Sunteți pe pagina 1din 214

Tehnologia circuitelor integrate

1. SEMICONDUCTOARE
1.1. Diagrama energetic a cristalului
Structura unui atom separat este format din nucleu i
electroni, care sunt situai pe anumite orbite strict determinate pentru
elementul chimic. Fiecrei orbite i corespunde un nivel energetic, o
valoare a energiei electronului. n cazul formrii unui corp solid din
atomi prin legturi (mai des covalente nivelurile energetice din
atomii separai se suprapun form!nd benzi energetice. " band
energetic presupune un continuu de valori a energiei pe care le
poate cpta electronul n acest cristal. #enzile de valori admise sunt
separate ntre ele prin benzi interzise.
Structura i dimensiunile benzilor energetice ntr$un cristal sunt
reprezentate n diagrama energetic a cristalului. %in punct de
vedere a proprietilor electrice este important partea superioar a
diagramei energetice, care cuprinde trei benzi& banda de valen, cu
valoarea ma'im (
v
, n care sunt situate nivelurile energetice ale
electronilor de valen, care formeaz legturile covalente) banda de
conducie, cu valoarea minim (
c
, n care sunt situate nivelurile
energetice ale electronilor, care au fost rupi din legturile covalente,
se pot mica liber prin cristal i se numesc purttori de sarcin. (i
realizeaz conductivitatea electric a cristalului. *ceste benzi sunt
separate de banda interzis cu limea (
g
.
Valeriu Blaj
+,
a
E
C
E
V
E
g
E
C
E
V
E
g
E
C
E
V
b c
Fig.-.-. %iagrama energetic a cristalului&
a conductor, b izolator, c semiconductor
Tehnologia circuitelor integrate
%iagrama energetic a cristalului permite e'plicaia clasificrii
materialelor din punct de vedere a proprietilor electrice n .
categorii (vezi fig.-.-&
- izolatoare / materiale care au banda interzis foarte larg,
prin urmare probabilitatea apariiei purttorilor de sarcini
este foarte mic, concentraia lor este foarte mic i
conductivitatea electric a cristalelor este foarte mic)
0 conductoare / materiale care au banda interzis foarte
ngust, sau lipsete, sau banda de conducie i banda de
valen sunt parial suprapuse. 1rin urmare, pentru apariia
purttorilor de sarcin nu sunt necesare eforturi energetice
deosebite i n condiii normale conductivitatea acestor
materiale este foarte nalt)
. semiconductoare / au banda interzis de o valoare
intermediar. %in acest motiv n condiii normale (fr
e'citani e'terni proprietile semiconductoarelor sunt foarte
aproape de izolatoare, av!nd conductivitate mic. "dat cu
apariia unor e'citani energetici e'terni (cldura, c!mpuri
magnetice, electrice, electromagnetice, stresuri mecanice
etc., datorit energiei comunicate electronilor n cristal,
crete brusc concentraia purttorilor de sarcin i
conductivitatea electric. 1roprietile electrice ale
semiconductoarelor pot fi comandate prin intermediul
factorilor e'terni i din acest motiv materialele
semiconductoare sunt folosite la confecionarea
dispozitivelor electronice. Sunt considerate (convenional
semiconductoare materialele cu limea benzii interzise
2,34(
g
4.,3 e5.
Valeriu Blaj
+3
CIRCUITE INTERATE
1.!. Con"ucti#itatea semicon"uctorului intrinsec
n acest paragraf vom analiza conductivitatea
semiconductorului intrinsec. 1rin semiconductor intrinsec nelegem
un cristal ideal, fr impuriti i fr defecte n reeaua cristalin.
n acest caz purttorii de sarcin apar numai datorit
transferului din banda de valen n banda de conducie. Sub aciunea
factorilor e'terni electronilor de valen li se comunic destul
energie pentru a distruge legtura covalent i, prin urmare, aceti
electroni sunt transferai n banda de conducie. n aa mod aceti
electroni devin purttori de sarcin. *cest proces poart un caracter
de probabilitate. 6onform mecanicii cuantice probabilitatea aflrii
electronului pe nivelul energetic E la temperatura T (vezi fig.-.0
este&
( ) ,
- e'p
-
,
+

,
_

kT
E E
T E f
f (-.-
unde& $ este constanta #oltzmann, iar E
f
este nivelul Fermi /
reprezint nivelul energetic pentru care aceast probabilitate este 7 .
6oncentraia electronilor liberi n cristal crete e'ponenial cu temperatura&
,
0
e'p

,
_


kT
E
A n
g
i
(-.0
Valeriu Blaj
%&
a b c
Fig.-.0.1robabilitatea aflrii electronului n diagrama energetic
a cristalului pentru& a 892 :, b 898
-
, c 898
0
;8
-
E
C
E
V
E
'
( ()* 1 +
E
E
C
E
V
E
'
( ()* 1 +
E
E
C
E
V
E
'
( ()* 1 +
E
Tehnologia circuitelor integrate
unde& A este o constant valoarea crei depinde de proprietile
materialului semiconductor.
6!nd electronului din legtura covalent i se comunic un
cuantum de energie ca el s treac n banda de conducie i devine
purttor de sarcin, rm!ne un loc vacant, care de asemenea poate s
se deplaseze prin cristal ca un purttor de sarcin pozitiv i se
numete gol. *cest proces se numete generarea cuplurilor electron-
gol. n cristal este posibil i procesul invers, c!nd electronul ocup un
loc vacant) un cuplu de purttori de sarcin (electron i gol este
anihilat i este eliberat un cuantum de energie. *cest proces se
numete recombinare (vezi fig.-.0. n condiii de echilibru dinamic
aceste procese se echilibreaz reciproc, vitezele acestor procese sunt
egale&
5
g
95
r
9,n
i
p
i
, (-..
unde& n
i
i p
i
sunt concentraia
electronilor i concentraia
golurilor, respectiv, iar - este o
constant valoarea crei depinde
de proprietile materialului
semiconductor.
n semiconductorul intrinsec concentraia
electronilor i concentraia golurilor sunt
egale n
i
9p
i
, i, prin urmare, e'presia (-.. se
va modifica&
5
g
95
r
9,n
i
0
.
(-..a
('presia (-..a reprezint condiia de echilibru pentru
purttorii de sarcin n semiconductorul intrinsec.
Valeriu Blaj
+<
Fig.-... 1rocesele de
generare (a i
recombinare (b a
purttorilor de sarcin
E
V
E
E
C
+
a
+

E
V
E
E
C
+
b
+

Fig.-.,. 6onductivitatea
semiconductorului intrinsec

a
+ + +

b
+ + +

c
+ + + +

d
+ + +

e
+ + + +
+
+
+
CIRCUITE INTERATE
n lipsa c!mpului
electric purttorii de
sarcin se mic prin
haotic cristal. S
analizm situaia c!nd
n cristal este format un
c!mp electric cu
intensitatea (vezi
fig.-.,. %ac
electronul prsete
atomul din st!nga i se
deplaseaz contrar
sensului c!mpului
electric, aa se
formeaz un gol. Sub
aciunea c!mpului
electric electronul
atomului vecin ocup
locul golului, iar pe
acest atom se formeaz
un gol. *cest proces se
dezvolt n continuare
n mod analogic. 1rin
urmare, n cristal are
loc deplasarea electronilor contrar c!mpului i deplasarea golurilor n
sensul c!mpului. %eci curentul electric n semiconductor este format
din dou componente&
=micarea orientat a electronilor contra c!mpului electric i
=micarea orientat a golurilor n sensul c!mpului electric. i
%ensitatea curentului electric este format analogic din
componenta electronic j
n
i componenta lacunar j
p
&
j=j
n
+j
p
, (-.,
Valeriu Blaj
%.
Tehnologia circuitelor integrate
%ensitatea curentului electric depinde de viteza medie a
purttorilor de sarcin, care este proporional intensitii c!mpului
electric&

n
=
n
, (-.3
unde
n
este mobilitatea electronilor. =obilitatea egal cu valoarea
vitezei electronilor ntr$un c!mp electric cu intensitatea de - 5>m&

n
=
n
/. (-.?
n mod analogic se poate scrie pentru componenta lacunar. 5iteza medie a golurilor&

p
=
p
, (-.<
iar mobilitatea&

p
=
p
/. (-.@
%ensitatea curentului electric este egal cu valoarea sarcinii electrice care trece prin seciunea
transversal cu o arie unitar ntr$o unitate de timp. 1rin urmare, densitatea curentului electric prin
electroni&
j
n
=en
n
=en
n
, (-.+
densitatea curentului electric prin goluri&
j
p
=ep
p
=ep
p
, (-.-2
iar densitatea curentului global este&
j=j
n
+j
p
=en
n
+ep
p
. (-.--
1ornind de la legea lui "hm n form diferenial&
j=. (-.-0
%in e'presia pentru curent&
j=en
n
+p
p
! ) (-.-.
i deoarece n9p9n
i
, gsim conductivitatea&
=en
i

n
+
p
!) (-.-,
iar in!nd cont de e'presia (-.0 cptm&
( ) .
0
e'p

,
_

+
kT
E
A e
g
p n

(-.-3
Valeriu Blaj
++
CIRCUITE INTERATE
('presia (-.-3 reprezint dependena conductivitii
semiconductorului intrinsec de limea benzii interzise (
g
,
mobilitatea purttorilor de sarcin
n


i
p
i de temperatur.
1./. Con"ucti#itatea semicon"uctoarelor cu im0urit1i
Antroducerea intenionat sau neintenionat a impuritilor n cristalul semiconductor afecteaz
cardinal proprietile cristalului. n funcie de tipul atomilor de impuriti introduse n cristal
predomin un tip de purttori de sarcin.
S analizm fenomenele n reeaua cristalin a Si (vezi fig.-.3, n care atomii au c!te patru vecini
i fiecare din cei patru electroni de valen formeaz legturi covalente cu un electron al atomului
vecin. %ac n locul unui atom de Si, n reeaua cristalin va fi implantat un atom cu cinci electroni
de valen (spre e'emplu *s, patru din cinci
electroni completeaz legturile covalente, iar
un electron rm!ne neimplicat. Bivelul
energetic al acestui electron este situat n
banda interzis la distana C(
d
de la banda de
conducie (vezi fig.-.<a. %ac acestui
electron i se comunic un cuantum de energie
C(
d
, acest electron se rupe de la atom i va
deveni purttor de sarcin. %in acest motiv n
cristale de acest tip, concentraia electronilor
la temperaturi normale va fi mult mai mare ca
concentraia golurilor. %eci conductivitatea va
fi electronic
(de tip n. Ampuritile de acest tip se numesc
donoare. 6onductivitatea cristalului
caracterizat de impuriti este&
Valeriu Blaj
1((
Si Si Si
Si A
s
Si
Si Si Si
Fig.-.3. Semiconductor
de tip n
Si Si Si
Si In Si
Si Si Si
Fig.-.?. Semiconductor
de tip p
2E
"
Fig.-.<. %iagrama energetic a
semiconductorului de tip n (a i
de tip p (b
E
g
a
E
C
E
V
E
E
g
b
E
C
E
V
E
2E
a
Tehnologia circuitelor integrate

,
_



kT
E
" e n e
d
n n n n n
e'p , (-.-?
unde n
n
este concentraia electronilor n cristalul de tip n, iar
"
n
/ coeficient caracteristic materialului semiconductor.
6!nd atomul de impuritate are trei electroni de valen, o legtur covalent rm!ne incomplet
(vezi fig.-.?. *ceast stare este caracterizat printr$un nivel energetic din banda interzis la
distana C(
a
de la banda de valen. 6u un cuantum de energie C(
a
n cristal se va forma un gol,
prin acapararea unui electron de la un atom vecin. n condiii normale concentraia golurilor n
cristal va fi mult mai mare ca concentraia electronilor. Ampuritile de acest tip se numesc
acceptoare. 6ristalul are conductivitate prin goluri (lacunar iar semiconductor este de tip p&

,
_



#T
E
" e p e
a
p p p p p
e'p . (-.-<
unde p
p
este concentraia golurilor n cristalul de tip p, iar
"
p
/ coeficient caracteristic materialului semiconductor.
1onderea conductivitii e'trinseci (cauzat de impuriti va fi sesizabil numai c!nd concentraia
atomilor de impuriti
($
d
i>sau $
a
va fi mult mai mare ca concentraia purttorilor intrinseci&
$
d
>>n
i
sau $
a
>>n
i
. (-.-@
%eoarece practic toi atomii de impuriti vor fi ionizai n cazurile real e'istente, putem presupune
c concentraia purttorilor e'trinseci coincide cu concentraia atomilor de impuriti&
n
n
= $
d
sau p
p
=$
a
. (-.-+
*tunci pentru conductivitatea e'trinsec poate fi e'primat&

n
=e $
d

n
i
p
=e $
a

p
. (-.02
n caz general conductivitatea global a semiconductorului este format at!t de purttori generai de
pe atomii de impuriti, adic n procese de tipul (- i (0 (vezi fig.-.-@, c!t i de conductivitatea
intrinsec, adic de purttori de sarcin generai prin procesul
band$band de tipul (. din fig.-.-@.
1rin urmare, dependena conductivitii semiconductorului de temperatur reprezentat n fig.-.-+
poate fi e'plicat n modul urmtor. Da Eoase temperaturi (domeniul - se manifest
conductivitatea e'trinsec cu panta dependenei (->8 de C(
a
.
n domeniul 0 se atinge saturaia acestui proces, adic toi atomii de impuriti au fost ionizai i au
format purttori de sarcin.
Da temperaturi nalte (n domeniul . predomin conductivitatea intrinsec i panta caracteristicii
este E
c
.
Valeriu Blaj
-2-
CIRCUITE INTERATE
*tunci c!nd este proiectat un dispozitiv semiconductor care trebuie s aib parametrii stabili la
variaia temperaturii, se alege materialul semiconductor din condiia ca domeniul (0 al dependenei
(->8 s acopere intervalul temperaturilor de lucru al dispozitivului proiectat.
Valeriu Blaj
1(!
2E
d
Fig.-.@. 1rocese de generare
a purttorilor de sarcin
E
g
E
C
E
V
E
2E
a
-
0
.

T
-
. 0 -
Fig.-.-+. %ependena conductivitii
semiconductorului
de temperatur
Tehnologia circuitelor integrate
1.3. Curen1ii "e "ri4t 5i "e "i4u6ie
6urentul electric n semiconductor poate fi cauzat de c!mp electric sau de un proces de difuzie a
purttorilor de sarcin&
dif dr
% % % +
. (-.0-
&urentul de drift este micarea orientat a puttorilor de sarcin cauzat de c!mpul electric.
6urentului de drift poate fi format de electroni (componenta electronic sau de goluri (componenta
lacunar&
j
dr'
= j
dr' n
+ j
dr' p
. (-.00
%ensitatea curentului de drift prin electroni este proporional vitezei de deplasare a electronilor
printr$o seciune unitar en
n
, i proporional intensitii c!mpului electric&
j
dr' n
= en
n
. (-.0.
%ensitatea curentului de drift prin goluri este proporional vitezei de deplasare a golurilor printr$o
seciune unitar ep
p
, i proporional intensitii c!mpului electric&
j
dr' p
= ep
p
. (-.0.a
1rin urmare, curentul de drift global este&
j
dr'
= en
n
+ ep
p
. (-.0,
6urentul de difuzie este micarea orientat a puttorilor de sarcin ntr$un proces de difuzie, cauzat
de e'istena unui gradient al concentraiei puttorilor de sarcin n cristal. 6urentului de difuzie
poate fi format de electroni (componenta electronic sau de goluri (componenta lacunar&
difp difn dif
% % % +
. (-.03
%ensitatea curentului de difuzie este proporional gradientului concentraiei puttorilor de sarcin
(vezi fig.-.@&
d(
dn
e) j
n difn

, (-.0?
d(
dp
e) j
p difp

, (-.0?a
unde )
n
este coeficientul de difuzie al electronilor, iar )
n
este coeficientul de difuzie al golurilor,
care depind de proprietile materialului. Semnul minus n e'presia (-.0?a pentru densitatea
curentului lacunar de difuziune se e'plic prin faptul c flu'ul de difuzie a golurilor este orientat n
sens opus gradientului concentraiei golurilor (vezi fig.-.02b.
n caz general curentul global n semiconductor poate fi format din toate componentele&
d(
dp
e)
d(
dn
e) ep en j
p n p n
+ + +
'
(-.0<
Valeriu Blaj
-2.
CIRCUITE INTERATE
!. DIODE SEMICONDUCTOARE
Valeriu Blaj
1(3
n
(
grad n

n
j
dif n
a
Fig.-.02. 6urentul de difuzie& a electronic i b lacunar
p
grad p

p
j
dif

p
b
(
Tehnologia circuitelor integrate
%ioda este un element al circuitului electric cu dou
terminale, care manifest conductivitatea unilateral (proprietate de
redresare. n dioda semiconductoare pentru a asigura proprietatea
de conductibilitate unilateral n cristalul semiconductor este format
jonciunea p-n' Fonciunea p-n reprezint un cristal semiconductor n
care un domeniu are conductivitate de tip p, iar altul / conductivitate
de tip n. Structura simplificat a Eonciunii p-n, simbolul grafic al
diodei semiconductoare i caracteristica static a diodei ideale sunt
reprezentate n figura 0.-.
!.1. +rocesele 4i6ice 7n 8onc1iunea p-n 7n a9sen1a tensiunii
Fonciunea p-n nu poate fi format printr$un proces simplu
de aducere n contact a dou cristale semiconductoare,
deoarece inevitabil ntre ele vor rm!ne impuriti& o'izi, decapant rezidual aer etc.
Fonciunea p-n poate fi format prin diverse procese tehnologice& difuzie, cretere
epita'ial, implantare ionic etc.
%ac n cristalul semiconductor este format Eonciunea p-n prin doparea unui
domeniu cu impuriti acceptoare, iar alt domeniu cu impuriti donore, atunci n
condiii normale atomii de impuriti sunt complet ionizai. 1rin urmare, atomii de
Valeriu Blaj
-23
n
Fig.0.-. Structura simplificat a Eonciunii p-n (a,
simbolul grafic al diodei semiconductoare (b
i caracteristica static a diodei ideale (c
p
a
A K
b
A K
U
I
c
CIRCUITE INTERATE
impuriti donore au cedat c!te un electron, care au devenit purttori de sarcin, iar
atomii de impuriti acceptoare au acaparat c!te un electron form!nd goluri. *ceti
purttori de sarcin sunt maEoritari& n domeniul n / electronii, iar n domeniul p /
golurile. =enionm c n cristal e'ist i purttori minoritari (intrinseci& & n
domeniul n / goluri, iar n domeniul p / electroni.
n domeniul p concentraia golurilor este mult mai mare ca concentraia
electronilor, din acest motiv golurile se numesc purttori maEoritari, iar electronii /
purttori minoritari. n domeniul n concentraia electronilor este mult mai mare ca
concentraia golurilor, din acest motiv electronii sunt purttori maEoritari, iar
golurile / purttori minoritari.
n practic mai rsp!ndite sunt structurile p-n n care concentraia impuritilor n
domeniile n (B
d
i p (B
a
se deosebesc cardinal. =ai frecvent B
a
;;B
d
. %ac
inem cont c $
a
p
p
, iar $
d
n
n
, atunci n aceste structuri p
p
**n
n
'
Da suprafaa de separaie sub aciunea gradientului concentraiei purttorilor de
sarcin apare micare de difuzie a purttorilor maEoritari& golurile din domeniul p
spre domeniul n, iar electronii din domeniul n se mic spre domeniul p. Golurile
aEung!nd n domeniul n recombin cu electronii, iar electronii aEung!nd n
domeniul p recombin cu golurile.
n urma a dou procese&
Valeriu Blaj
1(&
Tehnologia circuitelor integrate
purttorii de sarcin maEoritari prsesc domeniile adiacente
suprafeei de separaie,
recombinarea purttorilor de sarcin)
n domeniul adiacent suprafeei de separaie concentraia purttorilor de sarcin se
micoreaz cardinal. Golurile prsind domeniul p las la suprafaa de separaie
ionii atomilor de impuriti cu sarcin negativ, iar n domeniul n rm!n ioni
pozitivi. *ceste sarcini sunt fi'ate rigid n reeaua cristalin i formeaz domeniul
de sarcin spaial (%.S.S. / o consecin important a difuziei purttorilor de
sarcin maEoritari este formarea unui compus de ionii de impuriti (vezi fig.0.0.
Grosimea %.S.S. este n structurile reale de fraciuni de micron.
%eoarece din domeniul de sarcin spaial au plecat purttorii de sarcin, el are
proprieti de izolator. %atorit acestor sarcini n Eonciunea p-n apare un c!mp
electric intern E
int.
, care reprezint mpreun cu %.S.S. caracteristica principal a
Eonciunii p-n.
Valeriu Blaj
-2<
CIRCUITE INTERATE
6!mpul electric intern fr!neaz purttorii maEoritari i n acest mod pentru
purttorii maEoritari n Eonciunea p$n apare o barier de potenial cu nlimea +
c
.
%eci curentul de difuzie al purttorilor maEoritari va fi format numai din acei
purttori de sarcin care posed energie destul pentru depirea barierei de
potenial.
Valeriu Blaj
1(.
n
p
n
n
p
p
p
n
D.S.S.
b
c
E
int
.
a
Fig.0.0. Fonciunea p-n n absena tensiunii&
a structura,
b profilul concentraiei
purttorilor de sarcin,
c profilul sarcinii electrice,
d profilul potenialului
n, p
n p
A K
: : :
: : :
: : :
(
-



(

c
(
:

d
Tehnologia circuitelor integrate
n acelai timp c!mpul electric intern accelereaz purttorii de sarcin minoritari
form!nd un curent de drift al purttorilor minoritari, orientat de la catod spre anod
(cu sens negativ.
n lipsa surselor e'terne de energie n Eonciunea p-n se stabilete un
echilibru dinamic i, prin urmare, se stabilete valoarea c!mpului electric intern, se
stabilete grosimea domeniului de sarcin spaial, se stabilete sarcina n
domeniul de sarcin spaial, se stabilete valoarea barierei de potenial. n aceste
condiii curentul global prin Eonciunea p$n este nul&
j= j
dif'
j
dr
= j
dif' p
j
dr' p
+ j
dif' n
j
dr' n
9 2. (0.-
!.!. +rocesele 4i6ice 7n 8onc1iunea p-n la 0olari6are
Da aplicarea tensiunii (polarizarea
pe bornele Eonciunii p-n se
modific condiiile de transport a
purttorilor de sarcin prin Eonciune
i este foarte important sensul
polarizrii.
Da polarizare direct, c!nd pe anod
se aplic H, iar pe catod /) c!mpul
electric e'tern E
ext.
este opus c!mpului electric intern E
int
i c!mpul electric global
n Eonciune se micoreaz (vezi fig.0..&
Valeriu Blaj
-2+
E
ext.
E
int.
Fig.0... 1olarizare direct a
Eonciunii p-n
n p
A ; : :
: :
: :



'

+ U

=
c
.
CIRCUITE INTERATE
- se micoreaz sarcina electric n domeniul de sarcin spaial,
- se micoreaz bariera de potenial&
=
c
.. (0.0
1urttorii de sarcin maEoritari au posibilitate s se apropie de suprafaa de
separaie a Eonciunii p-n i compenseaz o parte din ionii de impuriti. *cest fapt
duce, at!t la micorarea sarcinii n %.S.S., c!t i la micorarea grosimii %.S.S. 1rin
urmare, vor e'ista mai muli purttori de sarcin maEoritari, care pot depi bariera
de potenial, n aa mod crete curentul de difuzie al purttorilor maEoritari. *cest
fenomen se numete injecie. AnEecie este procesul de trecere a purttorilor de
sarcin din domeniul unde ei sunt maEoritari n domeniul unde ei sunt minoritari,
datorit micorrii barierei de potenial.
%eoarece c!mpul electric n Eonciunea p-n se micoreaz considerabil, curentul de
drift al purttorilor minoritari scade brusc. 6urentul global n Eonciunea p$n va fi
orientat de la anod spre catod i este format preponderent de curentul de difuzie al
purttorilor maEoritari.
j= j
dif'
j
dr'
; 2.
(0..
Da polarizare invers, c!nd pe anod
se aplic /, iar pe catod H) sensul
c!mpului electric e'tern E
ext.
coincide cu sensul c!mpului electric
intern E
int
i c!mpul electric global
Valeriu Blaj
11(
A

E
int.
E
ext.
Fig.0.,. 1olarizare invers a
Eonciunii p-n
n p
; : : : :
: : : :
: : : :



U
+
'
=
c
+.
Tehnologia circuitelor integrate
n Eonciune crete (vezi fig.0.,. n consecin, n Eonciunea p-n crete bariera de
potenial&
=
c
+.. (0.,
1rin urmare, cantitatea purttorilor de sarcin maEoritari care posed energie
destul pentru a depi bariera de potenial este foarte mic i curentul de difuzie al
purttorilor maEoritari scade brusc.
Sarcina n %.S.S. crete i grosimea domeniului de sarcin spaial crete.
%eoarece crete c!mpul, crete curentul de drift al purttorilor minoritari. 6urentul
global prin Eonciunea p-n este format preponderent de curentul de drift al
purttorilor minoritari i este orientat de la catod spre anod&
j= j
dr'
j
dif'
I 2. (0.3
5aloarea curentului invers practic nu depinde de tensiune deoarece cantitatea de
cupluri electron$gol (purttori intrinseci generai la o temperatur constant este i
ea constant.
1rin urmare, la polarizare direct curentul direct n Eonciunea p-n este format de
purttorii maEoritari, iar la polarizarea invers curentul invers n Eonciunea p-n
este format de purttori minoritari. %eoarece concentraia purttorilor maEoritari
este cu c!teva ordine zecimale mai mare ca concentraia purttorilor minoritari, i
curentul direct este apro'imativ tot de at!tea ori mai mare ca curentul invers. n aa
mod se e'plic proprietatea de redresare a Eonciunii p-n.
Valeriu Blaj
---
CIRCUITE INTERATE
!./. Caracteristica static a 8onc1iunii p-n
1roprietile Eonciunii p-n sunt reprezentate
prin caracteristica static, care reprezint
dependena curentului prin Eonciune ca
funcie de valoarea i polaritatea tensiunii
aplicate, n regim staionar. 6aracteristica
ideal a Eonciunii p-n (vezi fig.0.3 poate fi
reprezentat prin urmtoarea e'presie
analitic&
, - e'p
2

,
_

,
_

kT
e.
/ /
(0.?
unde& /
2
curentul invers (curent de saturaie, curent termic al
Eonciunii p-n, valoarea crui depinde de proprietile fizice ale
materialului semiconductor, . tensiunea aplicat pe bornele
Eonciunii p-n, J constanta #oltzman, 0 sarcina electronului, 1
temperatura absolut.
Da polarizare direct, funcia e'ponenial fiind foarte rapid, deEa de la valori
foarte mici ale tensiunii&
. ; 2 i
. -
J8
eK
e'p >>

,
_

(0.<
1rin urmare, n e'presia (0.? unitatea poate fi negliEat&
.

,
_

kT
e.
e(p / /
2
(0.@
Valeriu Blaj
11!
/
(
I
U
Fig.0.3. 6aracteristica static
a Eonciunii p-n
Tehnologia circuitelor integrate
)eci la polarizare direct curentul 3n jonciunea p-n ideal depinde de tensiune
e(ponenial.
Da polarizarea invers& . I 2 i
, - e'p <<

,
_

kT
e.
(0.+
1rin urmare, e'presia (0.? se poate reduce la&
,
2
/ /
(0.-2
)eci la polarizare invers curentul 3n jonciunea p-n ideal nu depinde de
tensiune depinde foarte slab!'
!.3. Str0ungerea 8onc1iunii p-n. Dio"a <ener
6aracteristica static a Eonciunii p-n
prezentat mai sus nu ine cont de unele
fenomene prezente n caracteristica
real, n mod deosebit, la polarizare
invers. Da tensiuni inverse mari n
Eonciunea p-n are loc strpungerea
Eonciunii p-n. Fenomenul de
strpungere n Eonciunea p-n se
manifest la polarizare invers, c!nd
domeniul de sarcin spaial se impune
ca izolator. Strpungerea n Eonciunea p-n poate fi&
Valeriu Blaj
--.
.
zmin
.
6ma('
,
.
0
-
2
/
6 ma(
'

/
6 min
'

I
U
Fig.0.?. 6aracteristica static
real a Eonciunii p-n
CIRCUITE INTERATE
a. electric (reversibil,
b. termic (ireversibil.
Strpungerea electric poate fi&
i. prin avalan4 / n Eonciuni p-n LlungiL (cu grosime mare a
domeniului de sarcin spaial are loc strpungerea
conform efectului Mener)
ii. prin efectul tunel / n Eonciuni LscurteL.
Strpungerea n avalan poate fi e'plicat n modul urmtor& la polarizarea
invers purttorii de sarcin minoritari se mic n c!mp electric cu intensitate
mare. *cceler!ndu$se electronii capt energie cinetic destul pentru a rupe ali
electroni din legturile covalente. n acest mod concentraia purttorilor de sarcin
crete n avalan i n acelai mod va crete curentul prin Eonciunea p-n. 1e
caracteristica static a Eonciunii p-n (vezi fig.0.? strpungerii electrice i
corespunde pe poriunea -$0.
*tunci c!nd curentul prin Eonciunea p-n depete valoarea /
zma(
are loc
strpungerea termic (poriunea 0/. n fig.0.?. Strpungerea termic are loc
datorit generrii intensive a cuplurilor electron$gol (purttorilor intrinseci n
Eonciunea p-n. %eoarece n structurile reale semiconductorul nu este absolut
omogen, n anumite locuri prin suprafaa de separaie a Eonciunii p-n curentul are
densitate mai mare. 1rin urmare, cantitatea de cldur degaEat n aceste locuri este
mai mare i n aceste locuri crete temperatura cristalului. %eoarece concentraia
purttorilor intrinseci crete proporional temperaturii absolute, curentul invers
crete i el n acelai mod. 1rin urmare, n aceste locuri crete curentul.
8emperatura atinge valori foarte mari, la care au loc transformri metalurgice /
Valeriu Blaj
113
Tehnologia circuitelor integrate
fenomenul strpungerii termice. n cazul c!nd nu este asigurat evacuarea de
cldur de la Eonciunea p-n, strpungerea termic poate anticipa strpungerea
electric (pe poriunea -/, a caracteristicii din fig.0.?.
%up cum se vede din fig.0.?, ntr$un interval vast de valori ale curentului invers
(/
zmin
5/
zma(
, tensiunea pe Eonciunea p-n rm!ne practic constant, cu o variaie
mic 6.
z
=.
zma(
7.
zmin
. *cest efect este folosit n dispozitive speciale, care se
numesc diode 8ener (diode stabilitron. %iodele Mener sunt dispozitive
semiconductoare formate n baza Eonciunii p-n i folosite pentru stabilizarea
tensiunii pe sarcin. %iodele Mener sunt fabricate mai frecvent din Si, deoarece
acestea n comparaie cu diodele Mener cu Ge prezint urmtoarele avantaEe&
- valori mai mici ale curentului minim de stabilizare /
< min
,
- deviaia tensiunii stabilizate CK
z
este mai mic,
- poate funciona la temperaturi mai nalte
n figura 0.< este reprezentat ca e'emplu schema de montaE a diodei Mener VD.
Nezistena de balast R
b
se alege pentru
protecia diodei Mener de supracurent i
este dimensionat n aa mod nc!t
curentul s nu depeasc valoarea /
zma(
.
!.*. Ca0acitatea 8onc1iunii p-n. Dio" #arica0
Structura Eonciunii p-n este caracterizat de o capacitate care este format din dou
componente capacitate de barier i capacitatea de difuzie&
Valeriu Blaj
--3
Fig.0.<. Schema de montaE
a diodei Mener
R
s
+
U
int.

R
b
VD
CIRCUITE INTERATE
9
pn
=&
bar
+9
dif'
' (0.--
6apacitatea de barier este format de sarcinile electrice ale ionilor de impuriti.
"dat cu variaia tensiunii aplicate pe Eonciunea p-n este modulat grosimea
%.S.S. %ependena sarcinii electrice n %.S.S. de tensiunea aplicat se manifest ca
capacitatea de barier&
,
. . .
d.
d:
&
; ; )
bar
(0.-0
%eoarece capacitatea condensatorului plat este proporional
ariei suprafeei i invers proporional distanei ntre armturi, n
cazul Eonciunii p-n, prin analogie, putem presupune c capacitatea
de barier va fi invers proporional grosimii %.S.S.
Da tensiuni mici de polarizare sarcinile din ambele pri ale
suprafeei de separaie sunt situate foarte aproape (grosimea %.S.S.
este mic deci capacitatea de barier este mare. "dat cu creterea
tensiunii aplicate crete i grosimea %.S.S. i, prin urmare, valoarea
capacitii de barier scade. %ependena
capacitii Eonciunii p-n de tensiune este
reprezentat n caracteristica capacitate/
tensiune (vezi fig.0.@.
*ceast proprietate a Eonciunii p-n
st la baza funcionrii diodelor cu
capacitate comandat n tensiune /
varicap. 5ariind tensiunea invers este
modulat capacitatea varicapului. 1rin
urmare, varicapul funcioneaz la
polarizare invers.
Valeriu Blaj
11&
OPQ.0.@. 6aracteristica
capacitate/tensiune
U
C
bar
Tehnologia circuitelor integrate
Varica0 este o diod semiconductoare folosit ca condensator
cu capacitate comandat n tensiune.
Kn e'emplu de utilizare
a varicapului este reprezentat
n fig.0.+. %ioda varicap VD
este montat n paralel cu
conturul oscilant =C i
contribuie la modificarea
frecvenei de rezonan a
conturului. Nezistorul R
evit untarea diodei varicap
prin sursa de polarizare.
"dat cu schimbarea tensiunii de polarizare a Eonciunii p-n variaz nu numai
sarcina ionilor de impuriti dar i sarcina electric format de purttorii de sarcin.
" parte important din purttorii de sarcin travers!nd bariera de potenial nu
reuesc s recombine i se acumuleaz n domeniile p i n. Fiecrei valori a
tensiunii i corespunde o valoare a sarcinii electrice :
dif'
acumulate n Eonciune.
*cest fenomen cauzeaz capacitatea de difuzie a Eonciunii p-n&
,
d.
d:
&
dif
dif

(0.-.
Rin!nd cont de toate efectele prezentate, Eonciunea p-n poate fi reprezentat prin
schema echivalent din fig.0.-2, unde&
Valeriu Blaj
--<
Fig.0.+. 6ontur oscilant cu varicap
C
1
+
E

R
5%
=
C
CIRCUITE INTERATE
R
0
este rezistena volumic a bazei
diodei semiconductoare (rezistena
materialului semiconductor cu e'cepia
Eonciunii p-n propriu zise,
R
p-n
rezistena Eonciunii p-n, care
depinde de tensiunea de polarizare,
C
p-n
capacitatea Eonciunii p-n.
Da polarizare direct capacitatea de barier practic nu se manifest, iar rezistena
Eonciunii p-n R
p-n
este aproape de zero i, prin urmare, dioda semiconductoare este
caracterizat numai de capacitatea de difuzie C
dif.
i rezistena bazei R
0
. %eci la
polarizare direct dioda semiconductoare se comport ca o rezisten mic R
0
. Da
polarizare invers& capacitatea de difuzie nu se manifest, iar rezistena Eonciunii
p-n R
p-n
este foarte mare, mult mai mare ca R
0
i, prin urmare, dioda
semiconductoare este caracterizat numai de capacitatea de barier C
bar.
i
rezistena foarte mare R
p-n
. %eci la polarizare invers dioda semiconductoare se
comport ca o rezisten foarte mare n montaE paralel cu capacitate.
Da frecvene nalte reactana Eonciunii p-n scade rapid deoarece&
,
-
n p
&
&
<

