Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp

155
5. Tranzistoare unipolare cu efect de cmp

5.1 Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune (TECJ)

Tranzistoarele cu efect de cmp sunt dispozitive semiconductoare
unipolare, n procesele de conducie participnd un singur tip de purttori de
sarcin: fie electroni, fie goluri. Curentul electric prin aceste dispozitive este
comandat de un cmp electric aplicat canalului semiconductor prin care
trece curentul. Denumirea prescurtat este TEC (tranzistor cu efect de
cmp), sau FET (engl. Field Effect Tranzistor).
Tranzistorul cu efect de cmp cu poart jonciune, TECJ sau JFET
(engl. Junction Field Effect Tranzistor), are structura prezentat n fig. 5.1.



Fig. 5.1 Schema simplificat a unui tranzistor TECJ cu canal n

Este construit dintr-un cristal semiconductor n care se realizeaz
prin dopare un canal conductor prevzut la capete cu contacte ohmice pentru
conectarea n circuitul extern a sursei de alimentare i un electrod de
comand al curentului prin canal. Contactele de la capete se numesc: surs,
S, electrodul prin care purttorii ptrund n canal i dren, D, electrodul prin
care purttorii sunt evacuai din canal. Canalul poate fi de tip n sau p, dup
cum s-a realizat doparea semiconductorului astfel nct purttorii de sarcin
mobili pot fi electronii i respectiv golurile, existnd astfel tranzistoare
TECJ cu canalul n i TECJ cu canal p. Schimbarea conductanei canalului se
realizeaz prin cmpul electric creat de tensiunea aplicat pe al treilea
electrod numit poart sau gril , G.
n fig. 5.2 se prezint structura fizic pentru un TECJ realizat n
tehnologie planar.







FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
156


Fig. 5.2 Structura fizic a unui tranzistor TECJ cu canal n n tehnologie
planar

Pe cristalul semiconductor care constituie substratul sau baza i care
este dopat astfel nct s fie p
+
, se realizeaz succesiv prin dopare o regiune
tip n, care constituie canalul i din nou o regiune p
+
care constituie grila G
1
.
La capetele canalalului se depun contactele ohmice care devin sursa S i
drena D. Substratul p
+
(baza) are un terminal de control G
2
similar cu grila
G
1
. ntre pori i canal se formeaz jonciuni p
+
n puternic asimetrice. n cele
mai multe cazuri, G
1
i G
2
sunt legate mpreun n interiorul tranzistorului
astfel nct acesta are un singur terminal de control al curentului G.

Pentru analiza funcionrii se folosete modelul din fig. 5.3 n care
drena i sursa sunt aezate la capetele cristalului, acesta prezentnd o
simetrie axial.



Fig. 5.3 Model de funcionare pentru TECJ cu canal n






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
157
Aplicnd pe dren o tensiune pozitiv n raport cu sursa, electronii se
vor deplasa prin canal de la surs la dren dnd natere curentului de dren
I
D
. Lrgimea canalului i deci conductana acestuia este comandat de
lrgimea regiunii de trecere a jonciunii p
+
n polarizate invers care se ntinde
mai mult n regiunea n. Astfel TECJ se comport ca un rezistor comandat n
tensiune.


Fig. 5.4 Funcionarea TECJ n diferite regimuri de curent

n modelul din fig. 5.4 TECJ este conectat n montaj surs comun
(SC).
- n lipsa tensiunilor externe (V
G
= 0 i V
D
= 0), regiunea de trecere are
aceeai lrgime n lungul canalului, ntinzndu-se mai mult n partea n, i
reducnd ntr-o mic msur lrgimea canalului (fig. 5.4a).
- Aplicnd o tensiune negativ pe grila G i neavnd aplicat tensiune pe
dren (V
D
= 0) regiunea de trecere se mrete, rmnnd constant n lungul
canalului i ngustndu-l
- Dac V
G
= 0, iar pe dren se aplic o tensiune pozitiv, prin canal se
stabilete un curent de dren I
D
care provoac o cdere de tensiune n lungul
canalului, tensiunea de polarizare invers variaz cu distana fiind maxim
n vecintatea drenei unde i lrgimea regiunii de trecere este maxim (fig.
5.4b). Dac se mrete tensiunea de dren se poate produce nchiderea
canalului lng dren, fapt care provoac saturaia curentului. Tensiunea de
dren corespunztoare saturaiei se noteaz V
DSat
. n acest caz tensiunea






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
158
dintre dren i poart (V
G
= 0, grila se consider legat la surs), se numete
tensiune de penetraie total sau de prag V
p
.
- Aplicnd pe gril tensiuni negative de ordinul volilor, iar pe dren
valori pozitive cresctoare, la o anumit valoare a tensiunii de dren V
DSat
,
regiunile de trecere se unesc n apropierea drenei nchiznd canalul (fig.
5.4c). Dac se crete n continuare V
D
, penetraia total se obine pe o
regiune mai mare, punctul P
0
deplasndu-se ctre surs (fig.5.4d). Curentul
de dren devine constant i egal cu I
DS
. Pentru a explica faptul c I
D
rmne
constant la V
D
>V
DSat
, cnd normal ar trebui s devin zero, n lucrarea [10]
se consider c unirea regiunilor de sarcin spaial nu este total i c las
un canal extrem de ngust n care rezistena ohmic i intensitatea cmpului
au valori foarte ridicate, conducnd la o valoare constant a curentului.
- La tensiuni de dren care depesc V
DMAX
se produce strpungerea
electric a canalului i curentul crete brusc.
n fig. 5.5 sunt prezentate caracteristicile de ieire ale unui TECJ:

( )
ct V
D
D
G
V f I
=
= (5.1)
Curba punctat din fig. 5.5 separ regiunea nesaturat I de regiunea
saturat II; valoarea tensiunii de saturaie V
DS
depinde de tensiunea grilei,
V
G
. La creterea tensiunii V
G
, regimul de saturaie intervine la tensiuni de
dren tot mai mici. Condiia de saturaie se obine la:

P G DSat
V V V = (5.2)

Pentru o tensiune de dren dat, creterea tensiunii de gril conduce
la scderea curentului, iar la V
G
=V
PT
curentul de dren devine zero, canalul
devenind blocat pe ntreaga lungime.

