SUBIECTUL 1. Caracteristic.

Dreapta de sarcin i punctul static de funcionare Oricrui element de circuit i se asociaz o caracteristic curent-tensiune, cnd dispozitivul are doar dou terminale sau o familie de caracteristici, cnd dispozitivul are trei sau mai multe terminale. Caracteristica reprezint o dependen ntre dou mrimi electrice, impus de elementul de circuit. n fig.1.7 sunt reprezentate caracteristicile ctorva elemente uzuale de circuit. Dreapta de sarcin reprezint legtura dintre curent i tensiune impus de elementele de circuit. a este o!inut prin aplicarea teoremei a ""-a a lui #irc$$off pe circuitul considerat i de aceea dependena este o dreapt. Punctul static de funcionare (PS ! punctul de pe caracteristic n care funcioneaz un dispozitiv n condiii de polarizare date. l se o!ine pe cale grafic prin intersecia caracteristicii cu dreapta de sarcin sau analitic, prin rezolvarea sistemului de ecuaii pentru aceleai dou dependene. %odul grafic de aflare al &'( este e)emplificat n fig.1.*.

(ig.1.7. )emple de caracteristici. a+ ntreruptor desc$is, !+ ntreruptor nc$is, c+ rezistor, d+ diod

(ig.1.*. )emplu de determinare grafic a &'( la o diod. a+ circuitul electric i ecuaia dreptei de sarcin, !+ reprezentarea grafic a caracteristicii diodei i a dreptei de sarcin. &unctul lor de intersecie determin punctul static de funcionare SUBIECTUL ". Conductori# i$olatori i se%iconductori &entru a nelege cum funcioneaz diodele, tranzistorii sau circuitele integrate, tre!uiesc studiate materialele semiconductoare, care nu sunt nici conductori, nici izolatori. 'emiconductorii sunt materiale care au un numr limitat de electroni li!eri, ins particularitatea lor n ceea ce privete conducia este e)isten a unui al doilea tip de purttori de sarcin li!eri, golurile. -eose!irea ntre cele trei tipuri de materiale, conductori, izolatori i semiconductori este la nivel de structur atomic. &entru a asigura conducia electric, un material tre!uie s ai! n structura sa electroni li!eri. -in punct de vedere principial, toi electronii unui material dat ar tre!ui s fie legai pe or!ite sta!ile, gravitnd n .urul unui nucleu. -in punct de vedere cuantic ns, datorit fluctuaiilor statistice, energia electronilor poate fi la un moment dat suficient de mare pentru ca acetia s prseasc atomul i s devin electroni li!eri. /ceast pro!a!ilitate crete o dat cu creterea temperaturi, dar depinde n cea mai mare msur de structura electronic a materialului respectiv.

/stfel n fig.0.1 este prezentat structura electronic a cuprului, care este un conductor reprezentativ. 'e poate o!serva faptul c acesta are trei straturi electronice complet ocupate, iar pe ultimul strat un singur electron. /cesta interacioneaz sla! cu nucleul, datorit ecranrii realizate de ceilali electroni i energia sa de legtur este att de sla! nct poate fi considerat practic li!er. /vnd n vedere c fiecare atom are un astfel de electron, n orice moment n material este un numr foarte mare de purttori li!eri, motiv pentru care cuprul este un !un conductor de electricitate. "zolatorii au n sc$im! un numr mare de electroni pe ultimul strat, aproape de configuraia sta!il, iar energia necesar eli!errii acestora este foarte mare. 'pre deose!ire de conductori, semiconductorii au pe ultimul strat, numit i strat de valen , un numr de patru electroni. %aterialele reprezentative pentru aceast clas sunt germaniul i siliciul. 1onfiguraiile lor electronice pot fi o!servate n figura 0.1. 'e poate vedea c germaniul are un strat electronic complet n plus fa de siliciu, ceea ce e)plic i diferenele n comportarea electric dintre cele dou. &entru a putea e)plica mecanismele de conducie ale acestor materiale, tre!uie studiat de asemeni i modul n care acestea interacioneaz n cristale. SUBIECTUL &. Purttori de sarcin 2a nivel atomic, temperatura se traduce de fapt prin micri de vi!raie ale atomilor n cadrul structurii cristaline regulate. /ceste vi!raii au intensiti diferite, distri!uite statistic, i din cnd n cnd, energia unui atom este suficient de mare pentru a dizloca un electron de pe stratul de valen. lectronul devine electron liber, iar locul lsat li!er de acesta n structura electronic este ec$ivalent cu e)istena unei particule virtuale, cu sarcina pozitiv, numit gol. 'olul este deci un purttor de sarcin virtual, care are sarcina pozitiv egal n valoare a!solut cu a electronului i care apare atunci cnd n !anda de valen a unui semiconductor e)ist un loc li!er.

(ig.0.3. %odul de deplasare al electronilor i golurilor n semiconductor "ntr-un cristal semiconductor pur, purttorii de sarcin sunt deci electronii li!eri i golurile. /cetia sunt n concentraii egale i sunt generai pe cale termic. &roducerea de purttori li!eri ntrun semiconductor poart numele de generare. n anumite condiii, un electron li!er a.uns n apropierea unui gol este atras de ctre aceasta, ocupnd locul li!er din structura electronic. &rocesul este numit recombinare. 4impul scurs ntre generare i recom!inare poart numele de timp de via. 5aloarea medie a acestuia este influenat de numeroi factori i este cuprins n general ntre cteva nanosecunde i cteva microsecunde. 6olurile sunt considerate purttori de sarcin datorit modului n care acestea se comport cnd materialul este supus unui cmp electric. lectronii li!eri sunt atrai n zona de potenial pozitiv, ns deplasarea acestora nu este liniar. -atorit timpului de viat scurt, un electron se deplaseaz pe o direcie impus de cmp, pn cnd ntlnete un gol i se recom!in. nergia electronului este preluat de un electron vecin care devine li!er i eli!ereaz un gol i astfel, din aproape n aproape, electronul 7nu acelai+ se deplaseaz n direcia cmpului. 8rmrind n paralel ce se ntmpl cu golurile, o!servm c acestea par s se deplaseze spre potenialul negativ, ca i cum ar fi sarcini pozitive 7fig.0.3+9