(0.-,
Valeriu Blaj
11.
C
p-n
Fig.0.-2. Schema echivalent a
diodei semiconductoare
R
0
R
p-n
Tehnologia circuitelor integrate
i curentul invers al Eonciunii p-n poate crete brusc. *cest fapt este echivalent cu
untarea rezistenei mari a Eonciunii p-n prin capacitatea de barier. n aa mod,
dioda semiconductoare la frecvene nalte poate s$i piard proprietatea de
redresare. 1entru a evita acest fenomen la nalte frecvene sunt folosite diode
semiconductoare punctiforme, care au aria suprafeei Eonciunii p-n foarte mic i,
prin urmare, capacitatea de barier este mic, iar reactana diodei are valori mari.
!.&. Dio"e tunel
n anul -+3@ savantul nipon (saJi a observat c caracteristica curent/tensiune a
Eonciunii p-n cu domeniile supradopate are o form special, care a fost ulterior
e'plicat aplic!ndu$se efectul tunel. %in acest motiv i diodele semiconductoare
respective se numesc diode tunel.
%in mecanica cuantic se cunoate c o particul, care nu are energie destul
pentru a trece peste o barier de potenial, poate fi gsit de cealalt parte a barierei
de potenial, dac acolo acelai nivel energetic este liber. 1robabilitatea acestei
traversri a barierei este cu at!t mai mare cu c!t mai ngust este bariera de
Valeriu Blaj
--+
CIRCUITE INTERATE
potenial i cu c!t este mai mic nlimea barierei. 8raversarea barierei prin efectul
tunel are loc fr consum de energie.
1entru a e'plica cum efectul tunel modific caracteristica static a Eonciunii p$n
vom analiza diagrama energetic a unei structuri p$n supradopate. %eoarece
concentraia purttorilor de sarcin este enorm (-2
0-
cm
.
nivelul Fermi este
situat n domeniul n n banda de conducie, iar n domeniul p / n banda de valen.
*ceste fenomen se e'plic prin faptul c nivelurile energetice ale atomilor de
impuriti sunt foarte multe i situate foarte aproape (energetic nc!t ele se
contopesc ntr$o band, care la r!ndul su se contopete cu banda energetic
fundamental apropiat. 8ot din cauza concentraiei nalte a purttorilor de sarcin
grosimea %.S.S. este foarte mic ( -2
@
5>m. 1entru a simplifica situaia vom
considera , c toate nivelurile energetice situate mai sus de nivelul Fermi sunt
libere, iar cele situate mai Eos de nivelul Fermi / ocupate de electroni. 1rincipiul de
funcionare a diodei tunel este e'plicat n fig.0.-- i fig.0.-0, unde sunt
reprezentate, respectiv, diagrama energetic a structurii pentru diferite valori ale
tensiunii de polarizare (pe diferite poriuni ale caracteristicii statice i
caracteristica static a diodei tunel.
Valeriu Blaj
1!(
Tehnologia circuitelor integrate
Valeriu Blaj
-0-
p n
E
=
E
&
E
>
a
p n
E
=n
E
&
E
>
f
K
E
=p
p n
E
=n
E
&
E
>
b
E
=p
K
p
n
E
=n
E
&
E
>
c
E
=p
K
p n
E
=n
E
&
E
>
d
E
=p
K
p n
E
=n
E
&
E
>
e
E
=p
K
Fig.0.--.%iagrama energetic a
diodei tunel pentru tensiunea de
polarizare&
a .92,
b 2I.I.
-
,
c .9.
-
,
d .;.
-
,
e .;.
-
,
f .I2.
CIRCUITE INTERATE
%ac la bornele Eonciunii p-n se aplic tensiune de polarizare direct, bariera de
potenial se micoreaz i vis$S$vis de nivelurile ocupate de electroni n banda de
conducie n domeniul n sunt situate nivelurile libere n banda de valen n
domeniul p. 1rin urmare, prin Eonciune va circula curentul de tunel. 6oncomitent
va circula i curentul de difuziune, dar acest curent n semiconductoarele
supradopate este mult mai mic.
6azul n care este aplicat o tensiune mic de polarizare direct este reprezentat n
fig.0.--b. n acest caz maEorarea tensiunii duce la creterea domeniului de
suprapunere a nivelurilor energetice ale electronilor din cele dou pri ale
Eonciunii. n consecin crete curentul de tunel odat cu creterea tensiunii. Da
tensiunea de polarizare direct UU
1
(vezi fig.0.--Q domeniul de suprapunere
atinge aria ma'imal. Da o eventual cretere n continuare a tensiunii (vezi
fig.0.--d aria domeniului de suprapunere se micoreaz i la tensiunea U!U
"
(vezi
fig.0.--e suprapunerea acestor niveluri energetice dispare i dispare curentul de
tunel. %eci n continuare dioda i capt proprietile unei diode simple i curentul
crete e'ponenial cu tensiunea.
*tunci c!nd se aplic tensiune de
polarizare invers (vezi fig.0.--f odat cu
creterea tensiunii crete i aria
Valeriu Blaj
1!!
/
U
Fig.0.-0. 6aracteristica static a
diodei tunel
1
U
2
0
3
2
U
3
U
1
I
1
I
2
Tehnologia circuitelor integrate
domeniului de suprapunere i, prin urmare, crete curentul de tunel (curentul
invers.
%iodele tunel sunt atractive prin faptul c fiind dipoli au proprietatea de a
amplifica semnalele electrice ca i tranzistoarele. *cest fapt se e'plic prin
prezena pe caracteristica curent/tensiune a unui domeniu de conductibilitate
diferenial negativ. 6aracteristica static a diodei tunel este caracterizat de
poziia a dou puncte importante(- i 0 n fig.0.-0, care reprezint limitele
domeniului de conductibilitate diferenial negativ) i tensiunea i curentul n
punctul .. ntre punctele - i 0 variaiile tensiunii i curentului au sensuri diferite&
( )
( )
. 2
2
2
<
<
>

d/
d.
r
d
(0.-3
6u alte cuvinte tensiunea i curentul sunt n antifaz. %eci puterea semnalului
variabil fiind produsul tensiunii i curentului va fi negativ. *ceast proprietate
este folosit atunci c!nd pe baza diodei
tunelsunt asamblate generatoare sau
amplificatoare de semnal n banda de
microunde sau a dispozitivelor cu vitez
nalt de funcionare. 1entru
e'emplificare n figura 0.-. este reprezentat schema unui amplificator simplu cu
diod tunel.
Valeriu Blaj
-0.
Fig.0.-.. *mplificator cu
diod tunel
R
s
U
int.
E
VD
H

CIRCUITE INTERATE
%iodele tunel sunt fabricate din germaniu #e sau arsenur de galiu #a$s. %in
fig.0.-- se observ c tensiunea de v!rf U
1
are valoarea direct proporional cu
Tad!ncimeaU nivelului Fermi n benzile fundamentale n domeniile respective ale
Eonciunii p-n. %eci aceast valoare va fi mai mare n dispozitivele cu arsenur de
galiu dec!t n diodele cu germaniu, deoarece n #a$s nivelurile energetice ale
atomilor de impuriti sunt situate mai departe de limitele benzii interzise n
comparaie cu #e.
" variant interesant o reprezint dioda inversat. n aceste diode valoarea
tensiunii n ma'imum U
1
este foarte mic (aproape lipsete. n acest mod se
capt o diod a crei caracteristic static este TinversatU n comparaie cu
diodele simple.
!.>. 'otocon"ucti#itate. 'otore6istor. 'oto"io"
=otoefectul intern se manifest prin modificarea conductivitii
cristalului sub aciunea unui flu' luminos. *cest fenomen se e'plic
prin creterea concentraiei purttorilor de sarcin, datorit generaiei
cuplurilor electron$gol sub aciunea undelor electromagnetice.
n absena undelor electromagnetice cristalul are conductivitatea&
.
p n
p e n e +
(0.-?
%ac sub aciunea luminii are loc procesul de generare a cuplurilor electron$gol,
concentraia electronilor crete cu Cn, iar concentraia golurilor / cu Cp, atunci
conductivitatea cristalului va crete cu C?.
6?=e6n@
n
+ e6p@
p
, (0.-<
Valeriu Blaj
1!3
Tehnologia circuitelor integrate
*cest fenomen are loc c!nd&
A
cr

g
, (0.-@
unde
A
E
g
r
este pragul ro4u al fotoefectului intern.
n baza acestui efect funcioneaz fotorezistoarele.
Fotorezistorul este un cristal
semiconductor montat ntr$o
capsul, n care este prevzut o
fereastr cu o lentil pentru
focalizarea flu'ului luminos
incident pe cristal.
%ac fotorezistorul este
montat ntr$un circuit ca cel
reprezentat n fig.0.-, cu
tensiune i sarcin, n lipsa luminii prin circuit va circula curentul de
3ntuneric&
; i
i
B B
E
/
+

(0.-+
n prezena unui flu' luminos prin circuit va circula
curentul de iluminare&
; il
il
B B
E
/
+

(0.02
%eoarece B
il
CCB
3
, curentul /
il
**/
3
. 1rin
urmare, la iluminare prin fotorezistor va circula un
curent mult mai important ca valoare dec!t n
regim de ntuneric. %iferena acestor cureni
/
il
-/
3
se numete curent fotoelectric /
f
=/
il
-/
3
Fotorezistoarele ca i alte fotoreceptoare sunt
folosite n diverse echipamente metrologice, de
semnalizare, automatic, comunicaii etc.
S analizm procesele care au loc n Eonciunea p-
n aflat sub radiaie electromagnetic. Sub
aciunea flu'ului luminos n domeniul p i>sau n
Valeriu Blaj
-03
Fig.0.-,. Schema de montaE
a fotorezistorului
R
s
E
H
$
Fig.0.-3. Separarea
purttorilor de sarcin n
c!mpul electric intern al
Eonciunii p-n
A
p
A
;
n
E
int
.
+
+

H

CIRCUITE INTERATE
domeniul n are loc procesul de generare a cuplurilor electron$gol. 1rin urmare, n domeniile
respective crete concentraia purttorilor de sarcin. Sub aciunea c!mpului electric intern are loc
separarea purttorilor de sarcin& golurile sunt transportate spre anod i se acumuleaz ca sarcin
pozitiv, iar electronii sunt transportai spre catod i se acumuleaz ca sarcin negativ (vezi
fig.0.-3. n aa mod la bornele Eonciunii p-n apare tensiune electromotoare fotoelectric, valoarea
ma'im posibil a crei este determinat de nlimea barierei de contact. *cest fenomen st la baza
funcionrii fotodiodelor.
=otodioda este un dispozitiv semiconductor format dintr$o Eonciune p-n cu dou terminale (anod i
catod i care funcioneaz n baza efectului fotoelectric intern.
Fotodioda poate funciona n dou regimuri&
O regim de fotogenerator
fr surs e'tern de
tensiune,
O regim de ventil cu surs
e'tern de tensiune.
*tunci c!nd fotodioda va fi montat ntr$un
circuit analogic celui prezentat n fig.0.-?)
curentul n circuit va fi determinat de
caracteristica static a fotodiodei&
, - e'p
2 f
/
kT
e.
/ /

,
_

,
_

(0.0-
unde /
f
este curentul
fotoelectric (un curent
electric intern orientat de la
catod spre anod, care are
valoarea dependent de
valoarea flu'ului luminos.
6aracteristica statica a
fotodiodei pentru diferite
valori ale flu'ului luminos
incident D este prezentat
n fig.0.-<. "bservm c
curentul fotoelectric
deplaseaz caracteristica
fotodiodei spre cureni
inveri.
Valeriu Blaj
1!&
Fig.0.-3. Separarea
purttorilor de sarcin n
c!mpul electric intern al
Eonciunii p-n
2
*
#

0
;
-

-
2


92
I
U
Fig.0.-<. 6aracteristica static
a fotodiodei
Fig.0.-?. =ontaEul
fotodiodei
R
s
E
F
D
H
$
Tehnologia circuitelor integrate
1e caracteristica static a fotodiodei observm&
- curentul de ntuneric care este echivalent curentului invers al
Eonciunii p-n pe caracteristica de ntuneric (V92,
- segmentul 2$W este curentul de scurtcircuit /
s'c'
al fotodiodei
pentru valoarea dat a flu'ului luminos (V9V
0
,
- curentul de scurtcircuit al fotodiodei este echivalent curentului
fotoelectric pentru valoarea dat a flu'ului luminos (V9V
0
,
- segmentul 2$X este tensiunea de mers n gol .
m'g'
a fotodiodei
pentru valoarea dat a flu'ului luminos (V9V
0
,
- tensiunea de mers n gol este echivalent tensiunii electromotoare
fotoelectrice a fotodiodei pentru valoarea dat a flu'ului luminos
(V9V
0
,
- aria suprafeei haurate este proporional cu puterea electric
ma'im, care poate fi obinut de la fotodioda respectiv n regim
de fotogenerator.
*lte caracteristici specifice, at!t fotorezistorului, c!t i fotodiodei sunt&
caracteristica de iluminare, care prezint
dependena curentului fotoelectric de
intensitatea flu'ului luminos pentru o valoare
stabilit a tensiunii de polarizare /
f
9fD!)
caracteristica spectral, care prezint
dependena curentului fotoelectric raportat la
valoarea flu'ului vs lungimea de und a
radiaiei incidente /
f
>D

9 f!.
i parametrii&
sensibilitatea absolut integral!, care este raportul
curentului fotoelectric /
f
(pentru valoarea stabilit a
tensiunii de polarizare la valoarea intensitii
flu'ului incident de lumin alb&
,

f
a
/
; (0.00
Valeriu Blaj
-0<
CIRCUITE INTERATE
sensibilitatea relativ, care este raportul curentului
fotoelectric /
f
la valoarea intensitii flu'ului
incident de lumin alb i valoarea tensiunii de
polarizare&
,
.
/
;
f
r

(0.0.
sensibilitatea spectral, care este raportul curentului
fotoelectric /
f
(pentru valoarea stabilit a tensiunii de
polarizare la valoarea intensitii flu'ului incident
de lumin monocromatic cu lungimea de und
(ntr$o gam foarte ngust , H D

&
,

f
/
;
(0.0,
randamentul raportul puterii electrice dezvoltate
de fotodiod pe sarcin ctre flu'ul luminos&
.

s s
. /

(0.03
5aloarea randamentului este determinat de pierderile interne
de energie, care depind, at!t de materialul semiconductor i structura,
c!t i de regimul de funcionare a dispozitivului (sarcina electric,
intensitatea luminii, temperatur etc..
Fotoreceptoarele / fotodiodele i fotorezistoarele / au domenii
foarte vaste de utilizare practic. *plicaiile fotoreceptoarelor pot fi
clasificate n trei grupe&
+ echipament metrologic i traductoare, care au valoarea
semnalului de ieire n dependen proporional de intensitatea
luminii)
+ echipament cu diverse destinaii n care fotoreceptorul
funcioneaz ca o poart electronic cu un prag prestabilit de
sensibilitate)
+ folosirea fotodiodelor pentru conversia energiei solare n energie
electric (celule i baterii solare.
Valeriu Blaj
1!.
Tehnologia circuitelor integrate
!... Dio"e luminiscente
%ac n semiconductor ntr$un careva mod sunt generai
purttori de sarcin, apare posibilitatea recombinrii lor cu emiterea
energiei n form de fotoni. *cest proces este numit luminiscen.
Kna din cele mai simple i eficiente metode de e'citare a
purttorilor de sarcin n semiconductor este formarea unui curent
electric prin Eonciunea p-n, adic inEecia purttorilor minoritari.
Duminiscena stimulat prin curent direct prin Eonciunea p-n este
numit electroluminiscen de injecie.
n aceast situaie n dioda
semiconductoare are loc o
convertizare (transformare direct a
energiei electrice n energie de
lumin. %iodele electroluminiscente,
=ED$urile (Dight (mitting %iodes au
gsit un domeniu foarte vast de
folosire datorit coeficientului nalt de
conversie. n fig.0.-@ este prezentat
schema de montaE al diodei
electroluminiscente.
1rincipiul constructiv impus la confecionarea diodelor
electroluminiscente presupune nu numai o eficien fotonic intern
mare, dar i eficien nalt la ieirea luminii. (miterea luminii din
cristal poate fi efectuat prin suprafaa de deasupra Eonciunii sau
prin suprafaa lateral. %eoarece lumina este format n zona
Eonciunii p-n, o parte din ea este absorbit n volumul cristalului
transform!ndu$se n cldur. " parte din lumin este reflectat de la
suprafaa e'terioar a cristalului. %eoarece indicele de refracie a
maEoritii materialelor semiconductoare este mare, la valori mari ale
unghiului de inciden are loc reflecia intern total. 1entru fosfura
Valeriu Blaj
-0+
Fig.0.-@. Schema de
montaE al diodei
luminiscente
R
S
E
LE
D
H
CIRCUITE INTERATE
i arsenura de galiu unghiul de reflecie intern total are valorile
respective de -0,<
2
i -?,0
2
.
1entru reducerea refle'iei totale interne n diodele
luminiscente sunt folosite pelicule antireflectante cu un indice de
refracie egal cu indicele de refracie al materialului semiconductor.
(ficiena de emisie a diodei poate fi mbuntit prin reducerea
pierderilor de refle'ie intern total dac suprafaa de emisie a diodei
luminiscente are form unei emisfere sau a unei sfere secionate (vezi
fig.0.-+. Structura n form de sfer secionat introduce
suplimentar i un efect de focalizare a flu'ului luminos emis.
1oziia ma'imumului pe caracteristica spectral de emisie este
determinat de limea benzii interzise a materialului semiconductor
i de energia de ionizare a impuritilor care implicate n procesul de
recombinare luminiscente. Antensitatea luminiscenei este
proporional densitii curentului electric care circul prin
Eonciunea p-n. *lt moment important este lungimea de und la care
are loc emisia D(%$ului n comparaie cu sensibilitatea ochiului
uman care este ma'im pentru lumina verde (92,33 m. Spre
e'emplu, pentru lumina roie (2,<2 m sensibilitatea ochiului
uman scade apro'imativ de .2 ori fa de sensibilitatea n ma'imum.
Valeriu Blaj
1/(
p
n
*
:
a
*
:
p
n
b
Fig.0.-+. Structura diodei luminiscente cu emisie prin&
a emisfer) b sfer secionat
Tehnologia circuitelor integrate
n aa mod se e'plic o intensitate mai mare a luminii emise de D(%$
urile TverziU n comparaie cu diodele cu luminiscen roie cu toate
c eficiena de emisie intern este mai mic.
Duminiscena D(%$urilor poate fi monocromatic i, prin
urmare, poate fi modulat cu semnal (mesaE de nalt frecven. n
regim nominal comutarea D(%$urilor poate fi efectuat n timpi de
ordinul -2
<
-2
+
secunde. *cest efect este folosit pe larg pentru
transmiterea informaiei (telecomunicaii, transmisiuni de date etc.
prin linii de transmisiune cu fibr optic. *lt utilizare larg
rsp!ndit a diodelor luminiscente sunt elementele de indicaie (spre
e'emplu, cu < segmente.
Kn domeniu aparte este fabricarea optocuploarelor.
"ptocuploarele sunt dispozitive optoelectronice formate dintr$o surs
de lumin i un fotoreceptor, montate ntr$o capsul i alese cu
eficiena ma'im la aceeai lungime de und. Simbolul
optocuplorului este prezentat n figura 0.02. n calitate de surs de
lumin pot fi folosite& becul electric, D(%$ul sau laserul
semiconductor. n calitate de fotoreceptor pot fi folosite&
fotorezistorul, fotodioda, fototranzistorul, fototiristorul.
"ptocuploarele sunt folosite pentru separarea galvanic ntre diverse
circuite electronice. %e e'emplu pentru separarea galvanic ntre
circuitul de comand i circuitul de for n sisteme metrologice,
echipamente de automatic, electronic de putere, echipament
medical electronic, telecomunicaii etc.
Valeriu Blaj
-.-
Fig.0.02. Simbolul
optocuplorului
CIRCUITE INTERATE
1.*. TRAN<ISTOARE -I+O=ARE
%ranzistor&l este un dispozitiv semiconductor cu cel puin trei
terminale capabil s amplifice puterea semnalelor electrice, la baza
funcionrii crui se afl comanda flu(ului de purttori de sarcin 3n
cristalul semiconductor' 1roprietile de amplificare ale
tranzistorului se e'plic prin prezena a dou circuite de intrare i
de ieire i posibilitii de comand a curentului n circuitul de
ieire. n funcie de principiul de funcionare i structur sunt
cunoscute c!teva tipuri de tranzistoare n funcie de categoria
flu'ului de purttori de sarcin tranzistoarele pot fi clasificate n
dou categorii&
O bipolare (tranzistoare cu injecia purttorilor de sarcin,
O &nipolare (tranzistoare cu efect de cEmp.
/.1. Structura 5i 0rinci0iul "e 4unc1ionare a tran6istorului
9i0olar
Se numesc bipolare tranzistoarele n care flu'ul de purttori de
sarcin este format simultan din dou tipuri de purttori de sarcin
(goluri i electroni. 8ranzistorul bipolar este elaborat de fizicianul
american SchoJleY. (l poate realiza, at!t funciile de amplificare, c!t
i funciile de poart electronic. 1rin urmare, este un element
universal al circuitelor electronice. 1rincipiul de funcionare a
tranzistorului bipolar se bazeaz pe fenomenul de inEecie a
purttorilor de sarcin prin Eonciunea p-n. %ac se aplic un mic
semnal electric ntre emitor i baz, atunci n circuitul colectorului,
de pe o rezisten de sarcin de sarcin mare se culege un semnal un
semnal electric mult amplificat. %enumirea de tranzistor provine din
reunirea cuvintelor din limba englez TBA$sfer re8/;TFB, care
indic proprietatea principal a dispozitivului, adic transformarea de
la o rezisten mic a Eonciunii emitorului la o rezisten foarte mare
a Eonciunii colectorului.
Valeriu Blaj
1/!
Tehnologia circuitelor integrate
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor format
3ntr-un cristal semiconductor cu structura format din trei domenii
de conductivitate consecutiv diferit divizate prin dou
jonciuni p-n.
n funcie de ordinea alternrii tipurilor de conductivitate
deosebesc dou tipuri de tranzistoare bipolare& pnp i npn.
Structura i simbolurile grafice ale tranzistoarelor bipolare sunt
prezentate n fig...-. n ambele tipuri de tranzistoare principiul de
funcionare este analogic. %e la un tip la altul se schimb n invers
tipul purttorilor de sarcin, care traverseaz baza, polaritatea
tensiunilor de polarizare i sensul curenilor. %in aceste motive n
continuare ne vom opri numai la analiza funcionrii unui tip de
tranzistoare / pnp. n calitate de material semiconductor pentru
fabricarea tranzistoarelor mai frecvent este folosit Ge sau Si.
1rimele tranzistoare se fabricau prin
metoda de aliere. S analizm procedura de
fabricare a tranzistorului de tip pnp (vezi
fig...0. 1lacheta de Si de conductibilitate
electronic este baza structurii
tranzistorului i de aici provine denumirea
domeniului i terminalului respectiv /
baz. 1rin procedura de difuzie sunt
formate domeniile e'terne cu
conductibilitate lacunar& emitorul i
colectorul. n acelai sunt numite i
Eonciunile p-n respective.
Funcia emitorului este injecia
purttorilor de sarcin n baz, iar funcia colectorului / e(tragerea
Valeriu Blaj
-..
Fig...-. Structura (a, c i simbolurile grafice(b, d
ale tranzistoarelor bipolare
ZP[\]^_`ab c_d`ePQc\_\f& p?n?p (a, b P n?p?n (c, d
a
n p
E C
p
- c
p n
E C
n
-
b
E C
-
d
E C
-
n
p
p
Fig...0. Structura
tranzistorului
Si$aliat
E C
-
CIRCUITE INTERATE
(colectarea purttorilor de sarcin din baz. 1entru ca colectorul s$
i realizeze efectiv funcia el este confecionat cu o arie ma'im
posibil.
%istribuia concentraiei purttorilor de sarcin i a
potenialelor n structura tranzistorului p-n-p sunt prezentate n figura
.... 6oncentraiile purttorilor de sarcin n emitor i colector nu se
deosebesc esenial, ns ele se deosebesc cardinal de concentraia
electronilor n baz. Kltimul fapt afecteaz ntr$un mod important
parametrii tranzistorului.
6oncentraia
purttorilor maEoritari
n baz trebuie s fie
mult mai mic ca
concentraia
purttorilor maEoritari
n emitor n
n
IIp
p
.
*ceast situaie se
realizeaz prin alegerea
unui material
semiconductor cu
rezisten specific
mare ca material iniial
al bazei.
n absena
polarizrii la
suprafeele de separaie
ale Eonciunilor se
formeaz domenii de
sarcin spaial, c!mp
electric intern.
S analizm
procesele fizice, care
vor avea loc n structura tranzistorului la polarizarea tranzistorului
dup cum este prezentat n fig...,. =ai frecvent Eonciunea
Valeriu Blaj
1/3
E
int
.
d
Fig..... 8ranzistorul p-n-p&
a structura, b profilul concentraiei
purttorilor maEoritari,
c profilul potenialelor
p
p
E
C
: :
: :
: :




k
c
E
int
.




: :
: :
: :
-
n
p
n
p
p
n
n
n
p
b
n, p
(
p
p
n
p

k
Tehnologia circuitelor integrate
emitorului este polarizat direct, iar Eonciunea colectorului / invers,
fapt, care este format de sursele de polarizare .
(
i .
6
.
%eoarece Eonciunea emitorului este polarizat direct bariera de
potenial pentru goluri se micoreaz i, prin procedura de difuzie,
golurile sunt inEectate n baz, form!nd curentul emitorului prin
goluri (/
(p
. n mod analog crete flu'ul electronilor din baz n
emitor, form!nd curentul emitorului prin electroni (/
(n
. 1rin urmare&
/
(
= /
(p
+ /
(n
. (..-
=aEoritatea golurilor aEunge la Eonciunea colectorului form!nd
curentul colectorului prin goluri /
6p
. 6omponenta electronic a
curentului /
(n
este format de flu'ul de electroni din baz spre
colector i se nchide prin sursa de polarizare .
(
i este inutil pentru
formarea curentului colectorului /
6p
.
Kn indice important de calitate a funcionrii Eonciunii
emitorului este factorul de injecie , care reprezint ponderea
componentei lacunare n curentul emitorului&
,
En Ep
Ep
E
Ep
/ /
/
/
/
+

(..0
1entru mbuntirea parametrilor tranzistorului este necesar ca
/
(p
;;/
(n
, fapt care realizat prin raportul respectiv al concentraiilor
purttorilor de sarcin maEoritari n emitor i baz.
Golurile inEectate n baz formeaz o concentraie e'cesiv n
apropierea emitorului. *cest fapt cauzeaz apariia unui flu'
difuzional de goluri spre colector. 1rezena simultan a golirilor
inEectate i a electronilor (ca purttori maEoritari n baz aduce la
recombinarea unei pri din totalul de goluri inEectate. 1rin urmare,
nu toate golurile aEung p!n la Eonciunea colectorului. 6oncentraia
electronilor n baz este completat prin electronii furnizai prin
circuitul sursei de polarizare, care formeaz curentul bazei /
#p
. 1rin
urmare, pentru componentele lacunare ale curenilor n tranzistor&
/
(p
= /
6p
+ /
#p
. (...
(fectul procesului de recombinare asupra parametrilor de
amplificare ai tranzistorului este reprezentat de factorul de transfer
Valeriu Blaj
-.3
CIRCUITE INTERATE
al purttorilor de sarcin 3n baz , care reprezint ponderea
golurilor care aEung la Eonciunea colectorului n toat cantitatea de
goluri inEectate n baz&
.
Ep
&p
/
/

(..,
1entru a
mbunti
parametrii de
calitate ai
tranzistorului
este necesar ca
s fie c!t mai
aproape de
unitate. 6u
acest scop se
mic4oreaz
grosimea bazei
i se mre4te
viteza de
trecere a
purttorilor de
sarcin prin
baz.
Valeriu Blaj
1/&

6
9
k
H .
6
Fig...,. 8ranzistorul p-n-p n regim activ
direct& a structura i curenii,
b profilul potenialelor
a
E
C
-
p p n
/
(p
/
(n
/
6p
/
#p
/
62
+ .
(

+ .
6

(

(
9
k
.
(
Tehnologia circuitelor integrate
Nelaia ntre curentul colectorului /
6p
i curentul emitorului /
(
este reprezentat prin raportul lor, care se numete factor de transfer
al curentului&
.
E
&p
/
/

(..3
n modul urmtor&

,
A A
A A
A A
A A
A
A
( (p
(p 6p
(p (
(p 6p
(
6p


(..?
gsim relaia ntre parametrii prezentai mai sus.
1rin Eonciunea colectorului polarizat direct va mai circula i
curentul su invers /
62
. *ceast component a curentului colectorului
este format de curentul de deriv al purttorilor minoritari din zona
limitrof Eonciunii p-n. %eoarece concentraia purttorilor minoritari
(intrinseci este proporional ptratului temperaturii absolute i
valoarea curentului colectorului apro'imativ n acelai mod depinde
de temperatur, fapt care e'plic denumirea acestui curent / curent
termic.
8otaliz!nd e'punerea funcionrii tranzistorului bipolar, putem
spune& principiul de funcionare al tranzistorului bipolar const 3n
formarea flu(ului de purttori de sarcin din emitor spre colector
prin baz 4i comanda curentului colectorului prin varierea
curentului emitorului. 1rin urmare, tranzistorul bipolar este
comandat 'n c&rent.
Nelaiile principale ale curenilor tranzistorului sunt&
/
(
= /
6
+ /
#
, (..<
/
6
= /
(
+ /
62
, (..@
/
#
= /
(
/
6
= /
(
/
(
/
62
= /
(
(- ! /
62
. (..+
n funcie de polaritatea tensiunilor de polarizare a Eonciunilor
sunt posibile patru regimuri de funcionare a tranzistorului&
Valeriu Blaj
-.<
CIRCUITE INTERATE
O regim activ direct&
+ Eonciunea emitorului este polarizat direct, .
(
;2,
+ iar Eonciunea colectorului invers, .
6
I2.
Negimul activ direct este cel mai des folosit, ndeosebi n
circuitele electronice liniare, unde tranzistorul funcioneaz
ca dispozitiv de amplificare.
O regim de tiere (tranzistorul este blocat&
+ Eonciunea emitorului este polarizat invers, .
(
I2,
+ i Eonciunea colectorului invers, .
6
I2.
O regim de saturaie (tranzistorul este n conducie saturat&
+ Eonciunea emitorului este polarizat direct, .
(
;2,
+ i Eonciunea colectorului direct, .
6
;2.
Negimul de tiere i regimul de saturaie sunt folosite
mpreun c!nd tranzistorul este folosit ca poart electronic
(releu. *ceste regimuri sunt folosite n circuite neliniare n
tehnica cu impulsuri, tehnica digital i electronica de
putere.
O regim activ invers
+ Eonciunea emitorului este polarizat invers, .
(
I2,
+ iar Eonciunea colectorului direct, .
6
;2.
Negimul activ invers ca atare nu este folosit.
Negimurile de funcionare a
tranzistorului bipolar pot fi prezentate pe
caracteristica de transfer a tranzistorului,
spre e'emplu, n montaE (6 (vezi fig...3.
Negimului activ direct i corespunde
poriunea liniar (- a caracteristicii de
transfer. n regim de tiere curentul de ieire
(/
6
al tranzistorului este aproape de zero
(poriunea 0 a caracteristicii, iar n regim de
saturaie curentul de ieire atinge valoarea
ma'im posibil i nu mai depinde de
valoarea curentului de intrare (poriunea ..
Valeriu Blaj
1/.
Fig...3. 6aracteristica
de transfer a
tranzistorului bipolar
n montaE (6
/
#
/
6
- 0 .
Tehnologia circuitelor integrate
/.!. Cone@iunile a tran6istorului 9i0olar
%eoarece tranzistorul are trei terminale / emitor, baz i colector / n montaE
de cuadripol un terminal este terminal de intrare, unul de ieire, iar al treilea este
comun pentru circuitul de intrare i circuitul de ieire. %eoarece pentru amplificare
baza trebuie s fie inclus n circuitul de intrare, iar colectorul / n circuitul de
ieire, sunt posibile trei variante de montaE al tranzistorului& baz comun (#6,
emitor comun ((6 i colector comun (66 (vezi fig...?.

Valeriu Blaj
-.+
Fig...?. 6one'iunile
tranzistorului bipolar&
a -C, b EC, c CC
V
T
b
/
#
.
#(
+
+.
6(

/
6
/
(
R
s
.
int'
a
/
(
+ .
(#
+.
6#

/
6
/
#
R
s
.
int'

V
T
V
T
c
/
#
+.
#6

.
(6
+
/
(
/
6
R
s
.
int'
CIRCUITE INTERATE
/.!.1. Cone@iune 9a6 comun
n montaE baz comun (#6 curentul de intrare al este curentul emitorului
/
int.
9/
(
, iar curentul de ieire este curentul colectorului /
ie.
9/
6
(vezi fig...?.d. n
circuitul de intrare n serie cu sursa de polarizare .
(#
este conectat sursa de
semnal .
int
, iar n circuitul de ieire / sarcina R
s
. %ac sub aciunea semnalului de
intrare n circuitul de intrare se va modifica valoarea tensiunii, se va modifica
corespunztor i valoarea curentului de intrare cu /
int.
9/
(
. *ceast variaie va
provoca o variaie respectiv a curentului de ieire cu /
ie.
9/
6
&
/
(
+/
(
= /
6
+/
6
+/
#
+/
#
. (..-2
6el mai important parametru responsabil de proprietile de amplificare a
tranzistorului, indiferent de cone'iune, este factorul de amplificare a curentului
(factor de transfer a curentului. n montaEul -C la regim de scurt circuit n
circuitul de intrare pentru semnal variabil acest factor este determinat ca raportul
variaiilor curenilor (curentului de ieire ctre cea a curentului de ieire&
.
const K
A
A
A
A
6#
(
6
. int
. ie


(..--
*cest factor pentru tranzistorul planar are valori n domeniul
2,+32,++.
%eoarece curentul emitorului /
(
este cel mai mare curent din tranzistor, n
montaEul #6 tranzistorul are cea mai mic impedan de intrare. 1ractic ea este
determinat de impedana Eonciunii emitorului. 5aloarea mic a impedanei de
intrare (uniti sau zeci
de este un dezavantaE important al montaEului -C, deoarece formeaz efect de
untare n circuitele cu multe etaEe i n acest mod este brusc micorat
amplificarea etaEului n tensiune i putere.
Valeriu Blaj
13(
Tehnologia circuitelor integrate
/.!.!. Cone@iune emitor comun
6urent de intrare n montaE EC este curentul bazei /
int.
9/
#
, iar curent de ieire
este curentul colectorului /
ie.
9/
6
(vezi fig....?.b. n circuitul de intrare n serie cu
sursa de polarizare .
#(
este conectat sursa de semnal .
int'
, iar n circuitul de ieire
este conectat sarcina R
s
. %ac sub aciunea semnalului de intrare tensiunea n
circuitul de intrare se va modifica i, prin urmare, se va modifica curentul de
intrare cu o valoare /
int.
9/
#
. *cest fapt va provoca o variaie a curentului de
ieire cu o valoare de /
ie.
9/
6
. Factorul de transfer a curentului n montaE EC este
determinat n modul urmtor&
.
const K
A
A
A
A
6(
#
6
. int
. ie


(..-0
S gsim relaia ntre factorii i &
.
-

E
&
E
E
E
&
& E
&
"
&
/
/
/
/
/
/
/ /
/
/
/
(..-.
1entru 2,+@, gsim 32. 1rin urmare, n montaE EC putem cpta
un factor de transfer a curentului cu valori de ordinul c!torva zeci sau
mai mare. Ampedana de intrare a montaEului EC este mult mai mare
n comparaie cu montaEul -C. *cest fapt rezult din relaia&
.
A
K
A
K
(
. int
#
. int

>>

(..-,
Ampedana de ieire a montaEului EC are valori de ordinul .2,2 J. *lt
moment caracteristic montaEului EC este posibilitatea polarizrii n comun a
ambelor Eonciuni, deoarece i pe baz i pe colector se aplic aceeai polaritate a
sursei de polarizare. Stabilitatea termic a montaEului EC este mai proast ca a
montaEului -C.
Valeriu Blaj
-,-
CIRCUITE INTERATE
/.!./. Cone@iune colector comun
6urent de intrare n montaE CC este curentul bazei /
int.
9/
#
, iar curent de ieire
este curentul emitorului /
ie.
9/
(
(vezi fig....?.c. Factorul de transfer a curentului n
montaE CC este determinat n modul urmtor&
.
const K
A
A
A
A
(#
#
(
. int
. ie
6


(..-3
S gsim relaia ntre factorii i
g
&
.
-
-

E
&
E
E
E
E
& E
E
"
E
&
/
/
/
/
/
/
/ /
/
/
/
(..-?
n montaE CC factorul de transfer al curentului este mai mare i, prin urmare,
impedana de intrare tot este mare (apro'imativ ca n montaEul EC. %eci
caracteristicile circuitului cu montaE CC sunt analogice cu caracteristicile
circuitului cu montaE EC, deoarece factorul de amplificare i relaiile ntre curenii
de ieire i intrare n ambele montaEe sunt aproape identice. ns, spre deosebire de
alte cone'iuni, montaEul CC nu prezint amplificare n tensiune, deoarece
impedana de ieire este foarte mic. *cest montaE este folosit preponderent pentru
amplificarea puterii (curentului i pentru acordarea (n impedan ntre diferite
etaEe de amplificare sau ntre ieirea amplificatorului i sarcina cu rezisten mic.
Valeriu Blaj
13!
Tehnologia circuitelor integrate
/./. Caracteristicile statice ale tran6istorului 9i0olar
&aracteristicile statice ale tranzistorului bipolar reprezint
dependena curenilor de tensiuni la intrare sau la ieire. 1rin urmare,
deosebim caracteristici de intrare i de ieire. 6aracteristicile de
intrare sunt determinate pentru anumit regim permanent n circuitul
de ieire, cele de ieire / pentru un regim permanent n circuitul de
intrare. %in acest motiv caracteristicile de intrare sunt mai multe i
formeaz familia caracteristicilor de intrare. n acelai mod se
definete familia caracteristicilor de ieire. n cataloage gsim
caracteristici statice pentru montaEul -C i EC. =ontaEul CC este
analizat ca un caz particular al montaEului EC i, n acest caz, la
calcule se folosesc caracteristicile statice pentru montaEul EC.
/.!.3. Caracteristicile statice 7n monta8 -C
6aracteristicile de intrare pentru montaEul -C reprezint
dependena curentului de intrare de tensiunea de intrare pentru regim
permanent n circuitul de ieire&
( ) .
const .
. f /
&"
E" E

%eoarece
tensiunea n circuitul de ieire poate cpta diferite valori (dar
constante pentru fiecare caracteristic, cptm o mulime de
caracteristici, care formeaz familia caracteristicilor de intrare
6aracteristicile de intrare n montaE -C sunt analogice caracteristicii
statice a Eonciunii p-n polarizat direct, deoarece n circuitul de
intrare este conectat Eonciunea emitorului polarizat direct.
5aloarea curentului emitorului depinde slab de tensiunea .
6#
,
deoarece aceast tensiune cade preponderent pe Eonciunea
colectorului i nu afecteaz esenial trecerea purttorilor de sarcin
prin Eonciunea emitorului. ns la creterea tensiunii inverse pe
Eonciunea colectorului crete intensitatea c!mpului electric n
Eonciunea i se mbuntete e'tracia purttorilor de sarcin din
baz. 1rin urmare, crete diferena concentraiilor golurilor n emitor
i baz i n aa mod crete curentul de difuziune al emitorului.
Valeriu Blaj
-,.
CIRCUITE INTERATE
6aracteristicile statice de intrare ale tranzistorului bipolar n montaEul
-C sunt prezentate n fig...<.
6aracteristicile statice de ieire ale tranzistorului bipolar n
montaE -C reprezint dependena curentului de ieire de tensiunea n
circuitul de ieire pentru regim permanent n circuitul de intrare
( )
const /
. f /
E
&" &

i sunt prezentate n fig...@. 6u toate c at!t


curenii, c!t i tensiunile de ieire au valori negative, caracteristicile
de ieire, de regul, sunt prezentate n coordonate pozitive.
%eoarece caracteristicile de ieire sunt determinate de
Eonciunea colectorului, ele sunt identice caracteristicilor statice ale
Eonciunii p-n polarizate invers. 6aracteristicile de ieire au forma
unor drepte cu o pant foarte mic deoarece n montaE -C valoarea
curentului colectorului este determinat de valoarea curentului
emitorului i depinde slab de tensiunea pe colector. 6hiar i n cazul
c!nd .
6#
92 are loc e'tracia purttorilor de sarcin de Eonciunea
colectorului i curentul colectorului poate avea valori importante
determinate de curentul emitorului. 6!nd se schimb polaritatea
tensiunii .
6#
, curentul colectorului scade brusc p!n la zero i crete
n sens opus, care corespunde polarizrii directe a Eonciunii p-n.
1oriunile discontinue ale caracteristicilor de ieire, de regul, nu se
folosete i n cataloage nu se prezint.
Valeriu Blaj
133
.
(#
Fig...<. 6aracteristicile
statice de intrare ale
tranzistorului bipolar n
montaE -C
.
6#
93 5
.
6#
92
/
(
/
EG
/
(0
/
(-
.
6#
Fig...@. 6aracteristicile statice de
ieire ale tranzistorului bipolar n
montaE -C&
/
(-
I/
(0
I/
(.
/
6
Tehnologia circuitelor integrate
/.!.*. Caracteristicile statice 7n monta8 EC
n acest montaE caracteristicile statice de intrare reprezint
dependena curentului de intrare de tensiunea de intrare pentru regim
permanent n circuitul de ieire&
( )
const .
. f /
&E
"E "

.
6aracteristicile de intrare n montaE EC sunt analogice caracteristicii
statice a Eonciunii p-n polarizat direct. Da creterea tensiunii .
6(
crete intensitatea c!mpului electric n Eonciunea colectorului i se
mbuntete e'tracia purttorilor de sarcin din baz. 1rin urmare,
se micoreaz concentraia golurilor n baz. n aa mod scade
probabilitatea recombinrii golurilor cu electronii n baz. *cest fapt
provoac micorarea curentului bazei. 6aracteristicile statice de
intrare ale tranzistorului bipolar n montaEul EC sunt prezentate n
fig...+.
6aracteristicile statice de ieire ale tranzistorului bipolar n
montaE EC reprezint dependena curentului de ieire de tensiunea n
circuitul de ieire pentru regim permanent n circuitul de intrare
( )
const /
. f /
"
&E &

i sunt prezentate n fig...-2.


