Elemente de electronic analogic

constantin.ilas@cs.pub.ro
Notare:
-laborator 20%
-seminar 10%
-teme casa (2x10) 20%
-examen 50%
Prezenta lab obligatorie
xamen: min 25 pct.! 50
1
Elemente de electronic analogic
lemente "e electronica corpului soli"
Purt#tori "e sarcin# $n semicon"uctoare
Dup conductibilitatea electric corpurile solide sunt:
conductoare - cm > / 10
3
la
amb
t
`
-

3 22
/ 10 cm n
e

(electroni liberi)
- neutre electric local i general
- conductibilitatea scade cu temperatura
(
E E E qn qnv j
n

1

)
(n !urul ionilor po"iti#i care nu particip la conduc$ie se mic electroni
mobili)
semiconductoare - cm

/ 10 10
3 10
(la temperatura ambiant)
- pentru K T
0
100 < re"ult cm <

/ 10
10

depinde pronun$at de temperatur

izolante - nici la temperaturi %oarte mari nu pre"int o
conductibilitate electric important
Aceast comportare este determinat de natura legturilor dintre
atomi:
la metale (conductoare) e&ist legtura metalic' %oarte slab n care
electronii %ormea" un nor electronic i pot participa uor la conduc$ie(
la i"olatoare (materiale i"olante) este speci%ic legtura ionic' %oarte
stabil p)n la temperaturi %oatrte mari( poate s apar' e#entual' o
conducie ionic(
semiconductoarele pot %i constituite:
- dintr-un singur tip de atomi din grupa a patra (*e sau +i)
- din tipuri de atomi din grupe apropiate (de e&emplu' din grupele
,,,' -' e&emplul tipic %iind semiconductorul *a.s)(
/ntre aceste tipuri de atomi se pot stabili legturi covalente care
constau din punerea n comun a unuia dintre electronii de #alen$0
2
Elemente de electronic analogic
1entru a se elibera un electron din legtura co#alent este necesar
un surplus de energie.
2a temperaturi mai mari de 100
0
3' datorit agita$iei termice'
electronii din stratul de #alen$ de#in electroni liberi i %ormea" o sarcin
electronic real mobil0
/n aceste condi$ii' la aplicarea unui c)mp electric' electronii liberi
se deplasea" ordonat i %ormea" un curent electric de natur electronic(
Dar' un electron de #alen$ #ecin' de pe alt legtur co#alent'
poate e%ectua o tran"i$ie (tot datorit agita$iei termice) i ocup locul rmas
liber( sub in%luen$a c)mpului electric' se constat c are loc o deplasare de
sarcin po"iti# n sensul c)mpului electric' adic un electron de#enit liber
determin e%ectuarea mai multor tran"i$ii ca i c)nd locurile libere s-ar
deplasa0 +e asocia" acestei deplasri a unei sarcini po"iti#e no$iunea de gol'
adic un purttor de sarcin po"iti# care determina o component a
curentului electric0 De remarcat c golul nu este o particul elementar ci este
un concept care simulea" deplasarea locurilor goale din structura
semiconductorului prin ocuparea lor de ctre electroni care se a%l de!a pe
alte ni#ele energetice0
*e (+i)
4 alt e&plica$ie a celor dou componente ale curentului electric
dintr-un semiconductor se poate da %olosind teoria ben"ilor energetice dintr-
un corp solid0
3
Elemente de electronic analogic
con"uctoare: la temperatura absolut 0
0
3 toate ni#elele din 5-
sunt ocupate i cele din 56 sunt libere( ni#elul 7ermi separ cele
dou ben"i( dac 8 crete' apar electroni de conduc$ie care pot
participa la conduc$ie0
semicon"uctoare (izolatoare): la temperatura absolut 0
0
3el#in toate ni#elele din 5- sunt ocupate i cele din 56 sunt
libere( po"i$ia ni#elului 7ermi nu este preci"at( electronii nu pot
ocupa ni#ele din 5,( la energie termic su%icient de mare (%oarte
mare) este posibil ca unii electroni s treac din 5- n 560
9umrul acestora depinde de :;:
- la germaniu: :; < 0'=> e-
- la siliciu: :; < 1'1 e-
- diamant: :; < =-> e-
Prin impurificare (procedee te?nologice)' propriet$ile electrice ale
semiconductoarelor se modi%ic %oarte mult %iind dou posibilit$i:
/n ca"ul n care se introduc impurit$i ale cror ni#ele energetice permise
n 5- sunt %oarte aproape de 56 (elemente penta#alente' 5i' +b' .s' 1) n care
al cincilea electron trece uor n banda de conduc$ie' se ob$in electroni de
conduc$ie c?iar la temperaturi sc"ute dei nu au aprut goluri n banda de
#alen$ adic procesul de generare de perec?i de purttori nu este semni%icati#0
+e spune c impurit$ile sunt de tip "onor i c' la temperatura camerei' sunt
ioni"ate complet0 @e"ult c' n semiconductor' numrul de purttori mobili
electroni este mai mare dec)t cel de goluri0
a) impuri%icare cu substan$e penta#alente (5i' +b' .s' 1) - donoare
- al A-lea electron trece uor n 56 B apar electroni de conduc$ie
- la temp0 camerei B toate impurit$ile sunt ioni"ate
- procesul de generare de perec?i nesemni%icati# (nc)
semiconductor e&trinsec
- purttorii ma!oritari B electronii B semic de tip 9
- purttorii minoritari B golurile n CC p
D
Elemente de electronic analogic
b) impuri%icare cu substan$e tri#alente (5' .l' ,n' *a) - acceptoare
- apare uor un gol n 5- B pot participa la conduc$ie
- la temp0 camerei B toate impurit$ile sunt ioni"ate
- procesul de generare de perec?i nesemni%icati# (nc)
semiconductor e&trinsec
- purttorii ma!oritari BB golurile B semic0 de tip 1
- purttorii minoritari B electronii n << p
c) %r impuri%icare B semiconductor intrinsec
- numrul golurilor egal cu al electronilor i
n p n
/n %i"ica corpului solid se calculea" concentra$iile de electroni i de
goluri n %unc$ie de po"i$ia ni#elului 7ermi:
A
Elemente de electronic analogic
kT
W W
p
kT
W W
n
v c
e p e n

