Sunteți pe pagina 1din 6

APLICAIA PRACTIC NR.

4 STUDIUL VARIAIEI REZISTENEI ELECTRICE A SEMICONDUCTOARELOR CU TEMPERATURA


Proprietile corpurilor semiconductoare sunt explicate n cadrul fizicii cuantice. Pentru a nelege sensurile fizice ale mrimilor care urmeaz s fie determinate la aceast lucrare, n continuare sunt prezentate succint unele noiuni cu care opereaz fizica cuantic. 1. BENZI DE ENERGIE N CRISTALE Prin dualismul und-corpuscul se nelege c aceeai particul se comport n unele experimente ca un corpuscul iar n alte experimente se comport ca o und. Mrimi caracteristice corpusculului sunt masa, energia, impulsul. Mrimi caracteristice undei sunt lungimea de und, frecvena. Unda asociat particulei este unda de Broglie. Fizica cuantic stabilete relaii ntre mrimile cracteristice undei i mrimile caracteristice corpusculului. Particulele cuantice au comportare dual. Electronul este o particul cuantic. Energia electronului n structura cristalin este dependent de numrul de und , K, K= 2/, -lungime de und asociat, conform schemei din fig.1.Pn la valorile K = care corespund punctelor A i B de pe fig. 1 (a constanta reelei cristaline), energia variaz continuu cu numrul de und. n punctele A apar discontinuiti ale energiei i curba salt n punctele B. Astfel, apar benzi de energie permis separate prin benzi de energie interzis. Lrgimea benzii de energie interzis se noteaz cu Eg i se msoar n eV ( 1eV = 1,6 10 -19 J ). La semiconductoare, lrgimea benzii de energie interzis este mai mic dect 3 eV.
E

Band de energie permis Band de energie interzis

Band de energie permis K

- / a

/a

Fig. 1. Benzi energetice n cristale.

Ultima band ocupat cu electroni este banda de valen, B. V. Banda de valen poate s fie ocupat complet sau incomplet cu electroni. Benzii de valen i urmeaz banda interzis, B. I. iar acesteia i urmeaz banda de conducie, B. C. La semiconuctorul pur, la 0 K, B.V. este complet ocupat iar B. C. este complet liber. La 0 K, semiconductorul pur este un izolator perfect. 2. MASA EFECTIV A PURTTORILOR DE SARCIN ELECTRIC N CRISTALE

n cristal, purttorul de sarcin electric se mic sub aciunea rezultantei dintre fora electric care accelereaz particula i fora de rezisten generat de ciocnirile particulei cu constituienii reelei, care frneaz micarea particulei. Masa efectiv a particulei n cristal este egal cu masa pe care ar avea-o particula liber pentru ca sub aciunea unei fore date s primesc o acceleraie egal cu acceleraia pe care o primete n cristal sub aciunea acleeai fore. Masa efectiv nu prezint nici proprieti ineriale nici proprieti gravitaionale. Masele efective se noteaz m*n (pentru electron) i m* p (pentru gol). Cunoaterea masei efective a particulei n cristal permite studiul micrii acesteia folosind relaiile cunoscute: a = F /m* , p = m*v , EC = p2 /2m* . 3. CONCENTRAIA INTRINSEC A PURTTORILOR DE SARCIN ELECTRIC N SEMICONDUCTOARE nclzirea corpului semiconductor pur provoac saltul electronilor din B.V. n B.C. n B.C. apar electroni liberi iar n B.V. rmn goluri libere. n semiconductorul pur, la temperaturi diferite de 0 K, concentaia gazului electronic este egal cu concentraia gazului de goluri, ni = pi . Semiconductorul la care concentraiile celor dou tipuri de purttori sunt egale este intrinsec. Dac concetraiile celor dou tipuri de particule sunt diferite n p, semiconductorul conine impuriti i este extrinsec.Semiconductorul extrinsec este de tipul n dac n>>p sau de tipul p dac p>>n. Concentraia intrinsec se exprim cu ajutorul formulei

nformula (1), h este constanta lui Planck, h= 6,63 10-34 Js , iar k este constanta lui Boltzmann, k = 1,38 10-23 J/K. 4. CODUCTIVITATEA ELECTRIC LA SEMICONDUCTOARE Determinrile experimentale asupra dependenei conductivitii semiconductoarelor cu temperatura , = f ( T ), conduc la graficul din fig. 2. Curba din fig. 2 este descris de ecuaia B/T . (2) = 0 en ecuaia (2) , B este o constant pozitiv. Relaia (2) poate fi scris astfel kB/kT = 0 e = 0 exp ( - E a / ( k T ). (3) n relaia (3) mrimea Ea = k B se numete energie de activare. Teoria electronic clasic stabilete c la semiconductorul intrinsec, conductivitatea se calculeaz cu formula = e ni ( n + p ) (4) n formula (4) mrimile n i p sunt mobiliti electronice respectiv de goluri. nlocuim n relaia (4) expresia concentraiei dat de formula (1) i obinem

2kT ni = 2 2 h

3/ 2

(m *

m *p )

3/ 4

E g / 2 kT

(1)

= 2e( n + p )

2kT 2 h

3/ 2

(m *

m*p )

3/ 4

E g / 2 kT

(5)

Fig. 9.1.2. Variaia conductivitii cu temperatura la semiconductoare.