Valeriu Blaj
-,3
.
#(
Fig...+. 6aracteristicile
statice de intrare ale
tranzistorului bipolar n
montaE EC
.
6(
93 5
.
6(
92
/
#
I I
I
I
I
A
/
#.
/
#0
/
#-
.
6(
Fig...-2. 6aracteristicile statice de
ieire ale tranzistorului bipolar n
montaE EC&
/
#-
I/
#0
I/
#.
/
6
CIRCUITE INTERATE
"bservm c dependena curent$tensiune are caracter diferit n
cele trei domenii (A, AA i AAA. 1entru a e'plica caracteristicile statice
de ieire vom analiza montaEul EC n modul prezentat n fig. ..--.
%eoarece .
6(
i .
#(
sunt aplicate pe
Eonciunea colectorului n serie cu polariti
opuse, polarizarea colectorului depinde de
raportul ntre valorile acestor tensiuni. n
montaE EC tensiunea pe Eonciunea
colectorului este diferena tensiunilor de
polarizare& .
6(
.
#(
. 1rin urmare, la valori
mici ale tensiunii .
6(
, "E &E
. . <
,
Eonciunea colectorului este polarizat
direct i dependena curent/tensiune este
e'ponenial (domeniul A. Da valori mai
mari ale tensiunii .
6(
.
6(
;.
#(

(domeniul AA Eonciunea colectorului este
polarizat invers. 6aracteristicile de ieire n acest domeniu sunt
analogie cu caracteristica Eonciunii polarizat direct. 1anta
caracteristicilor n acest domeniu scade brusc i dependena
curentului de tensiune este foarte slab i valoarea curentului
colectorului A
6
este determinat de nivelul de inEecie a golurilor din
emitor n baz, adic de valoarea curentului de intrare A
#
. Da tensiuni
mai mari, n domeniul AAA se ncepe strpungerea Eonciunii
colectorului.
1oziia fiecrei caracteristicii n familia caracteristicilor de ieire depinde de
valoarea curentului respectiv al bazei.
Valeriu Blaj
13&
-
E
C
Fig...--. =ontaE EC
n

.
#(
+
p
p

.
6(
+
Tehnologia circuitelor integrate
/.3. Circuite echi#alente cu 0arametri naturali
1rezentarea tranzistorului printr$un circuit echivalent este necesar pentru
efectuarea calculelor n circuitele dotate cu tranzistoare. Ktilizarea circuitelor
(schemelor echivalente prezint un mod comod i ilustrativ de analiz a influenei
caracteristicilor i parametrilor tranzistorului asupra circuitului n ansamblu.
S analizm circuitele echivalente simplificate ale tranzistorului bipolar n
montaE -C i EC, prezentate n fig...-0. *ceste scheme reprezint suficient de
bine structura tranzistorului i includ parametrii care au sens fizic. %in acest motiv
aceste scheme se numesc circuite ecAivalente cu parametri naturali.
1arametrii principali necesari pentru formarea circuitului echivalent al
tranzistorului bipolar sunt&
+ Bezistena diferenial a emitorului jonciunii emitorului!
.
const u
di
du
r
&"
E
E"
E

(..-<
Nezistena diferenial a Eonciunii emitorului
polarizat direct (de regul are valori de ordinul c!torva
"hmi.
+ Bezistena diferenial a colectorului jonciunii
colectorului!
.
const i
di
du
r
E
&
&"
&

(..-@
Valeriu Blaj
-,<
Fig...-0. Scheme echivalente cu parametrii naturali ale tranzistorului
bipolar n montaE -C (a i EC (b
i
#
i
6
i
#
i
(
r
6
r
#
r
(
E
B
C
u
(#
a
u
6#
i
#
i
6
i
(
i
#
r
6
r
(
r
#
-
E
C
u
#(
b
u
6(
CIRCUITE INTERATE
Nezistena diferenial a Eonciunii colectorului
polarizat invers (de regul are valori de ordinul c!torva
zeci sau sute Jilo"hmi.
+ Bezistena volumic a bazei r
#
. Spre deosebire de ali
parametri, rezistena bazei trebuie calculat nu n cadrul unui
model monodimensional, dar reieind din structura real a
tranzistorului, deoarece curentul bazei circul perpendicular
flu'ului golurilor, i, prin urmare, este necesar s fie inut
cont configuraia real a bazei, at!t n domeniul su activ, c!t
i n cel pasiv. %omeniul bazei este format din material
semiconductor cu nivel de dopare Eos. %in acest motiv
rezistena bazei are valori de circa c!torva sute de "hmi.
+ Heneratoarele ecAivalente de curent i
#
i i
#
in cont de
componenta a curentului emitorului de tranzit prin baz. (le
reprezint efectul curentului de intrare asupra valorii
curentului de ieire. *cest fapt permite prezentarea n
circuitul echivalent a condiiilor reale de funcionare a
tranzistorului i, prin urmare, reprezint proprietile de
amplificare ale tranzistorului. %ac de acest efect nu se va
ine cont, atuci, deoarece r
6
;;r
(
i r
6
;;r
#
, circuitul nu va
reprezenta situaia real.
+ =actorul dinamic de transfer a curentului emitorului n
montaE -C este definit n modul urmtor&
.
const u
di
di
&"
E
&


(..-+
+ =actorul dinamic de transfer a curentului bazei n montaE
EC este definit n modul urmtor&
.
const u
di
di
&E
"
&


(..02
Valeriu Blaj
13.
Tehnologia circuitelor integrate
/.*. Tran6istorul ca cua"ri0ol acti#.
+arametrii hi9ri6i ai tran6istorului.
1arametrii naturali ai tranzistorului implicai n schema echivalent n TTU ar
putea fi calculai folosind dimensiunile i caracteristicile electrofizice ale
domeniilor tranzistorului. ns determinarea lor prin msurare direct este
imposibil. %in acest motiv n practic este folosit modelul n care tranzistorul este
considerat un cuadripol. n acest model parametrii pot fi determinai prin msurri
directe.
%ac la intrarea tranzistorului nu se aplic semnal, el este element pasiv.
8ranzistorul este n circuitul electric un element comandat. 1rin urmare, dac la
intrare se aplic tensiune variabil, tranzistorul devine dispozitiv activ, care
formeaz semnal pe sarcina montat n circuitul de ieire. n regim de amplificator
pe intrarea tranzistorului se aplic tensiune variabil, deci tranzistorul este
cuadripol activ. Nelaiile ntre componentele variabile ale curenilor i tensiunilor,
n acest caz, sunt determinate de parametrii difereniali (dinamici ai tranzistorului,
care pot fi considerai invariabili pentru semnale de intrare de valori mici. %in
aceste considerente pentru semnal mic tranzistorul este tratat ca un cuadripol liniar
activ (vezi fig...-.. 1arametrii de semnal mic depind de tensiunile de polarizare,
deci de poziia punctului de funcionare al
tranzistorului.
=rimile variabile i
-
, i
0
, u
-
, u
0
care caracterizeaz
tranzistorul sunt legate reciproc. %ac dou din ele sunt
date, altele dou vor fi determinate univoc din
caracteristicile statice sau prin parametrii tranzistorului.
6oeficienii n ecuaiile cuadripolului reprezint
relaiile ntre tensiunile i curenii din etaEul
tranzistorului. 5ariabile independente pot fi oricare
dou din cele patru mrimi, iar altele dou se vor reprezenta ca funcii de aceste
argumente. 1entru tranzistorul bipolar mai bine corespunde sistema de parametri
hibrizi. n calitate de variabile sunt alese variaiile curentului de intrare /
-
i
tensiunii de ieire .
0
, iar variaiile tensiunii de intrare .
-
i curentului de ieire
/
0
sunt determinate din sistema de ecuaii&
.
-
9A
--
/
-
HA
-0
.
0
, (..0-
/
0
9A
0-
/
-
HA
00
.
0
. (..00
1arametrii A
--
, A
-0
, A
0-
, A
00
din sistema de ecuaii
(..0-$(..00 sunt parametri Aibrizi ai tranzistorului i sunt
determinai dup cum urmeaz&
+ /mpedana de intrare a tranzistorului&
Valeriu Blaj
-,+
T
Fig...-.. 8ranzistorul
cuadripol activ
u
-
u
0
i
-
i
0
CIRCUITE INTERATE
.
2
0
0
-
-
--

.
const .
/
.
A
(..0.
*cest parametru este msurat practic n regim de scurt
circuit pentru curent variabil la ieirea cuadripolului.
+ =actor de reacie 3n tensiune&
.
2
-
-
0
-
-0

/
const /
.
.
A
(..0,
*cest parametru este msurat practic n regim de mers n gol
pentru curent variabil la intrarea cuadripolului.
+ =actor dinamic de transfer direct al curentului&
.
2
0
0
-
0
0-

.
const .
/
/
A
(..03
*cest parametru este msurat practic n regim de scurt
circuit pentru curent variabil la ieirea cuadripolului.
+ /mpedana de ie4ire a tranzistorului&
.
2
-
-
0
0
00

/
const /
.
/
A
(..0?
*cest parametru este msurat practic n regim de mers n gol
pentru curent variabil la intrarea cuadripolului.
Spre deosebire de alte sisteme de parametri (spre e'emplu, z-
sau I$, parametrii hibrizi presupun implicit impedane diferite (la
intrarea i ieirea cuadripolului. 1rin urmare, n cazul tranzistoarelor
Valeriu Blaj
1*(
Tehnologia circuitelor integrate
bipolare cu impedan mic la intrare i impedan mare la ieire
folosirea sistemului de parametri hibrizi d rezultate mult mai bune,
precizie mult mai nalt la msurarea parametrilor tranzistorului,
ndeosebi la Eoase frecvene, deoarece regimurile necesare la
msurare& mers n gol la intrare i scurt circuit la ieire) sunt uor
realizabile. %in aceste considerente n cataloage pentru tranzistoarele
bipolare sunt prezentai anume parametrii hibrizi. %ezavantaEul
acestui sistem de parametri l constituie nivelul nalt de sofisticare al
e'presiilor analitice folosite n calcule.
/.&. Rela1iile 7ntre 0arametrii naturali 5i cei hi9ri6i
Folosind circuitele echivalente cu parametri naturali ale
tranzistorului bipolar (vezi fig...-0 s gsim conform definiiilor
parametrii hibrizi ai tranzistorului n montaE -C i EC. cu acest scop
vom nlocui componentele variabile ale mrimilor cu variaiile
respective.
/.&.1. Monta8 -C
/
-
i
(
) /
0
i
6
) .
-
u
(#
) .
0
u
6#
) i
#
9 i
(
(-) (..0<
( )
.
2 2
-
0
-
-
--
E
" E E E
E
" " E E
E
E"
i
r i r i
i
r i r i
u
i
u
.
/
.
A
&"
+

1rin urmare&
( ). -
--
+
" E
r r A
(..0@
.
2 2
-
0
-
-0
& & " "
" "
&"
E"
r i r i
r i
i
u
u
/
.
.
A
E
+

(..0+
%eoarece i
(
92, prin urmare, i
#
9i
6
, i n acest caz e'presia
(..0+ se poate scrie&
Valeriu Blaj
-3-
CIRCUITE INTERATE
.
-0
& "
"
& & " &
" &
r r
r
r i r i
r i
A
+

(...2
Be amintim c r
#
IIr
6
, i, prin urmare, r
#
n e'presia (...2
poate fi negliEat. n aa mod pentru A
-0
obinem&
.
-0
&
"
r
r
A
(...2d
.
2 2
0
-
0
0-

&"
u
i
i
.
/
/
A
E
&
(...-
.
2 2
-
0
0
00
& & " "
&
&"
&
r i r i
i
i
u
i
/
.
/
A
E
+

(...0
%eoarece i
(
92, prin urmare, i
#
9i
6
, i n acest caz e'presia
(...0 se poate scrie&
.
-
00
& " & & " &
&
r r r i r i
i
A
+

(....
Be amintim c r
#
IIr
6
, i, prin urmare, r
#
n e'presia (....
poate fi negliEat. n aa mod pentru A
00
obinem&
.
-
00
&
r
A
(....d
*cum putem e'prima parametrii naturali ai tranzistorului prin
parametrii si hibrizi&
=A
0-
, (...,
,
-0
-
A
r
&

(...3
,
00
-0
A
A
r
"

(...?
Valeriu Blaj
1*!
Tehnologia circuitelor integrate
.
0-
00
-0
--
- ( A
A
A
A r
E

(...<
/.&.!. Monta8 EC
/
-
i
#
) /
0
i
6
) .
-
u
#(
) .
0
u
6(
) i
(
9 i
#
(-H) (...@
( )
.
2 2
-
0
-
-
--
"
E " " E
"
E E " "
"
"E
i
r i r i
i
r i r i
u
i
u
.
/
.
A
&E
+ +

1rin urmare&
( ). -
--
+ +
E "
r r A
(...+
.
2 2
-
0
-
-0
& & E E
E E
&E
"E
r i r i
r i
i
u
u
/
.
.
A
"
+

(..,2
%eoarece i
#
92, prin urmare, i
(
9i
6
, i n acest caz e'presia
(..,2 se poate scrie&
.
-0
& E
E
& & E &
E &
r r
r
r i r i
r i
A
+

(..,-
Be amintim c r
(
IIr
6
, i, prin urmare, r
(
n e'presia (..,-
poate fi negliEat. n aa mod pentru A
-0
obinem&
.
-0
&
E
r
r
A
(..,-d
.
2 2
0
-
0
0-

&E
u
i
i
.
/
/
A
"
&
(..,0
.
2 2
-
0
0
00
& & E E
&
&E
&
r i r i
i
i
u
i
/
.
/
A
"
+

(..,.
%eoarece i
#
92, prin urmare, i
(
9i
6
, i n acest caz e'presia
(..,. se poate scrie&
Valeriu Blaj
-3.
CIRCUITE INTERATE
.
-
00
& E & & E &
&
r r r i r i
i
A
+

(..,,
Be amintim c r
(
IIr
6
, i, prin urmare, r
(
n e'presia (..,,
poate fi negliEat. n aa mod pentru A
00
obinem&
.
-
-0
&
r
A
(..,,d
*cum putem e'prima parametrii naturali ai tranzistorului prin
parametrii si hibrizi&
=A
0-
, (..,3
,
-0
-
A
r
&

(..,?
,
00
-0
A
A
r
E

(..,<
.
0-
00
-0
--
- ( A
A
A
A r
"
+
(..,@
%eoarece n funcie de cone'iune parametrii hibrizi respectivi
au valori diferite, n cataloage parametrii hibrizi sunt nsoii de
indicii respectivi.
/.>. +arametrii "e e@0loatare ai tran6istorului 9i0olar
8ranzistorul bipolar ca orice dispozitiv electronic este
caracterizat printr$o serie de parametri de e'ploatare, care reprezint
limitele de e'ploatare, adic limitele ariei de funcionare sigur a
tranzistorului bipolar (;FA ;afe Fperating Area. *ria de
funcionare sigur a tranzistorului bipolar este domeniul
caracteristicilor statice de ieire n limitele crui este admis
poziionarea punctului regimului de funcionare a tranzistorului fr
pericolul ieirii lui din funcie (vezi fig...-,. *ria de funcionare
sigur este prezentat n catalog. n acest caz caracteristicile statice
sunt prezentate n scar logaritmic.
Valeriu Blaj
1*3
Tehnologia circuitelor integrate
*ria de funcionare sigur este limitat de&
A hiperbola puterii ma'im admisibile,
AA curentul colectorului ma'im admisibil,
AAA strpungerea Eonciunii colectorului.
S analizm parametrii uzuali de e'ploatare ai tranzistorului&
+ Juterea ma(im admisibil disipat pe colector, (
CM
este
puterea dezvoltat n tranzistor care este transformat n cldur
i provoac creterea temperaturii cristalului tranzistorului. n
caz general ea este puterea disipat pe tranzistor&
J9J
(
HJ
6
9/
(
.
(#
H/
6
.
6#
. (..,+
%eoarece n regim activ direct curenii /
(
i /
6
au apro'imativ
aceeai valoare, iar tensiunile&
.
(#
II .
6#
, (..32
puterea se va disipa preponderent pe Eonciunea colectorului i, prin
urmare&
J/
6
.
6#
. (..3-
Valeriu Blaj
-33
Fig...-,. *ria de funcionare
sigur a tranzistorului bipolar
.
6(
/
6
I I I
A
I I
.
6( =
/
6 =
J
6 =
CIRCUITE INTERATE
Fiecare tranzistor este caracterizat de temperatura Eonciunii ma'im
admisibil, la depirea creia scad brusc parametrii tranzistorului.
%ac evacuarea de cldur este slab, are loc nclzirea Eonciunii
colectorului, care provoac o cretere rapid s curentului
colectorului. *cesta, la r!ndul su, aduce la o cretere a puterii
disipate pe colector. 1rocesul poate evolua n avalan i tranzistorul
este deteriorat definitiv.
5aloarea ma'im admisibil a puterii colectorului se alege n
aa mod nc!t temperatura Eonciunii colectorului s nu depeasc
temperatura ma(im admisibil %
A M
&
,
tA%A
A %K
&K
B
T T
J

(..30
unde )
B
este temperatura mediului ambiant,
R
th AA
impedana termic Eonciune/mediu ambiant.
5alorile mrimilor B
th F*
i T
F =
sunt indicate n catalog.
5aloarea tipic a impedanei B
th F*
pentru tranzistoare de mic putere
este de 2,32,<
2
g>mh. 1entru tranzistoarele de putere aceast
valoare este de zeci de ori mai mic. 5alorile tipice ale temperaturii
T
F=
sunt -32$022
2
g pentru siliciu i de +2$-22
2
g pentru germaniu.
%in e'presia (..30 rezult, c puterea ma'im admisibil scade
la creterea temperaturii mediului ambiant. 1rin urmare, metoda
principal de cretere a puterii este reducerea impedanei termice,
adic mbuntirea evacurii de cldur.
+ &urentul colectorului ma(im admisibil, I
C
este limitat de
puterea ma'im admisibil disipat pe Eonciunea colectorului.
+ Tensiunea ma(im admisibil ntre colector i terminalul comun
U
C-M
sau U
CEM
. (ste determinat de strpungerea Eonciunii
colectorului.
+ =recvena limit a amplificrii 3n curent f

sau f

este
frecvena la care factorul de transfer direct al curentului sau
scade de * ori fa de valoarea sa ma'imal la Eoase frecvene.
Valeriu Blaj
1*&
Tehnologia circuitelor integrate
1arametrii prezentai mai sus sunt cei mai importani. n funcie
de montaEul folosit al tranzistorului din catalog mai pot fi folosite i
valorile altor parametri. Spre e'emplu&
+ &urentul ma(im admisibil al bazei,
+ &urentul invers al emitorului,
+ &urentul colectorului ma(im admisibil 3n impuls etc.
n cazul folosirii tranzistorului la nalte frecvene vor fi utile
valorile&
+ &apacitatea jonciunii emitorului i
+ &apacitatea jonciunii emitorului.
1.&. TRAN<ISTOARE CU E'ECT DE CCM+
%ranzistoarele &nipolare au funcionarea bazat pe un singur
tip de purttori de sarcin electroni sau goluri!' *ceste tranzistoare
mai sunt numite tranzistoare cu efect de c!mp deoarece curentul de
ieire este comandat prin efectul de c!mp (spre deosebire de
comanda n curent realizat n tranzistoarele bipolare. n literatura
de limb englez aceste tranzistoare sunt numite 'ET (=ield Effect
Transistors.
Valeriu Blaj
-3<
CIRCUITE INTERATE
'ET este un dispozitiv semiconductor capabil de amplificarea
semnalelor electrice, care are trei terminale& surs, dren i gril.
Sursa i drena sunt domenii de conductivitate nalt n cristalul
semiconductor. ntre ele este format canalul, prin care la aplicarea
tensiunii apare micarea purttorilor maEoritari de sarcin de la surs
spre dren. *cest curent electric depinde de conductivitatea
canalului i seciunea lui transversal. 6onductivitatea canalului (sau
seciunea transversal este comandat de tensiunea aplicat pe gril.
n funcie de metoda de formare a canalului deosebesc&
O =ET gril7+onc,i&ne,
O =ET gril7izolat.
F(8 gril/Eonciune au fost propuse n a. -+30 i funcioneaz
folosind efectul de c!mp n Eonciunea p$n' F(8 gril/izolat au fost
propuse n a. -+?. i funcioneaz folosind efectul de c!mp n stratul
izolator format ntre placheta de semiconductor (n care este format
sau indus canalul i pelicula de metal, care formeaz grila. *ceste
tranzistoare cu structura metal-izolator-semiconductor sunt numite
MIS 'ET sau MOS 'ET (deoarece ca izolator este folosit o'idul de
siliciu. MIS 'ET pot fi &
cu canal iniial,
cu canal indus.
Valeriu Blaj
1*.
Tehnologia circuitelor integrate
/... 'ET gril?8onc1iune
1entru analiza principiului de funcionare a tranzistorului cu
efect de c!mp gril$Eonciune (F(8$F vom folosi modelul prezentat
n fig.,.-. n structura prezentat canalul tranzistorului este format
ntr$un strat de semiconductor de tip n aflat ntre dou Eonciuni p-n.
Da capetele canalului sunt formate terminalele& sursa i drena.
6analul este inclus n circuitul de ieire mpreun cu sursa de
tensiune .
%S
i sarcina cu rezistena B
S
.
Straturile semiconductoare de tip p, care formeaz cu canalul
Eonciuni p-n, sunt cu o concentraie a purttorilor de sarcin mai
nalt ca n canal. *mbele straturi de tip p sunt legate electric i
formeaz al treilea terminal / grila. n circuitul grilei este montat
sursa de semnal de intrare .
int.
. Structura tranzistorului F(8 gril$
Eonciune cu canal de tip p este identic cu cea prezentat pentru F(8
gril$Eonciune cu canal de tip n. Simbolurile grafice ale F(8 gril$
Eonciune cu canale de tip n i de tip p sun prezentate n fig.,.0 d i
b, respectiv.
1olaritatea tensiunilor de
polarizare a tranzistorului este
prezentat n fig.,.-. *mbele Eonciuni
p-n (gril$canal sunt polarizate invers
de tensiunea .
G
.
Valeriu Blaj
-3+
Fig.,.-. Structura F(8$F cu canal de tip n
S
D

p
n
p
.
%S
+
+ .
G

R
S
.
int'
Fig.,.0. Simbolurile grafice
ale F(8$F&
d cu canal de tip n,
b cu canal de tip p
S
D

a
S
D

b
CIRCUITE INTERATE
6omanda n F(8 se e'plic prin dependena curentului de
ieire de seciunea transversal a canalului, care este la r!ndul su
dependent, at!t de tensiunea de comand .
G
, c!t i de tensiunea
aplicat pe canal .
%S
. (fectul acestor tensiuni de polarizare asupra
funcionrii F(8 este prezentat n fig.,... n funcie de valoarea
acestor tensiuni variaz grosimea %SS a Eonciunii p-n. %eoarece n
%SS practic lipsesc purttorii de sarcin, la creterea grosimii %SS
seciunea efectiv a canalului se va micora respectiv.
n fig.,...a tensiunea de polarizare este aplicat numai n
circuitul de intrare. 5ariaia .
G
provoac modificarea conductivitii
canalului prin schimbarea seciunii canalului, care este identic pe
toat lungimea canalului. ns curentul prin canal lipsete deoarece
pe canal (ntre dren i surs nu se aplic tensiune.
1entru analiza efectului .
%S
asupra seciunii canalului n fig.,...b este
prezentat situaia n care .
G
92, .
%S
;2.
n acest caz prin canal circul curentul /
%
,
care este format de tensiunea cresc!nd
spre dren. 6derea global de tensiune
pe poriunea dren$surs este .
%S
. 1rin
urmare, potenialul de$a lungul canalului
de la surs spre dren crete de la zero
p!n la .
%S
) iar potenialul n domeniul
grilei este constant (2. n aa mod
tensiunea invers aplicat pe Eonciunea
p-n crete i ea de la surs spre dren,
deci grosimea %SS crete spre dren.
*cest efect aduce la ngustarea canalului
n vecintatea drenei, iar la o anumit
valoare a tensiunii pe Eonciunea p-n
l!ng dren are loc TstrangulareaU
canalului. n acest caz curentul canalului
circul prin %SS.
Valeriu Blaj
1&(
p
n
p
+ .
G

a
p

p
.
%S
+
b
n
p

p
.
%S
+
+ .
G

c
n
Fig.,... (fectul polarizrii
asupra geometriei canalului&
a .
G
I2, .
%S
92)
b .
G
92, .
%S
;2)
c .
G
I2, .
%S
;2.
Tehnologia circuitelor integrate
n fig.,...c este prezentat efectul sumar al celor dou tensiuni
de polarizare .
G
i .
%S
. 6analul este prezentat pentru cazul
strangulrii canalului.
/.%. Caracteristicile statice ale 'ET gril?8onc1iune
1entru tranzistoarele cu efect de c!mp prezint interes practic
dou tipuri de caracteristici statice&
caracteristica de transfer i
caracteristicile de ie4ire.
6aracteristicile de ieire (de dren ale F(8$F sunt reprezentate
n fig.,.,. (le prezint dependena curentului de dren /
%
de
tensiunea dren$surs .
%S
pentru o valoare fi'at a tensiunii pe gril
.
G
&
( )
const .
. f /
H
); )

. 1e fiecare din caracteristicile acestei


familii se deosebesc trei domenii cu comportament diferit&
A dependen rapid a curentului /
%
de tensiunea .
%S
)
AA dependen slab a curentului /
%
de tensiunea .
%S
)
AAA strpungerea Eonciunii p-n.
S analizm caracteristica de ieire a F(8$F pentru .
G
92. n
domeniul A efectul .
G
asupra conductivitii canalului este
neesenial. %in acest motiv caracteristica de ieire n acest domeniu
este liniar. Da creterea tensiunii .
%S
efectul de ngustare a canalului
se manifest mai mult i, prin urmare, scade panta caracteristicii. n
punctul de trecere ntre domeniul A i domeniul AA are loc
TstrangulareaU canalului (l!ng dren seciunea eficient a canalului
Valeriu Blaj
-?-
AAA
I
I
A
.
G
.
.
G
0
.
G
-
92
.
%S
Fig.,.,. 6aracteristicile de ieire ale
F(8$F cu canal de tip n&
|.
G.|
;|.
G0|
;.
G-
92
/
%
.
G
Fig.,.3.
6aracteristica de transfer a
F(8$F cu canal de tip n
/
%
.
1
CIRCUITE INTERATE
este nul. 1entru valori mai mari ale .
%S
curentul /
%
depinde slab de
tensiune (crete brusc rezistena canalului deoarece curentul drenei
circul prin %SS al Eonciunii p-n polarizate invers. n domeniul AAA
are loc o cretere rapid a curentului /
%
cauzat de strpungerea
Eonciunii p-n n domeniul limitrof drenei.
1e gril se aplic tensiune corespunztoare polarizrii inverse a
Eonciunii p-n a grilei i, prin urmare, creterea |.
G
| provoac
micorarea conductivitii canalului. *cest fapt cauzeaz micorarea
pantei caracteristicii de ieire n domeniul A la creterea |.
G
|.
%atorit tensiunii pe gril strangularea canalului are loc pentru valori
mai mici ale tensiunii .
%S
.
%eoarece curentul de ieire n F(8 este comandat de tensiunea
de intrare, pentru dimensionarea circuitelor electronice dotate cu F(8
este necesar caracteristica de transfer (de gril, care prezint
dependena
( )
const .
. f /
);
H )

(vezi fig.,.3. *ceast


caracteristic poate fi trasat din caracteristicile de dren. Kn
parametru important al F(8$F, care rezult din caracteristica de gril
este tensiunea pe gril pentru curentul de dren nul /
%
92. *ceast
tensiune corespunde situaiei, c!nd punctul de strangulare a canalului
aEunge la surs i canalul dispare complet i se numete tensiune de
penetraie sau tensiune de prag .
1
.
/.1(. 'ET gril i6olat
8ranzistoarele cu efect de c!mp gril izolat au structura&
metal$izolator$semiconductor (=AS F(8 sau ="S F(8. 1rezena
izolatorului ntre gril i canal asigur o impedan foarte nalt a
acestor tranzistoare. 1rincipiul de funcionare al =AS F(8 se bazeaz
pe efectul de c!mp, adic modificarea conductivitii stratului
superficial al semiconductorului la suprafaa de separaie
semiconductor$izolator (n care este format canalul sub aciunea
c!mpului electric transversal. =AS F(8 pot fi&
cu canal iniial,
cu canal indus.
Simbolurile grafice ale =AS F(8 sunt prezentate n fig.,.?.
Valeriu Blaj
1&!
Tehnologia circuitelor integrate
S analizm funcionarea =AS F(8 cu canal iniial, spre
e'emplu, de tip n (vezi fig.,.<. n placheta de semiconductor de tip
p (siliciu sunt formate domeniile sursei, drenei i canalului prin
doparea respectiv cu impuriti donore. Stratul de Si"
0
servete
pentru protecia suprafeei semiconductorului n domenii limitrofe
sursei i drenei, i pentru izolarea canalului.
&aracteristicile de dren ale =AS F(8 cu canal iniial de tip n
sunt prezentate n fig.,.@.a. Forma acestor caracteristici este
analogic cu caracteristicile F(8$F. n cazul .
G
92 prin tranzistor
Valeriu Blaj
-?.
Fig.,.?. Simbolurile grafice ale =AS F(8&
d cu canal iniial de tip n, b cu canal iniial de tip p,
c cu canal iniial de tip p cu terminal de la substrat,
d cu canal indus de tip n, e cu canal indus de tip p,
f cu canal iniial de tip n cu terminal de la substrat
S
D

a
S
D

b
S
D

c
s
s
S
D

d
S
D

e
S
D
f
n n
p
canal de tip n
S
D

s
Fig.,.<. Structura =AS F(8
cu canal iniial de tip n
Si"
0
CIRCUITE INTERATE
circul curentul valoarea crui este determinat de conductivitatea
iniial a canalului. n domeniul iniial al caracteristicilor (A cderea
de tensiune pe canal este mic i dependena /
%
(.
%S
este practic
liniar.
Da trecerea n domeniul AA al caracteristicilor tensiunea
aplicat pe canal provoac strangularea canalului (linia discontinu n
fig.,.< i modific conductivitatea canalului, reduce panta creterii
curentului. n domeniul AA canalului este ngustat p!n la strangulare
i caracteristica trece n saturaie.
S analizm efectul .
G
asupra caracteristicilor de dren. n
cazul c!nd grila este polarizat invers (.
G
I2 c!mpul grilei respinge
purttorii de sarcin din canal i, prin urmare, scade concentraia
purttorilor n canal i conductivitatea canalului. n consecin,
caracteristicile de dren pentru .
G
I2 sunt situate mai Eos de
caracteristica pentru .
G
92. Negimul de funcionare al =AS F(8 cu
canal indus n condiia concentraiei reduse a purttorilor de sarcin
n canal se numete regim de srcire.
n cazul c!nd .
G
;2 c!mpul grilei atrage purttorii de sarcin
(electronii din volumul semiconductor de tip p n canal.
6oncentraia purttorilor de sarcin n canal crete ce corespunde
regimului de 3mbogire a canalului cu purttori de sarcin.
6onductivitatea canalului crete i, respectiv, crete curentul drenei,
iar caracteristicile pentru .
G
;2 sunt situate mai sus de caracteristica
pentru .
G
92.
Valeriu Blaj
1&3
AAA
I
I
A
.
G
.
I2
.
G
0
92
.
G
-
;2
.
%S
Fig.,.@' &aracteristicile de dren (d i de gril (b ale =AS F(8
cu canal iniial de tip n
/
%
.
G
/
%
.
1
a b
Tehnologia circuitelor integrate
Forma caracteristicii de gril a =AS F(8 cu canal iniial de tip
n este prezentat n fig.,.@.b. Spre deosebire de F(8$F, =AS F(8 cu
canal iniial pot funciona at!t pentru .
G
I2 (regim de srcire, c!t i
pentru .
G
;2 (regim de mbogire.
Structura =AS F(8 cu canal indus de tip n este prezentat n
fig.,.+. 6analul de conducie nu este format din fabric, el este indus
datorit flu'ului de purttori de sarcin (electroni din volumul
semiconductor de tip p spre gril sub aciunea tensiunii pozitive pe
gril. n acest caz crete conductivitatea semiconductorului n stratul
superficial sub gril i este format canalul, prin care circul curentul
ntre dren i surs. "dat cu creterea polarizrii directe a grilei
conductivitatea canalului crete. 1rin urmare, =AS F(8 cu canal
indus funcioneaz numai n regim de mbogire.
&aracteristicile de dren ale =AS F(8 cu canal indus sunt
analogice caracteristicilor =AS F(8 cu canal iniial (vezi fig.,.-2.a.
%eosebirea const n faptul c comanda curentului drenei
este
realizat
numai cu
Valeriu Blaj
-?3
canal de tip n
n n
p
S
D

s
Fig.,.+. Structura =AS F(8
cu canal indus de tip n
Si"
0
AAA
I
I
A
.
G
-
.
G
0
.
G
.
.
%S
Fig.,.@' &aracteristicile de dren (d i de gril (b
ale =AS F(8 cu canal indus de tip n&
2I.
G-
I.
G0
I.
G.
/
%
.
G
/
%
a b
CIRCUITE INTERATE
tensiune pe gril de o singur polaritate, care coincide cu polaritatea
tensiunii .
%S
. 1entru .
%S
92 curentul /
%
92. Forma caracteristicii de
transfer a =AS F(8 cu canal indus este prezentat n fig.,.-2.b.
/.11. +arametrii tran6istoarelor cu e4ect "e cDm0
1arametrii de catalog principali ai F(8 sunt&
+ 1anta caracteristicii de transfer -,
+ 6urentul de dren ma'im admisibil I
D M
,
+ 8ensiunea pe dren ma'im admisibil U
DS M
,
+ 8ensiunea de prag U
+
,
+ Nezistena de intrare r
int.
,
+ Nezistena de ieire (intern r
ie5.
,
+ 6apacitile ntre terminale&
- gril$surs C
S
,
- gril$dren C
D
,
- dren$surs C
DS
.
Janta caracteristicii de transfer - reprezint eficiena de
comand a grilei. %eoarece curentul de intrare este practic nul, ca
parametru (fi'at n familia caracteristicilor statice de ieire (spre
deosebire de tranzistorul bipolar este folosit nu curentul ci tensiunea
de intrare .
G
. %eci parametrul de baz, care caracterizeaz
proprietatea de amplificare a F(8, este nu factorul de transfer al
curentului ci panta caracteristicii de transfer (admitana de transfer&
.
const u
du
di
;
);
H
)

(,.-
1anta are valori de circa -0 mS pentru tranzistoare discrete.
&urentul de dren ma(im admisibil I
D M
corespunde valorii
curentului drenei la nceputul domeniului AAA pe caracteristica de
ieire (pentru .
G
92.
Valeriu Blaj
1&&
Tehnologia circuitelor integrate
Tensiunea pe dren ma(im admisibil U
D- .
se alege de
-,0-,3 ori mai mic ca tensiunea de strpungere a Eonciunii
gril$surs pentru .
G
92.
Tensiunea de prag U
(
corespunde penetraiei canalului, adic
tensiunea pe gril pentru curentul drenei nul.
Bezistena de intrare r
int.
a F(8 este determinat de rezistena
Eonciunii p-n polarizat invers sau stratului izolator sub gril&
.
.
H
H
t
di
du
r
in (,.0
Nezistena de intrare a F(8$F este foarte mare, iar pentru =AS F(8
cu mult mai mare.
Re6isten1a "e ie5ire EinternF a /E% r
ie.
Reprezint panta
caracteristicii de ie0ire 'n do1eni&l II2
.
.
const u
di
du
r
H
)
);
ie4

