Tranzistorul

Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are cel puin trei terminale (borne sau electrozi), care fac legtura la regiuni diferite ale cristalului semiconductor. Este folosit mai ales pentru a amplifica i a comuta semnale electronice i putere electric.Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicaiei pentru care sunt destinate. n 20 ! "nc unele tranzistori sunt ambalate individual, dar mai multe sunt gsite "ncorporate "n circuite integrate.Tranzistorul este componenta fundamental a dispozitivelor electronice moderne, i este omniprezent "n sistemele electronice. #a urmare a dezvoltrii sale la "nceputul anilor $%0, tranzistorul a revoluionat domeniul electronicii, i a desc&is calea pentru ec&ipamente electronice mai mici si mai ieftine cum ar fi aparate de radio, televizoare, telefoane mobile, calculatoare de buzunar, computere i altele. Tranzistorul a fost inventat la 'ell Telep&one (aboratories din )e* +erse, la decembrie $./ de +o&n 'ardeen, 0alter 1ouser 'rattain, i 0illiam 'radford 2&oc3le,. 4escoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne.

Tranzistoarele bipolare
Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu doua 5onctiuni care functioneaza pe baza in5ectiei de purtatori minoritari. Tranzistorul poate inlocui trioda cu emisie termoelectrica.Tranzistorul este alcatuit dintr6un semiconductor cu trei straturi de conductie diferita7 un strat n intre 2 straturi p, la tranzistorul p6n6p, sau un strat p intre 2 n, la tranzistorul n6p6n. Functionarea tranzistorului n-p-n

2tratul din mi5loc al semiconductorului se numeste baza, straturile laterale se numesc emitor si colector. 'aza are o dopare mai mica decat emitorul. Tranzistorul poate fi

considerat ca format din doua diode semiconductoare7 una emitor6baza si alta baza6 colector.8entru functionarea tranzistorului, pe dioda baza6colector, se aplica o tensiune inversa, cu polul pozitiv la partea n, adica la colector. 4eoarece in zona p nu sunt electroni liberi care sa fie atrasi de polul pozitiv de la colector, in circuitul colectorului curentul este practic nul. 4aca in baza se in5ecteaza electroni din emitor, prin aplicarea unei tensiuni directe pe dioda emitor6baza, electronii in5ectati vor fi atrasi de colectorul pozitiv si in circuitul colectorului va circula curent. 9n acest fel curentul in circuitul colectorului este comandat de curentul din circuitul emitorului, care la randul sau este determinat de tensiunea aplicata intre emitor si baza.8este anumite valori ale tensiunii baza6colector toti electronii in5ectati in baza sunt colectati de colector, curentul de colector atinge valori de saturatie si curentul de baza (care circula intre baza si sursa :bc) este foarte mic. 2e observa ca pe masura ce creste curentul emitorului creste si curentul colectorului, iar tensiunea baza6colector practic nu influenteaza curentul colectorului. Aplicand intre emitor si baza o tensiune alternativa, variatiile de tensiune provoaca variatii ale curentului emitorului, care produc variatii ale curentului colectorului. 8e rezistorul de sarcina ;s, mare, din circuitul colectorului variatiile de curent produc variatii de tensiune, mai mari decat ale tensiunii de intrare. Asadar tranzistorul poate functiona ca amplificator de tensiune.8entru ca semnalul amplificat sa nu fie deformat, in circuitul emitorului se introduce o tensiune continua :0 care are rolul de a stabili un punct de functionare al tranzistorului7 tensiunea :0 produce unanumit curent de emitor, in 5urul caruia se produc variatiile dare de tensiunea alternativa. 4aca se alege punctul de functionare pentru care 9e<0, dioda emitor6baza permite numai trecerea alternantelor pozitive, pentru care este polarizata direct si deci tranzistorul functioneaza ca detector. Tranzistorul p6n6p functioneaza dupa un principiu analog, dar tensiunile aplicate trebuie sa aiba o polaritate inversa. Tranzistoarele bipolare sunt dispozitive semiconductoare cu doua 5onctiuni care functioneaza pe baza in5ectiei de purtatori minoritari. Tranzistorul poate inlocui trioda cu emisie termoelectrica. Tranzistorul este alcatuit dintr6un semiconductor cu trei straturi de conductie diferita7 un strat n intre 2 straturi p, la tranzistorul p6n6p, sau un strat p intre 2 n, la tranzistorul n6p6n. Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are trei borne (terminale sau electrozi), care fac legtura la cele trei regiuni ale cristalului semiconductor. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplica=iei pentru care sunt destinate. Tranzistoare de mic putere Aceste tranzistoare sunt "ncapsulate "n plastic sau metal >i nu sunt destinate montrii pe radiator. Tranzistoare de putere Aceste tranzistoare sunt "ncapsulate "n plastic sau metal >i sunt destinate montrii pe radiator. Tranzistoare de joas frecven 2unt tranzistoare destinate utilizrii p?n la frecven=a de circa 0031z, "n circuite audio >i de control al puterii. Tranzistoare de nalt frecven

