau $oluri, corespunztoare fenomenului de difuzie, este s se deplaseze din
zonele unde sunt n e-ces spre zonele srace. )olurile se vor deplasa din zona p spre zona n iar
electronii liberi n sens contrar. 5e fapt ncepe un proces de recombinare i perec*i de purttori
dispar ncep#nd de la suprafaa de separaie. Se creeaz o zon fr purttori liberi, marcat pe
fi$ur i denumit zon de sarcin spaial, fiind format din dou straturi ncrcate cu sarcin de
semn contrar. Se creeaz concomitent un c#mp electric intern cu sensul din fi$ur, c#mp ce se
opune difuziei i recombinrii n continuare i se atin$e o stare de ec*ilibru.
2.1.! Jonciunea pn cu tensiune e"terioar# $polari%at#&
< tensiune continu pate fi aplicat jonciunii p-n prin intermediul a doi electrozi
conectai la capete. 0ciunea este denumit curent polarizare i e-ist dou situaii distincte,
polarizare invers !fi$. &.=." c#nd plusul este la zona p i polarizare direct, cu plusul la zona n.
(i$. &.=. ;onciunea p-n.
+#nd jonciunea este polarizat invers, sursa de tensiune creeaz n jonciune un c#mp
electric e-tern care are acelai sens cu cel intern. +#mpul total este suma lor i duce la lr$irea
zonei de sarcin spaial, zon fr purttori liberi, cu rezistivitate mare. .u e-ist circulaie de
purttori majoritari i curentul este practic zero. n realitate e-ist o circulaie de purttori
minoritari i n consecin un curent, foarte mic, denumit i curent invers. 0tunci c#nd este
polarizat direct, sursa de tensiune creeaz n jonciune un c#mp electric e-tern care are sens
contrar celui intern, favorizeaz deplasarea purttorilor majoritari i conduce la apariia unui
curent direct important.
2.2. Dioda semiconductoare
2.2.1. 're%entare (eneral#.
5ioda semiconductoare este cel mai simplu dispozitiv semiconductor. 5ioda
semiconductoare este un dispozitiv cu dou terminale, furnizat de ctre productori sub diverse
forme, una din cele mai uzuale fiind prezentat n (i$ura '.
+ele dou terminale ale diodei au denumiri diferite i anume anod, respectiv catod.
3entru a utiliza corect dioda n circuit, catodul este indicat pe capsula diodei prin intermediul
unui inel desenat, ca n (i$.&.%.
3roprietatea principala a unei diode este aceea ca permite circulaia curentului intr-un
sin$ur sens, fiind un dispozitiv unidirectional
(i$.&.%. 5ioda semiconductoare.
n circuitele electronice, dioda semiconductoare este simbolizat ca n (i$.&.>.
(i$.&.>. Simbolul electronic al diodei semiconductoare.
?a nivelul diodei apar & mrimi electrice@ curentul prin diod, notat i
A
, care prin convenie
are sensul de la anod spre catod, respectiv tensiunea pe diod, notat v
A
, care prin convenie are
referina de la anod spre catod !(i$.&.'A".
(i$.&.'A. Mrimile electrice ale diodei semiconductoare.
2.2.2. )uncionarea diodei
(uncionarea diodei este descris prin intermediul unui $rafic denumit caracteristic de
funcionare !(i$.&.''". 0ceasta furnizeaz informaii despre modul n care curentul prin diod
variaz n funcie de tensiunea care apare ntre terminalele acesteia.
(i$.&.''. +aracteristica de funcionare a diodei semiconductoare.
n cazul n care tensiunea pe diod este pozitiv, se spune c aceasta funcioneaz n
conducie direct, iar n cazul n care tensiunea pe diod este ne$ativ, se spune c aceasta
funcioneaz n conducie invers.
n conducie direct@ se observ o tensiune de pra$ !notat B
5
"C dac valoarea tensiunii pe
diod este sub pra$, prin diod nu trece curent electricC dac valoarea tensiunii pe diod atin$e
pra$ul, atunci prin diod trece curent electric D acesta crete e-ponenial n funcie de tensiunea
pe diod D se remarc faptul c tensiunea rm#ne la o valoare apropiat de valoarea B
5
. Baloarea
tensiunii de pra$ este cuprins ntre A,/BA,=B. +urentul prin diod nu trebuie s depeasc o
anumit valoare ma-im, notat n cataloa$ele de diode 8
(
, impus de puterea ma-im pe care o
poate disipa dioda fr a se distru$e termic. ?imitarea curentului prin diod la o valoare mai mic
dec#t valoarea 8
(
se realizeaz n circuitul n care este utilizat dioda, de obicei, prin intermediul
unui rezistor.