(,..
Ca0acit1ile 7ntre terminale 6
H;
3 6
H)
s&nt for1ate preponderent
de +onc,i&nile 0?n li1itrofe do1eniilor s&rsei 0i drenei3
prezente 'n str&ct&ra tranzistor&l&i.
*vantaEe importante ale F(8&
8ranzistoarele 'ET prezint fa de tranzistoarele bipolare
urmtoarele avantaEe&
O *vantaEul principal al F(8 este rezistena de intrare foarte
mare. %e acest moment se ine cont la proiectarea circuitelor
dotate cu F(8. *pare posibilitatea formrii etaEelor
amplificatoare cu cuplaE direct i circuite logice cu capacitate
mare de ncrcare at!t la intrare, c!t i la ieire (coeficient de
sortan mare i numr mare de intrri.
O %eoarece n tranzistoarele unipolare circuitul este realizat de un
singur tip de purttori de sarcin, probabilitatea proceselor de
generare$recombinare este mult mai mic ca n tranzistoarele
bipolare. 1rin urmare, lipsete zgomotul de generare$
Valeriu Blaj
-?<
CIRCUITE INTERATE
recombinare, fapt, care e'plic nivelul foarte mic de zgomot
propriu n comparaie cu tranzistoarele bipolare.
O n cazul circuitelor electronice cu F(8 lipsete dezavantaEul
acumulrii i disiprii purttorilor minoritari i, prin urmare,
timpii de comutare sunt determinai numai de ncrcarea i
descrcarea capacitilor tranzistorului.
O F(8 prezint o integrabilitate superioar fa de tranzistoarele
bipolare. *ria ocupat de un MOS 'ET n circuitul integrat este
cu c!teva ordine mai mic ca cea ocupat de un tranzistor bipolar.
O 8ranzistoarele cu efect de c!mp sunt caracterizate de stabilitate
3nalt termic 4i la radiaii.
1.>. 'OTOTRAN<ISTOR
=ototranzistorul este un dispozitiv semiconductor fotoelectric,
care are structura unui tranzistor bipolar n care curentul colectorului
este comandat de flu'ul luminos incident. Nadiaia electromagnetic
cade pe una sau c!teva domenii ale tranzistorului& emitor, colector
sau baz (mai frecvent pe baz. n capsula fototranzistorului este
prevzut o fereastr n care este montat o lentil pentru focalizarea
flu'ului luminos pe cristal.
Simbolul grafic i structura fototranzistorului sunt prezentate n
fig.3.-. Fototranzistorul este polarizat n aa mod nc!t Eonciunea
Valeriu Blaj
1&.
Fig.3.-. Simbolul grafic (a i
structura (b fototranzistorului
a
E C
-
p


n
p
E
C
-
R
S

U
CE
H
b
Tehnologia circuitelor integrate
emitorului este polarizat direct, iar Eonciunea colectorului / invers.
8erminalul bazei, de regul, se las liber. Sub aciunea undelor
electromagnetice n semiconductor are loc generarea cuplurilor
electron$gol. n Eonciunea colectorului, n mod identic cu procesele
din fotodiod, are loc separarea purttorilor de sarcin n c!mpul
electric al Eonciunii p-n& golurile sunt transportate n colector,
maEor!nd curentul colectorului) iar electronii rm!n n baz,
micor!nd potenialul bazei. *cest din urm fapt aduce la o
polarizare direct suplimentar a Eonciunii emitorului. 1rin urmare,
este intensificat inEecia purttorilor de sarcin (a golurilor n baz.
Golurile inEectate suplimentar n baz aEung la Eonciunea
colectorului contribuie, de asemenea, la creterea curentului
colectorului. n aa mod, purttorii de sarcin generai de flu'ul
luminos formeaz un surplus de curent prin colector, care este
curentul fotoelectric. %atorit proceselor suplimentare, care au loc n
fototranzistor, curentul fotoelectric n fototranzistor este mai mare ca
n fotodiod.
=ontaEul
fototranzistorului cu
terminalul bazei liber este
caracterizat printr$o stabilitate
termic proast, deoarece
curentul colectorului este
mult dependent de
temperatur. %in aceste
considerente, de regul, prin
terminalul bazei este format
circuitul de stabilizare
termic.
*lt dezavantaE al fototranzistorului este nivelul nalt de zgomot
propriu.
n fig.3.0 sunt prezentate caracteristicile statice (electrice ale
fototranzistorului.
+arametrii 0rinci0ali ai 4ototran6istoruluiG
Valeriu Blaj
-?+
D
-
D
0
D
.
.
gi
Fig.3.0. 6aracteristicile statice ale
fototranzistorului& D
-
ID
0
ID
.
/
g
D92
CIRCUITE INTERATE
+ &urentul de 3ntuneric I
7nt.
curentul, care circul prin
fototranzistor la tensiune nominal, dar n lipsa iluminrii.
+ &urentul de iluminare I
il.
curentul, care circul prin
fototranzistor la tensiune nominal i la un nivel prestabilit
de iluminare.
+ Juterea colectorului ma(im admisibil (
H M
.
1entru fototranzistor sunt caracteristici, at!t toi parametrii
prezentai pentru dispozitivele fotoelectrice (fotorezistor,
fotodiod, c!t i parametrii caracteristici pentru tranzistorul
bipolar.
1... TIRISTOARE
/.1!. No1iuni generale
Tiristorul este &n dispozitiv se1icond&ctor c& do& stri
stabile2 7n con"uc1ie 4a1orsat5 0i 9locat 0i c& o str&ct&r for1at
din patr& strat&ri c& tip de cond&ctibilitate diferit sit&ate
consec&tiv 'n ordinea 0?n?0?n. Co1anda tiristor&l&i 4co1&tarea
dintr-o stare 'n alta5 este realizat printr-&n se1nal de co1and
4'n c&rent3 tensi&ne sa& fl&x l&1inos5 aplicat din exterior.
%iristoarele pot fi fr ter1inal de co1and 6 "io"ice sa& c&
ter1inal de co1and 6 trio"ice.
Valeriu Blaj
1>(
Tehnologia circuitelor integrate
Simbolurile grafice ale tiristoarelor sunt prezentate n fig. ?.-.
n tiristorul diodic / diod ;cAokleI / amorsarea are loc n momentul
n care tensiunea pe anod atinge o anumit valoare. n tiristorul
triodic amorsarea are loc prin circuitul terminalului de comand /
gril (poart. 8iristoarele sunt ventile comandate. (le pot fi
semicomandate, dac amorsarea are loc sub aciunea semnalului de
comand pe gril, iar blocarea poate fi realizat numai prin circuitul
anodic. n tiristoarele complet comandate / tiristoare cu stingere pe
poart (TS+ sau TO Gate$8urn$"ff, at!t comutarea direct
(amorsarea, comutarea din blocat n conducie, c!t i comutarea
invers (din amorsat n blocat poate fi realizat prin circuitul grilei.
n fototiristoare amorsarea are loc sub aciunea unui flu' luminos.
*t!t ventilele semicomandate, c!t i cele complet comandate, pot fi
comandate fa de catod, dac semnalul de comand se aplic ntre
gril i catod (catodul este comun pentru circuitul de for i circuitul
de comand) sau comandate fa de anod, dac semnalul de
comand se aplic ntre gril i anod. 8oate dispozitivele menionate
realizeaz funcia de ventil / poart electronic cu conductibilitate
unilateral. %ispozitivele capabile s comande curentul n ambele
sensuri sunt& diac (diode alternating current sjitch/ ntreruptor
Valeriu Blaj
-<-
A ;
a
E+F
A ;
b
E+F
A ;
e
A ;
d
h
E+F
A ;
c
E+F
A ;
f
g
Fig. ?.-. Simbolurile grafice ale tiristoarelor&
d diod SchoJleY, b tiristor convenional cu comand de la catod,
c tiristor convenional cu comand de la anod, d fototiristor,
e G8" cu comand fa de catod, f G8" cu comand fa de anod,
g diac, h triac
CIRCUITE INTERATE
diodic de curent alternativ sau triac (triode alternating current
sjitch / ntreruptor triodic de curent alternativ. n conformitate cu
funciile pe care le realizeaz aceste dispozitive nlocuiesc un montaE
antiparalel al dou tiristoare.
/.1/. +rinci0iul "e 4unc1ionare 5i caracteristicile tiristorului
1entru nceput vom analiza structura celui mai simplu tiristor /
diodei SchoJleY. Structura este format din patru domenii cu
conductivitate diferit de tip p-n-p-n& p
-
, n
-
, p
L
i n
0
) cu trei
Eonciuni p-n& A
1
, A
!
i A
/
(vezi fig.?.0. Funcionarea tiristorului vom
analiza$o tras!nd simultan caracteristica static (vezi fig.?.0 pentru
polarizare direct i invers.
(olarizare invers n acest caz Eonciunea A
!
este polarizat
direct, iar Eonciunile A
1
i A
/
/ invers. %eoarece A
!
este polarizat
direct, cderea de tensiune pe A
!
este foarte mic. 1rin urmare,
tensiunea e'tern este distribuit preponderent i uniform pe
Eonciunile A
1
i A
/
. n aa mod se e'plic faptul, c caracteristica
tiristorului la polarizare invers este analogic cu caracteristica
respectiv a Eonciunii p-n.
(olarizare direct n acest caz Eonciunile A
1
i A
/
sunt
polarizate direct, iar Eonciunea A
!
invers. %eci practic toat
tensiunea e'tern (anodic cade pe A
!
, iar cderea de tensiune pe A
1
i A
/
este foarte mic. 1rin urmare, caracteristica tiristorului este
determinat de Eonciunea A
!
polarizat invers / tiristorul este blocat
Valeriu Blaj
1>!
Fig. ?.0. Structura
diodei SchoJleY
U
n
-
p
-
A
I
p
0
A
1
A
!
n
0
A
/
:
R
S
I
U
Fig.?... 6aracteristica static
a diodei SchoJleY
1
3
2
0
Tehnologia circuitelor integrate
i curentul prin structura semiconductoare este foarte mic. *cest
regim este reprezentat pe caracteristic de poriunea 2$-.
Da creterea tensiunii curentul prin tiristor crete slab datorit
creterii polarizrii directe a Eonciunilor A
1
i A
/
. Neducerea barierei
de potenial n Eonciunile A
1
i A
/
provoac intensificarea inEeciei
golurilor din domeniul p
-
n n
-
i intensificarea inEeciei electronilor
din domeniul n
0
n p
0
. " parte din aceti purttori de sarcin evit!nd
recombinarea aEung n Eonciunea A
!
i sunt transferai de c!mpul
acestei Eonciuni& golurile din domeniul n
-
n p
0
, iar electronii din
domeniul p
0
n n
-
. n acest mod n domeniul p
0
se acumuleaz o
sarcin electric pozitiv, iar n domeniul n
-
/ negativ. n aceste
condiii scad brusc barierele de potenial n Eonciunile A
1
i A
/
, i este
declanat un proces de cretere n avalan a curentului prin
structur.
Da o anumit valoare a tensiunii e'terne se intensific n
avalan procesul de inEecie a purttorilor maEoritari& a golurilor din
domeniul n
-
n p
0
i a electronilor din domeniul p
0
n n
-
. *re loc o
cretere brusc a concentraiei electronilor n domeniul n
-
i a
golurilor n domeniul p
0
, care provoac o scdere brusc a tensiunii
pe Eonciunea A
!
polarizat (p!n c!nd invers. *ceste sarcini
electrice compenseaz tensiunea e'tern pe Eonciunea A
!
i duce la
polarizarea direct a acestei Eonciuni. 1rin urmare, scade brusc
cderea de tensiune pe toat structura tiristorului, deoarece&
.=.
-
+.
0
H .
.
, (?.-
n aa mod se e'plic prezena unui domeniu cu rezisten
dinamic negativ (vezi domeniul -$0 pe caracteristica din fig.?.. pe
caracteristica static a tiristorului, unde creterea curentului este
nsoit de o scdere a tensiunii. n continuare procesul evolueaz cu
o cretere brusc a curentului n circuitul dotat cu tiristor. 5aloarea
acestui curent i panta caracteristicii n acest caz (domeniul 0$. sunt
determinate preponderent de tensiunea sursei de alimentare i
rezistena sarcinii. %omeniul 0$. corespunde strii de conducie
(amorsat a tiristorului. 1entru blocarea tiristorului este necesar
Valeriu Blaj
-<.
CIRCUITE INTERATE
micorarea curentului anodic p!n la zero sau polarizarea invers a
tiristorului.
S analizm particularitile funcionrii tiristorului
convenional (triodic. Structura i familia caracteristicilor statice
sunt prezentate n fig.?.,. 8ensiunea de amorsare a tiristorului
(valoarea tensiunii anodice n punctul - n fig.?.. poate fi redus,
dac pe domeniul p
0
sau n
-
este format un terminal de comand
(gril i pe el se aplic tensiunea de comand .
G
. Sursa de tensiune
montat n circuitul grilei furnizeaz n domeniul respectiv p
0
(n
-
o
cantitate suplimentar de purttori de sarcin / goluri (electroni
datorit circulaiei curentului grilei /
G
. n acest caz pentru declanarea
procesului de amorsare (multiplicare n avalan a curentului anodic
este destul o tensiune anodic mult mai mic, deoarece o parte din
sarcina necesar este format de curentul grilei.
n aa mod tensiunea de
amorsare a tiristorului poate fi micorat prin maEorarea curentului /
G
sau tensiunii pe gril .
G
(vezi fig.?.,.b. %ependena tensiunii de
amorsare .
#"
(.
am'
de curentul /
G
este prezentat de caracteristica
de amorsare (vezi fig.?.3. 6omanda tiristorului poate fi realizat n
curent continuu, n curent alternativ sau, mai frecvent, prin impulsuri.
%eoarece dup amorsare starea de conducie a tiristorului este
meninut de sarcinile electrice (purttorii de sarcin acumulate n
domeniile n
-
i p
0
i n continuare dispare necesitatea tensiunii pe
Valeriu Blaj
1>3
Fig.?.,. Structura (a i familia caracteristicilor statice (b
ale tiristorului convenional
n
-
p
-
A
I
p
0
A
1
A
!
n
0
A
/
U
:
R
S
U
G


:
I
G

I
d
I
U
b
0
I
G3
> I
G2
> I
G1
=0

U
BO3
U
BO2
U
BO1
U
BO
I
G
Fig. ?. 3. 6aracteristica de
amorsare a tiristorului
Tehnologia circuitelor integrate
gril, de regul, comanda tiristoarelor se face cu impulsuri de scurt
durat.
5aloarea curentului (tensiunii, puterii de comand (pe gril
este cu c!teva ordine (k -2
3
mai mic ca valoarea curentului
(tensiunii, puterii n circuitul anodic. *cest fapt cauzeaz folosirea
tiristoarelor pentru manipularea (diriEarea unor flu'uri mari de
energie electric prin semnale foarte slabe de comand.
/.13. Mo"elul tiristorului Jcu "ou tran6istoareK
*naliza funcionrii tiristorului este simplificat prin aplicarea
modelului Tcu dou tranzistoareU. Da polarizare direct structura a
tiristorului poate fi prezentat prin dou tranzistoare bipolare de tip
p-n-p i n-p-n& tranzistorul l
-
de tip p
-
$n
-
$p
0
i tranzistorul l
0
de tip
n
0
$p
0
$n
-
(vezi fig.?.?. Nolul Eonciunii emitorului n primul tranzistor
este realizat de Eonciunea A
1
, iar n tranzistorul secund de
Eonciunea A
/
. Fonciunea A
!
realizeaz funcia Eonciunii colectorului
pentru ambele tranzistoare. n acest caz polaritatea tensiunilor pe
toate Eonciunile corespunde regimului activ direct pentru ambele
tranzistoare.
8iristorul fiind prezentat prin combinaia a dou tranzistoare&
l
-
cu factorul de transfer al curentului
-
i curentul emitorului /
(-
) i
l
0
cu factorul de transfer al curentului
0
i curentul emitorului /
(0
,
putem prezenta i componentele curentului prin structura tiristorului
Valeriu Blaj
-<3
Fig. ?.?. =odelul tiristorului mcu dou tranzistoareU&
structura (a i schema (b
a
n
M
p
M
E
1
C
1
p
L
-
1
p
L
n
M
E
!
C
!
n
L
-
!
L
1
L
!
b
E
1
C
1
-
1
-
!
E
!
C
!
/
6-
/
#0
/
(0
/
/ /
(-
/
#-
/
60
CIRCUITE INTERATE
(vezi fig.?.?.b. n tranzistorul l
-
curenii sunt formai preponderent
de deplasarea golurilor prin baza a n
-
&
curentul bazei l
-
& /
#-
=M
-
/
(-
,
(?.0
curentul colectorului l
-
& /
g-
=
-
/
(-
.
(?..
n tranzistorul l
0
curenii sunt formai preponderent de deplasarea
electronilor prin baza p
L
&
curentul bazei l
0
& /
#0
=M
0
/
(0
,
(?.,
curentul colectorului l
0
& /
g0
=
0
/
(0
.
(?.3
%eoarece Eonciunea colectorului este polarizat invers, prin A
!
circul i curentul su invers format de purttorii minoritari& golurile
din domeniul n
-
trec n p
L
i formeaz curentul /
2-
, iar electronii din
domeniul p
L
trec n n
-
i formeaz curentul /
20
. 6urenii /
2-
i /
20
formeaz curentul& /
2
= /
2-
H /
20
. (?.?
6urentul global prin Eonciunea A
!
determin valoarea curentului
prin structur n ansamblu i este format din curenii de colector ale
ambelor tranzistoare i curentul sumar al purttorilor minoritari&
/=/
g-
H/
g0
H/
2
. (?.<
%ac se vor folosi e'presiile (?.. i (?.3, atunci e'presia (?.<
se va scrie&
/=
-
/
(-
H
0
/
(0
H/
2
. (?.@
%eoarece n Eonciunea A
!
sunt posibile tensiuni (c!mpuri
electrice nalte, este necesar s inem cont de posibilitatea procesului
de multiplicare prin avalan a purttorilor n Eonciunea A
!
. 1rin
urmare, e'presia (?.@ se va scrie&
/=N
-
/
(-
H
0
/
(0
H/
2
, (?.+
unde N este factorul de
multiplicare a purttorilor de sarcin.
1entru simplificare vom presupune c
factorii de multiplicare pentru ambele
Valeriu Blaj
1>&

1
,
2
-,2
2,@
2,?
2,,
2,0
2
10
-5

10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1 I,
Fig.?.<.%ependena

-
i
0
de curent
Tehnologia circuitelor integrate
tipuri de purttori de sarcin au aceeai valoare. Da tensiuni mici
procesul de multiplicare practic lipsete. 1rin urmare, N=M. la valori
importante ale tensiunii inverse n Eonciunea A
!
se manifest
considerabil procesul de ionizare n avalan i N capt valori mult
mai mari de unitate.
*lt moment important este dependena factorilor
-
i
0
de
valoarea curentului. Forma apro'imativ a acestei dependene este
prezentat n fig.?.<. Factorul
0
are o valoare mai mare ca
-
deoarece grosimea bazei p
L
este mai mic ca a bazei n
-
. %in aceste
considerente baza n
-
este numit OgroasP, iar p
L
OsubireP.
%eoarece structura tiristorului este n serie, prin urmare, i
curenii prin toate Eonciunile vor avea aceeai valoare, care va
coincide cu curentul prin circuitul e'tern&
/=/
i-
9/
i0
. (?.-2
n acest caz e'presia (?.+ poate fi scris n modul urmtor&
/=N
-
/H
0
/H/
2
. (?.--
%in (?.-- pentru curentul n circuitul e'tern rezult&
( )
.
-
0 -
2
+

K
K/
/
(?.-0
('presia (?.-0 este ecuaia de baz a structurii de tip tiristor i
reprezint caracteristica static a tiristorului n form analitic.
%ependena curentului anodic de tensiunea pe anod este prezentat n
(?.-0 n form implicit prin dependena factorului de multiplicare
de intensitatea c!mpului electric n Eonciunea A
!
.
Da valori mici ale tensiunii anodice intensitatea c!mpului electric
n A
!
nu este suficient pentru procesul de multiplicare, iar factorii
-
i
0
au valori foarte mici.
%eci& N9-, iar N
-
H
0
2 i, prin urmare& /=/
2
. (?.-.
Da valori nalte ale tensiunii, aplicate pe anodul tiristorului, n
Eonciunea A
!
este declanat procesul de multiplicare n avalan a
purttorilor de sarcin. 1rin urmare, cresc brusc valorile factorului de
Valeriu Blaj
-<<
Fig.?.<.%ependena

-
i
0
de curent
CIRCUITE INTERATE
multiplicare = i ale factorilor de transfer n curent
-
i
0
.
n consecin&
N, iar N
-
H
0
- i, prin urmare& /, (?.-,
deci se observ o cretere brusc a curentului prin structura
tiristorului proces, care are loc la amorsarea tiristorului.
/.1*. +arametrii tiristorului
Sensul parametrilor uzuali ai tiristorului se e'plic prin
construciile efectuate pe caracteristica static a tiristorului prezentate
n fig.?.@.
Valeriu Blaj
1>.
I
U
Fig.?.@. 1arametrii tiristorului
U
B
O
U
BR
I
BO
I
H
U
TO
I
RM
I
DRM
Tehnologia circuitelor integrate
+ Tensiunea de amorsare U
-O
tensiunea anodic necesar pentru
comutarea tiristorului din stare de blocare n stare de conducie
(aprinderea tiristorului, deci tensiunea n punctul caracteristicii
statice n care curentul ncepe s creasc brusc.
+ &urentul de amorsare I
-O
curentul anodic n momentul iniial
al amorsrii tiristorului.
+ &urentul de meninere I
M
valoarea minim a curentului anodic,
la care tiristorul rm!ne n stare de conducie.
+ Tensiunea pe tiristorul 3n conducie U
LO
cderea de tensiune pe
tiristorul n stare de condiie.
+ &urentul direct al tiristorului 3n stare de blocare I
DRM
valoarea
curentului, care circul prin tiristorul polarizat direct, dar blocat.
+ &urentul ma(im admisibil 3n stare de conducie I
'AVM
valoarea
ma'im admisibil a curentului mediu direct prin tiristorul n
conducie.
+ Tensiunea invers repetitiv ma(im admisibil U
RRM
valoarea
ma'im admisibil a tensiunii repetitiva de polarizare invers pe
anodul tiristorului i constituie circa ?2@2 n din valoarea
tensiunii de strpungere a tiristorului U
-R
.
+ &urentul invers 3n stare blocat ma(im admisibil I
RM
valoarea
ma'im admisibil a curentului, care circul prin tiristorul blocat
i polarizat invers de tensiunea U
RRM
.
+ Juterea ma(im admisibil (
'AVM
valoarea ma'im admisibil a
puterii disipate pe tiristorul n stare de conducie.
+ Timpul de revenire timp de dezamorsare! t
rr
intervalul de timp
pe parcursul crui la polarizare invers are loc disiparea
complet a purttorilor de sarcin din bazele tiristorului, care
menin starea de conducie. %up acest interval de timp
tiristorul poate fi polarizat direct fr pericolulul amorsrii
necondiionate.
+ &urentul de gril continuu de amorsare I
T
valoarea minim a
curentului continuu de gril, care asigur amorsarea sigur a
tiristorului.
+ &urentul pulsant de gril I
SM
amplitudinea minimal a
impulsului de gril, care asigur amorsarea sigur a tiristorului.
Valeriu Blaj
-<+
CIRCUITE INTERATE
Valeriu Blaj
1.(
Tehnologia circuitelor integrate
/.1&. Mo"i4icrile 0rinci0ale ale tiristoarelor
&.*.1. 'ototiristor
Fototiristorul este un fotoreceptor cu caracteristic de poart
capabil s comande tensiuni i cureni mari. 1rincipiul de funcionare
i caracteristica curent/tensiune sunt analogice cu ale tiristorului
convenional. %eosebirea const n faptul, c acumularea purttorilor
de sarcin, care formeaz condiiile necesare pentru amorsarea
fototiristorului este stimulat de flu'ul luminos incident pe structura
dispozitivului (pe bazele n
-
i>sau p
L
. Dumina provoac generarea
purttorilor de sarcin, care, fiind separai de Eonciunea A
!
,
stimuleaz amorsarea fototiristorului. 1rin urmare, tensiunea de gril
este substituit prin flu'ul luminos. Structura fototiristorului e
analogic cu cea a tiristorului convenional. n capsula dispozitivului
este format o fereastr, n care este montat o lentil pentru
focalizarea luminii pe cristal.
Fototiristoarele sunt aplicate pe larg n electronica de putere
datorit separrii galvanice ntre circuitul de for i circuitul de
comand, care este realizat de fototiristor.
&.*.!. Tiristoare TO
8iristoarele cu stingere pe poart, cunoscute i sub numele de
tiristoare G8" (Gate $ 8urn $ "ff dei au fost realizate nc din anul
-+?2, deci dup patru ani de la elaborarea primului tiristor
convenional, datorit progresului tehnologic de abia dup anul -+@2,
au putut fi livrate utilizatorilor e'emplare economice n calitate de
dispozitive semiconductoare comandabile pentru cureni i tensiuni
de valori ridicate. 8iristorul G8" este comandat n ambele sensuri de
comutare. Da aplicarea tensiunii pozitive pe gril tiristorul este
amorsat, iar prin aplicarea tensiunii negative pe gril este comutarea
invers / dezamorsarea. n aceste dispozitive este valorificat
proprietatea de reacie pozitiv& curentul invers prin gril reduce
curentul bazei p
0
, fapt care duce la scderea tuturor componentelor de
curent prin tiristor, i, prin urmare, duce la micorarea curentului
anodic i blocarea tiristorului.
Valeriu Blaj
-@-
CIRCUITE INTERATE
&.*./. Diacul 5i triacul
%enumirea diac provine de la diode alternating current sQitcA
(ntreruptor diodic de curent alternativ, iar triac / triode alternating
current sQitcA (ntreruptor triodic de curent alternativ. 1rin
combinaii ale domeniilor de tip p i n sunt formate structuri
semiconductoare, n care pentru ambele polariti ale tensiunii
anodice sunt realizate condiii analogice polarizrii directe a
tiristorului convenional. 6aracteristica diacului este simetric pentru
ambele polariti ale tensiunii. %iacul poate fi conceput ca dou
SchoJleY, iar triacul ca dou tiristoare convenionale, conectate
antiparalel. 8riacul este utilizat n variatoarele de curent alternativ.
Structura i familia caracteristicilor statice sunt prezentate n fig.?.+.
1artea superioar, format din domeniile n
-
, p
-
i n
,
. 1eliculele metalice
e'treme sunt conectate la terminalul A. n partea inferioar pelicula metalic
conectat la terminalul - interconecteaz domeniile p
L
i n
.
. Da domeniul p
M
este
format grila. Structura este format din 3 Eonciuni p$n. %ac se aplic tensiunea
e'tern cu polaritatea& pe terminalul A / plus i pe terminalul - / minus,
Eonciunile A
!
i A
3
sunt polarizate direct, iar A
/
/ invers. 1rin urmare, va funciona
structura de tiristor p
M
$n
0
$p
L
$n
.
. Da polaritate invers a tensiunii e'terne
funcionarea dispozitivului este determinat de structura
n
-
$p
M
$n
0
$p
L
.
Valeriu Blaj
1.!
Fig. ?.+. Structura (a i familia caracteristicilor statice (b ale triacului
A
-
d

n
-
p
-
p
0
A
1
A
!
n
0
A
/
n
.
n
,
A
3
A
*
I
U
b
I
G3
> I
G2
> I
G1
=0
0=I
G1
< I
G2
< I
G3
Tehnologia circuitelor integrate
1.%. CIRCUITE INTERATE
/.1>. No1iuni generale
%ezvoltarea electronicii este nsoit de c!teva tendine&
sofisticarea dispozitivelor i sistemelor, care rezult din
multiplicarea funciilor solicitate de practic)
creterea numrului elementelor n dispozitiv)
cresc cerinele fa de dispozitive, i anume fa de
fiabilitate, energia consumat, gabarite i mas.
n aa mod apar contradicii ntre cerinele fa de calitate i
creterea numrului de elemente, care duce la scderea fiabilitii i
creterea puterii consumate, gabaritelor i masei. Soluia a fost gsit
n elaborarea dispozitivelor microelectronice.
Kicroelectronica este un domeniu aparte al electronicii, care
este preocupat de proiectarea, fabricarea i aplicarea dispozitivelor
microelectronice / circuitelor integrate.
Da baza microelectronicii se afl principiul integral de fabricare
i utilizare. &ircuitul integrat este un microcircuit, n care elementele
circuitului (rezistene, capaciti, inductane, diode, tranzistoare etc.
sunt asociate rigid n uniti funcionale i pot fi utilizate numai ca
atare, nu i ca piese separate, i au o capsul pentru a proteEa de
factorii e'terni. 6ircuitele integrate se deosebesc dup principiul
constructiv / tehnologic& monolitice i peliculare (vezi fig.<.-. n
circuitele monolitice toate elementele sunt realizate ntr$un cristal
semiconductor printr$un proces tehnologic unic. (lementul de baz
n circuitele integrate semiconductoare poate fi tranzistorul bipolar
sau tranzistorul unipolar (cu efect de c!mp, i circuitele pot fi,
respectiv, bipolare sau unipolare.
n circuitele integrate peliculare hibride elementele pasive
(rezistene, capaciti, inductane sunt realizate pe suprafaa
substratului de mic sau sticl din pelicule conductoare, rezistive i
izolatoare, iar elementele active, confecionate n cristale
semiconductoare (cAip, sunt montate sub aceeai capsul.
Valeriu Blaj
-@.
CIRCUITE INTERATE
&ircuitele optoelectronice sunt constituite din emitoare,
conductoare i receptoare optice&
emitoare optice (surse de lumin&
- lasere,
- diode luminiscente)
fotoreceptoare&
- fotorezistor,
- fotodiod,
- fototranzistor)
canal optic&
- ghid optic,
- fibr optic.
%up principiul funcional circuitele integrate se mpart n dou
clase mari& circuite integrate digitale i circuite integrate analogice
(liniare.
Bivelul de sofisticare a circuitelor integrate este caracterizat
prin gradul de integrare&
k=lg$, (<.-
unde $ este numrul de elemente pe aria unui chip. %e regul
valoarea k este rotunEit p!n la numr ntreg (n partea mai mare.
n aa mod dac numrul de elemente n circuitul integrat este p!n
la -2 circuitul este de primul grad de integrare,
de la -- p!n la -22 gradul doi de integrare etc.
6ircuitele cu k9.3 formeaz grupa circuitelor integrate mari, iar
pentru k;3 / circuite integrate foarte mari.
%in anul -+3+, care poate fi considerat nceputul erei circuitelor
integrate, p!n la momentul actual dimensiunea specific a
elementului n cristalul semiconductor a sczut cu c!teva ordine p!n
la 2,-. m. Simultan numrul de elemente n chip a atins valori de
circa mii, zeci i sute de mii, milioane. Spre e'emplu, dac circuitul
integrat al microprocesorului Antel @2@2, aprut n anul -+<,, conine
circa ,222 de tranzistoare) atunci procesoarele Antel 1entium aprute
n anul -++. conine circa .-22222 tranzistoare.
Valeriu Blaj
1.3
Tehnologia circuitelor integrate
Valeriu Blaj
-@3
" i s 0
o 6 i t
i # e
m i c
r o e l
e c t r
o n i c
e
D i
s
p
o z
i t i
v e
d i
s c
r e
t e
C i
r c
u i t
e
i n t
e g
r a t
e
C i r
c u
i t e
o p
t o
e l e
c t r
o n
i c e
d i o d e
T r a n z i s t o a r e
b i p o l a r e
T r a n z i s t o a r e
c u e f e c t d e
c E m p
& i r c u i t e
i n t e g r a t e
A i b r i d e
& i r c u i t e
i n t e g r a t e
m o n o l i t i c e
f i b r o p t i c
g A i d o p t i c
r e c e p t o a r e o p t i c e
l a s e r e
& i r c u i t e
i n t e g r a t e
b i p o l a r e
& i r c u i t e
i n t e g r a t e
u n i p o l a r e
Fig.<.-.
6lasificarea
dispozitivelor
microelectronice
CIRCUITE INTERATE

/.1.. Co"i4icarea circuitelor integrate
Cod&rile circ&itelor integrate 4fabricate 'n U.R.-.-.5 con,in
infor1a,ie despre realizarea constr&ctiv 0i te7nologic3 despre
posibilit,ile f&nc,ionale 0i para1etrii aparat&l&i concret. Cod&l
incl&de patr& ele1ente 4de exe1pl& 8190:;<$ sa& 1==%."52
ele1ent&l
I II III IV

1 == ) "

> 1 90 :; < ?
I (ri1&l ele1ent este o cifr3 care indic realizarea
constructi#Ntehnologic2
cifrele -, 3, ?, R reprezint circuitul
integrat monolitic,
cifrele 0, ,, S reprezint circuit integrat
Aibrid.
II $l doilea ele1ent con,ine do& cifre3 care indic
numrul curent al ela9orrii tehnologice.
1rimele dou elemente mpreun formeaz codul
numrul! seriei.
III Ele1ent&l al treilea const din do& litere3 care
reprezint 0osi9ilit1ile 4unc1ionale ale circ&it&l&i
integrat2
prima liter indic subgrupa funcional a
circuitului integrat,
a dou liter indic tipul circuitului.
6lasificarea circuitelor integrate i codurile
respective sunt prezentate n tabelul 3.-.
Valeriu Blaj
1.&
Tehnologia circuitelor integrate
IV Ulti1a pozi,ie3 a patra3 reprezint numrul "e or"ine al
ela9orrii schemei 4unc1ionale 0i este for1at din
c@teva cifre.
Suplimentar codul poate conine la nceput litera ;, care este
atribuit circuitelor integrate de uz larg, iar la sf!rit o liter, care
deosebesc circuitele integrate de acelai tip cu diferite valori ale
parametrilor.
Tn alte ri fiecare firm productoare are sistemul su de
codificare, care este prezentat 3n cataloagele respective'
TA-E=U= >. 1. C=ASI'ICAREA 'UNCOIONA=P A
CIRCUITE=OR INTERATE
B d>o 1osibilitile funcionale ale circuitului integrat \Z\e`dop`Pp
- 0 .
-
Generatoare&
-.-. de semnale armonice QH
-.0. de funcii speciale QR
-... de impulsuri dreptunghiulare QQ
-.,. de semnale liniar variabile QS
-.3. zgomot QT
0
%etectoare&
0.-. de amplitudine UB
0.0. de frecven UH
0... de faz UR
0.,. de impulsuri UV
.
=odulatoare&
..-. de amplitudine TB
..0. de frecven TH
.... de faz TR
..,. de impulsuri TV
,
6onvertoare&
,.-. de frecven WH
,.0. de faz WR
Valeriu Blaj
-@<
CIRCUITE INTERATE
,... de impulsuri (durat WU
,.,. de tensiune WX
,.3. de putere WT
,.?. de nivel WY
,.<. digital$analogic WB
,.@. analogic$digital W,
3
*mplificatoare&
3.-. de semnal sinusoidal YH
3.0. de curent continuu YL
3... de impulsuri YV
3.,. de frecvene nalte Y,
3.3. de Eoase frecvene YX
3.?. de frecvene medii YZ
3.<. repetitoare Y[
3.@. operaionale i difereniale YU
?
Dinii de nt!rziere&
?.-. pasive \T
?.0. active \Z
- 0 .
<
Filtre&
<.-. de frecvene nalte R,
<.0. de Eoase frecvene RX
<... de band R[
<.,. de reEecie RZ
@
%ispozitive multifuncionale&
@.-. analogice ]B
@.0. digitale ]S
@... combinate ]I
+
1ori logice&
+.-.
A$)
SV
Valeriu Blaj
1..
Tehnologia circuitelor integrate
+.0.
FB
SS
+...
$FT
SX
+.,.
A$)-FB
SH
+.3.
$A$)
SB
+.?.
$FB
S[
+.<.
$A$)-FB
SZ
-2
#istabile&
-2.-.
-c71itt
LS
-2.0.
dina1ice
LU
-2...
%
LL
-2.,.
R-
LZ
-2.3.
D
LT
-2.?.
A8
L,
--
6ircuite combinaionale i secveniale
--.-.
registre
VZ
--.0.
s&1atoare
VT
Valeriu Blaj
-@+
CIRCUITE INTERATE
--...
n&1rtoare
V[
--.,.
codificatoare
V,
--.3.
decodificatoare
VU
-0
=emorie&
-0.-.
1atrice R$.
ZT
-0.0.
1atrice R$. c& circ&it de co1and
ZY
-0...
1atrice RB.
Z,
-0.,.
1atrice RB. c& circ&it de co1and
Z[
-0.3.
R$. c& circ&it de co1and
ZW
Valeriu Blaj
1%(
Tehnologia circuitelor integrate
/.1%. Tehnologia circuitelor integrate
>./.1. Tehnologia circuitelor integrate 9i0olare
Circ&itele integrate bipolare3 de reg&l3 a& ca ele1ent de
baz tranzistor&l integrat bipolar de tip n?0?n3 fapt care se explic
prin o vitez de f&nc,ionare 1ai 'nalt 'n co1para,ie c&
tranzistor&l de tip 0?n?0 0i posibilitatea ob,inerii &n&i factor 1ai
'nalt. $1bele avanta+e ale tranzistor&l&i de tip n?0?n s&nt ca&zate
de 1obilitatea 1ai 'nalt a electronilor 'n co1para,ie c& gol&rile.
Valori 1ai 'nalte pentr& factor&l se ob,in prin folosirea
fosfor&l&i 'n calitate de i1p&ritate donoare inserat 'n cristal&l de
silici& prin proces&l de dif&zi&ne. -ol&bilitatea fosfor&l&i 'n silici&
este net s&perioar 0i se pot ob,ine do1eniile e1itoarelor c& nivel
'nalt de dopare 4'n co1para,ie c& do1eni&l bazei5 pentr& ob,inerea
factor&l&i de in+ec,ie 'nalt 0i3 prin &r1are3 a factor&l&i de
transfer 'nalt.
6ircuitele integrate sunt formate n plachete de siliciu prin
tehnologia n grup / ntr$un procedeu sunt formate c!teva mii de
circuite. %up formarea circuitelor n volumul sau pe suprafaa
plachetei de siliciu, ultima este separat n chipuri (fiecare chip este
un circuit integrat. *ria unui chip este de circa c!iva mm
0
, iar
dimensiunile unui element al circuitului sunt de ordinul m.
(lementele circuitului integrat sunt conectate electric prin domeniile
respective n volumul semiconductorului sau prin pelicule
superficiale de metal (conductor.
1rocesul de fabricare a circuitelor integrate poate fi realizat
prin tehnologia planar sau planar$epita'ial. %omeniile necesare n
semiconductor sunt formate prin metoda difuziuei sau prin cretere
epita'ial. " etap important este n acest caz formarea unui strat
protector din Si"
0
cu configuraia necesar prin metoda
fotolitografic. %in aceste considerente procedura de o'idare termic
a siliciului procedeele fotolitografice ntr n lista operaiilor
principale de fabricare a circuitelor integrate.
Valeriu Blaj
-+-
CIRCUITE INTERATE
(lementul de baz n circuitul
integrat monolitic este tranzistorul
integrat, n baza crui sunt formate
alte elemente ca& diode, rezistoare i
condensatoare. 8ranzistoarele
integrate au un cost mult mai mic ca
tranzistoarele respective discrete.
1rin urmare, un etaE poate fi
constituit din 3$-2 tranzistoare spre
deosebire de etaEul cu 0$.
tranzistoare discrete. Fiecare circuit
poate fi dotat cu tranzistoare de
tipul necesar, dimensiunile,
caracteristicile i parametrii crui
corespund cerinelor specifice
dispozitivului elaborat. n circuitele
integrate monolitice este posibil
combinarea tranzistoarelor de
frecven nalt cu cele de putere.
%eoarece toate elementele
(tranzistoarele integrate sun
formate simultan ntr$un proces
unic i ntr$un cristal comun, este
uor realizabil combinarea
(corespunderea reciproc a
caracteristicilor electrice i termice.
S analizm proces&l de
fabricare a tranzistor&l&i bipolar
integrat (vezi fig.<.0. n calitate
de substrat servete placheta de
siliciu de tip p. 1e suprafaa
semiconductorului prin o'idare
termic este format o pelicul de
Si"
0
, care va proteEa suprafaa
Valeriu Blaj
1%!
plachet Si de tip p
pelicul Si"
0
a
b
c
d
e
guri n Si"
0
p
p
n n
n
n n
n
n
p
p
p
p
p
p
n
f
p p
p
n n
n n
E E
C
C - -
Fig. <.0. 1rocesul de
fabricare a tranzistorului
integrat&
d o'idare,
b gravarea Si"
0
,
c difuziune (formarea
colectorului,
d formarea bazei,
e formarea emitorului,
f formarea contactelor