Fig. 5.5 Caracteristici statice de ieire la un TECJ






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
159

5.2 Curentul n tranzistorul TECJ cu canal dopat uniform

Pentru a face un studiu analitic al TECJ se presupun satisfcute
urmtoarele ipoteze simplificatoare:
a. grilele G
1
i G
2
sunt conectate mpreun i fiind identice creaz o
structur simetric n raport cu centrul canalului;
b. concentraia impuritilor n canal este mult mai redus ca n regiunile
grilelor formndu-se astfel jonciuni p
+
n abrupte;
c. mobilitatea purttorilor n canal este constant i nu depinde de
intensitatea cmpului electric;
d. funcioneaz aproximaia gradual n care se admite c avnd lrgimea
tehnologic 2a, canalul prezint dou regiuni; 1)- regiunea de sarcin
spaial n limitele creia se poate considera pentru cmpul electric doar
componenta transversal, E
x
, zona haurat din fig. 5.6); i 2)- regiunea de
conducie n care cmpul electric are component longitudinal, E
y
. Aceast
aproximaie se poate aplica numai dac lrgimea regiunilor de trecere
variaz lent n lungul axei y . Tensiunea total de polarizare invers a
jonciunii p
+
n se noteaz cu V
i
(y) i este variabil cu distana, avnd
expresia:

( ) ( ) y V V y V
C G i
= (5.3)

unde V
C
(y) reprezint cderea de tensiune n lungul canalului ntre surs i
un punct arbitrar.


Fig. 5.6 Aproximaia gradual la TECJ

Lrgimea regiunii de trecere la o jonciune abrupt ideal i
asimetric este [1]:







FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
160
( ) | |
2
1
2
)
`

+
=
D
b i
qN
V y V
x
c
(5.4)

unde V
b
este potenialul de barier.

Pentru cazul modelului gradual se poate scrie:

( ) | | | |
2
1
2
1
1
2 0 2
)
`

+
=
)
`

+
=
D
b G
D
b i
qN
V V
qN
V V
x
c c
(5.5)

( ) | | | |
2
1
2
1
2
2 2
)
`

+
=
)
`

+
=
D
b D G
D
b i
qN
V V V
qN
V L V
x
c c
(5.6)

La un TECJ cu canal n n conexiune surs comun (SC), tensiunea
de dren este pozitiv, iar V
G
i V
b
sunt negative; deci tensiunea total
existent la limitele regiunii de trecere este dat de suma celor trei tensiuni.
Dac n (5.6) impunem condiia de nchidere a canalului x
2
= a , la
V
D
= 0 se obine valoarea de prag a tensiunii de gril.

2
2
a
qN
V V V
D
b P PO
c
= + = (5.7)

Se poate scoate:

b PO P
V V V = (5.8)

V
PO
se numete tensiune de nchidere, iar n multe aplicaii se consider
V
P
~ V
PO
, deoarece V
b
are valori de ordinul 0,15 0,3V, iar V
PO
de ordinul
a 10V.
n TECJ purttorii au o micare datorat cmpului electric,
densitatea curentului fiind dat de legea lui Ohm:

( ) ( ) y x E y j
y
, o = (5.9)

n baza aproximaiei graduale expresia (5.9) se rescrie n forma:







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
161
( ) ( )
( )
dy
y dV
x N q E y j
C
n y y
o = = (5.10)

unde mrimea N(x) reprezint concentraia transversal a impuritilor n
canal. Aria transversal a canalului este:

( )Z y b A 2 = (5.11)

Presupunnd o dopare uniform a canalului cu impuriti, curentul
de dren are expresia:

( )
( )
dy
y dV
N Zq y b I
C
D n D
2 = (5.12)

Din (5.4) se poate determina prin neglijarea lui V
b
V
B
i (5.7)
expresia lui b(y):

( )
( )

(
(

= =
2
1
1
p
C G
V
y V V
a x a y b (5.13)

Dac se introduce (5.13) n (5.12) i se efectueaz integrarea ntre
limitele: y = 0, V
C
(0) = 0 i y = L, V
C
(L) = V
D
rezult:

( ) | |

+ =
2
3
2
3
2
1
3
2 2
G D G
P
D
D n
D
V V V
V
V
L
a N Zq
I

(5.14)

Expresia (5.14) este aplicabil regimului nesaturat cnd:

P D G
V V V s (5.15)

La tensiuni de dren mici se presupune c lrgimea efectiv a
canalului nu variaz semnificativ cu distana i este dat de tensiunea
aplicat grilei. Astfel (5.13) devine:







FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
162
(
(

|
|
.
|

\
|
=
2
1
1
P
G
V
V
a b (5.16)

iar cmpul electric n canal este constant:

L
V
E
D
y
~ (5.17)

Curentul de dren capt expresia:

(
(

|
|
.
|

\
|
=
2
1
1
2
P
O D D n
D
V
V
L
V N Zaq
I

(5.18)

care indic o dependen liniar a curentului de tensiunea de dren. Cnd
V
G
= V
P
curentul devine zero.

La atingerea egalitii n relaia (5.15) prin variaia lui V
G
sau V
D
,
canalul se nchide n apropierea drenei. Pentru un V
G
dat, tensiunea de dren
care satisface egalitatea se numete tensiune de saturaie, V
DSat
; curentul de
dren corespunztor se numete curent de saturaie, I
DSat
. n regimul de
saturaie aproximaia gradual nu mai este valabil. Se constat c I
D

rmne constant dup depirea lui V
DSat
, avnd aceeai valoare ca la
atingerea condiiei:

P G DSat D
V V V V = = (5.19)

introducnd (5.19) n (5.14) se obine:

(
(

|
|
.
|

\
|
+ =
2
3
2 3 1
P
G
P
G
DSO DS
V
V
V
V
I at I (5.20)

unde:
L
V N Zaq
I
P D n
DSO
3
2
= (5.21)







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
163
reprezint curentul de dren n regimul de saturaie cnd tensiunea pe gril
este nul.
Pentru regiunea de saturaie se folosete o expresie de calcul a
curentului de forma [1]:

n
P
G
DSO DSat
V
V
I I
|
|
.
|

\
|
= 1 (5.22)

unde n = 1,92,5 (de cele mai multe ori se ia valoarea 2).

n tabelul 5.1 sunt prezentate caracteristicile principale ale
tranzistorului cu efect de cmp cu poart jonciune i cu canal n, tip BF
245C-PHILIPS.