n concluzie ntr-un semiconductor n conducie apar doi cureni, unul determinat de electroni i unul de goluri. 1urenii au sensuri opuse, ns i sarcinile au semne opuse, astfel nct curentul total este dat de suma celor doi cureni. SUBIECTUL (. Se%iconductori intrinseci i e)trinseci 8n semiconductor n stare pur este un semiconductor intrinsec. 2a temperaturi apropiate de temperatura camerei numrul de purttori al acestora este foarte redus, motiv pentru care n aceast stare nu este util aplicaiilor practice. 1reterea temperaturii este o cale de cretere a conductivitii 7spre deose!ire de metale9+, ns nu este o metod eficient. %etoda folosit n practic este doparea semiconductorilor intrinseci, impurificarea controlat a acestora. 8n semiconductor impurificat se numete semiconductor e)trinsec. &entru impurificare se folosesc de o!icei materiale din grupa a treia sau a cincea a sistemului periodic. &rin impurificarea cu elemente pentavalente 7sti!iu, arsen, fosfor+, denumite su!stan e donoare, numrul de electroni crete. /ceste su!stane au pe stratul de valen : electroni. 8n astfel de atom, avnd 3 vecini cu care realizeaz legturi covalente, va avea pe ultimul strat ; electroni. -intre acetia, * sunt !ine lega i, ns al ; lea, care este n plus fa de configuraia sta!il, devine electron li!er. n acest mod, n semiconductor ia natere un numr de electroni li!eri practic egal cu numrul de atomi de impuritate. /ceti electroni au particularitatea c nu mai apar n perec$e cu goluri. 1nd pentru impurificare se folosesc elemente trivalente 7aluminiu, !or, galiu+, numrul de goluri crete. "mpuritile se numesc n acest caz acceptoare, deoarece avnd doar trei electroni pe ultimul strat, mpreun cu cei patru ai vecinilor, vor avea 7 electroni pe stratul de valen, deci un gol 7fig.0.:+.

(ig.0.:. "lustrarea modului producere a purt<torilor li!eri prin dopare &entru a avea o imagine a propor.iei dop<rii, un semiconductor dopat are n .ur de 1: milioane de atomi de impuritate la 1= miliarde de atomi de siliciu, adic< un procent de impuritate de =,1: >. 1u toate c< poate p<rea foarte mic<, aceast< propor.ie este suficient< pentru ca num<rul de purt<tori caracteristici materialului intrinsec s< fie negli.a!il fa.< de cel generat de impurit<.i. 8n semiconductor dopat cu impurit<.i donoare are conduc.ia asigurat< de electroni ?i se nume?te semiconductor de tip n. 8n semiconductor dopat cu impurit<.i acceptoare are conduc.ia asigurat< de goluri ?i se nume?te semiconductor de tip p. n semiconductorii e)trinseci, purt<torii genera.i de impuritate poart< numele de purt<tori ma.oritari, n timp ce purt<torii de semn opus se numesc purt<tori minoritari.

SUBIECTUL *. +onciunea p,n nepolari$at 2uate separat, cristalele semiconductoare de tip n sau p se comport practic n acelai mod ca i rezistoarele, singura diferen fiind dat de modul de variaie al rezistenei cu temperatura. -ac ns ntrun acelai cristal semiconductor e)ist dou zone vecine cu conducii diferite, comportarea sistemului se modific radical. 'punem c avem dea face cu o .onciune pn.

@onciunea pn reprezint zona care ia natere la contactul dintre un semiconductor de tip p i unul de tip n, aflate n contact metalurgic. &rocesele care au loc n zona de contact sunt e)emplificate n fig.0.A. -atorit diferen ei mari de concentraii de electroni i goluri, apar cureni de difuzie dinspre o zon spre alta. n zona .onciunii, electronii se recom!in cu golurile, ceea ce conduce la formarea de ioni negativi n zona p 7datorit ocuprii golurilor cu cte un electron+ i a ionilor pozitivi n zona n 7datorit faptului c atomii donori pierd cte un electron+. /ceste dou straturi de ioni dau natere unui cmp electric intern, care mpiedic difuzia n continuare a purttorilor i sistemul a.unge la ec$ili!ru. Bona .onciunii, aproape complet lipsit de purttori mai poart numele de zon de srcire.

&otenialul care ia natere n zona .onciunii se numete potenial de barier. 2a temperatura camerei, potenialul de !arier este de =,C 5 pentru germaniu i =,7 5 pentru siliciu. '8D" 1482 A. +onciunea p,n polari$at n figura 0.7.a este prezentat un circuit n care un cristal care conine o .onciune pn este conectat la o surs de tensiune, cu plusul sursei la zona p a cristalului. O astfel de polarizare a .onciunii poart numele de polarizare direct. &otenialul sursei de tensiune este n sens opus potenialului de !arier, ceea ce nseamn c purttorii sunt respini de ctre .onciune ntro msur mai mic. -ac tensiunea de polarizare depete =,7 5, purttorii pot trece dintro zon n alta fr restricii, zona de srcire devine foarte ngust, iar curentul crete foarte mult. 'punem c .onciunea este n conducie. n figura 0.7.!, cristalul este polarizat cu minusul la zona p, iar polarizarea se numete invers. -e data aceasta, tensiunea aplicat din e)terior are o astfel de orientare nct mrete potenialul de !arier. 2rgimea .onciunii crete, iar pro!a!ilitatea ca purttorii ma.oritari s o traverseze scade. n am!ele tipuri de polarizri, purttorii minoritari pot trece prin .onciune. 5aloarea curentului determinat de acetia la polarizarea direct este negli.a!il, ns la polarizarea invers, acetia determin practic tot curentul care traverseaz .onciunea, c$iar dac acesta are o valoare foarte mic. 1urentul determinat de purttorii minoritari la polarizare invers se numete curent de saturaie. Eumele acestuia provine din faptul c valoarea acestuia este practic constant, indiferent de tensiunea invers de polarizare, atta timp ct nu apar alte fenomene n .onciune, cum ar fi strpungerea.