Tehnologia circuitelor integrate
plachetei de siliciu n locurile necesare n timpul procedurii de
difuziune a impuritii.
1rin metoda fotolitografic pelicula de o'id este gravat n aa
mod nc!t n timpul etapei urmtoare prin gurile formate n Si"
0
prin difuzia fosforului este format domeniul colectorului. %up
aceast procedur pelicula de Si"
0
este decapat. 1rintr$o serie de
proceduri analogice celor enumerate mai sus este format domeniul
bazei, n alt serie / domeniul emitorului. n etapa urmtoare este
format o pelicul nou de Si"
0
, prin gurile crei, prin depunere a
unui strat metalic, sunt formate contacte electrice pentru terminalele
tranzistorului integrat.
%ezavantaEul acestei metode const n necesitatea unei difuzii
profunde (la formarea domeniului colectorului, spre e'emplu, din
care rezult neuniformitatea Eonciunilor ntre domeniile formate prin
Valeriu Blaj
-+.
b
guri n Si"
0
substrat p- Si
p n p
difuzie
buzunar
plachet p$Si
strat epita'ial n$Si
a
p
Fig. <... Fabricarea tranzistorului
planar$epita'ial&
d cretere epita'ial,
b formarea buzunarelor,
c tranzistorul n buzunar
n
c
n
p
E C -
CIRCUITE INTERATE
difuziune. *cest dezavantaE este e'clus n metoda tehnologic
planar-epitaxial, n care sunt combinate procesele de difuziune cu
cele de cretere epita'ial (vezi fig.<....
1e placheta de siliciu de tip p este crescut prin metoda
epita'ial un strat de siliciu de tip n. 1rin metoda fotolitografic este
gravat pelicula de Si"
0
(format prin o'idare termic i prin difuzia
impuritii acceptoare se obin buzunarele (insule de tip n, n care n
continuare sunt formate structurile n-p-n ale tranzistoarelor integrate
prin metoda de difuzie. n aa mod se obin Eonciuni p-n uniforme,
care sunt caracterizate de tensiuni mai nalte de strpungere
(Eonciunile colectoarelor.
1entru formarea diodelor n circuitele integrate monolitice sunt
folosite Eonciunile tranzistorului integrat& dioda este format sau n
Eonciunea emitorului, sau n Eonciunea colectorului, sau ambele
Eonciuni conectate paralel, n funcie de caracteristicile necesare.
Fonciunea colectorului este caracterizat de tensiune nalt de
strpungere, iar Eonciunea emitorului / de curent invers mic. Kn
avantaE important al diodelor integrate sunt caracteristicile i
parametrii identici (sunt formate n acelai material semiconductor.
Rezistoarele n circuitele integrate au dimensiuni de circa -m
sau mai mici i pot fi formate prin difuzie. %e regul, pentru
formarea rezistoarelor cu rezistene mari este folosit domeniul bazei,
iar cu rezistene mici / domeniul emitorului. Nezistorul este izolat
electric printr$o Eonciune p-n. 8ensiunea de strpungere a acestei
Eonciuni limiteaz tensiunea de lucru a rezistorului. *ria suprafeei
rezistorului determin valoarea ma'im admisibil a puterii disipate
pe rezistor. %ezavantaEele rezistoarelor integrate sunt& dispersia
rezistenei i valorile mari ale factorului termic al rezistenei.
1entru formarea condensatoarelor n circuitele integrate
monolitice sunt folosite capacitile Eonciunilor (emitorului sau
colectorului polarizate invers. 6ondensatoarele, formate pe
Eonciunea emitorului, sunt caracterizate prin valori mari ale
capacitii i tensiuni de strpungere Eoase, iar pe Eonciunea
colectorului / invers / capaciti mici i tensiuni nalte de
strpungere. Folosirea Eonciunilor ca condensatoare este limitat de
Valeriu Blaj
1%3
Tehnologia circuitelor integrate
rezistena echivalent de pierderi serie i capacitatea parazitar
paralel. *lt dezavantaE este dependena capacitii de tensiune.
*lt tip de condensatoare integrate sunt condensatoarele ="S,
care au caracteristici mult mai nalte. *ceste condensatoare sunt
formate direct pe placheta de siliciu, folosindu$se o pelicul de Si"
0
,
n calitate de izolator. n calitate de armturi sunt folosite& substratul
semiconductor i o pelicul conductoare (spre e'emplu, *l format
prin metalizare. *ceste condensatoare sunt identice cu cele discrete
nepolarizate. *ceste condensatoare sunt caracterizate prin stabilitate
nalt i capacitatea nu depinde de tensiune.
Valeriu Blaj
-+3
CIRCUITE INTERATE
>./.!. Tehnologia circuitelor integrate uni0olare
n circuitele integrate unipolare preponderent ca element de
baz este folosit tranzistorul cu efect de c!m cu canal indus. *ceste
tranzistoare sunt caracterizate de tensiuni de strpungere ntre gril i
dren mult mai nalte n comparaie cu tensiunea de strpungere ea
Eonciunii colectorului n tranzistoarele bipolare. ntr$un montaE
adecvat ="S F(8 poate fi folosit ca element pasiv (rezistor sau
condensator. *cest fapt permite formarea circuitelor integrate numai
pe baza structurilor de tip ="S. Fabricarea circuitelor integrate
="S este mult mai simpl n comparaie cu cele bipolare& numrul
necesar de operaii tehnologice este de circa trei ori mai mic, iar
suprafaa unui tranzistor integrat este de zeci de ori mai mic.
6ircuitele integrate unipolare sunt preferabile, n special n tehnica
digital& memorii N*= i N"=, microprocesoare etc.
n circuitele integrate cu tranzistoare ="S F(8 cu un singur
tip de canal izolarea reciproc a tranzistoarelor nu este necesar,
deoarece ele sunt separate de volumul semiconductor cu
conductivitate Eoas, iar Eonciunile sunt polarizate invers. Kn interes
deosebit prezint circuitele integrate unipolare cu tranzistoare ="S
F(8 complementare (cu canale de tip diferit / 6="S F(8. *ceste
integrate sunt caracterizate de&
- vitez nalt de funcionare,
- consum foarte redus de energie n regim static,
- stabilitate nalt la perturbaii,
- posibilitatea funcionrii cu tensiuni de
alimentare ntr$un domeniu vast de valori.
ns n circuitele integrate 6="S F(8 apare problema izolrii
tranzistoarelor cu canal de tip p(1="S F(8 de cele cu canal de tip
n (B="S F(8. 6u acest scop pot fi folosite dou metode&
Valeriu Blaj
1%&
Tehnologia circuitelor integrate
sunt create domenii izolatoare (buzunare pentru
tranzistoarele cu un tip de canal)
fabricare separat a tranzistoarelor de un tip pe
substraturi diferite cu cone'iune ulterioar. ns n
aceast metod este sofisticat montaEul cristalelor.
6onsecutivitatea
fabricrii circuitelor integrate 6
="S F(8 este prezentat n
fig. <.,. Da etapa iniial (vezi
fig.<.,.a n placheta de tip n
prin difuziune sunt formate
domeniile de tip p (buzunarele,
care vor servi, n continuare, ca
substrat pentru tranzistoarelor
cu canal de tip n (B="S F(8.
Da etapa urmtoare prin
difuzia impuritii acceptoare n
substratul de tip n (vezi
fig.<.,.b sunt formate
domeniile sursei i drenei
tranzistorului cu canal de tip p
(1="S F(8, iar prin difuzia
impuritii donoare n
buzunarul de tip p (vezi
fig.<.,.c sunt formate
domeniile sursei i drenei
B="S F(8. n continuare n
ambele tranzistoare sunt
formate i gravate peliculele de
o'id (vezi fig.<.,.d, prin
gurile crora sunt formate apoi
(vezi fig.<.,.e contactele.
Valeriu Blaj
plachet n$Si
a
p
Fig. <.,. Fabricarea
6 ="S F(8 integrate&
d formarea buzunarelor,
b formarea 1="S F(8,
c formarea B="S F(8,
d formarea o'idului sub gril,
e formarea contactelor

b
p
pH
n
pH
c
p
n
pH pH nH nH
d
p
n
pH pH nH nH
e
p
n
pH pH nH nH
-+<
SEMICONDUCTOARE
>././. Tehnologia circuitelor integrate hi9ri"e
n circuitele integrate hibride elementele pasive (rezistoare,
condensatoare, bobine, conductoare etc. sunt formate prin
depunerea peliculelor pe un substrat izolator. 1eliculele rezistive,
conductoare sau izolatoare sunt depuse prin metoda evaporrii
termice n vid sau prin metoda serigrafic. n prima metod
configuraia peliculei este asigurat de masca, prin care are loc
depunerea, sau se obine prin procedura fotolitografic. n cazul al
doilea are loc imprimarea prin intermediul sitei serigrafice a peliculei
necesare formate din aliaEe cu proprietile necesare, fiind apoi
prelucrate termic. %eci, n circuitele integrate hibride elementele
pasive sunt formate pe substratul de mic sau sticl, iar elementele
active sunt aderate prin montaE superficial (S=% / Surface =ounted
%evices. (lementele active (diode, tranzistoare etc., formate n
cristale aparte, fr terminale, sunt lipite cu zonele respective
metalizate pe locul pregtit pe substrat.
Rezistoarele pelic&lare sunt formate din materiale cu
rezisten specific nalt. =aterialele rezistive pot fi metale (crom,
tantal sau aliaEe (nicrom, nitrizi sau silicizi de crom. 6onfiguraia
rezistoarelor peliculare poate fi simpl dreptunghiular / TliniarU
sau Tn zigzagU (vezi fig.<.3, n funcie de valoarea necesar a
rezistenei. 6onfiguraia Tn zigzagU asigur obinerea unor valori
mari ale rezistenei.
Valeriu Blaj
3
a
b
Fig.<.3. 6onfiguraia
rezistoarelor peliculare&
a liniar,
b n zigzag
Fig.<.?. Structura
condensatorului
pelicular
n-Si
Si"
0
Si"
'
Diagrama energetic a cristalului
Condensatoarele pelic&lare au structura format din trei
straturi& conductor / izolator / conductor. (lementul principal n
condensatorul pelicular este izolatorul. 6apacitatea i ali
parametri ai condensatoarelor depind de proprietile materialului
dielectric. 1entru formarea stratului izolator sunt folosite
materiale neporoase cu tensiuni nalte de strpungere i pierderi
dielectrice minime. *ceste caracteristici le pot asigura, spre
e'emplu, o'izii de siliciu Si"
'
, o'idul de titan 8i", Sb
0
S
.
etc.
Structura unui condensator pelicular este prezentat n figura <.?.
Folosirea ind&ctan,elor pelic&lare n unele circuite integrate
liniare este inevitabil. Spre deosebire de circuitele integrate
monolitice n cele hibride este posibil formarea inductanelor.
Anductane peliculare cu valori nu prea mari se obin prin depunerea
peliculelor conductoare cu configuraii de tip spiral (vezi fig.<.<..
ns datorit valorilor foarte mici posibile ale inductanelor
peliculare, de regul, n circuite inductanele necesar sunt folosite ca
elemente discrete.
6one'iunile ntre elemente, zonele pentru terminale, armturile
condensatoarelor, inductanele i contactele elementelor sunt formate
din pelicule conductoare de aur, argint, cupru sau aluminiu.
Valeriu Blaj
?
a
b
Fig.<.<. 6onfiguraia inductanelor peliculare&
a circular, b dreptunghiular
SEMICONDUCTOARE
.. AM+=I'ICATOARE
..1. No1iuni generale
$1plificator se n&1e0te circ&it&l electronic3 care
transfor1 se1nal&l de p&tere 1ic3 aplicat la intrare3 'ntr-
&n se1nal de ie0ire de p&tere 1ai 1are.
n fig.@.- amplificatorul este
reprezentat ca un cuadripol.
1rocesul de amplificare const n
modularea puterii sursei de alimentare
de curent continuu conform variaiei n
timp a semnalului de intrare.
1arametrul principal al amplificatorului
este factor&l de a1plificare $.
%eosebim&
$ factorul de amplificare a tensiunii
$
U
U
U
ie5.
int.

, (@.-
$ factorul de amplificare a curentului
$
I
I
I
ie5.
int.

, (@.0
$ factorul de amplificare a puterii
$
+
+
U I
U I
$ $
+
ie5.
int.
ie5. ie5.
int. int.
U I


. (@..
5alorile factorilor de amplificare pentru diferite amplificatoare
pot fi diferite, ns $-. n caz contrar amplificatorul i pierde
sensul. %ac e'primm factorul de amplificare n decibeli, avem&
[ ]
int.
ie5
U
U
U
lg !( "- $
, (@.,
[ ]
$ "- !( lg
I
I
I
ie5.
int.

, (@.3
Valeriu Blaj
<
I
ie5.
U
ie5.
U
int.
I
int.
Fig.@.-. Simbolul
amplificatorului
Diagrama energetic a cristalului
[ ]
int.
ie5
+
+
+
lg 1( "- $
, (@.?
%eoarece factorul de amplificare n caz general este un numr
comple', el poate fi scris n forma&
8
e $ $
, (@.<
6aracteristice importante ale amplificatorului sunt&
$ caracteristica a1plit&dine - frecven, (6*F (vezi. fig. @.0
a, care e'prim dependena modulului factorului de amplificare
de frecvena semnalului
( ) $ ' 4
)
$ caracteristica faz - frecven, (6FF, care reprezint
dependena defazaEului introdus de amplificator (argumentul
de frecvena semnalului ^ 'E4F (vezi fig. @.0 b&
arctg
Im $
Re $
. (@.@
(ara1etrii de intrare ai
amplificatorului sunt&
$tensiunea de intrare U
int.
,
$curentul de intrare I
int.
,
$puterea de intrare +
int.
,
$impedana de intrare
<
U
I
)
int.
int.
int.

(ara1etrii de ie0ire ai
amplificatorului sunt&
$tensiunea de ieire U
ie5.
,
$curentul de ieire I
ie5.
,
$puterea de ieire +
ie5.
,
$impedana de ieire
<
U
I
.
ie5.
ie5.
ie5.

&riterii de calitate& <


int.
i +
ie5.
? ma'imale, iar <
ie5.
$ minimal.
*lt caracteristic important este caracteristica de amplitudine
(de transfer, reprezentat n figura -... 1e poriunea liniar a ei (de
Valeriu Blaj
@
4

4
8
4
s
4
4

$
ma@
a
b
Fig. @.0. 6aracteristicile
amplificatorului
a / amplitudine$frecven)
b / faz$frecven
SEMICONDUCTOARE
la U
int.min.
p!n la U
int.ma@.
amplificatorul este n regim dinamic. Da
tensiuni mai nalte este regimul de saturaie.
=odificarea componentei
spectrale a semnalului este definit
prin distorsi&ni. %istorsiunile pot fi
liniare i neliniare. %istorsiunile
liniare sunt&
de frecven,, c!nd diferite
frecvene sunt amplificate diferit,
adic datorit dependenei
( ) 4 ' $

)
de faz, c!nd defazaEul pentru
diferite frecvene este diferit.
Factorul distorsiunilor de frecven este
M
$
$
.
ma@.

(@.+
%istorsiunile de faz i de frecven sunt liniare, deoarece nu
provoac modificarea spectrului semnalului. *dic nu apar
componente spectrale suplimentare la ieirea amplificatorului.
%istorsiunile liniare sunt provocate de elementele reactive din
schem. %istorsiunile de faz sunt inacceptabile n televizoare,
osciloscoape i alte echipamente de acest gen.
%istorsiunile neliniare se e'prim prin modificarea
formei semnalului. n componenta spectral a semnalului de ieire
gsim armonici noi sau nu gsim unele armonici ale semnalului de
intrare.
Factorul distorsiunilor neliniare este&

I
I
m
!
!
m1
i
i
,
(@.-2
unde I
m1
este amplitudinea armonicii fundamentale,
iar I
mi
sunt amplitudinile armonicilor superioare.
*lt parametru important este randamentul&
Valeriu Blaj
+
U
ie5.
U
int.min.
U
int.ma@.
U
int.
Fig.@... caracteristica de
amplitudine
Diagrama energetic a cristalului
s.a.
+
+
. ie4

) (@.--
unde +
s.a.
/ puterea, consumat de la sursa de alimentare.
..!. Clasi4icarea am0li4icatoarelor
6lasificarea amplificatoarelor se face dup c!teva criterii&
+ n funcie de distorsiuni neliniare deosebim
amplificatoare liniare, n care aceste distorsiuni sunt
minime i neliniare, \n care aceste distorsiuni sunt
foarte mari)
+ %up tipul dispozitivelor active deosebim amplificatoare
cu tuburi electronice,
cu tranzistoare bipolare,
cu tranzistoare 'ET,
parametrice cu diode tunel sau diode Gunn.
+ %up mrimea semnalului&
amplificatoare de tensiune,
amplificatoare de curent,
amplificatoare de putere.
+ %up natura semnalului&
amplificatoare de semnal mic
(amplificatoare de tensiune
amplificatoare de semnal mare
(amplificatoare de putere.
+ %up numrul de etaEe amplificatorul poate fi format
dintr$un etaE sau c!teva, legate n lan (vezi fig. @.,.
Valeriu Blaj
-2
1 !
N
Fig. @.,.*mplificatoare cu multe etaEe legate n lan
_
SEMICONDUCTOARE
$ $ $ $ )
1 ! N

(@.-0
` ! 1
a a a a + + +
. (@.-.
+ %up cuplaEul ntre etaEe i cuplaEul semnalului de
intrare i sarcinii deosebim&
$ amplificatoare cu cuplaE direct)
amplificatoare cu cuplaE RC (rezistiv$capacitativ)
amplificatoare cu cuplaE prin transformator.
+ %up clasa de funcionare a etaEului deosebim
amplificatoare de clasa A) -) C i A-.
+ *mplificatoarele liniare n funcie de banda de trecere se
deosebesc&
amplificatoare de +oas frecven, (audio cu&
1 frecvena limit de Eos circa 02 qz i
1 frecvena limit de sus circa 02 Jqz,
amplificatoare de 'nalt frecven, cu&
1 frecvena limit de Eos circa 02 Jqz i
1 frecvena limit de sus circa -22 =qz,
amplificatoare band larg (amplificatoare video cu&
1 frecvena limit de Eos circa 02 qz i
1 frecvena limit de sus circa -22 =qz,
amplificatoare de c&rent contin&&, care au
frecvena limit de Eos aproape de zero.
6aracteristica amplitudine$frecven a
amplificatorului de curent continuu este prezentat
n fig.@.3.
Valeriu Blaj
--
Diagrama energetic a cristalului
amplificatoare band 'ng&st (selective. CA' a
amplificatorului selectiv este prezentat n fig.@.?.
../. Structura eta8ului am0li4icator
*mplificatorul poate fi format din
mai multe etaEe& etaE de intrare, etaEe
intermediare, etaE de ieire. (taEul de
intrare trebuie s aib impedana de
intrare mare, nivelul de zgomot mic i
sensibilitatea nalt. (taEele intermediare
amplific semnalul n tensiune p!n la
nivelul necesar. (taEele de ieire asigur
puterea de ieire (pe sarcin ma'imal i
servesc pentru adaptarea ieirii amplificatorului cu sarcin.
8oate aceste etaEe sunt formate pe acelai principiu unic. Structura
unui etaE de amplificare este reprezentat n fig.@.?.
Ele1entele princpale ale unui etaE amplificator sunt&
$ dispozitivul activ DA, care asigur procesul de amplificare
(poate fi, spre e'emplu, tranzistorul)
$ sursa de alimentare de curent continuu E, inclus n circuitul
de ieire, care furnizeaz energie pentru formarea semnalului de
ieire i asigur regimul de repaos al etaEului)
Valeriu Blaj
-0
4
$
Fig.@.,.CA' a amplificatorului
de curent continuu
4
(
4
$
Fig.@.3. CA' a
amplificatorului selectiv
N
E
Fig. @.?. Structura
etaEului de amplificare
DA
U
int.
U
ie5.
SEMICONDUCTOARE
$ rezistena R, pe care este format semnalul de ieire i de
pe care el este cules.
Sub aciunea semnalului de intrare variaz rezistena dinamic
a DA i n circuitul de ieire se formeaz semnalul de ieire.
Jrocesul de amplificare este bazat pe transformarea energiei
sursei de alimentare de curent continuu (c.c. n energie de curent
alternativ (c.a. n circuitul de ieire datorit modificrii rezistenei
dispozitivului activ sub aciunea semnalului de intrare.
%eoarece sursa de alimentare este de c.c., n circuitul de ieire pe
curentul continuu este suprapus semnalul variabil. (ste necesar, prin
urmare, ca amplitudinile semnalului variabil s nu depeasc
componentele de c.c.
I I
m C

i
U U
m C

. n caz contrar, n
anumite intervale de timp curentul de ieire va fi nul i semnalul de
ieire va fi distorsionat. 1rin urmare, i n circuitul de intrare trebuie
format o component de curent continuu. 6omponentele de c. c. ale
tensiunilor i intensitilor n circuitul etaEului amplificator formeaz
regimul de repaos al etaEului. Begimul de repaos al etaEului
amplificator este definit ca regimul e'istent n circuitul etaEului n
absena semnalului de intrare.
%eosebesc etaEe amplificatoare dotate cu tranzistoare bipolare
n montaE emitor comun (EC, baz comun (-C i colector comun
(CC.
*naliza etaEelor amplificatoare vom efectua$o presupun!nd
semnalul este sinusoidal de frecvene medii de unde rezult, c pot
fi negliEate&
reactanele condensatoarelor,
rezistena intern n c.c. a sursei de alimentare,
capacitile de montaE i capacitile tranzistorului i
dependena parametrilor tranzistorului de frecven.
..3. Eta8 am0li4icator cu tran6istor 9i0olar 7n monta8 EC
Valeriu Blaj
-.
Diagrama energetic a cristalului
(taEul
amplificator cu
tranzistor bipolar n
cone'iune emitor
comun (n continuare
etaE amplificator EC
este cel mai larg
folosit. 5om analiza
schema cu tranzistor de
tip p-n-p (vezi fig.@.<.
1entru schema cu
tranzistor de tip n-p-n
se schimb numai
polaritatea sursei de
alimentare i sensurile curenilor.
Ele1entele principale ale etaEului sunt&
tranzistorul VT)
sursa de alimentare E
C
,
rezistena R
C
, de pe care este cules semnalul de ieire.
Nestul elementelor ndeplinesc funcii au'iliare. (lementele
au'iliare sunt&
+ condensatoarele de cuplaE C
1
i C
!
, care e'clud influena
sursei de semnal i a sarcinii asupra regimului de repaos,
menin!ndu$l neschimbat. C
1
e'clude circulaia curentului
continuu prin sursa de semnal E
g
(cu rezistena intern R
g
, iar
C
!
admite numai circulaia curentului alternativ prin sarcin.
+ Nezistenele R
1
i R
!
formeaz divizor de tensiune, care
asigur componenta de c.c. a tensiunii U
-E
EU
-E(
F i determin
regimul de repaos la intrarea tranzistorului.
+ Nezistena R
E
servete pentru stabilizarea termic, form!nd
reacie negativ serie n curent. %e e'emplu, dac n timpul
funcionrii tranzistorul s$a nclzit, va crete curentul
Valeriu Blaj
-,
Fig.@.<.Schema etaEului amplificator EC
C
!
C
1
E
C
:
R
1
R
C
R
g
R
s
VT
E
g
U
int.
R
!
R
E
C
E

U
ie5.
SEMICONDUCTOARE
colectorului i crete curentul emitorului. 1rin urmare, crete
cderea de tensiune pe R
E
i tensiunea se micoreaz U
-E
,
adic scad curenii A
#
si A
6
, iar tranzistorul este ntors la
regimul iniial.
+ 6ondensatorul C
E
unteaz reacia negativ adic R
E
n
curent alternativ evit!nd micorarea factorului de amplificare.
1rincipiul de funcionare a etaEului& pe componentele de c.c.
ale tensiunilor i curenilor n circuitul de intrare este suprapus
semnalul variabil , care condiioneaz apariia componentei variabile
a curentului colectorului. Kltima formeaz component de c.a. a
cderii de tensiune pe rezistena R
C
. Semnalul variabil este cules prin
condensatorul de cuplaE C
!
spre sarcina R
S
. Semnalul de ieire are
amplitudine mai mare ca cel de intrare deoarece impedana de ieire
a tranzistorului este mai mare ca impedana de intrare.
(taEul EC este caracterizat de impedan de intrare mic,
impedan de ieire mare i defazaE ntre semnalul de ieire i cel de
intrare de -@2
o
. (taEul EC este etaE inversor.

Valeriu Blaj
-3
Diagrama energetic a cristalului
..*. Anali6a eta8ului EC 7n curent continuu
ERela1iile 0rinci0ale 0entru alegerea regimului "e re0aos
*naliza etaEului n curent continuu este efectuat prin
metoda grafo$analitic, adic sunt efectuate construcii grafice n
baza caracteristicilor statice ale tranzistorului nsoite de e'presii
analitice. n sistemul de coordonate al caracteristicilor de ieire
(vezi fig. -.@. este trasat dreapta de sarcin n curent continuu.
Dreapta de sarcin 'n c&rent contin&& este locul
geometric al punctelor, coordonatele crora corespund
valorilor posibile ale curentului colectorului I
C
4i
tensiunii U
CE
'
%in schema etaEului observm, c bilanul tensiunilor n
circuitul de ieire este&
E
C
^ I
C
R
C
: U
CE
: I
E
R
E
. (@.-,
%eoarece I
C
^I
E
, iar 1, putem admite c
I I
C E

.
1rin urmare, e'presia (@.-, poate fi simplificat p!n la&
E
C
^ I
C
ER
C
: R
E
F : U
CE
. (@.-3
Formula (-.-3este ecuaia dreptei de sarcin. 8rasm dreapta
de sarcin n c.c. prin dou puncte de intersecie cu a'ele.
Da intersecia cu a'a tensiunilor&
( U
CE

i
I
E
R R
C
C
C E

+
) (@.-?
iar la intersecia cu a'a curenilor&
( I
C

i
U E
CE C

. (@.-<
Da intersecia dreptei de sarcin cu caracteristica de ieire
corespunztoare curentului bazei de repaos I
-(
este gsit punctul de
Valeriu Blaj
-?
SEMICONDUCTOARE
repaos +. %e alegerea corect a punctului de repaos depinde
funcionarea etaEului fr distorsiuni.
n c.a. R
E
este untat, sursa de curent continuu E
C
(cu rezistena
intern mic. Neactana condensatorului C
!
este foarte mic i n
curent alternativ n paralel cu R
C
este conectat sarcina R
S
. 1rin
urmare, n e'presia (@.-3 R
E
dispare, iar rezistena R
C
este mai
mic. %eci dreapta de sarcin n c.a., care se mai numete
caracteristica dina1ic de ie0ire, trece prin punctul de repaos
+ i are panta mai mare ca dreapta de sarcin n c.c. (vezi
dreapta A- n fig.@.@.. &aracteristica dinamic de ie4ire reprezint
dependena ntre componentele de c.a. ale tensiunii i curentului de
ieire.
%in fig.@.@ observm& dac la intrarea amplificatorului, este
aplicat un semnal variabil, alternana sa pozitiv provoac creterea
tensiunii U
-E
, curentului A
#
, curentului A
6
i, conform dreptei de
sarcin, micorarea tensiunii U
CE
. 1rin condensatorul de cuplaE C
!
este culeas componenta alternativ a tensiunii de pe colector, care
va avea aceeai form cu semnalul de intrare i un defazaE de -@2
faa de semnalul de intrare. (taEul EC este inversor, adic introduce
defazaE de -@2. %e aceea factorul de amplificare a tensiunii pentru
el este considerat negativ.
..&. Clasele "e 4unc1ionare a eta8elor am0li4icatoare
n funcie de poziia punctului de repaos i amplitudinea
semnalului variabil deosebesc . clase de funcionare a etaEelor
amplificatoare& A) -) C i clasa intermediar A-. 6lasele se
deosebesc prin valoarea ma'imal posibil a randamentului i
distorsiunile neliniare.
CC$-$ $ 1unctul de repaos se afl n miElocul poriunii liniare
a caracteristicii de transfer a tranzistorului (vezi fig.@.@, iar
amplitudinea semnalului variabil este limitat n domeniul, care nu
scoate punctul funcionare a tranzistorului din limitele poriunii
liniare a caracteristicii de transfer. 6lasa A este caracterizat prin
distorsiunile neliniare minime i randament p!n la 32 n.
Valeriu Blaj
-<
Diagrama energetic a cristalului
Nandamentul etaEului amplificator este

+
+
()*I U
I U
()*
I
I
U
U
ie5.
s.a.
Cm Cm
C( CE(
Cm
C(
Cm
CE(
. (@.-@
%eoarece
I I
Cm C(

i
U U
Cm CE(

) gsim
2 3 ,
.
CC$-$ D 1unctul de repaos este situat n originea
coordonatelor caracteristicii de transfer (fig.@.+. 1rin urmare,
curentul bazei de repaos este nul. 1e sarcin apare curent i tensiune
numai de o alternan (pozitiv, n timpul creia tranzistorul este n
conducie (regim activ direct. 6ealalt alternan (negativ este
tiat, deoarece tranzistorul este blocat.
%istorsiunile liniare sunt foarte mari, ns randamentul poate
cpta valori mai mari n comparaie cu clasa A.
Valeriu Blaj
-@
U
-E
t
E
C
U
CE
t

t

-

I
-1
1
I
C(
+ I
-(
I
C
I
C
A I
-!
I
C
Fig. @.@. 6aracteristicile etaEului amplificatorului clasa A
Fig. @.+. 6aracteristicile etaEului amplificator clasa -
t

t

+

U
-E
t

U
CE
I
-1
I
-!
I
-/
I
C
I
C
I
C
SEMICONDUCTOARE
1uterea de ieire este& +
ie5.
^ ()* U
Cm
I
Cm
. (@.-+
1uterea, consumat de la sursa de alimentare este&
+
s.a.
^ U
C(
I
C me".
. (@.02
6urentul mediu consumat de la sursa de alimentare va circula
numai n timpul alternanei pozitive&
I " I sin cos I
Cme". C Cm Cm


- -
2
0
2 2


i ( ( ( t td t t
I
Cm
. (@.0-
%eoarece U
Cm
poate fi nu mai mare ca U
C(
, randamentul va fi&
n, ? , <@
,
0

Cm C(
Cm Cm
I U
I ()*U
(@.00
6lasa - este folosit n amplificatoarele n contratimp, adic
atunci c!nd tranzistoarele, funcion!nd pe r!nd, amplific c!te o
alternan a semnalului de intrare.
C=ASA C *ici punctul de repaos este situat n zona
corespunztoare a regimului de tiere (vezi fig.@.-2 i, prin urmare,
va fi amplificat numai o poriune de alternan a semnalului de
intrare. %istorsiunile neliniare sunt foarte mari, iar randamentul
poate atinge valoarea @3n. 6lasa C este folosit n cazul, c!nd
avem nevoie la ieire de o singur armonic, adic n amplificatoare
selective i oscilatoare (generatoare de semnal sinusoidal.
Valeriu Blaj
-+
Fig. @.-2. 6aracteristicile etaEului amplificator clasa C
U
-E
U
CE
t
t
t
I
-1
+
I
-!
I
-/
I
C
I
C
I
C
Diagrama energetic a cristalului
..>. Anali6a eta8ului am0li4icator EC 0entru semnal #aria9il
%ac analiza etaEului n c.c. ne permite s dimensionm
elementele schemei, atunci analiza n c.a. ne d posibilitate s gsim
parametrii de amplificare, adic&
factorii de amplificare n curent, tensiune i putere,
impedanele de intrare i ieire.
1entru analiza n curent alternativ ne vom limita numai la
banda de frecvene medii, n care
parametrii tranzistorului nu depind de frecven.
5om folosi schema echivalent a tranzistorului n montaE (6
cu parametri naturali (vezi fig...-0.b i vom presupune&
rezistena intern a sursei de alimentare n c.a. nul,
reactanele condensatoarelor nule i, prin urmare,
rezistena N
(
fiind untat dispare din schem.
rezistenele R
1
i R
!
pentru c.a. vor fi conectate n paralel.
n paralel cu R
C
va fi conectat sarcina R
S
.
Schema echivalent a etaEului (6 la frecvene medii este
prezentat n figura @.--.
1. 1entru a gsi impedana de intrare a etaEului <
int.
este necesar s
gsim rezistena la intrarea tranzistorului. 6u acest scop
e'primm tensiunea &
CE
prin curentul bazei i
-
. Anfluena
elementelor r
C
) i
-
) R
C
i R
S
poate fi negliEat, deoarece r
C
este
Valeriu Blaj
02
r
- C
r
C
R
g
r
E
E
g
-
i
9
R
C
U
ie5
R
s
Fig.@.--.Schema echivalent a etaEului EC la frecvene medii
E
U
int
R
!
R
1
SEMICONDUCTOARE
foarte mare i rezistena intern a sursei de curent este foarte
mare mic.
u
-E
^ i
-
r
-
: i
E
r
E
. (@.0.
%eoarece i
9
are rezistena foarte mare, iar
r
C
: C S
R R
bb r
E
) (@.0,
e'presia (@.0. poate fi scris n modul urmtor&
u
-E
^i
-
r
-
:Ei
-
:i
C
Fr
E
^i
-
r
-
:i
-
E1:Fr
E
^i
-
cr
-
:E1:Fr
E
d. (@.03
1rin urmare, rezistena de intrare a tranzistorului este&
+ + E1 r r r
E -
-
-E
int.
u
i
) (@.0?
iar impedana de intrare a etaEului <
int.
este
] + + F E1 r r c R R r R R <
E - ! 1 int. ! 1
int. U
. (@.0<
!. Gsim factorul de amplificare a curentului&
$
I
ies
int
s
int

i
i
i
i
.
. .
. (@.0@.
6u acest scop vom e'prima curentul de intrare i curentul de
ieire (curentul sarcinii prin curentul bazei&
i
int.
<
int.
^i
-
r
int.
) (@.0+
i
r
i
int.
int.
int.
-
<

, (@..2
i
S
ie5.
S
u
R

. (@..-
%eoarece r
E
este foarte mic n comparaie cu r
C
i R
C
, ea
poate fi negliEat n circuitul de ieire i, prin urmare, putem scrie&
i
i r
S
- C C S
S
c R R d
R


. (@..0
Antroduc!nd (@..2 i (@..0 n (@.0@. vom obine&
Valeriu Blaj
0-
Diagrama energetic a cristalului
$
<
R R
R
I
ie5.
int.
int.
int.
C C S
S

i
i r
r

. (@...
n cazul dimensionrii optimale a schemei etaEului amplificator
(6, factorul de amplificare a curentului poate atinge valoarea
ma'imal egal cu (h
!1EC
.
/. Factorul de amplificare a tensiunii&
$
u
E
U
ie5.
g

. (@..,
('primm tensiunea pe sarcin u
S
prin curentul sarcinii i
S
&
ie5.
^ &
S
^ i
S
R
S
. (@..3
*naliz!nd circuitul de intrare putem scrie c&
( )
E < R
g int. int. g
+ i
. (@..?
1rin urmare,
( )
$
R
< R
$
R
< R
U
S S
int. int. g
I
S
int g


+

+
i
i
. (@..<
"bservm c, factorul de amplificare a tensiunii va fi cu at!t
mai mare cu c!t mai mare este (vezi e'presia (@... i va fi cu at!t
mai mare cu c!t va fi mai mare raportul rezistenei sarcinii ctre
rezistena circuitului de intrare. %eoarece etaEul (6 este inversor
factorul su de amplificare a tensiunii este considerat av!nd valoare
negativ.
3. Factorul de amplificare puterii&
$
+
+
$ $
+
ie5.
int.
U I

. (@..@
*. Ampedana de ieire <
ie5.
este calculat, fiind raportat la bornele
colector$emitor&
C C ie5e
R r <
. (@..+
%eoarece r
C
este foarte mare (r
C
eR
C
, valoarea impedanei de
ieire este determinat de R
C
.
Valeriu Blaj
00
SEMICONDUCTOARE
... Re0etitor 0e emitor EEta8 CC
Repetitoare sunt numite amplificatoarele, care au factorul de
amplificare unitar 4i polaritatea sau faza tensiunii de ie4ire coincide
cu cea a tensiunii de intrare'
Schema etaEului este reprezentat n fig. -.-.. 1entru semnal
variabil colectorul (prin sursa de alimentare este comun pentru
circuitul de intrare i
circuitul de ieire .
(lementele principale
sunt&
tranzistorul VT,
sursa de alimentare E
C
i
rezistena R
E
, pe care este
format i de pe care este
cules semnalul de ieire.
(lementele au'iliare&
condensatoarele C
1
i C
!
au
aceeai destinaie ca i n
cazul (6,
rezistena R
-
polarizeaz
baza.
8ensiunea aplicat nemiElocit la intrarea tranzistorului este&
U
-E
^ U
int.
? U
ie5. .
(@.,2
1rin urmare, avem n circuitul repetitorului reacie negativ
(serie n tensiune total (9-. ri factorul de amplificare a tensiunii
n repetitor este&
$
$
1 $
U R
U EC
U EC

