ALN

En los ltimos aos se ha realizado un esfuerzo importante en la bsqueda de nuevos materiales con estructuras cada vez ms complejas, que presenten a la vez propiedades de conduccin inica y electrnica. [1] Este tipo de materiales, como el nitruro de aluminio, tienen aplicaciones en campos importantes de la tecnologa como componentes de diversos dispositivos optoelectrnicos. De entre los nuevos materiales estudiados se destacan los nitruros metlicos. En este tipo de compuestos no existe todava un conocimiento profundo de los mecanismos de transporte de carga por lo que se hace necesario un estudio fundamental en muestras de gran calidad cristalina. [2] Como pelcula policristalina orientada en el eje c, el nitruro de aluminio (AlN) se puede implementar como componente en sensores pticos en el rango de ultravioleta (UV), as como en dispositivos ptico-acsticos. [3] Existe un amplio inters en el nitruro de aluminio hexagonal por su aplicacin en LED's y detectores en el azul y ultravioleta, debido a su notable estabilidad trmica y qumica, tambin es conveniente para su aplicacin en ambientes extremos de altas temperaturas. [46] Es de gran importancia para el pas el estudio y desarrollo de nuevas tcnicas de investigacin como la deposicin por lser pulsado (PLD) ya que se pueden generar nuevos materiales nanoestructurados como es en este caso el de los nitruros del grupo III-V uno de ellos el AlN pues esta siendo objeto de estudio debido a sus amplias perspectivas de aplicacin en dispositivos semiconductores en las regiones de las longitudes de onda del azul y el ultravioleta; adems de que se crean jvenes investigadores que pueden contribuir a la ciencia y desarrollo del pas con la ayuda de las universidades que trabajan en estos temas y de los grupos que existen en estas lneas de investigacin posibilitando avances tecnolgicos necesarios para la industria nacional.

Contenido

1 Material 2 Calidad cristalina del nitruro de aluminio 3 Estudio estructural del AlN 4 Estudio Vibracional del AlN 5 Respuesta piezoelctrica del material 6 Bibliografa

Material
El nitruro de aluminio cristaliza en el sistema hexagonal, con una estructura de tipo wurtzita (caracterizada por sus constantes de red a y c) experimentalmente se encuentra que la fase wurzita es la estructura cristalina ms estable para el AlN. Es el material de banda

ms ancha a temperatura ambiente (Eg =6.2 eV) siendo considerado un semiconductor del grupo III-V lo que le confiere propiedades luminiscentes. [7] La luminiscencia es un proceso que se caracteriza por un espectro de emisin con una banda dominante centrada en 400 nm, aproximadamente. Esta emisin se atribuye a una recombinacin de procesos relacionados con los dominios de oxgeno en la red de AlN. [8] Igualmente el AlN posee altas propiedades como dureza (2x103 kgf mm-2), temperatura de fusin (2400C), as como una velocidad acstica alta (5760 m/s) [9]. Cada tomo de aluminio est ligado a cuatro tomos de nitrgeno y viceversa, formando un tetraedro distorsionado con tres enlaces Al-N(i) (i = 1,2,3) separados 120 y situados en un plano perpendicular al enlace Al-N(0) en la direccin del eje c, como se observa en la figura 1 [10]. Figura 1. Red cristalina del nitruro de aluminio. El plano (002) se representa en rojo, el (101) en azul, el (102) en verde y el (103) en gris. Los tomos de amarillo corresponden al aluminio y los verdes al nitrgeno. [11] La tcnica que se emplear para el depsito de las pelculas de nitruro de aluminio es la deposicin por lser pulsado. Inicialmente esta tcnica era poco considerada debido a su tendencia de depositar macropartculas junto con tomos y molculas. Sin embargo, debido al xito para depositar capas finas de cermicas superconductoras de alta temperatura crtica, se despert un gran inters en el perfeccionamiento de la tcnica, utilizndose hoy ya en escala industrial. La interaccin de los pulsos de alta densidad de energa del lser con un material slido, usualmente de excmero, es capaz de generar partculas con caractersticas fuera del equilibrio. La mayora de stas son especies atmicas y moleculares, electrnica y vibracionalmente excitadas, con energas cinticas suficientes para superar las barreras que conduzcan a la formacin de nuevos compuestos o fases singulares la tcnica puede dar origen a la formacin de compuestos en fases metaestables con propiedades nicas. El nitruro de aluminio que se desea depositar se caracterizar tanto desde el punto de vista estructural y cristalogrfico como desde el punto de vista piezoelctrico. Estas caracterizaciones se llevan a cabo paralelamente con las tareas de produccin del material. De esta manera es posible aplicar la informacin obtenida a la seleccin de los parmetros de depsito del AlN para conseguir un material con las propiedades cristalinas, morfolgicas y piezoelctricas ptimas.

Calidad cristalina del nitruro de aluminio

Desde un punto de vista cristalogrfico un material policristalino es bueno cuando el tamao de sus microcristales es grande en la direccin perpendicular al sustrato y cuando stos se encuentran muy bien orientados. Puesto que el nitruro de aluminio con estructura wurtzita tiene cuatro tomos en la celda unitaria, existen nueve modos pticos y tres modos acsticos para k 0 (en el centro de la zona de Brillouin) los cuales son tericamente:

(E2) 303 cm 1 , (E2) 426 cm-1, (A1) 514 cm-1 , (E1) 614 cm-1 , (A1) 663 cm-1 , (E1) 671.6cm-1 (A1) 659.3cm-1 , (E1) 821 cm-1 (E1) 895cm-1) [12].