Termenul din faa exponenialei l notm cu 0 i obinem o ecuaie de aceeai form cu cea experimental = 0 exp (-E g /(2k T ) (6) Comparnd relaia (6) cu relaia (3) constatm c energia de activare este egal cu jumtate din lrgimea benzii interzise Ea = Eg/2 (7) 5. REZISTENA ELECTRIC A SEMICONDUCTOARELOR Considerm c formula rezistenei electrice a unei probe, funcie de natura sa chimic i de dimensiunile sale este corect i pentru semiconductoare R = l / ( S ). (8) nlocuim expresia conductivitii date de relaia (6) n relaia (8), notm R 0= l/(0 S ) i obinem R = R0 exp (E g /( 2 k T ). (9) Relaia (9) este ilustrat grafic n fig.3. Rezistena semiconductoarelor scade la creterea temperaturii. Forma liniarizat a ecuaiei ( 9.1.9 ) este lnR = lnR0 + 1 / T Eg / ( 2 k ). Graficul relaiei (10) n coordonate lnT i 1/T este artat n fig. 4. Panta dreptei este tg = ( ln R ) / (1 / T ) = Eg / ( 2 k ). Relaia (11) permite calculul lrgimii benzii de energie interzis (10) (11)

E g = 2k

(ln R) . (1 / T )

(12)

R Fig. 9.1.3. Variaia rezistenei cu temperatura la semiconductoare.

ln R (1/T) (lnR) Fig. 9.1.4. Dependena ln R = f ( 1/ T ).

1/T

Pentru intervale nguste de temperatur , variaia rezistenei cu temperatura se poate considera liniar RT = RT,0 [1+ (T T0 )]. (13) Din realaia (13 ) se obine expresia coeficientului termic al rezistivitii

1 RT RT , 0 . RT ,0 T T0

14)

Prin trecerea la limit n relaia (14) se obine mrimea coeficientului termic al rezistivitii la termperatura T = (1/RT ) (dR /d T )T . (15) Formulele (2) , (8), (15) conduc la formula =-B / T2 (16) La semiconductoare, coeficientul termic al rezistivitii este negativ i valoarea sa absolut este invers proporional cu ptratul temperaturii termodinamice. Termistorul este un dispozitiv semiconductor omogen preparat din oxizi de mangan, cupru i zinc, cu conducie n ambele sensuri. Rezistena sa scade repede cu creterea temperaturii. Simbolul su este artat n fig. 5.
Fig. 5. Simbolul termistorului.

6. INSTALAIA EXPERIMENTAL Schema electric a montajului este artat n fig. 6. Prile componente ale instalaiei sunt: termistor, generator de curent constant (G.C.C.), I = 1 mA, voltmetru i sursa termic. Termistorul este introdus ntr-un creuzet care conine fie ulei fie o pulbere bun conductoare de cldur. Cldura este furnizat de un reou alimentat cu tensiunea dorit de la bornele unui variac. Temperatura n creuzet se msoara cu un termometru cu mercur.

V + mA Fig. 6. Schema electric a instalaiei.

7. MODUL DE LUCRU a) Se verific schema electric, apoi se introduc termistorul i termometrul n creuzet; b) Se pune comutatorul variacului pe poziia 100V i se conecteaz la reea; c) ncepnd cu 250C, cu pasul de 50C se citete temperatura la termometru i simultan tensiunea indicat de voltmetru; d) Cnd temperatura ajunge la 400C, punem comutatorul autotransformatorului pe poziia 120V pentru a asigura creterea temperaturii cu vitez constant; e) La atingerea temperaturii de 1400C, punem comutatorul variacului pe poziia zero i ridicm pe stativ suportul cu termistor. 8. PREZENTAREA REZULTATELOR EXPERIMENTALE 1) Cu datele obinute prin msurri directe, ntocmim tabelul nr.1;
Tabel 9.1.1. Variaia rezistenei electrice a termistorului cu temperatura. T(K) U(V) R() ln R Nr.ms. t( 0 C ) 1 . . 30 1/ T ( K 1 )

2) Trasm graficele R = f ( T ) i ln(R) = f (1 / T); 3) Cu formula (12), utiliznd graficul lnR = f(1/T), calculm lrgimea benzii de energie interzis, Eg ; 4) Prin derivarea grafic a curbei R = f (T ), determinm coeficientul termic al rezistivitii, , i reprezentm grafic dependenele = f (T) i = f (1/T 2 ); 5) Cu formula (16), utiliznd graficul = f (1/T2 ) calculm constanta B; 6) Pentru proba cu care s-a lucrat, concentraia intrinsec la T = 300 K, este nI = 2,5 106 m-3. Cu formula (1) ,utiliznd mrimea Eg determinat la punctul (3) calculm produsul maselor efective m*n m*p ; 7) Cu formula (6), calculm conductivitatea probei semiconductoare la temperatura iniial i la temperatura final. Cu valorile conductivitii calculm variaia relativ a conductivitii pentru intervalul temperaturilor Ti = 300K i Tf = 445K

/ = ( final - iniial ) / iniial ; 8) Mrimile determinate indirect le introducem n tabelul 2.


Tabel 2. Mrimi caracteristice probei semiconductoare. m n* m p* (kg2 ) E g (eV) B(K) /

8. NTREBRI a) b) c) d) e) f) g) h) i) j) Definii particula cuantic. Definii masa efectiv. Scriei formula concentraiei purttorilor intrinseci Scriei formula conductivitii semiconductorului intrinsec. Scriei formula liniarizat pentu rezistena semiconductorului n funcie de temperatur. Cum calculmcoeficientul termic al rezistivitii ? Cum determinm mrimea B ? Descriei instalaia cu care ai studiat unele proprieti ale semiconductoarelor. Care este simbolul termistorului ? Cum determinm produsul maselor efective ale electronului i golului ?