+
, (@.,-
unde $
U EC
este factorul de amplificare a tensiunii n cone'iune (6.
%eoarece ;
U EC
e1, ;
U R
va fi practic aproape 1G
;
U R
^1
Valeriu Blaj
0.
E
C
:
R
1
C
1
58 C
!
U
int.
U
ie5.
R
E
Fig. @.-.. Nepetitor pe emitor
Diagrama energetic a cristalului
(taEul CC nu rotete faza semnalului. %ac este aplicat
alternana pozitiv a semnalului de intrare, curentul bazei
crete, crete curentul emitorului, cderea de tensiune pe R
E
crete, fapt echivalent cu apariia alternanei pozitive la ieire.
)eoarece semnalul de ie4ire reproduce repet! valoarea
tensiunii 4i faza semnalului de intrare 4i este cules de pe
emitor, etajul este numit repetitor pe e1itor'
(taEul este folosit ca etaE de ieire, deoarece are
impedana de ieire foarte mic.
1roprietile importante ale repetitorului pe emitor sunt&
impedan de intrare mare)
amplificare n curent mare ($
i CC
$
i EC
)
amplificare n tensiune apro'imativ unitar i schimbare de
semn)
impedan de ieire / foarte mic)
amplificare n putere / mare.
%atorit impedanei de intrare foarte mare i impedanei de
ieire foarte mici repetitorul pe emitor este folosit frecvent ca etaE de
adaptare (de ieire ntre amplificatoare cu impedane de ieire mari
i sarcini (impedane de sarcini mici.
*tunci c!nd avem nevoie
de dou semnale de aceeai
form dar n antifaz este
folosit am0li4icatorul cu
sarcin "i#i6at, schema
crui este reprezentat n fig.
-.-,. 8ensiunile U
1
i U
!
vor
avea aceeai form ns U
1
este cules de pe emitor i
coincide n faz cu semnalul
de intrare, iar U
!
este cules
de pe colector i este n
antifaz cu semnalul de
intrare.
Valeriu Blaj
0,
E
C
:
R
1
R
C
C
/
C
1
VT
U
!
U
int.
R
!
R
E
C
!
U
1
Fig. @.-,. (taE cu sarcina divizat
SEMICONDUCTOARE
%. REACOIA fN AM+=I'ICATOARE
%.1 No1iuni generale
Reac,ia este modificarea circuitului
electric al amplificatorului 3n a4a mod,
3ncEt 3mpreun cu semnalul de intrare se
aplic un semnal semnalul de reacie!
proporional cu una din mrimile de ie4ire
tensiune, curent sau putere! (vezi fig.+.-'
Neacia poate fi parazitar sau poate fi
introdus intenionat.
Neacia poate global sau local,
pozitiv sau negativ.
*tunci, c!nd semnalul de reacie este n antifaz cu semnalul
de intrare reacia este negativ i factorul de amplificare se va
micora&
;
;
;
RN

+ 1
, (+.-
unde ; este factorul de amplificare iniial (fr reacie,
este factorul de transfer al circuitului de reacie

U
U
R
ie5.
.
*tunci, c!nd semnalul de reacie coincide n faz cu semnalul
de intrare, reacia este pozitiv i factorul de amplificare se va mri
conform e'presiei&
g; ? 1
;
R+
;
, (+.0
Neacia negativ prezint urmtoarele avanta+e2
este redus nivelul zgomotului, distorsiunilor de toate tipurile
i a tensiunilor perturbatoare, provenite din amplificator)
reacia negativ, ca i cea pozitiv, permite modificarea
impedanelor de intrare i ieire ale amplificatorului n
sensul dorit)
este mbuntit stabilitatea funcionrii amplificatorului)
Valeriu Blaj
03
Fig.+.-. Schema bloc
a amplificatorului
cu reacie
R
Diagrama energetic a cristalului
este lrgit banda de trecere (vezi fig. +.0.
%ac se ine seama at!t
de modul n care se culege
semnalul de reacie de la
ieire, c!t i de modul n care
el este aplicat la intrare, n
funcie de cone'iunea buclei
de reacie la circuitul
amplificatorului deosebesc
urmtoarele tipuri generale de
reacie, schemele$bloc ale
crora sunt reprezentate n
fig.+..,&
serie-serie (fig. +.., a,
serie$paralel (fig. +.., b,
paralel-serie (fig.+.., c,
paralel-paralel (fig. +.., d.
n cazul reaciei serie$serie
semnalul de reacie este
proporional curentului de ieire
(din aceast cauz mai este
numit reacie 3n curent, iar la
intrare are loc compararea
(sumarea tensiunilor semnalelor
de intrare i de reacie (adic este
Valeriu Blaj
0?
Fig.+.0.6*F a amplificatorului
p!n la (a i dup (b
introducerea reaciei negative
b
$
ma@

a
'
RN
f
jB$
f
sB$
f
'
f
j
f
s
f
$
ma@

fig.+...schemele$bloc ale tipurilor generale de reacie&
a / serie -serie, b / serie$paralel, c / paralel -serie, d / paralel-paralel
R R R R
d c b a
R
C
E
C
:
R
1
C
!
C
1
V
T
R
!
U
ie5.
U
int.
R
E
Fig.+.,.Schema etaEului EC
cu reacie negativ serie$serie
SEMICONDUCTOARE
reacie serie 3n curent.(ste clar, c i impedana de intrare, i
impedana de ieire dup introducerea reaciei serie$serie se vor
mri.
Kn e'emplu de amplificator cu reacie negativ serie$serie
este etaEul EC, care are n circuitul emitorului o rezisten (R
E

nedecuplat (neuntat de condensator (vezi fig.+.,.
*deseori, n aceste cazuri, n amplificatoarele cu etaEe, pentru
compensarea efectului de micorare a factorului de amplificare de
reacia negativ, este realizat reacia pozitiv serie$serie (vezi
fig.+.3. 8ensiunea de reacie aplicat pe emitorul etaEului de intrare
este n opoziie de faz cu tensiunea semnalului de intrare. *ceasta
provoac creterea tensiunii U
-E
i, n consecin, crete factorul de
amplificare.
n cazul reaciei serie$paralel mrimile ce se compar la intrare
sunt tensiuni, iar mrimea cu care este proporional tensiunea de
reacie este tensiunea de ieire (adic este reacie serie n tensiune.
(ste clar, c dup introducerea reaciei serie$paralel impedana de
intrare se va mri, iar impedana de ieire se va micora.
Valeriu Blaj
0<
R
h
1
R
1
E
C
:
R
C1
R
C!
C
/
C
!
C
1
VT
1
VT
!
R
!
R
h
!
R
R
E1
R
E!
U
ie5.
U
int.
Fig.+.3.*mplificator cu dou etaEe i reacie pozitiv serie$serie
Diagrama energetic a cristalului
Kn e'emplu de amplificator cu reacie negativ serie$paralel
este reprezentat n figura +.?. Semnalul de reacie este cules de pe
colectorul tranzistorului VT
!
n etaEul de ieire i este aplicat pe
emitorul tranzistorului VT
1
n etaEul de intrare. *dic tensiunea de
reacie va fi proporional tensiunii de ieire, i la intrare ea este
aplicat n serie cu tensiunea de intrare. n banda de frecvene medii
defazaEul global, introdus de amplificator, este
!i
a

) deoarece
fiecare etaE rotete faza cu . 1rin urmare&
U
-E
^ U
int.
U
R
, (+..
adic reacia este negativ. 6ondensatorul C
R
separ emitorul VT
1
de colectorul VT
!
n curent continuu. 6apacitatea C
R
trebuie s fie
mare, ca n banda de trecere impedana buclei de reacie s depind
slab de frecven.
Valeriu Blaj
0@
C
R
R
h
1
R
1
E
C
:
R
C1
R
C!
C
/
C
!
C
1
VT
1
VT
!
R
!
R
h
!
R R
E1
R
E!
U
ie5.
U
int.
Fig.+.?.*mplificator cu dou etaEe i reacie negativ serie$paralel
SEMICONDUCTOARE
n cazul reaciei paralel$serie mrimile, ce se compar la
intrare / sunt curenii, iar curentul de reacie este proporional cu
curentul de ieire (adic este reacie paralel n curent. (ste clar, c
dup introducerea reaciei paralel$serie impedana de intrare se va
micora, iar impedana de ieire se va mri. Kn e'emplu de
amplificator cu reacie negativ paralel$serie este dat n fig.+.<. ri n
acest caz trebuie considerate dou etaEe de amplificare, deoarece
numai astfel curentul de ieire din al doilea etaE este n opoziie
de faz cu curentul de intrare n primul etaE.
%ac reacia este paralel$paralel, mrimile, care se compar la
intrare, sunt cureni, iar mrimea de ieire, cu care este
proporional curentul de reacie, este tensiunea de ieire (adic este
reacie paralel n tensiune. (ste clar, c dup introducerea reaciei
paralel$paralel, i impedana de intrare, i impedana de ieire se vor
Valeriu Blaj
0+
R
h
1
R
1
E
C
:
R
C1
R
C!
C
/
C
!
C
1
VT
1
VT
!
R
!
R
h
!
R
R
E1
R
E!
U
ie5.
U
int.
Fig.+.<.*mplificator cu dou etaEe i reacie negativ paralel$serie
Diagrama energetic a cristalului
micora. n figura +.@ este reprezentat schema unui amplificator cu
reacie negativ paralel$paralel.
%.! Corec1ia caracteristicilor am0litu"ine?4rec#en1
1entru lrgirea benzii de trecere i liniarizarea caracteristicii
amplitudine$frecven este efectuat corecia caracteristicilor de
frecven. (a este realizat prin utilizarea n schem a unor elemente
suplimentare cu caracteristici dependente de frecven sau cu
aEutorul reaciei. Diniarizarea n e'tremele benzii de trecere este
efectuat cu elemente diferite n schem. *dic problema coreciei
caracteristicii amplitudine$frecven este divizat n secvene (dup
frecven i soluionat separat.
Valeriu Blaj
.2
C
E
R
R
E
C
:
R
1
C
!
C
1
V
T
R
!
U
ie5.
U
int.
R
E
Fig.+.@. *mplificator cu reacie negativ paralel$paralel
C
R
R
C
SEMICONDUCTOARE
6orecia poate fi realizat folosindu$se n bucla de reacie
circuite parametrii crora depind de frecven, adic circuite cu
elemente reactive. Sunt folosite filtrele trece$Eos, trece$sus i filtrele
de band. 1entru a avea posibilitatea s modificm faza semnalului
de reacie n intervalul de la 2 p!n la sunt unite n lan celule
elementare, care reprezint filtrele simple de form m=U.
=ai frecvent elementele se aleg cu valori identice&
C
1
^C
!
^C
/
^C

i R
1
^R
!
^R
/
^R. n acest caz banda de trecere este
limitat de frecvena 4
l
, calculat n cazul filtrului trece$sus conform
e'presiei&
RC & !
1
4

l , (+.,
iar

n cazul filtrului trece$Eos conform e'presiei&
RC !
&
4

l
. (+.3
1entru a evita efectul de untare a celulei precedente de cea
urmtoare trebuie maEorat impedana de intrare a celulei
urmtoare. 6u acest scop sunt formate reelele progresive, n care&
R
!
^mR
1
) R
/
^mR
!
) C
!
^C
1
jm) C
/
^C
!
jm) iar mb1. n acest caz
Valeriu Blaj
.-
f
l
f
c
b
a
Fig.+.+.Filtru N6 trece$sus
a / schema)
9 N CA'k
c / 6FF

C
1
C
!
C
/
R
1
R
!
R
/
f
l
f

Diagrama energetic a cristalului


frecvena limit 4
l
i factorul de transfer la frecvena limit, sunt
calculate n cazul filtrului trece$sus conform e'presiilor&
!
1 1
m
1
m
!
/ C R !
1
4
+ +

l
, (+.?
/ !
m
1
m
>
m
1!
.
1
g
+ + +

l
, (+.<
iar

n cazul filtrului trece$Eos conform e'presiilor&
1 1
!
C R !
m
1
m
!
/
4

+ +

l
, (+.@
/ !
m
1
m
>
m
1!
.
1
g
+ + +

l
, (+.+
n calitate de filtre de band mai frecvent sunt folosite&
Valeriu Blaj
.0
f
l
f


f
l
f

C
1
C
!
C
/
R
1
R
!
R
/
c
b
a
Fig.+.-2. Filtru N6 trece$Eos
a / schema)
9 N CA'k
c / 6FF
SEMICONDUCTOARE
filtru trece$band / reeaua hien (vezi fig.+.--
filtru de reEecie/ reeaua dublu 8 (vezi fig.+.-0..
Valeriu Blaj
..

(
c
a
Fig.+.--. Neea hien
a / schema)
9 N CA'k
c / 6FF
f
2
f
f
2
f


R
1
C
!


C
1
R
!


b
R
/
C
/

(
c
a
Fig.+.-0. Neea dublu m8U
a / schema)
9 N CA'k
c / 6FF
f
2
f
f
2
f


C
1
C
!


R
1
R
!


b
Diagrama energetic a cristalului
Frecvena de cvazirezonan (la care factorul de transfer capt
valoarea ma'imal 4
(
i factorul de transfer la aceast frecven
(
,
sunt calculate n cazul reelei hien conform e'presiilor&
! ! 1 1
(
C R C R !i
1
4
, (+.-2

1
!
!
1
(
R
R
C
C
1
1
g
+ +

, (+.--
1entru a obine un factor de transfer aproape de zero la
frecvena de cvazirezonan (la care factorul de transfer capt
valoarea minimal n cazul filtrului dublu 8 elementele sunt alese&
R
1
^R
!
^!R
/
^Rk C
1
^C
!
^C
/
j!^C. *tunci frecvena de cvazirezonan
4
(
este&
RC !i
1
4
(

, (+.-0
Valeriu Blaj









.,
SEMICONDUCTOARE
6orecia la Eoase frecvene se face, de regul, folosind filtrul
R
'
C
'
n circuitul sursei de alimentare (vezi fig.+.-.. 6orecia de
Eoas frecven este bazat pe faptul c odat cu micorarea
frecvenei impedana circuitului colectorului etaEului EC crete, iar,
prin urmare, crete i factorul de amplificare i n aa mod este
compensat scderea factorului de amplificare, cauzat de
distorsiunile de frecven (provocate de condensatoarele de cuplaE i
din circuitul emitorului.
n figura +.-. n circuitul colectorului suplimentar rezistorului
R
C
este inclus rezistorul R
'
, untat de condensatorul C
'
. Da frecvene
medii i nalte impedana l
C'
decupleaz rezistena R
'
i <
C
^R
C
. Da
frecvene Eoase l
C'
crete considerabil i impedana circuitului
colectorului C' '
C C l R R < +
de asemenea crete, ceea ce
maEoreaz factorul de amplificare n tensiune. n aa mod frecvena
limit de Eos se micoreaz de la 4
8
la 4
h
8
(vezi fig.+.-..b.
Valeriu Blaj
.3
a
1
f
V
j
f
j
f
R
E
C
E
VT
C
!
C
1
R
1
R
C
C
'
R
'
E
C
:
Fig.+.-.. (taE EC cu corecie la Eoase frecvene
a schema, b caracteristicile amplitudine$frecven pentru&
- etaEul fr corecie, 0 etaEul cu corecie
b
!
R
!
Diagrama energetic a cristalului
5aloarea necesar a capacitii C
'
este foarte mare, de aceea
sunt utilizate condensatoare electrolitice. 6oncomitent filtrul folosit
n circuitul din fig.+.-..a Eoac rol de protecie contra perturbaiilor,
ce ptrund prin sursa de alimentare.
6orecia caracteristicii
amplitudine$frecven la nalte
frecvene este realizat prin corecia
paralel sau prin reacie n curent. n
cazul coreciei paralele n circuitul
colectorului sunt folosite elemente,
care maEoreaz impedana n circuitul
colectorului la frecvene nalte.
6orecia paralel la frecvene nalte se
face pun!ndu$se o inductan n
circuitul colectorului (vezi fig.+.-,.
6ircuitul echivalent al etaEului
n banda de frecvene nalte poate fi
reprezentat ca n fig.+.-3. 6onform acestei scheme inductana =,
capacitatea C (capacitatea C reprezint capacitatea de montaE i
rezistena R
C
formeaz un circuit oscilant derivaie. Da frecvena de
rezonan

impedana circuitului oscilant va fi mai mare ca R
C
i, prin
urmare, crete impedana sarcinii& <
C
^R
C
:l
=
i, n aa mod, crete
factorul de amplificare. %ac vom alege frecvena de rezonan n
banda de frecvene nalte, va crete i frecvena limit de sus de la 4
S
la 4
h
S
. n caz de alegere optimal 4
S
poate fi maEorat de -,< ori.
1entru calcule de dimensionare a inductanei de corecie este folosit
e'presia&
S
S
4 !i
R
=
, (+.-.
unde 4
S
este valoarea dorit a frecvenei limita de sus.
Valeriu Blaj
.?
=
E
C
:
R
1
R
C
C
!
VT
C
1
C
E
R
E
R
!
Fig.+.-,. (taE EC cu corecie
paralel la frecvene nalte
SEMICONDUCTOARE
=ai frecvent, n amplificatoarele cu tranzistoare bipolare este
folosit corecia la frecvene nalte
prin reacie negativ n curent (vezi
fig.+.-?. 1entru formarea reaciei, n
circuitul emitorului este inclus
suplimentar, rezistorul R
(
ER
(
mmR
E
,
untat de condensatorul C
(
.
6apacitatea C
(
este aleas n aa mod,
ca la frecvene medii R
(
, s nu fie
decupat, adic
.
(
( m
R
C 4 !i
1
<<
(+.-,
1rin urmare, la frecvene medii i
Eoase reacia negativ (R
(
va micora
factorul de amplificare i caracteristica
amplitudine$frecven i va e'tinde
domeniul de uniformitate spre
frecvenele nalte.
AM+=I'ICATOARE SE=ECTIVE
*mplificatoarele selective au banda de trecere foarte ngust i
sunt folosite pentru a evidenia semnalul util, prin suprimarea
Valeriu Blaj
.<
Fig.+.-3. 6ircuitul echivalent al etaEului EC
cu corecie paralel la frecvene nalte (a i 6*F (b pentru&
- etaEul fr corecie, 0 circuitul oscilant =C, . etaEul cu corecie
r
int.
=
R
C
a
SU
int.
C
U
ie5.
R
s
/
f
;
f
V
;
f
!
b
1
E
C
:
R
1
R
C
C
!
C
1
VT
R
!
R
E
R
(
C
(
C
E
Fig.+.-?. (taE EC cu corecie
la frecvene nalte prin
reacie negativ n curent
Diagrama energetic a cristalului
celorlalte armonici suplimentare, (pentru amplificarea semnalelor
de o anumit frecven f
(
la recepia radio i 85, n
echipamentele de msurri i automatizri.
1entru ngustarea benzii de trecere i formarea
amplificatoarelor selective este folosit unul din dou principii&
-. n calitate de sarcin a amplificatorului este conectat un
circuit oscilant (vezi fig. -2.-..
0. n bucla de reacie este folosit un filtru de band (vezi
fig.-2.0..
Valeriu Blaj
.@
U
ie5.
Fig. -2.0. Schema$bloc a
amplificatorului selectiv de tipul II
U
int.
U
ie5.
Fig. -2.-. Schema$bloc a
amplificatorului selectiv de tipul I
U
int.
SEMICONDUCTOARE
*mplificatoarele selective de tipul I se mai numesc
amplificatoare de rezonan i au conectate n circuitul colectorului
un circuit oscilant =C (vezi fig.-2... 6aracteristica amplitudine$
Valeriu Blaj
.+
Fig.-2.,. *mplificatoare de rezonan
E
C+
C
C
E
R
E
R
1
= C
!
VT
C
1
U
ie5.

U
int.
a
E
C+
C
C
E
R
E
R
1
=
!
VT
C
1
U
ie5.

U
int.
b
R
!
R
!
f
f
f
b
n
!
n
1
$
$
ma@.
()>$
ma@.
$
ma@.
()>$
ma@.
Fig.-2... Schema (a i caracteristicile amplitudine$frecven (b
ale amplificatorului de rezonan
E
C+
=
C
E
R
E
R
1
C
C
!
VT
C
1
U
ie5.

U
int.
R
!
a
Diagrama energetic a cristalului
frecven va avea aceeai form ca i dependena impedanei
circuitului oscilant de frecven. 1entru a mbunti parametrii
(factorul de calitate n inductana = este conectat n circuitul
colectorului parial (prin priz (vezi fig.-2.,. 1entru a evita
untarea circuitului oscilant prin sarcina cu rezisten mic,
semnalul este cules prin condensatorul de cuplaE de pe o poriune a
inductanei (vezi fig.-2.,.a. sau este cules prin intermediul unei
inductane mutuale (vezi fig.-2.,.b..
%eoarece la Eoase frecvene (fI32 Jqz cresc valorile
necesare ale inductanelor i capacitilor, cresc gabaritele
elementelor folosite. n acelai timp crete i rezistena bobinei,
deci scade factorul ei de calitate. %in aceste considerente n
amplificatoarele selective de tipul II n bucla de reacie sunt
folosite filtre RC de band& reeaua hien i reeaua dublu T (vezi
fig.+.-- i +.-0. =ai frecvent este folosit reeaua dublu 8 (vezi
fig.-2.3, deoarece putem cpta la frecvena de cuazirezonan 4
(
un factor de transfer al buclei de reacie aproape de zero
( g
(

.
Da aceast frecven reacia este nul i factorul de amplificare al
amplificatorului capt valoarea ma'imal. Da frecvene deferite
de 4
(
apare reacia negativ, care aduce la micorarea factorului de
amplificare.
Valeriu Blaj
,2
SEMICONDUCTOARE
Valeriu Blaj
,-
Diagrama energetic a cristalului
AM+=I'ICATOARE DE +UTERE
No1iuni generale
*mplificatoarele de putere sunt etaEe de ieire (finale ale
amplificatoarelor cu multe etaEe, care servesc pentru dezvoltarea pe
sarcin a puterii ma'imale.
%ificultile eseniale legate de amplificatoare de putere sunt&
-. sarcina are de regul rezisten mic i, prin urmare,
impedana de ieire a amplificatorului de putere trebuie
s fie mic)
Valeriu Blaj
,0
U
int.
U
ie5.
Fig.-2.3. amplificator selectiv de tipul II cu reea dublu T

SEMICONDUCTOARE
0. cuplaEul sarcinii trebuie ales urmrind acelai scop i
mai frecvent este efectuat prin transformator)
.. deoarece puterea necesar pe sarcin este mare, este
important alegerea tranzistorului dup mrimea puterii
ma'ime a colectorului +
CM
.
Jarametrii principali , prin care sunt caracterizate
amplificatoarele de putere sunt&
puterea de ieire +
ie5
)
factorul de amplificare a puterii ;
0
)
randamentul )
factorul distorsiunilor neliniare )
factorul de utilizare a tranzistorului n tensiune .
1arametrii amplificatoarelor de putere depind de clasa de
funcionare a etaEului de ieire& A) -) C sau clasa intermediar A-.
6u toate c schemele amplificatoarelor de putere n varianta
clasic includ transformatoarele de cuplaE, n schemele moderne, de
regul, sunt folosite amplificatoarele cu tranzistoare complementare,
n care sunt evitate transformatoarele.
%eoarece tradiional amplificatoarele de putere sunt folosite
pentru amplificarea semnalelor sonore, ele sunt mai frecvent
amplificatoare de Eoas frecven.
Valeriu Blaj
,.
Diagrama energetic a cristalului
11.! Am0li4icatoare "e 0utere clasa A
n fig.--.- este reprezentat schema amplificatorului de putere
clasa A. *cordarea sarcinii este efectuat folosindu$se
transformatorul T. %eoarece rezistena nfurrii primare a
transformatorului de ieire R
E1
este foarte mic, dreapta de sarcin va
fi aproape vertical. Sarcina n curent alternativ este determinat de
rezistena sarcinii raportat la nfurarea primar&
!
T
S
S
1
S
$
R
r R
, (--.-
unde $
T
este factorul de transformare al transformatorului de ieire&
1
!
T
$
E
E

. (--.0
%reapta de sarcin n c.a. (caracteristica dinamic de ieire
trece prin punctul de repaos i intersecteaz a'a U
CE
n punctul&
1
S C( CE
1
C CE
R I U E U +
. (--..
%estinaia celorlalte elemente ale schemei este identic cu
cazul etaEului amplificator EC (vezi @.,..
%eoarece puterea
disipat pe R
E
poate fi
trecut n pierderi, pentru
a maEora randamentul va
fi necesar de micora
valoarea R
E
. 1rin urmare,
capacitatea C
E
va trebui
s aib valori foarte mari.
*tunci, c!nd aceste
valori sunt e'agerat de
mari ne refuzm de
condensatorul C
E
n
schem. Nezistena R
E
va
fi aleas de o valoare
Valeriu Blaj
,,
U
int.
E
C+
T
R
S
U
ie5.
E
1
E
!
VT
R
1
C
1
R
!
R
E
C
E
Fig.--.-.*mplificator de putere clasa A
SEMICONDUCTOARE
foarte mic pentru a asigura stabilitatea funcionrii amplificatorului
i reducerea zgomotului, form!nd reacie negativ.
1entru amplificatoarele de putere clasa A pot fi menionate
urmtoarele avanta+e &
simplitatea modificrii fazei tensiunii de ieire)
posibilitatea folosirii sursei de alimentare cu tensiune
Eoas, deoarece n nfurarea primar a transformatorului
de ieire n curent continuu cderea de tensiune va fi
foarte mic (datorit rezistenei mici i
C CE(
E U
.
Dezavanta+ele principale sunt&
deoarece este folosit clasa A randamentul ma'im posibil
va fi 32n)
datorit curentului colectorului de repaos, care curge prin
nfurarea primar a transformatorului de ieire, regimul
transformatorului este apropiat de saturaie i acest fapt
aduce la distorsiuni neliniare eseniale)
folosirea transformatorului este nsoit de&
creterea gabaritelor i masei,
dependena parametrilor de frecvena ,
sensibilitatea echipamentului la c!mpuri
magnetice.
Valeriu Blaj
,3
Diagrama energetic a cristalului
11./ Am0li4icatoare "e 0utere 7n contratim0
cu cu0la8 0rin trans4ormator
n fig.--.0. este reprezentat schema acestui amplificatorului
de putere n contratimp clasa - cu cuplaE prin transformator. Schema
este format din dou etaEe cu punct neutru comun i transformator
de ieire comun cu priz median n primar. 1entru ca tensiunile de
intrare pentru fiecare etaE s fie n antifaz poate fi folosit etaEul cu
sarcin divizat schema crui a fost prezentat n @.@ (vezi fig.@.-,.
%e asemenea poate fi folosit un transformator de intrare cu priza
median n secundar (vezi n fig.--.0.
8ranzistoarele VT
1
i VT
!
funcioneaz pe r!nd n antifaz,
amplific!nd c!te o alternan a semnalului. n timpul alternanei
pozitive VT
1
va fi blocat i curentul i
C1
va fi egal cu zero, iar VT
!
va
fi n regim activ direct i curentul i
C!
va parcurge seminfurarea
primar de Eos a transformatorului de ieire T
!
, i n nfurarea
secundar va fi indus tensiunea de ieire. n timpul alternanei
negative tranzistoarele i schimb rolul. 6urentul nfurrii primare
a transformatorului de ieire va fi suma algebric a curenilor
colectoarelor& i
1T!
^ i
C1
? i
C!
. (--.,
n fig.--.. sunt reprezentate formele de und ale tensiunilor de
intrare &
-E1
) &
-E!
) curenilor de ieire ale tranzistoarelor i
C1
) i
C!
i al
transformatorului de ieire i
! T!
n circuitul amplificatorului clasa -
pentru semnal de intrare sinusoidal.
Valeriu Blaj
,?
T
!
T
1
+E
C
E
1!
E
1!
i
C!
i
C1
U
int.
VT
1
VT
!
E
11
E
!!
R
S
Fig.--.0.*mplificator de putere n contratimp clasa - cu transformator
SEMICONDUCTOARE
n amplificatoarele clasa -) adic fr polarizarea
tranzistoarelor, apar distorsiuni neliniare datorit neliniaritii
caracteristicilor de intrare ale tranzistoarelor VT
1
i VT
!
la tensiuni
mici (vezi fig.--.,. n aa mod la nivelul zero se formeaz o treapt
n semnalul de ieire. 1entru a e'clude aceste distorsiuni este folosit
clasa A- . 1rin divizorul de tensiune R
1
?R
!
baza este slab polarizat.
Valeriu Blaj
,<
&
-E1
&
-E!
i
-1
i
-!
i
-!
t
i
-1
t
Fig.--.,. distorsiuni neliniare n
amplificatoare clasa -
i
C!
i
C1
&
-E1
&
-E!
i
!T!
t
Fig.--... Formele de und ale
curenilor n circuitul
amplificatorului de putere n
contratimp clasa -
t
t
t
t
R
!
R
1
E
!!
R
S
i
C! VT
!
+E
C
E
1!
E
1!
E
11
i
C1
T
1
VT
1 T
!
Fig.--.3. amplificator de putere clasa A-&
a / schema, b / e'cluderea distorsiunilor
&
-E
1
&
-E
!
i
-1
i
-!
i
-!
t
t
i
-1
Diagrama energetic a cristalului
Schema amplificatorului de putere n contratimp clasa A- este
reprezentat n fig.--.3.
1entru amplificatoarele de putere clasa - (A- n comparaie
cu cele de clasa A menionm urmtoarele avanta+e &
datorit clasei de funcionare valoarea ma'im a randamentului
este mult mai mare i poate atinge <@,?n)
componentele de curent continuu ale curenilor colectoarelor au
sensuri reciproc opuse prin nfurarea primar a
transformatorului T
!
i flu'urile magnetice, formate de ele, se
compenseaz reciproc, evit!nd saturaia)
etaEele sunt conectate n paralel n circuitul sursei de alimentare
i, prin urmare nu este necesar surs cu tensiune nalt.
Dezavanta+&l principal este necesitatea unei perechi de
tranzistoare cu parametrii identici, la care se adaug dezavantaEele,
legate de folosirea transformatoarelor (vezi --.0..
11.3 Am0li4icatoare "e 0utere 7n contratim0 4r trans4ormator
*ceste amplificatoare pot fi (vezi fig.--.?. cu dou intrri
separate cu semnale n antifaz (vezi fig.--.?.a sau cu o intrare
comun (vezi fig.--.?.b. i fig.--.?.c., cu dou surse de alimentare
(vezi fig.--.?.a. i fig.--.?.b. sau cu una comun (vezi fig.--.?.c..
Schema reprezentat n fig.--.?.a. este format din dou tranzistoare
de acelai tip VT1 i VT!) care funcioneaz n contratimp,
polarizate de dou surse individuale de alimentare (E
1
i E
!
, i are
dou ntrri, la care semnalele de intrare se aplica n antifaz.
Schemele din fig.--.?.b. i fig.--.?.c. au o singur intrare deoarece
sunt dotate cu tranzistoare complementare (cu parametri identici&
VT1 de tip p-n-p i VT! de tip n-p-n. n schema din fig.--.?.b
fiecare tranzistor este polarizat separat, iar n schema din fig.--.?.c
ca surs de polarizare pentru tranzistorul VT! este folosit
condensatorul C& c!nd este aplicat alternana negativ a semnalului
Valeriu Blaj
,@
SEMICONDUCTOARE
de intrare, VT1 este n regim activ direct i curentul emitorului i
E1
ncarc condensatorul C p!n la
!
E
. n acest timp VT
!
este blocat,
adic curentul su este egal cu zero.
n timpul alternanei pozitive VT
1
este blocat, iar tensiunea de
pe armturile condensatorului C polarizeaz VT
!
. 8ranzistorul VT
!
este n conducie i prin condensatorul C curge i
E!
. %eoarece VT
1
i
VT
!
au parametri identici i curenii prin sarcin ai tranzistoarelor i
E1
i i
E!
de asemenea sunt egali. n curent continuu tranzistoarele sunt
conectate n serie, iar n curent alternativ, at!t la intrare, c!t i la
ieire, sunt conectate n paralel. 6apacitatea C este aleas din
condiia, ca la Eoase frecvene l
C
oR
S
. 8ensiunea sursei de alimentare
este limitat de strpungerea tranzistorului VT
1
&
E E(..(.%FU
CEM
. (--.,
Dezavanta+&l principal al amplificatoarelor de putere n
contratimp fr transformator este necesitatea tranzistoarelor
complementare identice.
Valeriu Blaj
,+
Fig.--.?. *mplificatoare de putere
fr transformator cu&
a N "ou intrri 5i "ou surse)
9 N o intrare 5i "ou surse)
c / o intrare i o surs

E
+
C
c
VT
!
VT
1
U
int.
R
S
+
E
!

U
int.!

E
1
+
a
VT
!
VT
1
U
int.1
R
S

E
!
+

E
1
+
b
VT
!
VT
1
U
int.
R
S
Diagrama energetic a cristalului
11.* Am0li4icatoare "e 0utere cu intrare 0aralel a
tran6istoarelor "e ie5ire
n ultimul timp sunt folosite pe larg amplificatoare de putere
fr transformator cu intrare paralel i sinfazic a tranzistoarelor de
ieire. Schema unui amplificator de acest tip este reprezentat n
fig.--.<.a. n baza tranzistorului VT
1
este format etaEul de intrare,
care funcioneaz n clasa A. Sarcina de colector a tranzistorului VT
1
este rezistorul R
C
. n calitate de etaE de ieire este folosit un
amplificator de putere n contratimp cu tranzistoare complementare
VT
!
i VT
/
. %atorit rezistorului R bazele tranzistoarelor VT
!
i VT
/
sunt slab polarizate i, prin urmare, etaEul de ieire funcioneaz n
clasa A-. n acest mod sunt micorate distorsiunile neliniare. n
locul rezistorului R poate fi inclus n schem o diod polarizat
direct. Folosirea unei diode semiconductoare sau a unui
termorezistor n locul rezistorului R asigur o stabilizare termic
suficient a amplificatorului.
n timpul alternanei pozitive a semnalului de intrare este
format alternana negativ a tensiunii pe colectorul tranzistorului
VT
1
i curentul curge prin VT
!
i sarcin. n timpul alternanei
negative a semnalului de intrare tranzistorul VT
/
trece n conducie
i curentul curge prin VT
/
i sarcin. n aa mod, pe parcursul unei
perioade a semnalului de intrare sunt formate alternanele pozitiv i
negativ ale curentului i tensiunii pe sarcin.
%ezavantaEul principal al acestor amplificatoare const n
problema alegerii tranzistoarelor de putere VT
!
i VT
/
de tip p-n-p i
n-p-n cu aceeai parametri. %eoarece tranzistoare complementare (cu
parametri identici de putere mic pot fi alese mai uor, mai frecvent
este folosit schema cu tranzistoare de putere (de ieire de acelai
tip (vezi fig.--.<.b.
Valeriu Blaj
32
SEMICONDUCTOARE
Valeriu Blaj
3-
Diagrama energetic a cristalului
Valeriu Blaj
30
U
int.
fig.--.<. amplificatoare de putere
cu intrare paralel a tranzistoarelor de ieire&
a / schema cu tranzistoare de putere complementare,
b / schema cu tranzistoare de putere de acelai tip
R
S
R
C
! t
2
VT
/
VT
!
a
R
!
R
E
C
E
VT
1
C
1
R
1
R
C
C
'
R
'
E
C
:
U
int.
R
&
R
>
R
*
R
3
VT
*
VT
3
R
S
R
C
!
t
2
VT
/
VT
!
b
R
!
R
E
C
E
VT
1
C
1
R
1
R
C
C
'
R
'
E
C
:
SEMICONDUCTOARE
*. AM+=I'ICATOARE DE CURENT CONTINUU
*.1. No1iuni generale
1entru amplificarea semnalelor foarte lente vor fi necesare
amplificatoare, frecvena limit de Eos a cror tinde spre zero.
(le se numesc amplificatoare de curent continuu (A.C.C..
6aracteristicile amplitudine $ frecvena i faz$frecvena a A.C.C.
sunt reprezentate n fig. -0.-.(a i b.
%eoarece semnalele electrice la intrarea A.C.C. au valori
foarte mici (tensiuni circa -2
$<
V i curenii de ordinul -2
$-0
-2
$-?
A, este necesar un factor de amplificare foarte mare, din care cauz
A.C.C. sunt amplificatoare cu multe etaEe.
n amplificatoarele de c.a. cuplaEul ntre etaEe, cuplaEul
semnalului de intrare i sarcinii este realizat prin grup RC sau prin
transformator. n aa mod se amplific numai semnalul variabil
(util. "dat cu micorarea frecvenei cresc distorsiunile, provocate
de condensatoare sau transformatoare. 1rin urmare, pentru
liniarizarea caracteristicii amplitudine $ frecven la Eoase frecvene
este necesar evitarea elementelor reactive n schema
amplificatorului. *tunci, c!nd semnalul este foarte lent sau trebuie
amplificat curent continuu, este folosit cuplaEul direct.
8oate, cele menionate mai sus, provoac urmtoarele
dific&lt,i2
Becesitatea acordrii potenialelor de la ieirea
etaEului precedent i intrarea etaEului urmtor.
(ste dificil stabilizarea funcionrii amplificatorului
la variaiile tensiunii de alimentare i a parametrilor
elementelor schemei cu temperatura i timpul (este
e'clus condensatorul din circuitul emitorului .
(ste complicat cuplaEul sursei de semnal i
sarcinii, deoarece variaiile tensiunilor n schem
vor avea acelai caracter i valoare cu semnalul
util.
Valeriu Blaj
3.
Diagrama energetic a cristalului
5ariaia parametrilor provoac variaii ale tensiunii i
curentului de ieire, adic decalaEului .
Decala+&l este variaia ma'imal a semnalului de ieire
ntr$un anumit interval de timp n condiiile de scurcircuit la
intrare.
%e aici rezult noiunea de tensiune de drift sau tensi&ne de
offset&
( U
$
U
U
int.
U
ie5
o44.