De entre todos estos modos, slo los modos A1 y E1 pueden activarse por la radiacin infrarroja [12,14] . Dichos picos corresponden a los modos transversales pticos E1(TO) 671.6 cm-1 y A1(TO) 614 cm-1 del nitruro de aluminio hexagonal. El modo E1(TO) en 671.6cm-1 se excita por un campo elctrico perpendicular al eje c de la molcula, mientras que el modo A1(TO) en 614 cm-1 se excita por un campo paralelo a dicho eje. Por lo tanto, el aspecto de los dos picos del espectro dar informacin sobre la posicin de las molculas de nitruro de aluminio y, por tanto, la orientacin de los microcristales, respecto al haz de luz incidente. La existencia de estos dos picos se debe a la excitacin por parte de la seal incidente de los modos pticos E1(TO) y A1(TO) (esquematizados en la figura 2) debido a la diferencia de electronegatividad entre los tomos de nitrgeno y los de aluminio en la molcula de AlN.

Estudio estructural del AlN

El mtodo comnmente utilizado para determinar la calidad cristalina de las pelculas policristalinas es la difraccin de rayos X, ya que proporciona de forma directa informacin sobre la orientacin cristalina, el estrs y el tamao de grano. La difraccin de rayos X (DRX) es una tcnica no destructiva de anlisis de materiales que se basa en el hecho de que los cristales difractan los rayos X que inciden sobre ellos de una forma que depende de su estructura. La difraccin es un fenmeno relacionado con la forma en la que interactan dos o ms ondas cuyas fases son diferentes debido a la diferencia entre los caminos que recorren [13]. Sin embargo, sta es una tcnica relativamente cara y las medidas llevan mucho tiempo, mientras que, por el contrario, la espectroscopia de absorcin de infrarrojos por transformada de Fourier es una tcnica rpida y ms barata. El aspecto de los picos de los espectros de FT-IR del nitruro de aluminio est relacionado con la orientacin del material, por lo que dicha tcnica podra ser una alternativa a las medidas habituales de DRX.

Al ser una tcnica complementaria que me permite conocer que estructura se ha formado en la pelcula, es de nuestro inters el tener difracciones en los planos (002), (101), (102) bien definidos pues estos nos garantizan un material con propiedades piezoelctrico.

Estudio Vibracional del AlN

La espectrofotometra de infrarrojos por transformada de Fourier (FT-IR) es una tcnica no destructiva ampliamente utilizada en la caracterizacin de materiales en forma de pelcula delgada, que se basa en la absorcin de fotones por los modos de vibracin de los tomos enlazados en un slido al hacer incidir sobre l un rayo de luz con una longitud de onda concreta en el rango del infrarrojo medio. Esta absorcin se produce si la diferencia de electronegatividad entre los distintos tomos de la molcula es apreciable, y tiene lugar para unas frecuencias caractersticas que dependen del modo de vibracin de los enlaces y del entorno qumico, ya que para que un enlace absorba un fotn es necesario que la frecuencia de la luz incidente coincida con la frecuencia de vibracin del enlace.[11] Por lo tanto, la posicin y la intensidad de las bandas de absorcin en el infrarrojo obtenidas permiten, en teora, identificar los enlaces, determinar su estructura y estimar su concentracin. Las pelculas se analizaran con FTIR ya que con esta espectroscopia se pueden observar las frecuencias de vibracin caractersticas de los enlaces de aluminio y adems se puede determinar que tipo de estructura toma el aluminio con el nitrgeno y de esta manera encontrar la pelcula con las mejores propiedades para ser un buen piezoelctrico.

Respuesta piezoelctrica del material

La piezoelectricidad consiste en la generacin de un campo elctrico en un material al serle aplicada una tensin mecnica que modifique su forma (efecto directo), o tambin en el cambio en la forma del material al aplicrsele un cierto campo elctrico (efecto inverso). Por lo tanto, es un mecanismo de conversin de energa mecnica en elctrica y viceversa. [14] Las caractersticas cristalinas del material (orientacin de los cristales, tamao de grano y estructura) condicionan sus propiedades piezoelctricas. Los sistemas relevantes en cuestiones piezoelctricas son los sistemas cbico, ortorrmbico, tetragonal, trigonal y hexagonal. Como ya se ha mencionado, el nitruro de aluminio cristaliza en el sistema hexagonal, con simetra alrededor del eje c, por lo que debemos buscar un AlN hexagonal para garantizar una respuesta piezoelctrica. Cabe anotar que las pelculas de nitruro de aluminio pueden presentar dos polaridades distintas dependiendo de la colocacin de la celda unitaria, segn el tomo central del tetraedro sea un tomo de aluminio o uno de nitrgeno. La figura 3 muestra ambos tipos de polaridad: Las propiedades morfolgicas del material obtenido dependen en gran medida de su polaridad, ya que las pelculas terminadas en nitrgeno suelen tener una mayor rugosidad que las terminadas en aluminio, pero en cambio su calidad cristalina es mejor [16]. Las condiciones inciales de depsito influyen en gran medida en la polaridad del material obtenido. Aunque en principio podra pensarse que todo el material tiene la misma

polaridad, sin embargo es posible que existan zonas en las que los cristales tienen distintas polaridades. La presencia de estos dominios de inversin se ha atribuido a distintas causas, como la naturaleza de la superficie del sustrato [17], los defectos extendidos relacionados con la presencia de tomos de oxgeno [18] y otras condiciones propias del crecimiento.

Bibliografa
JAIME ANDRS PREZ jaimeandres.perez@gmail.com TABORDA Estudiante Ingeniera Fsica

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