www.e-lee.

net

Celula fotoelectric
Tematica: Energii regenerabile Capitol: Filiera solar Sec iunea: Panourile fotoelectrice Tip resurs : Expunere Laborator virtual / Exerci iu CVR

n aceast expunere se prezint tehnologia i caracteristicile celulelor utilizate n panourile fotoelectrice. cuno tin e anterioare necesare: nu exist nivel: ciclul nti durata estimat : 1/2 or autori: Lucie Petillon, Jean-Charles Herant, Thimote Leroy realizare: Fabien Poje, Sophie Poumaere traducere: Sergiu Ivanov

Resurs realizat cu sprijin financiar din partea Comunit ii Europene. Documentul de fa nu angajeaz dect responsabilitatea autorului( rilor) lui. Comisia ' i declin orice responsabilitate ce ar putea decurge din utilizarea lui.

Tehnologia celulelor
1. Principiu O celul fotoelectric poate fi asimilat cu o o diod fotosensibil , func ionarea ei bazndu-se pe propriet ile materialelor semiconductoare. Celula fotoelectric permite conversia direct a energiei luminoase n energie electric . Principiul de func ionare se bazeaz pe efectul fotoelectric. De fapt, o celul este constituit din dou straturi sub iri de material semiconductor. Cele dou straturi sunt dopate diferit: Pentru stratul N, aport de electroni periferici Pentru stratul P, deficit de electroni. ntre cele dou straturi va apare o diferen de poten ial electric. Energia fotonilor luminii, capta i de electronii periferici (stratul N) le va permite acestora s dep easc bariera de poten ial i s creeze astfel un curent electric continuu. Pentru colectarea acestui curent, se depun, prin serigrafie, electrozi pe cele dou straturi semiconductoare (Figura 1). Electrodul superior este o gril ce permite trecerea razelor luminoase. Pe acest electrod se depune apoi un strat antireflectorizant, pentru cre terea cantit ii de lumin absorbit .

Figura 1: Schema unei ceule elementare.

2. Tehnologii ale celulelor solare Cel mai utilizat material pentru realizarea fotopilelor sau a celulelor solare este siliciu, un semiconductor de tip IV. Acesta este tetra-valent, ceea ce nseamn c un atom de siliciu se poate asocia cu patru al i atomi de aceea i natur . Se mai utilizeaz arseniur de galiu i straturi sub iri de CdTe (telur de cadmiu), CIS (cupru-indiudiseleniu) i CIGS. Exist mai multe tipuri de celule solare: Celule monocristaline

Celule monocristaline
Acest tip de fotopile sunt primele care au fost realizate, pe baza unui bloc de siliciu cristalizat ntr-un singur cristal. Ele se prezint sub forma unor plachete rotunde, p trate sau pseudo-p trate. Randamentul lor este de 12 - 16%. Totu i, ele au dou dezavantaje: Pre ul ridicat Durat mare de amortizare prin energia furnizat

Figura 2: Celula monocristalin .

Celule policristaline

Celule multicristaline sau policristaline

Acest tip de celule se realizeaz pe baza unui bloc de siliciu cristalizat n mai multe cristale, care au orient ri diferite. Randamentul lor este de 11 - 13%, dar presupun un cost de produc ie mai redus dect cel al celulelor monocristaline.

Figura 3: Celul multicristalin .

 Celule amorfe

Celule amorfe
Aceste celule sunt realizate dintr-un suport de sticl sau material sintetic, pe care se depune un strat sub ire de siliciu (organizarea atomilor nu este regulat , ca n cazul unui cristal). Randamentul lor este de 5 - 10%, mai mic dect al celulelor cristaline, dar pre ul este bun. Ele sunt utilizate n mici produse comerciale (ceasuri, calculatoare), dar pot fi utilizate i n instala iile solare. Ele au avantajul de a se comporta mai bine la lumina difuz performante le temperaturi mai ridicate. i la cea fluorescent , fiind deci mai

Celule CdTe, CIS, CIGS

Celule cu CdTe, CIS i CIGS

Tehnologiile CdTe, CIS i CIGS sunt n curs de dezvoltare sau de industrializare. Mai precis, Celulele cu CdTe se bazeaz pe telura de cadmiu, material interesant datorit propriet ii de absorb ie foarte mare. Totu i, dezvoltarea lor risc s fie frnat datorit toxicit ii cadmiului. Celulele cu CIS (CuInSe2) se bazeaz pe cupru, indiu i seleniu. Acest material se caracterizeaz printr-o bun stabilitate sub ac iunea ilumin rii. Ele au propriet i de absorb ie excelente. Celulele cu CIGS sunt realizate din acelea i materiale ca i cele cu CIS, avnd ca particularitate alierea indiului cu galiu. Aceasta permite ob inerea unor caracteristici mai bune.

n tabelul urm tor sunt prezentate valorile randamentului tipic i teoretic ce poate fi ob inut cu aceste diferite tehnologii.

