1 DCE curs6

Dioda Schottky
Este o diod a crei funcionare se bazeaz pe aa numitul contact redresor
(dintre un metal i un material semiconductor). Acest contact reprezint de fapt o
jonciune pn !n care metalul reprezint semiconductorul de tip p iar
semiconductorul de tip n este un material semiconductor dopat !n mod
corespunztor.
Contactul redresor se caracterizeaz printrun ni"el mic de injecie de purttori
minoritari i prin urmare o cantitate redus de sarcin stocat !n re#iunile neutre.
$n consecin o diod %c&ott'( "a comuta rapid (1)) ps). Cderea de tensiune !n
sen direct pe dioda %c&ott'( este mai redus comparati" cu dioda de siliciu ( )*+
)*, -).
Fotodioda
$i bazeaz funcionarea pe o jonciune pn astfel realizat !nc.t s se permit
accesul luminii !n re#iunea de trecere. Ca urmare a impactului dintre fotoni i
reeaua cristalin sunt #enerate suplimentar perec&i electron"olt. Acest fapt este
e/ploatat polariz.nd in"ers fotodioda i e/ploat.nd dependena curentului in"ers
prin fotodiod de ni"elul de iluminare.
0 DCE curs6
%e definete stabilitatea fotodiodei ca fiind raportul1
E
i
S
R
* unde E este
ni"elul de iluminare. Aceast sensibilitate depinde de lun#imea de und a radiaiei
incidente. Acest lucru este scos !n e"iden de caracteristica spectral a fotodiodei
care este dependena sensibilitii normat i lun#imea de und a luminii.
Dioda fotoemisiv (electroluminicent LED)
2onciunea utilizat !ntro asemenea diod se caracterizeaz prin ener#ie mare
de recombinare a perec&ilor electron"olt. Acest proces are loc mai cu seam !n
+ DCE curs6
re#iunea de trecere !n situaia !n care
dioda este direct polarizat direct.
3rocesul de recombinare este !nsoit de
emisie de lumin al crui spectru
depinde de combinaiile metalice
introduse !n materialele
semiconductoare.
Cderea de tensiune pe un 4ED la
polarizarea !n sens direct este relati"
mare (1*, 1*5 -) iar "ariaia de
tensiune la "ariaia curentului este sczut.
Tranzistor biolar
Def. Este un dispoziti" cu trei borne numite emitor* baz i colector i care
sunt conectate la un monocristal semiconductor a".nd re#iuni dintre care cea din
mijloc este dopat diferit fa de re#iunile mar#inale.
6 DCE curs6
, DCE curs6
7bs. %ensul s#eii reprezint sensul de circulaie al curentului prin jonciunea
emitoare polarizat !n sensul direct. 8unciile de polaritatea tensiunilor aplicate
celor dou jonciuni* tranzistorul prezint mai multe re#iuni de funcionare crora
le corespund !n planul caracteristicilor statice mai multe re#iuni de funcionare.
Con"enia de semn
E/ist patru situaii !n care se poate #si un tranzistor bipolar din punct de
"edere al polarizrii jonciunilor sale.
1. jonciunea E polarizat direct1
( )
( ) npn U
pnp U
EB
EB
)
)
<
>

jonciunea C polarizat in"ers1
( )
( ) npn U
pnp U
CB
CB
)
)
>
<
re#im de funcionare acti"
0. ambele jonciuni sunt polarizate direct1 re#im de funcionare saturat.
+. ambele jonciuni sunt polarizate in"ers1 re#im de funcionare blocat.
6. jonciunea E in"ers polarizat tranzistor in conectare in"ers.
jonciunea C direct polarizat.
1* 0* + 9 tranzistor !n conectare direct.
!one"iunile tranzistorului
6 DCE curs6
8uncionarea unui tranzistor este caracterizat de 6 mrimi independente* dou
tensiuni i doi cureni. Ca urmare* tranzistorul poate fi ec&i"alat cu un cuadripol !n
care unul dintre terminale este comun at.t intrrii c.t i ieirii. Dependent de
terminalul comun tranzistorul se poate #si !n urmtoarele trei cone/iuni1 E
comun* : comun* C comun.
Tiuri de caracteristici
8uncionarea unui tranzistor fiind caracterizat de patru mrimi* dou tensiuni
i doi cureni aceasta poate fi modelat prin familii de caracteristici adic
funcionarea este e/primat de dependena a dou mrimi funcie de o a treia
; DCE curs6
considerat independent* cea dea patra mrime fiind considerat ca un
parametru. $n mod uzual cele dou caracteristici ale tranzistorului reprezint aa
numita caracteristic de intrare respecti" de ieire.
1. caracteristica de intrare
( )
. cst U EB E
CB
U f i