(ig.0.7. %oduri de polarizare a .onciunii 7$oles F goluri, depletion zone F zona de srcire+ O caracteristic "5 tipic pentru o .onciune pn este prezentat n figura 0.*. 'e poate o!serva caracterul neliniar al acesteia, comportarea complet diferit a .onciunii la polarizare direct i invers i e)isten a fenomenului de strpungere. 'trpungerea diodei apare cnd tensiune de polarizare invers depete o valoare care depinde de tipul .onciunii, dar este n general de peste := 5. 'trpungerea se datoreaz fenomenului de multiplicare n avalan. )plicaia acestui fenomen este urmtoarea. 2a creterea tensiunii de polarizare invers, purttorii minoritari sunt accelerai din ce n ce mai mult, devenind importante ciocnirile acestora cu atomii semiconductorului. -atorit faptului c energia de impact este mare, n urma ciocnirilor sunt eli!erai purttori li!eri. /cetia sunt accelerai la rndul lor de cmpul aplicat i produc alte ciocniri. n momentul n care fiecare electron are suficient energie pentru a produce doi sau mai muli electroni li!eri, curentul crete e)ponenial ntrun timp foarte scurt. -atorit efectului termic, temperatura materialului crete, conducnd la o cretere i mai mare a curentului, pn cnd acesta se distruge termic 7se arde+. 4re!uie su!liniat faptul c e)ist dispozitive care folosesc n funcionare tocmai fenomenul de strpungere, realizat prin mecanisme nedistructive.

'8D" 1482 7. Dioda se%iconductoare. Caracteristic i para%etrii Caracteristica diodei

Para%etrii caracteristici 5GG% H tensiunea invers ma)im repetat 5( H tensiune direct ma)im "('% H curentul ma)im de vrf 4@ H temperatura de lucru a .onciunii G7I+ H rezistena termic 1@ H capacitatea .onciunii 5G75-1+ H tensiunea invers ma)im n 11 "(7/5+ H curentul direct ma)im 7mediu+ &- H puterea disipat 4'46 H temperatura de depozitare "G H curentul invers ma)im trr H timpul de comutare

SUBIECTUL -. Dioda se%iconductoare. .odele apro)i%ati/e

Pri%a apro)i%atie. Dioda ideala

0 doua apro)i%aie

0 treia apro)i%aie

I=

1=V = 1=mA 1k U S = 1=V

I=

PS = 1=V 1=mA = 1==mW PD = =V 1=mA = =mW

1=V =,7V = ;, CmA 1k U S = IRL = ;, CV

I=

1=V =,7V = ;, 0;*mA 1k + =, 0C U S = IRL = ;, 0;*V

PS = ;,CV ;,CmA = *A,:mW PD = =,7=0V ;, 0;*mA = A,:CmW PD = =,7V ;,CmA = A,:mW 1= ;,0;*

PS = ;, 0;*V ;, 0;*mA = *A, 3:mW

U 1 =

1= ;,C 1== = 7,:> U 0 ;,C

U 1 =

1== = 7,::> ;, 0;* ;,C ;, 0;* = 1== = =,=0> ;, 0;*

n general, datorit folosirii elementelor neliniare de circuit, rezolvarea e)act a ecuaiilor pentru gsirea parametrilor electrici este imposi!il sau e)trem de la!orioas. &e de alt parte, dispersia mare a valorilor constructive, att pentru componentele pasive, ct i pentru cele active, face inutil utilizarea unei precizii foarte mari n calcule. n funcie de precizia dorit, se poate lucra la niveluri diferite de apro)imare. Prima aproximare nlocuiete un dispozitiv prin cel mai simplu circuit ec$ivalent posi!il. -e e)emplu, n prima apro)imare un conductor are rezistena nul, iar o diod este un ntreruptor ideal. A doua aproximare include cteva proprieti noi ale dispozitivului studiat, fiind apro)imarea cel mai des folosit n practic. -e e)emplu, dac n prima apro)imare, o surs de tensiune este caracterizat doar de tensiunea sa electromotoare, n a doua apro)imare, inem cont i de rezistena sa intern. A treia aproximare aduce corecii mici fa de a doua apro)imare i de aceea este folosit doar rar.

SUBIECTUL 1. 2edresorul %onoalternan

Gedresorul este un circuit electronic capa!il sa transformema) energia electrica de curent alternativ in energie electrica de ef curent continuu. Gedresoare monoalternanta 7redreseaza o singura alternanta+ )plicarea functionarii - &e durata alternantelor pozitive ale tensiunii dioda conduce7fiind polarizata direct,cu K pe anod si minus pe catod+ - &e durata semialternantelor negative, polarizarea diodei este inversata,astfel incat aceasta nu mai conduce7este !locata+ - Gandamentul unui redresor monoalternanta este de doar 3=>

U U =

SUBIECTUL 13. 2edresorul 4ialternan cu pri$ %edian

N 0U ma) U U ef = = ma)

/vanta.eL J J J /vanta.ul acestei redresari este forma de unda cat mai apropiata de cea continua. (recventa semnalului pusatoriu,o!tinut la !ornele sarcinii este de 1== Mz. Gandamentul se du!leaza 7*= >+