Tabelul 1: Randamentele diferitelor tehnologii.

Analogie cu dioda
Celula fotoelectric este elementul de baz n conversia fotoelectric . n ntuneric, ea se comport ca i o jonc iune PN (diod ). n aceste condi ii, o celul fotoelectric are caracteristica curent - tensiune a unei jonc iuni PN (Figura 1).

Jonc!iunea PN
Dioda PN se compune dintr-o por iune de material semiconductor de tip "P", o jonc iune PN i o por iune de material semiconductor de tip "N". Partea de tip "P" se nume te anod, iar cea de tip "N" catod.

Figura 5: Dioda PN n practic , diodele PN moderne sunt foarte asimetrice: doparea unei zone este mult mai mare dect a celeilalte. Dac partea P este mult mai dopat dect partea N, avem de-a face cu o diod P +N. Dac partea N este mult mai dopat dect partea P, avem de-a face cu o diod PN+. Dioda PN are particularitatea de a permite trecerea curentului ntr-un singur sens (sensul de conduc ie).

Anima ia de mai jos v permite s vizualiza i aceast caracteristic , dup ce a i ales n prealabil conven ia de semne: generator sau receptor, ca i tipul ilumin rii.

Figura 1: Caracteristica jonc#iunii PN.

Cnd celula este iluminat , ea produce un curent cu att mai mare cu ct iluminarea este mai intens . Curentul este deci, propor ional cu iluminarea. Se va reg si aceea i caracteristic de mai sus, dar decalat n jos cu curentul Iph (fotocurent), corespunz tor intensit ii ilumin rii. n sfr it, trebuie observat c , pentru a se ob ine caracteristica curent-tensiune ca n Figura 2a, se consider ca sens de referin al curentului, sensul opus lui Id (Figura 4), respectiv sensul fotocurentuluiI Iph. Se poate ob ine, de asemenea, caracteristica de putere P = f(U), care, pentru anumite condi ii de iluminare i temperatur , pune n eviden un punct de func ionare la puterea maxim , a a cum se poate observa n Figura 2b.

Figura 2a: Caracteristica curent-tensiune

Figura 2b: Caracteristica putere-tensiune

n plus, utilizatorul poate determina experimental caracteristica curent-tensiune, prin modificarea rezisten ei la bornele celulei. Anima ia este ini ializat pentru proba n gol. Se pot lua pn la 10 puncte de m sur , pentru a determina caracteristica. Punctele de m sur sunt memorate sub forma unor vectori de date ob inute cu Matlab. Aceast anima ie eviden iaz modalitatea n care se poate ridica experimental caracteristica curenttensiune a unei celule fotoelectrice, f r s fi definit to i parametrii ecua iei I=f(U). Anima ia este nso it de schema de montaj de mai jos.

Figura 3: Schema de montaj

Figura 4: Caracteristica I=f(U).

Modelul echivalent
Modelul matematic al celulei fotoelectrice se poate ob ine, plecnd de la cel al jonc iunii PN. Se adaug curentul Iph, propor ional cu iluminarea i un termen ce modeleaz fenomenele interne. Curentul I furnizat de celul se poate scrie:

, n care: Iph: fotocurent, sau curent generat prin iluminare [A]; I0d: curent de satura ie [A]; Rs : rezisten Rsh: rezisten serie [H]; paralel [H];

k: constanta lui Boltzmann (k = 1,38.10 -23); q : sarcina electronului (q = 1,602.10 -19 C); T: temperatura celulei (K). Expresia de mai sus se poate deduce din schema echivalent din Figura 1:

Figura 1: Schema echivalent a unei celule fotoelectrice. Dioda modeleaz comportamentul celulei n ntuneric. Sursa de curent modeleaz curentul Iph generat prin iluminare. Rezisten ele modeleaz pierderile interne: Rezisten a serie Rs - modeleaz pierderile ohmice ale materialului; Rezisten a paralel Rsh - modeleaz curen ii parazi i ce parcurg celula. Ideal, se poate neglija Rs i I fa de U, i s se lucreze cu un model simplificat:

Cum rezisten a paralel este mul mai mare dect rezisten a serie, se poate neglija curentul prin Rsh. Rezult :

Schema echivalent din Figura 2 corespunde celulei ideale:

Figura 2: Schema echivalent simplificat .

