Sunteți pe pagina 1din 6

Universitatea Politehnica din Bucureti Facultatea de Electronic, Telecomunicaii i Tehnologia Informaiei

Proiect Cercetare Didactica

Tranzistoare HEMT de inalta frecventa in tehnologie GaAs


Conductor tiinific Prof. dr. ing. Dan NECULOIU

Student Florian ADAM

2013
-1-

Cuprins
1. Descrierea Tranzistorului HEMT 2. Inventia 3. Functionare 4. Mecanism cuantic 5. Tipuri de tranzistoare HEMT 1. pHEMT 2. mHEMT 3. HEMT Indus 6. Aplicatii 7. Bibliografie

-2-

Tranzistoare HEMT de inalta frecventa in tehnologie GaAs Descriere


Tranzistorul HEMT ( high-electron-mobility transistor tranzistor cu electroni de inalta mobilitate), mai este cunoscut sic a heterostructura FET (HFET) sau dopat in modulare (MODFET), este un tranzistor cu effect de camp, ce incorporeaza o jonctiune dintre doua materiale cu goluri de banda diferite (hetero-jonctiune) ca si canal in locul regiunii dopate (in cazul MOSFET). O combinatie de materiale utilizata de obicei este Ga-As cu Al-Ga-As, desi exista o larga variatie, in functie de aplicabilitatea dispozitivului. Dispozitivele care incorporeaza mai mult indium, in general prezinta performante imbunatatite de inalta-frecventa, in timp ce in ultimii ani, tranzistoare cu nitrura de galiu au atras atentia datorita performantelor de mare putere. Tranzistoarele HEMT sunt capabile sa functioneze la frecvente mai ridicate decat tranzistoarele obisnuite, pana la frecvente cu unde milimetrice, si sunt utilizate in produse de inalta-frecventa precum telefoanele mobile,receiverele pentru televiziunea prin satelit sau echipamente radar.

Inventia tranzistorului HEMT este de obicei atribuita lui Takashi Mimura( Fujitsu, Japonia). In America, Ray Dingle impreuna cu colaboratorii sai la Bell Laboratories au jucat un rol important in inventarea tranzistorului HEMT. In Europa, Daniel Delagebeaudeuf si Trong Linh Nuyen de la Thomson-CSF (Franta) au aplicat pentru o patentare a acestui dispozitiv pe 28 Martie 1979.

Functionare
Pentru a se realiza conductia, semiconductorii sunt dopati cu impuritati care doneaza electroni mobile. Totusi, acesti electroni sunt incetiniti prin coliziunile cu impuritatile folosite in generarea lor initiala. Tranzistorul HEMT evita acest lucru prin utilizarea de electroni de mare mobilitate generate utilizand heterojonctiunea de un strat donor de alimentare de tip n si un strat donor dopat de banda larga (AlGaAs in cazul nostru) si un strat ingust nedopat fara impuritati (GaAs in acest caz). Electronii generati in stratul subtire AlGaAs de tip n se deplaseaza complet in stratul GaAs pentru a elibera stratul de AlGaAs, deoarece heterojonctiunea creata din materiale diferite formeaza un potential cuantic in banda de conductie din stratul de GaAs unde electronii se pot misca foarte repede fara sa se loveasca deimpuritati deoarece stratul de GaAs nu este dopat si din care nu pot iesi. In consecinta se creeaza un strat extreme de subtire cu electroni in conductie
-3-

foarte mobili si de mare concentratie, fapt ce ii atribuie acestui canal o faorte mica rezistivitate (altfel zis, electroni de inalta mobilitate). Acest strat este denumit nor electronic bidimensional. Precum si in celelalte tipuri de tranzistoare FET, o tensiune aplicata la poarta (gate) afecteaza conductivitatea prin strat.

Mecanismul cuantic
Deoarece stratul de GaAs are afinitate electronica ridica, electronii liberi din stratul de AlGaAs sunt transferati catre stratul nedopat de GaAs unde formeaza un nor electronic de inalta mobilitate bidimensional avand 100 angstrom de la interfata. Stratul de tip n AlGaAs al tranzistorului HEMT este eliberat complet prin aplicarea a doua mecanisme Prinderea electronilor liberi din strat determina eliberarea suprafetei Transferul electronilor catre stratul nedopat GaAs determina eliberarea interfetei

Nivelul Fermi la nivelul portii al metalului este compensat la punctual de fixare , care este 1,2 eV sub banda de conductive.Cu reducerea grosimii stratului de AlGaAs, electronii furnizati de donori in stratul de AlGaAs sunt insuficienti pentru a se fixa de strat. Ca urmare, banda de indorie se deplaseaza inainte si norul electronic bidimensional nu apare. Cand o tensiune pozitiva mai mare decat tensiunea de prag este aplciata la poarta, electronii se strang la interfata si formeaza norul electronic bidimensional.