n conducie invers@ se observ o tensiune specific denumit tensiune de strpun$ere,
!notat B
E4
" a crui valoare este de ordinul zecilor-sutelor de voliC dac valoarea n modul a
tensiunii pe diod este mai mic dec#t valoarea B
E4
, curentul electric nu trece prin diodC dac
valoarea tensiunii pe diod atin$e valoarea B
E4
, atunci prin diod curentul electric crete
necontrolat D acest fenomen se numete strpungerea diodeiC n acest caz, se spune c dioda
funcioneaz n re$iunea de strpun$ere. 5in acest motiv, n circuitul n care este montat, este
necesar s se limiteze tensiunea ne$ativ pe diod la valoare mai mic n modul dec#t valoare
B
E4
.
5in punct de vedere analitic, funcionarea diodei semiconductoare este descris de
ecuaia de funcionare a diodei semiconductoare. 0ceasta furnizeaz relaia matematic dintre
curentul prin diod i tensiunea de la terminalele sale i este reprezentat de relaia@
1
]
1

,
_

' e-p
T
A
S A
V
v
I i
unde@ 8
S
reprezint curentul de saturaie al diodei, care este apro-imativ e$al cu curentul ce trece
prin diod n conducie invers !'A
-':
'A
-'
0"C
B
9
reprezint tensiunea termic, care este direct proporional cu temperatura de lucruC
v
0
i i
0
sunt tensiunea, respectiv curentul total.
5in e-presia de mai sus se poate observa c funcionarea diodei depinde de temperatura la
care lucreaz. ?a creterea temperaturii de lucru, curentul prin diod crete !n special curentul
invers prin diod".
9ot din relaia de mai sus se observ c dioda este un element de circuit neliniar i prin
urmare circuitul care o conine devine un circuit neliniar.
2.2.3 In*luena temperaturii
9emperatura influeneaz mult funcionarea diodelor, ca de altfel a tuturor dispozitivelor
semiconductoare. 9emperatura de &AAF+ este o valoare limit ma-im pentru dispozitivele
semiconductoare pe Si.
9emperatura diodelor se modific at#t ca urmare a variaiei temperaturii mediului c#t i ca
urmare a pierderilor prin efect ;oule. 0cestea din urm cresc odat cu creterea valorii curentului
sau a frecvenei de funcionare.
+#nd puterile de pierderi sunt mari diodele sunt meninute sub limita temperaturii ma-im
admisibile prin montarea lor pe radiatoare cu suprafa radiant mare care permite disiparea n
mediul e-terior a cldurii rezultate prin efect ;oule. n numeroase situaii se utilizeaz
suplimentar rcirea forat a radiatoarelor, fie cu ventilatoare, fie cu circuit de rcire cu lic*id.
+reterea temperaturii are un dublu efect asupra diodelor, care este prezentat n fi$ura
&.'&. n primul r#nd se mrete curentul invers. 0cesta se dubleaz la fiecare cretere de
apro-imativ 'A $rade a temperaturii. 0l doilea efect este micorarea tensiunii pe dioda n
conducie. Micorarea este de apro-imativ A,AA& BGF+ i este uneori utilizat pentru msurarea
temperaturii, dioda fiind folosit drept senzor de temperatur.
(i$.&.'&. 8nfluena temperaturii asupra diodelor.
2.2.4 Modelarea diodei.
3entru calculul circuitelor cu diode se poate utiliza relaia analitic de mai sus sau se
poate utiliza metoda $rafic, folosind caracteristica $rafic curent-tensiune a diodei. Metodele de
mai sus sunt rar utilizate, fiind complicate sau c*iar inoperante n cazul circuitelor cu mai multe
elemente. 5in acest motiv cea mai utilizat metod este liniarizarea diodei, adic nlocuirea
acesteia cu o sc*em ec*ivalent format cu elemente liniare. n funcie de precizia dorit a
calculelor, dioda poate fi ec*ivalat cu o sc*em mai simpl sau mai complicat.