Tabelul 5.1 Caracteristici principale ale tranzistorului TECJ BF 245C
Mrimea Condiii de test
Valori
min max
UM
V
D
,Tensiune dren-
surs
30 V
V
G
, Tensiune gril-
surs
0 =
D
V -30 V
I
D
, Curent de dren 12 25 mA
V
(BR)G
,Tensiune de
strpungere gril-
surs
0 , 1 = =
D G
V A I -30 V
V
GOFF
, Tensiune de
tiere gril-surs
V V nA I
DS D
15 , 10 = = -0,25 -8,0 V
I
G
, Curent de gril
C T V V V
C T V V V
j D G
j D G

125 ; 0 , 20
25 ; 0 , 20
= = =
= = =

-
-
-5,0
-0,5
nA
A
P
tot
, Putere total
disipat
C T
a

75 s 300 mW
T
stg
, Temperatur
de stocare
-65 +150 C
C
is
, Capacitate de
intrare
MHz f V V V V
G D
1 , 1 , 20 = = =

4 pF
C
rs
, Capacitate de
reacie
MHz f V V V V
G D
1 , 1 , 20 = = = 1,1 pF
C
os
, Capacitate de
ieire
MHz f V V V V
G D
1 , 1 , 20 = = = 1,6 pF
f
g
, Frecven de
tiere
0 , 15 = =
G D
V V V 700 MHz






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
164

5.3 Caracteristicile statice ale TECJ

n regim de funcionare normal jonciunea poart-canal este
polarizat invers i curentul de intrare poate fi considerat nul. De aceea
caracteristicile de interes sunt: de ieire i de transfer. Conexiunea cea mai
des utilizat pentru TECJ este surs comun (SC), la care se va face referire
n continuare.

n fig. 5.7 este prezentat schema de trasare a caracteristicilor statice.


Fig. 5.7 Schema pentru trasarea caracteristicilor statice la TECJ

a. Familia caracteristicilor de ieire:

( )
ct V D D
G
V f I
=
= (5.23)

n fig. 5.8 sunt date caracteristicile de ieire ale tranzistorului BF
245C produs de PHILIPS SEMICONDUCTORS.

Not important: Pe caracteristicile de catalog prezentate in continuare
notaia V
DS
semnific tensiunea de dren in montaj surs comuna (SC.) La
fel si tensiunea V
GS
semnific tensiunea de gril n acelai tip de montaj.
La tensiuni de dren mai mici (sub 0,5V) ntre curentul de dren I
D
i
tensiunea dren-surs, V
D
, exist o dependen liniar (5.18),
caracteristicile fiind drepte care trec prin origine i a cror pant depinde
de tensiunea gril - surs (V
G
). La tensiuni de dren mai mari (peste 6V)
TECJ este saturat, curentul de dren, I
D,
fiind efectiv comandat de
tensiunea gril-surs, V
G
. Caracteristicile de ieire nu sunt echidistante.
Ele se ndesesc pe msur ce V
G
se apropie de V
P
.






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
165




Fig. 5.8 Caracteristici de ieire la tranzistorul BF 245C

Exist deosebiri ntre caracteristicile reale ale TECJ i cele estimate
prin modelul prezentat anterior. n fig. 5.9 sunt evideniate calitativ
aceste diferene. Ele se pot justifica prin utilizarea modelului fizic al
TECJ n care se introduc dou rezistene structurale r
S
i r
D
. |7|.



Fig. 5.9 Caracteristici de ieire reale i teoretice la TECJ






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
166

r
s
este rezistena de volum a regiunii dintre contactul ohmic al sursei i
captul canalului, iar r
d
este rezistena de volum ntre dren i cellalt
capt al canalului. Aceste dou regiuni nu sunt comandate de cmpul
electric aplicat. Valorile celor dou rezistene sunt de 50-150ohm.
Influena lor asupra cderilor de tensiune din dispozitiv este mare i
schimb forma caracteristicilor reale. n regiunea nesaturat panta
caracteristicilor reale este mai mic deoarece apar cderi de tensiune
suplimentare pe ansamblul r
s
+r
d
. n regiunea de saturaie curentul de
dren sufer o uoar cretere i are o valoare mai mic dect cea
calculat datorit cderii de tensiune pe r
s
+r
d
i efectului de scurtare a
canalului cu tensiunea de dren, fapt care produce o scdere a rezistenei
canalului.



Fig. 5.10 Model fizic care explic rezistenele de volum suplimentare la
TECJ

b. Familia caracteristicilor de transfer:


( )
ct V G D
D
V f I
=
= (5.24)

Se traseaz pentru regimul de saturaie unde curentul de dren este
slab influenat de tensiunea dren-surs. De aceeea n practic se lucreaz pe
o singur caracteristic dat de obicei la tensiunea nominal dren-surs.
n fig. 5.11 se prezint caracteristica de transfer a tranzistorului BF
245C la tensiunea dren-surs de 15V.







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
167

Fig. 5.11 Caracteristica de transfer a tranzistorului BF 245C

La tensiuni de gril negative mici caracteristica de transfer poate fi
considerat liniar. La tensiuni apropiate de V
P
caracteristica devine
neliniar avnd panta variabil.
n fig. 5.12 se prezint variaia rezistenei dren-surs n conducie n
funcie de tensiunea gril-surs pentru tranzistorul BF245 n cele trei
variante ale sale. Una din aplicaiile de interes ale TECJ este utilizarea ca
rezistor comandat n tensiune.



Fig. 5.12 Variaia rezistenei dren-surs la tranzistorul BF245 n funcie
de tensiunea de comand gril-surs








FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
168

5.4 Parametrii de semnal mic i schema echivalent TECJ

Considernd tranzistorul ntr-un punct static, PSF (V
GQ
,V
DQ
,I
DQ
) se
calculeaz difereniala total a curentului de dren:

D
D
D
G
G
D
D
dV
V
I
dV
V
I
dI
c
c
+
c
c
= (5.25)

Se definesc:
1) Transconductana (panta tranzistorului); g
m
:

1
=
c
c
=
AV g
V
I
g
SI m
G
D
m

(5.26)

2) Conductana de dren, (conductana de ieire), g
d
:

1
=
c
c
=
AV g
V
I
g
SI d
D
D
d

(5.27)

Se utilizeaz i rezistena de ieire:

1
=
d d
g r (5.28)

3) Factorul de amplificare n tensiune, :

G
D
V
V
c
c
= (5.29)

ntre parametrii g
m
, g
d
i exist relaia:

d m
d
m
r g
g
g
= = (5.30)







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
169
4) Conductana diferenial de intrare, g
gs
:

G
G
gs
V
I
g
c
c
= (5.31)

