Sunteți pe pagina 1din 2

tranzistoarele cu efect de câmp, principalele tipuri de zgomote ce trebuie

luate în considerare la frecvenţe foarte înalte sunt zgomotele termice ale


canalului şi zgomotele de inducţie din circuitul de poartă.
Zgomotele termice ale canalului îşi fac simţită prezenţa în circuitul de
drenă, dar, pentru a folosi o schemă echivalentă de zgomot similară
tranzistorului bipolar (fig. 2.8), aceste zgomote sunt transferate în circuitul
de poartă folosind un generator de tensiune de zgomot:

u z2  4kT0 Be Rz (2.51)

şi sunt atribuite rezistenţei echivalente de zgomot a tranzistorului în montaj


td S
sursă comună Rz  2 , unde t d – temperatura relativă de zgomot a drenei
Y21
(ce variază între 0,5 şi 1), Y21  S  jCPD – admitanţa de transfer direct a
tranzistorului în montaj sursă comună, S – panta tranzistorului, CPD –
capacitatea poartă drenă. Dacă tranzistorul se află în montaj poartă comună
se va folosi rezistenţa echivalentă de zgomot calculată cu relaţia (2.49).
Zgomotele de inducţie din circuitul de poartă sunt provocate de
zgomotele termice ale canalului, datorită cuplajului capacitiv cu poarta.
Aceasta înseamnă că zgomotele de inducţie din circuitul de poartă sunt
corelate statistic cu zgomotele termice ale canalului. Practic, această
corelaţie este nesemnificativă şi neglijarea ei conduce la erori care nu
depăşesc 10%.
Densitatea spectrală a zgomotelor de inducţie creşte odată cu
frecvenţa după o lege aproximativ pătratică. Deoarece componenta reală a
admitanţei de intrare a tranzistorului cu efect de câmp g11   2CPS CDS rS este
proporţională cu pătratul frecvenţei, în literatura de specialitate se propune
evaluarea zgomotelor de inducţie prin intermediul acesteia, folosind un
generator de curent:

iz2  4kt pT0 Be g11  4kT0 Be Gz , (2.51)

unde Gz  t p g11 - conductanţa echivalentă de zgomot a tranzistorului cu


efect de câmp, t p  1,3 - temperatura echivalentă de zgomot a porţii, CPS –
capacitatea poartă sursă, CDS – capacitatea drenă sursă, rS  30  50 –
rezistenţa sursei.
Fig. 2.9 Schema echivalentă de zgomot a tranzistorului cu efect de câmp
Valoarea medie pătratică a tensiunii echivalente de zgomot ce
acţionează la intrarea tranzistorului real, nezgomotos, se determină cu relaţia
(), unde