.
. (-0.-
n acest fenomen rolul principal revine etaEului de intrare.
*mplificatorul poate amplifica sigur semnale cu U
int.
e U
o44.
.
1entru micorarea decalaEului pot fi ntreprinse urmtoarele
1s&ri2
4olosirea 7n eta8ul "e intrare a tran6istoarelor cu
siliciu) 7n care "e0en"en1a curentului colectorului
"e tem0eratur este mai mic)
folosirea n etaEul de intrare a tranzistoarelor cu efect
de c!mp,
stabilizarea tensiunii surselor de alimentare,
termostatarea amplificatoarelor,
folosirea n circuitul amplificatorului a compensrii
termice,
folosirea reaciei negative locale sau globale,
folosirea amplificatoarelor simetrice.
n maEoritatea *66 este necesar ca la schimbarea polaritii
semnalului de intrare s$i sensul i semnalul de ieire. 1rin urmare,
caracteristica de amplitudine a A.C.C. are forma reprezentat n fig.
-0.-.c.
Valeriu Blaj
3,
SEMICONDUCTOARE
A.C.C. sunt utilizate n stabilizatoare de tensiune sau curent, n
metrologie, automatic, n metrologie etc. A.C.C. pot fi parte
component a amplificatoarelor de curent alternativ deoarece nu
conin condensatoare (de dimensiuni mari i datorit posibilitii
realizrii sale n form integral.
A.C.C. pot fi&
cu cuplaE direct, care au schem mai simpl,
amplificatoare cu modulare $ demodulare.
Valeriu Blaj
33
a

U
ie5.
U
int.
$
u
f
f
f
s
Fig. -0.-. 6aracteristicile A.C.C.G
a / caracteristica amplitudine$frecven,
b / caracteristica faz$frecven,
c / caracteristica de amplitudine
b
c
Diagrama energetic a cristalului
1!.!. A.C.C. cu cu0la8
"irect
Schema unui
A.C.C. cu dou etaEe cu
tranzistoare bipolare p-n-
p cu cuplaE direct este
reprezentat n fig.-0.0.
Negimul de repaos al
etaEului de intrare este
calculat n mod obinuit.
Nezistena n circuitul
emitorului etaEului
urmtor R
E!
este aleas n
aa mod, ca s se respecte
condiia&
U
CE1
:U
E1
^U
-E!
:U
E!
) (-0.0
de unde rezult, c&
U
E!
^U
CE1
:U
E1
U
-E!
. (-0..
%eoarece, de regul&
U
CE1
>>U
E1
, (-0.,
din (-0.. rezult&
U
E!
> U
E1
. (-0.3
1entru regimuri identice ale tranzistoarelor VT
1
i VT
!
(adic
I
E1
^I
E!
i

U
CE1
^U
CE!
din ultima inegalitate (-0.3 rezult&
R
E!
>R
E1 i
R
C!
>R
C1
. (-0.?
%eoarece prin rezistena n circuitul emitorului se realizeaz
reacie negativ, pentru determinarea factorului de amplificare a
fiecrui etaE putem folosi e'presia (+.-, unde&
$
U
^ S R
C
i ^ R
E
/ R
C
. (-0.<
Valeriu Blaj
3?
R
C!
R
C1
E
C+
U
CE1
U
-E!
VT
1
VT
!
U
E1
R
E!
U
E!
R
E1
R
-!
R
-1
U
ie5.
U
int.
Fig.-0.0. A.C.C. cu cuplaE direct
SEMICONDUCTOARE
*tunci&
E1
C1
U1
SR 1
SR
$
+

i
E!
C!
U!
SR 1
SR
$
+

. (-0.@
1rin urmare, n etaEul urmtor avem nevoie de o rezisten mai mare
n circuitul emitorului i una mai mic n circuitul colectorului, iar
acest lucru duce la ad!ncirea reaciei negative n etaEul urmtor i,
prin urmare, n fiecare etaE urmtor factorul de amplificare va fi mai
mic ca n cel precedent. *dic maEorarea numrului de etaEe n aa
un A.C.C. ne va aduce la o situaie, c!nd factorul de amplificare din
ultimul etaE va fi mai mic ca unitatea i acest etaE va fi inutil. %in
aceast cauz nu putem maEora valoarea factorului de amplificare
numai prin creterea numrului de etaEe.
" ieire din situaie este schimbarea tipului tranzistoarelor de
la etaE la etaE (vezi fig.-0.... *cest A.C.C. a cptat denumirea de
a1plificator c& si1etrie s&pli1entar.
*lt soluie folosirea n A.C.C. cu cuplaE direct a c&pla+&l&i
poten,io1etric ntre etaEe (vezi fig.-0.,. n acest caz pot fi folosite
rezistoare cu aceleai valori de la etaE la etaE i, prin urmare, pot fi
asigurate regimuri de repaos identice i valori identice ale factorilor
Valeriu Blaj
3<
VT
/
R
C/
R
E!
R
C1
E
C+
VT
1
VT
!
R
C!
R
E/
R
E1
R
-!
R
-1
U
ie5.
U
int.
Fig.-0... A.C.C. cu simetrie suplimentar
Diagrama energetic a cristalului
de amplificare n diferite etaEe. Nezistenele rezistoarelor divizorului
de cuplaE R
"1
i R
"!
sunt alese reieind din condiia&
-E( "!
"! "1
E1 CE1 !
! -E( "! " ! E!
U R
R R
U U E
E U R I E U
+
+ +

.
(-0.+
n circuitul de intrare, n serie cu semnalul de intrare, poate fi
conectat suplimentar o surs de compensare a tensiunii de offset.
Sarcina este conectat n diagonala unei punii braele creia sunt&
R
C!
)
R
1
plus o parte din R
(
)
R
!
plus cealalt parte din R
(
)
R
E!
plus tranzistorul VT
!
.
n cealalt diagonal este conectat sursa
de alimentare E
1
. 1untea este n
echilibru, dac (vezi fig.-0.3&
curentul prin sarcin lipsete,
potenialele nodurilor a i 9 sunt egale,
tensiunea pe sarcin este nul.
Valeriu Blaj
3@
I
"
R
"!
R
!
R
1
+ E
!
R
C!
R
C1
E
1 +
R
(
R
"1
VT
1
VT
!
U
-E(
R
E!
R
E1
R
-!
R
-1
U
ie5.
U
int.
Fig.-0.,. A.C.C. cu cuplaE poteniometric
R
S
R
3
+
E

a b
R
!
R
/
R
1
Fig.-0.3. 1untea n echilibru
SEMICONDUCTOARE
Con"i1ia "e echili9ru a 0un1i esteG
3
!
/
1
R
R
R
R

. (-0.-2
%up acest principiu n circuitul de ieire este stabilit
echilibrul variind alunectorul R
(
n condiia, c!nd semnalul de
intrare lipsete.
1!./ Am0li4icatoare simetrice
Schemele amplificatoarelor simetrice sunt prezentate n
fig.-0.?. Structura schemotehnic a amplificatoarelor simetrice este
format pe principiul punii (vezi -0.0.
Sarcina este conectat n diagonala punii braele creia sunt&
R
1
)
R
!
)
Valeriu Blaj
3+
b
i
1
R
1
R
!
R
/
R
-!1
E +
R
S
i
!
VT
1
VT
!
R
(
R
-!!
R
-1!
R
-11
U
int.
Fig.-0.?. *mplificatoare simetrice
a cu tranzistoare bipolare, b cu tranzistoare cu efect de c!mp
i
1
R
1
R
!
R
/
a
E +
R
S
i
!
VT
1 VT
!
R
(
R
!
R
1
U
int.
Diagrama energetic a cristalului
VT
!
plus o parte din R
(
,
VT
1
plus cealalt parte din R
(
.
n cealalt diagonal este conectat sursa de alimentare E.
Nezistenele R
-11
) R
-1!
) R
-!1
) R
-!!
/ formeaz divizoare de
tensiune pentru polarizarea bazelor VT
1
i VT
!
(n fig. -0.?.b / R
1
)
R
!
. %e regul, este obligatorie condiia c tranzistoarele trebuie se
aib parametrii identici. Nezistena R
/
este comun pentru
tranzistoare i servete pentru stabilirea curenilor de emitor (surs.
Semnalul de intrare este aplicat ntre bazele (grilele tranzistoarelor,
iar semnalul de ieire este cules ntre colectoare (drene. n aa mod,
amplificatoarele simetrice au intrare i ieire simetrice.
%eplas!nd alunectorul rezistenei R
(
puntea este stabilit n
echilibru, adic n absena semnalului (scurtcircuit la intrare se
stabilete U
ie5
^ (. Schimbarea tensiunii sursei de alimentare,
temperaturii mediului i a altor factori aduce la schimbri identice n
curenii colectoarelor (drenelor. 1rin urmare, tensiunile pe
colectoare (drene se schimb analogic i U
ie5
rm!ne nul. n aa
mod aceste fluctuaii se compenseaz reciproc pe sarcin,
micor!ndu$se esenial decalaEul. %ac, de e'emplu, crete
temperatura, ea va crete pentru ambele tranzistoare cu aceeai
valoare. 1rin urmare, va crete cderea de tensiune pe R
1
i R
!
cu
aceeai valoare. Se vor micora tensiunile pe colectoare cu aceeai
valoare i diferena de potenial ntre colectoarele (drenele
tranzistoarelor, adic tensiunea de ieire, rm!ne neschimbat. 1e
c!nd semnalul de intrare fiind aplicat cu polariti diferite provoac
schimbri egale ca valoare i cu sensuri opuse pe cele dou
tranzistoare. 1rin urmare, tensiunea de ieire se va dubla.
Schimbarea polaritii tensiunii de intrare aduce la schimbarea
polaritii tensiunii de ieire, adic caracteristica de amplitudine are
forma reprezentat n fig.-0.-.c.
Sub aciunea semnalului de intrare schimbrile tensiunilor
bazelor (grilelor sunt egale ca valoare i au sens opus&
!
int.
&
i
Valeriu Blaj
?2
SEMICONDUCTOARE
!
int.
&

. *ceste tensiuni provoac aa schimbri ale curenilor i


1
i i
!
)
c i
1
^ ? i
!
. 8ensiunea pe R
/
nu se va schimba, deoarece&
&
/
^Ei
1
:i
!
FR
/
^(. (-0.--
1rin urmare, pentru semnal R
/
nu formeaz reacie negativ, iar VT
1
i VT
!
formeaz etaEe cu R
1
i R
!
, respectiv, n circuitul colectorului
(drenei i fr reacie negativ.
Factorul de amplificare poate fi determinat folosind circuitele
echivalente, reprezentare n fig.-0.<. Semnul minus n faa pantei S
simbolizeaz proprietatea de inversor a etaEului. *dic vom scrie&

!
SR
int.
ie5
&
&
.1
, i
!
SR
int.
ie
&
&
0."

, (-0.-0
&
ie5..
^ &
ie5..1
? &
ie5..!
^?SR &
int.
) (-0.-.
i $
u
^ &
ie5.
j &
int.
^?SR . (-0.-,
unde
! !
! !
1 1
1 1
r R
R r
r R
R r
R
i
i
i
i
+

. (-0.-3
1rin urmare, amplificatorul simetric are acelai factor de
amplificare ca etaEul EC fr reacie negativ.
Valeriu Blaj
?-
Fig.-0.<. 6ircuite echivalente ale amplificatoarelor simetrice
r
i1
F
!
E
. int
U
-
R
1
U
ie5.1
a
F
!
E
. int
U
-
R
!
r
i!
U
ie5.!
b
Diagrama energetic a cristalului
1!.3 Am0li4icatoare "i4eren1iale
Valeriu Blaj
?0
SEMICONDUCTOARE
*mplificatorul diferenial (vezi fig.-0.@. reprezint o variant
a amplificatorului simetric, n care la bazele tranzistoarelor se aplic
semnale diferite U
int1
i U
unt!
, iar semnalul de ieire este cules de pe
unul din colectoare sau ntre ele.
*tunci, c!nd la intrrile amplificatorului diferenial se vor
aplica semnale n antifaz&
!
int.
int.1
&
& i
!
int.
int.!
&
&
(semnal
diferenial, funcionarea schemei nu difer de cea a amplificatorului
simetric.
*tunci, c!nd semnalele sunt sinfazice (semnal de mod comun&
&
int.1
^ &
int.!
^ &
int.
) modificrile curenilor i
1
i i
!
sunt identice ca
valoare i sens, iar variaia tensiunii pe R
/
&
&
/
^Ei
1
:i
!
FR
/
^!i
/
. (-0.-?
Valeriu Blaj
?.
Fig.-0.@. *mplificatoare difereniale
a cu tranzistoare bipolare, b cu tranzistoare cu efect de c!mp
U
int.!
U
int.1
U
ie5.
b
i
1
R
1
R
!
R
/
E +
i
!
VT
1
VT
!
R
(
R
!
R
1
U
int.!
i
1
R
1
R
!
R
/
R
-!1
E +
U
ie5.
i
!
VT
1
VT
!
R
(
R
-!!
R
-1!
R
-11
U
int.1
a
Diagrama energetic a cristalului
1rin urmare, pentru semnal de mod comun rezistena R
/
formeaz
reacie negativ, iar fiecare din cele dou pri (brae simetrice ale
schemei poate fi reprezentat ca n fig.-0.+. Factorul de amplificare se
va determina prin e'presia&
U
U
UC
g$ 1
$
$
+

, (-0.-<
unde $
u
^SR N este factorul de amplificare al fiecrui bra fr a ine
cont de reacia negativ)
&
R
j&
ie5.
/ factorul de transfer al buclei de reacie negativ,
R N rezistena echivalent a circuitului de ieire a amplificatorului.
nlocuind n (-0.-<, vom cpta pentru factorul de amplificare al
unui bra al *.%. urmtoarea e'presie&
/ /
UC
!R
R
!SR 1
SR
$
+

. (-0.-@
%e regul <
ie5.
bbR
1
i <
ie5.
bbR
!
i, prin urmare, putem
considera R^R
1
^R
!
^R
C
. *tunci e'presia (-0.-@ capt forma&
Valeriu Blaj
?,
U
int.c
U
int."i4.
!
U
int.!
U
int."i4.
U
int.1
Fig.-0.-2. %escompunerea
semnalului de intrare n
componente
U
int.1
EU
int.!
F
Fig.-0.+. 6ircuit echivalent al
amplificatorului diferenial
R
1
ER
!
F
!R
/
E +
U
ie5.1

EU
ie5.!
F
VT
1
EVT
!
F
R
-1!

ER
-!!
F
R
-11
ER
-!1
F
SEMICONDUCTOARE

E
C
UC
!R
R
$
, (-0.-+
unde R
C
i R
E
sunt rezistenele din circuitele colectorului i
emitorului, respectiv.
1entru semnal de mod comun potenialele colectoarelor
variaz identic ca valoare i sens i &
ie5.
^(.
%eoarece semnalul de mod comun n realitate nu este altceva
de c!t zgomot sau perturbaii, este dorit $
u c
^2. Neducerea factorului
$
uc
se efectueaz prin maEorarea rezistenei R
E
(R
/
.
n maEoritatea cazurilor reale semnalele de intrare reprezint o
combinaie de semnal de mod comun (&
int.c
i semnal diferenial
(&
int.dif
^&
int.1
? &
int."
, cum este reprezentat n fig.-0.-2. *tunci putem
scrie&

! !
int.! int.1
int.c
int."i4.
int.c int.1
& &
&
&
& &

+ + , (-0.02
! !
int.! int.1
int.c
int."i4.
int.c int.!
& &
&
&
& &

, (-0.0-
n fiecare bra al *.%. componenta de mod comun se amplific cu
factorul $
uc
(vezi e'presia (-0.-+, iar componenta diferenial cu
factorul $
u
(vezi e'presia (-0.-,. 1rin urmare, la ieire vom avea&
!
SR
!R
R
int.! int.1
C int.c
E
C
ie5
& &
& &


- .
, (-0.00
!
SR
!R
R
int.! int.1
C int.c
E
C
ie5
& &
& &

+
0 .
, (-0.0.
(
0 . - . . int.! int.1 C ie5 ie5 ie5
SR & & & & &
. (-0.0,
('presiile (-0.00, (-0.0. i (-0.0, demonstreaz, c n
amplificatorul diferenial cu braele simetrice (identice semnalul de
Valeriu Blaj
?3
Diagrama energetic a cristalului
mod comun este suprimat complet, iar tensiunea semnalului de
ieire este proporional deferenei tensiunilor de intrare ( de unde i
provine denumirea a1plificator diferen,ial.
Semnalul de ieire va repeta faza semnalului de intrare &
int.1
) de
aceea prima intrare este numit neinversoare3 i semnalul de ieire
va fi n antifaz cu semnalul de intrare &
int.!
, de aceea a dou intrare
este numit inversoare
n scheme reale la ieire va fi prezent i o component
(nedorit mic de semnal de mod comun. 6aracterizarea abaterii
unui amplificator diferenial de la comportarea ideal se indic prin
parametrul re+ec,ia se1nal&l&i de 1od co1&n&

uc
u
$
$

. (-0.03
('presia (-0.03 demonstreaz, c pentru mbuntirea
performanelor amplificatorului diferenial (maEorarea F este
necesar maEorarea rezistenei R
E
. ns maEorarea rezistenei R
E
este
nsoit de creterea cderii de tensiune pe ea i cere o tensiune de
alimentare mai mare. *cest fapt cauzeaz nlocuirea R
E
cu un
generator de curent stabil, care are rezistene dinamic mare iar
static mic.
*mplificatoarele difereniale sunt pe larg folosite n practic
nu numai n A.C.C. (le sunt un element obligatoriu n
amplificatoare operaionale, deoarece intrarea diferenial a
amplificatorului operaional este format folosindu$se ca etaE de
intrare un etaE diferenial. 1entru o amplificare mai mare sunt folosite
c!teva etaEe cuplaEul ntre ele fiind direct.
Valeriu Blaj
??
SEMICONDUCTOARE
1!.* enerator "e curent sta9il
Schema unui
amplificator
diferenial cu
generator de c&rent
stabil (.C.S. cu
tranzistoare bipolare
este reprezentat n
fig.-0.--. *a schem
de principiu are
circuitul integrat
I11.YU1. .C.S.
este realizat pe
tranzistorul bipolar
VT
/.
Negimul de
funcionare al
tranzistorului VT
/
,
deci i curentul
colectorului de repaos
I
C(
, este determinat de
divizorul de tensiune
R
3
R
*
) VT
3
(n montaE diod i rezistena R
/
n circuitul emitorului.
.C.S. (VT
/
are rezisten dinamic mare i rezisten static mic
datorit caracterului neliniar al caracteristicilor statice de ieire ale
tranzistorului VT
/
(vezi fig.-0.-0.. n regimul de repaos cu curentul
colectorului I
C(
i tensiunea U
CE(
rezistena static (integral este&
C(
CE(
C
I
U
R
, (-0.0?
i deoarece caracteristica static a tranzistorului VT
/
are pant mic,
rezistena dinamic este&
Valeriu Blaj
?<
VT
3
VT
/
U
ie5.!
U
ie5.1
E
! +
U
int./
U
ie5.
i
1
R
1
R
!
R
/
R
-!
+ E
1

i
!
VT
1
VT
!
R
3
R
-1
fig.-0.--. *mplificator diferenial
cu generator de curent stabil
U
int.1
U
int.!
R
*
Diagrama energetic a cristalului
C
CE
C
I
U
r

. (-0.0<
1rin urmare, r
C
bbR
C
.
n amplificatoarele difereniale i alte amplificatoare integrate
n calitate de .C.S. este folosit pe larg circuitul numit oglind de
c&rent. Schema de principiu a unui aa circuit ntr$o variant simpl
este reprezentat n fig.-0.-.. 6ircuitul conine dou tranzistoare
bipolare cu emitoarele cuplate direct.
%eoarece Eonciunile emitoarelor au arii egale, curenii
emitoarelor I
E1
i I
E!
de asemenea sunt egale, iar de aici rezult i
egalitatea curenilor I
1
i I
!
. %ac primul etaE va fi considerat de
intrare, iar etaEul doi / de ieire, atunci din egalitatea I
1
9 I
!
rezult,
c curentul de ieire repet curentul de intrare. %e aici provine
noiunea de oglind de curent. 6ircuitul mai este numit repetitor de
c&rent. (l este caracterizat, spre deosebire de repetitorul de tensiune,
prin impedan de intrare mic i impedan de ieire mare.
6urenii emitoarelor I
E1
i I
E!
vor avea valori diferite, dac
Eonciunile emitoarelor tranzistoarelor VT
1
i VT
!
se vor afla sub
tensiuni cu valori diferite, sau, dac vor avea arii diferite. 1rin
urmare, schimb!nd geometria tranzistoarelor sau modific!nd valorile
tensiunilor U
-E1
i U
-E!
, aplicate pe Eonciunile emitoarelor poate fi
variat factorul de redare al curentului.
Valeriu Blaj
?@
U
CE
U
CE(
U
CE
I
-(
I
C
I
C(
I
C
Fig.-0.-0. 6aracteristicile statice ale VT
/
U
-E
I
-!
I
-1
I
E1
I
E!
I
!
I
1
VT
!
VT
1
Fig.-0.-.. "glind de
curent
SEMICONDUCTOARE
=aEorarea ariei Eonciunii emitorului tranzistorului VT
!
poate
fi efectuat at!t direct prin maEorarea ariei Eonciunii, c!t i folosind
un tranzistor cu multe emitoare (vezi fig.-0.-,.a. n aa mod pentru
tranzistoarele p-n-p poate fi variat factorul de redare ntre valorile
-,2 i -2.
1entru a forma diferite valori ale tensiunilor pe Eonciunile
emitoarelor n circuitele emitoarelor sunt incluse rezistenele
R
1
i R
!
(vezi fig.-0.-,.b. 1rin alegerea respectiv a valorilor
rezistenelor factorul de redare poate fi variat n domeniul de valori
2,- la 2,+.
Valeriu Blaj
?+
Fig.-0.-,. 5ariaia factorului de redare
a
I
!
I
1
VT
!
VT
1
b
I
!
I
1
VT
!
VT
1
U
-E1
U
-E!
R
1
R
!
Diagrama energetic a cristalului
1!.& Am0li4icatoare cu mo"ulare?"emo"ulare.
6u toate, c amplificatoarele moderne cu cuplaE direct sunt
caracterizate printr$un decalaE foarte mic (circa c!iva microvoli pe
grad, aceste amplificatoare sunt inutile pentru amplificarea
semnalelor foarte slabe de ordinul -2
$<
5. 6u acest scop sunt folosite
amplificatoarele cu modulare$demodulare (A.M.D.. Schema bloc a
A.M.D. este reprezentat n fig.-0.-3, iar formele de und ale
tensiunilor n amplificator n fig.-0.-?.
n A.M.D. este folosit principiul modulaiei n amplitudine i
procesul de amplificare are loc n trei etape&
modulaie n amplitudine,
amplificarea semnalului alternativ,
demodulare.
Destina,ia elementelor principale ale amplificatorului cu
modulare$demodulare urmeaz&
Filtrul trece$Eos 'TA1 limiteaz semnalul de intrare (lent variabil U
int.
la
domeniu precizat al frecvenelor Eoase, pentru a elimina efectul
semnalelor perturbatoare din e'teriorul benzii semnalului util.
=odulatorul M transform semnalul lent variabil U
int.
ntr$un
semnal alternativ de frecven pilot (purttoare a crui
amplitudine respect legea variaiei n timp a semnalului de
intrare (modulaia n amplitudine U
MA 1
.
Valeriu Blaj
<2
U
ie5.
U
+
U
+
U
MA!
U
int.
U
MA1
M 'TA1 DM
G
'TS1 A.C.A. 'TS! 'TA!
fig.-0.-3. schema bloc a amplificatorului cu modulare$demodulare
SEMICONDUCTOARE
Filtrul trece$sus 'TS1 suprim componenta de curent continuu i
este realizat, folosindu$se cuplaEul prin condensator sau
transformator.
Generatorul furnizeaz oscilaii de frecvena pilot U
0.
.
Frecvena pilot este aleas mult mai mare ca frecvena de sus a
semnalului de intrare (de circ -2 $ 02 de ori. Generatorul
acioneaz sincron asupra modulatorului i demodulatorului.
*mplificatorul de curent alternativ A.C.A. realizeaz funcia
principal / de amplificare i este realizat conform tuturor
principiilor, care le cunoatem pentru amplificatoare de semnal
variabil (curent alternativ.
Filtrul trece$sus 'TS! de asemenea suprim componenta de
curent continuu i este realizat, folosindu$se cuplaEul prin
condensator sau transformator.
%emodulatorul DM este realizat pe principiul deteciei sensibile.
Semnalul la ieirea demodulatorului este proporional cu
amplitudinea semnalului de la intrarea sa.
Filtrul trece Eos 'TA! suprim componentele spectrale suplimentare de
frecvene nalte, aprute n componena spectral a semnalului n
circuitul amplificatorului cu modulare$demodulare.
$vanta+ele amplificatorului A.M.D. sunt urmtoarele&
- posibilitatea obinerii unui decalaE minim)
- posibilitatea separrii galvanice ntre ieire i intrare)
- amplificarea poate fi de orice nivel c!t de nalt este dorit)
- deoarece amplificatorul este curent alternativ, este simpl
folosirea reaciei negative i deci putem cpta o
funcionare stabil.
6a dezavanta+e pot fi menionate&
+ Bivelul nalt de sofisticare a schemei,
+ #anda de trecere este limitat (ngust, deoarece
trebuie respectat condiia, e'pus mai sus referitor
Valeriu Blaj
<-
Diagrama energetic a cristalului
la relaia ntre frecvena pilot i banda semnalului de
intrare.
Valeriu Blaj
<0
SEMICONDUCTOARE
Valeriu Blaj
<.
Diagrama energetic a cristalului
Valeriu Blaj
<,
SEMICONDUCTOARE
Valeriu Blaj
<3
U
int.
U
+
U
MA1
U
MA!
U
ie5.
t
t
t
t
t
fig. -0.-?. Formele de und n A.M.D.
Diagrama energetic a cristalului
1/. AM+=I'ICATOARE O+ERAOIONA=E
1/.1. No1iuni generale
$1plificator&l opera,ional
4$.B.5 este un amplificator de
curent continuu cu intrare
diferenial, factor de
amplificare foarte mare,
impedana de intrare foarte mare
4i impedana de ie4ire foarte
mic'
8ermenul de operaional a
fost aplicat acestor amplificatoare
datorit folosirii lor n circuite de calcul (calculatoare analogice
pentru a efectua operaii ca& adunarea, derivarea, integrarea,
logaritmarea etc.
Am0li4icatoarele o0era1ionale EA.O.F n form integral i$au
gsit aplicarea ntr$o gam foarte larg de scheme& diverse
amplificatoare (inversoare i neinversoare, comparatoare,
stabilizatoare, oscilatoare, generatoare de impulsuri, pori
electronice, circuite de limitare, filtre active etc.
Simbolul A.O. este reprezentat n fig. -..-. 8ensiunea de ieire
este n antifaz cu semnalul de la intrarea inversoare (U
int.1
i repet
faza semnalului, aplicat la intrarea neinversoare (U
int.!
.
%e regul etaEul de intrare al A.O. este un etaE diferenial, care
asigur o valoare foarte mare a impedanei de intrare, stabilitate i
sensibilitate nalt. (taEul final este un repetitor pe emitor, care
asigur impedana de ieire mic. (taEele intermediare asigur
amplificarea ( factorul de amplificare la valoarea necesar (nalt.
%e asemenea n cadrul amplificatorului operaional pot fi incluse
elemente suplimentare, care asigur decalarea de potenial, formeaz
generator de curent stabil, reacie i corecie.
Valeriu Blaj
<?
U
int. !
E
1

Fig. -..-. Simbolul *.". (a i simbolul


simplificat al *.". (b
E
!
U
int. 1
U
ie5.

H
b
a
SEMICONDUCTOARE
6aracteristica de amplitudine a A.O. este reprezentat n
fig.-..0. (a reprezint dependena tensiunii de ieire de tensiunea de
intrare pentru frecvene aproape de zero (curent continuu. 6urba -
corespunde amplificrii semnalului aplicat la intrarea neinversoare,
iar curba 0 corespunde semnalului aplicat la intrarea inversoare.
6aracteristica de amplitudine a A.O. are dou domenii cu
comportare diferit&
+ Do1eni&l dina1ic, n care caracteristica este liniar i panta
ei determin factorul dinamic de amplificare&
+ Do1eni&l de sat&ra,ie, n care tensiunea de ieire rm!ne
neschimbat la nivelul U
:
ie5. ma@
(U
?
ie5..min
.
*ceste valori sunt foarte aproape de valoarea tensiunii de
alimentare. %eoarece factorul de amplificare dinamic este foarte nalt
domeniul dinamic este foarte ngust.
Valeriu Blaj
<<
-
0
Fig. -..0.6aracteristica de amplitudine a A.O.
- $ neinversoare, 0 $ inversoare
U

ie5. ma@
U
int.
U
:
ie5. ma@
E
1
U
ie5.

E
!
Diagrama energetic a cristalului
*limentarea A.O. este simetric de la dou surse cu polaritate
diferit E
1
i E
!
raportate la mas i egale ca modul.
1/.!. +arametrii 0rinci0ali ai am0li4icatoarelor o0era1ionale
Jarametrii principali ai A.O. sunt&
,. /actor&l dina1ic de a1plificare k
U
( vezi e'presia (-..-. n
A.O. moderne pentru frecvene aproape de zero k
U
poate avea
valori de la zeci de mii p!n la c!teva milioane ( -2
,
-2
?
. %in
aceast cauz A.O.) cu e'cepia comparatoarelor, nu sunt folosite
fr bucl de reacie.
3. $1plificare de 1od co1&n. n caz ideal, dac .
int.1
^.
int.!
^.
c
,
tensiunea de ieire ar trebui s fie nul. n A.O. reale aceast
condiie nu este ndeplinit absolut i este necesar introducerea
noiunii de amplificare de mod comun'

.
.
c
ie4
u c
.
.
k
(-..0
?. Re+ec,ia se1nal&l&i de 1od co1&n. 6aracterizarea abaterii unui
amplificator operaional de la comportarea ideal se indic n
datele de catalog prin rejecia semnalului de mod comun, definit
ca&
.
uc
u
k
k
H
(-...
5alorile tipice pentru sunt cuprinse ntre -2
.
i -2
-..

<. %ensi&nea de offset (tensiune de decalaj la intrare! este
diferena de tensiune, care trebuie aplicat ntre cele dou intrri
pentru a aduce tensiunea de ieire la zero&
.
o44.
^.
int.1
.
int.!
pentru .
ie5.
92. (-..,
Tensiunea de offset poate s ating valori de circa
.
o44.
^302 m5.
Tensiunea de offset poate fi compensat intern sau e'tern.
Funcionarea amplificatorului este perturbat de variaia acestei
tensiuni, variaie determinat de temperatur, timp i tensiunea
surselor de alimentare.
Valeriu Blaj
<@
SEMICONDUCTOARE
@. I1pedan,a de intrare <
int.
a A.O. este foarte mare. n A.O. cu
tranzistoare bipolare n etaEul de intrare <
int.
are valori de ordinul
$) iar n A.O. cu tranzistoare cu efect de c!mp <
int.
este de
c!teva uniti sau zeci de M.
+. I1pedan,a de ie0ire <
ie5.
a A.O. este determinat de etaEul de
ieire, care este, de regul, repetitor de tensiune. 5alorile <
ie5.
a
A.O. pot fi de la c!iva p!n la sute de .
10. (ara1etrii de frecven,.
*mplificarea semnalelor armonice este determinat de&
+ caracteristica a1plit&dine-frecven,3 reprezentat n fig.-....
+ banda de trecere3
+ frecven,a li1it de s&s f
s
3
+ frecven,a de a1plificare &nitar f
1
.
11. Viteza de cre0tere a tensi&nii de ie0ire
*mplificarea impulsurilor (de regul dreptunghiulare este
determinat de viteza de cre4tere a tensiunii de ie4ire
6t
6.
ie4.

(vezi fig. -..,., c!nd la intrare se aplic o treapt de tensiune.
Valeriu Blaj
<+
k
u ma@
0
ma' u
k
2
f
s
f
1
f
-
k
u
U
int.
.
ie5.
.
ie5.
t
t
t
fig.-....
6aracteristica amplitudine$frecven a A.O.
Fig.-..,.
*mplificarea impulsurilor n A.O.
Diagrama energetic a cristalului
*./. Am0li4icator o0era1ional I13(YU1
6a e'emplu de amplificator operaional integrat vom analiza
I13(YU1) care reprezint prima generaie de A.O. integrate. n
fig.-..3. este reprezentat schema de principiu a acestui A.O.
1recizia nalt de realizare a operaiilor n circuitele cu A.O. este
determinat de impedana nalt de intrare, valoarea nalt a
factorului de amplificare, nivelul foarte Eos de zgomot, gradul nalt al
reEeciei semnalului de mod comun, banda larg de trecere. *ceste
proprieti ale A.O.) n primul r!nd, sunt determinate de etaEul de
intrare. *cest fapt e'plic folosirea etaEelor difereniale n calitate de
etaE de intrare.
Etajul de intrare este etaE diferenial i este format pe baza
tranzistoarelor VT
1
i VT
!
. =aEorarea impedanei de intrare i
micorarea curenilor de intrare ai A.O. sunt realizate prin
funcionarea tranzistoarelor VT
1
i VT
!
cu curenii emitoarelor de
Valeriu Blaj
@2
/
1!
!
+ E
!
1
+E
1
>
Fig.-..3. schema de principiu a A.O. I13(YU1
U
ie5.
*
U
int.!
)inv. %
comun 3
U
int.1
) neinv.
1(
VD
R
1!
R
11
R
1(
R
%
R
.
R
>
R
&
R
*
R
3
R
/
R
!
R
1
VT
%
VT
.
VT
>
VT
&
VT
*
VT
3
VT
/
VT
!
VT
1
SEMICONDUCTOARE
ordinul microamperilor. Stabilizarea curenilor emitoarelor n etaEul
de intrare este realizat de generatorul de curent stabil, format pe
baza elementelor VT
/
) VT
3
) R
/
) R
3
) R
.
. Heneratorul de curent stabil
funcioneaz pe principiu repetitorului de curent (oglind de curent.
(taEul de intrare poate avea un factor de amplificare de circa .2
-22. 1rin urmare, este necesar nc un etaj de amplificare al
doilea, care, de asemenea, este diferenial i este realizat n baza
tranzistoarelor VT
*
i VT
&
. &uplajul 3ntre etaje este direct' *cest
fapt aduce la creterea componentei de curent continuu de la etaE la
etaE. 8ensiunea de c. c. se apropie ca valoare de tensiunea sursei de
alimentare i, n aa mod, se ngusteaz domeniul dinamic n etaEele
finale. 1entru e'cluderea acestui efect sunt folosite scheme de
decalare a nivelului de tensiune, iar alimentarea este simetric de la
dou surse cu polaritate diferit i aceleai valori ale tensiunilor&
E E E
! 1

. *cest fapt permite i stabilirea nivelului zero de
tensiune n etaEul de intrare i cel de ieire.
6urentul emitoarelor etaEului doi este stabilit de rezistena R
>
.
*ici nu este folosit generator de curent stabil, deoarece semnalul are
un nivel mai nalt. n acelai timp rezistena R
>
servete pentru
decalarea potenialului, deoarece tensiunea nalt de pe colectoarele
etaEului de intrare cad direct pe bazele tranzistoarelor n etaEul doi.
n calitate de etaj de decalare a nivelului de tensiune, de regul,
este folosit un repetitor pe emitor cu generator de curent stabil n
circuitul emitorului. n A.O. I13(YU1 tensiunea amplificat,
culeas de pe colectorul VT
&
, este aplicat la baza tranzistorului
VT
>
, care formeaz etaE de decalare a nivelului de tensiune mpreun
cu generatorul de curent stabil, format n baza tranzistorului VT
.
.
Etajul de ie4ire trebuie s nu micoreze amplificarea, realizat n
etaEele intermediare, i, prin urmare, trebuie s aib impedan de
intrare mare, iar pentru dezvoltarea unei puteri ma'imale a
semnalului de ieire pe sarcin impedan de ieire mic. 1rin
urmare, mai rsp!ndit etaE n calitate de etaE de ieire este folosit
repetitorul pe emitor.
Valeriu Blaj
@-
Diagrama energetic a cristalului
8ensiunea de pe sarcina dinamic a etaEului de decalare a
nivelului de tensiune (colectorul tranzistorului VT
.
se aplic la baza
tranzistorului VT
%
, care formeaz cu rezistoarele R
1(
, R
11
i R
1!
etaEul de ieire repetitorul de tensiune. 1entru compensarea
atenurii tensiunii n etaEul de ieire este introdus reaciea pozitiv,
care maEoreaz factorul de redare a tensiunii al repetitorului p!n la o
valoare supraunitar ( -,3.
Beacia pozitiv se manifest n modul urmtor&
" parte din tensiunea de ieire, culeas de pe rezistorul R
1!
, prin
rezistorul R
1(
este aplicat n circuitul emitorului tranzistorului VT
.
.
1entru acest semnal tranzistorul VT
.
formeaz un etaE baz comun.
%eoarece etaEul -C este neinversor, n circuitul colectorului acestui
tranzistor (VT
.
este format o tensiune suplimentar sinfazic cu
semnalul principal. 1rin urmare, pe baza i emitorul tranzistorului
VT
%
se formeaz o tensiune, care depete valoarea tensiunii, culese
de pe colectorul tranzistorului VT
.
.
)ioda VD, care este polarizat invers, este folosit n calitate de
capacitate i servete pentru introducerea unui defazaE suplimentar,
necesar pentru maEorarea stabilitii funcionrii A.O.
Alimentarea A.O.I13(YU1A este t&)/ V) iar pentru
I13(YU1\ t1!)& V.
Jarametrii principali ai A.O. I13(YU1\ sunt&
$
u
^1/*(.((()
U
int. ma@
^t1)! V)
I
int.ma@
^% A)
U
o44.
^t> mV)
f
1
* MM6.
Valeriu Blaj
@0
SEMICONDUCTOARE
1/.3. A0lica1ii ale am0li4icatoarelor o0era1ionale
*mplificatoarele operaionale integrate sunt folosite pe larg n
echipamentul radioelectronic datorit caracteristicilor sale
universale. n baza A.O. sunt realizate amplificatoare, oscilatoare,
filtre active, generatoare de impulsuri i alte semnale de form
special, stabilizatoare, limitatoare de amplitudine i diverse alte
dispozitive analogice i digitale. %atorit costului su mic A.O. sunt
folosite i n amplificatoarele de Eoas frecven.
Da analiza circuitelor cu A.O. vom considera&
factorul de amplificare infinit de mare $
U
,
impedana de intrare foarte mare <
int.
,
tensiunea de offset nul U
o44.
^(.
1rin urmare, potenialele de repaos ale intrrilor inversoare i
neinversoare sunt egale, iar curenii de intrare pot fi negliEai.
1/.3.1 Com0arator "e tensiune
%eoarece domeniul dinamic al A.O. este foarte ngust, la
egalarea tensiunilor de intrare are loc trecerea brusc a semnalului de
ieire de la o tensiune de saturaie la cealalt. 1rin urmare, semnalul
de ieire depinde de raportul ntre cele dou semnale de intrare.
Schema circuitului, n care A.O. Eoac rolul de comparator, este
reprezentat n fig.-..?.
6!nd U
int.1
>U
unt.!
, la ieire
vom avea& U
ie5.
^U

ie5. ma@
, iar atunci,
c!nd U
int.1
<U
unt.!
, la ieire vom avea
Valeriu Blaj
@.
U
int. 1
U
int. !