Jonciunea gril-canal fiind polarizat invers, conductana are valori
foarte sczute (r
gs
= g
gs
-1
>10
9
) i se neglijeaz n schemele echivalente.
5) Capacitile TECJ. Cele mai importante sunt capacitile gril-
canal C
gs
, i gril-dren C
gd
. De obicei ele includ i capacitile dintre
terminale. Exist i o capacitate dren-surs, C
ds
care caracterizeaz
comportarea diferenial a regiunii saturate n funcionarea TECJ. Poriunea
deschis a canalului se modeleaz printr-un circuit R
c
C
c
.
Presupunnd semnale mici (vezi cazul tranzistorului bipolar n
regim de semnal mic - cap. 4.7), se consider TECJ element liniar, fapt care
permite trecerea de la difereniale, la creteri finite care pot fi scrise sub
forma valorilor instantanee ale componentelor alternative:

ds d gs m d
v g v g i + = (5.32)

Schema echivalent complet de semnal mic pentru TECJ este
prezentat n figura 5.13. S-au introdus i inductanele legate de prezena
terminalelor. Frecvena limit este condiionat n special de capacitatea
gril-surs, C
gS
i de transconductana g
m.
gS
m
in
m
C
g
f
t tt 2 2
1
= ~

(5.33)




Fig. 5.13 Schema echivalent a TECJ la semnal mic







FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
170
Lund n considerare valorile reale ale mrimilor din schema
echivalent complet, aceasta poate fi simplificat i adus la forma din fig.
5.14.



Fig. 5.14 Schema echivalent a TECJ la semnal mic i frecvene joase


5.5 Tranzistorul cu efect de cmp cu poart izolat (TECMIS)

n fig. 5.15 se prezint structura unui tranzistor TECMIS (Tranzistor
cu efect de cmp cu structur metal-izolator semiconductor). ntr-un
eantion semiconductor cu dopare medie tip p, se realizeaz dou regiuni
puternic dopate n
+
deasupra crora se depun contacte ohmice care devin
sursa (S) i drena (D). ntre dren i surs exist o regiune de semiconductor
care constituie canalul tranzistorului. Pe suprafaa acestuia se depune un
strat de izolator, deasupra cruia se realizeaz un strat metalic subire care
devine poarta sau grila dispozitivului. La cele mai multe tranzistoare ca
izolator se folosesc oxizi (la componentele cu siliciu, SiO
2
). Tehnologiile
utilizate sunt cel mai des planare.
La TECMIS conducia curentului se face la suprafaa semiconductorului,
canalul conductor fiind foarte subire. Dup modelul de formare al canalului
conductor n tranzistor exist dou variante:
1. TECMI S cu canal indus (fig. 5.16, a). Dac se aplic o tensiune
pozitiv ntre gril i surs (V
G
) de ordinul volilor, golurile din
apropierea suprafeei vor fi mpinse n substrat, iar electronii minoritari
din substrat vor fi atrai la suprafa formnd un strat de tip n. Se
formeaz un strat de inversiune care asigur conducia. Dac se aplic
tensiune ntre dren i surs apare curentul de dren I
D
. Curentul de
dren va crete odat cu creterea tensiunii V
G
, care va mri concentraia
electronilor din canal.






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
171
Polaritile tensiunilor de lucru la TECMIS cu canal indus se aleg
astfel nct s se asigure formarea unui strat de inversiune (V
G
< 0 la
substrat tip p) i polarizarea invers a jonciunilor dren-substrat i surs-
substrat (V
D
> 0 la substrat tip n i V
D
< 0 la substrat tip p).


a) b)

Fig. 5.15 Structura unui tranzistor TECMIS tip n:
a) seciune transversal; b) vedere dinspre terminale


a) b)

Fig. 5.16 Variante posibile de TECMIS cu substrat p:
a) cu canal indus; b) cu canal iniial

n fig. 5.17 sunt date caracteristicile tipice pentru TECMIS cu canal
indus de tip n. La tensiuni de dren mici tranzistorul se comport ca o
rezisten comandat de tensiunea V
G
. La tensiuni de dren mai mari se
atinge regimul de saturaie n care curentul de dren nu mai depinde de
tensiunea de dren.






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
172

a b
Fig. 5.17 Caracteristici statice tipice la TECMIS cu canal indus de tip n:
a- caracteristici de ieire; b- caracteristici de transfer

2. TECMIS cu canal iniial (Fig. 5.16, b). La acest tranzistor canalul
conduce chiar la V
G
= 0. n cazul unui tranzistor cu canal tip n o tensiune
pozitiv aplicat grilei va provoca o cretere a numrului de electroni i deci
o cretere a curentului de dren. Dac la acelai tip de tranzistor tensiunea
de gril devine negativ, conducia curentului se va micora iar curentul de
dren va scdea. Polaritatea tensiunilor la TECMIS cu canal iniial impune
aceleai condiii de polarizare invers a jonciunilor dren-substrat n timp
ce ntre gril i surs pot fi aplicate att tensiuni negative ct i pozitive.
n fig. 5.18 sunt date caracteristicile tipice ale unui tranzistor
TECMIS cu canal iniial.


a b
Fig. 5.18 Caracteristici statice tipice la TECMIS cu canal iniial de tip n:
a- caracteristici de ieire ; b- caracteristici de transfer







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
173
n fig. 5.19 sunt prezentate variantele posibile de TECMIS cu
polarizrile necesare funcionrii i simbolurile utilizate.



Fig. 5.19 Variante posibile de TECMIS cu polarizrile necesare funcionrii
i simbolurile acestora

5.6 Tranzistorul cu efect de cmp cu poart metal-oxid
semiconductor (TECMOS) cu canal indus

n cele mai multe cazuri n dispozitivele fabricate din siliciu
izolatorul este realizat dintr-un strat de oxizi, obinndu-se o structur MOS
(Metal-Oxid-Semiconductor). Tranzistoarele astfel construite se numesc
TECMOS (sau n englez MOSFET; Metal-Oxid-Semiconductor Field
Effect Tranzistor). Particularitatea cea mai interesant este rezistena de
intrare foarte mare care ajunge la 10
15
. Se consider tranzistorul MOS din
fig. 5.20 unde pe gril este aplicat o tensiune V
G
suficient pentru a forma
un strat de inversiune puternic ntre surs i dren n timp ce tensiunea pe
dren este mic V
D
sV
G
. Prin canal va circula un curent, n lungul acestuia
existnd o cdere de tensiune. Fiecare seciune a canalului este caracterizat
de tensiunea V
C
(y). Tensiunea efectiv dintre poart i canal V
GC
, mrime
care determin intensitatea cmpului electric transversal n izolator, este
variabil cu distana. Lrgimea canalului scade de la surs spre dren. Se pot






