FET, MOSFET, CMOS

Amplificadores Operacionales
Jesus Paul

FET Transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantacin hasta 1970 debido a la alta tecnologa necesaria para formar sus uniones. No es muy comn encontrarse en un circuito un transistor FET aislado, stos suelen aparecer, ms bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados, por ejemplo, en las cpsulas microfnicas, como un pequeo preamplificador de la seal dbil que se produce en stas. Un FET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas electrnicas, con las grandes ventajas de los componentes semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de transistores FET, los FET de canal N y los FET de canal P.

Figura 1 Transistor FET de canal n Este componente est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los dos de ste aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal. As, tenemos un terminal de fuente o surtidor y de otro de sumidero o drenador. Las dos regiones P se interconectan entre s, exteriormente en el terminal de compuerta o graduador. Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unin bipolares, la corriente colector emisor se controlaba gracias a la variacin de la pequea corriente que se aplica a la base, realizndose la conduccin tanto por electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto de campo funcionan solamente con un tipo de portadores de carga: huecos o electrones, segn el tipo de canal. As, por ejemplo, en un FET de canal N los portadores son los electrones. El transistor de la figura 1 conduce siempre del terminal de surtidos al de drenador. El canal N posee suficientes electrones libres para que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora sometemos el terminal de graduador a

una tensin negativa, los electrones libres sern expulsados por repulsin fuera del canal. Esto hace que el canal se quede con menos portadores de carga y, por lo tanto, su resistencia aumente considerablemente, lo que provoca una disminucin de la corriente que atraviesa el canal del surtidor al de drenaje. En el caso de que la tensin sea suficiente negativa, la corriente puede dejar de fluir.

Figura 2 Funcionamiento de un FET canal N A esta forma de trabajo se le denomina de empobrecimiento, es decir, que la tensin de control aplicada al graduador empobrece o extrae los portadores del canal, lo que hace que ste se estreche al paso de la corriente. En el FET de canal P de la figura 3 se utiliza material semiconductor P para el canal y N para la puerta. [1]

Figura 3 Transistor FET de canal P

MOSFET: Un BJT es un dispositivo controlado por corriente, y requiere corriente de base para que pase corriente en el colector. Como la corriente de colector es independiente de la corriente de entrada (o de base), la ganancia de corriente depende de la temperatura de la unin. Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y slo requiere una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta, y los tiempos de conmutacin son del orden de nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando aplicaciones cada vez ms numerosas en convertidores de baja potencia y alta frecuencia. Los MOSFET no tienen los problemas de fenmenos de segunda avalancha, como los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen los problemas de descarga electrosttica y requieren cuidados especiales en su manejo. Adems, es relativamente difcil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito.[2] El MOSFET es un transistor de efecto de campo de xido metlico semiconductor cuyo voltaje de compuerta controla la corriente de drenaje. Los dos tipos bsicos de MOSFET son: a)de empobrecimiento y b)de enriquecimiento La compuerta de un MOSFET est aislada del sustrato. Por ello, el dispositivo tambin se denomina transistor de efecto de campo con compuerta aislada (IGFET). En el MOSFET de tipo enriquecimiento no existe canal fsico entre el drenaje y la fuente. El canal, que consta de portadores de carga, se introduce elctricamente al sustrato al polarizar la compuerta. Dado que el MOSFET de tipo enriquecimiento con canal N se puede polarizar en forma positiva, y la compuerta de un MOSFET de tipo enriquecimiento con canal P lo hace de manera negativa. Los MOSFET de tipo empobrecimiento-enriquecimiento se puede polarizar positiva, negativamente o en cero. Cuando la compuerta de un MOSFET de tipo empobrecimiento con canal N est polarizada en forma positiva, ste funciona en la modalidad de enriquecimiento. Cuando la compuerta de un MOSFET de tipo empobrecimiento con canal N est polarizada negativamente, ste funciona en la modalidad de empobrecimiento. [3]

CMOS (MOSFET complementario) Es aquel que utiliza una combinacin nica de un MOSFET de canal p con uno de canal n mediante un solo conjunto de terminales externas. Posee la ventaja de una muy alta impedancia de entrada, velocidades de conmutacin rpidas y bajos niveles de potencia de operacin, todo lo cual, hace que sea muy til para los circuitos lgicos. [4] A mediados de la dcada de 1980 los avances en el diseo de los circuitos MOS, en particular los circuitos MOS complementario (CMOS), provocaron un aumento sbito en su desempeo y popularidad. Con mucho, la mayor parte de los modernos circuitos integrados a gran escala, tales como microprocesadores y memorias utilizan dispositivos CMOS. [5]

Bibliografa: [1] Alcalde, Pablo. Electrnica general. Paraninfo: Madrid 2010. [2]H Rashid, Muhammad. Electrnica de potencia. Prentice Hall: Mxico 2004 [3] Zbar, Malvino, Miller. Prcticas de Electrnica. Alfaomega: Mxico 2001 [4] Nashelsky, Boylestad. Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Prentice Hall: 2002. [5] Wakerly, John. Diseo Digital. Pearson Educacin: Mxico 2001.