5up nlocuirea diodei cu sc*ema ec*ivalent, calculul urmeaz cursul obinuit pentru
circuitele liniare.
Sunt utilizate trei nivele de apro-imare liniar a diodelor. n fi$.&.'1 sunt prezentate at#t
modelele c#t i caracteristica $rafic a acestora.
+el mai simplu i mai folosit model este un comutator, H !&.'1.a". 0cesta este desc*is,
c#nd se aplic o tensiune invers i este nc*is, c#nd se aplic o tensiune direct mai mare dec#t
zero. Un al doilea model ine cont de tensiunea de desc*idere a diodei, U
5
IA,=B !&.'1.b".
Modelul cel mai precis !&.'1.c" ine cont i de rezistena diodei n zona de conducie, 4
d
, iar panta
caracteristicii $rafice este mai mic de >A $rade.
a" b" c"
(i$.&.'1. Modele liniare pentru diode.
Modelele prezentate p#n acum sunt utilizate atunci c#nd diodele sunt n re$im de curent
continuu sau n re$im de curent alternativ de frecven mic, de e-emplu la /A Jz, frecvena
reelei. +#nd diodele sunt utilizate n re$im de curent alternativ cu amplitudine mic i frecven
mai mare, se folosete un model al diodei, denumit model dinamic de semnal mic, care ine cont
de capacitatea electric a jonciunii p-n, dioda fiind ec*ivalat cu rezistena dinamic !diferit
pentru zona de conducie sau de blocare" n paralel cu capacitatea total a jonciunii !(i$.&.'".
(i$. &.'. Model de semnal mic.
2.2.! Dioda n re(im de comutaie
Un dispozitiv electronic este n re$im de comutaie atunci c#nd tensiunile la borne i
implicit curenii se modific cu vitez foarte mare. ntr-un astfel de re$im au importan timpii de
tranziie sau de comutaie i nu pot fi utilizate sc*emele ec*ivalente simplificate prezentate
anterior.
Comutaia direct este atunci c#nd dispozitivul trece din starea de blocare n starea de
conducie.
Comutaia invers este atunci c#nd dispozitivul trece din starea de conducie n starea
deblocare.
?a comutaia direct curentul prin diod nu creste instantaneu !tensiunea U de comand
fiind presupus ideal, cu timp de comutaie zero", ci ntr-un timp numit timp de comutaie
direct, t
d
sau t
on
. Similar evolueaz tensiunea la bornele diodei.
?a comutaia invers curentul prin diod ajun$e aproape de valoarea zero dup un interval
de timp numit timp de comutaie invers, t
i
sau t
off
. (enomenul de comutaie invers cuprinde i
un interval de timp, numit timp de revenire, n care e-ist un curent invers prin diod. Simultan
tensiunea invers la bornele diodei are o supracretere accentuat, u
iM
, care depinde de panta
iniial diGdt cu care revine curentul invers la zero. 5ac panta de revenire a curentului este mare
atunci avem comutaie *ard, cu supratensiuni foarte mari, dac panta de revenire a curentului este
mic atunci avem comutaie soft, cu supratensiuni mai mici. 0ceste supratensiuni pot distru$e
dioda. 3entru limitarea acestora sunt utilizate elemente de protecie, cel mai des un $rup
rezistent-condensator !$rup 4+" conectat la bornele diodei !(i$.&.'/".
(i$. &.'/ 3rotecia diodei la supratensiuni.
5iodele sunt diode lente dac timpii de comutaie sunt de ordinul microsecunde i sunt
diode rapide dac aceti timpi sunt de ordinul nanosecunde.
2.2.+. 'olari%area diodelor.
0a cum s-a prezentat anterior, o diod poate funciona n & re$imuri diferite i anume n
conducie direct, respectiv invers. 3rin noiunea de polarizare a unei diode se nele$e stabilirea
tipului de conducie n curent continuu. 0stfel, dac dioda funcioneaz n curent continuu n
conducie direct, se spune c aceasta este polarizat direct. 0nalo$, dac dioda funcioneaz n
curent continuu n conducie invers, se spune c aceasta este polarizat invers.
(uncionarea n curent continuu a unei diode este complet caracterizat de ctre valoarea
curentului continuu care trece prin acesta i de tensiunea continu ntre terminalele diodei.
3erec*ea de mrimi electrice compus din curentul continuu prin diod i de tensiunea continu
pe diod se numete Punct Static de Funcionare, prescurtat PSF.