0. caracteristica de ieire
( )
. cst i CB C
E
U f i

7bs.
1. Cele dou familii de caracteristici constituie
date de catalo# ale unui tranzistor.
0. %e poate definii i o a treia caracteristic aa numita caracteristic de transfer
( )
. cst U EB C
CB
U f i

+. E/ist !n principiu familii de caracteristici definite pentru toate cele trei tipuri
de cone/iuni. %unt mai frec"ent utilizate !ns caracteristicile aferente cone/iunilor
EC i :C.
#ela$ii %ntre curen$ii din tranzistor
-om analiza cazul funcionrii unui tranzistor pnp !n conectare direct i aflat
!n re#iunea acti" de funcionare.
5 DCE curs6
-om considera ne#lijabil curentul de purttori minoritari a jonciunii.
)
)
CB C C
CB R E B
R E C
E E E
I i i
i i i i
i i i
i i i
p
n
p p
n p
+
+

+
%e "a "edea ulterior c funcionarea unui tranzistor este cu at.t mai eficient cu c.t
"aloarea curentului de colector apro/imeaz mai bine curentul de emitor.
Emitorul se face puternic dopat !nc.t s injecteze multe #oluri !n baz
i prin urmare curentul din emitor s fie apro/imati" un curent de #oluri i !n
acelai timp baza slab dopat. %e definete aa numita eficien a emitorului1

E
E
E
E
E E
i
i
i
i i
p p
p n

+
< 1 1
3rezint apoi interes ca prin #olurile injectate prin baz*
p
E
i
s ajun#
c.t mai multe la colector (componenta
p
C
i
). %e definete !n acest sens aa numitul
< DCE curs6
factor de transport dat de relaia1
1 1 <
+

R C
C
E
C
t
i i
i
i
i
p
p
p
p

* pentru ca
t

c.t mai
apropiat de 1* baza se face subire i slab dopat.

)
CB
I
s fie c.t mai redus.
i i =
i
i
i
i
i =
C C C:
C
E
E
E
E C:
p
p
p
p
+ +
) )

F E t

*
unde
F
reprezint factorul de amplificare de curent !n conectare direct i
cone/iune baz comun.
F
este un parametru de re#im static.
7bs.
1.
F
are "alori tipice cuprinse intre )*<5)*<<.
0.
F
este un parametru ce depinde de punctul static de funcionare (curentul de
colector).
+. parametrul static
F
poate fi interpretat i ca un
parametru de re#im "ariabil si semnal mare.
Func$ionarea tranzistorului %n re&im activ
1) DCE curs6
>e "om referi la !nceput la cone/iunea :C. Dac ne#lijm influena jonciunii
colectoare asupra jonciunii emitoare atunci se poate scrie c1
1
1
]
1

,
_

1 e/p
)
mkT
qU
E E
EB
I i
.
C B E
CB E F C
i i i
I i i
+
+
)

'odelul entru tranzistorul biolar E!

C B E
CB E F C
i i i
I i i
+
+
)

)
CB C F B F C
I i i i + +
)
1
1
1
CB
F
B
F
F
C
I i i

* notm F
F
F

1
atunci
)
CE B F C
I i i +
F
reprezint factor de amplificare !n curent !n cone/iune
emitor comun.
)
CE
I
reprezint curentul corespunztor situaiei !n care baza este
!n #ol.