Seminar DEC-1

Seminarul 10 DEC-1 Problema 1. TEC-MOS cu canal indus Pentru circuitul din fig. 1 s se determine: a) PSF-ul tranzistorului i s se verifice dac oate lucra ca am lificator de semnal mic! ") #n caz afirmativ$ s se determine am lificare %n tensiune a circuitului$ &v'(out)(in.
+ Se dau: (P'1($ kn

W =1m&)( * . Se negli,eaz efectul de modulare a lungimii canalului -'.). L

VD D R G 1 10M eg R D 6k C 2 10uF rg 1k V in C 1 100n nM O S Vout M 1 10V R L 10k 10V

R G 2 10M eg

R S 6k

Fig. 1.

Rezol are! a) Sc/ema ec/ivalenta de c.c.: condensatoarele intreru circuitul %n locul unde sunt conectate -fig. *). &stfel C1 %ntreru e -deconecteaz %n c.c.) circuitul format din rg i (in -care astfel li sete e sc/ema ec/ivalent de c.c.) iar C* %ntreru e 01 -de asemenea a"sent e sc/ema ec/ivalent de c.c.).
VD D R G 1 10M eg ID IG=0 VG M 1 VDS VGS R G 2 10M eg ID VS R S 6k R D 6k VD 10V

Fig. ".

PSF-ul se determin rin rezolvarea sistemului alctuit din ecua2ia de dis ozitiv i ecua2ia de circuit. Ecua2ia de circuit este (3S'(3-(S Deoarece #3'.$ a lic4nd regula divizorului de tensiune rezult RG * 1 VG = VDD = VDD = 5( RG1 + RG * * Curentul de sursa este egal cu cel de drena si astfel otentialul din sursa este:
VS = RS I D = 6 I D
7"servatie: se lucreaz cu rezisten2ele e8 rimate %n 9: i curentul %n m& entru ca tensiunile s fie %n (.

Ecua2ia de dis ozitiv este

ID =

*I D = ( ; 6I D )

1 W 1 nCox ( vGS VP ) * = 1 ( 5 6 I D 1) * $ adic * L *

*

Page 1 of #

Seminar DEC-1
* * I D = 16 ;= I D + <6 I D * 1=I D *5 I D + = = .

<* I D1 = = .$=>m& *5 6*5 ; 1= = *5 ? <6 I D1$* = = <6 <6 1= I = = .$5m& D* <6

Se alege acea valoare a curentului #D entru care se %nde linete condi2ia (3S@(P: #D'.$=>m& VGS = 5 .$=> 6 = .$<;(( < (P ) #D'.$5m& VGS = 5 .$5 6 = *(( > (P ) 0ezult c #D'.$5m&. Aensiunea D-S se scrie VDS = VD VS = (VDD RD I D ) RS I S = 1. 6 I D 6 I D = 1. 1* I D = 1. 1* .$5 = ;( &stfel$ %n PSF$ B1 se caracterizeaz rin valorile:

VGS = *( PSF = I D = .$5m& V = ;( DS

Circuitul oate lucra ca am lificator de semnal mic dac se %nde linete condi2ia: VDS (VGS VP ) $ adic tranzistorul s lucreze %n regiunea de satura2ie. Se o"serv c ;( = VDS > (VGS VP ) = 1( $ deci tranzistorul lucreaz %n regiunea de satura2ie. ") Sc/ema ec/ivalent de semnal mic are forma din fig. <:
rg V in 1k R G 1 10M eg R G 2 10M eg Vgs Vg gm Vgs

R D 6k

R L 10k

Vout

0
R S 6k

Fig. $.