Parametrii
Se define te randamentul energetic al unei celule, ca fiind raportul dintre puterea electric maxim puterea incident : i

, n care: E - iluminarea [W/m]; S - suprafa a activ a panourilor [m]. P m - puterea maxim m surat n condi iile STC (Standard Test Conditions), respectiv n spectrul AM1.5, la o temperatur de 25C i iluminare de 1000 W/m.

Ce nseamn AMx?
AMx desemneaz condi iile masei de aer, determinate n func ie de num rul de mase de aer (grosimea straturilor traversate de razele soarelui, constitu ia lor). Exemple: AM0: f r atmosfer , la mare altitudine, 1353 W/m AM1: Soarele la zenit (A=90) AM1.5: Soarele la 48, 833 W/m AM2: Soarele la 30

De ce 1000 W/m?
Radia ia solar provine de la Soare, o stea cu raza de 696000 km, masa de 1,99.1030 kg, situat la 149.598.000 km de P mnt. Originea energie Soarelui o reprezint reac iile de fusiune nuclear permanent . Soarele poate fi asimilat unui corp negru cu temperatura de aproximativ 5800K. NASA a evaluat fluxul energetic incident la nivelul Pamntului (f r atmosfer ) la 1367 W/m. n urma trecerii prin atmosfer , radia ia global a Soarelui se descompune n radia ie direct , radia ie difuz i albedo. Radia ia direct provine direct de la Soare, f r a fi deviat . Radia ia difuz provine de la bolta cereasc , difuzat de particule (aer, gaz, nori). Pentru aceasta, nu exist o direc ie preferen ial . Albedo este frac iunea de radia ie difuzat sau reflectat de sol. n sfr it, Soarele radiaz 6,32.106 W/m, dar fluxul care ajunge pe P mnt este de doar 1367 W/m. Trebuie s se in cont i de atmosfer . Practic, radia ia ajuns pe P mnt, la nivelul solului, nu este dect cel mult 1000 W/m. Aceast radia ie este ob inut , la latitudinea noastr , doar pe durata a ctorva zile pe an.

Randamentul unei celule este, n general, destul de sc zut, de ordinul 10 - 20%. Au fost ob inute randamente mai bune cu materiale noi (n laborator, arseniura de galiu AsGa ofer un randament mai mare de 25%) au cu tehnologii experimentale (tehnologia multistraturi), deseori dificile i costisitoare pentru a fi puse n practic .

n aceste condi ii, materialul fotoelectric cel mai utilizat este siliciul, care reprezint o solu ie economic . Pentru astfel de celule, randamentul energetic nu dep e te 15%. Pe baza caracteristicilor curent-tensiune i putere-tensiune, se pot ob ine i al i parametrii: Curentul de scurtcircuit Icc, respectiv curentul debitat de celul , atunci cnd tensiunea la bornele sale este nul . Practic, acest curent este foarte apropiat de fotocurentul Iph. Tensiunea n gol Vco, respectiv, tensiune la bornele celulei, atunci cnd curentul debitat este nul. ntre cele dou extreme, exist un optim care ofer puterea maxim P max sau MPP (Maximum Power Point). Factorul de form , care arat ct de ideal este caracteristica, respectiv raportul:

Influen !a temperaturii
Randamentul unei celule depinde de iluminare i de temperatur . Temperatura este un parametru important, deoarece celulele sunt expuse radia iei solare, fiind posibil nc lzirea lor. n plus, o parte din energia absorbit nu este convertit n energie electric : se disip sub form de c ldur . Din aceste motive, temperatura celulelor este ntotdeauna mai ridicat dect a mediului ambiant. Pentru a estima temperatura unei celule Tc , cunoscnd temperatura mediului ambiant Ta, se poate folosi expresia:

, n care: E m: iluminarea medie [W/m 2]. TUC: Temperatura de utilizare a celulei [C]. Anima ia de mai jos v permite s vizualiza i influen a valorii temperaturii (pe care o pute i modifica prin intermediul cursorului), asupra curentului i puterii. Se poate, de asemenea, s se vizualizeze puterea maxim , ce va determina caracteristica P = f(U). Ipoteze: iluminarea este constant (1000 W/m 2); celula este realizat din siliciu.