2unt tranzistoare destinate aplica=iilor la frecven=e peste 0031z, cum este domeniul radio @TA, circuite de microunde, circuite de comuta=ie etc. Principiul de funcionare n func=ionare normal 5onc=iunea emitor6 baz este polarizat direct, iar 5onc=iunea colector6 baz este polarizat invers. B +onc=iunea emitor6 baz, fiind polarizat direct, este parcurs de un curent direct(curent de difuzie) 9E, mare "n raport cu curentul invers const, cu valori(rezidual) >i, "ntr6o pla5 larg de curen=i, :E' tipice de 0,- 6 0,/ A (2i) sau 0,2 60,!A (Ce). B +onc=iunea colector6 baz, fiind polarizat invers, este caracterizat de un curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu >i de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu. #aracteristic tranzistorului este cuplarea electric a celor dou 5onc=iuni. 8entru aceasta trebuie satisfcute dou condi=ii7 B 5onc=iunea emitorului s fie puternic asimetric, adic impurificarea emitorului s fie mult mai puternic dec?t cea a bazei. B baza s fie foarte sub=ire, astfel "nc?t fluDul de purttori ma5oritari din emitor s a5ung practic "n totalitate "n regiunea de trecere a colectorului. Temperatura maxim a jonciunilor Aaloarea temperaturii maDime a 5onc=iunilor p?n la care tranzistorul func=ioneaz normal depinde de natura semiconductorului folosit. Astfel, tranzistoarele realizate din siliciu func=ioneaz corect p?n spre 200 grade #, "n timp ce cele realizate din germaniu sunt limitate "n func=ionare "n 5urul valorii de 00 grade #. Observaie: (a temperaturi mai mari dec?t cele men=ionate, are loc cre>terea eDtraordinar de rapid a concentra=iei purttorilor minoritari >i semiconductorul se apropie de unul intrinsec, dispozitivul pierz?ndu6si propriet=ile ini=iale. Puterea maxim disipat 8uterea disipat de tranzistor apare datorit trecerii curentului prin dispozitiv. E parte din aceast putere este radiat "n mediul ambiant >i o parte produce "nclzirea tranzistorului. 8uterea disipat de un tranzistor este , "n principal, puterea disipat "n cele dou 5onc=iuni ale acestuia7 84T < 84E F 84# < :E'.9E F :#'.9#. Curentul de colector maxim ;eprezint valoarea maDim pe care o poate atinge curentul de colector al unui tranzistor fr ca acesta s se distrug. El este indicat "n cataloage >i depinde de particularit=ile te&nologice ale tranzistorului. Tensiunea maxim admis ;eprezint valoare cea mai mare a tensiuni pe care o poate suporta un tranzistor fr ca acesta s se deterioreze. Aceast valoare este limitat de tensiunea de strpungere a 5onc=iunii colector baz (polarizat invers).

Acest parametru are valori diferite "n func=ie de coneDiunea tranzistorului >i este prezentat "n foile de catalog pentru fiecare situa=ie "n parte. tilizare Tranzistoarele pot fi folosite "n ec&ipamentele electronice cu componente discrete "n amplificatoare de semnal ("n domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau "n comuta=ie sau "n circuite integrate, te&nologia de astzi permi=?nd integrarea "ntr6o singur capsul a milioane de tranzistori.

Tranzistoare cu efect de camp

Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, unde controlul curentului de ieire se face prin injecia unui curent, la tranzistoarele cu efect de cmp (FET n lb. englez controlulcurentului de ieire se face prin intermediul unui camp electric. !"urentul controlat circul printr!un canal ntre dren i surs. !"mpul electric este produs prin aplicarea unei tensiuni ntre terminalul porii (gate i surs# a$antajul esenial al tranzistoarelor cu efect de cmp este caucurentul de poart cu mult mai mic dect curentul de bazde la tranzistoarele bipolare. !%a tranzistoarele cu poart jonciune, ntre poart i canal e&isto jonciune semiconductoare in$ers polarizat# curentul de poart este de ordinul nanoamperilor. !Tranzistoarele de tip metal o&id semiconductor ('(SFET au poarta izolat cu un strat foarte subire de dio&id de siliciu# curentul lor de poart este e&trem de mic, ajungnd la picoamperi. !Tranzistoarele cu efect de cmp pot fi construite cu canal iniial (depletion mode sau cu canal indus (en)ancement mode # pe de alt parte, canalul poate fi de tip n sau de tip p. !Tranzistoarele *FET se pot construi numai cu canal iniial, iar majoritatea tranzistoarelor '(SFET au canal indus. !Simbolurile generale pentru tranzistoarele '(SFET # ele sunt utilizate i ca simboluri speciale pentru cele cu canal iniial.

!+entru tranzistoarele '(SFET cu canal indus se mai utilizeazi simbolurile speciale ,E'(S i +E'(S. !%a tranzistoarele '(SFET cu canal n (,'(S , substratul trebuie legat la cel mai cobort potenial din circuit pentru ca jonciunea ntre el i substratul de tip n sfie ntodeauna in$ers polarizat. !+entru apariia canalului conductor ntre dren i surs, tensiunea poart surs trebuie sa depeasc o anumit $aloare, numit tensiune de prag -T.