Elemente de electronic analogic

Tranzistorul bipolar-procese fizice

Introducere

Semiconductor eterogen dotat cu impuriti astfel nct se formeaz
dou jonciuni pn:



- regiunea din mijloc baz
- foarte ngust
p
L d <<
- ordin de mrime: 1 , 0 .

- regiuni laterale emitor, colector
- mult mai dopate
- de acelai tip
- au proprietti electrice i fizice diferite (prin
dopri diferite i prin dimensiuni diferite).

Procedee de fabricare:
- aliere
- difuzie profilul i adncimea zonei difuzate pot fi controlate
prin concentraia de impuriti, prin temperatura de difuzie i
prin durata procesului de difuzie.



Sectiune transversala printr-un tranzistor npn (E este n++, C n+)
Elemente de electronic analogic




Regimurile de lucru se stabilesc dup modul de polarizare a celor 2
jonciuni:
jonciunea EB jonciunea CB
- regiunea activ normal (RAN) direct invers
- regiunea de saturaie (SAT) direct direct
- regiunea de blocare (BL) invers invers
- regiunea activ invers (RAI) invers direct

Atentie, in fct de tipul tranzistorului pnp, npn, polarizare directa inseamna
altceva:

EB polarizata direct pnp: + emitor, - baza
EB polarizata direct npn: - emitor, + baza
Elemente de electronic analogic



Procese fizice



Tranzistorul este de tip P+NP+, funcionnd n RAN.

Fluxul de purtatori:




jonciunea EB este polarizat direct: golurile din emitor trec n baz,
dar
p
L d << , puine goluri se recombin, cele mai multe ajung la
Elemente de electronic analogic

colector; acesta este polarizat invers, este un cmp electric puternic
care favorizeaz trecerea golurilor n colector.
- goluri injectate de emitor colectate de colector

) 0 ( ) (
P r P
i i w i = +

- w este grosimea efectiv a bazei, d w<

Se definete: factorul de transport n baz:

1
) 0 (
1
) 0 (
) (
= =
P
r
P
P
t
i
i
i
w i
|

jonciunea EB este polarizat direct: circul un curent de electroni
local datorat difuziei electronilor din baz n emitor. Deoarece baza
este mult mai puin dopat cu impuritti dect emitorul, curentul de
electroni va fi mult mai mic dect curentul de goluri:

n P E
i i i + = ) 0 (

Se definete: eficiena emitorului:

1 1
) 0 (
= =
E
n
E
P
i
i
i
i


jonciunea CB este polarizat invers: exist un curent local al
jonciunii (ca la dioda polarizat invers),
inv
i .

Concluzii:
- tensiunea mic de pe jonciunea EB impune cureni de colector a cror
valoare nu depinde, practic, de tensiunea de pe jonciunea CB;
- dispozitivul se comport la ieire ca o surs de curent mrime de
ieire (curent) comandat de o mrime de intrare (tensiune) transfer
resistor transistor.

Celelalte regiuni de lucru:
Blocat: ambele jonctiuni blocate, curent invers f. mic (comutator deschis)
Elemente de electronic analogic

Saturat:
- fct. EB similara
- CB polarizata direct (V mic) scade campul care atrage golurile in
colector
- ic scade
- apare conc. de goluri in baza, la jonct. CB
- scade si i
E
(curent de difuzie)
- creste i
B

- deci ic nu mai e controlat de EB, depinde si de valoarea Vc
- creste Vc scad si mai mult ic, i
E

- daca Vc aprox 0.6-0.8V ic se anuleaza

RAI:
- similar cu RAN, dar colectorul gen purtatori, care sunt absorbiti de emitor
- curent in emitor (invers fata de RAN), dat colectorului
- valorile sunt mult mai mici (grad dopare diferit)