Figura 1: Influen #a temperaturii. Cu ajutorul anima iei de mai sus se poate observa c temperatura celulei are o importan foarte mare asupra performan elor electrice. Cu ct temperatura este mai mic , cu att celula este mai eficient . Fiecare grad de nc lzire a celulei, determin o pierdere a randamentului de ordinul a 0,5 %. n mod empiric, s-a constatat c fotocurentul cre te pu in cu temperatura (de ordinul a 0.05%/K, n cazul celulelor cu siliciu). De asemenea, se poate observa c punctul de putere maxim poate avea varia ii semnificative.

Influen !a ilumin rii

Fotocurentul este, practic, propor ional cu iluminarea sau cu fluxul luminos. Anima ia de mai jos v permite s vizualiza i influen a valorii ilumin rii (pe care o pute i modifica prin intermediul cursorului), asupra curentului i puterii. Se poate, de asemenea, s se vizualizeze puterea maxim , ce va determina caracteristica P = f(U). Ipoteze: temperatura este constant (27C); celula este realizat din siliciu.

Figura1: Influen #a ilumin rii.

n mod normal, curentul nu se modific . Acest comportament nu este valabil dect pentru celulele care nu utilizeaz concentratoare a radia iei solare, sau cu concentrare redus . n consecin , densitatea purt torilor de sarcin i curentul de satura ie variaz prin modificarea temperaturii i a concentra iei ilumin rii. Fotocurentul creat de o celul fotoelectric este propor ional i cu suprafa a S a jonc iunii, supus expunerii la radia ia solar ; pe de alt parte, tensiunea n gol nu depinde de aceast suprafa , ci doar de calitatea materialului semiconductor i de tipul jonc iunii. Se poate considera c tensiunea U este constant , deoarece varia ia valorii Upmax n func ie de iluminare, este infim (Figura 2a, 2b). Pierderea de putere nu va fi semnificativ .

Figura 2a: Familie de caracteristici U-I

Figura 2b: Familie de caracteristici U-P

Pentru cre terea ilumin rii celulelor, este de dorit ca acestea s fie orientate astfel nct, razele Soarelui s cad perpendicular pe ele. Exist panouri fixe, dar i cu nclinare variabil , cele din urm fiind mai eficiente. De exemplu, pe timpul iernii, un panou plasat orizontal este de dou ori mai pu in eficient dect un panou nclinat, astfel nct inciden a radia iei s fie perpendicular .

Conectarea celulelor
n condi ii standard STC (1000W/m, 25C, AM1.5), puterea maxim a unei celule de siliciu de 10 cm va fi de aproximativ 1,25 W. Celula fotoelectric elementar reprezint , deci, un generator electric de foarte mic putere, insuficient pentru majoritatea aplica iilor casnice sau industriale. n consecin , generatoarele fotoelectrice sunt realizate prin conectarea (asocierea) n serie i/sau n paralel a unui num r mare de celule elementare. Aceste grup ri se numesc module, care la rndul lor vor forma panourile. Aceast conectare trebuie s se realizeze cu respectarea anumitor criterii precise, innd cont de dezechilibrele care se creeaz n timpul func ion rii ntr-o re ea de fotocelule. Practic, chiar dac numeroasele celule care formeaz un generator, sunt teoretic identice, datorit inevitabilelor dispersii de fabrica ie, ele au caracteristici diferite. Pe de alt parte, iluminarea i temperatura celulelor nu este aceea i pentru toate celulele din re ea. Conectarea n serie a celulelor face ca tensiunea la bornele ansamblului s fie mai mare, curentul fiind acela i n toate celulele. Conectarea n paralel determin cre terea curentului debitat, tensiunea la bornele ansamblului fiind aceea i. Conectarea n serie n cazul conect rii n serie, celulele sunt parcurse de acela i curent, iar caracteristica ansamblului rezultat este dat de suma tensiunilor celulelor componente, la un anumit curent.

Figura 1: Conectarea serie. Conectarea n paralel n cazul conect rii n paralel, tensiunea la bornele tuturor celulelor este aceea i, curentul rezultat al ansamblului fiind suma curen ilor celulelor componente. Caracteristica ansamblului este dat de suma curen ilor furniza i de celulele componente, la o anumit tensiune.

Figura 2: Conectarea paralel. Cea mai mare parte a modulelor comercializate, sunt compuse din 36 de celule de siliciu cristalin, conectate n serie pentru aplica ii de 12 V.