Av =

Vout = g mVgs ( RD RL )

Vout Vin

1 RG1 RG* V = Vin gs 1+ gmRS rg + RG1 RG* Vg = Vgs + gmVgs RS = ( 1+ gmRS ) Vgs RG1 RG* RDT Vg = Vin rg + RG1 RG*
0ezult

Page " of #

Seminar DEC-1

Av = g m ( RD RL )

RG1 RG * 1 1 + g m RS rg + RG1 RG *

unde:
R R 6. W (VGS VP ) = 1( * 1) = 1m&)( iar RD RL = D L = = <$?59 RD + RL 16 L 1 5... = .$5<5 i astfel Av = 1( <$?5) 1 + 1 6 1 + 5...
+ g m = kn

% Cum &oa'e (i mari') am&li(icarea *n 'ensiune+ ()r) a modi(ica PSF-ul 'ranzis'orului% R)s&uns! #n rela2ia am lificrii %n tensiune se o"serv c dac factorul 1 + g R este mai a roa e m S de unitate -'1)$ atunci am lificarea -%n modul) se a ro ie de ma8imul osi"il$ %n acest caz$ i anume <$?5 -%n modul). 0ezulta c$ %n c.a.$ ar tre"ui sa dis ar influen2a rezistorului 0 S. Pentru a realiza acest lucru$ 0S se scurtcircuiteaz %n c.a. cu a,utorul unui condensator de valoare suficient de mare$ astfel %nc4t reactan2a lui ca acitiv la frecven2ele de lucru ale am lificatorului s fie negli,a"il %n ra ort cu valoarea lui 0S. Situa2ia descris oate fi im lementat %n dou moduri: 1. Prin scurtcircuitarea -decu larea) total a rezisten2ei 0S -fig. ;$ a)! *. Prin scurtcircuitarea numai a unei r2i din 0S -fig. 5$ a). 1. Scur'circui'area ,decu&larea- 'o'al) a rezis'en.ei RS
VD D R G 1 10M eg R D 6k C 2 10uF rg 1k V in C 1 100n nM O S C 3 100uF 10V Vout M 1 10V R L 10k 10V

R G 2 10M eg

R S 6k

Fig. /+ a.

Sc/ema de semnal mic are forma din fig. ;$ ":

rg V in 1k R G 1 10M eg R G 2 10M eg Vgs Vg gm Vgs

R D 6k

R L 10k

Vout

Fig. /+ b.

&m lificarea %n tensiune este %n acest caz:

Av = g m ( RD RL ) RG1 RG * 5... = 1( <$?5) <$?5 rg + RG1 RG * 1 + 5...

*. #n cazul al doilea$ se %m arte 0S %n * rezistoare$ de e8em lu 0S1'19 i 0S*'59$ astfel %nc4t 0S1C0S*'69 i 0S* se decu leaz cu un condensator -fig. 5$ a):

Page $ of #

Seminar DEC-1
VD D R G 1 10M eg R D 6k C 2 10uF rg 1k V in C 1 100n nMO S R S1 1k R G 2 10M eg R S2 5k C 3 100uF 10V M1 10V R L 10k 10V

Vout

Fig. 0+ a.

Sc/ema de semnal mic are forma din fig. 5$ ":

rg V in 1k R G 1 10M eg R G 2 10M eg Vgs Vg gm Vgs

R D 6k

R L 10k

Vout

0
R S1 1k

Fig. 0+ b.

&m lificarea %n tensiune este %n acest caz:

Av = g m ( RD RL ) RG1 RG * 1 1 5... = 1( <$?5) = 1$=? 1 + g m RS 1 rg + RG1 RG * 1 +11 1 + 5...

7"serva2ie: avanta,ul circuitelor din figurile 1$ ;$ a i 5$ a const %n fa tul ca rezisten2a de intrare este mare i anume
Rin = RG1 RG * =1.BD 1.BD =5BD

Problema ". TEC-MOS cu canal indus. Dimensionare de rezis'en.e S se dimensioneze rezisten2ele din fig. 6 astfel %nc4t tranzistorul nB7S s lucreze la # D'.$;m& i (D'C.$5(. Aranzistorul nB7S are (P'.$?($ nCo8'1..&)(*$ 1'1m i E'<*m. Se negli,eaz efectul de modulare a lungimii canalului -'.). Rezol are! circuitul redesenat se rezint %n fig. ?.
VD D R D VD D R D 2 .5 V VD M 1 M 1 VG=0 ID VD 2 .5 V

0 0
R S VSS R S 2 .5 V VSS 2 .5 V ID VS

Fig. 1.

