.

Jonciunea pn
a. Generaliti

Definiie: Jonciunea pn reprezint suprafaa de contact dintre dou regiuni una de tip p i cealalt de tip n, create ntr-un monocristal pur de Ge sau Si prin impurificare cu alte elemente. Germaniul Ge i siliciul Si sunt semiconductoare pure (intrinseci), tetravalente. Regiunea p (semiconductor extrinsec) - se obine prin impurificare( dopare) cu elemente trivalente (Bor, Galiu) avnd golurile ( + ) purttori majoritari. Regiunea n se obine prin impurificare cu elemente pentavalente (Arsen, Bismut) avnd electronii ( - ) purttori majoritari.

Fig. 1.1 Jonciunea pn

Jonciunea pn polarizat direct Definiie: Jonciunea pn este polarizat direct dac polul pozitiv al sursei de tensiune se leag pe regiunea p, iar polul negativ pe regiunea n.

Funcionare Prin jonciune trece un curent de difuzie de la

p la n numit curent direct Id [mA, A] dat de purttorii majoritari golurile Fig. 1.2 Polarizare direct Regiunea de barier se micoreaz Id (curentul direct) crete exponenial cu

creterea tensiunii de polarizare direct.

Jonciunea pn polarizat invers Definiie: Jonciunea pn este polarizat invers dac plusul sursei de tensiune se aplic pe regiunea n i minusul pe regiunea p. Funcionare

Prin jonciune trece un curent invers Iinv [A, nA] de la n la p dat de purttorii minoritari numit i curent de cmp

Curentul direct Id este anulat Regiunea de barier crete mai numete curent de saturaie. Fig. 1.3 Polarizare invers Curentul invers nu depinde, n anumite limite, de tensiunea de polarizare i se