-ezavanta.eL J J 'c$ema este mai complicata 'c$ema este mai costisitoare 7secundar cu priza mediana,patru diode redresoare+

SUBIECTUL 11. 2edresorul 4ialternan 5n punte

U ef =

0U ma)

O Gandamentul cel mai mare, secundarul este complet utilizat O &referat pentru costuri si dimensiuni minime ale transformatoarelor la tensiuni mai mari

=RS C
VR = 1. 0. C. I C U CC = U ma) U CC = U ma) n =, 7V V U CC = U ma) n =, 7V R 0

SUBIECTUL 1". iltrarea tensiunii redresate &rincipiul redresarii consta n comutarea caii de curgere a curentului astfel nct, desi la intrare el circula n am!ele sensuri, trecerea sa prin sarcina se se face ntr-un singur sens 7(ig. 3.0+. -in acest motiv, co%utarea tre4uie sa se faca sincron cu sc6i%4area sensului curentului alternati/ de la intrare . /cest lucru se realizeaza la generatoarele magnetoelectrice de curent continuu printr-un comutator mecanic care se nvrte odata cu a)ul generatorului. )istenta diodelor semiconductoare a facut posi!ila construirea unor redresoare statice 7fara piese mecanice n miscare+ care sa poata fi conectate oriunde n circuitul de curent alternativ. 1onducnd numai ntr-un singur sens, dioda sesizeaza automat momentul sc$im!arii sensului tensiunii alternative si, n acelasi timp, comuta calea de curent, !locndu-se sau intrnd n conductie.

SUBIECTUL 1&. Li%itatoare i %ultiplicatoare de tensiune cu diode

SUBIECTUL 1(. Dioda 7ener 8 Si%4oluri i caracteristic. .ri%i caracteristice

Dioda 7ener 8 %ri%i caracteristice 8B H tensiunea Bener - minim, tipica, ma)ima. "B H curentul de msur 8(ma) H tensiunea direct ma)im temperatur al tensiunii 7m5Q?1+ "(ma) H curentul direct ma)im rB H rezistena Bener P4 H coeficientul de

ste o dioda sta!ilizatoare de tensiune. (unctionarea ei se !azeaza pe proprietatea .onctiunii p-n de a avea in regiunea de strapungere o tensiune la !orne constanta intr-o gama larga de variatie a curentului invers. 1aracteristica static la polarizare n sens direct este identic cu a unei diode o!inuite . 2a polarizarea .onciunii in sens invers , caracteristica prezint o poriune a!rupt situat la tensiunea u = U , unde o variaie mic a tensiunii provoac o variaie mare a curentului fr ca dioda s se strpung . -atorit acestei proprietii , dioda Bener se utilizeaz n redresoarele sta!ilizatoare de tensiune 7surse de c.c sta!ilizate +. SUBIECTUL 1*. Dioda 7ener 8 .odele apro)i%ati/e. Circuite de li%itare

U = 0= 3=V
Circuite de li%itare

R = *0= U ! =1=V r! = C=

SUBIECTUL 19. Dioda lu%iniscent (LED!. otodioda. :ptocuplorul Dioda electrolu%inescent reprezint un dispozitiv fotoelectronic constituit dintr-o .onciune pn polarizat direct, realizat dintr-un material semiconductor a crui !and interzis este astfel aleas 7suficient de larg+ nct n procesul de recom!inare radiativ 7direct sau prin intermediul impuritilor + s rezulte radiaiei n spectrul vizi!il. -ioda electroluminescent este prin urmare un convertor de energie , cu a.utorul cruia energia electric este transformat n energie luminoas . -in acest punct de vedere , un parametru important pentru acel dispozitiv l constituie randamentul de conversie al energiei electrice n energie radiant. 1a surs de lumin , prezint importan caracteristic spectral a dispozitivului 7culoarea + . /cetia sunt cei mai importani parametri ai unei diode fotoluminescente . 1uloarea emis depinde de semiconductorul utilizat i de dopat 7impuritile folosite+. -ioda electroluminescent se comport n circuit ca o diod o!inuit . n aplicaiile curente ea este folosit ca indicator luminos sau pentru realizarea instalaiilor de afiare numerice sau alfanumerice . -e remarcat faptul c n cazul elementelor de afiare cu 7 segmente i punct zecimal , mai cunoscute , dimensiunile diodelor &astilelor de

siliciu sunt mai mici dect dimensiunile segmentelor , dimensiunile mai mari ale segmentelor fiind o!inute pe cale optic.

LED

otodioda este un dispozitiv optoelectronic constituit dintr-o .onciune pn fotosensi!il sau un contact metalsemiconductor fotosensi!il , utilizate totdeauna n regim de polarizare invers, deoarece n acest regim se poate fructifica n condiii optime influena flu)ului luminos asupra curentului prin dispozitiv . (otodioda se utilizeaz ca detector de radiaie , avnd ns o sensi!ilitate mult mai mare 7sute de miliamperi pe lumen + dect o fotorezisten , dimensiuni reduse i durat mare de via . (otodioda prezint de asemenea inserie mai mic dect fotorezistena . :ptocuplorul Optocuplorul este un dispozitiv optoelectronic o!inut prin cuplarea optic a unui fotoemitor i a unui fotodetector. 1u a.utorul lui se poate realiza transferul unei comenzi cu izolare galvanic foarte !un ntre intrare i ieire. 1ele mai utilizate optocuploare sunt realizate prin cuplare 2 - H fototranzistor. 'im!olul unui optocuplor mpreun cu caracteristica de transfer 1 ( " F f 7" + sunt prezentate n figura 11.3.

SUBIECTUL 1;. Dioda /aricap. Dioda tunel. Dioda cu contact punctifor% Dioda /aricap este o diod a crei .onciune funcioneaz n polarizare invers pn la valoarea de strpungere. a utilizeaz proprietatea .onciunii pn de a se comporta ca o capacitate 7capacitate de !arier+ dependent de tensiunea de polarizare invers.