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
174
face urmtoarele ipoteze simplificatoare care permit efectuarea calculelor ce
conduc la expresia analitic a curentului de dren:
a) mobilitatea purttorilor n canal nu depinde de intensitatea cmpului
electric;
b) izolatorul dintre poart i canal este ideal i se consider doar existena
sarcinilor pozitive fixe de la interfaa izolator-substrat de densitate Q
SS
;
c) toate sarcinile induse la suprafaa semiconductorului de ctre V
G
i Q
SS

sunt mobile;
d) concentraia impuritilor acceptoare din substrat este constant i se
consider c substratul are o grosime foarte mare;
e) n izolator cmpul electric are numai component transversal E
x
, iar n
canal numai component longitudinal E
y
- aceasta ipotez reprezint
aproximaia gradual;
f) curentul de dren este datorat micrii de drift a electronilor n lungul
canalului, se neglijeaz curenii de difuzie i procesele de generare-
recombinare.



Fig. 5.20 Model pentru calculul curentului de dren la TECMOS cu canal
indus

Expresia densitii de curent n canal este:

( )
y n c
E qn y x j = , (5.34)

unde n
c
reprezint concentraia electronilor n canal iar
n
mobilitatea
acestora. tiind adncimea canalului (Z), curentul de dren poate fi scris n
forma:






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
175
( )
}
=
C
x
D
dx y x j Z I
0
,
(5.35)

Este convenabil s se determine curentul de dren n urmtoarele
cazuri pariculare :
1. Tensiuni de dren reduse (
G D
V V << ). Trebuie introdus
tensiunea de prag V
P
ca fiind tensiunea minim care trebuie aplicat pe
poart pentru formarea incipient a stratului de inversiune n substratul
semiconductor la interfaa cu izolatorul. Experimental s-a observat c n
stratul de SiO
2
la interfaa cu Si se acumuleaz o sarcin pozitiv care
produce n cazul TECMOS cu canal n (substrat tip p) un canal indus chiar la
V
G
= 0, astfel nct I
D
va fi diferit de zero. Pentru a anula curentul de dren
este necesar aplicarea unei tensiuni negative pe poart V
P
. Pentru tensiuni
de poart negative cuprinse ntre 0 i V
P
tranzistorul funcioneaz n regim
de strat srcit, iar pentru tensiuni de poart pozitive funcioneaz n regim
cu strat de inversiune (mbogit).
n cazul tensiunilor de dren foarte mici se presupune c tensiunea
poart-canal este constant pe ntreaga lungime a canalului:

P G GC
V V V ~ (5.36)

deci cmpul electric transversal:

i
GC
x
x
V
E = (5.37)

este independent de y; x
i
este grosimea izolatorului.

Cmpul longitudinal se aproximeaz ca:

L
V
E
D
y
~ (5.38)

innd cont de (5.38), (5.34) i (5.35) se poate scrie:

}
=
c
x
c
D
n D
dx qn
L
V
Z I
0
(5.39)






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
176

Pe baza legii lui Gauss:

( )
}
= =
c
x
x i n c
E y Q dx qn
0
c (5.40)

Q
n
(y) este concentraia pe unitate de suprafa a electronilor din stratul de
inversiune. c
i
este permitivitatea electronic a izolatorului.
Se obine expresia curentului de dren la tensiuni reduse:

( )
D P G
i
i n
D
V V V
L x
Z
I =
c
(5.41)

care indic o dependen liniar.
2. Tensiuni de dren comparabile cu tensiunea de gril
(
P G D
V V V ). Prin trecerea curentului I
D
n canal apare o cdere de
tensiune V
C
(y), i att cmpul transversal ct i cel longitudinal vor suferi o
variaie.

( ) ( ) | |
i C P G x
x y V V V y E / = (5.42)

( )
( )
dy
y dV
y E
C
y
= (5.43)

Din legea lui Gauss se poate scrie:

( ) ( ) | |
i
x
C P G i n c
x y V V V y Q dx qn
c
/
0
}
= = c (5.44)

Folosind ultimile trei relaii curentul de dren se poate scrie:

( )
( )
( )
dy
y dV
y ZQ dx qn
dy
y dV
Z I
C
n n
x
c
C
n D
c
= =
}
0
(5.45)







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
177
( ) | | ( ) y dV y V V V
x
Z
dy I
C C P G
V
i
i n
L
D
D
=
} }
0 0
c
(5.46)

Se obine:

( )
(

=
2
2
D
D P G
i
i n
D
V
V V V
L x
Z
I
c
(5.47)

Aceast expresie a curentului descrie poriunea de neliniaritate
pronunat a caracteristicii pn la intrarea n saturaie.
3. Tensiuni de dren de valori mari ( )
P G D
V V V . Este cazul
funcionrii n regim de saturaie. Cmpul electric E
x
i concentraia Q
n
(y)
devin zero dac
P G
V V s . La fel i n cazul unor tensiuni de dren suficient
de mari; mrimile E
x
(y), x
c
i Q
n
(y),pot deveni zero n apropierea drenei.
Din relaia (5.44) rezult c dac E
x
(L) = 0 i Q
n
(L) = 0, atunci:

DS P G C
V V V L V = = ) ( (5.48)
V
DS
reprezint tensiunea de saturaie. Cnd este satisfcut condiia (5.48)
stratul de inversiune dispare lng dren i are loc gtuirea canalului, fapt
exprimat prin Q
n
(L) = 0. La tranzistorul real Q
n
(L) nu este zero pentru c
exist curent la atingerea V
DS
. Exist o rezisten de valoare mare a
canalului n imediata apropiere a drenei.
Curentul se obine introducnd (5.48) n (5.47):

( )
2 2
) (
2
P GS O P G
i
i n
DS
V V K V V
L x
Z
I = =
c
(5.49)

K
0
este o constant care depinde de tranzistor.


5.6.1 Caracteristici statice ale TECMOS cu canal indus

n cazul TECMOS intereseaz caracteristicile de ieire i cele de
transfer. n fig. 5.21 sunt prezentate caracteristicile de ieire la tranzistorul
BSH 103.







FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
178
( )
ct V D D
G
V f I
=
= (5.50)


Fig. 5.21 Caracteristici de ieire ale TECMOS cu canal n indus BSH 103

La tensiuni de dren foarte mici I
D
depinde liniar de V
D
, urmeaz
apoi poriunea neliniar a caracteristicilor, iar dup aceasta regiunea de
saturaie n care canalul se nchide. Valorile curentului n cele trei cazuri
sunt descrise de expresiile analitice gsite n seciunea precedent. Pstrnd
constant rata de cretere a tensiunii de poart,V
G,
caracteristicile de ieire
nu sunt echidistante deoarece ntre I
D
i V
G
exist o dependen ptratic. n
majoritatea calculelor care se fac pentru utilizarea TECMOS n montaje de
amplificare se consider c n regiunea saturat caracteristicile sunt paralele.
Al doilea tip de caracteristici de interes sunt cele de transfer:

( )
ct V G D
D
V f I
=
= (5.51)

n fig. 5.22 este dat caracteristica de transfer a aceluiai tranzistor
tip BSH 103 la o tensiune V V
D
10 = .






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
179




Fig. 5.22 Caracteristica de transfer la TECMOS cu canal n indus, BSH 103

Regimul normal de funcionare al TECMOS fiind cel de saturaie, ca
urmare a influenei slabe a tensiunii V
D
asupra curentului I
D
, caracteristicile
de transfer (luate la diferite tensiuni de dren) sunt foarte apropiate, n
practic folosindu-se una singur ca n fig. 5.22. Pe caracteristica de transfer
se poate observa i valoarea tensiunii de prag, V
P
. De obicei sunt date
curentul de dren maxim i tensiunea de poart corespunztoare.


Fig. 5.23 Montaj pentru trasarea caracteristicilor statice la TECMOS tip n








FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
180
5.7 Tranzistorul cu efect de cmp cu poart metal oxid
semiconductor TECMOS, cu canal iniial

Structura TECMOS cu canal iniial este asemntoare cu cea a
TECMOS cu canal indus prezentat n paragraful 5.6. Deosebirea const n
doparea zonei canalului care permite conducia i la tensiune V
G
= 0. S
presupunem acelai tip de canal ca n consideraiile precedente i anume tip
n.
La tensiuni V
G
= 0 ntre surs i dren circul un curent important de
purttori majoritari deoarece conductana canalului dopat n este diferit de
zero. Dac se aplic pe poart tensiuni negative, electronii vor fi mpini din
canal unde ia natere un strat srcit, adic o regiune de sarcin spaial
pozitiv format din ioni donori. Se produce micorarea conductanei
canalului. La atingerea pe gril a tensiunii de prag V
P
, conductana canalului
devine zero, curentul de dren devenind nul.
Aplicnd pe poart tensiuni pozitive TECMOS cu canal iniial
funcioneaz n regim cu strat mbogit. n regiunea canalului sunt atrai
electroni suplimentari care mresc conductana acestuia provocnd creterea
curentului de dren.
n fig. 5.24 sunt prezentate caracteristicile statice de ieire i transfer
pentru un tranzistor TECMOS cu canal iniial de tip n.



Fig. 5.24 Caracteristici statice tipice pentru un TECMOS cu canal
iniial tip n : a) caracteristici de ieire; b) caracteristica de
transfer la tensiunea de dren de 10V









Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
181
5.8 Parametrii de semnal mic i scheme echivalente ale
TECMOS

Pentru a putea utiliza n circuite tranzistoarele TECMOS sunt
utilizai civa parametri care permit definirea performanelor i efectuarea
calculelor necesare pentru buna lor funcionare. Se definesc n condiii de
semnal mic i frecvene joase:
1. Transconductana (panta tranzistorului), g
m
:

1
= ) (
c
c
=
AV g
V
I
g
SI m
G
D
m
(5.52)

Utiliznd expresiile curentului de dren (5.41) i (5.47) pentru
regiunea iniial a caracteristicilor de ieire i pentru regiunea nesaturat se
obine pentru transconductan o expresie de forma:

D
i
i n
m
V
L x
Z
g
c
=
2 , 1
(5.53)

Analiznd expresia (5.53) se constat c transconductana nu
depinde de V
GS
i V
P
, iar pentru obinerea unor valori ridicate ale acesteia
trebuie construite canale avnd L mic i Z mare i cu grosimi reduse ale
izolatorului x
i
.
n regiunea de saturaie transconductana se obine pornind de la
expresia (5.49) a curentului de dren:

DS
i
i n
m
V
L x
Z
g
c
=
3
(5.54)

2. Conductana de dren (conductana de ieire), g
d
:

1
= ) (
c
c
=
AV g
V
I
g
SI d
D
D
d
(5.55)

Pentru regiunea iniial a caracteristicilor se obine din (5.41):






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
182
( )
P G
i
i n
d
V V
L x
Z
g =
c
1
(5.56)

Variaia liniar a conductanei g
d1
de tensiunea de gril permite
utilizarea TECMOS ca rezistor liniar comandat n tensiune.
Pentru regiunea nesaturat se obine din (5.47):

( ) | |
D P G
i
i n
d
V V V
L x
Z
g =
c
2
(5.57)

Analiznd aceast ultim relaie se constat c odat cu creterea
tensiunii de dren i apropierea acesteia de valoarea de saturaie:
P G DSat
V V V = , conductana canalului tinde la zero.
n regim de saturaie trebuie considerat efectul de scurtare al
canalului i creterea curentului I
D
, care conduc la | | 7 :

( )
( )
DSat D A S
DSat D A S D
d
V V qN L
V V qN I
g


=
/ 2
2 /
3
c
c
(5.58)

Din analiza expresiei (5.58) se observ c: n regiunea de saturaie
conductana g
d3
este direct proporional cu curentul de dren; depinde de
V
G
i variaz cu tensiunea aplicat drenei.
n unele cazuri se utilizeaz rezistena la ieire:

1
=
d d
g r (5.59)

3. Factorul de amplificare n tensiune:

G
D
V
V
c
c
= (5.60)

La fel ca la TECJ se poate stabili legtura:

d m
r g = (5.61)







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
183
4. Capacitile TECMOS: Studiul acestor capaciti este important n
cazul utilizrii TECMOS la frecvene medii i nalte. Se iau n calcul
capacitile provocate direct de structura MOS. Capacitatea specific este
i i
x C /
0
c = , care se manifest ntre poart-surs i deasemenea ntre poart-
dren. Exist i o capacitate dren-surs.
Cea mai mare importan n funcionare o are capacitatea de intrare
poart-surs. O expresie pentru aceast capacitate este dat n | | 7 :

0
3
2
LZC C
gs
= (5.62)

Schema echivalent complet de semnal mic este prezentat n fig.
5.25, unde dreptunghiul cu linie punctat delimiteaz structura tranzistorului
propriu-zis intrinsec. Elementele reprezentate sunt: C
gsi
- capacitatea poart-
surs, C
gdi
- capacitatea poart-dren; g
m
(e)V
gsi
- generatorul de curent; r
di
=
1/g
di
- rezistena diferenial de dren; L
0
- inductan; R
gsi
i R
gdi
-
rezistene ohmice ale canalului necomandat.