0 0
2
3
2
2
3
2
2
2
2
2

,
_

,
_

!
kT m
!
kT m
p
p
n
n

cu
2
0 0 i
n p n
(independent de ;
7
)
%emicon"uctor intrinsec:
0 0
p n
E
kT
W W
p
kT
W W
n
v c
e e

re"ult:
n
p
v c

m
m
q
kT W W
W ln
2
3
2
+
+

la K
o
0 E
2
v c

W W
W
+

(
T crete E
W
scade
( )
n p
m m <
concentra$ia intrinsec de purttori i
n
:
kT
W
p n
kT
W W
p n i
e e p n n
c

0 0
2
kT
W
i
kT
W
i
e T const n e T const n

2
3
3 2
0 0
"onsecine:
F
3 13 3 10
/ 10 A 0 2 ) ( / 10 A 0 1 ) ( cm #e n cm $i n
i i

F
) ( ) ( #e n $i n
i i
<<
F dependen$a de temperatur
+e mai pot scrie i sub %orma:
kT
W
p
kT
n
e p e n





0 0
%emicon"uctor extrinsec:
de tip 9 :
+
+
d
% p n
0 0
- pro#eni$i prin generare de perec?i
- pro#eni$i prin ioni"area impurit$ilor donoare
=
Elemente de electronic analogic
la temperatur ambiant:
+

d
% n
0
la temperatur mare:
0 0
p n
Analog pentru semiconductor e&trinsec de tip '
&bser'a(ie: po"i$ia ni#elului 7ermi depinde de concentra$iile de
impurit$i0 Dac semiconductorul este dotat neuni%orm cu impurit$i' la
ec?ilibru termic po"i$ia ni#elului 7ermi rm)ne %i& i se modi%ic %undul 56
i #)r%ul 5-0

)on"uctibilitatea electric# a semicon"uctoarelor
8 mic B numr mic de purttori B nu este curent electric
8 ambiant B numrul de purttori mobili de sarcin crete prin
ioni"area impurit$ilor ob$inu$i datorit agita$iei termice
+e aplic i c)mp electric E peste micarea de agita$ie termic de"ordonat
se suprapune o micare diri!at a purttorilor mobili de sarcin creia i
corespunde o #ite" medie de deplasare0 +e constat propor$ionalitatea cu
c)mpul electric:
E v
v
- #ite"a medie(
E - c)mp electric aplicat(

- mobilitate 1
]
1

s (
m
2
B mrime de material:
( ) ( ) $i #e
p n p n

2
1
(
2
1
<
depinde de: - temperatur (scade)
- de%ectele structurii cristaline (scade)
- concentra$ia purttorilor liberi
)in vite*ele medii + curentul de c,mp:
E qp j E qn j
p camp p n camp n
(
( ) E E p n q E qp E qn j
p n p n
+ +
p n
qp qn +
>
Elemente de electronic analogic
semiconductor intrinsec:
( )
p n i i
qn +
semiconductor de tip 9:
n d n
q% qn
semiconductor de tip 1: p a p
q% qp
impurit$i de ambele tipuri B se compensea"
-aria$ia cu temperatura a conductibilit$ii electrice:

a
1
-a
2
temp0 !oas B ioni"are imp0
a
2
-a
3
temp0 ambiant B toate imp0 re"isti#itatea scade la temp0
sunt ioni"ate ambiant deoarece mobilitatea
a
3
-c temp0 mare B crete conc0 de scade cu temperatura
purttori intrinseci
b conc0 imp0 mai mare
*i+uzia purt#torilor "e sarcin#
+emiconductor dopat neuni%orm cu impurit$i' %r c)mp electric din
e&terior
G
Elemente de electronic analogic
a) tendin$a de uni%ormi"are (ca la ga"e) prin proces de di%u"ie E curent
de difuzie;
b) apare c)mp electric sarcini electrice po"iti#e %i&e (st)nga) i sarcini
electrice negati#e mobile (dreapta) care are tendin$a de a aduce napoi electronii
spre st)nga E curent de cmp0
c) re"ult un proces de uni%ormi"are dinamic
d) regim sta$ionar (de ec?ilibru) c)nd transportul de purttori prin di%u"ie
< transportul de purttori prin c)mp0
6urentul de di%u"ie este propor$ional cu gradientul concentra$iei de
purttori:
p q) j n q) j
p di- p n di- n
(
p n
) ) '
E constante de di-u*ie' 1
]
1

s
cm
2
(depind de material)
cua(iile "e transport
p n
p p di- p camp p p
n n di- n camp n n
j j j
p q) E qp j j j
n q) E qn j j j
+
+
+ +

2a ec?ilibru termic:
0
p n
j j
Legtura dintre constanta de difuzie i mobilitate
.mbele sunt mrimi care caracteri"e" acelai proces %i"ic cu caracter
statistic al micrii de"ordonate a purttorilor de sarcin0

H
Elemente de electronic analogic
energia poten$ial:
( ) & ct W
p
+ 0
Dar:
q. W
p

poten$ialul intern:
q
W
.
p

deci:
( )
( )
q
&
ct & .

0
c)mpul intern:
( )
q
&
. grad E
I

curentul de electroni la ec?ilibru termic:
0 + + E qn
d&
dn
q) E qn n q) j
n n n n n

din:
( )
kT
&
n
e n

se deduce:
kT
&
n
n
) (
ln ln


i apoi:
( )
d&
kT
&
n
dn I

sau:
( ) &
kT
n
d&
dn
I
curentul de electroni de#ine:
( )
( )
0
I
I +
q
&
qn &
kT
n
q)
n n


'
de unde' pentru:
( ) ' 0 I &
re"ult:
kT
)
n
n
( la %el:
kT
)
p
p


(rela$ii Einstein)
Ecua$iile de transport se pot scrie sub %orma:

,
_

,
_

+
p E
kT
q
p q) j
n E
kT
q
n q) j
p p
n n
ec?ilibrul termic nu depinde de mobilitate sau de constanta de di%u"ie
10
Elemente de electronic analogic
cua(iile "e continuitate
-aria$ia n timp a concentra$iei de purttori:
- generare de purttori (termic' iradiere' etc0) B #
n
/ #
p
- recombinare de purttori (gol J electron E dispar J %oton) B 0
p
/ 0
n
- deplasare de purttori (div j 1 2)
q
j div
$
q
j div
0 #
t
n
q
j div
$
q
j div
0 #
t
p
n
n
n
n n
p
p
p
p p

p p p
0 # $
#ite"a e%ecti# de cretere
@ecombinare: - direct
- indirect: - centri de recombinare
- capcane
- centri de alipire
7ie o generare de purttori care' la un moment dat' se oprete0 E&ist
0 1
p p >
(concentra$ia la ec?ilibru)
$
p
#a %i propor$ional cu concentra$ia de purttori n e&ces' 0
p p
' de
%orma:
p
p
p p
$

este durata efectiv de via a purttorilor n exces

Dac:
0
p
j div
' se ob$ine ecua$ia di%erential:
p
p p
dt
dp

cu condi$ia ini$ial:
( )
1
0 p p
+olu$ia este: p
t
e p p p t p

+ ) ( ) (
0 1 0
- semni%ica$ia lui p

11
Elemente de electronic analogic
@ecombinarea depinde de concentra$iile de purttori:
' pn 0
p

este coe-icient de proporionalitate
*enerarea se %ace pe cale termic i #ite"a de generare depinde doar de
temp0:
0 0
n p #
p

@e"ult:
( )
0 0
n p pn 0 # $
p p p

7ie: 0 0
' n n n p p p

( )
( ) n p p n
p n n p p n $
p
+
+ +
0 0
0 0

+emic0 de tip 9:
( )
0 0 0 0 0
p p n p n $ p n
p
>>
Dar:
d
p
p
p
% n
p p
$

1 1
0
0

Forma general a ecuaiilor de continuitate:
q
j div n n
t
n
q
j div
p p
t
p
n
n
p
p
+

0
0
,plica(ie:
- regim sta$ionar
- semic0 de tip 9
- model unidimensional
- c)mp electric slab
d&
dj
q
p p
d&
dp
q)
d&
dp
q) E qp j
p
p
n n
n
p
n
p p n p
1
0
0

0
0
1
0
2
2
0

,
_

p
n n n
n
p
p
n n
p p
d&
p d
d&
dp
q)
d&
d
q
p p

+e notea": p p p
) 3
lungimea de difuzie a golurilor
[ ]
p
3
&
n n no n
e p p p & p

+
0
) 0 ( ) (
12
Elemente de electronic analogic

13