-ioda tunel Dioda tunel este o diod semiconductoare , a crei caracteristic static nu este ns n permanen ascendent , n sensul c pentru anumite valori ale tensiuni curentul descrete cnd tensiunea crete. n acest domeniu al tensiuni de polarizare dioda tunel prezint o rezisten dinamic negativ , proprietate folosit n te$nica generri de oscilaii sinusoidale. 2a polarizare direct normal, cu creterea tensiunii, electronii nti tuneleaz prin !ariera foarte ngust a .onciunii p-n deoarece nivelele umplute cu electroni din !anda de conducie din regiunea n se aliniaz cu nivelele li!ere din !anda de valen din regiunea p a .onciunii. -ac tensiunea crete mai mult, aceste nivele devin mai puternic defazate iar curentul scade R ceea ce se numete rezisten negativ, deoarece curentul scade cu creterea tensiunii. -ac tensiunea crete mai mult, dioda ncepe s funcioneze ca o diod normal, unde electronii se

deplaseaz prin conducie prin .onciunea p-n, i nu prin tunelarea prin !ariera de potenial. /stfel, cea mai important regiune de funcionare a unei diode tunel este regiunea de rezisten negativ. Dioda cu contact punctifor%

1- capsul de sticl, 0-electrozi metalici, C-semiconductor de tip n, 3-conductor su!ire de Solfram 'tructura unei astfel de diode comport o capsul de sticl str!tut de doi electrozi metalici. 2a e)tremitatea unuia dintre acetia se fi)eaz un monocristal de germaniu, de dimensiuni mici, dopat n. -up asam!larea mecanic, prin trecerea unui impuls de curent scurt, dar puternic, la contactul dintre firul ascuit de Solfram i cristalul semiconductor, n interiorul acestuia se formeaz o regiune de tip p. 'e constituie astfel o .onciune pn cu suprafa foarte mic, de ordinul 1=-3 mmT, avnd de asemenea o capacitate foarte mic 7su! un p(+. -in aceast structur decurg dou consecineL

dioda poate funciona foarte !ine i la frecvene foarte nalte 7Uc VV Gi+, curentul ma)im admisi!il este mic 7m/+,

1aracteristica static a acestor diode este asemntoare cu cea a diodelor cu .onciune plan, cu deose!irea c n regiunea polarizrii inverse curentul nu prezint un palier, ci crete continuu cu tensiunea de polarizare invers. SUBIECTUL 1-. Tran$istorul 4ipolar 8 principiu de funcionare 8n tranzistor !ipolar const din dou regiuni semiconductoare cu acelai tip de conductivitate numite emitor i colector separate de o zon su!ire de conductivitate de tip opus numit !az. Principiul de funcionare

(uncionarea tranzistorului pnp este similar cu cea a tranzistorului npn , cu deose!irea c purttori ma.oritari snt golurile din regiunea de tip p a .onciuni polarizate n sens direct . +onciunea polari$at 5n sens direct . 'emiconductorul de tip p al aceste .onciuni este dopat mai puternic dect cel de tip n i deci curentul de goluri este predominant n raport cu cel de electroni. @onciunea polarizat in sens invers . 1urentul este datorat deplasri purttorilor minoritari , respectiv a golurilor ce trec din regiunea n i a electronilor ce trec din regiunea p. 0ciunea si%ultan a celor dou <onciuni. /re n principiu aceleai consecine ca i n cazul tranzistorului npn. n cazul tranzistorului npn, prin .onciunea polarizata in sens direct se in.ecteaz goluri din regiunea n. Odat a.unse n regiunea n , golurile snt disponi!ile pentru conducia curentului prin .onciunea polarizat in sens invers , mpreun cu purttori minoritari ai aceste regiuni . Eumrul relativ al golurilor care se recom!in n regiunea n cu electronii 7purttori ma.oritari ai aceste regiuni + este destul de mic datorit grosimi mici a acestei regiuni n raport cu cea a reginilor care o ncadreaz.

SUBIECTUL 11. Tran$istorul 4ipolar 8 re=i%uri de funcionare# tipuri de cone)iuni Tipuri de cone)iuni

Daz comun

mitor comun

1olector comun

2e=i% static .(iind un element de circuit cu trei !orne de acces, starea static a tranzistorului este determinat de curenii prin !orne i " , i # , iC i de tensiunile ntre !orne u C" , u #" , i u C# 1ei trei cureni satisfac prima teorem a lui #irc$$off, aa nct numai doi dintre ei snt independeni. 4ensiunile ntre !orne verific teorema a doua a lui #irc$$offL u C# K u #" - u C" F= deci numai dou dintre ele sunt independente. %rimile care se aleg pentru caracterizarea strii de conducie a tranzistorului n configuraia emitor comun snt curenii i # i iC i tensiunile u #" i u C" .-intre aceste mrimi , dou pot fi considerate varia!ile independente , iar celelalte dou-varia!ile dependente .-ac varia!ilele independente snt i # i u C" putem scrie relaiileL
iC Ff7 i # N u C" +

u #" Fg7 i # , u C" +

care definesc familiile de caracteristici statice de ieire i respectiv de intrare ale tranzistorului. (amilia caracteristicilor de ieire se determin e)perimental utiliznd circuitul n care snt introduse instrumente de msurat pentru curentul de !az . &entru o valoare dat a curentului i # se determin curentul de colector la valori cresctoare ale tensiuni ui C" C.
n p n
i"

m A V 10 K

"C 710V +

"# 71.:V +

1M mV

i#

2e=i% dina%ic. -atorit faptului c tranzistorul este neliniar, relaiile dintre componentele varia!ile n timp ale tensiunilor i curenilor vor fi n general neliniare i numai n anumite condiii aceste relaii se pot liniariza , ceea ce nseamn c numai n anumite condiii semnalul de ieire va depinde liniar de semnalul de intrare . O asemenea comportare prezint o mare importan practic n realizarea amplificatoarelor de semnal . SUBIECTUL "3. Polari$area tran$istorului. Di/i$orul de tensiune

V11 = ( RC + R" ) I C + U C"

VCC = 1=V , RC = 0k , R" = :== , R# = 1$ , = A= 03=

V11 = R" I C + U #" + R#

IC

&'( F W &olarizarea unui tranzistor presupune realizarea unui circuit astfel nct tranzistorul s funcioneze de o!icei n polarizare direct i la anumii parametrii. &entru aceasta .onciunea D tre!uie polarizat direct iar .onciunea 1D s fie polarizat invers.7npn+ &arametrii de funcionare ai unui tranzistor determin punctul static de funcionare ce este dat de curentul de colector i tensiunea colector-emitor.