Fig. 5.25 Schema echivalent complet a TECMOS

Elementele externe (din afara dreptunghiului punctat) sunt date de
fixarea contactelor i de ncapsularea structurii: L
g
, L
d
, L
s
- inductanele
terminalelor; R
d
; R
S
- rezistenele electrice ale contactelor, R
ge
, R
de
-
rezistenele finite ale substratului; C
gse
, C
gde
- capaciti datorate
suprapunerii pariale a porii peste surs i respectiv dren; C
g1
i C
d1
-
capaciti care apar ntre poart i peliculele metalice depuse pe surs i






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
184
dren; C
d2
- capacitatea regiunii srcite dren-substrat; C
12
, C
23
, C
39
-
capacitile ntre terminalele capsulei.
n practic se utilizeaz scheme simplificate care au definite
elemente direct msurabile experimental. O astfel de variant este prezentat
n fig. 5.26.



Fig. 5.26 Schema echivalent a TECMOS

Capacitile C
gs
, C
gd
i C
ds
includ global capacitile existente. Dac
se consider funcionarea TECMOS la frecvene joase unde reactanele
capacitive pot fi neglijate se obine schema echivalent simplificat din fig.
5.27.



Fig. 5.27 Schema echivalent a TECMOS la frecvene joase

Frecvena maxim de funcionare a TECMOS va fi limitat de
capacitatea gril-surs i de transconductana la saturaie | | 7 :

gs
m
m
C
g
f
t 2
3
= (5.63)

Considernd expresia g
m3
i lund pentru C
gs
expresia (5.62) se
obine:






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
185
2
4
3
L
V
f
DS n
m
t

~ (5.64)

Analiznd expresia (5.64) se observ c pentru a obine frecvene de
lucru ridicate trebuie utilizate materiale semiconductoare cu mobilitate
ridicat (ex.GaAs) cu canal tip n, canalul s fie ct mai scurt, iar tensiunea
de dren ridicat.
n tabelul 5.2 se prezint caracteristicile principale ale tranzistorului
TECMOS cu canal n tip BSH 103 PHILIPS.

Tabelul 5.2 Caracteristici principale ale tranzistorului TECMOS cu
canal n tip BSH 103 PHILIPS.

Mrimea Condiii de test
Valori
min max
Uniti
de
msur
V
D
, Tensiune dren-surs 30 V
V
G
, Tensiune gril-surs 8 V
I
D
, Curent de dren C T
a

80 = 0,85 A
r
ON
, Rezistena n
conducie

A I V V
D G
5 , 0 , 5 , 2 = = 0,5
I
DSS
, Curent de pierderi
dren-surs
V V V
DS G
24 , 0 = = 100 nA
I
GSS
, Curent de pierderi
gril-surs
0 , 8 = =
D G
V V V 100 nA
C
is
, Capacitate de intrare
MHz f
V V V
D G
1
, 24 , 0
=
= =
83 pF
C
rs
, Capacitate de reacie
MHz f
V V V
D G
1
24 , 0
=
= =
14 pF
C
os
, Capacitate de ieire
MHz f
V V V
D G
1
24 , 0
=
= =
27 pF
t
on
, Timp de comutare
direct
O = =
= =
6 , 5 , 0
15 , 8 0
GEN D
D GS
R A I
V V V V
6 ns
t
off
, Timp de comutare
invers
O = =
= =
6 , 5 , 0
15 , 8 0
GEN D
D GS
R A I
V V V V
20 ns
P
tot
, Putere total disipat C T
a

80 = 0,5 W








FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
186

5.9 Aplicaii ale tranzistoarelor cu efect de cmp

Tranzistoarele cu efect de cmp au cptat o utilizare intens n
circuitele electronice discrete ct i n circuitele integrate. Performanele lor
tind s conduc la nlocuirea tranzistoarelor bipolare. n cele ce urmeaz
sunt prezentate cteva aplicaii directe, simple, ale tranzistoarelor cu efect de
cmp.
A. TECJ utilizat ca rezisten variabil comandat n tensiune

Analiznd caracteristicile de ieire ale TECJ se constat c n jurul
originii, la tensiuni mici dren-surs (sub 100mV), exist o dependen
liniar a curentului n funcie de tensiunea de dren, controlat de tensiunea
aplicat ntre gril i surs. Acest fapt este confirmat de expresia (5.18) care
d curentul de dren n cazul tensiunilor reduse de dren.



a b
Fig. 5.28 Caracteristici de ieire tipice pentru un TECJ; a- pentru domeniul
de variaie complet al tensiunii de dren; b- pentru valori reduse
ale tensiunii de dren (V
D
< 100mV)

Valorile ntre care poate fi comandat liniar rezistena sunt:
O 150 5 , 0 i O = K R 100
max
. Desigur c n stare blocat rezistena dren-
surs a unui TECJ poate atinge valori mult mai mari; de ordinul 10
8

10
10
.
Folosind comanda rezistenei electrice a TECJ se realizeaz
atenuatoare comandate. n fig. 5.29 se prezint dou variante de atenuatoare:
a- n serie cu sarcina; b- n paralel cu sarcina. Considernd varianta b , dac
se noteaz cu A
S
atenuarea n tensiune, aceasta se poate exprima:






Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
187

DS
DS
i
S
r R
r
V
V
A
+
= =
0
(5.65)

Limitele ntre care se poate regla atenuarea depind de valorile
extreme ntre care poate varia r
DS
. De regul atenuarea poate fi modificat n
domeniul 1 -
3 2
10 10 . Acest tip de atenuator comandat se folosete n
circuitele de reacie a amplificatoarelor operaionale pentru a regla
amplificarea, n oscilatoare pentru stabilizarea amplitudinii i pentru
comanda frecvenei, n defazoare programabile i n bucle de control
automat n circuite de automatizare.