Fig. #. Page / of #

Seminar DEC-1

Aranzistorul nB7S lucreaz %n regiunea de satura2ie dac (DSF-(3S-(P). Dar (DS'(D-(S iar (3S'(3-(S i condi2ia de lucru %n regiunea de satura2ie se rescrie su" forma: (VD VS ) (VG VS VP ) sau VD ( VP ) $ deoarece (3'. - oarta este legat la mas). (aloric

..5( ( ..?() $ ceea ce %nseamna c nB7S lucreaza %n regiunea de satura2ie i #

ID = 1 W nCox * L .$;m& = .$5( .$5 1.. G& ( * <* 1

se

determin cu rela2ia: 1 W * I D = nCox (VGS VP ) (VGS VP ) = * L

VGS = .$5( +VP = 1$*(

Aensiunea 3-S se scrie: Poarta este legat la mas$ astfel %nc4t sursa se afl la -1$*( deoarece
VSS + VS *$5( 1$*( = = <$*59 ID .$;m&

VGS = VG VS VS = VG VGS = . 1$*( = 1$*(

A ## H VSS = VS + RS I D RS =

Se alege valoarea standard <$<9 I5J V VD *$5( .$5( A ## H VDD = RD I D + VD RD = DD = = 59 ID .$;m& Se alege valoarea standard 5$19 I5J Problema $. TEC-MOS cu canal indus. Ci'irea da'elor de ca'alog Circuitul din fig. = este realizat cu un AEC-B7S cu canal indus de ti ul *K?..= ale crui date de catalog se rezinta %n fig. >. S se determine: a) PSF-ul tranzistorului. Pentru AEC-B7S$ se consider valorile minime din datele de catalog. ") &m lificarea de semnal mic.
R G 1 10M eg R D 1k C 2 4 .7 u F C 1 100n V in R G 2 2M eg R L 47k M 1 12V VD D 12V

Fig. 2.

Page 0 of #

Seminar DEC-1

Fig. 3.

Rezol are! a) Sc/ema ec/ivalenta de c.c. are forma din fig. 1.:
R G 1 10M eg ID IG=0 VG M 1 VDS VS=0 R D 1k VD D 12V

R G 2 2M eg

VGS

Fig. 10.

0ela2ia curentului de dren se oate une su" forma:

ID = 1 +W kn (VGS VP ) * = K n (VGS VP ) * $ unde Hn este arametrul de conduc2ie * L

Din datele de catalog rezult (P'1( i la (3S'1.($ curentul de dren are valoarea #D-on)'5..m&$ adic: I D - on ) 5.. 5.. * = = = 6$1? m&)( * I D - on ) = K n (VGS VP ) de unde K n = * * =1 (VGS VP ) (1. 1)
VGS = VG VS = VG .

VG =

RDT

I D = K n (VGS VP ) = 6$1?( * - 1) = 6$1?m&

* *

RG * * VDD = 1* = *[ ( ] RG1 + RG * 1*

VDS = VDD RD I D = 1*( 6$1?m& 19 = 5$=<( 0ezult c %n PSF AEC-B7S se caracterizeaz rin valorile

A ## H

Page 1 of #

Seminar DEC-1

VGS = *( PSF = I D = 6$1?m& V = 5$=<( DS

Pentru calculele de semnal mic tre"uie determinat transconductan2a gm: g m = * K n (VGS VP ) = * 6$1?( * - 1) = 1*$<;m&)( = 1*$<;mS ") Sc/ema ec/ivalent de c.a. are forma din fig. 11:
V in R G 1 10M eg R G 2 2M eg Vgs gm Vgs R D 1k R L 47k Vout

0 0

Fig. 11.

Vout = g mVgs ( RD RL )
Vgs =Vin

V Av = out Vin

Av = g m ( RD RL ) = 1*$<;

1 ;? = 1* ;=

Page # of #