"poteze de lucruL 1urentul din !az XX curentul din divizor &otenialul n emitor apro). 1 5

&ro!leme de rezolvatL &roiectare, /naliza

Proiectare I C =0mA, 0nali$ VCC = 1=V , U C" =:V ,

=A= 03=
R" = :== ,

RC = 0k , R# 0 = :k ,

R#1 = 07k ,

= A= 03=

Di/i$orul de tensiune 6ruparea n serie a rezistorilor constituie un divi or de ten%iuneL unuia dintre rezistori i se aplic doar o parte din tensiunea aplicat gruprii. SUBIECTUL "1. Tran$istorul 4ipolar 8 .odele de se%nal %ic .odelul 5n >6?

U1 =&11 I1 + &10U 0 I 0 =&01 I1 + &00U 0 U &11 = 1 I1 U 0 == U &10 = 1 U 0 I1 == &01 = I0 I1 U 0 == impedanta de intrare tran%fer de ten%iune amplificare in curent admitanta de ie%ire

I &00 = 0 U 0 I1 ==

.onta<ul e%itor co%un. .onta<ul 5n @ si%plificat

SUBIECTUL "". 0%plificatorul cu tran$istor 5n %onta< EC. 0nali$a 5n curent continuu

/limentarea n curent continuu asigur sta!ilirea &'( n pozi ia dorit pentru funcionarea amplificatorului fr distorsiuni. 'emnalul alternativ este cel prelucrat. /ceasta face ca analiza circuitului s tre!uiasc s fie fcut separat, mai nti n curent continuu, pentru sta!ilirea &'(, iar dup aceea, n regim varia!il, pentru a determina parametrii amplificatorului, amplificarea, impedana de intrare i de ieire. &entru analiza n curent continuu, se parcurg urmtoarele etapeL - se consider condensatorii ca fiind ntreruptoare desc$ise i se elimin ramurile de circuit pe care se gsesc acetia, - se scurtcircuiteaz sursele de semnal, - se face analiza circuitului n curent continuu. O ilustrare a acestor pai este fcut n figura 7.0.

(ig.7.0. /naliza n curent continuu a amplificatorului 1

SUBIECTUL "&. 0%plificatorul cu tran$istor 5n %onta< EC. 0nali$a 5n curent alternati/ &entru analiza n regim varia!il, se realizeaz urmtoarele etapeL - se scurtcircuiteaz condensatorii, - se scurtcircuiteaz sursele de curent continuu, - se face analiza circuitului. 8n e)emplu este prezentat n figura 7.C.

&entru e)emplificarea analizei, vom considera n continuare un amplificator cu urmtorii parametriiL sursa de semnal are tensiunea ug F 1 m5 i o impedan G6 F A== Y, GD1F1= Z Y, GD0F0,0 Z Y, G1FC,A Z Y, G F1 Z Y,5alimF1= 5. 4ensiunea de ieire se culege pe o impedan G'F1= ZY. 4ranzistorul are un factor de amplificare n curent 7n cc+ [F1==C==. /naliza circuitului de polarizare, e)emplificat n capitolul precedent, conduce la urmtoarele rezultateL "1F1,1 m/, 81 F3,;3 5. &entru analiza n ca, facem mai nti o simplificare a circuitului ec$ivalent, ca n figura 7.3, grupnd rezistoarele legate n paralel.

(ig.7.3. 'c$em ec$ivalent pentru analiza n ca SUBIECTUL "(. 0%plificatorul cu tran$istor 5n %onta< EC. 2eacia ne=ati/ 5ariaiile mari ale amplificrii datorate variaiilor lui [ fac din amplificatorul n monta. emitor comun un circuit cu pro!leme. O !un parte dintre acestea este rezolvat prin introducerea n emitor a unei rezisten e care asigur reacia negativ, n mod similar celui n care rezistena de emitor se comport n circuitul de polarizare.

1ircuitul cu reacie negativ este prezentat n figura 7.*. &entru a nu modifica parametrii circuitului n curent continuu, suma celor dou rezistene de emitor este de 1 ZY, ca n e)emplele anterioare. &entru a vedea diferenele, ntre cele dou tipuri de circuite, vom considera n continuare o rezisten G 1 F 1*= Y. &rezena acestui rezistor este ec$ivalent cu o cretere a rezistenei de intrare vzut n !az, dup cum se poate vedea n circuitele ec$ivalente din figura 7.;.