Fig.-..?. 6omparator
U
ie5.
D
A
Diagrama energetic a cristalului
U
ie5.
^U
+
ie5. ma@
. 1rin urmare, pot fi comparate ntre ele dou semnale
sau poate fi comparat semnalul de intrare cu o tensiune de referin.
Valeriu Blaj
@,
SEMICONDUCTOARE
1/.3.! Multi0licarea cu o constant
n circuitele, care le vom analiza n continuare, A.O. va fi
folosit cu o bucl de reacie, care poate avea caracter diferit.
n fig.-..<. este reprezentat schema circuitului, care
efectueaz multiplicarea cu o constant, adic a amplificatorului
inversor' Nezistena R
N
, introdus n bucla de reacie, determin
factorul de multiplicare (amplificare mpreun cu R
1
. %eoarece
impedana de intrare A.O. este foarte mare, putem considera
<
int
e R
N
, iar curenii de intrare ai A.O. negliEabili.
1rin urmare, putem considera i
int.
^i
N
i, deoarece din schem
observm, c&
N
ies
N
R
U
i
i
1
int
int
R
U
i
, (-..3
pentru tensiunea de ieire putem scrie&
int
1
N
ies
U
R
R
U
, (-..?
iar pentru factorul de multiplicare (amplificare&
1
N
int
ies
U
R
R
U
U
$
. (-..<
Valeriu Blaj
@3
Diagrama energetic a cristalului
Semnul mminusU n e'presia (-..< simbolizeaz opoziia de
faz ntre tensiunea de ieire i tensiunea de intrare, de unde i
provine denumirea de amplificator inversor'
Nezistena R
N
, introdus n circuitul de intrare, are rolul de a
micora eroarea, introdus de curenii de intrare ai A.O.) care totui
au valori finite. Nezistena R
N
este aleas n aa mod, ca s se
ndeplineasc egalitatea&
0 int.!
N 1
N 1
int.1
R
R R
R R
i i
+

. (-..@
1rin urmare, dimensionarea acestei rezistene se face conform
e'presiei&

N 1
N 1
0
R R
R R
R
+

. (-..+
n fig.-..@. este reprezentat schema unui amplificator
neinversor. 8ensiunea de ieire este calculat conform e'presiei&
Valeriu Blaj
@?
R
N
U
int.
Fig.-..<. amplificator inversor
R
0
R
1
i
N
i
int.
i
int.1
i
int.!
DA

U
ie5.
R
N
U
int.
Fig.-..@. amplificator neinversor
R
1
DA

U
ie5.
SEMICONDUCTOARE
int
1
N
ies
FU
R
R
1 U + (
. (-..-2
1/.3./ Circuit "e 7nsumare 0on"erat
%ac la intrarea amplificatorului inversor vor fi aplicate n
paralel c!teva semnale, vom cpta un circuit, care efectueaz
operaia de adunare 3nsumare ponderat' Schema unui aa circuit
n varianta cu trei intrri este reprezentat n fig.-..+.
%eoarece impedana de intrare a A.O. este foarte mare putem scrie&
i
int.
-i
N
, (-..--
i
int.
i
1
F i
!
F i
/
. (-..-0
%in schem rezult&

1
int.1
1
R
U
i
,
!
int.!
!
R
U
i
,
/
int./
/
R
U
i
,
N
N
R
U
. ie
i
. (-..-.
Valeriu Blaj
@<
i
int.
i
/
i
!
i
1
U
int.!
U
int.1
U
int./
R
/
R
!
R
1
R
N
Fig.-..+. 6ircuit de nsumare ponderat
R
0
i
N
%*

U
ie5.
Diagrama energetic a cristalului
Rin!nd cont de (-..-- i (-..-0, e'presia pentru tensiunea de ieire
va fi&

,
_

+ +
int./
/
N
int.!
!
N
int.1
1
N
U
R
R
U
R
R
U
R
R
U
. ie4
.
(-..-,
1rin urmare, tensiunea de ieire este proporional sumei tensiunilor
semnalelor de intrare.
1/.3.3 Circuit "e integrare
Schema unui circuit de integrare cu A.O. este reprezentat n
fig.-..-2. %educerea e'presiei tensiunii de ieire se obine uor,
aplic!nd regula de nsumare a curenilor, dac inem cont, c
<
int.
i i
int.
(G
i : i
C
^ ( . (-..-3
%eoarece&
"t
"U
ie5
C
i (-..-?
i&
R
U
int.
i , (-..-<
se obine&
( t ie5
i
(
int. ie5
U "t U
RC
1
U

+
. (-..-@
1rin urmare, tensiunea de ieire este proporional cu integrala
n timp a tensiunii de intrare.
%ac la intrare se aplic o tensiune negativ i constant n timp
U
(
, tensiunea de ieire va crete p!n va atinge valoarea tensiunii de
saturaie&
Valeriu Blaj
@@
SEMICONDUCTOARE

( t
ie5
(
ie5
U t
RC
U
U

+
, (-..-+
unde ( t ie5
U
este tensiunea de ieire a A.O. p!n la aplicarea
impulsului de intrare.
1/.3.* Circuit "e "eri#are
n fig.-..-- este reprezentat schema unui A.O., conectat
astfel nc!t s realizeze operaia de derivare. Rin!nd cont, c <
int.

i i
int.
() aplicm regula de nsumare a curenilor la borna
neinversoare i obinemG
i : i
C
^ ( . (-..02
(
R
U
"t
"U
C
N
ie5
int.
+
, (-..0-
"t
"U
C R U
int.
N ie5
. (-..00
Valeriu Blaj
@+
R
N
U
int.
Fig.-..--. 6ircuit de derivare
R
0
C
i
i
C
DA

U
ie5.
C
U
int.
Fig.-..-2. 6ircuit de integrare
R
0
R
i
C
i
DA

U
ie5.
Diagrama energetic a cristalului
1/.3.& Circuit "e logaritmare
Kn circuit de logaritmare
trebuie s furnizeze la ieire o
tensiune proporional cu
logaritmul tensiunii de intrare.
Nealizarea practic a unui circuit
de logaritmare se face cu un
amplificator operaional inversor,
av!nd n bucla de reacie un
element cu caracteristica curent
tensiune logaritmic. 6ele mai
utilizate elemente de acest tip
sunt diodele, tranzistoarele, sau
reelele, formate din diode i
rezistene. 1entru circuitul de
logaritmare cu diod, reprezentat n fig.-..-0, se pot scrie relaiile&
$T
eU
e@0 I 1F
$T
eU
Ee@0 I
D
(
D
( D
i
, (-..0.
unde I
(
este curentul termic al diodei,
U
D
cderea de tensiune pe diod,
e sarcina electronului,
$ constanta #oltzmann,
T temperatura absolut a Eonciunii,
iar i i
D
^ ( . (-..0,
Rin!nd cont, c U
ie5.
^U
D
, i substituind e'presiile respective pentru
cureni n (-..0,, vom avea&
( F
$T
eU
e@0E? I ?
R
U
ie5
(
int.
. (-..03
Dogaritm!nd relaia (-..03, se obine&
Valeriu Blaj
+2
U
D
U
int.
Fig.-..-0. 6ircuit de logaritmare
R
0
R
i
DA

U
ie5.
VD
i
D
SEMICONDUCTOARE
R I
U
lg
e
$T
!)/
R I
U
ln
e
$T
U
(
int.
(
int.
ie5

. (-..0?
13. OSCI=ATOARE
13.1. No1iuni generale
Bscilatoarele electronice sunt circuite electronice neliniare,
care transform energia de curent continuu a surselor de alimentare
3n semnale periodice de form apro(imativ sinusoidal'
%eosebesc oscilatoare cu excita,ie extern i cu a&toexcita,ie.
"scilatoarele cu e'citaie e'tern sunt amplificatoare de
rezonan, care funcioneaz n regim de semnal mare.
"scilatoarele cu autoe'citaie sunt circuite autonome, n care
oscilaiile sinusoidale la ieire (fr semnal de intrare sunt cptate
datorit ndeplinirii condiiilor de autoe'citaie. (le sunt, de regul,
folosite ca etaE iniial, dup care urmeaz un etaE de putere sau un
oscilator cu e'citaie e'tern.
%up banda de frecven, n care funcioneaz, deosebim&
oscilatoare de Eoas frecven ( de audiofrecven,
oscilatoare de nalt frecven ( de radiofrecven,
oscilatoare de foarte nalt frecven.
%up principiul de funcionare deosebim&
oscilatoare cu rezisten negativ,
oscilatoare cu reacie.
%up natura circuitelor, care intervin n structura lor, deosebim&
oscilatoare RC,
oscilatoare =C,
oscilatoare cu cuar.
Kn oscilator se caracterizeaz prin urmtorii parametri&
E frecvena de oscilaie,
E amplitudinea de autooscilaie,
E impedana de ieire a sursei echivalente,
E impedana de sarcin, n care debiteaz,
Valeriu Blaj
+-
Diagrama energetic a cristalului
E stabilitatea frecvenei de autooscilaie,
E stabilitatea amplitudinii de autooscilaie,
E coeficientul de distorsiuni neliniare ale semnalului
generat,
E posibilitatea reglrii frecvenei de autooscilaie,
E tensiunea i curentul de alimentare.
1rin urmare, oscilatoarele pot fi privite ca amplificatoare cu
reacie pozitiv (vezi fig.-,.-, care ndeplinesc condiia&

; 1
;
;
R+
`
`
`
`
(
, (-,.-
care este echivalent cu condiia&
1 ;
`
` ( . (-,.0
Nelaia (-,.0 se mai numete condi,ia DarG7a&sen. (a este
echivalent cu dou relaii&
relaia ntre module, care conduce la condiia de amorsare a
oscilaiilor, condi,ia de a1plit&dineG
1 ; (
. (-,..
relaia ntre faze, condi,ia de fazG

A
:
R
^!n, (-,.,
unde
A
este defazaEul introdus de amplificator,

R
este defazaEul introdus de bucla de reacie,
n este un numr ntreg.
*ceast condiie presupune, c dup
parcurgerea ntregii bucle semnalul
trebuie s se regseasc n faz.
1rin urmare, amplificatorul trebuie s
aib factor de amplificare, care
recupereaz pierderile n bucla de reacie.
*ceast condiie de reacie pozitiv
asigur apariia unui semnal la ieire, fr
Valeriu Blaj
+0
R
Fig.-,.-. Schema bloc a
oscilatorului
SEMICONDUCTOARE
aplicarea unui semnal de intrare. ('plicaia const n faptul, c
semnalul dat de cuadripolul de reacie, aplicat la intrarea
amplificatorului, reprezint chiar semnalul necesar pentru
ntreinerea oscilaiilor.
%ei, din relaia #arJhausen rezult o valoare infinit de mare
pentru ;
R+
, nelinearitatea elementelor active folosite duce la
limitarea oscilaiei de ieire, a crei amplitudine este determinat de
parametrii elementului activ i ai cuadripolului de reacie. Da
proiectare trebuie urmrit ca n momentul iniial (deci regim de
pornire i, prin urmare, la amplitudini mici ale semnalului este
necesar ndeplinirea condiiei&
1 ; >
. (-,.3
n acest caz, dac la intrarea amplificatorului apare un semnal c!t de
mic cu frecvena, pentru care se respect condiia #arJhausen (de
e'emplu, zgomotul, care apare la conectarea sursei de alimentare, la
ieire vom avea tensiune (semnal progresiv n amplitudine. 1e
msura creterii amplitudinii tensiunii de ieire, datorit nelinearitii
caracteristicii de amplitudine, factorul de amplificare se micoreaz.
"scilatorul se stabilete n regim staionar, pentru care se respect
e'presia (-,...
Valeriu Blaj
+.
Diagrama energetic a cristalului
Sunt posibile dou regimuri de autoe'citaie n funcie de
forma caracteristicii de amplitudine a amplificatorului (vezi
fig.-,.0& moale i rigid.
1entru apariia oscilaiilor n regim moale este destul
respectarea condiiei #arJhausen, adic e'presiilor (-,.. i (-,.,.
1e c!nd n regim rigid de autoe'citaie pentru apariia oscilaiilor
este necesar, suplimentar, ca n momentul iniial&
U
int.
b U
int.1
. (-,.?
13.!. Oscilatoare cu re6isten1 negati#
Valeriu Blaj
+,
Fig.-,.0. caracteristici de amplitudine&
a cu regim moale, b cu regim rigid
U
int.sta1.
A
U
ie5.1
U
ie5.sta1.
U
int.1
U
ie5.
U
int.
;

a
U
ie5.sta1.
A
1
U
int.sta1.
A
U
ie5.1
U
int.1
U
ie5.
U
int.
;

b
SEMICONDUCTOARE
Fscilatoarele cu rezisten negativ au n structura sa un
element activ cu caracteristica static neliniar n mNU sau n mSU
(vezi fig.-,...
%ispozitive cu caracteristica static n mNU sunt& tetroda, dioda
tunel, dioda Gunn, etc., care se mai
numesc elemente cu rezisten
negativ controlat prin tensiune
sau V.N.R. (voltage controled
negative rezistence.
%ispozitive cu caracteristica
static n mSU sunt& tiristorul,
tranzistorul uniEonciune etc., care
se mai numesc elemente cu
rezisten negativ controlat prin
curent sau C.N.R. (current
controled negative rezistence.
n cazul dipolului V.N.R. se obine un oscilator electronic,
dac se nseriaz dispozitivul V.N.R. cu un circuit oscilant derivaie
i cu o surs de tensiune continu constant E
(
(vezi fig.-,.,.a.
1entru a fi posibil amorsarea oscilaiilor n circuitul cu V.N.R. este
Valeriu Blaj
+3
Fig.-,...
caracteristici statice&
a V.N.R., b C.N.R.
a
U
I
b
U
I
U
N
^E
(
U
s
E
(
U
s
U
s
a
C
=
E
(
R
V.N
.R.
Fig.-,.,. "scilator cu dispozitiv V.N.R.G
a schema, b caracteristica dinamic
S.D.R.
R.D.N.
+
E
(
U
I
b
Diagrama energetic a cristalului
necesar ca rezistena R (sarcina dinamic la rezonan, S.D.R.,
conectat n circuitul oscilant n paralel cu = i C, s fie mai mare ca
rezistena dinamic negativ (R.D.N. a V.N.R. (vezi fig.-,.,.b.
n cazul dipolului C.N.R. se obine un oscilator electronic,
dac se conecteaz n paralel cu dispozitivul C.N.R. un circuit
oscilant serie i o surs de alimentare, ce furnizeaz un curent
constant I
(
. %eci rezistena, conectat n circuitul oscilant serie
(S.D.R., trebuie s fie mai mic ca rezistena dinamic a
elementului neliniar (R.D.N..
Frecvena de oscilaie este determinat de elementele
circuitului oscilant, iar amplitudinea este limitat de domeniul de
e'isten a rezistenei dinamice negative.
13./ Oscilatoare =C
Valeriu Blaj
+?
I
(
I
N
^ I
(
I
s
a
C
=
R
C.N.R.
Fig.-,.3. "scilator cu dispozitiv C.N.R.G
a schema, b caracteristica dinamic
R.D.N.
S.D.R.
+
I
(
U
I
b
SEMICONDUCTOARE
('ist diverse scheme de oscilatoare =C, diversitatea crora
depinde de cone'iunea circuitului oscilant i metoda de formare a
buclei de reacie pozitiv.
13./.1 Oscilator Mapssner
"scilatorul =aYssner este un
oscilator electronic =C cu reacie
pozitiv prin transformator
(oscilator cu cuplaE magnetic.
Schema este reprezentat n fig.-,.?.
Funcionarea circuitului&
n momentul conectrii sursei
de alimentare, n circuitul oscilant
=
C
C
C
se declaneaz oscilaii, care
sunt transmise n circuitul bazei
tranzistorului. nfurarea =
-
este
conectat n aa mod, ca
componenta alternativ a curentului
colectorului, care apare, amplific
oscilaiile din circuitul oscilant. 1rin urmare, datorit cuplaEului
mutual este format reacie pozitiv. 6ondensatorul C
S
separ
circuitul oscilant de circuitul colectorului n curent continuu (c.c.,
iar droselul =
"
evit untarea circuitului oscilant n curent alternativ
(c.a. prin sursa de alimentare.
6ondiia de amplitudine este ndeplinit prin alegerea factorului de inducie
mutual M, iar condiia de faz este respectat prin cone'iunea corect a
nfurrii (bobinei =
-
(n absena oscilaiilor la ieire bornele sunt schimbate cu
locul.
Valeriu Blaj
+<
=
-
R
E
C
E
VT
R
-
C
S
E
C
:
=
"
Fig.-,.,. "scilator =aYssner
=
C
C
C
Diagrama energetic a cristalului
13./.! Oscilatoare J7n trei 0uncteK
n oscilatoarele mn trei puncteU circuitul de oscilaie este
conectat cu amplificatorul, av!nd trei puncte comune la cele trei
terminale ale tranzistorului (elementului activ. *cest mod este
reprezentat n fig.-,.3. n multe circuite se leag la mas emitorul.
1entru oricare tip de oscilator
aspectele cele mai importante sunt&
- relaia, pe care trebuie s o
ndeplineasc parametrii
circuitului pentru a asigura
intrarea n oscilaie (amorsarea
oscilaiilor.
- valoarea frecvenei de oscilaie.
%eterminarea lor se efectueaz
reieind din condiia #arJhausen.
Factorul de amplificare n form
comple' poate fi scris n modul
urmtor&
;^ S<
S
, (-,.<
S este panta tranzistorului,
<
S
este impedana de sarcin a montaEului. 1entru acest montaE
<
S
rezult din cone'iunea n paralel a <
/
i (<
1
H <
!
&

/ ! 1
! 1 /
S
< < <
F < E< <
<
+ +
+

. (-,.@
1rin urmare,
/ ! 1
! 1
/
< < <
< <
< S ;
+ +
+

`
. (-,.+
Factorul de transfer al cuadripolului de reacie, scris tot n
form comple', este&

! 1
!
/
!
< <
<
U
U
g
+
`
, (-,.-2
Valeriu Blaj
+@
u
/
u
!
u
1
<
/
<
!
VT
<
1
Fig.-,.3. "scilator
n trei puncte
SEMICONDUCTOARE
n care tensiunea de ieire, U
!
se obine pe impedana <
!
n
divizorul poteniometric, format de <
1
i <
!
, la bornele crora se
aplic tensiunea U
/
.
nlocuind e'presiile (-,.@ i (-,.+ n condiia #arJhausen, se
obine&

1
< <
<
< < <
< <
< S g ;
! 1
!
/ ! 1
! 1
/
+

+ +
+
`
`
. (-,.--
Sau dup simplificri se obine&

1
< < <
< <
S g ;
/ ! 1
/ !

+ +
`
`
. (-,.-0
din care rezult&
( < S< < < < /
! / ! 1
+ + +
. (-,.-.
Nelaia (-,.-. reprezint condiia de oscilaie n form
comple' pentru oscilatoarele mn trei puncteU. 6onsider!nd cele
dou impedane <
!
i <
/
de acelai tip i cu pierderi mici (R
!
mml
!
i
R
/
mml
/
, se observ, c, oricare ar fi natura impedanelor (inductiv
sau capacitativ, produsul S<
!
<
/
este un numr real i negativ&
<
!
^R
!
:8l
!
)

<
/
^R
/
:8l
/
i R
!
mml
!
)

R
/
mml
/
.
1rin urmare&
<
!
<
/
^E R
!
:8l
!
FsE R
/
:8l
/
F 8l
!
s 8l
/
^ l
!
sl
/
. (-,.-,
6u aceast observaie relaia (-,.-. poate fi scris&
R
1
:8l
1
: R
!
:8l
!
H R
/
:8l
/
S l
!
l
/
^(. (-,.-3
%ac se noteaz& R
1
: R
!
: R
/
^
R) (-,.-?
Se obine& RS l
!
l
/
:8El
1
:l
!
:l
/
F ^(. (-,.-<
Nelaia (-,.-< este satisfcut numai n cazul, c!nd simultan,
at!t partea real, c!t i partea imaginar sunt nule. 1rin urmare&
RS l
!
l
/
^() (-,.-@
Valeriu Blaj
++
Diagrama energetic a cristalului
de unde
/ !
l l
R
S
. (-,.-+
('presia (-,.-+ reprezint condiia minimal de amorsare a
oscilaiilor. Se observ, c panta tranzistorului (S trebuie s fie cu
at!t mai mare, cu c!t mai mare este rezistena total a circuitului.
* doua condiie, pus prii imaginare, duce la relaia&
l
1
:l
!
:l
/
^( sau l
1
^El
!
:l
/
F) (-,.02
6are, in!nd cont, c impedanele <
!
i <
/
sunt de aceeai
natur, demonstreaz, c
<
1
este de natur opus acestora,
suma l
!
:l
/
are sens opus i este egal cu l
1
.
Nezult, c oscilatoarele mn trei puncteU pot fi realizate
constructiv n dou variante&
-. Ampedanele <
!
i <
/
sunt de natur capacitativ,
iar <
1
de natur inductiv (oscilator &olpitts,
0. Ampedanele <
!
i <
/
sunt de natur inductiv,
iar <
1
de natur capacitativ (oscilator WartleI.
Valeriu Blaj
-22
a
=
C
!
VT
C
1
Fig.-,.?. "scilator 6olpitts
b
L
C
1
VT
C
!
c
=
C
1
C
!
SEMICONDUCTOARE
13././ Oscilator Col0itts
"scilatorul 6olpitts este un oscilator mn trei puncteU, n care
impedanele <
!
i <
/
sunt de natur capacitativ, iar <
1
de natur
inductiv, i mai poate fi reprezentat ca un amplificator cu filtru
trece$Eos n bucla de reacie pozitiv. n fig.-,.?.a este reprezentat
schema de principiu tradiional, n fig.-,.?.b schema analogic cu
fig.-,.3, iar n fig.-,.?.c reprezentarea ca amplificator cu filtru
trece$Eos.
6ondiia (-,.02 conduce la determinarea frecvenei de
oscilaie. *stfel&

D 8q l
1

,
!
!
C 8q
1
l

,
1
/
C 8q
1
l
(-,.0-
i condiia (-,.02 capt forma&

(
C 8q
1
C 8q
1
= 8q
1 !
+ +
. (-,.00
Botm&
C
1
C
1
C
1
! 1
+
, (-,.0.
unde C este capacitatea echivalent pentru circuitul, format din
cone'iunea serie a capacitilor C
1
i C
!
. n aa mod, e'presia
(-,.00 se transform n&

(
C 8q
1
= 8q +
sau
(
C q
1
= q
,
(-,.0,
din care rezult&
=C
1
q
(

i
=C !i
1
4
(

. (-,.03
Se observ, c 4
(
este chiar frecvena de rezonan a circuitului
acordat. 5aloarea minim pentru panta S este&

.
C =
C C R
C C Rq
C 8q
1
C 8q
1
R
S
! 1
! 1
!
(
! ( 1 (

(-,.0?
Valeriu Blaj
-2-
Diagrama energetic a cristalului
"scilatoarele 6olpitts pot genera oscilaii de frecven foarte
mare, dac se aleg C
1
i C
!
suficient de mici. 1entru frecvene de
ordinul sutelor de =qz rezult valori pentru C
1
i C
!
comparabile cu
valorile capacitilor parazitare ale tranzistorului. n acest caz,
frecvena de oscilaie va depinde variaiile de temperatur i de
variaiile tensiunii sursei de alimentare prin intermediul acestor
capaciti parazite. 1entru a nltura acest dezavantaE se nlocuiete
bobina = cu un circuit oscilant serie i se obine oscilator&l Clapp, a
crui schem este reprezentat n fig.-,.<. conform schemei
frecvena oscilaiilor va fi&

=C
1
q
(

, unde&
/ ! 1
C
1
C
1
C
1
C
1
+ +
, (-,.0<
1entru reglarea
frecvenei se variaz
capacitatea C
/
, care
poate fi aleas de valori
oric!t de mici. 5aloarea
capacitii echivalente
va fi determinat de
capacitatea C
/
i practic
CC
/
. 1rin urmare,
condensatoarele C
1
i
C
!
pot fi alese cu
capaciti mari i, deci
nu vor mai fi untate de
capacitile parazite ale
tranzistorului.
Valeriu Blaj
-20
Fig.-,.@. "scilator qartleY
a
C
VT
=
1
b
C
=
1
VT
=
!
c
C
=
1
=
!
=
!
:E
C
=
"
R
E R
!
R
1
VT
R
S
C
S
C
/
=
C
!
C
1
Fig.-,.<. "scilator 6lapp
SEMICONDUCTOARE
13./.3 Oscilator Martlep
"scilatorul qartleY este un oscilator mn trei puncteU, n care
impedanele <
!
i <
/
sunt de natur inductiv, iar <
1
de natur
capacitativ, i mai poate fi reprezentat ca un amplificator cu filtru
trece$sus n bucla de reacie pozitiv. n fig.-,.@.a este reprezentat
schema de principiu tradiional, n fig.-,.@.b schema analogic cu
fig.-,.3, n fig.-,.@.c reprezentarea ca amplificator cu filtru trece$
sus, iar n fig.-,.+ o schem practic.
6ondiia (-,.02 conduce la determinarea frecvenei de
oscilaie. *stfel&
C 8q
1
l
1

, l
!
^8=
!
) l
/
^8=
1
) (-,.0@
i condiia (-,.02 capt forma&

( = 8q = 8q
C 8q
1
+ +
0 - . (-,.0+
Botm& =^=
1
:=
!
) (-,..2
unde prin = este nsemnat inductana echivalent pentru
circuitul, format din cone'iunea serie a inductanelor =
1
i =
!
. n aa
mod, e'presia (-,.0+ se transform n&

(
C 8q
1
= 8q +
sau
(
C q
1
= q
,
(-,..-
din care rezult&

=C
1
q
(

i
=C !i
1
4
(

. (-,..0
Se observ, c 4
(
este chiar frecvena de rezonan a circuitului
acordat. 5aloarea minim pentru panta S este&

! 1
= =
C =
R S
. (-,...
(
C 8q
1
= 8q +
sau
(
C q
1
= q
,
(-,..-
din care rezult&
Valeriu Blaj
-2.
Diagrama energetic a cristalului

=C
1
q
(

i
=C !i
1
4
(

. (-,..0
Se observ, c 4
(
este chiar frecvena de rezonan a circuitului
acordat. 5aloarea minim pentru panta S este&

! 1
= =
C =
R S
. (-,...
8rebuie menionat faptul, c relaiile de mai sus sunt valabile n momentul
amorsrii oscilaiilor (etaEul funcioneaz n clas A. %up acest moment apare
limitarea amplitudinii ca urmare a nelinearitii caracteristicilor (clasa - sau C.
6erina de pant mare impune alegerea unor reactane l
!
i l
/
c!t mai mici. *cest
lucru nseamn un cuplaE c!t mai slab al tranzistorului cu circuitul acordat. 1rintr$
un cuplaE mai slab se evit i influena variaiei capacitilor sau rezistenelor de
intrare i ieire ale tranzistorului asupra frecvenei de oscilaie. 8rebuie menionat
faptul, c relaiile de mai sus sunt valabile n momentul amorsrii oscilaiilor
(etaEul funcioneaz n clas A. %up acest moment apare limitarea amplitudinii
ca urmare a nelinearitii caracteristicilor (clasa - sau C. 6erina de pant mare
impune alegerea unor reactane l
!
i l
/
c!t mai mici. *cest lucru nseamn un
cuplaE c!t mai slab al tranzistorului cu circuitul acordat. 1rintr$un cuplaE mai slab
se evit i influena variaiei capacitilor sau rezistenelor de intrare i ieire ale
tranzistorului asupra frecvenei de oscilaie.
Valeriu Blaj
-2,
=
!
=
1
R
E
C
E
VT
R
-
C
S
E
C
:
=
"
Fig.-,.+. "scilator qartleY
C
t
=
C
R
Fig.-,.-2. "scilator =C
cu A.O.
DA
U
ie5.
SEMICONDUCTOARE
1entru realizarea oscilatoarelor =C sunt comode
amplificatoarele integrate&
cu un etaE,
difereniale,
operaionale etc.
Kn e'emplu de oscilator =C cu amplificator operaional este
reprezentat n fig.-,.-2. 6ircuitul oscilant =C asigur reacia pozitiv
i frecvena oscilaiilor. 8ermorezistorul R cu coeficient termic negativ
formeaz reacie negativ, care menine amplitudinea oscilaiilor.
13.3 Oscilatoare RC
n banda frecvenelor nalte (peste -22 Jqz oscilatoarele =C
se pot realiza cu bobine i condensatoare de valori uor realizabile.
Da Eoase frecvene (mai mici de 32 Jqz apar dificulti n realizarea
oscilatoarelor, impun!ndu$se valori mari, at!t inductanelor, c!t i
capacitilor. #obinele av!nd un numr mare de spire prezint
rezisten de pierderi mare i, deci, un factor slab de calitate. n
aceast band se utilizeaz oscilatoare cu reacie pozitiv selectiv,
av!nd bucla de reacie, format din rezistene i condensatoare.
*cestea$s oscilatoare RC. Spre deosebire de oscilatoarele =C, la
care frecvena oscilaiilor coincide cu frecvena de rezonan, n
oscilatoarele RC frecvena semnalului generat este acea frecven,
pentru care datorit reaciei pozitive factorul amplificare crete la
infinit. (a se afl, impun!nd condiia de faz, deoarece defazaEele,
introduse de diferite elemente din circuit, depind de frecven. %e
asemenea este necesar condiia de amplitudine pentru amorsarea
oscilaiilor. "scilatoarele RC pot fi clasificate&
dup numrul etaEelor&
cu un etaE,
cu dou etaEe, etc.
dup configuraia cuadripolului de reacie&
cu filtru trece$Eos,
cu filtru trece$sus,
cu reea hien,
Valeriu Blaj
-23
Diagrama energetic a cristalului
cu punte mdublu 8U.
13.3.1 Oscilatoare RC cu celule "e "e4a6are
n aceste circuite se folosete proprietatea celulei RC de tip
trece$Eos (T.A. sau de tip trece$sus (T.S. de a introduce un defazaE
cuprins ntre ( i j! la o frecven finit diferit de zero. Frecvena
de oscilaie a oscilatorului RC nu este prea stabil, ns are avantaEul
obinerii unui domeniu larg de frecvene Eoase. Neglarea frecvenei la
un oscilator RC se face prin reglarea rezistenei sau capacitii.
Se poate pune problema
gsirii numrului minim de
celule RC, care ndeplinesc
condiia obinerii defazaEului de
1.(
o
. pentru a obine un defazaE
de sunt necesare cel puin trei
celule. n fig.-,.-- sunt
prezentate schemele de
oscilatoarelor cu celule de
defazare. n cazul acestor
scheme, pun!nd condiia, ca
factorul de reacie s fie real
i negativ, se obin formulele&
pentru oscilator cu celul de tip T.S.

R
R
3 &
1
RC
1
q
S
+

, (-,..,
pentru oscilator cu celul de tip T.A.

R
R
3 &
RC
1
q
S
+ . (-,..3
n cazul, c!nd R
S
mmR, formulele se simplific, obin!ndu$se&
pentru oscilator cu celul de tip 8.S.
Valeriu Blaj
-2?
Fig.-,.--. "scilator RC cu celule
de tip& a T.S., b T.A.
R
C C C
a
R R
C
b
R
C
R
C
R
SEMICONDUCTOARE

&
1
RC
1
q
, (-,..?
pentru oscilator cu celul de tip T.A.

RC
&
q . (-,..<
%in relaia referitoare la amplitudine se obine cerina fa de
factorul de amplificare& ;3* .
13.3.! Oscilatoare cu re1ea rien 5i J"u9lu TK
Da frecvena de cuazirezonan 4
(
factorul de transfer al reelei
hien este real i are valoarea ma'imal
(
^1j/, iar defazaEul
introdus este nul (vezi fig.+.--. 1rin urmare, amplificatorul va
conine un numr par de etaEe inversoare (care introduc fiecare
defazaE de 1.(
o
. Schema unui oscilator RC cu reea hien cu dou
tranzistoare este reprezentat n fig.-,.-0.
1entru a ndestula condiia de amplitudine, la frecvena de
cuazirezonan amplificatorul trebuie s aib factorul de amplificare
$/, lucru uor realizabil cu mare rezerv. %eci poate fi introdus i
reacie negativ prin R
E1
i R
/
. Neacia negativ prin termorezistorul
Valeriu Blaj
-2<
+E
C
R
/
R
93
R
9/
R
91
VT
!
VT
1
R
C!
R
C1
C
!
C
1
C
S!
C
S1
C
E!
R
E!
R
E1
R
!
ER
9!
F
t
R
1
fig.-,.-0. oscilator RC cu reea hien
Diagrama energetic a cristalului
R
/
cu coeficient termic negativ permite stabilizarea amplitudinii. %e
regul elementele reelei hien sunt alese egale& C
1
^ C
!
^ C,
R
1
^ R
!
^ R, i atunci frecvena oscilaiilor va fi &

RC !i
1
4
(

, (-,..@
n schemele reale, deoarece are loc untarea rezistenei R
!
prin
impedana de intrare a amplificatorului i divizorul de tensiune n
circuitul bazei tranzistorului VT
1
, condiia R
1
^ R
!
nu se respect.
*tunci 4
(
devine dependent de parametrii amplificatorului, iar
factorul de amplificare al amplificatorului va trebui s fie mai mare
ca trei.
"scilator RC cu reea hien poate fi format uor pe baza A.O.
Neeaua hien este conectat n bucla de reacie pozitiv (la intrarea
neinversoare, dup cum este reprezentat n fig.-,.-..a. Nezistena
variabil R
/
, conectat n bucla de reacie negativ permite
micorarea amplitudinii oscilaiilor cu scopul micorrii
distorsiunilor neliniare.
Valeriu Blaj
-2@
Fig. -,.-0. "scilatoare RC cu A.O.G a cu reea hien, b cu reea
mdublu 8U
R
!
R
1
C
!
C
1
R
/
DA

U
ie5.
a
R
!
U
ie5.
DA

!C
R/2
C
b
R
1
C
R R
SEMICONDUCTOARE
Da frecvena de cuazirezonan 4
(
factorul de transfer al reelei mdublu 8U
are valoarea minimal (vezi fig.+.-0. 1rin urmare, vom folosi un amplificator
inversor. Schema unui oscilator RC cu reea mdublu 8U cu A.O. este reprezentat
n fig.-,.-..b.
13.* Oscilatoare cu cristal "e cuar1
*numite materiale, cum sunt
cuarul turmalina, sarea de Seignette
i altele, tiate n anumite moduri,
prezint proprieti piezoelectrice.
*ceste proprieti constau n aceea
c, aplic!nd plcuei o tensiune
electric, ea i modific
dimensiunile, iar, aplic!nd plcuei
fore mecanice, apar sarcini electrice
de anumit tip pe feele solicitate
mecanic.
Se constat e'perimental, c o
plcu de cuar mpreun cu electrozii respectivi (rezonatorul de
cuar se comport ntr$un montaE oarecare ca un circuit R=C de
tipul, reprezentat n fig.-,.-..a.
(lementele schemei echivalente au semnificaiile urmtoare&
= echivalentul electric al masei cristalului,
C
S
echivalentul electric al elasticitii,
R echivalentul electric al pierderilor prin frecare,
C
+
capacitatea monturii, capacitatea dintre electrozi.
6ircuitul are dou frecvene de rezonan, din care una serie i
alta derivaie. 6ircuitul posed cel puin dou caracteristici eseniale&
rezistena de pierderi R este mult mai mic dec!t reactana
l, astfel nc!t factorul de calitate al circuitului este foarte
mare, put!nd atinge valori de ordinul sutelor de mii (
R
= q
n
(
)
valorile parametrilor R, =,C
S
, C
+
sunt foarte stabile n timp
i influenate puin de elementele de circuit.
Valeriu Blaj
-2+
Fig.-,.-.. Nezonator de
cuarG a simbolul,
b circuitul echivalent
C
0
=
C
S
R
a
b
<n
Diagrama energetic a cristalului
*ceste caracteristici e'plic marea stabilitate a oscilatoarelor
cu cuar.
Frecvena de oscilaie poate fi aEustat n limite mici prin
conectarea n serie cu cuarul a unui condensator cu o capacitate mult
mai mare ca C
S
.
Sunt posibile dou tipuri de oscilatoare =C cu cuar&
cu contur oscilant =C
fr contur =C.
n prima variant cuarul este inclus n reeaua de reacie, iar
conturul oscilant =C este conectat n circuitul colectorului. n
fig.-,.-, sunt reprezentate schemele a dou oscilatoare de acest tip.
n fig.-,.-,.a cuarul este inclus n reeaua de reacie a unui oscilator
6olpitts, iar n fig.-,.-,.b n a unui oscilator qartleY.
1entru realizarea condiiilor de autoe'citaie este necesar ca
frecvena de rezonan a conturului oscilant =
C
C
C
s fie egal (sau
multipl frecvenei de rezonan a cristalului de cuar.
ntre frecvena de rezonan serie (mai mic i frecvena de
rezonan derivaie cristalul se comport inductiv. 1rin urmare el
poate nlocui inductana ntr$un oscilator 6olpitts (vezi fig.-,.-3,
obin!ndu$se un oscilator de foarte mare stabilitate.
Valeriu Blaj
--2
fig.-,.-,. oscilatoare cu cuarul n reeaua de reacie&
a oscilator Col0itts) 9 oscilator Martlep.
b
R
E
C
VT
:E
C

=
C
C
C
<n
C
C1
C
C!
a
R
E
C
VT
:E
C

=
C
<n
SEMICONDUCTOARE
n fig.-,.-? este reprezentat schema unui oscilator cu cuar,
realizat n baza unui A.O. *ici cuarul Eoac rolul de contur oscilant
derivaie, conectat n reeaua de reacie pozitiv prin divizorul de
tensiune R
/
?R
3
. 6ondiia de amplitudine este ndeplinit n funcie de
raportul rezistenelor divizorului de tensiune R
/
?R
3
i reaciei
negative R
1
?R
!
.
n oscilatoarele =C pentru a stabiliza frecvena oscilaiilor pot
fi ntreprinse o serie de msuri.
Frecvena oscilaiilor este influenat de parametrii
amplificatorului, care la r!ndul lor depind de&
variaiile temperaturii,
tensiunii de alimentare,
presiune,
umiditate,
sarcin etc.
Valeriu Blaj
---
Diagrama energetic a cristalului
Valeriu Blaj
--0
SEMICONDUCTOARE
Anfluena lor este cu at!t mai mare, cu c!t mai mic este factorul de
calitate al conturului oscilant.
1entru mbuntirea factorului de calitate&
sunt folosite elemente (bobine, condensatoare cu
pierderi reduse, ce micoreaz untarea conturului
oscilant din partea de intrare i ieire a
amplificatorului.
%e asemenea poate fi introdus o bucl de reacie
negativ, care stabilizeaz parametrii amplificatorului.
6u aa msuri se poate obine o stabilitate a frecvenei de circa&
* 3
1( 1(
4
24


6ea mai efectiv msur ns este aplicarea cuarului, care
poate avea factorul de calitate p!n la 1(
&
.
$vanta+ele oscilatoarelor cu cuar constau n&
obinerea unei bune stabiliti a frecvenei,
o construcie simpl i robust.
Valeriu Blaj
--.
<n
VT
R
-
C
1
E
C
:
R
C
Fig.-,.-3. "scilator 6olpitts cu
cuar n circuitul oscilant
C
!
C
-
R
3
Fig. -,.-?. "scilatoare cu cuar
cu A.O
R
!
R
1
R
/
DA

U
ie5.
<n
Diagrama energetic a cristalului
Dezavanta+&l const n faptul, c oscilatoarele cu cuar nu pot
lucra dec!t la frecvene fi'e, caracteristice cristalului, cuprinse ntre
1(( $M6 i 3( MM6. Da frecvene mai Eoase dimensiunile plcii de
cuar devin mult prea mari, iar la frecvene mai nalte ar fi necesare
plci prea subiri, care ar deveni fragile.
Valeriu Blaj
--,