3unctul Static de (uncionare furnizeaz ntotdeauna informaii despre re$imul n care
funcioneaz dioda. 0ceast observaie este valabil i pentru celelalte tipuri de dispozitive
semiconductoare.
3olarizarea diodei este realizat prin intermediul unui circuit special, numit circuit de
polarizare. +ircuitul de polarizare conine ntotdeauna o surs de alimentare !o surs de tensiune
continu sau o surs de curent continuu", care se mai numete i surs de polarizare i o rezisten
de polarizare care are rolul de a limita curentul prin diod astfel nc#t aceasta s nu se distru$.
2.2.,. -ipuri de diode.
,-ist variante diverse de diode care se deosebesc prin particulariti funcionale i
destinaie. 3rincipalele cate$orii sunt prezentate n continuare.
Diode redresoare
Sunt diode destinate utilizrii n circuite redresoare pentru reeaua de c.a. 3arametrii
principali sunt curentul ma-im, 8
M
i tensiunea invers ma-im, U
M
. 3laja de valori ale acestor
parametrii este@
- amperi-zeci de mii de amperi, pentru 8
M
C
- zeci voli - zeci de mii de voli pentru U
M
.
5iodele de cureni mari sunt construite n aa mod nc#t s le poat fi ataate radiatoare de
rcire. 5iodele de cureni mici sunt nc*ise n capsule de plastic sau ceramic i au catodul
marcat cu o band alb sau nea$r.
Diode de comutaie
Sunt diode destinate utilizrii n circuite funcion#nd n comutaie sau la frecvene
ridicate. 3arametrii principali sunt timpii de comutaie.
Diode Schottky
Sunt diode realizate ntr-o te*nolo$ie special, de tip metal-semiconductor i au simbolul
prezentat n (i$.&.':.a. 0vantajele acestor diode sunt@
- tensiune mic n conducie, apro-imativ A,1 BC
- timpi de comutaie foarte mici.
5ezavantajul principal@ - tensiune invers ma-im mic !zeci de voli".
Dioda varicap
5enumirea diodei vine de la e-presia capacitate variabil. Simbolul este prezentat n
(i$.&.':.b. 5ioda este utilizat n polarizare invers i proprietatea principal este c se comport
n aceast situaie ca un condensator cu capacitate variabil, dependent de tensiunea la borne.
9oate diodele au aceast proprietate dar diodele varicap sunt construite astfel nc#t dependena
capacitate-tensiune s aib un profil optim. 2ona de variaie este n intervalul '...'AA picofarazi.
5omeniul principal de utilizare sunt radiocomunicaiile, mai precis acordul circuitelor oscilante
din emitoare i receptoare.
a" b"
(i$.&.':. a" 5ioda Sc*ottKL. b" 5ioda varicap.
Dioda Zener
,ste o diod construit pentru a fi utilizat n zona de strpun$ere invers. Simbolurile
utilizate pentru dioda 2ener i caracteristica $rafic sunt prezentate n (i$.&.'%. n polarizare
direct este similar diodelor redresoare. n polarizare invers dioda se strpun$e la o tensiune
numit tensiune 2ener, U
2
, constant pentru o anumit diod. n zona de strpun$ere curentul
crete p#n la o valoare ma-im admisibil, i
M
dar tensiunea rm#ne aproape constant. 4ezistena
dinamic r
2
n zona de strpun$ere este foarte mic.. 3roprietatea de a menine contant tensiunea
pe o plaj mare de cureni face ca dioda s fie utilizat ndeosebi n circuitele stabilizatoare de
tensiune.
(i$.&.'=. 5ioda 2ener
LED Diod electroluminiscent
?a fel ca i dioda, ?,5-ul permite trecerea curentului doar n conducie direct, iar
trecerea curentului electric prin ?,5 este semnalizat prin aprinderea acestuia.
a" b"
(i$.&.'%. a" ?,5-ul D sau dioda electroluminiscentC b" Simbolul electronic al ?,5-ului
?,5-ul este furnizat de ctre productori sub diverse forme, prezentate n (i$.&.'%. n
circuitele electronice, simbolul ?,5-ului este simbolizat ca n (i$.&.'%.b. Spre deosebire de
dioda semiconductoare, ?,5-ul are o tensiune de pra$ B
?,5
de apro-imativ ',:B.