(ig.7.*. 'c$ema amplificatorului n monta. 1 cu reacie negativ n emitor

'e remarc imediat valoarea mult mai mic a amplificrii. /cesta este preul pltit pentru o sta!ilizare a parametrilor. -e e)emplu, dac la circuitul de !az valoarea impedanei de intrare n !az se du!leaz, amplificarea scade de la 117, la :;. -ac se introduce reacia negativ, variaia amplificrii este de la 1C,1 la 11, *, adic 1= procente, n loc de :=9 8n alt efect pozitiv este creterea tensiunii n emitor, deci a eficienei eta.ului de amplificare. /cest lucru se datoreaz faptului c n divizorul de tensiune format mpreun cu rezistena generatorului, cderea de tensiune pe impedana de intrare crete. n sfrit, un alt avanta. al reaciei negative este c permite lucrul cu semnale mai mari, fr a produce distorsiuni. Su4iectul "*. 0%plificatoare de clas 0. :pti%i$area po$iiei PS 1el mai \simplu\ tip de amplificator dar si cel mai performant. 'emnalul de iesire este identic cu cel de intrare. -ezavanta.ul ma.or este randamentul foarte mic, su! :=>. /mplificatorul consuma curent c$iar si cand semnalul de intrare este nul. /sta inseamna consum mare si multa caldura ce tre!uie disipata. "n practica amplificatoarele de clasa / sunt rar intalnite si numai in gamele $ig$ end ale unor producatori a)ati pe scule profesionale. /vand randamente mici, aceste eta.e sunt utilizate in cazurile in care puterile sunt mici si pro!lema randamentului nu este importanta. "n aceste eta.e se poate evita apropierea punctului de functionare al tranzistorului

de zonele neliniare si se pot o!tine distorsiuni foarte mici. "n ma.oritatea situatiilor sunt utilizate tranzistoare in cone)iune emitor comun datorita amplificarii mari de putere in aceasta cone)iune. 5ariante de eta.e finale clasa / in cone)iune 1 se deose!esc prin cupla. cu sarcina. lementele de polarizare sunt cele de la amplificatoarele de semnal mic. 5arianta -a- are ca sarcina rezistenta de colector, deci cupla.ul este direct.Gandamentul ma)im al acestei sc$eme este de 0:>. /daptarea de putere nu se poate face in cazul rezistentelor mici de sarcina, caz in care se prefera cone)iunea colector comun. -ezavanta.ul principal il constituie trecerea prin sarcina a unui curent cu componenta continua importanta - curentul in punctul static de functionare. /cest dezavanta. este elimitat la varianta -!-, pentru care sarcina este separata prin condensator de rezistenta de colector a tranzistorului amplificator. 1omponenta continua nu circula prin Gs dar randamentul unui asemenea sc$eme scade de 3 ori fata de varianta -a-. /ceste doua sc$eme sunt putin utilizate din motivele aratate. 8n alt dezavanta. al tuturor sc$emelor in clasa / pe langa randamentul mic, il constituie consumul de putere de la sursa de tensiune continua in pauza semnalului util 7 curentul a!sor!it de la sursa este acelasi in pauza sau la semnal ma)im nedistorsionat+. 1u toate acestea el se foloseste pe scara larga in amplificatoarele de semnal mic.

UCE=4,94V.
IC IC

4,94 V 4.94 V+2,65k*1,1 mA =7.85 V

UCE 10 V Su4iectul "9. 0%plificatoare de clas B (Circuite 5n contrati%p! (push-pull)

UCE

&olarizarea tranzistoarelor la limita de conducie liniarizeaz rspunsul glo!al al amplificatorului n zona tensiunilor mici de e)citaie i al curenilor mici de colector, contri!uind la reducerea distorsiunilor. 4ranzistoarele conducnd practic .umtate din perioad, re=i%ul de funcionare este 5n clas B' 8tilizarea tranzistoarelor in clasa D 7 punctul de functionare in origine+conduce, in primul rand, la marirea randamentului. "n plus componenta continua este practic zero si consumul de la sursa de tensiune in pauza semnalului este foarte mic.

/daptarea de putere pentru rezistente de sarcina de valoare mica, in lipsa unui cupla. prin transformator, inplica utilizarea cone)iunii 11, aceasta fiind cea mai des intalnita. 5arianta elementara de amplificator in cone)iune 11, clasa D, cu un tranzistor, are sc$ema si forma tensiunilor in desenul e mai sus7 punctat este desenata tensiunea de iesire in ipoteza negli.arii tensiunii de desc$idere a tranzistorului +. 'c$ema nu poate fi utilizata astfel, distorsiunile fiind inadmisi!ile. 4ranzistorul este in regiunea activa apro)imativ .umatate din perioada semnalului. 8n eta. clasa D prezinta la iesire distorsiuni tipice, numite de trecere si care apar la trecerea prin zero a tensiunii de intrare. /cestea au drept cauza pozitia punctului de functionare 7 pe caracteristica de intrare + la valoarea 8!e F = 7 punctul %1 +. 1urentul iD si deci si curentul si tensiunea pe sarcina vor fi zero in intervalul in care tensiunea de intrare este intre K sau - 8!e desc$is. 'olutia este mutarea punctului de functionare in %0, tranzistoarele fiind in acest caz in clasa /D, avand un mic curent de !aza de repaus.%utarea punctului de functionare se poate face prin folosirea unor diode polarizate in curent continuu si care pastreaza o tensiune apro)imativ constanta la !orne, avand si valoarea dorita a limitei de desc$idere a .onctiunii D a tranzistoarelor. Dineinteles, utilizarea unor du!leti sau tripleti mareste corespunzator si numarul acestor diode. 'ta!ilitatea punctului de functionare cu temperatuta se realizeaza o!isnuit, cu adaugarea unor rezistente Ge in emitoarele tranzistoarelor. /ceste rezistente sunt insa compara!ile in ma.oritatea situatiilor cu rezistenta de sarcina, rezultand pierderi importante de putere pe ele. &entru a elimina caderea de tensiune pe ele, si a micsora rezistenta in regim dinamic se adauga in peralel diodele -e. 'c$ema alaturata are doua dezavanta.e. "n primu rand tensiunea de iesire nu poate a.unge la valori apropiate de 5cc 7teoretic 5cc - 8ce sat + datorita caderilor de tensiune pe -e, 8!e, Go care pot fi importante 7 volti +. liminarea acestui dezavanta. se face prin eliminarea circuitului de polarizare G, de la surse au)iliare 7 de curent mic + cu tensiune mai ridicata, K - 5a.