Fig. 5.29 Atenuatoare comandate n tensiune cu TECJ;
a- n serie cu sarcina; b- n paralel cu sarcina

B. TECMOS ca element de comutaie analogic

n sistemele de achiziie a datelor, n amplificatoare de curent
continuu cu modulare-demodulare, n calculatoare i sisteme de comunicaie
se utilizeaz tranzistorul cu efect de cmp de tip MOS ca element de
comutaie analogic, cu proprietatea de a inchide sau a deschide un circuit
electric permind trecerea sau asigurnd blocarea semnalelor.
Un element de comutaie analogic trebuie s ndeplineasc o serie
de caliti: a- s aib o impedan foarte joas n starea de conducie (r
ON
) i
ct mai ridicat n starea blocat (r
OFF
); b- s transfere semnalul n stare
nchis cu distorsiuni minime; c- s comute ct mai rapid din starea blocat
n starea de conducie i invers; d- s nu existe cuplaj ntre semnalul de
comand i semnalul transmis; e- s consume putere redus la comutri.
n fig. 5.30 se prezint schema unui selector de ci analogice pentru
multiplexare n timp, realizat cu TECMOS cu canal indus de tip p. n
absena tensiunii de comand, pe pori, tranzistoarele sunt n stare blocat i






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
188
izoleaz intrrile: IN1IN5 de ieire. Dac se aplic o tensiune de comand
pe una din grilele T1T5 tranzistorul respectiv va intra n conducie
permind trecerea semnalului corespunztor spre ieire. Se poate face astfel
o selecie comandat a semnalelor aplicate spre ieire.


Fig. 5.30 Selector de canale cu TECMOS

C. Structura CMOS

Elementul constitutiv al circuitelor numerice actuale este structura
CMOS care const dintr-o pereche de tranzistoare, unul cu canal n i cellalt
cu canal p, fabricate pe aceeai plachet din semiconductor, cu
interconexiuni de metal ntre intrri (pori ) i ieiri (drene). n fig. 5.31 se
prezint structura fizic i schema electric a unui element CMOS.



Fig. 5.31 Structura fizic i schema electric a uni element CMOS







Capitolul 5 Tranzistoare unipolare cu efect de cmp
189
O tensiune pozitiv aplicat pe intrare va deschide tranzistorul cu
canal n i va bloca tranzistorul cu canal p, iar o tensiune negativ va bloca
tranzistorul cu canal n i l va deschide pe cel cu canal p. Nivelele de
tensiune care apar la ieire sunt practic egale cu valorile tensiunilor de
alimentare V
DD
i V
SS
. n regim static curentul dintre V
DD
i V
SS
este
curentul rezidual al tranzistorului blocat, puterea static consumat de
dispozitivul CMOS fiind practic nul. Comportarea structurii CMOS este
echivalent cu a unui inversor logic: a- o tensiune pozitiv ridicat +V
DD

echivalent nivelului 1 logic aplicat la intrare deschide tranzistorul MOS
cu canal n i blocheaz tranzistorul MOS cu canal p stabilind ieirea la V
SS
,
adic la nivel 0 logic; b- o tensiune de valoare -V
SS
echivalent nivelului 0
logic aplicat la intrare, va deschide tranzistorul MOS cu canal p i va bloca
tranzistorul MOS cu canal n ieirea stabilindu-se la + V
DD
adic la nivelul
logic 1.
Capacitatea static de intrare n dispozitivul CMOS este de ordinul
25pF. n timpul procesului de comutare capacitatea de intrare crete de
pn la zece ori, datorit efectului Miller cauzat de capacitatea de reacie
poart-dren i transconductanei ridicate a elementului. Aceasta conduce la
limitarea frecvenei de lucru a circuitelor CMOS.
n fig. 5.32 se prezint schema electric a unui comutator analogic cu
patru canale comandat numeric.



Fig. 5.32 Schema comutatorului MMC 4066 comandat numeric

Cteva performane ale circuitului MMC 4066 sunt:
- rezisten n stare de conducie: 80 =
ON
r (tipice) la V V V
SS DD
15 = ;
- vitez de rspuns: 40MHz;






FLORIN MIHAI TUFESCU DISPOZITIVE SI CIRCUITE ELECTRONICE (I)
190
- liniaritate: 0,5%;
- distorsiuni reduse sub 0,5% pentru , 1KHz f = , 5
VV S
V V = la
V V V
SS DD
10 > i O = K R
L
10 ;
- diafonie ntre canale: -50dB pentru , 9 , 0 KHz f = i O = K R
L
1 ;
- curent rezidual n stare blocat: 10pA pentru V V V
SS DD
10 = i
C T
A

25 = .

D. Precauii la utilizarea i montarea tranzistoarelor cu efect de
cmp
Tranzistoarele cu efect de cmp se pot distruge uor prin
strpungerea n timpul manipulrii i al montrii n circuite datorit
impedanei foarte mari de intrare care favorizeaz acumularea unei sarcini
electrostatice pe gril, care n urma unei descrcri accidentale poate
strpunge stratul de oxid. O surs posibil de sarcin este chiar corpul uman
a crui capacitate electric depete 300pF i n anumite condiii se poate
ncrca peste 10KV. O simpl atingere a grilei tranzistorului conduce la
deteriorarea acestuia. O alt surs periculoas de sarcin sunt casetele,
distanierele, pungile din polistiren sau policlorur de vinil. Tensiuni mari
pot genera i echipamentele de lipire precum i aparatele de msur.
Pentru a proteja tranzistoarele cu efect de cmp fa de aceste surse
posibile de sarcin trebuie luate o serie de precauii:
- stocarea dispozitivelor se va face fie n cutii metalice, fie n pungi
conductoare. Este de dorit ca terminalele s fie scurtcircuitate printr-un inel
metalic;
- toate echipamentele de manipulare vor fi conectate obligatoriu la mas
i n primul rnd echipamentul de lipire (n cazul simplu - ciocanul de lipit);
- zona de lucru se va ventila cu aer ionizat;
- operatorul va avea ncheietura minii legat la mas printr-o brar
conductoare nseriat cu un rezistor de cca. 1M.

n afar de aceste msuri legate de strpungere vor fi respectate cu
strictee mrimile electrice specificate de productorul dispozitivului
utilizat. Pentru protecia direct privind strpungerea porii datorit
acumulrii de sarcin la unele dispozitive TECMOS sunt realizate prin
construcie n interior jonciuni zener cuplate ntre gril i surs.
Dezavantajul major al acestei metode de protecie este cel al micorrii
impedanei de intrare a tranzistorului datorit diodei.