Tipuri de tranzistoare HEMT


pHEMT
In mod ideal, cele doua materiale folosite pentru heteronjonctiune ar trebui sa aiba aceeasi constanta de retea (spatierea dintre atomi). In practica, avand exemplul materialului AlGaAs pe GaAs, constantele de retea sunt de obicei usor diferite , rezultand in defecte de cristal. Ca o analogie, imaginati impingand impreuna doi piepteni de plastic avand spatierea usor diferita. La interval constant, vei vedea doi dinti grupati impreuna. In semiconductori, aceste discontinuitati formeaza capcane de nivel adanc si reduc vizibil performantele dispozitivului. Un tranzistor HEMT in care aceasta regula este incalcata este denumit pHEMT sau pseudomorfic HEMT. Acestru lucru este realizat prin utilizarea unui strat extreme de subtire pe unul dintre material
-4-

asa de subtire incat reteaua cristalului se intinde pentru a se potrivi cu celalalt material. Aceasta tehnica permite constructia tranzistoarelor cu a mai mare diferenta de banda decat altfel este posibil, oferindu-le o mai buna performanta.

mHEMT
Un alt mod de a folosi materialele din retele de constant este de a pastra un strat tampon intre ele. Acest lucru se realizeaza in cazul tranzistoarelor mHEMT sau HEMT metamorphic, o variant avansata de pHEMT. Stratul tampon este fabricat din AlInAs, avand concentratia de Indium astfel incat sa se poata potrivi cu constanta de retea atat pentru substratul de GaAs cat si cu a celui de GaInAs. Aceasta adduce avantajul ca, practice, orice concentratie de Indium poate fi realizata,astfel dispozitivele pot fi optimizate pentru diferite aplicatii. Un nivel redus al concentratiei de Indium ofera zgomot mic, in timp ce o concentratie ridicata de Indum ofera castig de putere.

HEMT Indus
Spre deosebire de un tranzistor HEMT dopat in modulare, un tranzistor avand electroni de inalta mobilitate ofera flexibilitatea de a ajusta diferite densitati de electroni cu o poarta superioara, deoarece puratatorii de sarcina sunt indusi catre planul 2DEG decat catre cel creat de catre dopanti. Absenta unui strat dopat imbunatateste in mod semnificativ mobilitatea electronilor, in comparative cu omologii lor dopati in modulatie. Acest nivel de curatenie ofera oportunitati de a efectua cercetari in domeniul Quantum Billiard pentru studii cuantice ale haosului, sau aplicatii in dispozitivele electronice stabile si sensibile.

Aplicatii
Ariile de aplicabilitate sunt similar tranzistoarelor MOSFET: comunicatii de microunde si unde milimetrice, imagistica, radar, radioastronomie si orice aplicatie in care sunt cerute castig de putere si zgomot redus la frecvente ridicate. Tranzistoarele HEMT au aratat castig maxim la frecvente mai mari de 600 GHz si castig de putere la frecvente mai mari de 1 THz. Tranzistoarele bipolare heterojonctiune au fost demonstrate la frecvente de peste 600 Ghz. Numeroase companii din intreaga lume dezvolta si fabrica dispozitive bazate pe tranzistoare HEMT. Acestea pot fi in mod uzual sub forma unui circuit monolithic integrat de microunde (MMIC). Tranzistoarele HEMT se intalnesc in multe tipuri de echipamente, de la telefoane mobile si receiver DBS, dar si la echipamente electronice de razboi cum ar fi radar sau radioastronomie.

-5-

Bibliografie
1. http://en.wikipedia.org/wiki/HEMT - High-electron-mobility transistor(HEMT) 2. SDM-2, Michael Shur 1999-2009 3. W. Shockley: 'Circuit Element Utilizing Semiconductive Material', United States Patent 2,569,347, 1951. 4. HBT Optoelectronic Circuits developed in the Technion 5. New Material Structure Produces World's Fastest Transistor

-6-