-istorsiuni de trecere prin zero 7cro%%over( Gandamentul

liminarea distorsiunilor

Su4iectul ";. Tran$istorul TEC,+ (+, ET! (uncionarea lor se !azeaza pe variatia conducti!ilitatii unui \canal\ dintr-un material semiconductor, ale carui dimensiuni transversale sau concentratii de purtatori de sarcina mo!ili pot fi controlate cu a.utorul cmpului electric transversal, creat ntre un electrod de comanda numit poarta 7gate+ situat n vecinatatea canalului i masa semiconductorului unde este format sau indus acest canal. 4ranzistorul cu efect de cmp cu .onciune 74 1@+ funcioneaz cu purttori ma.oritari 7electroni n canalul n , vezi figura de mai .os, respectiv goluri n canalul p+ 4ranzistorul cu efect de cmp cu .onciune 74 1@+ a fost propus de 'c$ocZle] n 1;:0 i este n esen un rezistor a crui seciune este controlat de grosimea regiunii sarcinii spaiale a unei .onciuni pn. 4ermenul de efect de cmp este legat de e)istena cmpului electric n zona de sarcin spaial , cmp a crui intensitate este determinat de tensiunea aplicat pe terminalul poart 7gate+. 4ranzistorul cu efect de cmp cu .onciune are avanta.e importante fata de tranzistorul !ipolarL - dependenta de temperatura mai redusa a caracteristicilor 7nu sunt purtatori minoritari+ - rezistena de intrare 7pe electrodul poarta+ foarte mare 7sute, mii de %Y, pentru ca i6F=+ -ine)istenta tensiunii de decala. 7tensiunea drena-sursa este zero la curent de drena zero+ -zgomotul mai redus &e de alta parte 4 1@ nu amplifica n curent, iar amplificarea n tensiune este mai mic. -e o!icei n circuitele electronice discrete se ntlneste i n com!inatie cu tranzistorul !ipolar 7se e)ploateaza avanta.ele am!elor tipuri de tranzistoare+ 4re!uie remarcat faptul ca sageata din sim!olul grafic i n acest caz desemneaza o .onciune pn 7sensul sagetii de la p la n+. 1urentul de poart este foarte mic 7de ordinul n/+ i va fi considerat practic nul. 1urentul de drena i- este normal pozitivL intra n drena tranzistorului cu canal n 7electrod care evacueaza electroni+ i iese din drena tranzistorului cu canl p. 1urentul de surs este egal cu cel de dren. &olarizarea porii fa de surs se asigur prin cderea de tensiune dat de curentul de sursa i- pe rezistena G'. /ceasta tensiune este aplicata pe poarta prin rezistena G6 , care are valori de ordinul %Y.

4 1-@ canal n

4 1-@ canal p

Su4iectul "-. Tran$istorul TEC,.:S (.:S ET! cu canal iniial 4ranzistorul %O' este un dispozitiv electronic !azat pe conducia curentului electric la suprafata semiconductorului. &roprietile conductive ale suprafetei semiconductorului sunt controlate de un cmp electric aplicat printr-un electrod izolat de semiconductor 7poart+. "zolatorul folosit este un strat su!ire de o)id 7'iO0+ crescut prin o)idarea termic a suprafeei siliciului 7de unde denumirea 4 1-%O', adic tranzistor cu efect de cmpmetal- o)id-semiconductor+. &oarta este realizat, de regul din aluminiu, dar poate fi realizat i din alte materiale, de e)emplu siliciu policristalin puternic dopat. 1onducia se realizeaz pe suprafaa su!staratului de siliciu, ntre doua zone cu tip de conductivitate opus celui al su!stratului, cele dou zone se numesc surs 7'+ i dren 7-+. 8nele tranzistoare prezint canal c$iar la tensiuni poart-surs nule 7 U + )S F = i se numesc tran i%toare $*S cu canal ini+ial. /ceast situaie se ntlnete n special la tranzistoare cu canal n. 8n asemenea tranzistor poate lucra cu orice polaritate a tensiunii de poart. -ac tensiunea de poart este pozitiv U)S V =, regimul se numete regim de m!ogire datorit creterii concentraiei de electroni n canal, dac tensiunea de poart este negativ U)S X =, regimul poart denumirea de regim de srcire i duce la scderea concentraiei de electroni din canal pn la dispariia lui. 4ranzistoarele %O' cu canal iniial tre!uie polarizate astfel nct tensiunea de poart s poat cpta att valori pozitive ct i valori negative.

4 1-%O' canal n iniial

4 1-%O' canal p iniial

n figur s-a considerat un su!strat de tip n, n acest caz sursa i drena sunt de tip p. &entru a se putea sta!ili un curent electric ntre sursa i drena, suprafaa semiconductorului tre!uie inversat ca tip de conductivitate, adic s devin de dip p. n acest caz, la suprafaa apare un canal conductor, de tip p., care leag sursa de dren. "nversarea tipului de conductivitate a suprafeei, precum i controlul rezistivitii canalului se face de ctre poart. -in punctul de vedere al dependenei de temperatur, tranzistorul %O' prezint avanta.e deose!ite fa de tranzistoarele !ipolare. 2a creterea temperaturii, curentul de dren scade, dar dependena este foarte sla!. 1a urmare tranzistoarele %O' nu prezint fenomenele de strpungere secundar i am!alare termic. Su4iectul "1. Tran$istorul TEC,.:S (.:S ET! cu canal indus

4 1-%O' canal n indus

4 1-%O' canal p indus

n cazul 4 1%O' cu canal p am!ele tensiuni U)S, UDS sunt negative. /ceste tranzistoare au canal indus prin aplicarea unei tensiuni 86' mai mari dect valoarea de prag.